Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Σχετικά έγγραφα
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 11: Ταλαντωτές

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 18/09/2013

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

Διαφορικοί Ενισχυτές

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

K15 Ψηφιακή Λογική Σχεδίαση 6: Λογικές πύλες και λογικά κυκλώματα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 5: Ειδικοί Τύποι Διόδων

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.


Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 15/09/2016

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Τελεστικοί Ενισχυτές

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

του διπολικού τρανζίστορ

104Θ Αναλογικά Ηλεκτρονικά 12: Φίλτρα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 24/01/2012 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 21/06/2011 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΛΥΣΕΙΣ (ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΩΝ) ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΘΕΩΡΙΑΣ

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 05/07/2010 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΨΗΦΙΑΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ.

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

Transcript:

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Περιεχόμενα 1 Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) 2 Καθρέφτες και πηγές ρεύματος 3 Ασκήσεις Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 2 / 21

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Ενισχυτής κοινής πηγής R D V GG V s Vout * το τρανζίστορ έχει πολωθεί κατάλληλα στην περιοχή κόρου Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 3 / 21

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Ενισχυτής κοινής πηγής Λαμβάνοντας υπόψη μας την έκφραση του ρεύματος κόρου, μπορούμε να οδηγηθούμε στο συμπέρασμα πως κάθε αύξηση της τάσης της πύλης οδηγεί σε μείωση της τάσης εξόδου, και αντίστροφα Επιπλέον, αύξηση της τιμής της αντίστασης R D θα οδηγεί σε αύξηση της μεταβολής της τάσης εξόδου, σε σχέση με την αντίστοιχη μεταβολή του σήματος εισόδου Αναφερόμαστε, επομένως, σε έναν αναστρέφοντα ενισχυτή τάσης τη λειτουργία του οποίου θα προσδιορίσουμε ποσοτικά στη συνέχεια Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 4 / 21

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Ενισχυτής κοινής πηγής Θα εξετάσουμε τη συμπεριφορά του ενισχυτή στις χαμηλές συχνότητες, αγνοώντας το φαινόμενο διαμόρφωσης του μήκους του καναλιού, οπότε θα χρησιμοποιήσουμε το πιο κάτω ισοδύναμο κύκλωμα μικρού σήματος G i d D v s v gs g m v gs R D v out S S Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 5 / 21

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Ενισχυτής κοινής πηγής G i d D v s v gs g m v gs R D v out S S Αξίζει να παρατηρήσουμε πως, επειδή εργαζόμαστε με σήμα AC, οι πηγές σταθερής τάσης βραχυκυκλώνονται Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 6 / 21

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Ενισχυτής κοινής πηγής G i d D v s v gs g m v gs R D v out S S Από τον βρόχο εξόδου του ισοδύναμου κυκλώματος είναι εύκολο να καταλήξουμε στη σχέση: v out = i d R D = g m v gs R D = g m R D v s η οποία δίνει την AC συνιστώσα του σήματος εξόδου του ενισχυτή Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 7 / 21

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Ενισχυτής κοινής πηγής Η σχέση v out = i d R D = g m v gs R D = g m R D v s επιβεβαιώνει την ποιοτική μας ανάλυση, υποδεικνύοντας πως η AC συνιστώσα του σήματος εξόδου έχει αντίθετο πρόσημο σε σχέση με την αντίστοιχη συνιστώσα του σήματος εξόδου Επιπλέον, η απολαβή τάσης προκύπτει ίση με g m R D, εξαρτάται δηλαδή από την διαγωγιμότητα g m του τρανζίστορ και από την τιμή της αντίστασης R D Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 8 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Περιεχόμενα 1 Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) 2 Καθρέφτες και πηγές ρεύματος 3 Ασκήσεις Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 9 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Καθρέφτης ρεύματος I ref R I 2 M 1 M 2 * τα τρανζίστορ είναι κατασκευασμένα στην ίδια τεχνολογία, δηλαδή έχουν κοινά τα κατασκευαστικά τους μεγέθη (µ n, ε, t ox και V T) Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 10 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Καθρέφτης ρεύματος I ref R I 2 M 1 M 2 Παρατηρήσεις: Το τρανζίστορ M 1 βρίσκεται μόνιμα στον κόρο, καθώς ισχύει V DS = V GS και, επομένως, η συνθήκη V DS > V GS V T θα επαληθεύεται (αφού 0 > V T ) Η τάση πύλης-πηγής είναι κοινή και για τα δύο τρανζίστορ (V GS1 = V GS2 = V GS ) Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 11 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Καθρέφτης ρεύματος Για το ρεύμα καναλιού του τρανζίστορ M 1 μπορούμε να γράψουμε: I ref = I DS1 = 1 2 µnε ( ) W (V GS V T) 2 (1) t ox L 1 I ref R I 2 M 1 M 2 Παρόμοια, αν υποθέσουμε πως και το τρανζίστορ M 2 λειτουργεί στην περιοχή κόρου (ισχύει, δηλαδή, V DS2 > V GS V T), μπορούμε να γράψουμε: I 2 = I DS2 = 1 2 µnε t ox ( W L ) 2 (V GS V T ) 2 (2) Διαιρώντας κατά μέλη τις σχέσεις (2) και (1) βρίσκουμε: ή I 2 I ref = (W/L) 2 (W/L) 1 (3) I 2 = I ref (W/L) 2 (4) (W/L) 1 Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 12 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Καθρέφτης ρεύματος I ref R I 2 M 1 M 2 Αν, επιπλέον, υποθέσουμε ότι ο λόγος των διαστάσεων (aspect ratio) είναι ο ίδιος και για τα δύο MOSFET καταλήγουμε στην ισότητα I 2 = I ref, η οποία υποδηλώνει πως οι τιμές των ρευμάτων καναλιού των δύο τρανζίστορ ταυτίζονται Πρόκειται για έναν καθρέφτη ρεύματος (current mirror), όπου το τρανζίστορ M 1 επιβάλλει στο τρανζίστορ M 2 την τιμή του ρεύματος καναλιού του Με άλλα λόγια, το «είδωλο» ενός ρεύματος αναφοράς (reference current I ref ) στον έναν κλάδο του καθρέφτη επιβάλλεται στον άλλο κλάδο του κυκλώματος Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 13 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Καθρέφτης ρεύματος I ref R I 2 M 1 M 2 Είναι προφανές πως τυχόν ανομοιομορφία (mismatch) στην κατασκευή των δύο τρανζίστορ (πχ διαφοροποιήσεις στην τάση κατωφλίου ή στα υπόλοιπα κατασκευαστικά χαρακτηριστικά) απομακρύνει το κύκλωμα από την ιδανική του λειτουργία, οδηγώντας σε αποκλίσεις μεταξύ των τιμών των ρευμάτων στους δύο κλάδους του κυκλώματος Στην περίπτωση των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, για την ελαχιστοποίηση των ανομοιομορφιών μεταξύ των διατάξεων εφαρμόζονται εξειδικευμένες τεχνικές σχεδίασης Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 14 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Πηγή ρεύματος I ref R R L I 2 Το κύκλωμα της προηγούμενης ενότητας μπορεί να θεωρηθεί και ως μια πηγή ρεύματος (current source) M 1 M 2 Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 15 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Πηγή ρεύματος I ref R R L I 2 M 1 M 2 Η έκφραση του ρεύματος το οποίο παρέχει η πηγή στον φόρτο (I 2 = I ref ) μπορεί να προσδιορισθεί ως εξής: Από τον κλάδο που περιέχει το τρανζίστορ M 1 βρίσκουμε: V DS1 = V DD I ref R (5) η οποία, λαμβάνοντας υπόψη ότι V DS1 = V GS1 = V G, γράφεται: V GS = V DD I ref R (6) από την οποία προκύπτει ότι: όπου K 1 = 1 2 µnε t ox I ref = K 1 (V DD I ref R V T ) 2 (7) ( ) W L 1 Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 16 / 21

Καθρέφτες και πηγές ρεύματος Πηγή ρεύματος I ref = K 1 (V DD I ref R V T ) 2 I ref R R L I 2 M 1 M 2 Από την πιο πάνω δευτεροβάθμια εξίσωση μπορεί να προσδιοριστεί η τιμή του ρεύματος I ref της πηγής, το οποίο μπορεί να ρυθμιστεί με τη μεταβολή της αντίστασης R ή με τη μεταβολή του λόγου των διαστάσεων των τρανζίστορ Κρίσιμη απαίτηση για την ορθή λειτουργία της πηγής είναι να παραμένει το τρανζίστορ M 2 στην περιοχή κόρου Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 17 / 21

Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) 2 Καθρέφτες και πηγές ρεύματος 3 Ασκήσεις Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 18 / 21

Ασκήσεις Άσκηση 1 Να σχεδιάσετε κύκλωμα καθρέφτη ρεύματος με pmos Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 19 / 21

Ασκήσεις Άσκηση 2 I ref R R L I 2 M 1 M 2 Να προσδιορίσετε την οριακή τιμή της αντίστασης φόρτου R L για την οποία η πηγή ρεύματος λειτουργεί ορθά Δίνεται V DD =5V, R=1kΩ, ενώ και για τα δύο MOSFET ισχύουν V T =2V και K=100μΑ/V 2 Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 20 / 21

Ασκήσεις Άσκηση 3 V GG V s R D Vout Για το κύκλωμα του ενισχυτή του σχήματος δίνονται: V DD =5V, R D =10kΩ, V GG =2V Αν για το MOSFET γνωρίζουμε ότι V T =1V και K=200μΑ/V 2, να προσδιορίσετε το ρεύμα του καναλιού (I DS ), το δυναμικό εκροής (V D ), τη διαγωγιμότητα (g m ) του τρανζίστορ, καθώς και την απολαβή τάσης του ενισχυτή Να αγνοήσετε το φαινόμενο διαμόρφωσης του μήκους του καναλιού Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 12: Καθρέφτες / Ενισχυτές με MOSFETs 21 / 21