ΔΙΑΛΕΞΗ 2: Technology and Historical Progress of FPGAs
|
|
- Ἱεριχώ Φωτόπουλος
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΗΜΥ 408 ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΜΕ FPGAs Εαρινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 2: Technology and Historical Progress of FPGAs ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής ΗΜΜΥ Some slides adopted from Digital Integrated Circuits, Rabbey et. al.
2 p-n Junctions q A junction between p-type and n-type semiconductor forms a diode. q Current flows only in one direction p-type n-type anode cathode ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.2 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
3 The MOS Transistor Polysilicon Aluminum ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.3 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
4 nmos Transistor q Four terminals: gate, source, drain, body q Gate oxide body stack looks like a capacitor Gate and body are conductors SiO 2 (oxide) is a very good insulator Called metal oxide semiconductor (MOS) capacitor Even though gate is no longer made of metal Source Gate Drain Polysilicon SiO 2 n+ n+ p bulk Si ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.4 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
5 nmos Operation q Body is commonly tied to ground (0 V) q When the gate is at a low voltage: P-type body is at low voltage Source-body and drain-body diodes are OFF No current flows, transistor is OFF Source Gate Drain Polysilicon SiO 2 n+ p n+ bulk Si S 0 D ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.5 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
6 nmos Operation q When the gate is at a high voltage: Positive charge on gate of MOS capacitor Negative charge attracted to body Inverts a channel under gate to n-type Now current can flow through n-type silicon from source through channel to drain, transistor is ON Source Gate Drain Polysilicon SiO 2 n+ p n+ bulk Si S 1 D ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.6 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
7 pmos Transistor q Similar, but doping and voltages reversed Body tied to high voltage (V DD ) Gate low: transistor ON Gate high: transistor OFF Bubble indicates inverted behavior Polysilicon Source Gate Drain SiO 2 p+ p+ n bulk Si ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.7 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
8 Power Supply Voltage q GND = 0 V q In 1980 s, V DD = 5V q V DD has decreased in modern processes High V DD would damage modern tiny transistors Lower V DD saves power q V DD = 3.3, 2.5, 1.8, 1.5, 1.2, 1.0, (0.5 is typical today!) ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.8 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
9 Transistors as Switches q We can view MOS transistors as electrically controlled switches q Voltage at gate controls path from source to drain g = 0 g = 1 nmos g d s d s OFF d s ON pmos g d s d s ON d s OFF ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.9 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
10 CMOS Inverter A 0 1 Y V DD A Y A Y GND ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.10 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
11 CMOS Inverter A Y A Y V DD OFF A=1 Y=0 ON GND ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.11 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
12 CMOS Inverter A Y A Y V DD ON A=0 Y=1 OFF GND ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.12 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
13 CMOS Inverter N Well The image cannot be displayed. Your computer may not have enough memory to open the image, or the image may have been corrupted. Restart your computer, and then open the file again. If the red x still appears, you may have to delete the image and then insert it again. V DD V DD PMOS 2λ PMOS Contacts In Out In Out Metal 1 NMOS Polysilicon NMOS GND ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.13 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
14 CMOS Process ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.14 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
15 A Modern CMOS Process gate-oxide TiSi 2 AlCu Tungsten SiO 2 n+ p-well p-epi poly n-well p+ SiO 2 p+ Dual-Well Trench-Isolated CMOS Process ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.15 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
16 Circuit Under Design V DD V DD M2 M4 V in V out V out2 M1 M3 ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.16 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
17 Its Layout View ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.17 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
18 Advanced Metallization ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.18 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
19 Advanced Metallization ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.19 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
20 3D Perspective Polysilicon Aluminum ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.20 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
21 Bonding Techniques Wire Bonding Substrate Die Pad Lead Frame ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.21 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
22 Tape-Automated Bonding (TAB) Sprocket hole Film + Pattern Solder Bump Test pads Die Lead frame Substrate (b) Die attachment using solder bumps. (a) Polymer Tape with imprinted wiring pattern. Polymer film ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.22 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
23 Package Types ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.23 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
24 Multi-Chip Modules ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.24 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
25 History of Computing Devices Source: MIT Digital Logic Course Xilinx Education webpage ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.25 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
26 Design Spectrum Source: RUSSELL TESSIER AND WAYNE BURLESON Reconfigurable Computing for Digital Signal Processing: A Survey, JVLSISP, 2001 ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.26 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
27 Design Alternatives q Decreasing performance; Increasing flexibility ASIC Application Specific Integrated Circuits - Custom Design - Cell Based Design Mask Programmable Gate Arrays Structured ASICs FPGA/FPLD ASIC type Custom mask layers Custom logic cells Full-custom All Some Semicustom/Cell-based All None MPGA Some None Structured ASIC Some None FPGA None None Further Reading: Online Textbook ASICs by Smith - Chapter 1 ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.27 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
28 Disadvantage of ASICs ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.28 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
29 FPGA vs ASIC Source: Xilinx ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.29 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
30 Time to Market Pressure ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.30 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
31 As a side note: NRE and unit cost metrics q Costs: Unit cost: the monetary cost of manufacturing each copy of the system, excluding NRE cost NRE cost (Non-Recurring Engineering cost): The one-time monetary cost of designing the system total cost = NRE cost + per-product cost unit cost * # of units = total cost / # of units = (NRE cost / # of units) + unit cost Example NRE=$2000, unit=$100 For 10 units total cost = $ *$100 = $3000 per-product cost = $2000/10 + $100 = $300 Amortizing NRE cost over the units results in an additional $200 per unit ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.31 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
32 Break Even Analysis: ASICs vs FPGAs q A 10,000-gate design to demonstrate how to find the break-even point and cost of ownership for an FPGA vs an ASIC. Basic break even cost = NRE + engineering + (units*price) (1) q Gate arrays or ASICs have a much higher development cost than do FPGAs. q Because of higher component price, FPGAs have traditionally been used in lower volume applications. q FPGAs have no NRE charges, and their design cycles are short. ASIC = $25,000 NRE+$79,000 engineering and tools+ (X units* $13). (1) FPGA = 0 NRE+$25,000 engineering and tools+ (X units*$39). (2) Solving (1) and (2), X=79,000/26=3038 units. Further Reading: ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.32 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
33 ASIC vs. FPGAs q You need 32 weeks or eight months to production to develop an ASIC. In contrast, an FPGA takes only 11 weeks or 2.75 months to production. q Because an FPGA is the faster approach to designing and delivering custom logic, the time lost building an ASIC is the difference between delivering the product with an FPGA (2.75 months) and delivering it with an ASIC (eight months), or 5.25 months, in this example. If the market for the product is three years or 36 months, the lost revenue from developing a gate array would be: Lost revenue = [5.25(3* )/2.18^2)*100] = 39.49%. ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.33 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
34 Re-Spinning q Currently, roughly 30% of designs are re-spun. Using this number and assuming another $25,000 NRE charge, the probable cost of a re-spin is: q Re-spin cost = [(17 weeks*$3000 engineering per week) +NRE]*re-spin potential q ASIC total cost = 25,000+79, (X units*13). q Additional 17 weeks delay in time to market.. ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.34 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
35 Reasons for Respin Found On First Spin ICs/ASICs: - Functional Logic Error ###################### 43% - Analog Tuning Issue ########## 20% - Signal Integrity Issue ######### 17% - Clock Scheme Error ####### 14% - Reliability Issue ###### 12% - Mixed Signal Problem ##### 11% - Uses Too Much Power ##### 11% - Has Path(s) Too Slow ##### 10% - Has Path(s) Too Fast ##### 10% - IR Drop Issues #### 7% - Firmware Error ## 4% - Other Problem # 3% - Overall 61% of New ICs/ASICs Require At Least One Re-Spin Source: Aart de Geus, Chairman & CEO of Synopsys ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.35 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
36 More Designs Embracing FPGAs Source: Gartner Group ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.36 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
37 Programmable Logic Share Source: Xilinx ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.37 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
38 FPGA Gate Counts ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.38 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
39 FPGA Evolution Source: Xilinx ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.39 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
40 FPGA technology vs ASIC ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.40 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
41 Current FPGA Architectures ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.41 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
42 FPGA Application Domains q Started as Prototyping platforms q Hardware Accelerators q Reconfigurable multi-function systems q Specialized Applications Aerospace and space - Mars Rover Military Applications Missiles q Signal Processing q Embedded Systems ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.42 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
43 Gate Array ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.43 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
44 Gate Array vs. Standard-Cell ASIC q AND gates ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.44 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
45 Programmable Logic - History q PROM first programmable logic Address lines serve as logic inputs and data lines as logic output Logic functions are inefficient as logic functions rarely use all product terms D0 D2 Source: ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.45 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
46 PLA Programmable Logic Arrays q Programmable wired AND followed by programmable wired OR q Inputs to AND plane can be normal or complementary input generates product terms q OR sum of products Consider Implementing F=A B C +A BC +AB C +AB C+ABC PLA problems q Two levels of programmability leads to Poor performance Difficult to manufacture ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.46 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
47 Programmable Array Logic (PALs) q Programmable wired AND plane and fixed wired OR plane Source: Brown and Rose, IEEE Design and Test, 1996 ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.47 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
48 Simple Programmable Logic Devices (SPLDs) q PLAs and PALS Programmable logic plane structure size increases rapidly with increase in number of inputs q Complex PLDs Programmably interconect multiple SPLDs Altera MAX series pioneered such devices q FPGAs ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.48 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
49 Programmable Technologies ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.49 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
50 Xilinx FPGA Toolflow Source: Xilinx ΗΜΥ408 Δ02 Τεχνολογική Αναδροµή.50 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2016
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 5: Το CMOS transistor και κυκλώµατα CMOS ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Περίληψη q Κυκλώµατα
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2018-2019 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2017-2018 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Γιώργος Καλοκαιρινός & Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD Χειμερινό Εξάμηνο 2009 2010 Design flow? ΗΥ220 University of Crete 2 Ροή Σχεδίασης (Design Flow) Requirements Verilog, VHDL
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 Διαδικασία CMOS 2 1 Μια σύγχρονη διαδικασία CMOS gate-oxide
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 4.1: Μέθοδοι Υλοποίησης Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Υλοποίηση ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΔΙΑΚΡΙΤΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΑΝΑΔΙΑΜΟΡΦΩΣΙΜΟ ΥΛΙΚΟ Ο.Κ. ΕΙΔΙΚΟΥ ΣΚΟΠΟΥ (VLSI) FULL CUSTOM (Reconfigurable
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων Χειµερινό Εξάµηνο 2006-2007 Ροή Σχεδίασης Κυκλωµάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: οµική µονάδα κυκλωµάτων Τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα
Διαβάστε περισσότερα[1] P Q. Fig. 3.1
1 (a) Define resistance....... [1] (b) The smallest conductor within a computer processing chip can be represented as a rectangular block that is one atom high, four atoms wide and twenty atoms long. One
Διαβάστε περισσότεραUNIVERSITY OF CALIFORNIA. EECS 150 Fall ) You are implementing an 4:1 Multiplexer that has the following specifications:
UNIVERSITY OF CALIFORNIA Department of Electrical Engineering and Computer Sciences EECS 150 Fall 2001 Prof. Subramanian Midterm II 1) You are implementing an 4:1 Multiplexer that has the following specifications:
Διαβάστε περισσότεραΚΥΠΡΙΑΚΗ ΕΤΑΙΡΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ CYPRUS COMPUTER SOCIETY ΠΑΓΚΥΠΡΙΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ 19/5/2007
Οδηγίες: Να απαντηθούν όλες οι ερωτήσεις. Αν κάπου κάνετε κάποιες υποθέσεις να αναφερθούν στη σχετική ερώτηση. Όλα τα αρχεία που αναφέρονται στα προβλήματα βρίσκονται στον ίδιο φάκελο με το εκτελέσιμο
Διαβάστε περισσότεραPhys460.nb Solution for the t-dependent Schrodinger s equation How did we find the solution? (not required)
Phys460.nb 81 ψ n (t) is still the (same) eigenstate of H But for tdependent H. The answer is NO. 5.5.5. Solution for the tdependent Schrodinger s equation If we assume that at time t 0, the electron starts
Διαβάστε περισσότεραderivation of the Laplacian from rectangular to spherical coordinates
derivation of the Laplacian from rectangular to spherical coordinates swapnizzle 03-03- :5:43 We begin by recognizing the familiar conversion from rectangular to spherical coordinates (note that φ is used
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραCapacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference
Capacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference Capacitors store electric charge. This ability to store electric charge is known as capacitance. A simple capacitor consists of 2 parallel metal
Διαβάστε περισσότεραthe total number of electrons passing through the lamp.
1. A 12 V 36 W lamp is lit to normal brightness using a 12 V car battery of negligible internal resistance. The lamp is switched on for one hour (3600 s). For the time of 1 hour, calculate (i) the energy
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Διαβάστε περισσότεραMain source: "Discrete-time systems and computer control" by Α. ΣΚΟΔΡΑΣ ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΕΛΕΓΧΟΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΔΙΑΦΑΝΕΙΑ 1
Main source: "Discrete-time systems and computer control" by Α. ΣΚΟΔΡΑΣ ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΕΛΕΓΧΟΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΔΙΑΦΑΝΕΙΑ 1 A Brief History of Sampling Research 1915 - Edmund Taylor Whittaker (1873-1956) devised a
Διαβάστε περισσότεραCHAPTER 25 SOLVING EQUATIONS BY ITERATIVE METHODS
CHAPTER 5 SOLVING EQUATIONS BY ITERATIVE METHODS EXERCISE 104 Page 8 1. Find the positive root of the equation x + 3x 5 = 0, correct to 3 significant figures, using the method of bisection. Let f(x) =
Διαβάστε περισσότεραΟι Διδάσκοντες. Αντώνης Πασχάλης, Καθηγητής, Θεωρία. Χρήστος Κρανιώτης, ΕEΔΙΠ, Εργαστήριο
Οι Διδάσκοντες Αντώνης Πασχάλης, Καθηγητής, Θεωρία Γραφείο: A39 (Α όροφος) Τηλ. 210-7275231 E-mail: paschali@di.uoa.gr Χρήστος Κρανιώτης, ΕEΔΙΠ, Εργαστήριο Γραφείο: Εργαστήριο Ψηφιακής Σχεδίασης και Αρχιτεκτονικής
Διαβάστε περισσότερα3.4 SUM AND DIFFERENCE FORMULAS. NOTE: cos(α+β) cos α + cos β cos(α-β) cos α -cos β
3.4 SUM AND DIFFERENCE FORMULAS Page Theorem cos(αβ cos α cos β -sin α cos(α-β cos α cos β sin α NOTE: cos(αβ cos α cos β cos(α-β cos α -cos β Proof of cos(α-β cos α cos β sin α Let s use a unit circle
Διαβάστε περισσότεραΑρχιτεκτονική Σχεδίαση Ασαφούς Ελεγκτή σε VHDL και Υλοποίηση σε FPGA ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΗΜΑΤΩΝ, ΕΛΕΓΧΟΥ ΚΑΙ ΡΟΜΠΟΤΙΚΗΣ Αρχιτεκτονική Σχεδίαση Ασαφούς Ελεγκτή σε VHDL και Υλοποίηση σε FPGA ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραHOMEWORK 4 = G. In order to plot the stress versus the stretch we define a normalized stretch:
HOMEWORK 4 Problem a For the fast loading case, we want to derive the relationship between P zz and λ z. We know that the nominal stress is expressed as: P zz = ψ λ z where λ z = λ λ z. Therefore, applying
Διαβάστε περισσότεραInstruction Execution Times
1 C Execution Times InThisAppendix... Introduction DL330 Execution Times DL330P Execution Times DL340 Execution Times C-2 Execution Times Introduction Data Registers This appendix contains several tables
Διαβάστε περισσότεραModbus basic setup notes for IO-Link AL1xxx Master Block
n Modbus has four tables/registers where data is stored along with their associated addresses. We will be using the holding registers from address 40001 to 49999 that are R/W 16 bit/word. Two tables that
Διαβάστε περισσότεραNMBTC.COM /
Common Common Vibration Test:... Conforms to JIS C 60068-2-6, Amplitude: 1.5mm, Frequency 10 to 55 Hz, 1 hour in each of the X, Y and Z directions. Shock Test:...Conforms to JIS C 60068-2-27, Acceleration
Διαβάστε περισσότεραTMA4115 Matematikk 3
TMA4115 Matematikk 3 Andrew Stacey Norges Teknisk-Naturvitenskapelige Universitet Trondheim Spring 2010 Lecture 12: Mathematics Marvellous Matrices Andrew Stacey Norges Teknisk-Naturvitenskapelige Universitet
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.2: Συνδυαστική Λογική - Σύνθετες Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΓΕΓΟΝΟΤΩΝ ΒΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΠΙΤΑΧΥΝΣΙΟΜΕΤΡΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΓΕΓΟΝΟΤΩΝ ΒΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΠΙΤΑΧΥΝΣΙΟΜΕΤΡΩΝ
Διαβάστε περισσότεραAssalamu `alaikum wr. wb.
LUMP SUM Assalamu `alaikum wr. wb. LUMP SUM Wassalamu alaikum wr. wb. Assalamu `alaikum wr. wb. LUMP SUM Wassalamu alaikum wr. wb. LUMP SUM Lump sum lump sum lump sum. lump sum fixed price lump sum lump
Διαβάστε περισσότεραPotential Dividers. 46 minutes. 46 marks. Page 1 of 11
Potential Dividers 46 minutes 46 marks Page 1 of 11 Q1. In the circuit shown in the figure below, the battery, of negligible internal resistance, has an emf of 30 V. The pd across the lamp is 6.0 V and
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδίαση Εφαρμογών Ψηφιακδη Συστημάτοη με τη Γλώσσα \ HDL»
ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΑΟηΚίίΝ ΕΦΑΡΜΟΓίΣΝ ΤΜΗΜΑ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ «Σχεδίαση Εφαρμογών Ψηφιακδη Συστημάτοη με τη Γλώσσα \ HDL» ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥ ΜΟ ΣΙ10ΥΧΛΣΤΩΝ ΕΥΘΥΜΙΑ Μ1ΧΑΗΛΙΔΟΥ ΑΕΜ:
Διαβάστε περισσότεραSection 8.3 Trigonometric Equations
99 Section 8. Trigonometric Equations Objective 1: Solve Equations Involving One Trigonometric Function. In this section and the next, we will exple how to solving equations involving trigonometric functions.
Διαβάστε περισσότεραType 947D Polypropylene, High Energy Density, DC Link Capacitors
Type 947D series uses the most advanced metallized film technology for long life and high reliability in DC Link applications. This series combines high capacitance and very high ripple current capability
Διαβάστε περισσότερα2 Composition. Invertible Mappings
Arkansas Tech University MATH 4033: Elementary Modern Algebra Dr. Marcel B. Finan Composition. Invertible Mappings In this section we discuss two procedures for creating new mappings from old ones, namely,
Διαβάστε περισσότεραRight Rear Door. Let's now finish the door hinge saga with the right rear door
Right Rear Door Let's now finish the door hinge saga with the right rear door You may have been already guessed my steps, so there is not much to describe in detail. Old upper one file:///c /Documents
Διαβάστε περισσότεραΚΥΠΡΙΑΚΗ ΕΤΑΙΡΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ CYPRUS COMPUTER SOCIETY ΠΑΓΚΥΠΡΙΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ 6/5/2006
Οδηγίες: Να απαντηθούν όλες οι ερωτήσεις. Ολοι οι αριθμοί που αναφέρονται σε όλα τα ερωτήματα είναι μικρότεροι το 1000 εκτός αν ορίζεται διαφορετικά στη διατύπωση του προβλήματος. Διάρκεια: 3,5 ώρες Καλή
Διαβάστε περισσότεραThermistor (NTC /PTC)
ISO/TS16949 ISO 9001 ISO14001 2015 Thermistor (NTC /PTC) GNTC (Chip in Glass Thermistor) SMD NTC Thermistor SMD PTC Thermistor Radial type Thermistor Bare Chip Thermistor (Gold & silver Electrode) 9B-51L,
Διαβάστε περισσότεραFourier Series. MATH 211, Calculus II. J. Robert Buchanan. Spring Department of Mathematics
Fourier Series MATH 211, Calculus II J. Robert Buchanan Department of Mathematics Spring 2018 Introduction Not all functions can be represented by Taylor series. f (k) (c) A Taylor series f (x) = (x c)
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.3: Συνδυαστική Λογική - Δυναμικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότερα(1) Describe the process by which mercury atoms become excited in a fluorescent tube (3)
Q1. (a) A fluorescent tube is filled with mercury vapour at low pressure. In order to emit electromagnetic radiation the mercury atoms must first be excited. (i) What is meant by an excited atom? (1) (ii)
Διαβάστε περισσότεραMetal thin film chip resistor networks
Metal thin film chip resistor networks AEC-Q200 Compliant Features Relative resistance and relative TCR definable among multiple resistors within package. Relative resistance : ±%, relative TCR: ±1ppm/
Διαβάστε περισσότεραPractice Exam 2. Conceptual Questions. 1. State a Basic identity and then verify it. (a) Identity: Solution: One identity is csc(θ) = 1
Conceptual Questions. State a Basic identity and then verify it. a) Identity: Solution: One identity is cscθ) = sinθ) Practice Exam b) Verification: Solution: Given the point of intersection x, y) of the
Διαβάστε περισσότεραCMOS Technology for Computer Architects
CMOS Technology for Computer Architects Iakovos Mavroidis Giorgos Passas Manolis Katevenis Lecture 13: On chip SRAM Technology FORTH ICS / EURECCA & UoC GREECE ABC A A E F A BCDAECF A AB C DE ABCDAECF
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Ανάπτυξης Εφαρμογών Βάσεων Δεδομένων. Εξάμηνο 7 ο
Εργαστήριο Ανάπτυξης Εφαρμογών Βάσεων Δεδομένων Εξάμηνο 7 ο Procedures and Functions Stored procedures and functions are named blocks of code that enable you to group and organize a series of SQL and PL/SQL
Διαβάστε περισσότεραEE512: Error Control Coding
EE512: Error Control Coding Solution for Assignment on Finite Fields February 16, 2007 1. (a) Addition and Multiplication tables for GF (5) and GF (7) are shown in Tables 1 and 2. + 0 1 2 3 4 0 0 1 2 3
Διαβάστε περισσότεραAreas and Lengths in Polar Coordinates
Kiryl Tsishchanka Areas and Lengths in Polar Coordinates In this section we develop the formula for the area of a region whose boundary is given by a polar equation. We need to use the formula for the
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ. Ψηφιακή Οικονομία. Διάλεξη 8η: Producer Behavior Mαρίνα Μπιτσάκη Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ Ψηφιακή Οικονομία Διάλεξη 8η: Producer Behavior Mαρίνα Μπιτσάκη Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Firm Behavior GOAL: Firms choose the maximum possible output (technological
Διαβάστε περισσότεραΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΤΑΤΙΣΤΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ
ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΤΑΤΙΣΤΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΕΛΕΝΑ ΦΛΟΚΑ Επίκουρος Καθηγήτρια Τµήµα Φυσικής, Τοµέας Φυσικής Περιβάλλοντος- Μετεωρολογίας ΓΕΝΙΚΟΙ ΟΡΙΣΜΟΙ Πληθυσµός Σύνολο ατόµων ή αντικειµένων στα οποία αναφέρονται
Διαβάστε περισσότεραΓΗΠΛΧΜΑΣΗΚΖ ΔΡΓΑΗΑ ΑΡΥΗΣΔΚΣΟΝΗΚΖ ΣΧΝ ΓΔΦΤΡΧΝ ΑΠΟ ΑΠΟΦΖ ΜΟΡΦΟΛΟΓΗΑ ΚΑΗ ΑΗΘΖΣΗΚΖ
ΔΘΝΗΚΟ ΜΔΣΟΒΗΟ ΠΟΛΤΣΔΥΝΔΗΟ ΥΟΛΖ ΠΟΛΗΣΗΚΧΝ ΜΖΥΑΝΗΚΧΝ ΣΟΜΔΑ ΓΟΜΟΣΑΣΗΚΖ ΓΗΠΛΧΜΑΣΗΚΖ ΔΡΓΑΗΑ ΑΡΥΗΣΔΚΣΟΝΗΚΖ ΣΧΝ ΓΔΦΤΡΧΝ ΑΠΟ ΑΠΟΦΖ ΜΟΡΦΟΛΟΓΗΑ ΚΑΗ ΑΗΘΖΣΗΚΖ ΔΤΘΤΜΗΑ ΝΗΚ. ΚΟΤΚΗΟΤ 01104766 ΔΠΗΒΛΔΠΧΝ:ΑΝ.ΚΑΘΖΓΖΣΖ ΗΧΑΝΝΖ
Διαβάστε περισσότεραk A = [k, k]( )[a 1, a 2 ] = [ka 1,ka 2 ] 4For the division of two intervals of confidence in R +
Chapter 3. Fuzzy Arithmetic 3- Fuzzy arithmetic: ~Addition(+) and subtraction (-): Let A = [a and B = [b, b in R If x [a and y [b, b than x+y [a +b +b Symbolically,we write A(+)B = [a (+)[b, b = [a +b
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS. Εαρινό Εξάμηνο ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 6: ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002, J. Rabaey et
Διαβάστε περισσότεραCurrent Sensing Chip Resistor SMDL Series Size: 0201/0402/0603/0805/1206/1010/2010/2512/1225/3720/7520. official distributor of
Product: Current Sensing Chip Resistor SMDL Series Size: 0201/0402/0603/0805/1206/1010/2010/2512/1225/3720/7520 official distributor of Current Sensing Chip Resistor (SMDL Series) 1. Features -3 Watts
Διαβάστε περισσότεραANSWERSHEET (TOPIC = DIFFERENTIAL CALCULUS) COLLECTION #2. h 0 h h 0 h h 0 ( ) g k = g 0 + g 1 + g g 2009 =?
Teko Classes IITJEE/AIEEE Maths by SUHAAG SIR, Bhopal, Ph (0755) 3 00 000 www.tekoclasses.com ANSWERSHEET (TOPIC DIFFERENTIAL CALCULUS) COLLECTION # Question Type A.Single Correct Type Q. (A) Sol least
Διαβάστε περισσότεραPRODUCT IDENTIFICATION SWPA 3012 S 1R0 N T
Wire Wound SMD Power Inductors SWPA Series Operating temperature range: -4 ~+25 (Including self-heating) FEATURES Magnetic-resin shielded conruction reduces buzz noise to ultra-low levels Metallization
Διαβάστε περισσότεραOverview: Relay Modules
20 Overview: Relay Modules 859 Series 857 Series 788 Series 858 Series 288 and 287 Series 286 Series 789 Series Relays with Changeover Contacts 1 changeover contact Item No. Page Item No. Page Item No.
Διαβάστε περισσότεραΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και. Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του. Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ του φοιτητή του
Διαβάστε περισσότεραHomework 8 Model Solution Section
MATH 004 Homework Solution Homework 8 Model Solution Section 14.5 14.6. 14.5. Use the Chain Rule to find dz where z cosx + 4y), x 5t 4, y 1 t. dz dx + dy y sinx + 4y)0t + 4) sinx + 4y) 1t ) 0t + 4t ) sinx
Διαβάστε περισσότεραΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕΛΕΤΗ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΟΥ ΠΑΡΚΟΥ ΜΕ ΟΙΚΙΣΚΟΥΣ ΓΙΑ ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΜΕΣΗΣ ΤΑΣΗΣ STUDY PHOTOVOLTAIC PARK WITH SUBSTATIONS
Διαβάστε περισσότεραSolutions to the Schrodinger equation atomic orbitals. Ψ 1 s Ψ 2 s Ψ 2 px Ψ 2 py Ψ 2 pz
Solutions to the Schrodinger equation atomic orbitals Ψ 1 s Ψ 2 s Ψ 2 px Ψ 2 py Ψ 2 pz ybridization Valence Bond Approach to bonding sp 3 (Ψ 2 s + Ψ 2 px + Ψ 2 py + Ψ 2 pz) sp 2 (Ψ 2 s + Ψ 2 px + Ψ 2 py)
Διαβάστε περισσότεραΠροσομοίωση BP με το Bizagi Modeler
Προσομοίωση BP με το Bizagi Modeler Α. Τσαλγατίδου - Γ.-Δ. Κάπος Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών Τεχνολογία Διοίκησης Επιχειρησιακών Διαδικασιών 2017-2018 BPMN Simulation with Bizagi Modeler: 4 Levels
Διαβάστε περισσότεραSrednicki Chapter 55
Srednicki Chapter 55 QFT Problems & Solutions A. George August 3, 03 Srednicki 55.. Use equations 55.3-55.0 and A i, A j ] = Π i, Π j ] = 0 (at equal times) to verify equations 55.-55.3. This is our third
Διαβάστε περισσότεραAreas and Lengths in Polar Coordinates
Kiryl Tsishchanka Areas and Lengths in Polar Coordinates In this section we develop the formula for the area of a region whose boundary is given by a polar equation. We need to use the formula for the
Διαβάστε περισσότεραΚΥΠΡΙΑΚΗ ΕΤΑΙΡΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ CYPRUS COMPUTER SOCIETY ΠΑΓΚΥΠΡΙΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ 24/3/2007
Οδηγίες: Να απαντηθούν όλες οι ερωτήσεις. Όλοι οι αριθμοί που αναφέρονται σε όλα τα ερωτήματα μικρότεροι του 10000 εκτός αν ορίζεται διαφορετικά στη διατύπωση του προβλήματος. Αν κάπου κάνετε κάποιες υποθέσεις
Διαβάστε περισσότεραMetal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet
Φ SERIES Metal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet Features Wide operating voltage (V ma ) range from 8V to 0V Fast responding to transient over-voltage Large absorbing transient energy capability Low clamping
Διαβάστε περισσότερα«ΑΓΡΟΤΟΥΡΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΤΟΠΙΚΗ ΑΝΑΠΤΥΞΗ: Ο ΡΟΛΟΣ ΤΩΝ ΝΕΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΣΤΗΝ ΠΡΟΩΘΗΣΗ ΤΩΝ ΓΥΝΑΙΚΕΙΩΝ ΣΥΝΕΤΑΙΡΙΣΜΩΝ»
I ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΝΟΜΙΚΩΝ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΩΝ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΣΤΗΝ «ΔΙΟΙΚΗΣΗ ΚΑΙ ΟΙΚΟΝΟΜΙΑ» ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ: ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραElements of Information Theory
Elements of Information Theory Model of Digital Communications System A Logarithmic Measure for Information Mutual Information Units of Information Self-Information News... Example Information Measure
Διαβάστε περισσότεραCRASH COURSE IN PRECALCULUS
CRASH COURSE IN PRECALCULUS Shiah-Sen Wang The graphs are prepared by Chien-Lun Lai Based on : Precalculus: Mathematics for Calculus by J. Stuwart, L. Redin & S. Watson, 6th edition, 01, Brooks/Cole Chapter
Διαβάστε περισσότεραFEATURES APPLICATION PRODUCT T IDENTIFICATION PRODUCT T DIMENSION MAG.LAYERS
FEATURES RoHS compliant. Super low resistance, ultra high current rating. High performance (I sat) realized by metal dust core. Frequency Range: up to 1MHz. APPLICATION PDA, notebook, desktop, and server
Διαβάστε περισσότεραExample Sheet 3 Solutions
Example Sheet 3 Solutions. i Regular Sturm-Liouville. ii Singular Sturm-Liouville mixed boundary conditions. iii Not Sturm-Liouville ODE is not in Sturm-Liouville form. iv Regular Sturm-Liouville note
Διαβάστε περισσότεραOther Test Constructions: Likelihood Ratio & Bayes Tests
Other Test Constructions: Likelihood Ratio & Bayes Tests Side-Note: So far we have seen a few approaches for creating tests such as Neyman-Pearson Lemma ( most powerful tests of H 0 : θ = θ 0 vs H 1 :
Διαβάστε περισσότεραSMD Power Inductor. - SPRH127 Series. Marking. 1 Marking Outline: 1 Appearance and dimensions (mm)
Marking Outline: Low DCR, high rated current. Magnetic shielded structure Lead free product, RoHS compliant. RoHS Carrier tape packing, suitable for SMT process. SMT Widely used in buck converter, laptop,
Διαβάστε περισσότεραΜηχανική Μάθηση Hypothesis Testing
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ Μηχανική Μάθηση Hypothesis Testing Γιώργος Μπορμπουδάκης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Procedure 1. Form the null (H 0 ) and alternative (H 1 ) hypothesis 2. Consider
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ. Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 18: Διαδικασία Σχεδίασης Ψηφιακών Συστηµάτων - Επανάληψη
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 18: Διαδικασία Σχεδίασης Ψηφιακών Συστηµάτων - Επανάληψη ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Περίληψη
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ. Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 17: Αναδιατασσόµενη Λογική Προγραµµατιζόµενο Υλικό
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 17: Αναδιατασσόµενη Λογική Προγραµµατιζόµενο Υλικό ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Προγραµµατιζόµενες
Διαβάστε περισσότεραMatrices and Determinants
Matrices and Determinants SUBJECTIVE PROBLEMS: Q 1. For what value of k do the following system of equations possess a non-trivial (i.e., not all zero) solution over the set of rationals Q? x + ky + 3z
Διαβάστε περισσότεραdepartment listing department name αχχουντσ ϕανε βαλικτ δδσϕηασδδη σδηφγ ασκϕηλκ τεχηνιχαλ αλαν ϕουν διξ τεχηνιχαλ ϕοην µαριανι
She selects the option. Jenny starts with the al listing. This has employees listed within She drills down through the employee. The inferred ER sttricture relates this to the redcords in the databasee
Διαβάστε περισσότεραNumerical Analysis FMN011
Numerical Analysis FMN011 Carmen Arévalo Lund University carmen@maths.lth.se Lecture 12 Periodic data A function g has period P if g(x + P ) = g(x) Model: Trigonometric polynomial of order M T M (x) =
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότερα4. Construction. 5. Dimensions Unit mm
1. Scope This specification applies to all sizes of rectangular-type fixed chip resistors with Ni/Cr as material. 2. Features Tolerance from 0.01%1% Thin film & Ni/Cr Resistor TCR from 5ppm 50ppm for thin
Διαβάστε περισσότεραThyristor & Diode Modules
Thyristor & We offer a broad range of PowerBLOCK modules containing thyristor and diode pellets in a voltage range of 1200V to 4400V and a current range of 61A up to 1070A. The modules are designed and
Διαβάστε περισσότεραSection 9.2 Polar Equations and Graphs
180 Section 9. Polar Equations and Graphs In this section, we will be graphing polar equations on a polar grid. In the first few examples, we will write the polar equation in rectangular form to help identify
Διαβάστε περισσότεραMath 6 SL Probability Distributions Practice Test Mark Scheme
Math 6 SL Probability Distributions Practice Test Mark Scheme. (a) Note: Award A for vertical line to right of mean, A for shading to right of their vertical line. AA N (b) evidence of recognizing symmetry
Διαβάστε περισσότεραMULTILAYER CHIP VARISTOR JMV S & E Series: (SMD Surge Protection)
INTRODUCTION Metal Oxide based chip varistors (JMVs) are used for transient suppression. JMVs have non-linear - behavior, which is similar to that of Zener Diode. Each grain in JMV exhibits small p-n junction
Διαβάστε περισσότεραJesse Maassen and Mark Lundstrom Purdue University November 25, 2013
Notes on Average Scattering imes and Hall Factors Jesse Maassen and Mar Lundstrom Purdue University November 5, 13 I. Introduction 1 II. Solution of the BE 1 III. Exercises: Woring out average scattering
Διαβάστε περισσότερα2R2. 2 (L W H) [mm] Wire Wound SMD Power Inductor. Nominal Inductance Packing Tape & Reel. Design Code M ±20%
Wire Wound SMD Power Inductors WPN Series Operating temperature range : -40 ~+125 (Including self-heating) FEATURES Fe base metal material core provides large saturation current Metallization on ferrite
Διαβάστε περισσότεραSMD Transient Voltage Suppressors
SMD Transient Suppressors Feature Full range from 0 to 22 series. form 4 to 60V RMS ; 5.5 to 85Vdc High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Fast response time
Διαβάστε περισσότεραVBA ΣΤΟ WORD. 1. Συχνά, όταν ήθελα να δώσω ένα φυλλάδιο εργασίας με ασκήσεις στους μαθητές έκανα το εξής: Version 25-7-2015 ΗΜΙΤΕΛΗΣ!!!!
VBA ΣΤΟ WORD Version 25-7-2015 ΗΜΙΤΕΛΗΣ!!!! Μου παρουσιάστηκαν δύο θέματα. 1. Συχνά, όταν ήθελα να δώσω ένα φυλλάδιο εργασίας με ασκήσεις στους μαθητές έκανα το εξής: Εγραφα σε ένα αρχείο του Word τις
Διαβάστε περισσότερα(C) 2010 Pearson Education, Inc. All rights reserved.
Connectionless transmission with datagrams. Connection-oriented transmission is like the telephone system You dial and are given a connection to the telephone of fthe person with whom you wish to communicate.
Διαβάστε περισσότεραEPL 603 TOPICS IN SOFTWARE ENGINEERING. Lab 5: Component Adaptation Environment (COPE)
EPL 603 TOPICS IN SOFTWARE ENGINEERING Lab 5: Component Adaptation Environment (COPE) Performing Static Analysis 1 Class Name: The fully qualified name of the specific class Type: The type of the class
Διαβάστε περισσότεραΚΒΑΝΤΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. ΚΒΑΝΤΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ Πτυχιακή Εργασία Φοιτητής: ΜIΧΑΗΛ ΖΑΓΟΡΙΑΝΑΚΟΣ ΑΜ: 38133 Επιβλέπων Καθηγητής Καθηγητής Ε.
Διαβάστε περισσότερα1000 VDC 1250 VDC 125 VAC 250 VAC J K 125 VAC, 250 VAC
Metallized Polyester Film Capacitor Type: ECQE(F) Non-inductive construction using metallized Polyester film with flame retardant epoxy resin coating Features Self-healing property Excellent electrical
Διαβάστε περισσότεραInformation and Communication Technologies in Education
Information and Communication Technologies in Education Instructional Design = Instructional Systems Design (ISD) K. Vassilakis / M. Kalogiannakis Instructional Design Instructional Design (also called
Διαβάστε περισσότεραFirst Sensor Quad APD Data Sheet Part Description QA TO Order #
Responsivity (/W) First Sensor Quad PD Data Sheet Features Description pplication Pulsed 16 nm laser detection RoHS 211/65/EU Light source positioning Laser alignment ø mm total active area Segmented in
Διαβάστε περισσότεραΣύστημα ψηφιακής επεξεργασίας ακουστικών σημάτων με χρήση προγραμματιζόμενων διατάξεων πυλών. Πτυχιακή Εργασία. Φοιτητής: ΤΣΟΥΛΑΣ ΧΡΗΣΤΟΣ
Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Σύστημα ψηφιακής επεξεργασίας ακουστικών σημάτων με χρήση προγραμματιζόμενων διατάξεων πυλών. Πτυχιακή Εργασία Φοιτητής:
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ. Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 13: Διαδικασία Σχεδιασµού Ακολουθιακών Κυκλωµάτων (Κεφάλαιο 6.
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 13: Διαδικασία Σχεδιασµού Ακολουθιακών Κυκλωµάτων (Κεφάλαιο 6.3) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy)
Διαβάστε περισσότεραStatistical Inference I Locally most powerful tests
Statistical Inference I Locally most powerful tests Shirsendu Mukherjee Department of Statistics, Asutosh College, Kolkata, India. shirsendu st@yahoo.co.in So far we have treated the testing of one-sided
Διαβάστε περισσότεραEE434 ASIC & Digital Systems Arithmetic Circuits
EE434 ASIC & Digital Systems Arithmetic Circuits Spring 25 Dae Hyun Kim daehyun@eecs.wsu.edu Arithmetic Circuits What we will learn Adders Basic High-speed 2 Adder -bit adder SSSSSS = AA BB CCCC CCCC =
Διαβάστε περισσότερα