Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Σχετικά έγγραφα
Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Τρανζίστορ FET Επαφής

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

.Λιούπης. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος 1

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Πόλωση των Τρανζίστορ

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Πανεπιστήµιο Αιγαίου Τµήµα Μηχανικών Πληροφοριακών και Επικοινωνιακών Συστηµάτων. 3η Άσκηση Logical Effort - Ένα ολοκληρωµένο παράδειγµα σχεδίασης

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

«Προηγµένες Υπηρεσίες Τηλεκπαίδευσης στο Τ.Ε.Ι. Σερρών»,

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

K15 Ψηφιακή Λογική Σχεδίαση 6: Λογικές πύλες και λογικά κυκλώματα

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Κυκλώματα 2

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης

6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων

5 η διάλεξη Ο Αντιστροφέας και οι ιδιότητες του

Βασικές Λειτουργίες των TR

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Transcript:

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Στατική (C) ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Θα εξάγουµε τη χαρακτηριστική τάσης = f( ) (καθώς και τη χαρακτηριστική ρεύµατος I = f( )) του αντιστροφέα CMO σε συνθήκες σταθερής λειτουργίας V n = V p = - I I n = I p V n = V p = - 2

Χαρακτηριστική C ενός ιδανικού αντιστροφέα τάση µετάβασης V M = / 2 λογικό 0 εισόδου λογικό 1 εισόδου Η χαρακτηριστική C ενός πραγµατικού αντιστροφέα έχει µη µηδενικό εύρος και πεπερασµένη κλίση στην περιοχή της µετάβασης µεταξύ των δύο λογικών καταστάσεων 3

Χαρακτηριστική C του αντιστροφέα CMO d /d = -1 V OH τάση µετάβασης V M : = d /d = -1 V OL λογικό 0 εισόδου V IL V IH λογικό 1 εισόδου περιοχή µετάβασης 4

Βασικά σηµεία της χαρακτηριστικής C Οι τάσεις εξόδου V OH και V OL που αντιστοιχούν στις λογικές τιµές 0 και 1 πρακτικά συµπίπτουν µε τις ιδανικές τάσεις και 0V Η ελάχιστη τάση εισόδου που αναγνωρίζεται από το κύκλωµα ως λογικό 1 (και οδηγεί την έξοδο σε λογικό 0) αναφέρεται ως V IH H µέγιστη τάση εισόδου που αναγνωρίζεται από το κύκλωµα ως λογικό 0 (και οδηγεί την έξοδο σε λογικό 1) αναφέρεται ως V IL Οι τάσεις V IH και V IL ορίζονται ως τα σηµεία µοναδιαίου κέρδους της χαρακτηριστικής C όπου η κλίση της καµπύλης είναι -1: dv dv out in = 1 Το εύρος περιοχής µετάβασης είναι V IH - V IL Η τάση µετάβασης V M του αντιστροφέα (όπου πραγµατοποιείται η µετάβαση της εξόδου από 0 σε 1) ορίζεται ως το σηµείο όπου η τάση εξόδου συµπίπτει µε την τάση εισόδου, δηλαδή = 5

Πηγές θορύβου i(t) v(t) V Επαγωγική σύζευξη Χωρητική σύζευξη Θόρυβος τροφοδοσίας και γείωσης 6

Περιθώρια θορύβου Περιθώριο θορύβου λογικού 1: NM H = V OH - V IH - V IH Περιθώριο θορύβου λογικού 0: NM L = V IL - V OL V IL V OH NMH περιοχή µετάβασης V IH V IL NM L V OL 0V 0V 7

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C V C out I A E V Tn V M - V Tp 8

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C V n = I I n = I p V p = - V n = V p = - Περιοχή Α: 0 < V Tn Περιοχή λειτουργίας nmo τρανζίστορ: ΑΠΟΚΟΠΗ Περιοχή λειτουργίας pmo τρανζίστορ: ΓΡΑΜΜΙΚΗ Ρεύµα υποδοχής pmo τρανζίστορ I p = I n = 0 V p = 0 Τάση εξόδου: = 9

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C V n = I I n = I p V p = - V n = V p = - Περιοχή : V Tn < V M (: = ) - V Tn - V Tn - < - - V Tp + V Tp < Περιοχή λειτουργίας nmo τρανζίστορ: ΚΟΡΟΣ Περιοχή λειτουργίας pmo τρανζίστορ: ΓΡΑΜΜΙΚΗ 10

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C Ισοδύναµο κύκλωµα αντιστροφέα στην περιοχή Β της χαρακτηριστικής: I p I n Ρεύµα υποδοχής nmo τρανζίστορ: Ρεύµα υποδοχής pmo τρανζίστορ: I p = k p Λύνοντας τη I n = I p προκύπτει η έκφραση = f( ) της χαρακτηριστικής στην περιοχή Β I n ( V V V )( V V ) in Tp out = k n ( V ) 2 in VTn 2 2 ( V V ) 2 out 11

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C V n = I I n = I p V p = - V n = V p = - Περιοχή C: = V M V M - V Tn V M + V Tp (Η περιοχή αυτή υφίσταται µόνο για µια τιµή της τάσης εισόδου) Περιοχή λειτουργίας nmo τρανζίστορ: ΚΟΡΟΣ Περιοχή λειτουργίας pmo τρανζίστορ: ΚΟΡΟΣ 12

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C Ισοδύναµο κύκλωµα αντιστροφέα στην περιοχή C της χαρακτηριστικής: I p I n Στην περιοχή αυτή (δηλαδή στο σηµείο = V M ) παρατηρείται η µέγιστη τιµή του ρεύµατος του αντιστροφέα (χαρακτηριστική I = f( )) Ρεύµα υποδοχής nmo τρανζίστορ: Ρεύµα υποδοχής pmo τρανζίστορ: Λύνοντας τη I n = I p έχουµε: [edra/mith άσκ. 4.44 και εξ. (10.8)] V M kn I n = VM V 2 k p I p = M 2 = V VTp + VTn ( ) 2 Tn ( V V V ) 2 k k n p Tp 1 + k k n p 1 13

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C V n = I I n = I p V p = - V n = V p = - Περιοχή : V M < - V Tp < - V Tn - - - V Tp + V Tp Περιοχή λειτουργίας nmo τρανζίστορ: ΓΡΑΜΜΙΚΗ Περιοχή λειτουργίας pmo τρανζίστορ: ΚΟΡΟΣ 14

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C Ισοδύναµο κύκλωµα αντιστροφέα στην περιοχή της χαρακτηριστικής: I p I n Ρεύµα υποδοχής nmo τρανζίστορ: Ρεύµα υποδοχής pmo τρανζίστορ: out ( V ) 2 in VTn Vout Λύνοντας τη I n = I p προκύπτει η έκφραση = f( ) της χαρακτηριστικής στην περιοχή I I n p = k n k p = 2 V ( V V V ) 2 in Tp 2 15

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C V n = I I n = I p V p = - V n = V p = - Περιοχή E: - V Tp < Περιοχή λειτουργίας nmo τρανζίστορ: ΓΡΑΜΜΙΚΗ Περιοχή λειτουργίας pmo τρανζίστορ: ΑΠΟΚΟΠΗ Ρεύµα υποδοχής nmo τρανζίστορ I n = I p = 0 V n = 0 Τάση εξόδου: = 0 16

Αναλυτικός υπολογισµός της χαρακτηριστικής C 17

Χαρακτηριστική C γενικών πυλών CMO Η χαρακτηριστική C (καθώς και τα βασικά σηµεία της V IH, V IL και V Μ ) για µια γενική πύλη CMO εξαρτάται από τις συγκεκριµένες εισόδους της πύλης Μια ενδεικτική χαρακτηριστική C για γενικές πύλες CMO µπορεί να εξαχθεί µε κατασκευή ενός ισοδύναµου αντιστροφέα (βλ. αντίστοιχο εδάφιο καθυστέρησης γενικών πυλών) 18

Σχεδίαση αντιστροφέα µε βάση τη χαρακτηριστική C Η βασική παράµετρος σχεδίασης του αντιστροφέα ως προς τη χαρακτηριστική C είναι η τάση µετάβασης V M Με δεδοµένη την τάση τροφοδοσίας και τις τάσεις κατωφλίου των τρανζίστορ V Tn και V Tp, η V M καθορίζεται από την τιµή του λόγου k n /k p (λόγος διαγωγιµοτήτων) Επίδραση του λόγου k n /k p στη θέση της χαρακτηριστικής C: k n /k p > 1 k n /k p = 1 k n /k p < 1 V / 2 19

Σχεδίαση αντιστροφέα µε βάση τη χαρακτηριστική C Εάν είναι V Tn = V Tp τότε για k n /k p = 1 προκύπτει ότι η V M θα βρίσκεται ακριβώς στο ήµισυ της τάσης τροφοδοσίας (όπως στη χαρακτηριστική του ιδανικού αντιστροφέα), δηλαδή V M = /2 Καθώς η κινητικότητα των φορέων ηλεκτρονίων είναι µεγαλύτερη σε σχέση µε εκείνη των οπών, δηλαδή µ n /µ p = k n '/k p ' r > 1, θα πρέπει W p /L p = r(w n /L n ) προκειµένου να είναι συνολικά k n /k p = 1 Τα µήκη L n και L p κατασκευάζονται στην ελάχιστη διάσταση που επιτρέπεται από τη δοσµένη τεχνολογία, οπότε ο µοναδικός βαθµός ελευθερίας στη σχεδίαση των τρανζίστορ είναι τα πλάτη W n και W p θα πρέπει εποµένως W p = rw n ώστε k n /k p = 1 20

Σχεδίαση αντιστροφέα µε βάση τη χαρακτηριστική C Με δεδοµένο λόγο W p /W n, οι τάσεις V IL και V IH υπολογίζονται µε παραγώγιση της = f( ) (ή της I n = I p ) σε κάθε µια από τις δύο περιοχές Β και όπου εµφανίζονται αντίστοιχα, και κατόπιν µε ανάθεση d /d = -1 Ειδικά για W p = rw n (δηλ. k n /k p = 1) και V Tn = V Tp V T η διαδικασία αυτή δίνει: 1 V IL = (3V + 2V 8 [edra/mith εξ. (4.148), (4.149)] T ) V IH 1 = (5V 8 2V T ) 21