Τρανζίστορ FET Επαφής

Σχετικά έγγραφα
Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Θεωρία MOS Τρανζίστορ

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ).

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

του διπολικού τρανζίστορ

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Πόλωση των Τρανζίστορ

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

ΦΥΣΙΚΗ Β ΤΑΞΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ 2003 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

Προτεινόµενες Ασκήσεις στα Κυκλώµατα δύο Ακροδεκτών

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1. ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ i.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Προτεινόµενες Ασκήσεις στα Κυκλώµατα δύο ακροδεκτών στο Πεδίο της Συχνότητας

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Βασικές Λειτουργίες των TR

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία ιάλεξη 7

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

10o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Στοιχεία Χωροθεσίας (Layout) CMOS

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

Ένταση Ηλεκτρικού Πεδίου υναµικό

ηλεκτρικό ρεύµα ampere

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET

ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΚΑΙ ΙΣΧΥΣ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

Transcript:

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1

Τρανζίστορ FET Επαφής JFET + + I Πηγή ource ate Πύλη + + Απαγωγός rai I JFET I V ate Πύλη V V V Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 3 Τρανζίστορ MO-FET Αγωγός Μονωτής (io ) Poly-i + L + Πηγή ource Πύλη ate υ =0 =V >V t Πηγή ource () υ + + Υπόστρωµα υ =0 L Poly-i ate W Υποδοχή Απαγωγός rai () V t = τάση κατωφλίου V t > 0 + + Υπόστρωµα Bulk ανάλι Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 4

MO Τρανζίστορ Λειτουργία (Ι) υ >V t υ0 < =0 υ << + + + i Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 5 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙ) i υ = V t +4V υ = V t +3V υ = V t +V υ = V t +1V υ V t i 0 υ 100 00 (mv) Αποκοπή Γραµµική Περιοχή Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 6 3

MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙΙ) υ =0 >V t υ V =0 t > υ >>0 + + Τρίοδος: υ υ V t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 7 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙV) υ >V t υ = >>> υ υ V t V t + + Pich-Off Κόρος: υ > υ V t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 8 4

i -υ Χαρακτηριστική MO Τρίοδος (Γραµµική) Περιοχή Αύξηση της αντίστασης του καναλιού και καµπύλωση της χαρακτηριστικής i υ < υ V t Περιοχή Κόρου υ > υ V t Κορεσµός ρεύµατος. Αύξηση της υ σχεδόν δεν επιφέρει µεταβολή στο ρεύµα υ >V t Γραµµική συµπεριφορά υ sat = υ V t υ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 9 Εξισώσεις Ρεύµατος MO Τρανζίστορ Poly-i + L + µ ε = t β = ox W L Συντελεστής Απολαβής 0 υ V t < 0 Αποκοπή i = ( ( υ Vt) υ υ ) 0 < υ < υ V t Τρίοδος ( υ V ) t 0 < υ V t < υ Κόρος Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 10 5

i -υ Χαρακτηριστικές MO Τρίοδος (Γραµµική) Περιοχή i υ < υ V t υ sat = υ V t Περιοχή Κόρου υ > υ V t υ = V t +4V υ = V t +3V i =0 υ i υ i = υ sat υ = V t +V υ = V t +1V υ V t i =i Αποκοπή υ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 11 i -υ Χαρακτηριστική MO Περιοχή Κόρου: υ υ V t και υ V t i ( υ V ) i t υ υ i =i i V t = ( υ V ) t υ Ισοδύναµο κύκλωµα ισχυρού-σήµατος ή C λειτουργίας για το MO στον κόρο Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 6

Το MO Τρανζίστορ V > 0 Αγωγός Μονωτής (io ) Poly-i + L + V Πηγή ource Πύλη ate υ =V <V0 t Πηγή ource () + + Υπόστρωµα υ = 0 L Poly-i ate W Υποδοχή Απαγωγός rai () V t = τάση κατωφλίου V t < 0 + + Υπόστρωµα Bulk V ανάλι Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 13 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (Ι) υ <V t V υ<<υ = 0< 0 + + i V Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 14 7

MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙ) υ <V t V υ V =0 t < υ <<0 + + V Τρίοδος: 0 > υ > υ V t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 15 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙII) υ <V t υ = <<< υ υ V t V t V + + V Κόρος: υ < υ V t < 0 Pich-Off Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 16 8

Εξισώσεις Ρεύµατος MO Τρανζίστορ Poly-i W + L + µ ε = t ox β = W L Συντελεστής Απολαβής 0 υ V t > 0 Αποκοπή i = ( ( υ Vt ) υ υ ) 0 > υ > υ V t Τρίοδος ( υ V ) t 0 > υ V t > υ Κόρος Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 17 i -υ Χαρακτηριστική MO i Περιοχή Κόρου: υ υ V t και υ V t ( υ V ) i t υ υ i V t = ( υ V ) t υ i =i Ισοδύναµο κύκλωµα ισχυρού-σήµατος ή C λειτουργίας για το MO στον κόρο Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 18 9

i -υ Χαρακτηριστικές MO υ υ V t υ = V t 1V υ = V t V Αποκοπή i = υ sat Τρίοδος (Γραµµική) Περιοχή υ = V t 3V υ = V t 4V Περιοχή Κόρου υ < υ V t υ > υ V t υ sat = υ V t i Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 19 Τρίοδος και Κόρος Voltage V V Voltage V V Κόρος Τρίοδος V - V t V V t V V +V t V Τρίοδος V t d Κόρος MO MO Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 0 10

ιαµόρφωση Μήκους Καναλιού (Ι) Κόρος: L Κανάλι Πηγή υ L Απαγωγός i Τρίδος Κόρος υ MO υ (κορ) Ι (κορ) Αποκοπή Τάση Early V A = 1/λ Αυξάνοντας την υ κατά υ πάνω από τη υ (κορ) [υ =υ (κορ) + υ ] το µήκος του καναλιού Lµειώνεται κατά L. Καθώς το i είναι αντιστρόφως ανάλογο του µήκους του καναλιού, το i αυξάνει. Ακριβέστερα στον κόρο ισχύει: i = ( υ V ) (1 + λυ ) t Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 υ Κόρος: ιαµόρφωση Μήκους Καναλιού (ΙΙ) Τα τρανζίστορ µε µικρό µήκος καναλιού επηρεάζονται όπως είναι αναµενόµενο περισσότερο από το φαινόµενο της διαµόρφωσης του µήκους καναλιού. Επιπλέον το φαινόµενο αυτό κάνει την αντίσταση εξόδου του τρανζίστορ στον κόρο πεπερασµένη αντί για άπειρη (δηλ. οι χαρακτηριστικές δεν είναι παράλληλες στον άξονα x). ( ) υ Vt i υ υ Ηαντίσταση εξόδου r o θα είναι: r o r o i = υ 1 υ =σταθ. = 1 [ λ( υ Vt ) ] ( λiκορ ) 1 V = I A κορ i =i Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 11

Εικόνα MO Τρανζίστορ i 3 N 4 sacers Poly-i io io 180m Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 3 MO Τρανζίστορ - Σύµβολα Αγωγός Μονωτής MO τρανζίστορ B Υπόστρωµα Κυκλωµατικά Σύµβολα Αγωγός Μονωτής MO τρανζίστορ B Υπόστρωµα Κυκλωµατικά Σύµβολα Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 4 1

CMO Τεχνολογία Poly-i Poly-i + + + -πηγάδι + + + υπόστρωµα Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 5 Παράδειγµα 1 (Ι) V =5V Ι Ι =0 R V =0.1V εδοµένα: Στο κύκλωµα του σχήµατος ισχύει: V t =1V και =0.5mA/V. Ζητούµενα: Ποια η τιµή της R ώστε η τάση V =0.1V; Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 6 13

Παράδειγµα 1 (ΙI) V =5V Ι Ι =0 R V =0.1V Επειδή πρέπει V =0.1V, συνεπάγεται: V = 0.1V < 4V = V Συνεπώς το τρανζίστορ λειτουργεί στην τρίοδο (γραµµική) περιοχή. Το ρεύµα I είναι: V t [ (V V )V V ] 0.395mA I = t = Και συνεπώς από νόµο Ohm: R V V = = 1.4Ω I Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 7 Παράδειγµα (Ι) R 1 V =10V R εδοµένα: Στο κύκλωµα του σχήµατος ισχύει: V t =1V και =0.5mA/V. R Ι =0 Ι Ι R Ζητούµενα: Να προσδιοριστούν οι τιµές των τάσεων και των ρευµάτων στους ακροδέκτες του τρανζίστορ. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 8 14

Παράδειγµα (ΙI) V =10V R 1 Ι =0 R R Ι Ι R Το ρεύµα I σε ένα MO τρανζίστορ είναι ίσο µε µηδέν. Οι αντιστάσεις R 1 και R δρουν ως ένας απλός διαιρέτης τάσης και συνεπώς V =5V. Με V =5V > V t =1V το τρανζίστορ είναι σε αγώγιµη κατάσταση. εν γνωρίζουµε όµως αν λειτουργεί στην τρίοδο ή στον κόρο. Θα υποθέσουµε ότι είναι στον κόρο και αν η υπόθεση δεν επαληθευθεί θα ξαναλύσουµετο πρόβληµα για λειτουργία στην τρίοδο. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 9 Παράδειγµα (ΙΙI) V =10V Μεταξύ Πύλης-Πηγής θα ισχύει: R 1 R V = V V = V I R R Ι =0 Ι Ι R Για το ρεύµα I στον κόρο ισχύει: I = (V Vt ) Συνεπώς: I = (V Vt IR) I = 0.89mA ή I = 0.5mA Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 30 15

Παράδειγµα (ΙV) V =10V R 1 Ι =0 R R Ι Ι R Επειδή το κύκλωµα είναι σε ισορροπία µόνο µία λύση µπορεί να είναι η σωστή. Αν I =0.89mA τότε: V = I. R =5.34V. Αυτή η λύση δεν ευσταθεί καθώς αν V > V τότε το τρανζίστορ είναι στην αποκοπή και θα έπρεπε I =0. Άρα Ι = 0.5mA. Έτσι V = 3V ενώ V = V V = V>V t Τέλος: V = V IR = 7V Καθώς V =(7 3)V=4V > 1V=( 1)V=V V t το τρανζίστορ είναι όντως στον κόρο και οι λύσεις αποδεκτές! Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 31 Παράδειγµα (V)( V V V =10V R 1 Ι =0 R Ι R 1 Ι =0 R V ( V V ) Ι t R V R Ι R Ι =Ι Ισοδύναµο κύκλωµα λειτουργίας στον κόρο R Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 3 16

Παράδειγµα 3 (Ι) R 1 V =+5V Ι =0 V =+3V Ζητούµενα: Σχεδιάστε το κύκλωµα ώστε να λειτουργεί στον κόρο µε Ι =0.5mA και V =+3V. Ποια η µέγιστη τιµή της R ώστε το τρανζίστορ να παραµένει στον κόρο; R Ι εδοµένα: R Στο κύκλωµα του σχήµατος ισχύει: V t = 1V και =0.5mA/V. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 33 Παράδειγµα 3 (ΙI) R 1 V =+5V Για το ρεύµα I στον κόρο ισχύει: I = (V Vt ) Ηλύση του συστήµατος που είναι αποδεκτή από φυσική άποψη για να είναι το τρανζίστορ στον κόρο είναι V = V. Ι =0 V =+3V Συνεπώς µε V =5V V =3V. R Ι R Καθώς το ρεύµα I σε ένα MO τρανζίστορ είναι ίσο µε µηδέν, οι αντιστάσεις R 1 και R δρουν ως ένας απλός διαιρέτης τάσης και συνεπώς µπορούµε να επιλέξουµε R 1 =ΜΩ και R =3ΜΩ ώστε V =3V. Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 34 17

Παράδειγµα 3 (ΙΙI) R 1 V =+5V Ητιµή της R θα δίνεται από τη σχέση: R V = = 6Ω I Το τρανζίστορ παραµένει στην περιοχή του κόρου όσο V V V t. ηλαδή V V V t. N. Ohm Ι =0 V =+3V Συνεπώς στο όριο του κόρου: R Ι V max = V V t = 3+1 = 4V R Άρα: R max Vmax = = 8Ω I Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 35 Το MO ως Αντίσταση i υ = υ V t υ = υ κόρος V υ 4 i =0 υ = υ υ 3 i υ υ 1 Το MO λειτουργεί στον κόρο καθώς: υ V t < υ υ Μη γραµµική αντίσταση! i = V t (V Vt ) υ 1 υ υ 3 υ 4 υ υ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 36 18