Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές
|
|
- Αριστοκλής Παπαγεωργίου
- 8 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 UNIVERSITY of PATRAS Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιπλωµατική εργασία ΣΥΚΑΡΗ ΒΙΟΛΕΤΑ Επιβλέπων καθηγητής ΛΑ ΑΣ ΣΠΥΡΙ ΩΝ ΠΑΤΡΑ 2009
2 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Σκοπός της διπλωµατικής εργασίας Επιφανειακά ευαίσθητες τεχνικές Περιγραφή της πηγής εξάχνωσης Πειραµατική διαδικασία Αποτελέσµατα Συµπεράσµατα
3 ΣΚΟΠΟΣ Το MgCl2 είναι µία από τις σηµαντικότερες ενώσεις του µαγνησίου το οποίο χρησιµοποιείταισεπολλέςβιοµηχανικέςεφαρµογές. Στηνκατάλυσητο MgCl2 χρησιµοποιείται στην παρασκευή καταλυτών Ziegler-Natta είτε ως υπόστρωµα από µόνο του, είτε σε συνδυασµό µε σίλικα, SiO2. Σκοπός της παρούσας εργασίας είναι η µελέτη της αλληλεπίδρασης του πυριτίου, Si, µε υµένια χλωριούχου µαγνησίου, MgCl2, τα οποία αποτελούν κύρια συστατικά του υποστρώµατος των ρεαλιστικών µοντέλων των καταλυτών Ziegler-Natta ( ταρεαλιστικάµοντέλαπροσοµοιάζουντιςπραγµατικέςιδιότητεςτουκαταλύτη, ενώ µπορεί να µελετηθούν από επιφανειακά ευαίσθητες τεχνικές ).
4 ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ Φασµατοσκοπία φωτοηλεκτρονίων µε ακτινοβολία συγχρότρου (SRPES): µετηνοποίαεκτόςαπότηµελέτητωνεπιπέδωνκαρδιάςήτανδυνατήκαιηλεπτοµερήςανάλυση της λεπτής δοµής της ζώνης σθένους. Η τεχνική αυτή πλεονεκτεί έναντι άλλων τεχνικών, λόγω: 1)της υψυλής ροής φωτονίων (µεγάλη ένταση ακτινοβολίας) 2)του µεγάλου εύρους ρυθµιζόµενο φάσµα (από υπερέρυθρο έως σκληρές ακτίνες-χ) και 3) της υψυλής κατευθυντικότητας µε αποτέλεσµα να µπορούµε να έχουµε µεγάλη διακριτική ικανότητα. Περίθλαση ηλεκτρονίων χαµηλής ενέργειας (LEED): µετηνοποίαµπορείναµελετηθείηπεριοδικήήηκρυσταλλικήδοµή της επιφάνειας του υλικού
5 Φασµατοσκοπία φωτοηλεκτρονίων (SRPES) ΣύστηµαΕµβολής IS (injection system): παράγει ηλεκτρόνια, τα επιταχύνει και τα εισάγει στο δακτύλιο συσσώρευσης. ακτύλιοςσυσσώρευσης SR (storage ring): κυκλικός µεταλλικός σωλήνας εντός του οποίου τα ηλεκτρόνια περιστρέφονται σε υπερυψηλό κενό µε 10 πίεση ~ mbar. 10 Κάτοπτρα Εστιάσεως: εστιάζουν και επανεστιάζουν την ακτινοβολία κατά µήκος της γραµµής δέσµης L διατηρώντας την οπτική ποιότητα της δέσµης των φωτονίων. Φίλτρα Αποκοπής ανεπιθύµητων µηκών κύµατος. Ένθετο: Περιγραφή ενός τµήµατος µεταξύ δύο διαδοχικών εξόδων της δέσµης του δακτυλίου συσσώρευσης. Μονοχρωµάτοραςκατάµήκοςτηςγραµµήςδέσµης, ο οποίος επιλέγει την περιοχή της επιθυµητής ενέργειας των φωτονίων και αποκόπτει τις υπόλοιπες. Θάλαµος Πειράµατος: καταλήγει η ακτινοβολία στη γραµµή δέσµης, όπου βρίσκεται το δείγµα. Τα παραγόµενα φωτοηλεκτρόνια µέσω των αναλυτών εισέρχονται στη συλλογή δεδοµένων.
6 Φασµατοσκοπία φωτοηλεκτρονίων (SRPES) Θάλαµο UHV 5x10-10 mbar Ηµισφαιρικός αναλυτής SRPES hv: eV Αναλυτή ηλεκτρονίων Ανιχνευτή είγµα Si(111) SRPES: Eκ=hv-EΒ Αναλυόµενη επιφάνεια δείγµατο : ~1mm 2 (SRPES)
7 Περίθλαση Ηλεκτρονίων Χαµηλή Ενέργεια (LEED) Πληροφορίε για τον τύπο κρυσταλλογραφική συµµετρία τη επιφάνεια Ενέργεια προσπιπτόντων e - : ev Η περίθλαση αφορά στα 2-3 εξώτατα ατοµικά επίπεδα Όταν το δείγµα είναι µονοκρύσταλλος µε καλή επιφανειακήδιάταξη, σχηµατίζονται καλά ορισµένες περιθλώµενεςδέσµες, οι οποίες στη συνέχεια δίνουν µια κανονική διάταξη φωτεινών κηλίδων πάνω σε φθορίζουσα οθόνη Τυπική εικόνα περίθλαση ηλεκτρονίων όπω απεικονίζεται στη φθορίζουσα οθόνη τη πειραµατική διάταξη (αφορά εξαγωνικό µονοκρύσταλλο)
8 Περιγραφή πηγή εξάχνωση MgCl 2 Σωλήνα που εισάγεται στο υπερυψηλό κενό για να κατευθύνεται το MgCl 2 πάνω στην επιφάνεια Si(111). Ο ρυθµός απόθεσης υπολογίστηκε 0,25ΜΣ ανά λεπτό. Σωλήνα τοποθέτηση του MgCl 2 από χαλαζία. Κατασκευή φούρνου από µονωτικό πυρότουβλο. Υποδοχέ για θερµοζεύγο και θερµαντικά καλώδια
9 Πειραµατική διαδικασία 1. Ο κρύσταλλος Si(111) καθαρίστηκε σε περιβάλλον UHV µε θέρµανση στους C.Ηπτώση της θερµοκρασίας γινόταν µε σταθερό ρυθµό -1 K/sec. Με χρήση της τεχνικής SRPES διαπιστώθηκε η τελικά ατοµικά καθαρή επιφάνεια και µε βάση τις εικόνες LEEDηχαρακτηριστική δοµή της αναδοµηµένης επιφάνειας Si(111)7x7. Ε e- =47eV Si2p µετά από αποθέσεις MgCL 2 hv:160ev Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. 5.5MΣ 3.71MΣ 3.16MΣ 2.26MΣ 1.34MΣ 0.79MΣ 0.69MΣ 0.63MΣ 0.52MΣ 2. Η εξάχνωση του MgCl 2 γινόταν µε θέρµανση τη πηγή στου C και µε το υπόστρωµα σε RT. H αποτιθέµενη ποσότητα εκτιµήθηκε από την µείωση τη ένταση SRPES τη κορυφή Si2p του υποστρώµατο. 3. Μετρήθηκαν τα φάσµατα φωτοεκποµπή µε ακτινοβολία SRPES και ενέργεια φωτονίου από 60 έω 400eV ev. Clean Si Ενέργεια σύνδεσης /ev
10 Μελέτη της απόθεσης του MgCl2 στην επιφάνεια Si(111) 7x7 µε SRPES Ένταση φωτοκορυφών SRPES Mg2p και Cl2p µετά από απόθεση MgCl2. Παρατηρούµε ότι, καθώς αυξάνεται η ποσότητα της απόθεσης έχουµε σταδιακή µετατόπιση σε υψηλότερες ενέργειες σύνδεσης. Συγκεκριµένα, µετά από την απόθεση 5,5 ΜΣ παρατηρήθηκε συνολική µετατόπιση της ενέργειας σύνδεσης κατά 0,52 ev για το Mg2p και 0,39 ev για το Cl2p και αποδόθηκε σε ηλεκτροστατική φόρτιση κατά τη δηµιουργία στρωµάτων MgCl2 λόγω του µονωτικού χαρακτήρα του αποθέµατος Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. Mg2p µετά από αποθέσεις MgCL 2 5.5MΣ 3.71MΣ 3.16MΣ 2.26MΣ 1.34MΣ 0.79MΣ 0.69MΣ 0.63MΣ 0.52MΣ Ενέργεια σύνδεσης /ev hv:400ev Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. Cl2p µετά από αποθέσεις MgCL 2 5.5MΣ 3.71MΣ 3.16MΣ 2.26MΣ 1.34MΣ 0.79MΣ 0.69MΣ 0.63MΣ 0.52MΣ Ενέργεια σύνδεσης /ev hv:400ev Ο ατοµικός λόγος Cl/Mgυπολογίστηκεαπό το λόγο των εντάσεων των φωτοκορυφών Cl2p και Mg2pπου µετρήθηκαν µε την ίδια ενέργειαφωτονίου 400 ev Oατοµικόςλόγος Cl/Mgυπολογίστηκε ~2 µετάαπόκάθεαπόθεση, υποδηλώνοντας ότι το απόθεµα αποτελείται κυρίως από µοριακό MgCl2.
11 Ένταση φωτοκορυφών SRPES O2s µετά από απόθεση MgCl2. Πριν τις αποθέσεις η επιφάνεια Si(111) 7x7 ήταν ατοµικά καθαρή O2s µετά από αποθέσεις MgCL 2 hv:60ev Κατάτηδιάρκειατωναποθέσεωντου MgCl 2 ανιχνεύτηκαν µικρές ποσότητες οξυγόνου στο αποτιθέµενο υµένιο, όπως φαίνεται στο σχήµα της κορυφής O2s, µετρηµένης µε ενέργεια φωτονίου 60 ev Το οξυγόνο αυτό ίσως να προέρχεται από την υγρασία που υπάρχει στο χώρο της πηγής του πειράµατος Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. 5.5ΜΣ 3.71Μ Σ 3.16Μ Σ 2.26Μ Σ 1.34Μ Σ 0.79Μ Σ 0.69Μ Σ 0.63Μ Σ 0.52Μ Σ Ενέργεια σύνδεσης /ev
12 Μελέτητηςαλληλεπίδρασηςτου MgCl2 µετηνεπιφάνεια Si(111) 7x7 µέσω φασµάτων της ζώνης σθένους µε ακτινοβολία συγχρότρου Επιφανειακά ευαίσθητο φάσµα φωτοεκποµπής της ζώνης σθένους για καθαρή επιφάνεια Si(111) και Si(111) 7x7 µετά από διαδοχικές αποθέσεις MgCl2 µέχρι 5,5ΜΣ σε θερµοκρασία δωµατίου hv:60ev Ζώνη σθένους µετά από αποθέσεις MgCL 2 Στα φάσµα του καθαρού πυριτίου παρατηρούνται οι συνεισφορές από τις επιφανειακές καταστάσεις σε χαµηλές ενέργειες σύνδεσης (0-4 ev). Ένταση κορυφών SRPES /a.µ. 5.5MΣ 3.71MΣ 3.16MΣ 2.26MΣ 1.34MΣ 0.79MΣ 0.69MΣ 0.63MΣ 0.52MΣ Clean Si(111)7x7 Καθώς αυξάνεται η αποτιθέµενη ποσότητα MgCl2 στην επιφάνεια, σταδιακά κυριαρχούν οι συνεισφορές από τα ηλεκτρόνια Cl3p σε εύρος ενεργειών σύνδεσης 5-10 ev (παρατήρουµε δηλαδή σε αυτές τις ενέργειες σύνδεσης 3 συνεισφορές από το Cl3p τα οποία συµµετέχουν στους δεσµούς MgCl2). Παρατηρούµε ότι καθώς αυξάνεται η ποσότητα του αποτιθέµενου MgCl2 εξασθενεί η υπερδοµή 7x7 και σταδιακά ελαττώνεται η συνεισφορά του Si και αυξάνεται η ένταση των κορυφών Ενέργεια Σύνδεσης /ev
13 Εικόνα LEED για καθαρή επιφάνεια Si(111) 7x77 µετά από διαδοχικές αποθέσεις MgCl2 µέχρι 5,5ΜΣ ΜΣσε θερµοκρασία δωµατίου Μετά την απόθεση των 5,5 ΜΣ φαίνεται η υπερδοµή 7 7 µε πολύ εξασθενηµένη ένταση γεγονός που υποδηλώνει ότι το MgCl2 σκέπασε το υπόστρωµα, ενώ αλληλεπίδρασε ασθενώς µε τα άτοµα του Si. Εικόνα LEED (Ε( = 47 ev) 5,5 ΜΣ MgCl2/ Si(111)
14 Επιφανειακά ευαίσθητο φάσµα φωτοεκποµπής της ζώνης σθένους: α) για καθαρή επιφάνεια Si(111) 7x7, β) µετά από απόθεση 3,6 ΜΣ MgCl2. Ζώνη σθένους καθαρής επειφάνειας Si(111)7x7 Ζώνη σθένους 3.6 ΜΣ MgCl 2 /Si(111)7x7 Για πιο λεπτοµερή ανάλυση της ζώνης σθένους µετρήθηκαν τα φάσµατα µε ενέργειες φωτονίων από 60eV έως 130eV. Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. 130eV 120eV 110eV 100eV 90eV 80eV 70eV Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. 130eV 120eV 110eV 100eV 60eV 50eV Ενέργεια Σύνδεσης /ev 80eV 70eV 60eV Ενέργεια Σύνδεσης /ev Παρατηρείται, η µεταβολή του φάσµατος µετά την απόθεση του MgCl2, καθώς επίσης και οι µεταβολές µε την αλλαγή της ενέργειας των προσπιπτόντων φωτονίων (50 έως 130 ev) τόσο στην καθαρή επιφάνεια Si(111)7x7 όσο και µετά από απόθεση 3,6 ΜΣ. Το φαινόµενο αυτό οφείλεται στη µεταβολή της πιθανότητας φωτοεκποµπής των διαφόρων ηλεκτρονιακών καταστάσεων συναρτήσει της ενέργειας της προσπίπτουσας ακτινοβολίας και έχει ως αποτέλεσµα τη µεταβολή στην αναλογία των εντάσεωντωνκορυφώνστηζώνησθένουςκαθώςαλλάζειηενέργειαφωτονίων.
15 Εικόνα LEED µετά από απόθεση 0,6 ΜΣ ΜgCl2/Si(111)7x7 σε θερµοκρασία δωµατίου όπου παρατηρήθηκε ηυπερδοµή ( 3x 3) 3) R30º Ε e- =47eV ( 3x 3) R30º MgCl2/Si(111) 7x7
16 Εικόνα LEED µετά από θέρµανση ~3,6ΜΣ MgCl2/Si(111) 7 7 στους 450 C όπου παρέµειναν στην επιφάνεια 0,2 ΜΣ MgCl1.5/Si(111) 1x1 και παρατηρήθηκε η υπερδοµή ( 3x 3) R30º Η δοµή ( 3x 3)R30 που δηµιουργήθηκε µετά από θέρµανση ~3,6 ΜΣ MgCl2/Si(111) 7 7 στους 450 Cφαίνεται, ενώέχει καταστραφείη(7x7) αναδόµηση του υποστρώµατος. Ε e - =47eV ( 3x 3) R30º MgCl1.5/Si(111) 1x1
17 Επιφανειακά ευαίσθητο φάσµα φωτοεκποµπής της ζώνης σθένους στις δύο περιπτώσεις που παρατηρήθηκε η υπερδοµή ( 3 3)R30 : α) µετά από απόθεση 0,6 ΜΣ MgCl2/ Si(111) 7x7 σε θερµοκρασία δωµατίου β) για 0,2 ΜΣ MgCl1.5/Si(111) 1x1(µετά από θέρµανση στους 450 C) Ένταση κορυφών SRPES/α.µ. Ζώνη σθένους από απόθεση 0.6MΣ MgCL 2 (root3xroot3)r eV 120eV 110eV 100eV 90eV 80eV 70eV 60eV 50eV Si(111)7x Ενέργεια Σύνδεσης /ev Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. Ζώνη σθένους από απόθεση 0.2MΣ MgCL 2 (root3xroot3)r eV 120eV 110eV 100eV 90eV 80eV 70eV 60eV 50eV Si(111)1x Ενέργεια Σύνδεσης /ev Μετά από θέρµανση 3,6 ΜΣ MgCl2 παρέµειναν στην επιφάνεια 0,2 ΜΣ MgCl1.5/Si(111) 1x1 Στις δύο αυτές περιπτώσεις λόγω της υποµονοστρωµατικής κάλυψης MgCl2 καταγράφονται στη ζώνησθένουςσυνεισφορέςπροερχόµενεςκαιαπότο MgCl2 καιαπότουπόστρωµατου Si(111). Συγκεκριµένα στη περίπτωση του φάσµατος 0,2 ΜΣ MgCl1.5/Si(111)1x1 παρατηρούµε ότι σε ενέργεια σύνδεσης περίπου 7,8 ev την ύπαρξη µιας τέταρτης συνεισφοράς η οποία προέρχεται από αλλαγή που υφίσταται η ζώνη σθένους λόγω αλληλεπίδρασης µε το υπόστρωµα Si(111) 1x1.
18 Επίδραση της σύντοµης θέρµανσης του δείγµατος στους 450 C και 620 C στα φάσµατα SRPES. O2s µετά από σύντοµες θερµάνσεις hv:60ev Στηνκαθαρήεπιφάνεια Si(111) 7x7, αποτέθηκαν υµένια µε διάφορα πάχη και τελικά θερµάνθηκαν στους 450 C. Σε αυτή τη θερµοκρασία παρατηρείται εκρόφηση µοριακού MgCl2. Θέρµανση του συστήµατος MgCl2/Si(111) 7x7 σευψηλότερες θερµοκρασίες προκάλεσε µεγάλη εκρόφηση Cl από την επιφάνεια, που είχε ως αποτέλεσµα ο ατοµικός λόγος Cl/Mg να µειωθεί µέχρι 0,4 στους 620 C. Ένταση κορυφών SRPES /α.µ C C RT Ενέργεια σύνδεσης /ev Το εγκλωβισµένο οξυγόνο στα υµένια MgCl2 εκροφάται επίσης, ενώ µία συγκεκριµένη ποσότητα οξυγόνου, η οποία είναι όµοια σε όλες τις περιπτώσεις που έγινε θέρµανση, παρέµεινεστηνεπιφάνεια.
19 Επιφανειακά ευαίσθητο φάσµα φωτοεκποµπής της ζώνης σθένους σε τέσσερις περιπτώσεις: καθαρή αναδοµηµένη επιφάνεια Si(111) 7x7, 0,2 ΜΣ MgCl1.5/Si(111) 1x1 (µετά( από θέρµανση στους 450 C), 0,6 ΜΣ MgCl2/Si(111) 7x7 και 3,8 ΜΣ MgCl2/Si(111) 7x7 σε θερµοκρασία δωµατίου Κυριαρχούν οι συνεισφορές των 3p-ηλεκτρονίων του Clστις αναµενόµενες ενέργειες σύνδεσης 6,22eV ev, 6,97eV evκαι 8,62eV Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. 3.8 ΜΣ hv:100ev 0.6 ΜΣ 0,2ΜΣ µετά από θέρµανση στους C Καθαρό Si(111)7x7 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 Ενέργεια Σύνδεσης /ev Ενέργεια Σύνδεσης /ev Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. 1.9 ev Καθαρό Si(111)7x7 0.9 ev 0.4 ev Μετά την απόθεση 0.6ΜΣ ΜgCl2 και µετά από θέρµανση των 3,6ΜΣ MgCl2 παράτηρείται η δηµιουργία της διατεταγµένης δοµής ( 3x 3) 3)R30. Στις δύο αυτές περιπτώσεις παρατηρήθηκε µίανέα συνεισφορά στη ζώνη σθένους σε ενέργεια σύνδεσης 7,8eV evπου οφείλεται στην αλληλεπίδραση της υπερδοµής µε το υπόστρωµα.
20 Μελέτη της αλληλεπίδρασης του MgCl2 µε την επιφάνεια Si(111) 7x7 µέσω της ανάλυσης των φωτοκορυφών καρδιάς από ακτινοβολία συγχρότρου Λόγω της µεγάλης διακριτικής ικανότητας της τεχνικής της φασµατοσκοπίας φωτοηλεκτρονίων από ακτινοβολία συγχρότρου µπορούµε να διαχωρίσουµε στο φάσµα Si2p της ατοµικά καθαρής και αναδοµηµένης επιφάνειας Si(111) 7x7 τις συνιστώσες απόταδιάφοραείδηεπιφανειακώνατόµωνπυριτίου. Χρησιµοποιήθηκε διεγείρουσα ακτινοβολία φωτονίων ενέργειας h v=160 ev ώστε να µεγιστοποιηθεί η επιφανειακή ευαισθησία για την ανάλυση της φωτοκορυφής Si2p. Ένταση κορυφών SRPES /α.µ. b s1 s3 s2 s Ενέργεια Σύνδεσης /ev b : άτοµα Si στο εσωτερικό (bulk) του κρυστάλλου s1: άτοµα Si που συνδέονται µε τα επιφανειακά ροφηµένα άτοµα (adatoms) µε EΣ=99,69eV s2: άτοµα Si στο εξώτατο επιφανειακό στρώµα (adatoms)µεεσ=100,26ev s3: άτοµα Si που προεξέχουν στο δεύτερο στρώµα (rest atoms) δηλ. χαλαράσυνδεδεµέναστην επιφάνεια µε ΕΣ=98,69eV Επιφανειακά ευαίσθητο φάσµα φωτοεκποµπής Si2p από καθαρή επιφάνεια. s4: άτοµα Si σε διµερείς σχηµατισµούς στο δεύτερο στρώµαµεεσ=99,02ev
21 Φασµατοσκοπική µελέτη 0.6 ΜΣ MgCl2/Si(111)7x7 σε RT SRPES Peak Intensity /a.u. b s1 s5 s4 101,5 101,0 100,5 100,0 99,5 99,0 98,5 Binding Energy /ev SRPES Peak Intensity /a.u. m1 m Binding Energy /ev m1: Mg2pµεενέργεια σύνδεσης χαρακτηριστική του MgCl2 (ΕΣ=52,23 ev) m2: Mg2pπουαποδίδεται σε µη στοιχειοµετρικό MgClx(ΕΣ=51,4 ev) Εξαφάνιση των συνεισφορών s2 και s3 (ένδειξη ότι η ασθενής αλληλεπίδραση του αποτιθέµενου MgCl2 γίνεταιµέσωτωνεπιφανειακώνατόµων Si (adatoms) και των ατόµων Si που είναι χαλαρά συνδεδεµέναστηνεπιφάνεια (rest atoms) Εµφάνιση νέας συνιστώσας s5 στην κορυφή Si2p σε ΕΣ=100,52eV λόγω της δηµιουργίας της υπερδοµής ( 3x 3)R30 (διεπιφανειακή αλληλεπίδραση) Σε θερµοκρασία δωµατίου υπάρχει διεπιφανειακή αλληλεπίδρασηµεταξύτου MgCl2 καιτηςεπιφάνειας Si(111) 7x7. SRPES Peak Intensity /a.u. c1 c Binding Energy /ev c1: Cl2pµεενέργειασύνδεσης χαρακτηριστική του MgCl2(ΕΣ=200,0eV) c2: Cl2pπουαποδίδεταισε άτοµα Cl που αλληλεπιδρούν µετο Si(111) (ΕΣ=199,4 ev)
22 Φασµατοσκοπική µελέτη 5,5ΜΣ MgCl2/Si(111)7x7 σε RT SRPES Peak Intensity /a.u. s5 b SRPES Peak Intensity /a.u. m1 101,5 101,0 100,5 100,0 99,5 99,0 Binding Energy /ev Binding Energy /ev Στοφάσµα Si2pπαρατηρείταιµόνοησυνεισφορά s5 που οφείλεται στην αλληλεπίδραση του πυριτίου µε το απόθεµα (αύξηση της ποσότητας του αποθέµατος έχει ωςαποτέλεσµαναχαθούνοισυνιστώσες s1, s2, s3, s4 λόγω κάλυψης). Η συνεισφορά m2 στην κορυφή Mg2p έχει υπερκαλυφθεί από την m1 που αντιστοιχεί στο στοιχειοµετρικό MgCl2. Η συνιστώσα c2 στην κορυφή Cl2p διακρίνεται ακόµη αλλάµεµειωµένηένταση, ενώκαιεδώκυριαρχείηc1 του στοιχειοµετρικού MgCl2. SRPES Peak Intensity /a.u. c1 c Binding Energy /ev
23 Φασµατοσκοπική µελέτη µετά από θέρµανση 3.6ΜΣ MgCl2/Si(111)7x7 στους 450 C SRPES Peak Intensity /a.u. b s1 s6 s5 s Binding Energy /ev SRPES Peak Intensity /a.u. m1 m Binding Energy /ev Εµφάνιση νέας συνεισφοράς s6 ενώ η s5 παραµένει ακόµα στο φάσµα. Η συνιστώσα (s6) πρέπει να σχετίζεται µε n+ Si ενωµένο µε άτοµα οξυγόνου που παραµένουν στην επιφάνεια µετά τη θέρµανση. Η συνεισφορά m2 που αποδίδεται σε µη στοιχειοµετρικό MgClx αυξάνεται µετά τη θέρµανση. Η συνεισφορά c2 που αποδίδεται σε άτοµα Cl που αλληλεπιδρούν µε το Si(111) αυξάνεται µετά τη θέρµανση. SRPES Peak Intensity /a.u Binding Energy /ev c2
24 Συµπεράσµατα 1. Παρατηρήθηκε για πρώτη φορά διατεταγµένη δοµή, η ( 3x 3) 3)R30. Ηύπαρξη της διατεταγµένης δοµής σχετίζεται µετη ρόφηση MgCl2 λιγότερο από ένα µονόστρωµα σε χαρακτηριστικές θέσεις που εδώ φαίνεται να είναι θέσεις τριγωνικής σύνταξης, κοινές στην αναδοµηµένη και απλή επιφάνεια του Si(111). 2.Θέρµανση πολυστρωµατικών υµενίων οδηγεί σε δραστική µείωση της ροφηµένης ποσότητας του MgCl2 µε παράλληλη µείωση του ατοµικού λόγου Cl/Mg Mgσε 1.5 στους 450 C. Ηµείωση αυτή αποδίδεται στο γεγονός ότι η αλληλεπίδραση του MgCl2 µετο Si(111) λαµβάνει χώρα κυρίως µέσω του Mg. 3.Η εµφάνιση µιας νέας κατάστασης στην κορυφή Si2p (s5), υποδηλώνει την εµφάνηση µιας ισχυρής επιφανειακής αλληλεπίδρασης κάτι που επιβεβαιώνεται µεµια µιανέα συνεισφορά (Β.Ε.=.= 7.75eV) στη ζώνη σθένους. 4.Ηχρήση φασµατοσκοπίας υψηλής διακριτικότητας SRPES σε συνδυασµό µε µελέτες LEED επιτρέπει τη λεπτοµερή έρευνα της διεπιφάνειας MgCl2/ 2/Si(111) 7x77 σε ατοµικό επίπεδο.
25 Ευχαριστώόλους όλουςεσάςγιατην προσοχήσας σας.
ΘΕΜΑ: <<ΜΕΛΕΤΗ ΙΜΕΤΑΛΛΙΚΟΥ ΣΥΣΤΗΜΑΤΟΣ Sn/Ni(111) ΜΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ>>
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΘΕΜΑ: ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:
Διαβάστε περισσότερα[ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ]
2011 Μίαρης Κωσταντίνος Μίχος Ιωάννης [ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ] Προσδιορισµός του τρόπου ανάπτυξης υµενίων MgCl 2 πάνω σε Si(111) 7x7 και Au µέ φασµατοσκοπίες XPS και ISS ΤΜΗΜΑ :ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟΥ
Διαβάστε περισσότεραΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕΛΕΤΗ TOY ΙΜΕΤΑΛΛΙΚΟΥ ΣΥΣΤΗΜΑΤΟΣ. Sn/Ni(111) ΜΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΣΚΡΕΤΑΣ ΝΙΚΟΛΑΟΣ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕΛΕΤΗ TOY ΙΜΕΤΑΛΛΙΚΟΥ ΣΥΣΤΗΜΑΤΟΣ Sn/Ni(111) ΜΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΣΚΡΕΤΑΣ ΝΙΚΟΛΑΟΣ Πάτρα, 01/12/2009 ΠΡΟΛΟΓΟΣ Η παρούσα διπλωµατική
Διαβάστε περισσότεραΗ απορρόφηση των φωτονίων από την ύλη βασίζεται σε τρεις µηχανισµούς:
AΣΚΗΣΗ 5 ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ-γ (1 o ΜΕΡΟΣ) - Βαθµονόµηση και εύρεση της απόδοσης του ανιχνευτή - Μέτρηση της διακριτικότητας ενέργειας του ανιχνευτή 1. Εισαγωγή Η ακτινοβολία -γ είναι ηλεκτροµαγνητική
Διαβάστε περισσότεραΜελέτη Πρότυπων Καταλυτικών Συστηµάτων. µε Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές
Μελέτη Πρότυπων Καταλυτικών Συστηµάτων µε Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιδακτορική διατριβή Υποβληθείσα στο Τµήµα Χηµικών Μηχανικών Του Πανεπιστηµίου Πατρών Υπό ΣΤΑΥΡΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΥ ΚΑΡΑΚΑΛΟΥ του Πέτρου
Διαβάστε περισσότεραΠαραγωγή ακτίνων Χ. V e = h ν = h c/λ λ min = h c/v e λ min (Å) 12400/V
Παραγωγή ακτίνων Χ Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µε µήκη κύµατος της τάξης των Å (=10-10 m). Στο ηλεκτροµαγνητικό φάσµα η ακτινοβολία Χ εκτείνεται µεταξύ της περιοχής των ακτίνων γ και
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 16: Φασµατοσκοπία Ηλεκτρονίων για Ανάλυση Επιφανειών
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 16: Φασµατοσκοπία Ηλεκτρονίων για Ανάλυση Επιφανειών Ηλεκτρόνια που εξέρχονται από ατοµικά επίπεδα και εκδιώκονται κατά τη διάρκεια των διεργασιών αλληλεπίδρασης ακτινοβολίας-ύλης µπορούν να συγκεντρωθούν
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΥΣΗ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΔΕΣΜΗΣ ΜΕ ΟΠΙΣΘΟΣΚΕΔΑΣΗ RUTHERFORD (RBS)
ΑΝΑΛΥΣΗ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΔΕΣΜΗΣ ΜΕ ΟΠΙΣΘΟΣΚΕΔΑΣΗ RUTHERFORD (RBS) 1ο ΜΑΘΗΤΙΚΟ ΣΥΝΕΔΡΙΟ, ΕΚΕΦΕ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ», 2017 Νίκος Κουβάτσος 1 και Φοίβη Ρουσοχατζάκη 2 1 Πρότυπο Γενικό Λύκειο Βαρβακείου Σχολής 2 Πειραµατικό
Διαβάστε περισσότεραΦΥΣΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗΝ ΑΝΟΡΓΑΝΗ ΧΗΜΕΙΑ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗΝ ΑΝΟΡΓΑΝΗ ΧΗΜΕΙΑ Φωτοηλεκτρονιακή φασματοσκοπία ΠΕΡΙΚΛΗΣ ΑΚΡΙΒΟΣ Τμήμα Χημείας Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότερα1) Να οριστεί η δοµή των στερεών. 2) Ποιες είναι οι καταστάσεις της ύλης; 3) Τι είναι κρυσταλλικό πλέγµα και κρυσταλλική κυψελίδα;
ιάλεξη η 10 ΕΠΑΝΑΛΗΨΗ ιάλεξη 4η 1) Να οριστεί η δοµή των στερεών. 2) Ποιες είναι οι καταστάσεις της ύλης; 3) Τι είναι κρυσταλλικό πλέγµα και κρυσταλλική κυψελίδα; 4) Ποια είναι η ιδιότητα, η οποία ξεχωρίζει
Διαβάστε περισσότεραΦΥΣΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗΝ ΑΝΟΡΓΑΝΗ ΧΗΜΕΙΑ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗΝ ΑΝΟΡΓΑΝΗ ΧΗΜΕΙΑ Φασματοσκοπία Mossbauer ΠΕΡΙΚΛΗΣ ΑΚΡΙΒΟΣ Τμήμα Χημείας Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό
Διαβάστε περισσότεραΟι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µε λ [10-9 -10-12 m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev.
Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µε λ [10-9 -10-12 m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev. To ορατό καταλαµβάνει ένα πολύ µικρό µέρος του ηλεκτροµαγνητικού φάσµατος: 1,6-3,2eV. Page 1
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 11: Περίθλαση Ακτίνων-Χ και Νετρονίων από Κρυσταλλικά Υλικά
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 11: Περίθλαση Ακτίνων-Χ και Νετρονίων από Κρυσταλλικά Υλικά Εν γένει τρεις µεταβλητές διακυβερνούν τις διαφορετικές τεχνικές περίθλασης ακτίνων-χ: (α) ακτινοβολία µονοχρωµατική ή µεταβλητού λ
Διαβάστε περισσότεραΦασµατοσκοπία Φωτοηλεκτρονίων
Φασµατοσκοπία Φωτοηλεκτρονίων Όταν ένα άτοµο ή µόριο απορροφήσει ένα ή και περισσότερα φωτόνια µε ενέργεια µεγαλύτερη από την ενέργεια ιονισµού, τότε το µόριο ή το άτοµο αποβάλλει ηλεκτρόνια. Η ανάλυση
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή
ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή α) Τεχνική zchralski Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη τεχνική ανάπτυξης μονοκρυστάλλων πυριτίου (i), αρίστης ποιότητας,
Διαβάστε περισσότεραΜέθοδοι έρευνας ορυκτών και πετρωμάτων
Μέθοδοι έρευνας ορυκτών και πετρωμάτων Μάθημα 9 ο Φασματοσκοπία Raman Διδάσκων Δρ. Αδαμαντία Χατζηαποστόλου Τμήμα Γεωλογίας Πανεπιστημίου Πατρών Ακαδημαϊκό Έτος 2017-2018 Ύλη 9 ου μαθήματος Αρχές λειτουργίας
Διαβάστε περισσότεραΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ
ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ Α.Μ. Νέτσου 1, Ε. Χουντουλέση 1, Μ.Περράκη 2, Α.Ντζιούνη 1, Κ. Κορδάτος 1 1 Σχολή Χημικών Μηχανικών, ΕΜΠ 2 Σχολή
Διαβάστε περισσότεραΜΟΡΙΑΚΗ ΦΘΟΡΙΣΜΟΜΕΤΡΙΑ
ΜΟΡΙΑΚΗ ΦΘΟΡΙΣΜΟΜΕΤΡΙΑ Διεγείρεται το μόριο σε ένα μήκος κύματος απορρόφησης και μετρείται η εκπομπή σε ένα άλλο μήκος κύματος που καλείται φθορισμού. Π.χ. Το δι-νυκλεοτίδιο της Νικοτιναμίδης- Αδενίνης
Διαβάστε περισσότεραΑσκήσεις Φασµατοσκοπίας
Ασκήσεις Φασµατοσκοπίας Η φασµατική περιοχή στην οποία βρίσκεται µια φωτεινή ακτινοβολία χαρακτηρίζεται από την συχνότητα ν (Hz) µε την οποία ταλαντώνεται το ηλεκτρικό και το µαγνητικό πεδίο του φωτός.
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC
ΤΙΤΛΟΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΙΑΤΡΙΒΗΣ: ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC Λαφατζής ηµήτριος Υποψήφιος διδάκτωρ στο Α.Π.Θ. Τµήµα Φυσικής ΤΡΙΜΕΛΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗ: Καθηγ. ΛΟΓΟΘΕΤΙ ΗΣ ΣΤΕΡΓΙΟΣ (Τµ. Φυσικής,
Διαβάστε περισσότερα( J) e 2 ( ) ( ) x e +, (9-14) = (9-16) ω e xe v. De = (9-18) , (9-19)
Ασκήσεις Φασµατοσκοπίας Η φασµατική περιοχή στην οποία βρίσκεται µια φωτεινή ακτινοβολία χαρακτηρίζεται από την συχνότητα ν (Hz) µε την οποία ταλαντώνεται το ηλεκτρικό και το µαγνητικό πεδίο του φωτός.
Διαβάστε περισσότεραΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2012. Ηµεροµηνία: Κυριακή 1 Απριλίου 2012 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ
ΤΑΞΗ: ΜΑΘΗΜΑ: ΘΕΜΑ Α Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ / ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ Ηµεροµηνία: Κυριακή 1 Απριλίου 01 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το
Διαβάστε περισσότεραΠΙΑΣ ΑΤΟΣΚΟΠ ΦΑΣΜΑ ΑΣ ΚΑΙ ΧΗΜΕΙΑ ΝΤΙΚΗΣ ΕΣ ΚΒΑΝ ΑΡΧΕ
ΠΙΑΣ Γενικά χαρακτηριστικά φασματοσκοπίας Το ηλεκτρομαγνητικό φάσμα ΠΙΑΣ Γενικά χαρακτηριστικά φασματοσκοπίας Αλληλεπίδραση η ατόμων και μορίων με την ηλεκτρομαγνητική η ακτινοβολία Ε Ε Ενεργειακές καταστάσεις:
Διαβάστε περισσότεραΝανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία
ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας. Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων
Διαβάστε περισσότεραΗ διέγερση αφορά κυρίως σε εσωτερικά τροχιακά και εν γένει αντιστοιχεί σε ιονισµό! Χρόνος ζωής της διεγερµένης κατάστασης είναι µικρός
ΚΕΦ. 7 ευτερογενής Εκποµπή 7.1 ιέγερση και «Χαλάρωση» Ατοµικών Επιπέδων Κατά την αλληλεπίδραση ακτινοβολίας-ύλης ένα µέρος της ενέργειας της προσπίπτουσας µεταφέρεται στα άτοµα του υλικού, αυξάνοντας την
Διαβάστε περισσότεραΦΑΣΜΑ ΕΚΠΟΜΠΗΣ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΕΩΣ
1 ΕΚΦΕ Ν.ΚΙΛΚΙΣ 1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ : Κ. ΚΟΥΚΟΥΛΑΣ, ΦΥΣΙΚΟΣ - ΡΑΔΙΟΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΟΣ [ Ε.Λ. ΠΟΛΥΚΑΣΤΡΟΥ ] ΑΝΑΛΥΣΗ ΦΩΤΟΣ ΦΑΣΜΑΤΑ ΕΚΠΟΜΠΗΣ ΚΑΙ ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ
Διαβάστε περισσότεραΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ
ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ Ορισµός ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ - Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µικρού µήκους κύµατος (10-5 - 100 Å) - Συνήθως χρησιµοποιούνται ακτίνες Χ µε µήκος κύµατος 0.1-25
Διαβάστε περισσότεραΠρόοδος µαθήµατος «οµικής και Χηµικής Ανάλυσης Υλικών» Χρόνος εξέτασης: 3 ώρες
21 Οκτωβρίου 2009 Πρόοδος µαθήµατος «οµικής και Χηµικής Ανάλυσης Υλικών» Χρόνος εξέτασης: 3 ώρες 1) α. Ποια είναι η διαφορά µεταξύ της ιονίζουσας και της µη ιονίζουσας ακτινοβολίας; β. Ποιες είναι οι γνωστότερες
Διαβάστε περισσότερα- Πίεση. V θ Άνοδος. Κάθοδος
- Πίεση + V θ Άνοδος 10-7 atm Κάθοδος Η θερμαινόμενη κάθοδος εκπέμπει ηλεκτρόνια. Όσο πιο θερμή είναι η κάθοδος τόσα περισσότερα ηλεκτρόνια εκπέμπονται Το ηλεκτρικό πεδίο τα επιταχύνει και βομβαρδίζουν
Διαβάστε περισσότεραΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΟΠΤΙΚΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ AΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ
ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΟΠΤΙΚΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ AΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ [1] ΘΕΩΡΙΑ Σύμφωνα με τη κβαντομηχανική, τα άτομα απορροφούν ηλεκτρομαγνητική ενέργεια με διακριτό τρόπο, με «κβάντο» ενέργειας την ενέργεια hv ενός φωτονίου,
Διαβάστε περισσότεραΟΔΟΝΤΙΑΤΡΙΚΗ ΑΚΤΙΝΟΓΡΑΦΙΑ
ΟΔΟΝΤΙΑΤΡΙΚΗ ΑΚΤΙΝΟΓΡΑΦΙΑ Ευάγγελος Παντελής Επ. Καθ. Ιατρικής Φυσικής Εργαστήριο Ιατρικής Φυσικής Ιατρική Σχολή Αθηνών http://eclass.uoa.gr/courses/med808 ΙΑΤΡΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ Διαγνωστικές και θεραπευτικές
Διαβάστε περισσότεραΦωτοηλεκτρικό Φαινόµενο Εργαστηριακή άσκηση
ttp ://k k.sr sr.sc sc.gr Μιχαήλ Μιχαήλ, Φυσικός 1 Φωτοηλεκτρικό Φαινόµενο Εργαστηριακή άσκηση ΣΤΟΧΟΙ Οι στόχοι αυτής της εργαστηριακής άσκησης είναι: - Η πειραµατική επιβεβαίωση ότι η µορφή της φωτοηλεκτρικής
Διαβάστε περισσότεραΜετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός
Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Maximum Permissible Exposure (MPE) - Nominal Hazard Zone (NHZ) Μέγιστη Επιτρεπτή Έκθεση (MPE) Το
Διαβάστε περισσότεραΠΡΟΤΥΠΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ
ΠΡΟΤΥΠΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ ΕΠΙΛΟΓΗ ΘΕΜΑΤΩΝ ΑΠΟ ΤΗΝ ΤΡΑΠΕΖΑ ΘΕΜΑΤΩΝ «Β ΘΕΜΑΤΑ ΑΚΤΙΝΕΣ Χ» ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ Χ. Δ. ΦΑΝΙΔΗΣ ΣΧΟΛΙΚΟ ΕΤΟΣ 2014-2015 1. ΘΕΜΑ B B.1 Σε σωλήνα παραγωγής
Διαβάστε περισσότεραΟΡΓΑΝΟΛΟΓΙΑ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ ΜΕΤΡΗΣΗΣ: ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΦΘΟΡΙΣΜΟΥ, ΦΩΣΦΩΡΙΣΜΟΥ, ΣΚΕΔΑΣΗΣ ΕΚΠΟΜΠΗΣ, ΧΗΜΕΙΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ
ΟΡΓΑΝΟΛΟΓΙΑ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ ΜΕΤΡΗΣΗΣ: ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΦΘΟΡΙΣΜΟΥ, ΦΩΣΦΩΡΙΣΜΟΥ, ΣΚΕΔΑΣΗΣ ΕΚΠΟΜΠΗΣ, ΧΗΜΕΙΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ ΠΗΓΕΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΣΥΝΕΧΕΙΣ ΠΗΓΕΣ ΠΗΓΕΣ ΓΡΑΜΜΩΝ ΚΟΙΛΗΣ ΚΑΘΟΔΟΥ & ΛΥΧΝΙΕΣ ΕΚΚΕΝΩΣΕΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 35 ΠερίθλασηκαιΠόλωση. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.
Κεφάλαιο 35 ΠερίθλασηκαιΠόλωση ΠεριεχόµεναΚεφαλαίου 35 Περίθλαση απλής σχισµής ή δίσκου Intensity in Single-Slit Diffraction Pattern Περίθλαση διπλής σχισµής ιακριτική ικανότητα; Κυκλικές ίριδες ιακριτική
Διαβάστε περισσότεραΤα Β θέματα της τράπεζας θεμάτων
Τα Β θέματα της τράπεζας θεμάτων Ακτίνες Χ Θέμα Δ _176 Β. Σε μια συσκευή παραγωγής ακτίνων Χ η ηλεκτρική τάση που εφαρμόζεται μεταξύ ανόδου και καθόδου, έχει τιμή V. Η μέγιστη συχνότητα των ακτίνων Χ που
Διαβάστε περισσότεραΧαρακτηρισμός επιφανειών με
Χαρακτηρισμός επιφανειών με περίθλαση ηλεκτρονίων LEED RHEED 1 Περίθλαση ηλεκτρονίων χαμηλής ενέργειας (Low energy electron diffraction LEED). LEED In situ δομή υμενίων που αναπτύσσονται υπό συνθήκες UHV
Διαβάστε περισσότεραΟι ακτίνες Χ είναι ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία με λ [ m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev.
Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία με λ [10-9 -10-12 m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev. ότι το αόρατο το «φώς» από τον σωλήνα διαπερνούσε διάφορα υλικά (χαρτί, ξύλο, βιβλία) κατά την
Διαβάστε περισσότεραI. ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΥΠΟΒΑΘΡΟΥ ΘΩΡΑΚΙΣΗ ΤΟΥ ΑΝΙΧΝΕΥΤΗ
I. ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΥΠΟΒΑΘΡΟΥ ΘΩΡΑΚΙΣΗ ΤΟΥ ΑΝΙΧΝΕΥΤΗ Α. Ακτινοβολία υποβάθρου (Background radiation) Εξαιτίας της κοσµικής ακτινοβολίας που βοµβαρδίζει συνεχώς την ατµόσφαιρα της γης και της ύπαρξης
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ Με τον όρο αυτό ονοµάζουµε την τεχνική ποιοτικής και ποσοτικής ανάλυσης ουσιών µε βάση το µήκος κύµατος και το ποσοστό απορρόφησης της ακτινοβολίας
Διαβάστε περισσότεραΑκτίνες Χ (Roentgen) Κ.-Α. Θ. Θωμά
Ακτίνες Χ (Roentgen) Είναι ηλεκτρομαγνητικά κύματα με μήκος κύματος μεταξύ 10 nm και 0.01 nm, δηλαδή περίπου 10 4 φορές μικρότερο από το μήκος κύματος της ορατής ακτινοβολίας. ( Φάσμα ηλεκτρομαγνητικής
Διαβάστε περισσότεραΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Ενότητα:
ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Ενότητα: ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ Επιμέλεια: ΧΑΡΑΛΑΜΠΟΣ ΔΡΙΒΑΣ Τμήμα: ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΤΡΑΣ 1 η ΣΕΙΡΑ ΑΣΚΗΣΕΩΝ 1. Τι τάξη μεγέθους είναι οι ενδοατομικές αποστάσεις και ποιες υποδιαιρέσεις του
Διαβάστε περισσότεραΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΥΠΕΡΛΕΠΤΩΝ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΝΙΚΕΛΙΟΥ ΚΑΙ ΟΞΕΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΝΙΚΕΛΙΟΥ ΣΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΕΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΚΑΙ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΜΕΝΗΣ ΜΕ ΥΤΤΡΙΑ ΖΙΡΚΟΝΙΑΣ
ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΥΠΕΡΛΕΠΤΩΝ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΝΙΚΕΛΙΟΥ ΚΑΙ ΟΞΕΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΝΙΚΕΛΙΟΥ ΣΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΕΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΚΑΙ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΜΕΝΗΣ ΜΕ ΥΤΤΡΙΑ ΖΙΡΚΟΝΙΑΣ Διδακτορική διατριβή Υποβληθείσα στο Τμήμα Χημικών
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ ΤHΣ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΙΑΣΠΑΣΗΣ ΚΑΙ ΑΝΑΓΩΓΗΣ ΤΟΥ V 2 O 5 ΚΑΙ TΩΝ ΠΡΟ ΡΟΜΩΝ ΕΝΩΣΕΩΝ ΑΥΤΟΥ ΣΤΗΡΙΓΜΕΝΩΝ ΣΕ TiΟ 2
ΜΕΛΕΤΗ ΤHΣ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΙΑΣΠΑΣΗΣ ΚΑΙ ΑΝΑΓΩΓΗΣ ΤΟΥ V 2 O 5 ΚΑΙ TΩΝ ΠΡΟ ΡΟΜΩΝ ΕΝΩΣΕΩΝ ΑΥΤΟΥ ΣΤΗΡΙΓΜΕΝΩΝ ΣΕ TiΟ 2 Λ. Ναλµπαντιάν Ινστιτούτο Τεχνικής Χηµικών ιεργασιών, ΕΚΕΤΑ, Τ.Θ. 361, 57001, Θέρµη,Θεσσαλονίκη
Διαβάστε περισσότεραΔΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΠΥΡΗΝΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ
ΔΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΠΥΡΗΝΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ-γ 1.
Διαβάστε περισσότεραΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ
5 ΧΡΟΝΙΑ ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΘΕΜΑΤΑ ΘΕΜΑ Α Στις ερωτήσεις Α-Α να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της ερώτησης και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή φράση, η οποία
Διαβάστε περισσότεραΦασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων
Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων
Διαβάστε περισσότεραΠΕΙΡΑΜΑ FRANK-HERTZ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΕΝΟΣ ΑΤΟΜΟΥ
ΠΕΙΡΑΜΑ FRANK-HERTZ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΕΝΟΣ ΑΤΟΜΟΥ Η απορρόφηση ενέργειας από τα άτομα γίνεται ασυνεχώς και σε καθορισμένες ποσότητες. Λαμβάνοντας ένα άτομο ορισμένα ποσά ενέργειας κάποιο
Διαβάστε περισσότεραΠροαπαιτούμενες γνώσεις. Περιεχόμενο της άσκησης
Προαπαιτούμενες γνώσεις Πλεγματικά επίπεδα και ανάκλαση Bragg Μέθοδος Debye-Scerrer Κύματα de Broglie Περίθλαση ηλεκτρονίων πάνω σε κρυσταλλική ύλη Δομή γραφίτη Προτεινόμενη βιβλιογραφία 1) Π.Βαρώτσος,
Διαβάστε περισσότεραΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΕΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΕΥΤΕΡΑ 3 ΙΟΥΛΙΟΥ 2006 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ
ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΕΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΕΥΤΕΡΑ 3 ΙΟΥΛΙΟΥ 2006 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΘΕΜΑ 1ο Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης
Διαβάστε περισσότεραΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΓΕΝ. ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΑΤΟΜΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΜΑ 1 ο.
ΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΓΕΝ. ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΑΤΟΜΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΜΑ 1 ο. Στις ερωτήσεις 1-5 επιλέξτε την πρόταση που είναι σωστή. 1) Το ηλεκτρόνιο στο άτοµο του υδρογόνου, το οποίο βρίσκεται στη θεµελιώδη κατάσταση: i)
Διαβάστε περισσότερα6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ
6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται
Διαβάστε περισσότεραΟΡΓΑΝΑ ΓΙΑ ΤΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΟΥ ΦΘΟΡΙΣΜΟΥ ΚΑΙ ΤΟΥ ΦΩΣΦΟΡΙΣΜΟΥ
ΟΡΓΑΝΑ ΓΙΑ ΤΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΟΥ ΦΘΟΡΙΣΜΟΥ ΚΑΙ ΤΟΥ ΦΩΣΦΟΡΙΣΜΟΥ Ο φθορισμός εκπέμπεται από το δείγμα προς όλες τις κατευθύνσεις αλλά παρατηρείται σε γωνία 90 ο ως προς την ακτινοβολία διέγερσης, διότι σε άλλες
Διαβάστε περισσότεραΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ. Στις παρακάτω ερωτήσεις 1-4, να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα, το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.
Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΕΠΙΛΟΓΗΣ ΘΕΜΑ ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗ Στις παρακάτω ερωτήσεις, να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα, το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.. Ο λαµπτήρας φθορισµού:
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση 1: ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΩΝ & ΓΡΑΜΜΙΚΩΝ ΦΑΣΜΑΤΩΝ Τροποποίηση του εργαστηριακού οδηγού (Βαγγέλης ηµητριάδης, 4 ο ΓΕΛ Ζωγράφου)
ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΤΟΧΟΙ Εργαστηριακή άσκηση 1: ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΩΝ & ΓΡΑΜΜΙΚΩΝ ΦΑΣΜΑΤΩΝ Τροποποίηση του εργαστηριακού οδηγού (Βαγγέλης ηµητριάδης, 4 ο ΓΕΛ Ζωγράφου) Στόχοι αυτής της εργαστηριακής άσκησης
Διαβάστε περισσότεραΟΡΟΣΗΜΟ ΘΕΜΑ Δ. Δίνονται: η ταχύτητα του φωτός στο κενό c 0 = 3 10, η σταθερά του Planck J s και για το φορτίο του ηλεκτρονίου 1,6 10 C.
Σε μια διάταξη παραγωγής ακτίνων X, η ηλεκτρική τάση που εφαρμόζεται μεταξύ της ανόδου και της καθόδου είναι V = 25 kv. Τα ηλεκτρόνια ξεκινούν από την κάθοδο με μηδενική ταχύτητα, επιταχύνονται και προσπίπτουν
Διαβάστε περισσότεραΚαταστάσεις της ύλης. Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο.
Καταστάσεις της ύλης Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο. Υγρά: Τάξη πολύ µικρού βαθµού και κλίµακας-ελκτικές δυνάµεις-ολίσθηση. Τα µόρια βρίσκονται
Διαβάστε περισσότεραΣΩΜΑΤΙ ΙΑΚΗ ΦΥΣΗ ΦΩΤΟΣ
Μάθηµα 1 ο, 30 Σεπτεµβρίου 2008 (9:00-11:00). ΣΩΜΑΤΙ ΙΑΚΗ ΦΥΣΗ ΦΩΤΟΣ Ακτινοβολία µέλανος σώµατος (1900) Plank: έδωσε εξήγηση του φάσµατος (κβαντική ερµηνεία*) ΠΑΡΑ ΟΧΗ Το φως δεν είναι µόνο κύµα. Είναι
Διαβάστε περισσότερα2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος
2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος Όπως είναι γνωστό από την καθημερινή εμπειρία τα περισσότερα σώματα που χρησιμοποιούνται στις ηλεκτρικές ηλεκτρονικές
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 8 ΚΕΡΑΜΙΚΑ ΥΜΕΝΙΑ (Τεχνολογίες επίστρωσης από διαλύματα και αιωρήματα για την εφαρμογή κεραμικών επιστρωμάτων)
ΑΣΚΗΣΗ 8 ΚΕΡΑΜΙΚΑ ΥΜΕΝΙΑ (Τεχνολογίες επίστρωσης από διαλύματα και αιωρήματα για την εφαρμογή κεραμικών επιστρωμάτων) Στάδια της μεθόδου επικάλυψης dip-coating. Α εμβάπτιση στο διάλυμα. Β, σχηματισμός
Διαβάστε περισσότεραΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ
ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ Αποδείξαμε πειραματικά, με τη βοήθεια του φαινομένου της περίθλασης, ότι τα ηλεκτρόνια έχουν εκτός από τη σωματιδιακή και κυματική φύση. Υπολογίσαμε τις σταθερές πλέγματος του γραφίτη
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Δ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Δ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 0 ΜΑΪΟΥ 015 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΠΕΝΤΕ (5) Θέμα Α Στις ερωτήσεις Α1-Α4
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ
ΑΡΧΗ ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΚΑΙ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 0 ΜΑΪΟΥ 204 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ:
Διαβάστε περισσότεραΠροσδιορισµός Απεµπλουτισµένου Ουρανίου σε περιβαλλοντικά δείγµατα µε την τεχνική της γ-φασµατοσκοπίας
Προσδιορισµός Απεµπλουτισµένου Ουρανίου σε περιβαλλοντικά δείγµατα µε την τεχνική της γ-φασµατοσκοπίας.ι. Καράγγελος, Π.Κ. Ρούνη, N.Π. Πετρόπουλος, Μ.Ι. Αναγνωστάκης, Ε.Π. Χίνης και Σ.Ε. Σιµόπουλος Τοµέας
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΒΙΟΛΟΓΙΑΣ Φασματοφωτομετρία
1 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΒΙΟΛΟΓΙΑΣ Φασματοφωτομετρία Ιωάννης Πούλιος Αθανάσιος Κούρας Ευαγγελία Μανώλη ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΕΙΑΣ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ 54124
Διαβάστε περισσότεραOnset point : 135,97 C Peak 1 top : 136,90 C Enthalpy / J/g : 4,6485 (Endothermic effect)
ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟΥ ΤΗΣ ΥΣΤΕΡΗΣΗΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΦΑΣΗΣ ΤΟΥ HgI ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΨΥΞΗ ΜΕ ΤΗΝ ΤΕΧΝΙΚΗ ΤΗΣ ΙΑΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΛΟΡΙΜΕΤΡΙΑΣ (DSC). Σ.Ν.Τουµπεκτσής, Μ. αβίτη, Κ.Μ.Παρασκευόπουλος και Ε.Κ.Πολυχρονιάδης
Διαβάστε περισσότεραΎλη ένατου µαθήµατος. Οπτικό µικροσκόπιο, Ηλεκτρονική µικροσκοπία σάρωσης, Ηλεκτρονική µικροσκοπία διέλευσης.
ιάλεξη 9 η Ύλη ένατου µαθήµατος Οπτικό µικροσκόπιο, Ηλεκτρονική µικροσκοπία σάρωσης, Ηλεκτρονική µικροσκοπία διέλευσης. Μέθοδοι µικροσκοπικής ανάλυσης των υλικών Οπτική µικροσκοπία (Optical microscopy)
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 37 Αρχική Κβαντική Θεωρία και Μοντέλα για το Άτομο. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.
Κεφάλαιο 37 Αρχική Κβαντική Θεωρία και Μοντέλα για το Άτομο Περιεχόμενα Κεφαλαίου 37 Η κβαντική υπόθεση του Planck, Ακτινοβολία του μέλανος (μαύρου) σώματος Θεωρία των φωτονίων για το φως και το Φωτοηλεκτρικό
Διαβάστε περισσότεραιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146
Φωτονικά Υλικά ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Τεχνολογίες φωτός σήμερα Το φώς έχει εισχωρήσει προ πολλού στη ζωή μας Ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία Καλύπτει πολύ μεγάλο φάσμα Συστατικά τεχνολογίας
Διαβάστε περισσότεραΧημικός & δομικός χαρακτηρισμός επιφανειών και λεπτών υμενίων
Χημικός & δομικός χαρακτηρισμός επιφανειών και λεπτών υμενίων Χημική σύσταση προσρόφηση δεσμοί Επιφάνειες Αρχικά στάδια ανάπτυξης Χωρική κατανομή Depth profiling επιφάνειες Ετερογενής πυρηνοποίηση & ανάπτυξη
Διαβάστε περισσότεραΜέθοδοι έρευνας ορυκτών και πετρωμάτων
Μέθοδοι έρευνας ορυκτών και πετρωμάτων Μάθημα 8 ο Φασματοσκοπία απορρόφησης υπερύθρων (IR) και Φασματοσκοπία απορρόφησης υπερύθρων με μετασχηματισμό Fourier (FTIR) Διδάσκων Δρ. Αδαμαντία Χατζηαποστόλου
Διαβάστε περισσότεραΑτομική Φυσική. Η Φυσική των ηλεκτρονίων και των ηλεκτρομαγνητικών δυνάμεων.
Ατομική Φυσική Η Φυσική των ηλεκτρονίων και των ηλεκτρομαγνητικών δυνάμεων. Μικρόκοσμος Κβαντική Φυσική Σωματιδιακή φύση του φωτός (γενικότερα της ακτινοβολίας) Κυματική φύση των ηλεκτρονίων (γενικότερα
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΚΑΙ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 30 ΜΑΪΟΥ 2014 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ:
Διαβάστε περισσότεραΥΠΕΡΥΘΡΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ (IR)
ΥΠΕΡΥΘΡΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ (IR) ΥΠΕΡΥΘΡΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ (IR) Χαρακτηρίζεται ως φασματοσκοπική τεχνική μοριακής δόμησης (ή περιστροφής), καθώς η ακτινοβολία προκαλεί διέγερση των μορίων σε υψηλότερες στάθμες
Διαβάστε περισσότεραΜΕΣΟΜΟΡΦΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ. Γενικότητες. Κατηγορίες και τύποι µεσόµορφων
144 ΜΕΣΟΜΟΡΦΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Γενικότητες Σύµφωνα µ αυτά που ειπώθηκαν στη Γενική Εισαγωγική, κατά τη µετατροπή ενός σώµατος από στερεό σε υγρό και αντίστροφα το σώµα περνάει από µια κατάσταση, που χαρακτηρίζεται
Διαβάστε περισσότεραΑνιχνευτές Ακτινοβολιών
Ανιχνευτές Ακτινοβολιών Ανίχνευση φορτισμένης ακτινοβολίας (Θάλαμοι Ιονισμού, Ανιχνευτής Geiger-Mueller Mueller) Ανίχνευση γ-ακτινοβολίας γ (Κρυσταλλικοί Ανιχνευτές, Ανιχνευτές Γερμανίου) Λοιποί Ανιχνευτές
Διαβάστε περισσότεραΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΜΑΓΝΗΤΙΚΩΝ ΦΑΚΩΝ. Ηλεκτροστατικοί και Μαγνητικοί Φακοί Βασική Δομή Μαγνητικών Φακών Υστέρηση Λεπτοί Μαγνητικοί Φακοί Εκτροπές Φακών
ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΜΑΓΝΗΤΙΚΩΝ ΦΑΚΩΝ Βασική Δομή Μαγνητικών Φακών Υστέρηση Λεπτοί Μαγνητικοί Φακοί Εκτροπές Φακών ΓΕΩΜΕΤΡΙΚΗ ΟΠΤΙΚΗ ΓΥΑΛΙΝΟΙ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΦΑΚΟΙ Οι φακοί χρησιμοποιούνται για να εκτρέψουν μία
Διαβάστε περισσότεραείναι τα μήκη κύματος του φωτός αυτού στα δύο υλικά αντίστοιχα, τότε: γ. 1 Β) Να δικαιολογήσετε την επιλογή σας.
Β.1 Μονοχρωματικό φως, που διαδίδεται στον αέρα, εισέρχεται ταυτόχρονα σε δύο οπτικά υλικά του ίδιου πάχους d κάθετα στην επιφάνειά τους, όπως φαίνεται στο σχήμα. Οι χρόνοι διάδοσης του φωτός στα δύο υλικά
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΛΙΚΩΝ ΜΑΘΗΜΑ 1 Ο ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΥΛΙΚΩΝ. Δρ. M.Χανιάς Αν.Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ, ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και Θράκης
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΛΙΚΩΝ ΜΑΘΗΜΑ 1 Ο ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΥΛΙΚΩΝ Δρ. M.Χανιάς Αν.Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ, ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και Θράκης ΚΑΒΑΛΑ 018 1 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΥΛΙΚΑ. ΑΓΩΓΙΜΑ ΥΛΙΚΑ 3. ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
Διαβάστε περισσότεραΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ 2/6/2005 ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ
ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2005 - Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ 2/6/2005 ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΘΕΜΑ 1 Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα, που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 1. Το
Διαβάστε περισσότεραΑσκήσεις ακαδ. έτους
Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών Πανεπιστήμιο Κρήτης Επιστήμη Επιφανειών - Νανοϋλικών (ETY/METY 346) Μεταπτυχιακό: Νανοτεχνολογία για Ενεργειακές Εφαρμογές ¹ Nanomaterials for Energy (Νανοϋλικά για
Διαβάστε περισσότεραΝέα Οπτικά Μικροσκόπια
Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Αντίθεση εικόνας (contrast) Αντίθεση πλάτους Αντίθεση φάσης Αντίθεση εικόνας =100 x (Ι υποβ -Ι δειγμα )/ Ι υποβ Μικροσκοπία φθορισμού (Χρησιμοποιεί φθορίζουσες χρωστικές για το
Διαβάστε περισσότεραΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης
ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 0 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΘΕΜΑ A ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 0 Παρασκευή, 0 Μαΐου 0 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΦΥΣΙΚΗ Στις ερωτήσεις Α -Α να γράψετε στο τετράδιό σας τον
Διαβάστε περισσότερα1. ΦΥΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ IONTIZOYΣΑΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ (ΑΚΤΙΝΕΣ Χ γ) Εργαστήριο Ιατρικής Φυσικής Παν/μιο Αθηνών
1. ΦΥΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ IONTIZOYΣΑΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ (ΑΚΤΙΝΕΣ Χ γ) IONTIZOYΣΑ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑ (ΑΚΤΙΝΕΣ Χ γ) ΑΚΤΙΝΕΣ Χ-γ: Είναι ιοντίζουσα ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία με ενέργειες φωτονίων από λίγα kev έως πολλά MeV.
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΤΟΜΙΚΗΣ ΦΥΣΙΚΗΣ. Άσκηση 6: Περίθλαση ηλεκτρονίων
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΤΟΜΙΚΗΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Άσκηση 6: Περίθλαση ηλεκτρονίων Επώνυμο: Όνομα: Α.Ε.Μ: Ημερομηνία Παράδοσης: ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Η άσκηση αυτή πραγματεύεται την περίθλαση των ηλεκτρονίων. Πιο συγκεκριμένα σκοπός
Διαβάστε περισσότεραΟι ηµιαγωγοι αποτελουν την πλεον χρησιµη κατηγορια υλικων απο ολα τα στερεα για εφαρµογες στα ηλεκτρονικα.
Οι ηµιαγωγοι αποτελουν την πλεον χρησιµη κατηγορια υλικων απο ολα τα στερεα για εφαρµογες στα ηλεκτρονικα. Οι ηµιαγωγοι εχουν ηλεκτρικη ειδικη αντισταση (ή ηλεκτρικη αγωγιµοτητα) που κυµαινεται µεταξυ
Διαβάστε περισσότεραοµή Επιφανειών Κρυσταλλογραφία Επιφανειών Ιδεώδης Επιφάνεια-Τερµατισµός Τα 5 δι-περιοδικά πλέγµατα Αναδόµηση-Χαλάρωση
οµή Επιφανειών Κρυσταλλογραφία Επιφανειών Ιδεώδης Επιφάνεια-Τερµατισµός Τα 5 δι-περιοδικά πλέγµατα Αναδόµηση-Χαλάρωση Συµµετρία Μεταθέσεως 1δ δ 3δ: Κρυσταλλικό Πλέγµα Ιδεώδης κρυσταλλική επιφάνεια Σε πρώτη
Διαβάστε περισσότεραΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΓΡΑΜΜΙΚΩΝ ΦΑΣΜΑΤΩΝ ΕΚΠΟΜΠΗΣ ΑΕΡΙΩΝ
1 ο ΕΚΦΕ (Ν. ΣΜΥΡΝΗΣ) Δ Δ/ΝΣΗΣ Δ. Ε. ΑΘΗΝΑΣ 1 ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΓΡΑΜΜΙΚΩΝ ΦΑΣΜΑΤΩΝ ΕΚΠΟΜΠΗΣ ΑΕΡΙΩΝ Α. ΣΤΟΧΟΙ Η χρήση λυχνιών διαφορετικών αερίων για παραγωγή διαφορετικών γραμμικών φασμάτων εκπομπής. Η κατανόηση
Διαβάστε περισσότεραΑπορρόφηση ακτινοβολίας-β από την ύλη
ΑΣΚΗΣΗ 3 Απορρόφηση ακτινοβολίας-β από την ύλη 1. Εισαγωγή Η β-διάσπαση είναι το συλλογικό όνοµα τριών φαινοµένων, στα οποία εκπέµπονται ηλεκτρόνια και ποζιτρόνια υψηλής ενέργειας ή πραγµατοποιείται σύλληψη
Διαβάστε περισσότεραΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΤΡΙΤΗ 22 MAIΟΥ 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ
ΘΕΜΑ 1 o ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΤΡΙΤΗ 22 MAIΟΥ 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα, που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.
Διαβάστε περισσότεραΚαινοτόµο σύστηµα αξιοποίησης φυσικού φωτισµού µε αισθητήρες στο επίπεδο εργασίας
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΩΤΟΤΕΧΝΙΑΣ Καινοτόµο σύστηµα αξιοποίησης φυσικού φωτισµού µε αισθητήρες στο επίπεδο εργασίας Ευάγγελος-Νικόλαος
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΟ ΑΝΟΙKΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΦΥΕ η ΕΡΓΑΣΙΑ
13/02/2005 ΕΛΛΗΝΙΚΟ ΑΝΟΙKΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΦΥΕ 34 2004-05 4 η ΕΡΓΑΣΙΑ Προθεσμία αποστολής 8/03/2005 ΑΣΚΗΣΕΙΣ Άσκηση 1 Α) Αν φωτίσουμε τα μέταλλα λίθιο (έργο εξαγωγής 2.3eV), βηρύλλιο (έργο εξαγωγής 3.9eV),
Διαβάστε περισσότεραΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2014
ΤΑΞΗ: ΜΑΘΗΜΑ: Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ / ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΘΕΜΑ Α Ηµεροµηνία: Κυριακή 13 Απριλίου 2014 ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ 1. ύο µονοχρωµατικές ακτινοβολίες Α και Β µε µήκη κύµατος στο κενό
Διαβάστε περισσότεραΘέµατα που θα καλυφθούν
Ηµιαγωγοί Semiconductors 1 Θέµατα που θα καλυφθούν Αγωγοί Conductors Ηµιαγωγοί Semiconductors Κρύσταλλοι πυριτίου Silicon crystals Ενδογενείς Ηµιαγωγοί Intrinsic semiconductors ύο τύποι φορέων για το ρεύµασεηµιαγωγούς
Διαβάστε περισσότεραΚΒΑΝΤΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ: Τα άτομα έχουν διακριτές ενεργειακές στάθμες ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΣΤΑ ΦΑΣΜΑΤΑ
ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ: Τα άτομα έχουν διακριτές ενεργειακές στάθμες ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΣΤΑ ΦΑΣΜΑΤΑ Ένα σημαντικό αποτέλεσμα της κβαντομηχανικής θεωρίας είναι ότι τα μόρια, όχι μόνο βρίσκονται σε διακριτές ενεργειακές
Διαβάστε περισσότεραΠερι - Φυσικής. ιαγώνισµα Β Τάξης Ενιαίου Λυκείου Κυριακή 5 Απρίλη 2015 Φως - Ατοµικά Φαινόµενα - Ακτίνες Χ. Θέµα Α. Ενδεικτικές Λύσεις
ιαγώνισµα Β Τάξης Ενιαίου Λυκείου Κυριακή 5 Απρίλη 2015 Φως - Ατοµικά Φαινόµενα - Ακτίνες Χ Ενδεικτικές Λύσεις Θέµα Α Α.1 Ο Planck εισήγαγε τη ϑεωρία των κβάντα ϕωτός, για να ερµηνεύσει : (δ) την ακτινοβολία
Διαβάστε περισσότεραΜΑΘΗΜΑ: ΟΠΤΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΑ ΙΚΤΥΑ - ΙΟ ΟΙ LASER
ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΟΠΤΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΜΑΘΗΜΑ: ΟΠΤΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΑ ΙΚΤΥΑ - ΙΟ ΟΙ LASER ΥΠ. ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΗΜΗΤΡΗΣ ΣΥΒΡΙ
Διαβάστε περισσότεραi. 3 ii. 4 iii. 16 Ε 1 = -13,6 ev. 1MeV= 1, J.
ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ Θέµα Α Στις ερωτήσεις Α1-Α4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και, δίπλα, το γράµµα που αντιστοιχεί στη φράση η οποία συµπληρώνει σωστά την ηµιτελή πρόταση.
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ. Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης Υψηλής Ανάλυσης JEOL
Διαβάστε περισσότερα