دا طگا آزاد ا سالهی احد ضا ر د 0 اسف د ها 390 بررسی ف ت ل هی سا س ا سین ای اکسیدر ی رضد یافت ب ر ش اکسیداسی ى گرهایی * ال ام ضفائی هحودرضا خا لری هسع د رجبی ی ر عسگری دا ؾ ب ثی ا ا ب خ ی ی - لش ی - ز فیشیه - - دا ؾ ب ثی ا ا ب خ ی ی - لش ی ز ذعی اد تب صی * یغ ذ غئ ىبتجبت: ا ب ؽفبئی @yahoo.com) (E-mail:elham.shafaei چکید در ای مب ب عی بی اوغیذر ی اس طزیك اوغیذاعی ز بیی پ در ر ی ت ی ؽذ اعت ف رت ز وزد تی ثی اس پ در ر ی در د ب بی خت ف ا جب ؽذ اعت. اوغیذاعی ر ی ث رف صی. عطح تی ة ب ت عط یىز عى ة ا ىتز ی ر ثؾی ؽ بعبیی ؽذ اعت طیف ف ت ی غب ظ آ ب در د ب بی خت ف طب ؼ ؽذ اعت.ثزای ثزرعی طیف ػج ر بف ا زصی ب عی اوغیذ ر ی ع تش ؽذ در د بی 600 C اس دعت ب طیف ع ج UV اعتفبد ؽذ اعت. اص بی و یذی: ب عی اوغیذر ی ف ت ی غب ظ. -هقده اوغیذ بی ف شی اد رد ت ج ی غت ذ چ آ ب دارای خ اؿ جب غ عیؼی اس ج خ اؿ فیشیىی ؽی یبیی غت ذ. ای خ اؿ یض ثخبطز تأثیز حذ دیت و ا ت ی ][ اثؼبد و چىتز] [ تغییز چ ب ی حب ت ]3[ غجت عطح ث حج ثبال ]4[ اعت. ب عی ب را ب عبختبر بی ته ثؼذی ی ت ا ب یذ و در طزاحی عبخت ب لطؼ ب رد ت ج اعت ][. ب عی بی اوغیذف زی ثخق ؿ ر ی اوغیذر ی ت زوش ؽذ اعت. ZnO و یه ی رعب بی ع n اعت اس عب 935 ؽذیذا رد طب ؼ لزار زفت اعت ای ثخبطز بف اری ظ تمی 3.37ev ا زصی ثغت ی اوغیت ثشري 60 در mev د بی اتبق اعت. ب عبختبر بیZnO ی ت ا ذ اس طزیك ر ػ بی ت ػی ب ذpld ]5[ یذر تز ب ]6[ VLS ]7[ ر ػ اوغیذاعی ز بیی ]8[ غیز رؽذ داد ؽ ذ. اعت. ر ػ اوغیذاعی ز بیی چ ر ػ عبد و شی اعت رد ت ج
-ر ش ت ی ا سین اکسید ر ی پ در ف ش ر ی ثبخ ؿ ثبال ت عط لب جی ث ؽى تی ثی ثب لطز حذ د 3mm پزط ی ؽ د تی ة را در یه ث ت آ ی ب لزار داد عپظ در عط یه و ر افمی لزار داد ی ؽ د. تی ة در د ب بی خت ف 800 c 700 600 ث ذت 4 عبػت ثب عزػت ز ایؾی 0 C/min اس د بی اتبق در فؾبر ات غفز ز ی ؽ د. در بیت فجز ی ؽ د تب و ر ث آرا ی عزد زدد لتی ث د بی اتبق رعیذ و ر خبرج ی ؽ د. اس SEM ف ت ی غب ظ عی ب اعتفبد ؽذ اطت. ثزای ثزرعی رف صی عطح تی ة اس اس طیف PL ثزای ثزرعی طیف طیف ػج ر ب عی ب ة ظ ر ثزرعی یشا ؽفبفیت حبعج بف ا زصی ثب اعتفبد اس دعت ب طیف ع ج UV زفت ؽذ اعت. 3 -یافت ا بحث ا ثؼذ اس پخت تی ة ر آ اس خبوغتزی تیز ث خبوغتزی ر ؽ تغییز ی و ذو ؾب د ذ اوغیذ ؽذ ر ی تؾىی ZnO ر اعت.تقب ی SEM ب عی بی رؽذ یبفت ر ی عطح تی ة در د ب بی خت ف در ؽى ) ( ؾب داد ؽذ اعت. در د ب بی 600-800 C ب عی بی ZnO ؾب ذ ی ؽ د ی در د ب بی 800 C 700 C ػال ثز ب عی ب ب عبختبر بی رل ای ؽى یش دیذ ی ؽ د. ؽى - تق یزSEM ب عی بی اوغیذ ر ی در د بی )a(: 800 C. )c(: 700 C )b(: 600 C در د بی 800 C 700 C 600 C ث تزتیت یب ی لطز ب عی ب حذ د 80nm 00nm 40nmاعت یب ی ارتفبع آ ب حذ د 8 اعت. µm 7µm 5µm ثب افشایؼ د ب لطز ب عی ب و ی ؽ د ارتفبع آ ا سیبد ی ؽ د. ؽى )( در طیف ف ت ی غب ظ )PL( ب ع تب پیه دیذ ی ؽ د : پیه تیش ا ؾز UV ل ی زث ط ث ؾز شدیه ج ار بف ا زصی پ ZnO ث ػ ت بث دی اوغیت ب اعت. ؾز
UV ل ی تیش دال ت ثز ای دارد و ب عی بی اوغیذ ر ی ع تش ؽذ وزیغتب احذ غت ذ. خ اؿ ؾز UV ل ی در د بی اتبق را ثبیذ ث خ ؿ ثبال ث ری وب ب عی بی ZnO ع تش ؽذ غجت داد.پیه د ؾز ار آثی احت بال اس یه م عطح سیزی تیج ی ؽ د. پیه ع ؾز ار عجش زث ط ث جبی خب ی اوغیض ی یش در عبختبر ZnO اعت اختقبؿ ث ذاری ثی حفز بی تحزیه ؽذ جبی خب ی یه اوغیض ی یش ت ب یب تزویت جذد تزاس بی ثخؾ ذ ثب تزاس بی پذیز ذ جبی خب ی اوغیض عطح دارد. ؽى : طیف PL ب عی بی اوغیذ ر ی در د بیa. 800 C)c 700 C)b 600 C)
ثب افشایؼ د ب ز ع ؾز ث ع ت ط ج بی ثبالتز ی ر ذ. ؾز فزاث فؼ زث ط ث ؾز ج ار بف ا زصی ثب افشایؼ د ب اس ؽذت آ ب وب ؼ ی یبثذ ث ع ت ط ج بی ثیؾتز ی ر د. اس ر ی تبیج SEM ثذعت آ ذ و ثب افشایؼ د ب لطز ب عی ب وب ؼ ی یبثذ ث بثزای لطز ب عی اوغیذ ر ی ؽذت ؾز عجش ث ؽذت افشایؼ یبفت اعت و ث ػ ت غجت عطح ثبالتز ثزای عی بی لط رتز اعت. ]0 9[ ثب وب ؼ ث حج ؽى ) 3 ( طیف ػج ر ب عی بی اوغیذر ی رؽذ یبفت در د بی 600 C اعت و دارای ػج ر ثبالدر بحی زئی اعت و ؾب د ذ ؽفبفیت ثبالی و اس یض ی بی ZnO اعت ی ثبؽذ. ثزای زفت طیف ػج ر ب عی ب آ ب را اس عطح تی ة جذا وزد ت عط دعت ب آ تزاع یه در اتب ح ؽذ اعت عپظ اس آ ب طیف ػج ر زفت ؽذ اعت. ؽى 3 - طیف ػج ر ب عی بی اوغیذر ی رؽذ یبفت در د بیC 600.. ثب ت ج ث ر اثط سیز اس ر ی.303log( T ) d = A(hʋ - E g ) درؽى )4( دار ثز حغت ا زصی )hʋ( ؾب داد ؽذ اعت ای دار ی ت ا ی بف ا زصی را ث دعت آ ری : ) ( )3( و در آ α ضزیت جذة Tدرفذ ذار dضخب ت اعت.ضخب ت ثب اعتفبد اس ر ػ ب میذPUMA اس ر ی طیف ػج ر ث دعت آ ذ اعت.
ؽى 4 - بف ا زصی ب عی بی اوغیذ ر ی ثذعت آ ذ در د بی. 600 C بف ا زصی رؽذ یبفت در د بی 600 C اس طزیك ثز یبثی خطی 3.4ev ث دعت آ ذ اعت و در ت افك ثب مذار بف ا زصی اوغیذ ر ی اعت. - تیج گیری 4 ب عی بی اوغیذ ر ی ةخ ثی ث ر ػ اوغیذاعی پ در ر ی رؽذ دا د ؽذ ا ذ. اوغیذاعی ر ی اس طزیك فمط ز ن رد تی ثی اسپ در ر ی ثذ یبس ث بس اوغیض وبتب یغت ا جب ی ؽ د.اوغیذاعی در د ب بی 600 800 C 700 تحمیك ؽذ اعت. تقب یز SEM ؾب داد ذ و در د بی 600 C ب عی ب رؽذ وزد ا ذ ثب افشایؼ د ب ب عبختبر بی رل ای ؽى یش در و بر ب عی ب رؽذ وزد ا ذ.لطز ب عی بی اوغیذ ر ی ثب افشایؼ د ب وب ؼ ی یبثذ.طیف PL ب ؾب داد. طیف ػج ر ثب افشایؼ د ب ؽذت ؾز فزاث فؼ وب ؼ ؽذت ؾز ار عجش افشایؼ ی یبثذ ؽفبفیت ثبالی آ را ؾب ی د ذ. اس ر ی طیف ػج ر ا زصی )hʋ( بف ا زصی ب عی اوغیذ ر ی حبعج ؽذ اعت. ثز یبثی خطی دار ثز حغت زاجغ [] Manmeet Kaur, Muthe, K.P., Despande, S.K., Shipra Choudhury,. Growth and branching of CuO nanowires by thermal oxidation of copper. J. Crystal Growth, 89, 670-675, ISSN 00-048, (006). [] Wang, N., Cai, Y. & Zhang, R.Q. Growth of nanowires. Mater.Sci. Eng. R-Rep.,60, - 5, ISSN 097-796(008). [3] Lyu,S.C.,Zhang, Y.,Ruh, H.,Lee. Low temperature growth and photoluminescence of well- aligned zinc oxide Nanpwires. Chem., Phys. Left.,363,34-38,ISSN 0009-64 (00). [4] Wangrat, E., Pimpang, P. & Choopun, S. Comparative study of ethanol sensor based on gold nanoparticle Sci., Article in press, ISSN 069-433 (009). [5] Z.W. Lia, W. Gaoa, Roger J. Reeves, Zinc oxide films by thermal oxidation of zinc thin films, p.39-33, Surface & Coatings Technology 98 (005). [6] Jinmin Wang, Lian Gao, Hydrothermal synthesis and photoluminescence properties of ZnO nanowires,p.69-7,solid State Communications 3 (004). [7] C. Barattoa,, S. Todrosa,G. Faglia a, E. Cominia,, Luminescence response of ZnO nanowires to gas adsorption, p. 46-466, Sensors and Actuators B 40 (009). [8] S. Ren a,, Y.F. Bai a, Jun Chen a,, S.Z. Deng a, N.S. Xu, Catalyst-free synthesis of ZnO nanowire arrays on zinc substrate by low temperature thermal oxidation, p.666-670 Materials Letters 6 (007). [9] L.Pavesi.L.D.Negro,C. Mazzoleni,F.Priolo, p.408-440,nature (000). [0] M.H.Haung.Y.Wa.H.Feick,E.Weber,P.Yang, p.3-3.adv.mater (00)