Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie. Aplicaţii.

HTML
DOWNLOAD

Μέγεθος: px

Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie. Aplicaţii."

Ἀβιούδ Μπότσαρης
7 χρόνια πριν
Προβολές:

1 Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regi de coutaţie. Aplicaţii. Scopul lucrării - Studiul condiţiilor de saturaţie pentru T; - Studiul aplicaţiilor cu T în regi de coutaţie; 1. ondiţia de saturaţie Se consideră circuitul urător: Figura 1. ircuitul pentru studiul regiului de saturaţie. ; Dacă PSF-ul se găseşte în S (la liita dintre AN şi saturaţie), rezultă că: sat _ inc s ; sat sat 1

2 Între sat_inc şi sat, datorită faptului că sunte la liita în AN, ave: sat ( β ) in i _ catalog β sat _ inc Dacă şi sunt fixate (ipuse de un curent axi peris prin T, notat M ), obţine relaţia necesară între şi pentru saturarea T ( punctul de funcţionare trebuie să se regasească la stânga punctului S din Fig. 1): sat sat sat _ inc β β sau Această relaţie, dacă şi >> sat ( sat < 0.5[ ]; [ ] ), conduce la una ult ai siplă între rezistoare: β NOTA Pentru tranzistoatele bipolare tip 107/171/177/51, M100[A] iar β 50. În apropierea saturaţiei (dinspre AN) β scade. β sat.. Forator de senal dreptunghiular din senal sinusoidal Figura. Generatorul furnizează v ( t) sin ωt g, cu g 6[ ]. g În acestă aplicaţie trebuie proiectat astfel încat să liiteze curentul în alternanţa pozitivă a lui v g (t). Tranzistoarele bipolare 107 au ax 6[A] şi inv 5[]. olul diodei de coutaţie 1N4148 este acela de a se deschide în alteranţa negativă, liitând astfel tensiunea inversă baza-eitor a T (la doar 0.6[]).

3 g 6[ ] 0.6[ ] 0.9[ KΩ] ax 6[ A] ezistorul fixează valoarea dorita pentru sat la fixat la 5[]. Alegând sat 0[A], rezultă: sat 5[ ] 0.5[ ] 0[ Ω] 0[ A] sat Studiu experiental - Se realizează circuitul cu valorile proiectate; - Se oscilografiază siultan v şi v O. Se reţin graficele acestor fore de undă la valori ale frecvenţei generatorului de 1[KHz], 1[MHz] şi 10[MHz]. 3. Accelerarea coutaţiei tranzistorului bipolar Se utilizează schea: Figura 3. Foratorul din figura de ai sus are 10K pentru tranzistorul Q, deci un curent de saturaţie relativ ic. Se va observa influenţa condensatorului de accelerare a. Tensiunea (dreptunghiulară) de la iesirea priului etaj forator, asigură saturarea puternică a lui Q deoarece: sat 5[ ] sat 0.5[ A] 10[ KΩ], sat 500[ ua] sat _ inc 10[ ua] β 50 iar atunci când Q 1 este blocat, curentul de bază al lui Q va fi: 400[ ua] >> 10[ ua] sat _ inc + 1 3

4 Studiu experiental - Se păstrează, ca şi la aplicaţia anterioară, g 6[]; - Se deterină frecvenţa axiă de funcţionare corectă ( v o (t) încă de foră dreptunghiulară) (a) fară a ; (b) cu a 10pF; (c) cu a 0pF; (d) cu a 100pF; 4. Astabil cu tranzistoare bipolare (generator de senal dreptunghiular) Se va utiliza schea urătoare: Figura 4. A cu T Fără 1, în circuit, proiectarea trebuie să asigure în cele ai dezavantajoase cazuri (variaţie cu teperatura, îpraştierea β) Q 1 şi Q saturate, condiţie satisfăcută atunci când β. Presupunând K închis un tip suficient de lung astfel încât v 1, v să se stabilizeze: Q blocat K ON 0 (1) Q1 saturat În aceasta situaţie 1 se încarcă, cu polaritatea (+) aratura dreapta / (-) aratura stânga, la valoarea 1 sat iar se descarcă sat 1 0. Presupune că la t0 K se deschide > Q se saturează într-un tip t ON. În virtutea teoreei coutaţiei, v 1 nu se odifică brusc ( v1 ( 0 ε ) v1( 0 + ε ) ) şi, deoarece 1 are pe aratura dreaptă sat 0, va aplica - în baza lui Q 1, Q1 blocat blocându-l. ( ). u Q 1 blocat, se încarcă la. ând 1 se va fi Q saturat terinat de descărcat, Q 1 se saturează > îl va bloca pe Q. De aici stările îşi vor succede în tip una alteia. Perioada senalelor generate va fi: T t + t ln + 1 ( ) 1 1 4

5 Studiu experiental - Se vor urări forele de undă ale tensiunilor de colector şi bază pentru 1[nF]/10[nF]/100[nF] ; se vor face corelaţii cu procesele descrise ai sus; - xplicaţi de ce frontul pozitiv al tensiunilor de colector nu este abrupt; - xplicaţi de ce un scurtcircuit colector-eitor blochează oscilaţiile pe când un scurtcircuit bază-eitor le aorsează; Tea 3 1. Pentru circuitul din Figura, în care T este de tipul 107 iar D 1N4148, proiectaţi valorile,, astfel încât circuitul să realizeze conversia de la senalul v (t)0+1sinπ10 3 t la un senal de ieşire de foră dreptunghiulară, cu H 9[] şi L 0[], în condiţiile unei puteri edii absorbite de la sursa de alientare de 135[W] şi fără a pune în pericol integritatea joncţiunii eitoare.. Pentru circuitul din Figura 4, în care T sunt de tipul 107 iar 1 10[pF], proiectaţi valorile i, i, astfel încât circuitul sa genereze un senal dreptunghiular, de frecvenţă 7[KHz] şi având H 5[] şi L 0[], în condiţiile unei puteri edii absorbite de la sursa de alientare de 60[W]. 5

Σχετικά έγγραφα

4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica