Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Σχετικά έγγραφα
Τρανζίστορ FET Επαφής

Θεωρία MOS Τρανζίστορ

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

του διπολικού τρανζίστορ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VLSI T echnol ogy ogy and Computer A r A chitecture Lab Γ Τσ ιατ α ο τ ύχ ύ α χ ς ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Πόλωση των Τρανζίστορ

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Γ. Τσιατούχας. 1. Διαγράμματα Bode. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Φροντιστήρια ΙV

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

D 2 D kω 100V 25V

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΛΥΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΩΝ. στον αναστρέφοντα ακροδέκτη. Στον χρόνο t = 0 η έξοδος υ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Κυκλώματα 2

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Γ. Τσιατούχας. 1. Δίθυρα Δίκτυα. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ανάλυση ικτύου ΙΙI

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

Τελεστικοί Ενισχυτές

Ηλεκτρική και Μηχανική ταλάντωση στο ίδιο φαινόμενο

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

3. Μέθοδος κομβικών τάσεων 4. Μέθοδος ρευμάτων απλών βρόχων

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 2η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τελεστικοί Ενισχυτές 2

Το διπολικό τρανζίστορ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

Transcript:

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου (FET) FET) Ι VLI Techology ad Comuter Architecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση 1. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου επαφής. MO τρανζίστορ επίδρασης πεδίου 3. Λειτουργία MO τρανζίστορ 4. I V χαρακτηριστικές 5. Διαμόρφωση μήκους καναλιού 6. Το MO ως αντίσταση Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1

Τρανζίστορ FET Επαφής JFET + + I Πηγή ource ate Πύλη + + Απαγωγός rai I JFET I V ate Πύλη V V V Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 3 Τρανζίστορ MO FET Αγωγός + L + Πηγή ource Μονωτής Πύλη ate υ =0 =V >V t Πηγή ource () υ L + + Υπόστρωμα υ =0 Meta al ate W Υποδοχή Απαγωγός rai () V t = τάση κατωφλίου V t > 0 + + Υπόστρωμα Bulk ανάλι Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 4

MO Τρανζίστορ Λειτουργία (Ι) υ >V t υ0 < =0 υ << + + i Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 5 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙ) i υ = V t +4V υ = V t +3V υ = V t +V υ = V t +1V υ V t i 0 υ 100 00 (mv) Αποκοπή Γραμμική Περιοχή Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 6 3

MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙΙ) υ =0 >V t υ V =0 t > υ >>0 + + Τρίοδος: υ υ V t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 7 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙV) υ >V t υ = υ V t υ >>> υ V t + + Pich Off Κόρος: υ > υ V t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 8 4

i υ Χαρακτηριστική MO Τρίοδος (Γραμμική) Περιοχή Αύξηση της αντίστασης του καναλιού και καμπύλωση της χαρακτηριστικής i Περιοχή Κόρου υ > υ V t Κορεσμός ρεύματος. Αύξηση της υ σχεδόν δεν επιφέρει μεταβολή στο ρεύμα υ >V t Γραμμική συμπεριφορά i υ υ sat = υ V t υ υ V OV =υ V t τάση υπεροδήγησης (overdrive voltage) Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 9 Εξισώσεις Ρεύματος MO Τρανζίστορ W + L + µ ε = t β = ox W L Συντελεστής Απολαβής 0 υ V t < 0 Αποκοπή i = ( ( υ Vt) υ υ) 0 < υ < υ V t Τρίοδος ( υ V ) t 0 < υ V t < υ Κόρος Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 10 5

i υ Χαρακτηριστικές MO Τρίοδος (Γραμμική) Περιοχή i υ sat = υ V t Περιοχή Κόρου υ = V t +4V t υ > υ V t υ = V t +3V i υ = V t +V i =0 υ i =i υ i = υ sat Αποκοπή υ = V t +1V υ V t υ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 11 i υ Χαρακτηριστική MO Περιοχή Κόρου: υ υ V t και υ V t i υ i ( υ V ) t υ i V t ( ) = υ V t υ i =i Ισοδύναμο κύκλωμα ισχυρού σήματος ή C λειτουργίας για το MO στον κόρο Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 6

Το MO Τρανζίστορ V > 0 Αγωγός + L + V Πηγή ource Μονωτής Πύλη ate υ =V <V0 t Πηγή ource () L + + Υπόστρωμα υ = 0 Meta al ate W Υποδοχή Απαγωγός rai () V t = τάση κατωφλίου + + Υπόστρωμα Bulk V t < 0 V ανάλι Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 13 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (Ι) V υ <V t υ<<υ = 0< 0 + + i V Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 14 7

MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙ) V υ <V t υ V =0 t < υ <<0 + + V Τρίοδος: 0 > υ > υ V t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 15 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙII) υ <V t V υ = υ V t υ <<< υ V t + + V Pich Off Κόρος: υ < υ V t < 0 Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 16 8

Εξισώσεις Ρεύματος MO Τρανζίστορ W + L + µ ε = t ox β = W L Συντελεστής Απολαβής 0 υ V t > 0 Αποκοπή i = ( ( υ Vt) υ υ ) 0 > υ > υ V t Τρίοδος ( υ V ) t 0 > υ V t > υ Κόρος Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 17 i υ Χαρακτηριστική MO i Περιοχή Κόρου: υ υ V t και υ V t i ( υ V ) t υ υ i V t ( ) = υ V t υ i =i Ισοδύναμο κύκλωμα ισχυρού σήματος ή C λειτουργίας για το MO στον κόρο Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 18 9

i υ Χαρακτηριστικές MO υ υ V t υ = V t 1V υ = V t V υ = V t 3V υ = V t 4V Αποκοπή sat Περιοχή Κόρου i = υ < υ V t υ Τρίοδος (Γραμμική) Περιοχή υ sat = υ V t i Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 19 Τρίοδος και Κόρος Voltage V Voltage Κόρος V V V OV V Τρίοδος V V t V V t V V +V t V V OV Τρίοδος V t d Κόρος MO MO Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 0 10

Διαμόρφωση Μήκους Καναλιού (Ι) Κόρος: Πηγή Κανάλι L υ V t L Υποδοχή i Τρίδος Κόρος MO υ Ι (κορ) υ Αποκοπή Τάση Early V A = 1/λ A Αυξάνοντας την υ κατά Δυ πάνω από τη υ (κορ) [υ =υ (κορ) +Δυ ] το μήκος του καναλιού L μειώνεται κατά ΔL. Καθώς το i είναι αντιστρόφως ανάλογο του μήκους του καναλιού, το i αυξάνει. Ακριβέστερα στον κόρο ισχύει: i = ( υ V ) (1 + λυ ) t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 υ Κόρος: Διαμόρφωση Μήκους Καναλιού (ΙΙ) Τα τρανζίστορ με μικρό μήκος καναλιού επηρεάζονται όπως είναι αναμενόμενο περισσότερο από το φαινόμενο της διαμόρφωσης του μήκους καναλιού. Επιπλέον το φαινόμενο αυτό κάνει την αντίσταση εξόδου του τρανζίστορ στον κόρο πεπερασμένη αντί για άπειρη (δηλ. οι χαρακτηριστικές δεν είναι παράλληλες στον άξονα x). ( ) υ Vt i υ υ Η αντίσταση εξόδου r o θα είναι: r o i ro = υ 1 υ =σταθ. = 1 [ λ( υ V ) ] ( λi ) t 1 κορ V = I A κορ i =i Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 11

Εικόνα MO Τρανζίστορ i 3 N 4 sacers Poly-i io io 180m Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 3 MO Τρανζίστορ Σύμβολα Αγωγός Μονωτής MO τρανζίστορ B Υπόστρωμα Κυκλωματικά Σύμβολα Αγωγός Μονωτής MO τρανζίστορ B Υπόστρωμα Κυκλωματικά Σύμβολα Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 4 1

CMO Τεχνολογία + + + πηγάδι + + + υπόστρωμα Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 5 Fi FETFET TI TI Plaar FET Fi FET FET Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 6 13

Παράδειγμα 1 (Ι) V =5V Ι Ι =0 R V =0.1V Δεδομένα: Στο κύκλωμα του σχήματος ισχύει: V t =1V και =0.5mA/V. Ζητούμενα: Ποια η τιμή της R ώστε η τάση V =0.1V; Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 7 Παράδειγμα 1 (ΙI) V =5V Ι Ι =0 R V =0.1V Επειδή πρέπει V =0.1V, συνεπάγεται: V = 0.1V < 4V = V V t Συνεπώς το τρανζίστορ λειτουργεί στην τρίοδο (γραμμική) περιοχή. Το ρεύμα I είναι: [ (V V )V V ] 0.395mA I = ( t = Και συνεπώς από νόμο Ohm: R V V = = 1.4Ω I Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 8 14

Παράδειγμα (Ι) R 1 =10MΩ V =10V R =6Ω Δεδομένα: Στο κύκλωμα του σχήματος ισχύει: V t =1V και =0.5mA/V. R =10MΩ Ι =0 Ι Ι R =6Ω Ζητούμενα: Να προσδιοριστούν οι τιμές των τάσεων και των ρευμάτων στους ακροδέκτες του τρανζίστορ. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 9 Παράδειγμα (ΙI) V =10V R 1 =10MΩ Ι =0 R =10MΩ R =6Ω Ι Ι R =6Ω Το ρεύμα I σε ένα MO τρανζίστορ είναι ίσο με μηδέν. Οι αντιστάσεις R 1 και R δρουν ως ένας απλός διαιρέτης τάσης και συνεπώς V =5V. Με V =5V > V t =1V το τρανζίστορ είναι σε αγώγιμη κατάσταση. Δεν γνωρίζουμε όμως αν λειτουργεί στην τρίοδο ή στον κόρο. Θα υποθέσουμε ότι είναι στον κόρο και αν η υπόθεση δεν επαληθευθεί θα ξαναλύσουμε το πρόβλημα για λειτουργία στην τρίοδο. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 30 15

Παράδειγμα (ΙΙI) V =10V Μεταξύ Πύλης Πηγής θα ισχύει: R 1 =10MΩ R =6Ω V = V V = V I R R =10MΩ Ι =0 Ι Ι R =6Ω Για το ρεύμα I στον κόρο ισχύει: = (V Vt) I Συνεπώς: I = (V Vt IR ) I = 0.89mA ή I = 0.5mA Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 31 Παράδειγμα (ΙV) V =10V R 1 =10MΩ Ι =0 R =10MΩ R =6Ω Ι Ι R =6Ω Επειδή το κύκλωμα είναι σε ισορροπία μόνο μία λύση μπορεί να είναι η σωστή. Αν I =0.89mA τότε: V = I. R =5.34V. Αυτή η λύση δεν ευσταθεί καθώς αν V > V τότε το τρανζίστορ είναι στην αποκοπή και θα έπρεπε I =0. Άρα Ι = 0.5mA. Έτσι V = 3V ενώ V = V V = V>V t Τέλος: V = V IR = 7V Καθώς V =(7 3)V=4V > 1V=( 1)V=V V t το τρανζίστορ είναι όντως στον κόρο και οι λύσεις αποδεκτές! Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 3 16

Παράδειγμα (V) V V V =10V R 1 =10MΩ Ι =0 R =6Ω Ι R 1 Ι =0 R V ( V V ) Ι t R V R =10MΩ Ι R =6Ω Ι =Ι Ισοδύναμο κύκλωμα λειτουργίας στον κόρο R Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 33 Παράδειγμα 3 (Ι) R 1 V =+5V Ι =0 V =+3V Ζητούμενα: α) ) Σχεδιάστε το κύκλωμα ώστε να λειτουργεί στον κόρο με Ι =0.5mA και V =+3V. β) Ποια η μέγιστη τιμή της R ώστε το τρανζίστορ να παραμένει στον κόρο; R Ι R Δεδομένα: Στο κύκλωμα του σχήματος ισχύει: V t = 1V και =0.5mA/V. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 34 17

Παράδειγμα 3 (ΙI) R 1 V =+5V Ι =0 V =+3V Για το ρεύμα I στον κόρο ισχύει: = (V V t) I Η λύση του συστήματος που είναι αποδεκτή από φυσική άποψη για να είναι το τρανζίστορ στον κόρο είναι V = V. Συνεπώς με V =5V V =3V. R Ι R Καθώς το ρεύμα I σε ένα MO τρανζίστορ είναι ίσο με μηδέν, οι αντιστάσεις R 1 και R δρουν ως ένας απλός διαιρέτης τάσης και συνεπώς μπορούμε να επιλέξουμε R 1 =ΜΩ και R =3ΜΩ ώστε V =3V. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 35 Παράδειγμα 3 (ΙΙI) R 1 V =+5V Η τιμή της R θα δίνεται από τη σχέση: R V = = 6Ω I Το τρανζίστορ παραμένει στην περιοχή του κόρου όσο V V V t. Δηλαδή V V V t. N. Ohm Ι =0 V =+3V Συνεπώς στο όριο του κόρου: R Ι V max = V V t = 31 3+1 = 4V R Άρα: R max Vmax = = 8Ω I Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 36 18

Το MO ως Αντίσταση V > V t υ = υ V t υ = υ κόρος V i υ 4 i =0 υ = υ υ 3 i υ υ 1 Το MO λειτουργεί στον κόρο καθώς: υ V t < υ υ Μη γραμμική αντίσταση! i = (V V t Vt) υ 1 υ υ 3 υ 4 υ υ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 37 19