Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης

Σχετικά έγγραφα
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

.Λιούπης. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος 1

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 1ο.. Λιούπης

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (3 ο σειρά διαφανειών)

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Κυκλώµατα CMOS και Λογική Σχεδίαση 2

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

10. Χαρακτηριστικά στοιχεία λογικών κυκλωμάτων

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (1 η σειρά διαφανειών)

Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.

ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/ :09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

1.1 Θεωρητική εισαγωγή

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

GM-392 & GM VDC 700 Vrms /AC.

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΛΟΓΙΑ

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά

Πανεπιστήµιο Αιγαίου Τµήµα Μηχανικών Πληροφοριακών και Επικοινωνιακών Συστηµάτων. 3η Άσκηση Logical Effort - Ένα ολοκληρωµένο παράδειγµα σχεδίασης

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

ΨΗΦΙΑΚΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ

Πρόγραμμα Επικαιροποίησης Γνώσεων Αποφοίτων

ΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)

Σύνθεση για χαµηλή κατανάλωση

ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Χειμερινό Εξάμηνο Περίληψη

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 4 η Εργαστηριακή Άσκηση

Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)

- Transistor Transistor -

6. Σχεδίαση Κυκλωμάτων Λογικής Κόμβων (ΚΑΙ), (Η)

Low Power. Οργάνωση Παρουσίασης. ηµήτρης Μητροβγένης ηµήτρης Κασερίδης Μαρίνος Σαµψών VLSI II ΠΑΤΡΑ 2004

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

Transcript:

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 6ο. Λιούπης

Κίνδυνοι για ένα ολοκληρωµένο CMOS Ηλεκτροστατική εκκένωση (electrostatic discharge ESD) ανταλλαγή στατικών φορτίων και δηµιουργία σπινθήρα, όταν πλησιάσουν δύο σώµατα µε διαφορετικό στατικό φορτίο (π.χ. ακροδέκτης και ανθρώπινο σώµα) Latchup: σχηµατισµός παρασιτικών διπολικών transistor µέσα στα επίπεδα πυριτίου, τα οποία βραχυκυκλώνουν την τάση τροφοδοσίας µε τη γείωση

ιατάξεις εισόδου-εξόδου CMOS ιασυνδέουν τα εσωτερικά κυκλώµατα µε τον "έξω κόσµο" Προστατεύουν από ESD και latchup Πρέπει να αντεπεξέρχονται σε τάσεις και ρεύµατα πολύ µεγαλύτερα απ' όσο στους εσωτερικούς κόµβους του ολοκληρωµένου Αποτελούνται από έναν αντιστροφέα CMOS µε πρόσθετες διατάξεις (διόδους, αντιστάσεις, κ.ά.) υλοποιηµένες στα επίπεδα πυριτίου- µετάλλου

Βαθµίδες εισόδου CMOS ακροδέκτης εισόδου V DD GND V DD GND V DD GND προς εσωτερικούς κόµβους Σκοπός : αποµάκρυνση των θετικών και αρνητικών υπερτάσεων από τις ευαίσθητες πύλες των transistor εισόδου είσοδος µε προστασίαecd

Βαθµίδες εξόδου CMOS από εσωτερικούς κόµβους V DD ακροδέκτης εξόδου Σκοπός : αποτρέπουν να περάσει το υπερβολικό ρεύµα απότην καταβόθρα-πηγή των transistor εξόδου GND έξοδος totem-pole

Έξοδος τριών καταστάσεων V DD V DD enable X enable Y X Y enable enable GND GND Αποµονώνεται ο ακροδέκτης εξόδου υπό τον έλεγχο του σήµατος enable Οαποµονωµένος ακροδέκτης δεν οδηγείται προς το V DD ήτοgnd, αλλά παρουσιάζει χωρητικότητα εξόδου

Έξοδος ανοιχτής καταβόθρας V DD Παραλείπεται το PMOS transistor X GND Y Για το pullup απαιτείται µια εξωτερική αντίσταση προς το V DD Χρησιµοποιείται για την υλοποίηση wired-and συνδέσεων

Κατανάλωση ισχύος CMOS Στατική κατανάλωση ισχύος σε κατάσταση ηρεµίας, όταν οι είσοδοι και οι έξοδοι δεν αλλάζουν κατάσταση P = I V S CC CC, όπου I CC : ρεύµα διαρροής υναµική κατανάλωση ισχύος κατά τη διάρκεια των µεταβάσεων των εξόδων µεταξύ των δύο λογικών καταστάσεων. Οφείλεται : στο ρεύµα για τη φόρτιση/εκφόρτιση εξωτερικών χωρητικοτήτων στο ρεύµα για τη φόρτιση/εκφόρτιση εσωτερικών κόµβων στο ρεύµα βραχυκυκλώµατος, που εµφανίζεται µέσω των transistor κατά την εναλλαγή καταστάσεων

Λογικές οικογένειες CMOS Συµβατικές λογικές οικογένειες λειτουργούν µε συµβατική τάση τροφοδοσίας (έως και 5V) Λογικές οικογένειες χαµηλής κατανάλωσης λειτουργούν µε τάση τροφοδοσίας µικρότερη από 5V ± 0.3 2.5V ± 0.2 1.8V ± 0.15

Συµβατικές λογικές οικογένειες CMOS δεκαετία 70 δεκαετία 80 δεκαετία 90 AC ACQ VHC/AHC χαµηλής τάσης HC 74C CD4000

Τάση τροφοδοσίας συµβατικών λογικών οικογενειών CMOS Λογική οικογένεια CD4000 74C 74HC 74AC AHC/VHC Τάση τροφοδοσίας (V CC ) 3 15V 3 15V 2 6V 2 6V 2 5.5V ίνονται προδιαγραφές για 5, 10, 15V 5, 10, 15V 2, 4.5, 6V 3, 4.5, 6V 2, 3, 4.5V

Οδηγητική ικανότητα συµβατικών λογικών οικογενειών CMOS Λογική οικογένεια CD4000 74C 74HC 74AC AHC/VHC I OL /I OH (V CC =5V, C L =50pF) (όσο µεγαλύτερο, µεγαλύτερη ικανότητα οδήγησης) ±0.4mA ±1.6mA ±6mA ± 24mA ±8mA

Καθυστέρηση διάδοσης συµβατικών λογικών οικογενειών CMOS Λογική οικογένεια 74C Kαθυστέρηση διάδοσης t PD (V CC =5V, C L =50pF) 70ns 74HC 25ns 74AC 7.5ns AHC/VHC 8.5ns

Παράγοντες που επιδρούν στην καθυστέρηση διάδοσης Καθυστέρηση διάδοσης (ns) Τάση τροφοδοσίας V CC (V) Φορτίο Εξόδου C L (pf) Θερµοκρασία T A ( o C)

Πρότυπες λογικές στάθµες τάσης

Επίδραση της τάσης τροφοδοσίας στα χαρακτηριστικά λειτουργίας Ολοκληρωµένο κύκλωµα: 74HC244 Με κανονική τάση V CC (4.5V) Με την ελάχιστη δυνατή V CC (2V) µέγιστη καθυστέρηση διάδοσης t PD 28ns 140ns µέγιστη οδηγητική ικανότητα I OL(H) 6mA 0.02mA

Λογικές οικογένειες CMOS χαµηλής τροφοδοσίας οικογένεια LV LVC ALVC AVC LVX LCX VCX V CC (Volts) 2.0-5.5 1.65-3.6 1.65-3.6 1.4-3.6 2.0-3.6 2.0-3.6 1.4-3.6 πλήρεις προδιαγραφές λειτουργίας για V CC 2.5V 2.5V 1.8V 2.5V 1.8V 2.5V 2.5V 1.8V 2.5V βέλτιστη λειτουργία σε V CC 2.5V 2.5V ανοχή σε υπερτάσεις 5V 5V 5V 5V 5V

Καθυστέρηση διάδοσης CMOS χαµηλής τάσης τροφοδοσίας ανά V CC AVC ALVC LVC LV VCX LCX LVX 2.5V AVC ALVC LVC LV VCX LCX 1.8V AVC ALVC VCX 2ns 4ns 6ns 8ns 10ns 12ns 14ns 16ns 18ns

Οδηγητική ικανότητα (I OL /I OH ) CMOS χαµηλής τάσης τροφοδοσίας 30 25 2.5V 1.8V 24 24 24 24 I OL /I OH (ma) 20 15 10 5 8 2 8 12 12 8 8 4 4 4 4 12 6 0 LV LVC ALVC AVC LVX LCX VCX

Βασικές αρχές διασύνδεσης Για να διασυνδεθούν σωστά δύο ή περισσότερα ψηφιακά κυκλώµατα πρέπει να εξασφαλίσουν Συµβατές λογικές στάθµες Επαρκή οδηγητική ικανότητα (fanout) Ασφαλείς χρόνους ανόδου-καθόδου του σήµατος

Συµβατές λογικές στάθµες Αν τα διασυνδεόµενα κυκλώµατα ανήκουν στην ίδια λογική οικογένεια θα έχουν συµβατές λογικές στάθµες Αν τα διασυνδεόµενα κυκλώµατα ανήκουν σε διαφορετικές λογικές οικογένειες πρέπει να ισχύει (υποθέτουµε ότι το Α οδηγεί το Β) V V B IH B IL A OH (min) > V > (max) A OL(max) < V < (min) αν και τότε τα περιθώρια θορύβου µπορεί να είναι πολύ µικρά V V B IH (min) B IL(max)

Επαρκής οδηγητική ικανότητα (fanout) Το κύκλωµα οδήγησηςπρέπειναπαρέχειή να καταβυθίζει ικανή ποσότητα ρεύµατος, έτσι ώστε να ικανοποιούνται οι ανάγκες των οδηγούµενων εισόδων Υποθέτοντας ότι η έξοδος οδηγεί n όµοιες εισόδους πρέπει να ισχύει I n I OL(max) IL(max) και I OH n I (max) IH (max)

Ασφαλείς χρόνοι ανόδου-καθόδου του σήµατος Στις διάφορες λογικές οικογένειες, ορίζεται ένας µέγιστος χρόνος για τη µετάβαση του σήµατος στις εισόδους από τη µία λογική στάθµη στην άλλη Αν δεν τηρηθεί ο χρόνος αυτός, µε πολύ αργές µεταβάσεις του σήµατος, τα κυκλώµατα µπορεί να δυσλειτουργήσουν

ιασύνδεση κυκλωµάτων TTL και CMOS (1)

ιασύνδεση κυκλωµάτων TTL και CMOS (2) Το κύκλωµα CMOS µπορεί να οδηγήσει άµεσα µία είσοδο TTL, διότι οι στάθµες εξόδου CMOS είναι συµβατές µε τιςστάθµες εισόδου TTL Το κύκλωµα TTL δεν µπορεί να οδηγήσει άµεσα µία είσοδο CMOS. Αυτό γίνεται εφικτό µε: προσθήκη αντίστασης R P ανύψωσης δυναµικού χρήση ολοκληρωµένου κυκλώµατος CMOS µε εισόδους συµβατές µετιςστάθµες TTL