ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου

Σχετικά έγγραφα
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Πόλωση των Τρανζίστορ

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

Διαφορικοί Ενισχυτές

Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών)

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

Πρόγραμμα Επικαιροποίησης Γνώσεων Αποφοίτων

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

και Ac είναι οι απολαβές διαφορικού και κοινού τρόπου του ενισχυτή αντίστοιχα.

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (1 η σειρά διαφανειών)

του διπολικού τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

10. Χαρακτηριστικά στοιχεία λογικών κυκλωμάτων


Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

6. Σχεδίαση Κυκλωμάτων Λογικής Κόμβων (ΚΑΙ), (Η)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΨΗΦΙΑΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ.

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΘΕΜΑ : ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ. ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1περίοδος

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Τελεστικοί Ενισχυτές

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Transcript:

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) 1

The Current Switch (Μεταγωγός Ρεύματος) Αποτελεί την καρδιά οποιασδήποτε πύλης ECL Q1, Q2 =πανομοιότυπα Rc=matched αντιστάσεις Κύκλωμα μεταγωγού ρεύματος σε πύληecl 2 Αρχή Λειτουργίας του μεταγωγού ρεύματος Αρχή Λειτουργίας : Σήμα εισόδου vι συγκρίνεται με τάση αναφοράς Vref Εάν vι >Vref (κατά μερικές εκατοντάδες mv)=> I EE διέρχεται διαμέσου εκπομπού Q1 Εάν vι >Vref (κατά μερικές εκατοντάδες mv)=> I EE διέρχεται διαμέσου εκπομπού Q2

Μοντέλο Συμπεριφοράς Μεταγωγού Ρεύματος Ισχύει: => Εάν V BE2 >= V BE1 +300 mvolts => ΔV BE =-0.3 V και για V T =0.025 V => ic 2 > ic 1 κατά 1.6x 105 φορές Παρόμοια ισχύουν για ic 1 εάν V BE1 >= V BE2 +300 mvolts Επαληθεύεται η υπόθεση ότι Ι ΕΕ μετάγεται από τη μιά πλευρά στηάλλη του current switch για διαφορά στην τ V BE ης τάξης μερικών εκατοντάδων mv 3

Μοντέλο Συμπεριφοράς Μεταγωγού Ρεύματος Μετ/μός προηγούμενων σχέσεων σε χρήσιμη έκφραση για απεικόνιση κανονικοποιημένης διαφοράς για ic 1,ic 2. Από σχέση ic, VBE παίρνουμε: Επίσης : => Από συνδυασμό των παραπάνω συνάγεται ότι: Απόαπεικόνισητηςπαραπάνωσχέσης σε διπλανή καμπύλη συνάγεται ότι: Απαιτείται μικρή μεταβολή τάσης για μεταγωγή ρεύματος από τον έναν συλλέκτη στον άλλον 99% του ρεύματος μετάγεται για 4 Αυτή η μικρή μεταβολή τάση για πλήρη μεταγωγή ρεύματος =>μεγάλη ταχύτητα των πυλών ECL

Ανάλυση Μεταγωγού Ρεύματος (Vi> V REF ) Με βάση τα προαναφερθέντα => τα +0.3 V = υπεραρκετά για πλήρη μεταγωγή ρεύματος στον Q1 κλάδο => θεωρούμε Q1=ενεργός περιοχή και VBE=0.7 V Q2 = Off (Ic 2 =0). Από KVL : => => => V BE2 =0.4 =>V BE2 -V BE1 = 300 mv άρα υπάρχει όντως πλήρη μεταγωγή στο Q1, Q2=στα όρια αγωγής (V BE2 =0.4) αλλά στην ενεργό περιοχή? (Ισχύει V C >V B?) Βρίσκουμε τις τάσεις εξόδου: Θεωρώντας ότι α F 1=> και Ελέγχοντας εάν Q1, Q2=ενεργόςπεριοχή => =>V c1 = - 0.6 V, V c2 = 0V 5 Συνεπώς όντως και τα 2 τρανζίστορς είναι σε ενεργό περιοχή παρόλο που το Q2 διαρρέεται απόαμελητέορεύμα

Ανάλυση Μεταγωγού Ρεύματος (Vi< V REF ) => Τα -0.3 V =>πλήρη μεταγωγή ρεύματος στον Q2 κλάδο => θεωρούμε Q2=ενεργός περιοχή και VBE=0.7 V Q1 = Off (Ic 1 =0). Από KVL : => => Όπου έχει υποτεθεί : i E1 0, i E2 i EE (δεδομένου ότι U ΒΕ1 <U ΒΕ2 ) υ Επιπλέον Q1, Q2 = ενεργός περιοχή διότι Q1: υ C1 =0 > υ B1 = υ I =-1.3 V και Q2: υ C2 =-0.6> υ B2 =V REF = -1 V 6

Ανάλυση Μεταγωγού Ρεύματος Τα αποτελέσματα εισόδων εξόδων που απεικονίζονται στον παραπάνω πίνακα δείχνουν την ύπαρξη δύο διακριτών επιπέδων τάσης (0 και -0.6V) τα οποία θα μπορούσαν να αντιστοιχούν σε λογικό 1 και λογικό 0. Πρόβλημα: διότι δεν είναι συμβατές (ίδιες ) οι τάσεις στις εξόδους του κυκλώματος μεταγωγού ρεύματος με αυτές των εισόδων όπως είναι απαραίτητο για μία πύλη Παρατήρηση : Υψηλά και χαμηλά επίπεδα στην είσοδο και έξοδο του κυκλώματος μεταγωγής ρεύματος διαφέρουν κατά 0.7 V, όσο και μία πτώση τάσης βάσης εκπομπού Λύση: Χρήση στις εξόδους του κυκλώματος μεταγωγού δύο επιπλέον transistors που θ α παρέχουν τις επιπλέον αυτές πτώσεις τάσης 7

ΗΛογικήΠύλημεΣύζευξηΕκπομπού(ECL) Από κύκλωμα ισχύει: Έστω => Δεδομένου ότι : => Για β F > 20=> ic Rc << υ BE => Q3, Q4= ενεργός περιοχή διότι Q3: υ C3 =0 > υ B3 = υ c1 =-0.6 V και Q4 : υ C4 =0>= υ B4 = υ c2 =0 V=> σωστά υποτέθηκε ότι υ BE3 = υ BE4 = 0.7 Volts 8

ΗΛογικήΠύλημεΣύζευξηΕκπομπού(ECL) Από κύκλωμα εξακολουθεί βεβαίως να ισχύει : Έστω => υποθέσεις όπως και με Οι έξοδοι αλλάζουν κατάσταση και κάνοντας παρόμοιες προσεγγίσεις και έχομε: Ρεύμα Εισόδου Πύλης ECL : Μη μηδενικό σε αντίθεση με MOSFET i IN = ρεύμα βάσης Q1. Όταν Q1= OFF (υ I =-1.3 V)=> i IN = 0, Όταν Q1= άγει => 9

ΗΛογικήΠύλημεΣύζευξηΕκπομπού(ECL) Οπως φαίνεται από πίνακα επίπεδα εισόδων πλέον =συμβατά με αυτά εξόδων όπως αρμόζει σε μία πύλη. Ειδικότερα ισχύει: Επίσης είναι λογικό για συμμετρικά περιθώρια θορύβου η V REF να επιλέγεται ως: Επίσης το λογικό σήμα μεταβάλλεται (swings) συμμετρικά σε σχέση με την V REF κατά το μισό της μεταβολής=0.3 V. Η συνολική μεταβολή του σήματος ισούται με: 10

ΗΛογικήΠύλημεΣύζευξηΕκπομπού(ECL) Συμπεράσματα -Παρατηρήσεις: Αν υ I = οριστεί σαν λογική μεταβλητή Α => υ 01 = Α (συμπληρωματική Α) και υ 01 = Α Το γεγονόςότι μία πλήρης λογική ECL πύλη παράγει τόσο αληθείς όσο και συμπληρωματικές εξόδους=> παρέχει δυνατότητα μειωμένων πυλών για συγκεκριμένη λογική λειτουργία Τα transistors παραμένουν συνεχώς στην ενεργό περιοχή και δεν εισέρχονται στην περιοχή κόρου όπου επιβραδύνεται σημαντικά η ταχύτητα μεταγωγής ενός διπολικού transistor (ελαττωμένη λογική διακύμανση οδηγεί σε μεγάλη ταχύτητα και μικρή ΔV ελαττώνει δυναμική ιχύ για φόρτιση/εκφόρτιση χωρητικοτήτων To transistor που είναι OFF=στα όρια αγωγιμότητας και μπορεί να γίνει πλήρως αγώγιμο με μικρή μεταβολή του VBE = δέκατα του Volt 11

ΗΠύληECL OR-NOR Για την διαμόρφωση μίας πλήρους λογικής οικογένειας είναι απαραίτητο πλην του αντιστροφέα να παρέχονται και οι λογικές συναρτήσεις AND ή/και OR O ECL αντιστροφέας = OR-NOR πύλη=> προσθήκη transistors παράλληλα με αρχικό transistor εισόδου του αντιστροφέα Λ.χ. στο παραπάνω κύκλωμα εάν μία των εισόδων (Α, Β, C) = υψηλό επίπεδο (υ I > V REF => ρεύμα πηγής (Ι ΕΕ ) θα περάσει εξ ολοκλήρου από τον κλάδο του υ CI => έξοδος Υ1= Low, έξοδος Υ2= High=> έξοδος Υ1= NOR έξοδος Υ1= OR => και 12

ΗΠύληECL OR-NOR Αν και πύλη ECL παράγει τόσο αληθείς όσο και συμπληρωματικές εξόδους δεν είναι απαραίτητο να περιλαμβάνονται και oι δύο έξοδοι αν αυτό δεν απαιτείται από την λογική συνάρτηση Λ.χ. Το διπλανό κύκλωμα υλοποιεί λογική συνάρτηση που απαιτεί μόνον την λογική NOR=> παραλείπεται ο κλάδος εξόδου που αφορά την OR λογική Δεν χρειάζεται επίσης η αντίσταση στον συλλέκτη του Q2 και για αυτό τον λόγο παραλέιπεται, 13

ΗΠύληECL OR-NOR Το διπλανό κύκλωμα υλοποιεί λογική συνάρτηση που απαιτεί μόνον την λογική OR=> παραλείπεται ο κλάδος εξόδου που αφορά την NOR λογική Δεν χρειάζεται επίσης η αντίσταση στον συλλέκτη Q των transistors των Α, Β και για αυτό τον λόγο παραλείπεται, 14

Λογική με Σύνδεση Εκπομπών Wired OR Λογική Παράλληλη Σύνδεση δύο Ακόλουθων Εκπομπού Στις περισσότερες λογικές οικογένειες δεν είναι δυνατή η σύνδεση των εξόδων των πυλών τους, κάτι όμως που είναι δυνατόν σε ECL=> παρέχεται μεγαλύτερη ευελιξία στην υλοποίηση λογικών συναρτήσεων Η έξοδος σε αυτές τις περιπτώσεις ακολουθεί πάντα την πιο θετική τάση εισόδου δηλ. του Q1 Το transistor με μικρότερη τάση εισόδου δηλ. το Q2 λειτουργεί κοντά στην αποκοπή Απόδειξη: Στο διπλανό κύκλωμα, Q2 =κοντά στην αποκοπή, διότι εάν ήγε => VBE2= 0.7. Δεδομένου ότι VB2=-0.6=> VE2=VE = -1.3. Αυτό θα σήμαινε ότι VBE1 =1.3 αδύνατον διότι το VBE ενός τρανζίστορ δεν μπορεί να είναι > 0.7 => αναγκαστικά VBE1=0.7=> VE1=VE2= VE= 0.7 (μια και VB1=0) => VBE2 =VB2- VE= -0.6- (-0.7)= 0.1=> Q2 = όντως στα όρια της αποκοπής Επίσης μια και Q2=σχεδόν OFF=> i 15 Ε1 = 2I EE => Q1 πρέπει να παρέχει το ρεύμα και των δύο πηγών ρεύματος

Λογική με Σύνδεση Εκπομπών Wired OR Λογική Με βάση τα προηγούμενα, υποθέτοντας ότι ή είσοδος ενός ακόλουθου εκπομπού αντιστοιχίζεται και με μία λογική μεταβλητή η σύζευξη των εξόδων του διέπεται από την λογική συνάρτηση OR. ΗσύνδεσηWired OR των ακόλουθων εκπομπού Πράγματι από το διπλανό κύκλωμα θα έχομε γα τις μεταβλητές εισόδου Α, Β. Γνωρίζοντας ότι η έξοδος ακολουθεί την πιο θετική τάση εισόδου, η έξοδος= High, εφόσον εάν έστω και μία από τις Α και Β είναι σε υψηλή στάθμη ενώ μόνον όταν όλες οι είσοδοι Α και Β είναι σε χαμηλή στάθμη είναι και η έξοδος χαμηλή => συνάρτηση OR και Υ=Α+Β. Κατ α αυτόν τον τρόπο προσφέρεται μεγάλη ευελιξία από την οικογένεια ECL για υλοποίηση πολύπλοκων λογικών συναρτήσεων 16

Λογική με Σύνδεση Εκπομπών Wired OR Λογική ΗσύνδεσηWired OR δύο πυλών ECL Παράδειγμα υλοποίησης πολύπλοκων συναρτήσεων με Wired-OR. H NOR έξοδος της πάνω πύλης δίδει και της κάτω δίδει την συνάρτηση και η σύζευξη των εξόδων τους δίδει την συνολική λογική συνάρτηση Τέλος η επάνω πύλη δίδει από την OR έξοδο της την λογική συνάρτηση 17

Λογική με Σύνδεση Εκπομπών Wired OR wired NAND Λογική 18 Λεπτομέρεια προηγούμενου κυκλώματος όπου εδώ δίδεται ολόκληρο το κύκλωμα και όχι μόνον οι ακόλουθοι εκπομπού εξόδου Παρατηρήσατε ότι η λογική συνάρτηση που παράγεται είναι η OR ή ισοδύναμα η NAND των δύο εξόδων

Μειονεκτήματα (single-sided) ECL Πύλης Τα έως τώρα ECL κυκλώματα είναι single-sided δομής Κεντρικός Πυρήνας αυτής της πύλης=current switch (μεταγωγέας ρεύματος ) με την μία πλευρά της πύλης συνδεδεμένη στις επιθυμητές εισόδους και την άλλη σε μία τάση αναφοράς (Vref ) η οποία κείται στο κέντρο της συνολικής μεταβολής τάσης μεταξύ μεταβάσεων από 0 σε 1 και αντίστροφα Μεγάλη ταχύτητα ECL πυλών (subnanosecs απόδοση!) αλλά πολύ μεγάλη κατανάλωση ισχύος μη αποδεκτή για επίτευξη υψηλών VLSI πυκνοτήτων! Παράδειγμα : Ένας 300 MHz 32-bit microprocessor που έχει αναφερθεί στην βιβλιογραφία χρησιμοποιεί 486 Κ τρανζίστορμεσυνολική κατανάλωση ισχύος=115 W! Λύση: Χρήση Διαφορικής ECL πύλης 19

Διαφορική ECL Πύλη Μικρή Διαφοροποίηση σχετικά με την απλή ECL πύλη: Αντί σε Vref ηδεύτερη είσοδος του current switch συνδέεται στην συμπληρωματική τιμή της 1 ης εισόδου, Vin Με αυτόν τον τρόπο επιτυγχάνεται μεταγωγή ρεύματος από κλάδο σε κλάδο με μικρότερο voltage swing=> μικρότερη κατανάλωση ισχύος (όταν η μία είσοδος ανεβαίνει η συμπληρωματική της κατεβαίνει, διπλασιάζοντας έτσι το effective voltage swing σε σχέση με απλή ECL πύλη) 20

Διαφορική ECL Πύλη Απόδειξη ότι στην Διαφορική ECL πύλη =δυνατή η μεταγωγή ρεύματος με μικρότερο voltage swing. Ισχυει: Βρίσκουμε για ποιες Vin=> μεταγωγή ρεύματος, δηλ Ι c1 = 99% Ι ΕΕ => = 21 Συμπέρασμα: Παρατηρείται μία μείωση του voltage swing κατά ένα παράγοντα 2 σε σχέση με την απλή (single-ended) ECL πύλη=>μπορεί να υπάρξει μείωση του voltage swing. Γιαπαράδειγματιμέςτουvoltage swing τόσο μικρές όο τα 200 mv δεν είναι ασυνήθεις

CML (Current Mode Logic) Λογικές Πύλες Με βάση την differential ECL πύλη => ανάπτυξη μία πιο εξελιγμένης γενιάς κυκλωμάτων μεταγωγών ρεύματος => Current Mode Logic (CML) όπου η μεταγωγή ρεύματος γίνεται με χρήση συμπληρωματικών εισόδων και αποδοτική επαναχρησιμοποίηση του I EE (ρεύματος πόλωσης) με συσσώρευση τέτοιων (differential πυλών) την μία πάνω από την άλλη (stacking current switch pairs) Χρησιμοποιείται η αρχή του current steering Βασιζόμενοι στην τιμή των εισόδων το ρεύμα της πηγής ρεύματος (I EE ) οδηγείται στον αριστερό ή δεξιό κλάδο της διαφορικής διάταξης, οδηγώντας την μία έξοδο σε υψηλή και την άλλη σε χαμηλή στάθμη Μειονέκτημα: Δυνητική Χρήση περισσότερων τρανζίστορς λογω της ανάγκης χρήσης σε μία τέτοια πλήρως διαφορική διάταξης συμπληρωματικών λογικών δικτύων 22 Ακολουθούν παραδείγματα

CML Λογικές Πύλες (AND/NAND λογική) 23 Εάν Α, Β και τα δύο σε λογικό 1 => το ρεύμα I EE θα εκτραπεί στην αρχή μέσω του Q1 και ακολούθως μέσω του Q3 στον αντιστάτη του συλλέκτη RC1 => η συμπληρωματικήέξοδος, Υ = χαμηλή στάθμη και Υ= υψηλή στάθμη=> Υ=ΑΒ και Υ = (ΑΒ) => υλοποιείται η λογική AND-NAND μέσω της πύλης αυτής

CML Λογικές Πύλες (OR/NOR λογική) 24 Ίδια τοπολογία με προηγούμενη πύλη απλώς έχει αλλαχθεί η σειρά εισόδων εξόδων (συμπληρωματικες είσοδοι στην θέση των κανονικών και το αντίθετο

CML Λογικές Πύλες Περισσοτέρων Επιπέδων 25

CML Λογικές Πύλες Περισσοτέρων Επιπέδων- Πρόβλημα Το πρόβλημα με CML πολλών επιπέδων = για να μην μεταβαίνουν τα transistors στον κόρο=> πρέπει οι είσοδοι των τρανζίστορ ενός επιπέδου να απέχουν από το αμέσως κατώτερο επιπεδο κατά μία θετική DC απόκλιση τουλάχιστον =V BE (on) Αναλυτική απόδειξη=δες παρακάτω (στα Αγγλικά) 26

CML Λογικές Πύλες Περισσοτέρων Επιπέδων- Πρόβλημα Λύση= Χρήση στην έξοδο τέτοιων πολυεπίπεδων πυλών = emitter followers όπως στο παραπάνω κύκλωμα. Κάθε τρανζίστορ του emitter follower κατ ουσία δίοδος που παρέχει V BE (on). Αρκεί η έξοδος κάθε τέτοιου τρανζίστορ να συνδεθεί με είσοδο πύλης αντίστοιχου επιπέδου και λύνεται το πρόβλημα => παρέχεται η επιθυμητή DC απόκλιση Πρακτικά όχι παραπάνω από 3-4 επίπεδα CML διότι σε κάθε επίπεδο μειώνεται και η διαθέσιμη 27 είσοδος κατά Vcc- N *V BE (on), όπου θεωρείται ότι Vin εδώ= Level N

NMOS CML Logic Gates 28 H CML λογική μπορεί ν υλοποιηθεί με NMOS με παρόμοιο τρόπο όπως με differential ECL. H μεταγωγή ρεύματος δίνει VH= 0 στην έξοδο του ενός κλάδου και Vlow= - I EE R D στον άλλο κλάδο

BACK- UP SLIDES 29

ΠεριθώριαΘορύβουγιαΠύληECL Συνάρτηση Μεταφοράς για πύλη ECL Εκτίμηση V IH, V IL - καθορίζονται από τα σημεία στα οποία η κλίση της καμπύλης= -1 ή 1 για αναστρέφουσα ή μη έξοδο. Υπενθυμίζεται ότι η έξοδος υ 01 ισούται με: Προσπάθεια για εύρεση έκφρασης i c1 vs υ Ι : 30 Διότι ισχύει:

ΠεριθώριαΘορύβουγιαΠύληECL Πρέπει η προηγούμενη σχέση να εκφρασθεί συναρτήσει του υ Ι χρησιμοποιώντας την σχέση που προήλθε από KVL στον βρόχο μεταγωγού ρεύματος => => Παίρνοντας την παράγωγο και αντικαθιστώντας στην αντίστοιχη εξίσωση => 31

ΠεριθώριαΘορύβουγιαΠύληECL Κάνοντας χρήση των σχέσεων με υ Ι = => => Με παρόμοια ανάλυση συνάγεαι ότι το VIH ισούται με : 32

ΠεριθώριαΘορύβουγιαΠύληECL => => 33

ΠεριθώριαΘορύβουγιαΠύληECL 34