Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία"

Transcript

1 ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας.

2 Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων Ηλεκτρονική Μικροσκοπία ιέλευσης Πληροφορίες Αρχή λειτουργίας Παραδείγµατα ανάπτυξης και χαρακτηρισµού νανοΰλικών

3 Εισαγωγή Νανοτεχνολογία Υλικά και διατάξεις όπου εµφανίζονται δοµικά στοιχεία µε διαστάσεις <50nm Εξωτερική µορφολογική διαµόρφωση ή Αυτοοργάνωση δοµικών στοιχείων Κίνητρα Ανάγκη σµίκρυνσης διαστάσεων Υλικά µε νέεςή/και βελτιωµένες ιδιότητες

4 Εισαγωγή Σχέση παρασκευής-µικροδοµής-ιδιοτήτων Παρασκευή Μικροδοµή Εφαρµογές Ιδιότητες Ο χαρακτηρισµός της µικροδοµής σε κλίµακα nm αποτελεί βασικό στοιχείο για την ανάπτυξη των νανοΰλικών

5 Γιατί χρησιµοποιούµε µικροσκόπια; Για να βελτιώσουµε την διακριτική µας ικανότητα. Η ελάχιστη απόσταση, do, ανάµεσα σε δύο σηµεία ενός αντικειµένου, που αυτά διακρίνονται χωριστά. d o Σχέση του Abbe d o =0.61λ /n sinα 2α αντικείµενο d o =0.91(C s λ 3 ) 1/4 TEM λ= µήκος κύµατος ακτινοβολίας µάτι Οπτικό µικροσκόπιο Ηλεκτρονικό µικροσκόπιο λ 0.5µm 0.5µm nm d o 100µm 0.3µm 0.2nm

6 Σύγκριση οπτικού και ηλεκτρονικού µικροσκοπίου διέλευσης (ΤΕΜ)

7

8 Αλληλεπίδραση δέσµης ηλεκτρονίων και υλικού

9 Περίθλαση ηλεκτρονίων d L 2θ Νόµος του Bragg 2 d sinθ =Ν λ λ =0.0025nm θ ~1 0 λ/d=2sinθ~2θ L~1m R/L=tan2θ~2θ R Rd=λL

10 Μονοκρύσταλλος πυριτίου Περίθλαση ηλεκτρονίων (111) (111) Si (011) Σχηµατική αναπαράσταση Εικόνα περίθλασης Si από ηλεκτρονικό µικροσκόπιο

11 Περίθλαση ηλεκτρονίων από πολυκρυσταλλικό υλικό Μέγεθος κρυσταλλιτών µειώνεται

12 Σχηµατισµός εικόνας έσµη ηλεκτρονίων είγµα Αντικειµενικό διάφραγµα Εικόνα φωτεινού πεδίου Φακός Εικόνα Εικόνα σκοτεινού πεδίου

13 Ηλεκτρονική µικροσκοπία υψηλής διακριτικής ικανότητας (HREM) δέσµη e δείγµα Si [011] αντικειµενικό διάφραγµα φακός εικόνα

14 Εικόνα ΗRΕΜ Si κατά την διεύθυνση [110] Προσοµοίωση εικόνας ΗRΕΜ και ατόµων Si κατά την διεύθυνση [110] Οι εικόνες HREM δεν απεικονίζουν άµεσαταάτοµα ενόςκρυστάλλου αλλά Με την βοήθεια προµοιόσεων είναι δυνατή η ανασύνθεση της διάταξης των θέσεων των ατόµων και κατά συνέπεια η απεικόνιση σε ατοµικό επίπεδο κρυστάλλων, διεπιφανειών και κρυσταλλικών ατελειών.

15 Απεικόνιση εξαρµόσεων Εικόνα φωτεινού πεδίου SiGe Τα κρυσταλλικά επίπεδα κοντά στην εξάρµοση δεν ικανοποιούν την συνθήκη Bragg Τα κρυσταλλικά επίπεδα κοντά στην εξάρµοση ικανοποιούν την συνθήκη Bragg Εικόνα σκοτεινού πεδίου ασθενούς δέσµης

16 Αλληλεπίδραση δέσµης ηλεκτρονίων και υλικού Inelastic electrons Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS) Φασµατοσκοπία απώλειας ενέργειας ηλεκτρονίων

17 Mn Ga As Φάσµα EELS Σχηµατικό διάγραµµαενός ενεργειακού φίλτρου που τοποθετείται κάτω από την φθορίζουσα οθόνη ενός ΤΕΜ. Εικόνα φωτεινού Χαρτογράφηση πεδίου GaAs:MnAs

18 Επιταξιακή ανάπτυξη υµενίων ErSi 2-x /Si 1-x Ge x Εφαρµογές Si 1-x Ge x /Si transistor µεταλλικής βάσης διαµόρφωση του ενεργειακού χάσµατος ετεροδοµές υψηλής ευκινησίας strained και relaxed ετεροδοµές ανιχνευτές IR µεταβλητού µ.κ. κατωφλίου

19 Επιταξιακή ανάπτυξη υµενίων ErSi 2-x /Si 1-x Ge x Επιταξία µοριακής δέσµης (ΜΒΕ) ErSi 2-x 25nm 550 C Si 0.8 Ge nm 450 C Si buffer 200nm 650 C Si (001) υπόστρωµα tetr-ersi 2-x / strained SiGe ErSi 2-x 35nm 550 C Si 0.75 Ge nm 450 C tetr-ersi 2-x / relaxed SiGe Si 1-x Ge x 1000nm C x= step graded buffer Si buffer 200nm 650 C Si (001) υπόστρωµα

20 Επιταξιακή ανάπτυξη υµενίων ErSi 2-x /Si 1-x Ge x Εµφύτευση Ge / (ΜΒΕ) ErSi 2-x 35nm 550 C ανόπτηση 730 C Si 1-x Ge x nm x= ανόπτηση 800 C tetr-ersi 2-x / strained SiGe Si (001) υπόστρωµα Εµφύτευση 74 Ge σε θερµοκρασία δωµατίου Ενέργεια δέσµης 30, 70, 150 kev Πυκνότητα ρεύµατος 6.8 µa/ cm 2

21 Υµένια αναπτυγµένα µε MBE ErSi 2-x επάνω σε strained SiGe ErSi 2-x επάνω σε relaxed SiGe

22 Περίθλαση ηλεκτρονίων Bz=[011]SiGe Bz=[001]SiGe πείραµα προσοµοίωση

23 Εικόνα HREM της διεπιφάνειας Εικόνα ασθενούς δέσµης Er Si tetragonal ErSi 2 Καλή επιταξιακή ανάπτυξη Ικανοποιητική ποιότητα της διεπιφάνειας Αποκλεισµός των εξαρµόσεων Τάσεις στην διεπιφάνεια ErSi 2-x /SiGe

24 Στοιχειακή χαρτογράφηση υψηλής διακριτικής ικανότητας E=70 kev

25 Υµένια αναπτυγµένα µε εµφύτευση Ge / MBE E=70 kev E=30 kev SiGe SiGe Si Si ErSi 2 SiGe Si 0.85 Ge 0.15 ErSi 2 Si Επιταξιακή ανάπτυξη τετραγωνικών υµενίων ErSi 2-x επάνω σε υµένια Si 1-x Ge x που παρασκευάστηκαν µεεµφύτευση Ge Si 0.83 Ge 0.17

26 Εικόνα HREM της διεπιφάνειας

27 Συµπεράσµατα Επιταξιακή ανάπτυξη υµενίων ErSi 2-x επάνω σε strained & relaxed Si 1-x Ge x µε την χρήση στρώµατος οδηγού Προτιµητέα επιταξιακή φάση των υµενίων ErSi 2-x (δεν έχει παρατηρηθεί σε bulk ErSi 2-x ) Ησταθεράπλέγµατος του ErSi 2-x είναισταθερήκαιανεξάρτητητης πλεγµατικής σταθεράς του υποστρώµατος Si 1-x Ge x Υψηλότερη κρυσταλλική ποιότητα του ErSi 2-x όταν αναπτύσσεται σε relaxed Si 1-x Ge x εξαιτίας της µικρότερης πλεγµατικής ασυµφωνίας ErSi 2 / strained Si 1-x Ge x (δα /α ) ~ 2.8% ErSi 2 / relaxed Si 1-x Ge x (δα /α ) ~ 1.8%

28 Ανάπτυξη νανοδοµών MnAs σε υπόστρωµα GaAs Εφαρµογές Μαγνητο-οπτοηλεκτρονικές ιατάξεις Παρασκευή Επιταξία Μοριακής έσµης (ΜΒΕ) χαµηλής θερµοκρασίας Τυπική µικρογραφία φωτεινού πεδίου πριν από την ανόπτηση

29 Mn Ga As Φάσµα EELS Τυπική µικρογραφία φωτεινού πεδίου µετά από συµβατική θερµική ανόπτηση ΚατανοµήτουMn

30 είγµα Α (365 nm) GaAs:MnAs / GaAs (001) Παρασκευή (Ga,Mn)As µε ~4% Mn Συµβατική ανόπτηση in situ 600 ºC / 10 min ºC / 120 min Μικροδοµή Συσσωµατώµατα µε µηκαθορισµένο σχήµα και κρυσταλλική αταξία Μαγνητικές ιδιότητες Έλλειψη σιδηροµαγνητισµού

31 είγµα B (355 nm) GaAs:MnAs / GaAs (001) Παρασκευή (Ga,Mn)As µε ~3% Mn Συµβατική ανόπτηση in situ 600 ºC / 10 min Μικροδοµή Τριγωνικά συσσωµατώµατα MnAs µεδοµή ZnS σύµφωνη µετοπλέγµα Μαγνητικές ιδιότητες Ασθενής σιδηροµαγνητισµός

32 είγµα Γ (380 nm) GaAs:MnAs / GaAs (001) Παρασκευή (Ga,Mn)As µε ~7% Mn Ταχεία ανόπτηση ex situ 700 ºC / 20 sec Μικροδοµή Σφαιρικά συσσωµατώµατα MnAs µε εξαγωνική δοµήσύµφωνη µετο πλέγµα Μαγνητικές ιδιότητες Σιδηροµαγνητισµός για θερµοκρασίες έως 340Κ Ρύθµιση συνθηκών παρασκευής για την ανάπτυξη της κατάλληλης µικροδοµής ώστε να εµφανιστεί σιδηροµαγνητισµός

33 Οξείδια υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς Λεπτά υµένια X 2 Ο 3 (X:Y, Hf) σε υπόστρωµα Si Ιδιότητες µικρό ισοδύναµο πάχος~2nm µικρή πλεγµατική ασυµφωνία δυνατότητα επιταξιακής ανάπτυξης Εφαρµογές Οξείδια πύλης για ULSI κυκλώµατα d V g NMOS PMOS Field n + n + oxide L P-type Si epilayer p + p + N-well P + Si substrate Επιταξία µοριακής δέσµης (ΜΒΕ) High-k Y 2 O 3 55nm 450 C Si buffer 20nm 650 C Si (001) substrate

34 Υµένια Y 2 O 3 επάνω σε υπόστρωµα Si(001) (110)Y 2 O 3 //(001)Si - [001]Y 2 O 3 //[110]Si (110)Y 2 O 3 //(001)Si [001]Y 2 O 3 //[110]Si Si Y 2 O [1 1 0] [001 ]

35 Υµένια Y 2 O 3 επάνω σε vicinal υπόστρωµα Si(001) Επιταξιακές σχέσεις ανάπτυξης (110)Y 2 O 3 //(001)Si - [001]Y 2 O 3 //[110]Si

36 Υπερδοµήσεεπιταξιακάυµένια Υ 2 Ο 3 10 a ss = a =1.326nm 8 Y 2 O 3

37 Προβολή των κυψελίδων Y 2 O 3 /υπερδοµής - στο (110)Y 2 O nm

38 Χαρακτηρισµός µε EELS a b c b a c Intensity (arbitr. units) Intensity (arbitr. units) Energy loss (ev) Energy loss (ev)

39 Ανάλυση φασµάτων EELS Ηλεκτρονική δοµή Y 2 O 3 Intensity (arb. units) E b (ev) Intensity (arbitr. units) a b c defect-free region superstructure region J.Yuan et al Micron 30, 141 (1999) Jollet et al JACS 74, 358 (1991) Energy loss (ev) Η αναλογία των κορυφών a και b εξαρτάται από την κατάληψη θέσεων Ο Ηυπερδοµή αντιστοιχεί σε υποστοιχειοµετρία Ο

40 Intensity (arbitr. units) a b c defect-free region superstructure region Energy loss (ev) Ποσοτική ανάλυση των φασµάτων Μετατόπιση 0.8 ev της ακµής απορρόφησης ~ 7% κενά O στις περιοχές της υπερδοµής Τοπική µείωση του ενεργειακού χάσµατος στις περιοχές της υπερδοµής

41 Γιατί τα κενά Ο δηµιουργούν υπερδοµή; - [110]Y 2 O [110]Si ασυµφωνία Y 2 O 3 /Si = 6d a 220Si a Y 2 O 3 Y 2 O 3 = 8% - [110]Si [001]Y 2 O 3 7d220Si a a sstr sstr ασυµφωνία sstr/si = = 1.3% Ηδηµιουργία υπερδοµής Ο ελαττώνει την πλεγµατική ασυµφωνία

42 Συµπεράσµατα Επιταξιακή ανάπτυξη υµενίων Y 2 O 3 επάνω σε Si (001) µε δύο διαφορετικούς προσανατολισµούς Επιταξιακή ανάπτυξη υµενίων Y 2 O 3 επάνω σε vicinal Si (001) µεένα προσανατολισµό ηµιουργία υπερδοµής κενών Ο η οποία αποδίδεται στην ελάττωση της πλεγµατικής ασυµφωνίας Η περιοδική διάταξη των κενών Ο µεταβάλλει την πυκνότητα καταστάσεων στην ζώνη αγωγιµότητας του Υ 2 Ο 3 και µειώνει το ενεργειακό χάσµακατά0.8ev

43 Ανάπτυξη επιταξιακών λεπτών υµενίων ZnO σε ζαφείρι Al 2 O 3. Εφαρµογές Οπτοηλεκτρονικές ιατάξεις LED-Laser ZnO αναπτυγµένο σε Al 2 O 3 (1120) ZnO Al 2 O 3 Ποιός είναι ο προσανατολισµός του ZnO σε σχέση µετοal 2 O 3 ; Ποιά είναι η µορφολογία του ZnO; Επίπεδη τοµή Εγκάρσια τοµή

44 Επίπεδη τοµή Εγκάρσια τοµή Το υµένιο ZnΟ είναι µονοκρυσταλλικό Ηδέσµη των ηλεκτρονίων είναι παράλληλη µετηνδιεύθυνση[0001] ZnO Το υµένιο ZnΟ είναι πολύ τραχύ. Η εικόνα HREM δείχνει την εξαγωνική συµµετρία του ZnO παράλληλα µε τηνδιεύθυνση[0001].

45 Σχέσεις επιταξίας 0001 [0001] ZnO // [1120] sapphire (0001) ZnO // (1120) sapphire [1210] ZnO [0001] sapphire

46 Οι κύριες κρυσταλλογραφικές διευθύνσεις του ZnO σε σχέση µε τοal 2 O 3. Ο µετασχηµατισµός Fourier της εικόνας επιβεβαιώνει τις σχέσεις επιταξίας.

47 Ανάπτυξη µνηµών MOS µε νανοσωµατίδια Pt Source gate metal Metal dots Drain HfO Pt SiO 2 Si δέσµη e SiO 2 +npd Si Νανοσωµατίδια Pt

48 Μαγνητικά Νανοσωµατίδια για µαγνητικά αποθηκευτικά µέσα 10 8 cm -2 HDD~ 100GB cm HDD~ 50TB? M/M max // H (koe) CoPt/SiO 2

49 Περιορισµοί του ΤΕΜ Περιορισµένη ικανότητα δειγµατοληψίας Όγκος δείγµατος ~10-9 mm 3 Καταστροφή ευαίσθητων δειγµάτων από την δέσµη e 0sec 30sec 2-D προβολή 3-D αντικειµένων

50 Τα πραγµατικά υλικά αποτελούνται, συνήθως, από κρυστάλλους διαφόρων µεγεθών. Η µικροδοµή των υλικών καθορίζει τις ιδιότητές τους. Το ηλεκτρονικό µικροσκόπιο διέλευσης παρέχει την µοναδική δυνατότητα άµεσης παρατήρησης και µελέτης της µικροδοµής των υλικών.

51 Προετοιµασία δειγµάτων 3mm grinding 60µm 500µm dimpling 50nm ion beam 10µm

52 Ανάπτυξη µνηµών MOS µε νανοσωµατίδια Pt Source gate metal Metal dots Drain HfO Pt SiO Si Reversible storage of charge in metal dots results in memory effect C/C ox without ncs +/-2 V +/-2.5 V +/-3.5 V f =1 MHz V gate [V] Νανοσωµάτια Pt

53

54

55

Χαρακτηρισμός επιφανειών με

Χαρακτηρισμός επιφανειών με Χαρακτηρισμός επιφανειών με περίθλαση ηλεκτρονίων LEED RHEED 1 Περίθλαση ηλεκτρονίων χαμηλής ενέργειας (Low energy electron diffraction LEED). LEED In situ δομή υμενίων που αναπτύσσονται υπό συνθήκες UHV

Διαβάστε περισσότερα

Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών

Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών Χαράλαμπος Στεργίου Dr.Eng. chstergiou@uowm.gr Ατέλειες Τεχνολογία Υλικών Ι Ατέλειες Ατέλειες στερεών Ο τέλειος κρύσταλλος δεν υπάρχει στην φύση. Η διάταξη των ατόμων σε δομές

Διαβάστε περισσότερα

Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές

Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές UNIVERSITY of PATRAS Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιπλωµατική εργασία ΣΥΚΑΡΗ ΒΙΟΛΕΤΑ Επιβλέπων καθηγητής ΛΑ ΑΣ ΣΠΥΡΙ ΩΝ ΠΑΤΡΑ

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων

Διαβάστε περισσότερα

Ύλη ένατου µαθήµατος. Οπτικό µικροσκόπιο, Ηλεκτρονική µικροσκοπία σάρωσης, Ηλεκτρονική µικροσκοπία διέλευσης.

Ύλη ένατου µαθήµατος. Οπτικό µικροσκόπιο, Ηλεκτρονική µικροσκοπία σάρωσης, Ηλεκτρονική µικροσκοπία διέλευσης. ιάλεξη 9 η Ύλη ένατου µαθήµατος Οπτικό µικροσκόπιο, Ηλεκτρονική µικροσκοπία σάρωσης, Ηλεκτρονική µικροσκοπία διέλευσης. Μέθοδοι µικροσκοπικής ανάλυσης των υλικών Οπτική µικροσκοπία (Optical microscopy)

Διαβάστε περισσότερα

Επιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής

Επιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής Επιστήμη των Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Φυσικής 2017 Α. Δούβαλης Κρυσταλλικά Συστήματα Κυβικό Εξαγωνικό Τετραγωνικό Ρομβοεδρικό ή Τριγωνικό Ορθορομβικό Μονοκλινές Τρικλινές Κρυσταλλική δομή των

Διαβάστε περισσότερα

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα 1. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) Φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων. Rutherford backscattering (RBS) Φασματοσκοπία οπισθοσκέδασης κατά Rutherford Secondary ion

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ

ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Α. ηµουλάς Εργαστήριο ΜΒΕ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Συµβολή των ηλεκτρονικών υλικών στην ανάπτυξη των συστηµάτων πληροφορικής Τρανσίστορ :

Διαβάστε περισσότερα

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης 1 Bulk versus epitaxial growth Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος

Διαβάστε περισσότερα

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος και ειδικότερα τις εξής παραμέτρους:

Διαβάστε περισσότερα

Επιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής

Επιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής Επιστήμη των Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Φυσικής 2017 Α. Δούβαλης Ατέλειες, διαταραχές και σχέση τους με τις μηχανικές ιδιότητες των στερεών (μεταλλικά στερεά) μικτή διαταραχή διαταραχή κοχλία

Διαβάστε περισσότερα

Νανοηλεκτρονικές Διατάξεις Π. Φωτόπουλος ΠΑΔΑ

Νανοηλεκτρονικές Διατάξεις Π. Φωτόπουλος ΠΑΔΑ 1. Απεικονίστε την διαδρομή του ηλεκτρονίου στην αγωγή με σκέδαση και στην βαλλιστική αγωγή. Υπολογίστε τι μήκος πρέπει να έχει ένας αγωγός GaAs ώστε η αγωγή να γίνεται βαλλιστικά Δίνεται: η ευκινησία

Διαβάστε περισσότερα

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος και ειδικότερα τις εξής παραμέτρους:

Διαβάστε περισσότερα

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Αντίθεση εικόνας (contrast) Αντίθεση πλάτους Αντίθεση φάσης Αντίθεση εικόνας =100 x (Ι υποβ -Ι δειγμα )/ Ι υποβ Μικροσκοπία φθορισμού (Χρησιμοποιεί φθορίζουσες χρωστικές για το

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ. Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ. Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης Υψηλής Ανάλυσης JEOL

Διαβάστε περισσότερα

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα

Διαβάστε περισσότερα

Κυματική Φύση του φωτός και εφαρμογές. Περίθλαση Νέα οπτικά μικροσκόπια Κρυσταλλογραφία ακτίνων Χ

Κυματική Φύση του φωτός και εφαρμογές. Περίθλαση Νέα οπτικά μικροσκόπια Κρυσταλλογραφία ακτίνων Χ Κυματική Φύση του φωτός και εφαρμογές Περίθλαση Νέα οπτικά μικροσκόπια Κρυσταλλογραφία ακτίνων Χ Επαλληλία κυμάτων Διαφορά φάσης Δφ=0 Ενίσχυση Δφ=180 Απόσβεση Κάθε σημείο του μετώπου ενός κύματος λειτουργεί

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:

Διαβάστε περισσότερα

Σημειώσεις Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας

Σημειώσεις Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Σημειώσεις Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Εισαγωγή Μικροσκόπιο είναι μία διάταξη που μετατρέπει ένα αντικείμενο σε ένα είδωλο. Ενδιαφέρον παρουσιάζει η περίπτωση που το είδωλο είναι μεγαλύτερο του αντικειμένου.

Διαβάστε περισσότερα

Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µε λ [10-9 -10-12 m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev.

Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µε λ [10-9 -10-12 m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev. Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µε λ [10-9 -10-12 m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev. To ορατό καταλαµβάνει ένα πολύ µικρό µέρος του ηλεκτροµαγνητικού φάσµατος: 1,6-3,2eV. Page 1

Διαβάστε περισσότερα

Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση. Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης.

Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση. Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης. Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης. Το πρόβλημα: Ιζηματοποίηση φάσης β (πλούσια στο στοιχείο Β) από ένα υπέρκορο

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή α) Τεχνική zchralski Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη τεχνική ανάπτυξης μονοκρυστάλλων πυριτίου (i), αρίστης ποιότητας,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ MOS ΣΕ ΠΥΡΙΤΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

Ασκήσεις ακαδ. έτους

Ασκήσεις ακαδ. έτους Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών Πανεπιστήμιο Κρήτης Επιστήμη Επιφανειών - Νανοϋλικών (ETY/METY 346) Μεταπτυχιακό: Νανοτεχνολογία για Ενεργειακές Εφαρμογές ¹ Nanomaterials for Energy (Νανοϋλικά για

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 11: Περίθλαση Ακτίνων-Χ και Νετρονίων από Κρυσταλλικά Υλικά

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 11: Περίθλαση Ακτίνων-Χ και Νετρονίων από Κρυσταλλικά Υλικά ΚΕΦΑΛΑΙΟ 11: Περίθλαση Ακτίνων-Χ και Νετρονίων από Κρυσταλλικά Υλικά Εν γένει τρεις µεταβλητές διακυβερνούν τις διαφορετικές τεχνικές περίθλασης ακτίνων-χ: (α) ακτινοβολία µονοχρωµατική ή µεταβλητού λ

Διαβάστε περισσότερα

1) Να οριστεί η δοµή των στερεών. 2) Ποιες είναι οι καταστάσεις της ύλης; 3) Τι είναι κρυσταλλικό πλέγµα και κρυσταλλική κυψελίδα;

1) Να οριστεί η δοµή των στερεών. 2) Ποιες είναι οι καταστάσεις της ύλης; 3) Τι είναι κρυσταλλικό πλέγµα και κρυσταλλική κυψελίδα; ιάλεξη η 10 ΕΠΑΝΑΛΗΨΗ ιάλεξη 4η 1) Να οριστεί η δοµή των στερεών. 2) Ποιες είναι οι καταστάσεις της ύλης; 3) Τι είναι κρυσταλλικό πλέγµα και κρυσταλλική κυψελίδα; 4) Ποια είναι η ιδιότητα, η οποία ξεχωρίζει

Διαβάστε περισσότερα

ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ. 1. Παρασκευή Στηριγμένων Καταλυτών. 2. Χαρακτηρισμός Καταλυτών

ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ. 1. Παρασκευή Στηριγμένων Καταλυτών. 2. Χαρακτηρισμός Καταλυτών ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ 1. Παρασκευή Στηριγμένων Καταλυτών 2. Χαρακτηρισμός Καταλυτών Παρασκευή Στηριγμένων Καταλυτών Τεχνικές Εμποτισμού Ξηρός Εμποτισμός Υγρός Εμποτισμός Απλός Εμποτισμός Εναπόθεση - Καθίζηση

Διαβάστε περισσότερα

Επιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής

Επιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής Επιστήμη των Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Φυσικής 2017 Α. Δούβαλης Σημειακές ατέλειες Στοιχειακά στερεά Ατέλειες των στερεών Αυτοπαρεμβολή σε ενδοπλεγματική θέση Κενή θέση Αριθμός κενών θέσεων Q

Διαβάστε περισσότερα

Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å).

Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å). 1 2 Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å). Οι πολυτοιχωματικοί νανοσωλήνες άνθρακα αποτελούνται από δύο ή περισσότερους ομοαξονικούς

Διαβάστε περισσότερα

Το μικροσκόπιο ως αναλυτικό όργανο. Το μικροσκόπιο δεν μας δίνει μόνο εικόνες των παρασκευασμάτων μας.

Το μικροσκόπιο ως αναλυτικό όργανο. Το μικροσκόπιο δεν μας δίνει μόνο εικόνες των παρασκευασμάτων μας. Το μικροσκόπιο ως αναλυτικό όργανο. Το μικροσκόπιο δεν μας δίνει μόνο εικόνες των παρασκευασμάτων μας. Η διάκριση των μικροσκοπίων σε κατηγορίες βασίζεται, κατά κύριο λόγο, στην ακτινοβολία που χρησιμοποιούν

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G). ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Ε. Κ. ΠΑΛΟΎΡΑ Ημιαγωγοί 1. Ημιαγωγοί. Το 1931 ο Pauli δήλωσε: "One shouldn't work on. semiconductors, that is a filthy mess; who knows if they really

Ε. Κ. ΠΑΛΟΎΡΑ Ημιαγωγοί 1. Ημιαγωγοί. Το 1931 ο Pauli δήλωσε: One shouldn't work on. semiconductors, that is a filthy mess; who knows if they really Ημιαγωγοί Ανακαλύφθηκαν το 190 Το 191 ο Pauli δήλωσε: "Oe should't work o semicoductors, that is a filthy mess; who kows if they really exist!" Πιο ήταν το πρόβλημα? Οι ανεπιθύμητες προσμείξεις Το 1947

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Σχολή Θετικών Επιστημών - Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ακτίνων-Χ, Οπτικού Χαρακτηρισμού και Θερμικής Ανάλυσης

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Σχολή Θετικών Επιστημών - Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ακτίνων-Χ, Οπτικού Χαρακτηρισμού και Θερμικής Ανάλυσης Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Σχολή Θετικών Επιστημών - Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ακτίνων-Χ, Οπτικού Χαρακτηρισμού και Θερμικής Ανάλυσης ΑΣΚΗΣΗ Σκοπός της άσκησης είναι ο υπολογισμός των μηκών

Διαβάστε περισσότερα

Γενική Φυσική V (Σύγχρονη Φυσική) Φυσική Ακτίνων-Χ και Αλληλεπίδραση Ακτίνων-Χ και Ηλεκτρονίων με την Ύλη

Γενική Φυσική V (Σύγχρονη Φυσική) Φυσική Ακτίνων-Χ και Αλληλεπίδραση Ακτίνων-Χ και Ηλεκτρονίων με την Ύλη Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Εφαρμοσμένης Φυσικής Γενική Φυσική V (Σύγχρονη Φυσική) Φυσική Ακτίνων-Χ και Αλληλεπίδραση Ακτίνων-Χ και Ηλεκτρονίων με την Ύλη Περιεχόμενα

Διαβάστε περισσότερα

«ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ»

«ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ» ΠΡΟΣΚΛΗΣΗ ΕΝ ΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΓΙΑ ΕΚΠΟΝΗΣΗ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΙΑΤΡΙΒΗΣ «ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ» Υπεύθυνος Καθηγητής: κ. Θωµάς Σφηκόπουλος Υπεύθυνος Επιστηµονικός Συνεργάτες:

Διαβάστε περισσότερα

Θεµατικό Περιεχόµενο Μαθήµατος

Θεµατικό Περιεχόµενο Μαθήµατος Θεµατικό Περιεχόµενο Μαθήµατος 1. Κρυσταλικές δοµές Ιονική ακτίνα Ενέργεια πλέγµατος Πυκνές διατάξεις 4εδρικές 8εδρικές οπές Μέταλλα ιοντικά στερεά Πώς περιγράφεται η δοµή τους Πως προσδιορίζεται η δοµή

Διαβάστε περισσότερα

Ασκήσεις ακαδ. έτους

Ασκήσεις ακαδ. έτους Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών Πανεπιστήμιο Κρήτης Επιστήμη Επιφανειών - Νανοϋλικών (ETY/METY 346) Μεταπτυχιακό: Νανοτεχνολογία για Ενεργειακές Εφαρμογές ¹ Nanomaterials for Energy (Νανοϋλικά για

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΔΕΣΜΗΣ ΜΕ ΟΠΙΣΘΟΣΚΕΔΑΣΗ RUTHERFORD (RBS)

ΑΝΑΛΥΣΗ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΔΕΣΜΗΣ ΜΕ ΟΠΙΣΘΟΣΚΕΔΑΣΗ RUTHERFORD (RBS) ΑΝΑΛΥΣΗ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΔΕΣΜΗΣ ΜΕ ΟΠΙΣΘΟΣΚΕΔΑΣΗ RUTHERFORD (RBS) 1ο ΜΑΘΗΤΙΚΟ ΣΥΝΕΔΡΙΟ, ΕΚΕΦΕ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ», 2017 Νίκος Κουβάτσος 1 και Φοίβη Ρουσοχατζάκη 2 1 Πρότυπο Γενικό Λύκειο Βαρβακείου Σχολής 2 Πειραµατικό

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC

ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC ΤΙΤΛΟΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΙΑΤΡΙΒΗΣ: ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC Λαφατζής ηµήτριος Υποψήφιος διδάκτωρ στο Α.Π.Θ. Τµήµα Φυσικής ΤΡΙΜΕΛΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗ: Καθηγ. ΛΟΓΟΘΕΤΙ ΗΣ ΣΤΕΡΓΙΟΣ (Τµ. Φυσικής,

Διαβάστε περισσότερα

Στοιχεία Επιστήµης Κεραµικών

Στοιχεία Επιστήµης Κεραµικών Στοιχεία Επιστήµης Κεραµικών ιδάσκων : ρ Ειρήνη Θεοφανίδου Email: eirini@iesl.forth.gr eirini_th@yahoo.com Τηλ: : 2810 391133 Ώρες διδασκαλίας: Τρίτη 11:00-14:00 14:00, Αίθουσα Β2 Χηµικού Εισαγωγή 2 ιαλέξεις

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις

Διαβάστε περισσότερα

Η απορρόφηση των φωτονίων από την ύλη βασίζεται σε τρεις µηχανισµούς:

Η απορρόφηση των φωτονίων από την ύλη βασίζεται σε τρεις µηχανισµούς: AΣΚΗΣΗ 5 ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ-γ (1 o ΜΕΡΟΣ) - Βαθµονόµηση και εύρεση της απόδοσης του ανιχνευτή - Μέτρηση της διακριτικότητας ενέργειας του ανιχνευτή 1. Εισαγωγή Η ακτινοβολία -γ είναι ηλεκτροµαγνητική

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα;

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα; Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) ρ. Ιούλιος Γεωργίου Further Reading Texts: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Microelectronic Circuits, Sedra & Smith Αναλογικά ή Ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

Μοντέρνα Φυσική. Κβαντική Θεωρία. Ατομική Φυσική. Μοριακή Φυσική. Πυρηνική Φυσική. Φασματοσκοπία

Μοντέρνα Φυσική. Κβαντική Θεωρία. Ατομική Φυσική. Μοριακή Φυσική. Πυρηνική Φυσική. Φασματοσκοπία Μοντέρνα Φυσική Κβαντική Θεωρία Ατομική Φυσική Μοριακή Φυσική Πυρηνική Φυσική Φασματοσκοπία ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ Φωτόνια: ενέργεια E = hf = hc/λ (όπου h = σταθερά Planck) Κυματική φύση των σωματιδίων της ύλης:

Διαβάστε περισσότερα

Σύγχρονο Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης. Transition Electron Microscopy TEM

Σύγχρονο Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης. Transition Electron Microscopy TEM Σύγχρονο Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης Ανατομία ΤΕΜ Silicon wafer The transmission electron microscope (TEM) provides the user with advantages over the light microscope (LM) in three key areas: Resolution

Διαβάστε περισσότερα

Θέµατα που θα καλυφθούν

Θέµατα που θα καλυφθούν Ηµιαγωγοί Semiconductors 1 Θέµατα που θα καλυφθούν Αγωγοί Conductors Ηµιαγωγοί Semiconductors Κρύσταλλοι πυριτίου Silicon crystals Ενδογενείς Ηµιαγωγοί Intrinsic semiconductors ύο τύποι φορέων για το ρεύµασεηµιαγωγούς

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 3: ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΔΟΜΗΣ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 3: ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΔΟΜΗΣ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ Ενότητα 3: ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΔΟΜΗΣ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες

Διαβάστε περισσότερα

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις 3 η σειρά διαφανειών Δημήτριος Λαμπάκης Τύποι Στερεών Βασική Ερώτηση: Πως τα άτομα διατάσσονται στο χώρο ώστε να σχηματίσουν στερεά? Τύποι Στερεών

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (6 th Chapter) Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Si SiO 2

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική Στερεάς Κατάστασης η ομάδα ασκήσεων Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα

Φυσική Στερεάς Κατάστασης η ομάδα ασκήσεων Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα Φυσική Στερεάς Κατάστασης -05 η ομάδα ασκήσεων. Έστω ημιαγωγός με συγκέντρωση προσμείξεων Ν>> i. Όλες οι προσμείξεις είναι ιονισμένες και ισχύει =, p= i /. Η πρόσμειξη είναι τύπου p ή? : Όλες οι προσμείξεις

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή Άσκηση Β3: Πειράματα περίθλασης από κρύσταλλο λυσοζύμης

Εργαστηριακή Άσκηση Β3: Πειράματα περίθλασης από κρύσταλλο λυσοζύμης Βιοφυσική & Νανοτεχνολογία Εργαστηριακή Άσκηση Β3: Πειράματα περίθλασης από κρύσταλλο λυσοζύμης Ημερομηνία εκτέλεσης άσκησης... Ονοματεπώνυμα... Περίληψη Σκοπός της άσκησης είναι η εξοικείωση με την χρήση

Διαβάστε περισσότερα

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 35 ΠερίθλασηκαιΠόλωση. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 35 ΠερίθλασηκαιΠόλωση. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 35 ΠερίθλασηκαιΠόλωση ΠεριεχόµεναΚεφαλαίου 35 Περίθλαση απλής σχισµής ή δίσκου Intensity in Single-Slit Diffraction Pattern Περίθλαση διπλής σχισµής ιακριτική ικανότητα; Κυκλικές ίριδες ιακριτική

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΝΑΝΟΔΟΜΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ ΓΙΑ ΧΡΗΣΗ ΣΕ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΤΟΧΗΣ

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΝΑΝΟΔΟΜΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ ΓΙΑ ΧΡΗΣΗ ΣΕ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΤΟΧΗΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΝΑΝΟΔΟΜΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ ΓΙΑ ΧΡΗΣΗ ΣΕ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΤΟΧΗΣ Πετούσης Μάρκος, Δρ. Μηχανολόγος Μηχανικός Τμήμα Μηχανολόγων Μηχανικών Τ.Ε. ΤΕΙ Κρήτης Σύνθετα υλικά Σύνθετα υλικά

Διαβάστε περισσότερα

Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών

Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών Μηχανισμός: Το υμένιο αναπτύσσεται στην επιφάνεια του υποστρώματος με διαδικασία συμπύκνωσης από τους ατμούς του. Στις μεθόδους PVD υπάγονται: Evaporation,

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology Department of Physics, University

Διαβάστε περισσότερα

Ύλη έβδοµου µαθήµατος

Ύλη έβδοµου µαθήµατος ιάλεξη 7 η Ύλη έβδοµου µαθήµατος Φασµατοσκοπία απορρόφησης ακτίνων Χ, Φασµατοσκοπία οπισθοσκέδασης Rutherford, Φασµατοσκοπία ηλεκτρονίων Auger, Φασµατοσκοπία µάζας δευτερογενών ιόντων. Φασµατοσκοπία απορρόφησης

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΛΙΚΩΝ ΜΑΘΗΜΑ 1 Ο ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΥΛΙΚΩΝ. Δρ. M.Χανιάς Αν.Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ, ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και Θράκης

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΛΙΚΩΝ ΜΑΘΗΜΑ 1 Ο ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΥΛΙΚΩΝ. Δρ. M.Χανιάς Αν.Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ, ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και Θράκης ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΛΙΚΩΝ ΜΑΘΗΜΑ 1 Ο ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΥΛΙΚΩΝ Δρ. M.Χανιάς Αν.Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ, ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και Θράκης ΚΑΒΑΛΑ 018 1 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΥΛΙΚΑ. ΑΓΩΓΙΜΑ ΥΛΙΚΑ 3. ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

Διαβάστε περισσότερα

Τι είναι η ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ; Τι μέγεθος έχει το μικρότερο αντικείμενο που μπορούμε να δούμε; Τι πληροφορίες μπορούμε να αποκομίσουμε και με τι ευκρίνεια;

Τι είναι η ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ; Τι μέγεθος έχει το μικρότερο αντικείμενο που μπορούμε να δούμε; Τι πληροφορίες μπορούμε να αποκομίσουμε και με τι ευκρίνεια; Τι είναι η ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ; Τι μέγεθος έχει το μικρότερο αντικείμενο που μπορούμε να δούμε; Τι πληροφορίες μπορούμε να αποκομίσουμε και με τι ευκρίνεια; Πως δημιουργήθηκε η ανάγκη υλοποίησης για το πιο σύνθετο,

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology Department of Physics, University

Διαβάστε περισσότερα

1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί

1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί 1. Εισαγωγή 1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί Από την Ατομική Φυσική είναι γνωστό ότι οι επιτρεπόμενες ενεργειακές τιμές των ηλεκτρονίων είναι κβαντισμένες, όπως στο σχήμα 1. Σε

Διαβάστε περισσότερα

Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός

Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Maximum Permissible Exposure (MPE) - Nominal Hazard Zone (NHZ) Μέγιστη Επιτρεπτή Έκθεση (MPE) Το

Διαβάστε περισσότερα

ΝΑΝΟΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ

ΝΑΝΟΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ 1 Ιδιότητες εξαρτώμενες από το μέγεθος Στην νανοκλίμακα, οι ιδιότητες εξαρτώνται δραματικά από το μέγεθος Για παράδειγμα, ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΝΑΝΟΥΛΙΚΩΝ (1) Θερμικές ιδιότητες θερμοκρασία

Διαβάστε περισσότερα

Σύµφωνα µε την προσέγγιση << Ιδεατού Κρυστάλλου>> για κράµατα έχουµε:

Σύµφωνα µε την προσέγγιση << Ιδεατού Κρυστάλλου>> για κράµατα έχουµε: 2.15 Θέλουµε να υπολογίσουµε το ενεργειακό χάσµα του κράµατος Si x Ge 1-x καθώς το x µεταβάλλεται από 1.0 0. Το ελάχιστο της Ζώνης Αγωγιµότητας (Ζ.Α) του Si είναι κοντά στο σηµείο Χ. Το ελάχιστο της Ζώνης

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology Department of Physics, University

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology Department of Physics, University

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική επιφανειών και εφαρμογές. Άλλες πληροφορίες. Συναπαιτούμενα μαθήματα: Φυσική Στερεάς Κατάστασης Ι, Εισαγωγή στην Φυσική των Υλικών

Φυσική επιφανειών και εφαρμογές. Άλλες πληροφορίες. Συναπαιτούμενα μαθήματα: Φυσική Στερεάς Κατάστασης Ι, Εισαγωγή στην Φυσική των Υλικών Φυσική επιφανειών και εφαρμογές Ελένη Κ. Παλούρα, Καθηγήτρια paloura@auth.gr, 2310 998036, http://users.auth.gr/~paloura 1 Άλλες πληροφορίες Συναπαιτούμενα μαθήματα: Φυσική Στερεάς Κατάστασης Ι, Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες Αντιστατών. Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί)

Κατηγορίες Αντιστατών. Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί) Κατηγορίες Αντιστατών Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί) 1 Παράµετροι Αντιστατών Τιµή Ισχύς Ανοχή Θερµοκρασιακός συντελεστής αντίστασης Θόρυβος Χρόνος ζωής 2 Τύποι Αντιστατών Οι

Διαβάστε περισσότερα

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις 4 η σειρά διαφανειών Δημήτριος Λαμπάκης Ορισμός και ιδιότητες των μετάλλων Τα χημικά στοιχεία διακρίνονται σε μέταλλα (περίπου 70 τον αριθμό)

Διαβάστε περισσότερα

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΕΙΣΑΓΩΓΗ - ΓΕΝΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΜΙΚΡΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΕΣ ΣΠΟΥ ΕΣ

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΕΙΣΑΓΩΓΗ - ΓΕΝΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΜΙΚΡΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΕΣ ΣΠΟΥ ΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ. ΤΣΟΥΚΑΛΑΣ, Αναπλ. Καθηγ., ΣΕΜΦΕ (dtsouk@central.ntua.gr). ΤΣΑΜΑΚΗΣ, Καθηγητής, ΣΗΜΜΜΥ (dtsamak@central.ntua.gr) Κ. ΧΑΡΙΤΙ ΗΣ, Αναπλ. Καθηγ., ΣΧΜ (charitidis@chemeng.ntua.gr)

Διαβάστε περισσότερα

Κυματική φύση της ύλης: ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ. Φωτόνια: ενέργεια E = hf = hc/λ (όπου h = σταθερά Planck) Κυματική φύση των σωματιδίων της ύλης:

Κυματική φύση της ύλης: ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ. Φωτόνια: ενέργεια E = hf = hc/λ (όπου h = σταθερά Planck) Κυματική φύση των σωματιδίων της ύλης: Κυματική φύση της ύλης: ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ Φωτόνια: ενέργεια E = hf = hc/λ (όπου h = σταθερά Planck) Κυματική φύση των σωματιδίων της ύλης: Κινούμενα ηλεκτρόνια συμπεριφέρονται σαν κύματα (κύματα de Broglie)

Διαβάστε περισσότερα

Nανο τρανζιστορ. Κανόνες σμίκρυνσης του τρανζίστορ. Εναλλακτικές αρχιτεκτονικές HEMT. Ηλεκτρονικά με σπιν

Nανο τρανζιστορ. Κανόνες σμίκρυνσης του τρανζίστορ. Εναλλακτικές αρχιτεκτονικές HEMT. Ηλεκτρονικά με σπιν Nανο τρανζιστορ Κανόνες σμίκρυνσης του τρανζίστορ Εναλλακτικές αρχιτεκτονικές HEMT Ηλεκτρονικά με σπιν Βασικές αρχές λειτουργίας Τρανζίστορ τύπου n Σκοπός είναι να ελέγχουμε τη ροή των φορέων 1. Δημιουργία

Διαβάστε περισσότερα

Διαμορφωμένες Δομές σε Υλικά Προηγμένης Τεχνολογίας

Διαμορφωμένες Δομές σε Υλικά Προηγμένης Τεχνολογίας Aριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών Νανοεπιστήμες & Νανοτεχνολογίες Διαμορφωμένες Δομές σε Υλικά Προηγμένης Τεχνολογίας Επιβλέπων:Ν. Φράγκης Διπλωματική

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Φασματική απόκριση φ/β (SR) Ενέργεια φωτονίων μεγαλύτερη από το Eg δεν αξιοποιείται, δηλ. δεν οδηγεί στην αύξηση του

Διαβάστε περισσότερα

Ημιαγωγοί. Ημιαγωγοί. Ενδογενείς εξωγενείς ημιαγωγοί. Ενδογενείς ημιαγωγοί Πυρίτιο. Δομή ενεργειακών ζωνών

Ημιαγωγοί. Ημιαγωγοί. Ενδογενείς εξωγενείς ημιαγωγοί. Ενδογενείς ημιαγωγοί Πυρίτιο. Δομή ενεργειακών ζωνών Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Δομή ενεργειακών ζωνών Δεν υπάρχουν διαθέσιμες θέσεις Κενή ζώνη αγωγιμότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology Department of Physics, University

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Εισαγωγή Στην προηγούµενη εργαστηριακή άσκηση µελετήσαµε την δίοδο ανόρθωσης ένα στοιχείο που σχεδιάστηκε για να λειτουργεί ως µονόδροµος αγωγός.

Διαβάστε περισσότερα

Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία με λ [ m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev.

Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία με λ [ m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev. Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία με λ [10-9 -10-12 m] (ή 0,01-10Å) και ενέργεια φωτονίων kev. ότι το αόρατο το «φώς» από τον σωλήνα διαπερνούσε διάφορα υλικά (χαρτί, ξύλο, βιβλία) κατά την

Διαβάστε περισσότερα

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 3: Εισαγωγή στη Διαδικασία Κατασκευής (CMOS Processing) Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2 1 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Εισαγωγή Τεχνολογία CMOS = Complementary Metal Oxide Semiconductor Συµπληρωµατικού Ηµιαγωγού Μετάλλου Οξειδίου Αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 1. Περίληψη. Θεωρητική εισαγωγή. Πειραματικό μέρος

ΑΣΚΗΣΗ 1. Περίληψη. Θεωρητική εισαγωγή. Πειραματικό μέρος ΑΣΚΗΣΗ 1 Περίληψη Σκοπός της πρώτης άσκησης ήταν η εξοικείωση μας με τα όργανα παραγωγής και ανίχνευσης των ακτίνων Χ και την εφαρμογή των κανόνων της κρυσταλλοδομής σε μετρήσεις μεγεθών στο οεργαστήριο.

Διαβάστε περισσότερα

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΓΡΑΦΙΑΣ

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΓΡΑΦΙΑΣ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΓΡΑΦΙΑΣ 1. ΓΕΝΙΚΑ Από τις καταστάσεις της ύλης τα αέρια και τα υγρά δεν παρουσιάζουν κάποια τυπική διάταξη ατόμων, ενώ από τα στερεά ορισμένα παρουσιάζουν συγκεκριμένη διάταξη ατόμων

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Ορισμοί: Φασματική απόκριση φ/β (SR) Κβαντική απόδοση φ/β (QE) Φασματική απόκριση SR: Ο λόγος του φωτορεύματος I ph

Διαβάστε περισσότερα

Ανάπτυξη Αυτοργανωμένων Μεταϋλικών για την Εφαρμογή τους σε Κεραίες Νησίδας Υπέυθυνος Έργου: Δρ. Φώτης Λαζαράκης

Ανάπτυξη Αυτοργανωμένων Μεταϋλικών για την Εφαρμογή τους σε Κεραίες Νησίδας Υπέυθυνος Έργου: Δρ. Φώτης Λαζαράκης Ανάπτυξη Αυτοργανωμένων Μεταϋλικών για την Εφαρμογή τους σε Κεραίες Νησίδας Υπέυθυνος Έργου: Δρ. Φώτης Λαζαράκης Ινστιτούτο Πληροφορικής & Τηλεπικοινωνιών Αποτελέσματα ΔΗΜΟΕΡΕΥΝΑΣ, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ, 1

Διαβάστε περισσότερα

Καταστάσεις της ύλης. Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο.

Καταστάσεις της ύλης. Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο. Καταστάσεις της ύλης Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο. Υγρά: Τάξη πολύ µικρού βαθµού και κλίµακας-ελκτικές δυνάµεις-ολίσθηση. Τα µόρια βρίσκονται

Διαβάστε περισσότερα

H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας

H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας Ανιχνευτές οπτοηλεκτρονικής H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας Ανίχνευση σημάτων με οπτικές συχνότητες (10 14 Hz) το φώς ηλεκτρικό σήμα ενίσχυση + ανίχνευση με FET, διπολικά τρανζίστορ,

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Ενεργειακά διαγράμματα ημιαγωγού Ηλεκτρόνια (ΖΑ) Οπές (ΖΣ) Ενεργειακό χάσμα και απορρόφηση hc 1,24 Eg h Eg ev m max max Χρειάζονται

Διαβάστε περισσότερα

Γραπτή εξέταση προόδου στο μάθημα «Επιστήμη & Τεχνολογία Υλικών Ι»-Νοέμβριος 2017

Γραπτή εξέταση προόδου στο μάθημα «Επιστήμη & Τεχνολογία Υλικών Ι»-Νοέμβριος 2017 Γραπτή εξέταση προόδου στο μάθημα «Επιστήμη & Τεχνολογία Υλικών Ι»-Νοέμβριος 017 Ερώτηση 1 (5 μονάδες ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ αρχικό υλικό + *στάδια επίπεδης τεχνολογίας πλακίδιο Si *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si οξείδωση εναπόθεση διάχυση φωτολιθογραφία φωτοχάραξη Παραγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1 Στοιχειακοί ηµιαγωγοί Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική Οµοιοπολικοί δεσµοί στο πυρίτιο Κρυσταλλική δοµή Πυριτίου ιάσταση κύβου για το Si: 0.543 nm Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Post Doc Researcher, Chemist Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Γραπτό τεστ (συν-)αξιολόγησης στο μάθημα: «ΔΙΑΓΝΩΣΤΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗ ΜΕΛΕΤΗ

Διαβάστε περισσότερα

4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron

4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron Τα ηλεκτρόνια στα Μέταλλα Α. Χωρίς ηλεκτρικό πεδίο: 1. Τι είδους κίνηση κάνουν τα ηλεκτρόνια; Τα ηλεκτρόνια συγκρούονται μεταξύ τους; 2. Πόσα ηλεκτρόνια περνάνε προς τα δεξιά και πόσα προς τας αριστερά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 4 ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΑΠΟ ΑΠΛΗ ΣΧΙΣΜΗ

ΑΣΚΗΣΗ 4 ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΑΠΟ ΑΠΛΗ ΣΧΙΣΜΗ ΑΣΚΗΣΗ 4 ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΑΠΟ ΑΠΛΗ ΣΧΙΣΜΗ 1 Σκοπός Στην άσκηση αυτή μελετάται η περίθλαση δέσμης φωτός ενός laser He-Ne από απλή σχισμή. Στο πρώτο μέρος της άσκησης προσδιορίζεται το πλάτος της σχισμής από την

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής Αραπογιάννη Αγγελική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών. Σελίδα 2 1. Εισαγωγή... 4 2. Ανάπτυξη Κρυστάλλων... 4 3. Οξείδωση του πυριτίου...

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 2: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 2: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ Ενότητα 2: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες

Διαβάστε περισσότερα