Αυτόματη Σχεδίαση VLSI Ανάλυση Κυκλωμάτων. SPICE - Microwind

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Αυτόματη Σχεδίαση VLSI Ανάλυση Κυκλωμάτων. SPICE - Microwind"

Transcript

1 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 1

2 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ...2 ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ SPICE ΕΙΣΑΓΩΓΗ SPICE Διαδικασία χρήσης του spice Αριθμητικές τιμές Μορφές ανάλυσης Αντίσταση Πυκνωτής Δίοδος Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Πηγή τάσης...18 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΟ ΜΕΡΟΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ ΠΥΛΗ Nand ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΕΝΟΣ BIPOLAR TRANSISTOR ΑΝΑΣΤΡΕΦΩΝ ΚΑΙ ΜΗ ΑΝΑΣΤΡΕΦΩΝ Τ.Ε ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑ ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΥ ΔΥΟ ΠΥΛΩΝ...26 ΜΕΡΟΣ ΔΕΥΤΕΡΟ MICROWIND Γενικά για το Microwind: ΕΝΤΟΛΕΣ ΤΟΥ MICROWIND: FILE MENU: VIEW MENU: EDIT MENU: SIMULATE MENU: COMPILE MENU: ANALYSIS MENU: ΚΑΝΟΝΕΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ ΣΤΟ Microwind: Κανόνες σχεδίασης του Ν-well: Κανόνες σχεδίασης της διάχυσης: Κανόνες σχεδίασης του πολυπυριτίου: Κανόνες σχεδίασης 2 oυ πολυπυριτίου: Κανόνες σχεδίασης επαφών (contact): Κανόνες σχεδίασης Μετάλλου και via: Κανόνες σχεδίασης Μετάλλου3 και via3: Κανόνες σχεδίασης Μετάλλου4 και via4: Κανόνες σχεδίασης Μετάλλου5 και via5: Κανόνες σχεδίασης Μετάλλου6: Κανόνες σχεδίασης PADS: ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ:...55 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 2

3 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ 1. SPICE Ο σχεδιασμός ηλεκτρονικών συστημάτων είναι μια θεμελιώδης διαδικασία, κατά την οποία καλείται κανείς να συνδυάσει κατάλληλα ένα σύνολο ηλεκτρονικών στοιχείων και διατάξεων για να επιτελέσουν μια συγκεκριμένη λειτουργία. Η κατασκευή ενός «προτύπου» ηλεκτρονικού συστήματος είναι απαραίτητη και για την επιβεβαίωση της καλής λειτουργίας καθώς και την αξιολόγηση των επιδόσεων που επιτυγχάνονται. Η προσομοίωση είναι αναπόσπαστο μέρος της διαδικασίας σχεδιασμού προτού κατασκευαστεί το πρότυπο κύκλωμα και αφορά στην πλήρη ανάλυση του κυκλώματος υπό συγκεκριμένες συνθήκες και εισόδους, για να διαπιστωθεί αν αυτό συμπεριφέρεται σύμφωνα με τους στόχους που έχουν τεθεί αρχικά. Πιο συγκεκριμένα, ο έλεγχος μέσω της προσομοίωσης, μπορεί να περιλαμβάνει, το σημείο ηρεμίας (dc) (για κυκλώματα με τρανζίστορ), τον έλεγχο απόκρισης του κυκλώματος σε παλμούς ή σήματα ac, την απολαβή (ενίσχυση, κέρδος) ως συνάρτηση της συχνότητας. Συνεπώς, με την προσομοίωση έχουμε τη δυνατότητα να πραγματοποιήσουμε οποιονδήποτε λειτουργικό έλεγχο του κυκλώματος αλλάζοντας παραμέτρους, πράγμα που είναι αδύνατο να γίνει συστηματικά με κατασκευές πολλών προτύπων. Η επίλυση των θεωρητικών μοντέλων σε κυκλώματα με πολλά στοιχεία ή βαθμίδες είναι περίπλοκη ή και αδύνατη με αναλυτικό τρόπο. Για το λόγο αυτό γίνεται χρήση προγραμμάτων ανάλυσης με υπολογιστή, που είναι αποτελεσματικά και επιτρέπουν τη μελέτη της επίδρασης μεγάλου πλήθους παραγόντων ή παραμέτρων σε πολύ μικρό χρονικό διάστημα. Χρειάζεται αυτό που λέμε, γενικώς, «Computer Aided Circuit Analysis». Στα μέσα της δεκαετίας του 1960 άρχισε να χρησιμοποιείται η μέθοδος της προσομοίωσης στο σχεδιασμό ή ανάλυση κυκλωμάτων. Τότε, αναπτύχθηκε από την εταιρία IBM το πρόγραμμα ECAP (Electric Circuit Analysis Program). Αυτό που χρειαζόταν να κάνει ο χρήστης, ήταν, να περιγράψει το κύκλωμα με συμβολισμό κόμβων (κομβικός συμβολισμός, nodal notation), που θα τον δούμε παρακάτω. Μετά από αυτό, το πρόγραμμα φρόντιζε για την κατάστρωση των εξισώσεων του κυκλώματος και τη λύση τους με αριθμητικές μεθόδους. Ακόμη και πριν αναπτυχθεί το ECAP γινόταν χρήση υπολογιστών για τη λύση εξισώσεων κυκλωμάτων, αλλά έπρεπε κάθε φορά να γράφεται ειδικό πρόγραμμα για τη συγκεκριμένη εξίσωση του μοντέλου του κυκλώματος. Αυτή η διαδικασία ήταν χρήσιμη αλλά είχε δυσκολίες και εφαρμοζόταν στην πράξη, μόνο σε απλές περιπτώσεις. Μετά από το Πρόγραμμα ECAP αναπτύχθηκαν πολλά παρόμοια προγράμματα τα οποία αποτελούσαν βελτιώσεις του αρχικού. Μερικά από αυτά είναι το SPECTRE, το TRAC, το NET και το CIRCUS. Ένα από αυτά τα προγράμματα είναι και το SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). Μια επέκταση του είναι το PSpice (Personal computer Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). Στο παρόν εγχειρίδιο θα ασχοληθούμε μόνο με τα δύο τελευταία προγράμματα. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 3

4 1.2 SPICE To SPICE, όπως προαναφέραμε, είναι ακρωνύμιο που σημαίνει Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (πρόγραμμα εξομοίωσης με έμφαση στα ολοκληρωμένα κυκλώματα). Αναπτύχθηκε μέσα στη δεκαετία του 1970 από την ομάδα Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων του Ηλεκτρονικού Εργαστηρίου Ερευνών και το Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Υπολογιστών του Πανεπιστημίου του Berkeley της California των Η.Π.Α. Ο άνθρωπος που πρώτος ανέπτυξε το SPICE είναι ο Dr Lawrence Nagel. Στο διδακτορικό του Nagel περιγράφονται οι αλγόριθμοι και οι αριθμητικές μέθοδοι που χρησιμοποιούνται στο SPICE. To SPICE από τότε που πρωτοεμφανίστηκε, έχει υποστεί πολλές μεταβολές και βελτιώσεις καθώς βρίσκονται λάθη (bugs), κατά την χρήση του και διορθώνονται. Παρόλο που ο χρήστης δεν είναι αναγκαίο να γνωρίζει τους μαθηματικούς αλγόριθμους που χρησιμοποιούνται στο SPICE, πρέπει να έχει ειδικές γνώσεις σχεδιασμού ηλεκτρικών και ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Το κύκλωμα περιγράφεται με τη χρήση ενός αρχείου (file) το οποίο αποτελεί το αρχείο εισόδου (αρχείο εισαγωγής δεδομένων) του SPICE. To αρχείο αυτό περιέχει τα στοιχεία του κυκλώματος (αντιστάτες, πυκνωτές, αυτεπαγωγές, πηγές τάσης και ρεύματος, διατάξεις ημιαγωγών κ.α.) και περιγράφει πως συνδέονται μεταξύ τους κάνοντας χρήση αριθμών που αντιστοιχούν στους διάφορους κόμβους του κυκλώματος. Μπορεί να υπάρχουν επίσης πληροφορίες που δείχνουν τη συχνότητα των πηγών, τη θερμοκρασία, το είδος των αναλύσεων που χρειάζεται να γίνουν και πως πρέπει να παρουσιαστούν τα αποτελέσματα της κάθε ανάλυσης. Το πρόγραμμα SPICE διαβάζει το αρχείο εισόδου και βρίσκει πως πρέπει να συνδεθούν τα διάφορα στοιχεία κυκλωμάτων και διατάξεις σε κάθε κόμβο. Κατόπιν, για τη λύση του προβλήματος, χρησιμοποιεί την μέθοδο των κόμβων όπου άγνωστοι είναι τα δυναμικά των κόμβων ως προς κάποιον κόμβο αναφοράς (του οποίου το δυναμικό λαμβάνεται ως 0). Το ρεύμα κάθε κλάδου εκφράζεται συναρτήσει της διαφοράς δυναμικού στα άκρα του και της αγωγιμότητας του. Στη συνέχεια χρησιμοποιείται ο νόμος των ρευμάτων του Kirchhoff και κατόπιν καταστρώνεται ένα σύστημα εξισώσεων για το κύκλωμα το οποίο όταν λυθεί θα προσδιορίσει τα δυναμικά (τάσεις) των κόμβων. Προφανώς το SPICE πρέπει να γνωρίζει το μοντέλο των στοιχείων του κυκλώματος και των ημιαγώγιμων διατάξεων. Για την λύση του συστήματος των εξισώσεων χρησιμοποιείται η αριθμητική μέθοδος Newton - Raphson. Υπάρχουν πολλά εμπορικά πακέτα προγραμμάτων που βασίζονται στο SPICE. Πολλά από αυτά περιλαμβάνουν χρήσιμα εργαλεία λογισμικού τα οποία έχουν προστεθεί για να κάνουν ευκολότερη την χρήση του. Εδώ, όπως είπαμε προηγουμένως, θα κάνομε χρήση του πακέτου PSpice το οποίο είναι μια παραλλαγή του SPICE που ανέπτυξε η εταιρία MicroSim. To PSpice, εκτός των άλλων, περιλαμβάνει τα προγράμματα Schematics και Probe. To Schematics χρησιμοποιεί GUI (Graphical User Interface) ώστε μπορεί να σχεδιάζει κανείς στην οθόνη του υπολογιστή το κύκλωμα με τα γνωστά σύμβολα των στοιχείων και με διάφορα μενού (menu) μπορεί να κάνει κάθε αλλαγή εύκολα. Το σχετικό αρχείο είναι τύπου.sch. Από το κύκλωμα, το PSpice δημιουργεί text files που περιέχουν τις εντολές που περιγράψαμε. Εμείς χρησιμοποιούμε την Φοιτητική Έκδοση που δεν έχει όλες τις δυνατότητες του πλήρους πακέτου. To Probe είναι ένα πρόγραμμα που επιτρέπει την απεικόνιση των αποτελεσμάτων στην οθόνη, και μπορεί να ενεργοποιηθεί αν μεταξύ των εντολών υπάρχει η εντολή.probe. Με κειμενογράφο μπορούμε να φτιάξουμε text files (τύπου.cir) που ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 4

5 περιέχει τις κατάλληλες εντολές. Αυτό το αρχείο μπορεί να διαβαστεί από το PSpice το οποίο, με βάση τις εντολές, πραγματοποιεί την επιδιωκόμενη ανάλυση. 1.3 Διαδικασία χρήσης του spice Ο χρήστης του SPICE ακολουθεί την παρακάτω διαδικασία: α) Δημιουργεί ένα αρχείο εισόδου (source file) στο οποίο περιγράφει το κύκλωμα για το οποίο θα γίνει ανάλυση ή προσομοίωση. β) Εισάγει αυτό το αρχείο στο πρόγραμμα το οποίο με τη σειρά του δημιουργεί το αρχείο εξόδου. γ) Δίνει εντολή να τυπωθεί το αρχείο εξόδου και αν απαιτείται κατασκευάζει διαγράμματα χρησιμοποιώντας αποτελέσματα του αρχείου αυτού. Το αρχείο εισόδου (τύπου.cir) μπορεί να γραφτεί με οποιονδήποτε κειμενογράφο, αρκεί να μην εισάγει χαρακτήρες ελέγχου. To PSpice διαθέτει κατάλληλο κειμενογράφο που καλό είναι να προτιμάται. Το αρχείο εισόδου περιέχει, εντολές δεδομένων που περιγράφουν το κύκλωμα, περιέχει εντολές ελέγχου οι οποίες καθορίζουν το είδος της ανάλυσης και επίσης εντολές εξόδου οι οποίες περιγράφουν το είδος και τον τρόπο παρουσίασης των αποτελεσμάτων. Για να φτιάξομε στο αρχείο εισόδου τις εντολές δεδομένων, αρχίζουμε με ένα διάγραμμα του κυκλώματος (schematic) και σημειώνουμε σε αυτό, σύμφωνα με τους κανόνες του SPICE, ορισμένα στοιχεία που περιγράφονται στις παρακάτω τρεις εργασίες: 1) Δίνουμε σε κάθε στοιχείο του κυκλώματος ένα όνομα. Το αρχικό γράμμα του ονόματος πρέπει να είναι σύμφωνο με τον Πίνακα 1. Στο PSpice τα γράμματα μπορεί να είναι πεζά και κεφαλαία. Το πρόγραμμα SPICE, δηλαδή το πακέτο λογισμικού SPICE2G.6 του Πανεπιστημίου Berkeley χρειάζεται κεφαλαία. Στο PSpice τα RLOAD ή rbaseql παριστάνουν αντιστάτες. 2) Ορίζουμε ένα «κόμβο αναφοράς», κόμβος 0. Αυτός ονομάζεται και «κόμβος γείωσης» και θεωρείται ότι έχει δυναμικό 0. Τα δυναμικά όλων των άλλων κόμβων υπολογίζοντα ως προς αυτόν. Ο κόμβος αναφοράς μπορεί να μην είναι η πραγματική γείωση του κυκλώματος αλλά απλώς ο κόμβος αναφοράς για τους υπολογισμούς. 3) Δίνουμε στους άλλους κόμβους του κυκλώματος έναν αριθμό (κομβικός αριθμός) που πρέπει να είναι θετικός ακέραιος. Η διάταξη στην αρίθμηση των κόμβων είναι αυθαίρετη και οι αριθμοί δεν είναι κατ' ανάγκη διαδοχικοί. Ο κάθε κόμβος πρέπει να συνδέει τουλάχιστον δύο στοιχεία του κυκλώματος. Στο αρχείο εισόδου χρησιμοποιούμε εντολές ελέγχου που καθορίζουν τι είδους ανάλυση θέλουμε να κάνουμε. To SPICE γενικώς μπορεί να κάνει ανάλυση για ac, dc, μεταβατικά φαινόμενα (transient), συνάρτηση μεταφοράς dc, ευαισθησία σε μικρά σήματα dc, παραμόρφωση, θόρυβο και ανάλυση Fourier. Για το σκοπό αυτό χρειάζεται να εισαχθούν στο αρχείο εισόδου μερικές (απλές) εντολές ελέγχου. Μια τέτοια εντολή μπορεί να καθορίζει την τιμή της τάσης ή ρεύματος κάποιας πηγής, το εύρος συχνοτήτων που πρέπει να έχει μία πηγή ac, το χρονικό διάστημα για το οποίο θα γίνει η ανάλυση μεταβατικών φαινομένων (μεταβατική ανάλυση) και το βήμα χρόνου που θα χρησιμοποιηθεί. Άλλες εντολές ελέγχου καθορίζουν τον τρόπο παρουσίασης των αποτελεσμάτων της ανάλυσης, π.χ. σε μορφή πίνακα ή σε γράφημα. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 5

6 C D Ε F G Η I J K L Μ Q T V Πίνακας 1 Χωρητικότητα (πυκνωτής) Δίοδος Πηγή τάσης ελεγχόμενη από τάση Πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από ρεύμα Πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση Πηγή τάσης ελεγχόμενη από ρεύμα Ανεξάρτητη πηγή ρεύματος Τρανζίστορ επίδρασης-πεδίου διεπαφής (JFET) Συντελεστής σύζευξης αμοιβαίας επαγωγής Αυτεπαγωγή Τρανζίστορ επίδρασης - πεδίου μετάλλουοξειδίου (MOSFET) Διπολικό τρανζίστορ διεπαφής (BJT) Γραμμή μεταφοράς Ανεξάρτητη πηγή τάσης Η έξοδος του SPICE αποτελείται από πολλά μέρη. Οι εντολές εξόδου στο αρχείο εισόδου ρυθμίζουν αυτά τα μέρη και τον τρόπο εμφάνισης των αποτελεσμάτων. Στο πρώτο μέρος του αρχείου εξόδου βρίσκεται η περιγραφή του κυκλώματος. Κατ' ελάχιστο, αυτό το μέρος περιλαμβάνει τη λίστα των εντολών του αρχείου εισόδου που φτιάχτηκε για το SPICE για να χρησιμοποιηθεί στην ανάλυση. Το δεύτερο μέρος περιέχει την προκαθορισμένη (default) έξοδο για κάποιες από τις εντολές ανάλυσης που δημιουργούν έξοδο χωρίς οδηγίες από το αρχείο εισόδου. Για παράδειγμα η εντολή εξόδου.tf πάντα οδηγεί στο να γραφούν στο αρχείο εξόδου η απολαβή (ενίσχυση), η αντίσταση εισόδου και η αντίσταση εξόδου αφού ολοκληρωθεί η ανάλυση. Το τρίτο μέρος σχετίζεται με την εκτύπωση των αποτελεσμάτων και γραφικών παραστάσεων που έχουν ζητηθεί στο αρχείο εισόδου. Η εντολή.print οδηγεί στην εκτύπωση δεδομένων της ανάλυσης. Η εντολή.plot οδηγεί στο να γίνουν γραφήματα στον εκτυπωτή. Το τέταρτο μέρος περιέχει πληροφορίες που συνοψίζουν μερικές στατιστικές πληροφορίες που περιγράφουν την εκτέλεση του PSpice. Τέτοιες είναι οι απαιτήσεις για μνήμη και ο χρόνος εκτέλεσης που είναι χρήσιμα στοιχεία που μπορούν, σε συνδυασμό με προαιρετικές παραμέτρους, να κάνουν την ανάλυση πιο αποτελεσματική. Επιπλέον, το πακέτο PSpice περιλαμβάνει ένα graphics postprocessor (μεταεπεξεργαστή γραφικών) που λέγεται PROBE. To PROBE μας επιτρέπει να κάνομε γραφήματα πρακτικώς κάθε φυσικού μεγέθους που μας ενδιαφέρει, μετά από την ανάλυση του κυκλώματος από το SPICE. To PROBE χρειάζεται να έχει πρόσβαση σε ειδικό αρχείο για να λειτουργήσει σωστά. Ένα τέτοιο αρχείο δημιουργείται κατά τη διάρκεια της ανάλυσης με το PSpice αν συμπεριληφθεί η εντολή.probe στο αρχείο εισόδου. Αφού τελειώσει η ανάλυση μπορεί να ενεργοποιηθεί το PROBE στο επίπεδο του λειτουργικού συστήματος ή στο επίπεδο του κελύφους οδηγιών (command shell) όπως θα δούμε παρακάτω. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 6

7 Συνοψίζοντας, η διαδικασία που ακολουθούμε είναι: Δημιουργούμε το αρχείο εισόδου για το SPICE χρησιμοποιώντας έναν επεξεργαστή κειμένου (text editor). To PSpice έχει τον δικό του επεξεργαστή κειμένου. Το αρχείο είναι τύπου.cir. Χρειάζεται πάντα στην πρώτη γραμμή να υπάρχει ο τίτλος. Η τελευταία γραμμή είναι το.end. Η διάταξη των άλλων γραμμών του κώδικα του προγράμματος μπορεί να είναι οποιαδήποτε. Φυσικά όταν υπάρχουν υποκυκλώματα (που είναι κυκλώματα που καλούνται όπως οι υπορουτίνες) ο κανόνας αυτός έχει τους προφανείς περιορισμούς. Τρέχουμε το PSpice το οποίο διαβάζει το αρχείο εισόδου, κάνει την ανάλυση του κυκλώματος και δημιουργεί το αρχείο εξόδου τύπου.out. Μπορούμε να έχομε και γραφήματα διαφόρων ηλεκτρικών μεγεθών που αφορούν το κύκλωμα. 1.4 Αριθμητικές τιμές To SPICE αναγνωρίζει αριθμούς εκφρασμένους με διάφορους τρόπους. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί ο επιστημονικός συμβολισμός (scientific notation) 5.23E04, 8.45Ε-6 κτλ, όπου Ε σημαίνει δύναμη του 10. Επίσης μπορεί να χρησιμοποιηθούν τα προθέματα του Πίνακα 2. Σημειώνουμε ότι, παρόλο που σε όλες τις γλώσσες εκτός από την αγγλική το σύμβολο των δεκαδικών είναι το κόμμα σε αυτά τα πακέτα (δυστυχώς) χρησιμοποιείται παντού μόνο η «κάτω» τελεία. Επίσης ο συμβολισμός των προθεμάτων δεν είναι ακριβώς αυτός του Διεθνούς Συστήματος μονάδων (SI). Τα γράμματα που δεν ανήκουν στον Πίνακα 2 αγνοούνται. Επίσης, αγνοούνται τα γράμματα που ακολουθούν μετά από ένα έγκυρο πρόθεμα. Π.χ. 270V σημαίνει 270 (αγνοείται το V) 0.27KW σημαίνει 270 (μεταφράζεται το Κ ως 1*10 3 και το W αγνοείται) 0.27ΚΟΗΜ σημαίνει επίσης 270 (πάλι το Κ μεταφράζεται ως 1*10 3 και τα υπόλοιπα αγνοούνται). Πίνακας 2 Σύμβολο Συντελεστής Πρόθεμα F 1xl0-15 fempto Ρ 1x10-12 pico U 1x10-6 micro Μ 1x10-3 milli - 1 Basic Unit Κ 1x10 3 kilo MEG 1x10 6 mega G 1xl0 9 giga Τ 1x10 12 tera ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 7

8 1.5 Μορφές ανάλυσης Η ανάλυση που θα γίνει στο κύκλωμα καθορίζεται από εντολές ελέγχου στο αρχείο εισόδου..dc Με αυτή την εντολή προσδιορίζεται το σημείο λειτουργίας dc του κυκλώματος. Οι πυκνωτές αποτελούν διακοπές στο κύκλωμα και οι αυτεπαγωγές βραχυκυκλώματα. Μπορεί να γίνεται μεταβολή τάσης ή ρεύματος πηγής συνεχούς κατά βήματα και κάθε φορά προσδιορισμός του σημείου λειτουργίας DC. Έχουμε την εντολή ελέγχου,.dc SRC START STOP INCR <SRC2 START2 STOP2 INCR2> SRC είναι η ανεξάρτητη πηγή τάσης ή ρεύματος που μεταβάλλεται START είναι η αρχική τιμή τάσης ή ρεύματος STOP είναι η τελική τιμή INCR είναι το βήμα της μεταβολής. Οι τιμές είναι σε volt ή ampere Είναι δυνατόν να οριστεί μια δεύτερη πηγή SRC2 με τις αντίστοιχες παραμέτρους της. Αν υπάρχει δεύτερη πηγή γίνεται σάρωση των τιμών της πρώτης για κάθε μία τιμή της δεύτερης. Πρέπει να υπάρχουν εντολές.print και.plot για να γραφτούν τα αποτελέσματα στο αρχείο εξόδου, xxx.out..ac Με αυτή την εντολή γίνεται γραμμική ανάλυση μικρών σημάτων. Το SPICE βρίσκει το σημείο λειτουργίας dc και υπολογίζει τιμές για μοντέλα μικρών σημάτων για όλες τις μη γραμμικές διατάξεις (ημιαγωγούς, μη γραμμικές πηγές κτλ). Στη συνέχεια κάνει ανάλυση για κάθε συχνότητα που έχει καθοριστεί. Τα αποτελέσματα μπορεί να τυπωθούν ή να παρασταθούν γραφικά..ac LIN NP FSTART FSTOP.AC DEC ND FSTART FSTOP.AC OCT NO FSTART FSTOP FSTART είναι η ελάχιστη συχνότητα (δεν μπορεί να είναι Ο ή αρνητική) και FSTOP είναι η μέγιστη συχνότητα. Οι συχνότητες στις οποίες γίνεται ανάλυση μπορεί να καθοριστούν με τρεις τρόπους, LIN ΝΡ σημαίνει ότι θα γίνει ανάλυση σε ΝΡ πλήθος συχνοτήτων που είναι ισαπέχουσες (γραμμικά) μεταξύ FSTART και FSTOP. Στη περίπτωση μιας μόνο συχνότητας θέτουμε ΝΡ=1 και FSTART = FSTOP = η επιθυμητή συχνότητα. DC ND σημαίνει ότι η περιοχή συχνοτήτων υποδιαιρείται σε δεκάδες με ND συχνότητες ανά δεκάδα. Οι συχνότητες κατανέμονται λογαριθμικά. Αν FSTOP δεν είναι κάποιος ακέραιος αριθμός (πλήθος) δεκάδων πάνω από το FSTART, τότε η μέγιστη συχνότητα μπορεί να υπερβεί το FSTOP. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 8

9 OCT NO σημαίνει ότι το εύρος συχνοτήτων χωρίζεται σε οκτάβες με NO συχνότητες ανά οκτάβα. Οι συχνότητες μεταβάλλονται λογαριθμικά. Αν η FSTOP δεν είναι ακέραιο πολλαπλάσιο οκτάβων πάνω στο FSTART, η μέγιστη συχνότητα μπορεί να υπερβεί την FSTOP. Σε αντίθεση με την περίπτωση της εντολής ελέγχου.dc εδώ δεν καθορίζεται ποιας πηγής η συχνότητα θα μεταβληθεί. Όλες οι πηγές ac μεταβάλλονται συγχρόνως. Χρειάζεται προσθήκη των εντολών όπως.print και.plot για να γραφτεί η πληροφορία στο xxx.out..tran Αυτή η εντολή ελέγχου σημαίνει transient (μεταβατική, εξαρτώμενη από το χρόνο) ανάλυση. Γίνεται ανάλυση όπου οι μεταβλητές υπολογίζονται συναρτήσει του χρόνου..tran TSTEP TSTOP <TSTART <TMAX» <UIC> TSTEP είναι το βήμα χρόνου για εκτύπωση και γραφήματα TSTOP είναι ο μέγιστος (τελικός) χρόνος ανάλυσης. TSTART είναι το σημείο από όπου αρχίζει η εκτύπωση και το γράφημα. Υπάρχει προκαθορισμένη τιμή που είναι μηδέν. Η ανάλυση γίνεται πάντα από χρόνο μηδέν αλλά τα αποτελέσματα δεν παρουσιάζονται στο xxx.out. TMAX είναι το μέγιστο βήμα για τους υπολογισμούς με το SPICE. Αν δεν καθοριστεί θα ληφθεί από το SPICE το ελάχιστο μεταξύ των TSTEP και (TSTEP-TSTART)/50. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί το ΤΜΑΧ για σιγουριά ότι το βήμα για τους υπολογισμούς είναι μικρότερο από το TSTEP παρουσίασης των αποτελεσμάτων. UIC σημαίνει χρήση των αρχικών συνθηκών. Αν υπάρχει το UIC τότε το SPICE δεν υπολογίζει το σημείο ηρεμίας πριν την μεταβατική ανάλυση. Τότε το SPICE κάνει το ένα από τα ακόλουθα δύο πράγματα: 1. Αν δεν υπάρχει η εντολή.ic χρησιμοποιεί τις αρχικές συνθήκες που δίνονται (για πυκνωτές, αυτεπαγωγές και ημιαγωγούς) ως το αρχικό σημείο για την ανάλυση συναρτήσει του χρόνου. 2. Αν υπάρχει η εντολή.ic θα χρησιμοποιήσει τις τάσεις των κόμβων στην εντολή.ic για να προσδιορίσει της αρχικές συνθήκες για τα διάφορα στοιχεία στο κύκλωμα..op (operating point) κάνει το SPICE να υπολογίσει το σημείο dc και να τυπώσει τα αποτελέσματα. Ο υπολογισμός γίνεται αυτόματα αν γίνεται ανάλυση AC ή όταν γίνεται μεταβατική ανάλυση, όμως τότε δεν τυπώνονται τα αποτελέσματα..tf Με αυτή την εντολή ελέγχου γίνεται ανάλυση τύπου Συνάρτησης Μεταφοράς (Transfer Function) για μικρά σήματα..tfoutputvar INPUTSCR OUTPUTVAR είναι η μεταβλητή εξόδου μικρού σήματος (τάση ή ρεύμα). INPUTSRC είναι η μεταβλητή εισόδου μικρού σήματος (τάση ή ρεύμα). Η εντολή ελέγχου.tf κάνει ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 9

10 ανάλυση συνάρτησης μεταφοράς μικρού σήματος dc και τυπώνει στο αρχείο εξόδου την τιμή της αντίστασης εισόδου (μέγεθος INPUTSCR) και της αντίστασης εξόδου (μέγεθος OUTPUTVAR) και επίσης την τιμή κάποιου είδους συνάρτησης μεταφορά όπως, ενίσχυση τάσης, ενίσχυση ρεύματος, διαντίσταση ή διαγωγιμότητα. Παραδείγματα:.TF V(5) VIN Εδώ έξοδος θα είναι η τάση στον κόμβο 5 και είσοδος θα είναι η πηγή τάσης που ορίζεται ως VIN. Η συνάρτηση μεταφοράς θα είναι η ενίσχυση τάσης..tf I(VIDRAIN) VGAIN Έξοδος θα είναι το ρεύμα δια της πηγής τάσης VEDRAIN ενώ είσοδος είναι η πηγή τάσης VGATE. Η συνάρτηση μεταφοράς είναι η διαγωγιμότητα..sens Γίνεται ανάλυση ευαισθησίας και βρίσκεται η ευαισθησία σε μικρά σήματα dc για μία ή περισσότερες μεταβλητές εξόδου ως προς κάθε παράμετρο του κυκλώματος..sens OV1 <OV2>... OV1 είναι η μεταβλητή εξόδου, όπως για παράδειγμα τάση κόμβων ή ρεύμα που διέρχεται μέσα από πηγή τάσης..disto Αυτή η εντολή χρησιμοποιείται μαζί με την εντολή.ac για να γίνει ανάλυση παραμόρφωσης..disto RLOAD INTER <SKW2 <REFPWR <SPW2>» To SPICE θα προσδιορίσει την παραμόρφωση μικρών σημάτων μαζί με την ανάλυση μονίμων φαινομένων ac για μικρά σήματα. RLOAD είναι το όνομα της αντίστασης εξόδου μέσα στην οποία θα υπολογιστεί όλη η ισχύς παραμόρφωσης. INTER είναι το διάστημα στο οποίο θα τυπωθεί μία περίληψη της συμβολής όλων των μη γραμμικών διατάξεων στην ολική παραμόρφωση. Αν δεν δοθεί το INTER ή του δοθεί τιμή μηδέν, τότε δεν γίνεται εκτύπωση περίληψης. Για παράδειγμα, αν INTER=2 θα γίνει περίληψη κάθε δεύτερη συχνότητα ανάλυσης ac. Η ανάλυση παραμόρφωσης γίνεται με μια ή δύο συχνότητες στην είσοδο. Έστω f 1 η συχνότητα της ανάλυσης ac, τότε η f 2 =SKW2*fi. Αν η SKW2 παραληφθεί τότε f 2 = 0,9 * f 1 (δηλαδή προκαθορισμένη τιμή για το SKW2 είναι το 0,9). REFPWR είναι η στάθμη ισχύος αναφοράς που χρησιμοποιείται για τον υπολογισμό της παραμόρφωσης. Αν δεν δοθεί τότε το REFPWR είναι ImW (0 dbmw). SPW2 είναι το πλάτος για τη συχνότητα f 2 αν παραληφθεί είναι SPW2=1. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 10

11 Η έξοδος που προκύπτει από την εντολή.disto περιέχει τα εξής, HD2, το πλάτος της δεύτερης αρμονικής της f 1, υποθέτοντας ότι δεν υπάρχει η f 2. HD3, το πλάτος της τρίτης αρμονικής της f 1 χωρίς την ύπαρξη της f 2. SIM2, το πλάτος της συνιστώσας (f 1 + f 2 ). DEM2, το πλάτος της συνιστώσας (f 1 - f 2 ). DEM3, το πλάτος της συνιστώσας (2f 1 - f 2 ).NOISE Μαζί με την εντολή.ac υπολογίζεται ο ισοδύναμος θόρυβος εξόδου και εισόδου σε καθορισμένα σημεία εισόδου και εξόδου..noise OUTPUTV INPUTSRC NUMSUM Με αυτή την εντολή γίνεται ανάλυση θορύβου μαζί με την ανάλυση ac μικρού σήματος μονίμου φαινομένου. OUTPUTV είναι μια τάση η οποία είναι το σημείο άθροισης εξόδου για το θόρυβο. INPUTSRC είναι το όνομα του μιας ανεξάρτητης πηγής τάσης ή ρεύματος που θα είναι η είσοδος θορύβου αναφοράς. NUMSUM είναι το διάστημα περίληψης, δηλαδή το διάστημα για το οποίο θα τυπωθεί περίληψη των συμβολών όλων των γεννητριών θορύβου. Αν δε δοθεί το NUMSUM ή γίνει μηδέν δεν δίνεται περίληψη. Αν NSUM = 5 (για παράδειγμα) τότε θα έχουμε περίληψη κάθε 5 η συχνότητα ανάλυσης ac. Παράδειγμα.NOISE V(2,3) VIN1 10 Αυτή η εντολή σημαίνει ότι θα γίνει ανάλυση μαζί με την ανάλυση ac. Θα γίνει περίληψη για εκτύπωση κάθε 10 η συχνότητα ac. Ο θόρυβος εξόδου θα μετριέται ως η διαφορά τάσης μεταξύ των κόμβων 2 και 3 και ο ισοδύναμος θόρυβος εισόδου θα αναφέρεται στην πηγή τάσης VIN1..FOUR Γίνεται ανάλυση Fourier μιας μεταβλητής εξόδου. Πρέπει να γίνεται μαζί με μεταβατική ανάλυση. Υπολογίζονται τα πλάτης και οι σχέσεις των πρώτων 9 αρμονικών μιας οριζόμενης θεμελιώδους καθώς και η συνιστώσα dc..four FREQ OV1 <OV2 OV3...> Πρέπει να υπάρχει.tran! Γίνεται προσδιορισμός των πλατών της dc και των πρώτων 9 συχνοτήτων μεταξύ των οποίων είναι και η θεμελιώδης. FREQ είναι η θεμελιώδης συχνότητα. OV1 είναι η μεταβλητή (εξόδου) στην οποία γίνεται η ανάλυση Fourier. Η ανάλυση δεν γίνεται σε όλο το χρονικό διάστημα του μεταβατικού φαινομένου αλλά στο χρονικό διάστημα από ( TSTART - (χρόνος μιας περιόδου)) μέχρι TSTOP. Γι' αυτό πρέπει το χρονικό διάστημα της μεταβατικής ανάλυσης να είναι τουλάχιστον 1/FREQ. Για να υπάρχει ικανοποιητική ακρίβεια πρέπει το μέγιστο βήμα χρόνου υπολογισμού (ΤΜΑΧ στο.tran) να τεθεί ίσο με (χρόνος μιας περιόδου) 7100 ή μικρότερο. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 11

12 Παράδειγμα.FOUR 50 V(6) I(VSOURCE) Σύμφωνα με αυτή την εντολή, θα γίνει ανάλυση Fourier για την τάση στον κόμβο 6 και επίσης για το ρεύμα δια μέσου της πηγής τάσης VSOURCE. Η θεμελιώδης συχνότητα είναι 50Ηz..TEMP Αυτή η εντολή λέει στο SPICE σε τι θερμοκρασία να κάνει ανάλυση του κυκλώματος..τεμρτκτ2<τ3...» Τα Τ1,Τ2,Τ3... είναι σε βαθμούς Κελσίου. Η ελάχιστη θερμοκρασία είναι -223,0 C. Χαμηλότερες θερμοκρασίες αγνοούνται. Η ονομαστική θερμοκρασία είναι ΤΝΟΜ=27 C, εκτός αν χρησιμοποιηθεί στην εντολή.options άλλη τιμή. Οι παράμετροι στα μοντέλα ημιαγωγών και αντιστατών που μεταβάλλονται με τη θερμοκρασία δίνονται στη θερμοκρασία ΤΝΟΜ. Παράδειγμα:.TEMP Ο Η ανάλυση θα γίνει σε θερμοκρασία 0 C, 25 C, 60 C και 100 C..IC Αυτή η εντολή μπορεί και καθορίζει αρχικές συνθήκες για την μεταβατική ανάλυση..ic V(NODENUM1) = VAL1 V(NODENUM2) = VAL2... NODENUM1 είναι κόμβος ( 0) και VAL1 είναι η τιμή της τάσης του κόμβου. Ανάλογα ισχύουν για NODENUM2 κτλ. Υπάρχουν δύο ερμηνείες της ανωτέρω εντολής που εξαρτώνται από την παράμετρο UIC στο.tran. 1) Αν υπάρχει η UIC στο.tran, τότε στον υπολογισμό των αρχικών συνθηκών για πυκνωτές, BJT, JFET και MOSFET χρησιμοποιούνται οι τιμές τάσεων των κόμβων που καθορίστηκαν στο.ic. Αυτό ισοδυναμεί με καθορισμό της παραμέτρου IC =... για κάθε μία διάταξη αλλά είναι πιο βολικό. Αν καθοριστεί η παράμετρος IC =... μίας διάταξης αυτό υπερτερεί των τιμών που καθορίζει η εντολή.ic για την ίδια διάταξη. Δεν γίνεται ανάλυση dc πριν την μεταβατική ανάλυση. Γι αυτό πρέπει να καθοριστούν οι τάσεις dc των πηγών με χρήση της 2) εντολής.ic αν αυτό χρειάζεται για να υπολογιστούν αρχικές συνθήκες της διάταξης. 3) Αν δεν υπάρχει το UIC στην εντολή.tran, τότε θα γίνει ανάλυση πόλωσης dc ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 12

13 (αρχική μεταβατική) πριν την μεταβατική ανάλυση. Οι τάσεις των κόμβων που καθορίζονται στην εντολή.ic θα αναγκαστούν να πάρουν τις επιθυμητές αρχικές τιμές πόλωσης, κατά την ανάλυση πόλωσης. Κατά την μεταβατική ανάλυση, δεν θα ληφθεί υπόψη αυτός ο περιορισμός για τους κόμβους..width: Η εντολή είναι, WIDTH IN = COLNUMIN OUT = COLNUMOUT Όπου COLNUMIN είναι ο αριθμός της τελευταίας στήλης του αρχείου εισόδου που διαβάζει το SPICE. Η εντολή εκτελείται αμέσως μετά την εισαγωγή της. Αυτό σημαίνει ότι πρέπει να γράφεται μετά τον τίτλο του αρχείου εισόδου. Το εύρος του αρχείου εξόδου είναι COLNUMOUT, οι επιτρεπτές τιμές είναι 80 και 133. Καλό είναι για να μην υπάρχουν προβλήματα με μερικούς υπολογιστές που έχουν σαν προκαθορισμένη τιμή τις 133 στήλες, κατά την παρουσίαση των αποτελεσμάτων στην οθόνη, να μπαίνει η εντολή ελέγχου.width OUT = 80 που περιορίζει το εύρος στους 80 χαρακτήρες..options: Υπάρχουν 32 δυνατότητες (options) που μπορούν να ορισθούν. Μεταξύ αυτών αναφέρουμε ενδεικτικά τη δυνατότητα για μεταβολή της προκαθορισμένης ονομαστικής θερμοκρασίας. ΤΝΟΜ=x μεταβάλει την ονομαστική θερμοκρασία. Η προκαθορισμένη τιμή της είναι 27 C..OPTIONS OPT1 ΟΡΤ2 ή και ΟΡΤ = ΟΡΤVAL... Παράδειγμα.OPTIONS TNOM=0 Η εντολή αυτή κάνει την ονομαστική θερμοκρασία 0 C..NODESET: Η εντολή είναι,.nodeset V(NODENUM1) = VAL1 V(NODENUM2) = VAL2... Όπου NODENUM είναι θετικός ακέραιος που δηλώνει κόμβο (όχι τον κόμβο 0) και VAL είναι η τάση αυτού του κόμβου. To SPICE θα κάνει την αρχική προσπάθεια να βρει λύση για ένα σημείο πόλωσης DC ή μεταβατικό, με τους κόμβους που ορίστηκαν κρατημένους στις τάσεις που δόθηκαν. Δεν χρειάζεται να δοθούν οι τάσεις σε όλους τους κόμβους. Κατόπιν αυτός ο περιορισμός αίρεται και το SPICE συνεχίζει προς τη σωστή λύση. Αυτή η εντολή μπορεί να είναι χρήσιμη σε ασταθή ή δισταθή κυκλώματα, όπου ο προγραμματιστής μπορεί να εικάσει τιμές για μερικούς κόμβους. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 13

14 1.6 Αντίσταση Rxxxxxx Nl N2 VALUE <TC=TC1<,TC2>> Αυτό παριστάνει τον αντιστάτη Rxxxxxx συνδεδεμένο μεταξύ των κόμβων Ν1 και Ν2. Η ονομαστική τιμή αντίστασης είναι η value, στην ονομαστική τιμή θερμοκρασίας (t nom ) Η τιμή της αντίστασης στη θερμοκρασία temp δίνεται από τον τύπο: VALUE(temp) = VALUE(t nom )* (1 + TC1*(temp-t nom ) + TC2 (temp-t nom ) 2 ) Δηλαδή τα TCI και TC2 είναι συντελεστές στη σχέση δευτέρου βαθμού που καθορίζει την εξάρτηση της αντίστασης από τη θερμοκρασία. Αν τα TC1 TC2 δεν δοθούν, θεωρούνται μηδέν. Παραδείγματα: Απλή περίπτωση: R Ε3 Αυτό σημαίνει ότι ο αντιστάτης R1 είναι συνδεδεμένος μεταξύ των κόμβων 5 και 11 και έχει τιμή 3,6x 10 3 Ω= 3600 Ω. 1.7 Πυκνωτής Cxxxxxx N+ Ν- VALUE <IC= INCOND > N1, N2 είναι οι κόμβοι όπου είναι συνδεδεμένος ο πυκνωτής. Ν+ είναι ο θετικός κόμβος και Ν- ο αρνητικός. ΙC είναι η τιμή τάσης στον πυκνωτή την χρονική στιγμή μηδέν και είναι προαιρετική. Αν έχει δοθεί τέτοια αρχική συνθήκη, λαμβάνεται υπόψη στην ανάλυση μόνο αν έχει συμπεριληφθεί στην εντολή ελέγχου.tran η δυνατότητα UIC (use initial conditions, χρησιμοποίησε αρχικές συνθήκες). Η εντολή.tran σημαίνει ανάλυση μεταβατικών φαινομένων (transient), μεταβατική ανάλυση. Παράδειγμα: C U IC=-1V Αυτό σημαίνει ότι ο πυκνωτής C15, είναι συνδεδεμένος μεταξύ του κόμβου 31 (θετικός ακροδέκτης) και του κόμβου 7 (αρνητικός ακροδέκτης). Η χωρητικότητα του είναι 15*10-6 F = 15 μf και ο πυκνωτής είναι αρχικά φορτισμένος σε τάση 1V με τον κόμβο 31 αρνητικό ως προς τον 7. Αν ο πυκνωτής δεν είναι γραμμικός και η χωρητικότητα του εξαρτάται από την τάση του, αυτό δηλώνεται με την εντολή: Cxxxxxx Ν+ Ν- POLY C0 C1 C2... <IC=INCOND> όπου C0, C1, C2...συντελεστές στο πολυώνυμο: C= C0 +C1*V +C2*V To C είναι σε farad και το V σε volt. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 14

15 1.8 Δίοδος Η εντολή για δίοδο διεπαφής έχει τη μορφή, Dxxxxxx N+ Ν- MODNAME <AREA> <OFF> <IC=VD> Dxxxxxx είναι το όνομα της διόδου. Ν+ είναι ο κόμβος όπου είναι συνδεδεμένη η «άνοδος» της διόδου και Ν- είναι ο κόμβος που είναι συνδεδεμένη η «κάθοδος». MODNAME είναι το όνομα του μοντέλου που χρησιμοποιείται στην εντολή ελέγχου.model. Οι προαιρετικές παράμετροι είναι, AREA - είναι ο συντελεστής επιφάνειας ο οποίος μας λέει πόσες δίοδοι του τύπου του μοντέλου MODNAME συνδέονται παράλληλα και φτιάχνουν τη δίοδο Dxxxxxx. OFF - αρχική συνθήκη του Dxxxxxx για την ανάλυση dc. IC=VD - κάνει το SPICE να χρησιμοποιήσει το VD ως αρχική συνθήκη για την τάση της διόδου αντί για την τάση ηρεμίας της διόδου, όταν γίνεται μεταβατική ανάλυση. Η γενική μορφή της εντολής για το μοντέλο διόδου διεπαφής είναι,.model MODNAME D <(PAR1=PVAL1 PAR2=PVAL2...)> MODNAME είναι το όνομα του μοντέλου που δώσαμε στη δίοδο σε κάποια εντολή στοιχείου κυκλώματος. To D δηλώνει ότι ο ημιαγωγός είναι δίοδος. PARxx = PVALxxx δίνει την τιμή στην κάθε παράμετρο από αυτές του Πίνακα 3. ΠΙΝΑΚΑΣ 3 Παράμετροι μοντέλου διόδου. # Σύμβολο Παράμετρος Μονάδες Προκαθορισμένες τιμές 1 IS saturation current A 1,0 X RS ohmic resistance Ω 0 3 Ν emission coefficient ΤΤ transit time s 0 5 CJO zero bias junction capacitance F 0 6 VJ junction potential V 1 7 Μ grading coefficient - 0,5 8 EG activation energy ev 1,11 9 ΧΤΙ saturation current - 3 temperature exponent 10 KF flicker noise coefficient AF flicker noise exponent FC coefficient for forward bias - 0,5 depletion capacitance formula 13 BV Reverse breakdown voltage V Infinite 14 IVB Current at breakdown voltage A 1,0 X 10-3 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 15

16 D1 7 9 H11 (εντολή στοιχείου διόδου)..model H11 D(RS=0.5 BV=400 IBV=50M) Οι εντολές αυτές δηλώνουν ότι, η δίοδος D1 είναι συνδεδεμένη μεταξύ των κόμβων Ν+ = 7 και Ν- = 9 και το μοντέλο έχει όνομα Η11. Η άνοδος είναι στο 7 και η κάθοδος στο 9. Το μοντέλο H11 λέει ότι η ωμική αντίσταση της διόδου είναι 0,5 Ω, η ανάστροφη τάση διάσπασης είναι 400 V και το ρεύμα στην ανάστροφη τάση διάσπασης είναι 50 ma 1.9 Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Η εντολή για διπολικό τρανζίστορ είναι, Qxxxxxx NC ΝΒ ΝΕ <NS> MODNAME <AREA><OFF><IC=VBE,VCE> To Q δηλώνει διπολικό τρανζίστορ. Qxxxxxx είναι το όνομα του τρανζίστορ. NC, ΝΒ και ΝΕ είναι οι κόμβοι όπου συνδεδεμένα αντίστοιχα ο συλλέκτης, η βάση και ο εκπομπός. MODNAME είναι το όνομα του μοντέλου που χρησιμοποιείται σε μια εντολή ελέγχου που λέγεται.model. Υπάρχουν και προαιρετικές παράμετροι που είναι, NS - δηλώνει τον κόμβο όπου είναι συνδεδεμένο το υπόστρωμα (substrate), αν δεν δίνεται τότε ισχύει προκαθορισμένη τιμή που είναι ο κόμβος 0. AREA - είναι ο συντελεστής επιφάνειας ο οποίος καθορίζει πόσα διπολικά τρανζίστορ (BJT) με μοντέλο το MODNAME τοποθετούνται παράλληλα για να φτιαχτεί ένα Qxxxxxx. OFF - αρχική συνθήκη για το Qxxxxxx για ανάλυση dc. ΙC = VBE, VCE - καθορισμός αρχικών συνθηκών, για χρήση με την δυνατότητα UIC της εντολής ελέγχου.tran. Αυτό δεσμεύει το SPICE να χρησιμοποιήσει ως αρχικές συνθήκες τα VBE, VCE αντιστοίχως για τις τάσεις βάσης-εκπομπού και συλλέκτη-εκπομπού, αντί για τις τάσεις διεπαφής του σημείου ηρεμίας όταν γίνεται μεταβατική ανάλυση. Η γενική εντολή για το μοντέλο διπολικού τρανζίστορ είναι,.model MODNAME NPN <(PAR1=PVAL1 PAR2=PVAL2...)> Παράδειγμα: Q SMALLSΙΗ.MODEL SMALLSΙΗ NPN (BF=140) Αυτές οι εντολές δηλώνουν ότι, το τρανζίστορ Q11 είναι διπολικό (BJT), έχει τον συλλέκτη στον κόμβο 4, τη βάση στον κόμβο 10 και τον εκπομπό στον 5. Το τρανζίστορ είναι ΝΡΝ με β=140. Αντί για NPN μπορεί να έχουμε ΡΝΡ. Υπάρχουν 40 παράμετροι (PAR με τιμές PVAL) για το τρανζίστορ. Βλέπε Πίνακα 4. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 16

17 ΠΙΝΑΚΑΣ 4 ( Modified Gummel-Poon BJT Παράμετροι) Παράμετροι μοντέλου διπολικού τρανζίστορ # 'Ονομα Παράμετρος Μονάδες Προκαθορισμένες τιμές 1 IS transport saturation current A 1,0 X BF ideal maximum forward beta NF forward current emission coefficient VAF forward early voltage V Infinite 5 IKF corner for forward beta high current rolloff A Infinite 6 ISE B-E leakage saturation current A 1,0 X ΝΕ B-E leakage emission coefficient - 1,5 8 BR Ideal maximum reverse beta NR reverse current emission coefficient VAR reverse Early voltage V Infinite 11 IKR corner for reverse beta high current roll-off A Infinite 12 ISC B-C leakage saturation current A 0 13 NC B-C leakage emission coefficient - 21,5 14 RB zero bias base resistance Ohms 0 15 IRB current where base resistance galls halfway to its min value A Infinite 16 RBM minimum base resistance at high currents Ohms RB 17 RE emitter resistance Ohms 0 18 RC collector resistance Ohms 0 19 CJE B-E zero-bias depletion capacitance F 0 20 VJE B-E built-in potential V 0,75 21 MJE B-E junction exponential factor - 0,33 22 TF ideal forward transit time sec 0 23 XTF coefficient for bias dependence of TF VTF voltage describing VBC dependence of TF V Infinite 25 IRF high-current parameter for effect of TF A 0 26 PRF excess phase at freq=l,0/(tf*2pi)hz deg 0 27 CJC B-C zero-bias depletion capacitance F 0 28 VJC B-C built-in potential V 0,75 29 MJC B-C junction exponential factor - 0,33 30 XCJC fraction of B-C depletion capacitance connected to interval base node TR ideal reverse transit time Sec 0 32 CJS zero-bias collector-substrate capacitance F 0 33 VJS substrate junction built-in potential V 0,75 34 MJS substrate junction exponential factor ΧΤΒ forward and reverse beta temperature exponent EG energy gap for temperature effect on IS EV 1,11 37 ΧΤΙ temperature exponent for effect on IS KF flicker-noise coefficient AF flicker-noise exponent - 1 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 17

18 40 FC coefficient for forward-bias depletion capacitance formula - 0, Πηγή τάσης: Vxxxxxx Ν+ Ν- <<DODC/TRAN-VALUE><AC<ACMAG<ACPHASE>>> <TRANKIND (TPAR1 TPAR2...)>> To N+ και το Ν- σημαίνει ότι θετικό ρεύμα ρέει από τον κόμβο Ν+ προς τον κόμβο Ν- μέσα από την πηγή. Τα άλλα σύμβολα είναι γενικά προαιρετικά. To DC μετά τα Ν+ και Ν- σημαίνει ότι η τάση είναι σταθερή με το χρόνο. To DC/TRAN-VALUE καθορίζει το μέγεθος (VALUE) της πηγής για την οποία θα γίνει ανάλυση DC και μεταβατική ανάλυση. Αν είναι μηδέν μπορεί να μην δοθεί καθόλου. To AC σημαίνει αρμονική εξάρτηση με τον χρόνο. Το πλάτος και η φάση σε αυτή την περίπτωση είναι ACMAG και ACPHASE (σε μοίρες). Τα ACMAG και ACPHASE μπορεί να παραληφθούν οπότε το ACMAG έχει την προκαθορισμένη τιμή 1 V και το ACPHASE την τιμή μηδέν. Επιπλέον, μόνο για μεταβατική ανάλυση, μία ανεξάρτητη πηγή μπορεί να περιγράφεται με μία από τις 5 συναρτήσεις του χρόνου, 5 δυνατότητες, (TRANKIND): pulse, sinusoidal, exponential, piece wise linear ή μοναδικής συχνότητας FM Οι δύο συναρτήσεις του χρόνου που μας ενδιαφέρουν είναι οι εξής: 1. PULSE. Ένας μοναδικός παλμός ή τρένο παλμών με χρόνο ανόδου και χρόνο καθόδου που μπορούν να καθοριστούν. Vxxxxxx N+ N- PULSE (V1 V2 TD TR TF PW PER) Αυτή η εντολή δείχνει τη χρήση του PULSE για ανεξάρτητες πηγές τάσης και ρεύματος. V1 αρχική τιμή σε volt ή ampere (η τιμή πρέπει να καθοριστεί), V2 τελική τιμή σε volt ή ampere (η τιμή πρέπει να καθοριστεί), TD Χρονική καθυστέρηση (η προκαθορισμένη τιμή, default, είναι 0) σε second, TR χρόνος ανόδου (η προκαθορισμένη τιμή είναι tstep) σε second, TF χρόνος καθόδου (η προκαθορισμένη τιμή είναι tstep) σε second, PW εύρος παλμού (η προκαθορισμένη τιμή είναι tstop) σε second, PER περίοδος (η προκαθορισμένη τιμή είναι tstop) σε second. Τα TSTEP και TSTOP αναφέρονται στα μεγέθη του βήματος και τελικού χρόνου για την μεταβατική ανάλυση και καθορίζονται με την εντολή.tran TSTEP TSTOP. Βλέπε Σχήμα 1. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 18

19 2. SIN. Αρμονική με τον χρόνο εξάρτηση όπου το ξεκίνημα μπορεί να γίνει μετά από καθυστέρηση από το μηδέν. Μπορεί να έχει και εξάρτηση φθίνουσα (αρμονική) με τον χρόνο. Η χρήση για ανεξάρτητες πηγές είναι: Vxxxxxx N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA) V0 απόκλιση (offset) σε volt ή ampere (η τιμή πρέπει να καθοριστεί), VA πλάτος σε volt ή ampere (η τιμή πρέπει να καθοριστεί), FREQ συχνότητα (η προκαθορισμένη τιμή είναι 1/TSTOP) σε Hz, TD καθυστέρηση (η προκαθορισμένη τιμή είναι 0) σε second, ΤΗΕΤΑ συντελεστής απόσβεσης (η προκαθορισμένη τιμή είναι 0) σε 1/s. Βλέπε Σχήμα 2. Τα TSTEP και TSTOP βρίσκονται στην εντολή.tran TSTEP TSTOP και είναι το βήμα και ο μέγιστος χρόνος της μεταβατικής ανάλυσης. Γενικά ισχύει για t TD ισχύει V = V0 και για t TD έχουμε V = V0 + VA * exp( -(t-td) * theta) * sin (2 * π *freq * (t - TD )) ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 19

20 2.1 ΠΥΛΗ Nand ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΟ ΜΕΡΟΣ 2. ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ 1) Ανοίξτε ένα νέο αρχείο PSPICE με όνομα Nand7400.cir και πληκτρολογήσατε σε ένα text editor τον κώδικα του παρακάτο κυκλώματος. 2) Υπολογίστε τις τάσεις και τα ρέυματα στους κόμβους του κυκλώματος. 3) Ζητήσατε την DC χαρακτηριστική μεταφοράς μεταξύ των σημάτων εξόδου (V8) και εισόδου (V1) 4) Επίσης ζητήσατε την Transient ανάλυση. 5) Πόση είναι η κατανάλωση του κυκλώματος; ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 20

21 Το Input File του παραπάνω κυκλώματος. STANDARD 7400 TTL INPUT VCC 3 0 DC 5V VIN 1 0 PULSE (0V 5V 0S 2NS 2NS 50NS 100NS) RB 3 2 4K RC K RCP RD 5 0 1K DP 7 8 METAB1 DC 0 1 METAB1.MODEL METAB1 D (CJO=0.5PF) Q METAB2 QS METAB2 QP METAB2 QO METAB2. MODEL METAB2 NPN (BF=100 VA=80 IS=1E-14 VA=80 + RB=100OHM RC=2OHM CJC=2PF CJE=4PF).DC VIN 0V 5V 0.1V.PLOT DC V (8).TRAN 1NS 125NS.PLOT TRAN V(1) V(8).END ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 21

22 2.2 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΕΝΟΣ BIPOLAR TRANSISTOR 1) Ανοίξτε ένα νέο αρχείο PSPICE με όνομα Bipolar.cir και πληκτρολογήστε το Input File του παρακάτω κυκλώματος. 2) Το PSPICE θα υπολογίσει τις τάσεις και τα ρεύματα στους κόμβους 0,1,2, και 3. 3) Παρατηρήστε στην DC ανάλυση, το σμήνος των χαρακτηριστικών του τρανζίστορ, ζητώντας να σχεδιάσει τα ρεύματα I(VM). 1 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 22

23 4) ακολουθεί το Input File του κυκλώματος Bipolar transistor characteristics.model Q2N2222 NPN IS=3f VAF=140 BF=250 VAR=60 BR=7 + TR=50n TF=450p VTF=10 XTF=2 ITF=.1 NF=1.0 NR=1.1 NE= NC=2 ISE=150f ISC=100f NK=0.9 IKF=20m IKR=5m RB=50 RC=10 + RE=0.2 CJC=15p VJC=.75 MJC=.45 FC=.5 CJE=25p VJE=.75 + MJE=.33 XTI=3 XTB=1.5 EG=1.11 IB 0 1 VC 3 0 VM 3 2 QA Q2N2222.DC VC 0 5V 0.05V IB 10U 100U 10U.PRINT DC I(VM).END ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 23

24 2.3 ΑΝΑΣΤΡΕΦΩΝ ΚΑΙ ΜΗ ΑΝΑΣΤΡΕΦΩΝ Τ.Ε ΙΔΑΝΙΚΟΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1) Ανοίξτε ένα καινούργιο αρχείο στο spice και πληκτρολογείστε το input file του κυκλώματος του παρακάτω σχήματος. 2) Το Spice θα υπολογίσει τις τάσεις και τα ρεύματα σε όλους του κόμβους 3) Η V(3) είναι η τάση εξόδου του αναστρέφοντα τελεστικού ενισχυτή, ενώ η V(6) είναι η τάση εξόδου του μη αναστρέφοντα. 3) Επιβεβαιώστε τη συμπεριφορά του κυκλώματος. 4) Παρατηρήστε την transient ανάλυση την αναστροφή και τη μη αναστροφή, αλλάζοντας την αντίστοιχη γραμμή στο input file. Σε αυτό το κύκλωμα που είναι 2 σε 1, δηλαδή σε ένα πρόγραμμα SPICE είναι καταχωρημένα και τα δύο σχήματα, πρέπει έξοδος να ενισχύεται σύμφωνα με τους παρακάτω τύπους: R1 out V IN 1 R = για τον αναστρέφων Τ.Ε. 2 R3 out = 1 + VIN 2 R για τον μη αναστρέφων Τ.Ε. 4 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 24

25 Ο ΚΩΔΙΚΑΣ ΤΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ inverting and non-inverting amplifiers.subckt AMP RIN 1 2 1MEG ROUT 3 4 1K E MEG.ENDS AMP VIN1 1 0 DC 1V VIN2 4 0 DC 1V R K R K R K R K X AMP X AMP.TF V(3)VIN1 *.TF V(6) VIN2.OP.TRAN END 2.4 ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ Παρακάτω έχουμε ένα κύκλωμα Ενισχυτή Κοινού Εκπομπού με πυκνωτή στον Εκπομπό που επιτρέπει τη διέλευση των εναλλασσόμενων σημάτων προς τη γη χωρίς να περνούν από την αντίσταση RE. Αυτό συνεπάγεται μια ελαφρώς μεγαλύτερη ενίσχυση αλλά με λιγότερο εύρος σε σχέση με αυτόν χωρίς τον πυκνωτή CE. Σχήμα Ενισχυτή Κοινού Εκπομπού με πυκνωτή C E ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 25

26 1. Να γίνει transit ανάλυση του κυκλώματος V in και V out με και χωρίς τον πυκνωτή CE 2. Εύρεση του AV, με και χωρίς τον πυκνωτή CE 3. Γιατί και πώς διαφέρουν. Η V IN είναι γεννήτρια ημιτονικού σήματος από 0 έως 1MV και συχνότητας 1ΚΗΖ Τα χαρακτηριστικά για spice ανάλυση του τρανζίστορ Q είναι : IS=1.9E-14 BF=150 VAF=100 IKF=.175 ISE=5E-11 NE=2.5 + BR=7.5 VAR=6.38 IKR=.012 ISC=1.9E-13 NC=1.2 RC=.4 + XTB=1.5 CJE=26PF TF=.5E-9 CJC=11PF TR=30E-9 KF=3.2E-16 + AF= ΚΥΚΛΩΜΑ ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΥ ΔΥΟ ΠΥΛΩΝ 1) Οι γεννήτριες V1,V2 είναι πυγές τετραγωνικού παλμού ψηφιακού σήματος 1 και 0 δηλ. 5V. 2) Τα χαρακτηριστικά για spice ανάλυση των διόδων (ίδιες) είναι : IS=1E-14 CJO=30p VJ=0.8 TT=1n RS=5 M=0.5 BV=50 IBV=2m 3) Οι γεννήτριες πρέπει να εναλλάσσονται με τέτοιο τρόπο ώστε να υλοποιούν και τα τέσσερα ψηφιακά επίπεδα. 4) Ζητείτε η transit ανάλυση του κυκλώματος. 5) Ποιες λογικές πύλες πραγματοποιεί το κύκλωμα; ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 26

27 3 MICROWIND ΜΕΡΟΣ ΔΕΥΤΕΡΟ 3.1 Γενικά για το Microwind: Το Microwind είναι ένα πρόγραμμα που αναπτύχθηκε από ένα Γαλλικό πανεπιστήμιο (INSA) λαμβάνοντας υπόψη τις ανάγκες εκπαίδευσης των άλλων πανεπιστημίων παγκόσμια Το πρόγραμμα Microwind επιτρέπει στον φοιτητή να σχεδιάσει και να εξομοιώσει ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα σε μια περιγραφή φυσικού επιπέδου. Το πακέτο αυτό περιέχει μια βιβλιοθήκη από συνήθη λογικά και αναλογικά ολοκληρωμένα κυκλώματα για επίδειξη και εξομοίωση. Επίσης περιλαμβάνει όλες τις εντολές για ένα editor κατασκευής μάσκας. Η εξαγωγή των ηλεκτρικών χαρακτηριστικών γίνεται αυτόματα και ο αναλογικός εξομοιωτής παράγει αμέσως τις καμπύλες τάσης, ρεύματος. Περιλαμβάνει επίσης και τα αρχικά εργαλεία που έχουν μαζευτεί ποτέ πριν σε μια ενιαία ενότητα (2D και 3D διαδικασίας, μεταγλωττιστή VERILOG ή βοήθημα στις συσκευές MOS). Μπορείτε να αποκτήσετε πρόσβαση στην προσομοίωση κυκλωμάτων (η οποία περιλαμβάνει την αξιολόγηση καθυστέρησης και κατανάλωσης ισχύος) με το πάτημα ενός πλήκτρου. (Το πάτημα ενός και μόνο κουμπιού για όλες τις προσομοιώσεις και τις αναλύσεις που χρειάζονται, επιτρέπουν στους εκπαιδευτικούς να επικεντρωθούν στη διδασκαλία των πραγματικών πτυχών σχεδίου από το να σπαταλάνε το χρόνο τους διδάσκοντας τις διαδικασίες σύνταξης.). Η ηλεκτρική εξαγωγή του κυκλώματός, εκτελείται αυτόματα και ο αναλογικός προσομοιωτής παράγει την τάση και τις τρέχουσες καμπύλες αμέσως. Μας παρέχει επίσης τη δυνατότητα να δούμε και τρισδιάστατα (3D) σχέδια, όχι μόνο 2D. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 27

28 Το λογισμικό MICROWIND περιλαμβάνει τις ακόλουθες ενότητες: nanolambda: Εργαλείο σχεδιαγράμματος ακρίβειας CMOS μέχρι 90nm DSCH: Σχηματικός συντάκτης και προσομοιωτής VirtuosoFab: Αγγίξτε τη βαθιά υπό-τεχνολογία PROthumb μικρού: Μικτή προσομοίωση και ανάλυση PROtutor σημάτων: Ειδική πανεπιστημιακή έκδοση με τα ενισχυμένα χαρακτηριστικά γνωρίσματα MEMsim κατάρτισης: Μη πτητικοί επιπλέοντες προσομοιωτές μνήμης πυλών Υπάρχουν διάφορες εκδόσεις Microwind. Μια πρώτη ματιά για το πώς είναι το περιβάλλον του Microwind, φαίνετε παρακάτω. Αν και αυτό είναι το περιβάλλον του Microwind2 δεν υπάρχουν σημαντικές διαφορές με το Microwind3, με το οποίο και θα ασχοληθούμε στις επόμενες σελίδες. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 28

29 3.2 ΕΝΤΟΛΕΣ ΤΟΥ MICROWIND: File New Open Insert Import CIF Save/Save As Convert Into Select Foundry Colors Properties Print Layout Leave Microwind View Refresh Unselect All View All Zoom In/Out View Node Mos List Label List Navigator Window Palette Window Simulation Icons Edit Undo Cut Copy Paste Move Area or Stretch Move Step by Step Flip & Rotate Protect/Unprotect All Generate Virtual RLC Duplicate XY Connect Layers Draw Box Measure Distance Simulate Run simulation Using model Simulation on Layout With crosstalk Simulation parameters UV Exposure MOS characteristics Process section in 2D Process steps in 3D Compile Compile one line Compile Verilog File Analysis Design Rule Checker Parametric Analysis Find Floating Nodes Measure Distance Resonant Frequency Interconnect Analysis with FEM Help About Microwind Design Rules Reference Manual Getting Started : Για να ξεκινήσει το πρόγραμμα MICROWIND, χρησιμοποιήστε την ακόλουθη διαδικασία: Τοποθετήστε το CD-ROM MICROWIND στην συσκευή. Κάτω από τα παράθυρα 95/NT, κάντε click στην έναρξη εκτέλεση (ή Start Execute). Πληκτρολογείστε D:install και πιέστε ENTER. Διπλό click στην εικόνα Microwind για να αρχίσει το λογισμικό. Η γραμμή εντολής μπορεί να περιλάβει δύο παραμέτρους. Η πρώτη παράμετρος είναι το αρχείο μασκών προεπιλογής που φορτώνεται στην αρχή. Η δεύτερη παράμετρος είναι το αρχείο κανόνα σχεδίου που φορτώνεται επίσης στην αρχή. Μπορείτε να προγραμματίσετε την εικόνα Microwind με ένα δεξί click και έπειτα "Properties". ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 29

30 3.3 FILE MENU: New (File menu): Επιλέγουμε click στο File New προκειμένου να επανεκκινηθεί το λογισμικό σε μια κενή οθόνη. Το τρέχον σχέδιο πρέπει να σωθεί πρώτου εκτελέσετε αυτήν την εντολή, μιας και όλες οι γραφικές πληροφορίες θα χαθούν φυσικά από τη μνήμη του υπολογιστή. Καμία εντολή Undo δεν είναι διαθέσιμη για να θέσει εκτός λειτουργίας τη νέα εντολή. Open (File Menu) : Εκτελώντας αυτή την εντολή έχουμε φόρτωση του επιθυμητού αρχείου. ".MSK" είναι η επέκταση προεπιλογής που αντιστοιχεί στα αρχεία σχεδιαγράμματος. Μπορούμε να φορτώσουμε και CIF αρχεία ".CIF". Σε περίπτωση που έχουμε αρχείο CIF καλούμε ένα συγκεκριμένο πρόγραμμα το μετασχηματίζει το αρχείο CIF σε MSK σχήμα. Insert (File Menu) : Η εντολή File Insert χρησιμοποιείται για να προσθέσει ένα αρχείο σχεδιαγράμματος MSK στα υπάρχοντα αρχεία. Το σχεδιάγραμμα δημιουργείται στη δεξιά χαμηλότερη πλευρά του υπάρχοντος σχεδιαγράμματος. Το τρέχον όνομα αρχείων παραμένει αμετάβλητο. Import CIF (File Menu) : Η εντολή File Import CIF (επαγγελματική έκδοση) ή File Open (with type "CIF file") μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να εισαγάγει μια CIF περιγραφή σχεδιαγράμματος, που παράγεται από ένα άλλο εργαλείο σχεδιαγράμματος όπως: CADENCE, MENTOR, ZUKEN κ.λ.π. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 30

31 Το κεντρικό αρχείο πρέπει να περιέχει την σχέση μεταξύ των στρωμάτων Microwind και των CIF στρωμάτων. Στο.RUL αρχείο, η CIF σύνταξη περιγραφής είναι η ακόλουθη: "CIF <Microwind layer> <import CIF layer> <overetch>". Στο παράδειγμα κατωτέρω, το Microwind στρώμα "metal" περιγράφεται ως "mtl1" στο CIF αρχείο. Όλα τα metal boxes επαναταξινομούνται με ένα αρνητικό 0,01µm όταν εισάγονται από CIF αρχείο, και με θετικό 0.01µm κατά την παραγωγή CIF αρχείου για να εξαγάγουμε το σχεδιάγραμμα. Το overetch χρησιμοποιείται κυρίως στην περίπτωση των επαφών, δεδομένου ότι ο βασικός κανόνας 2 λάμδα για το πλάτος επαφών έχει κρατηθεί τυποποιημένος για όλες τις τεχνολογίες. Παράδειγμα: cif metal mtl Save/Save as (File Menu) : Κάντε click στο File Save για να σώσετε το σχεδιάγραμμα με το τρέχον όνομά του. Το όνομα προεπιλογής είναι "όνομα.msk". Στην περίπτωση "Save As ", ένα νέο παράθυρο εμφανίζεται, στο οποίο πρόκειται να εισαγάγετε το όνομα σχεδίου. Χρησιμοποιήστε το πληκτρολόγιο και δακτυλογραφήστε το επιθυμητό όνομα αρχείων. Πιέστε " Save ". Το σχέδιό σας καταχωρείται τώρα μέσα στο παράρτημα.msk. Convert into (File Menu) : Τo Microwind μετατρέπει τα στοιχεία σχεδιαγράμματος CIF χρησιμοποιώντας μια συγκεκριμένη διεπαφή, επικαλούμενο το "File Convert Into CIF layout file". Το CIF αρχείο μπορεί να εξαχθεί στο λογισμικό CAD VLSI. Ο σωστός πίνακας της οθόνης δίνει την σχέση μεταξύ των στρωμάτων Microwind και CIF, τον αριθμό κιβωτίων στο σχεδιάγραμμα και την αντιστοιχία over-etch. Το overetch χρησιμοποιείται για να τροποποιήσει το τελικό μέγεθος των CIF κιβωτίων, προκειμένου να ισχύουν οι ακριβείς κανόνες σχεδίου. Κάντε click στο " Convert to CIF " να αρχίσετε τη μετατροπή. Μερικά μέρη του αποτελέσματος εμφανίζονται στο αριστερό παράθυρο. Η κύρια μονάδα είναι 1nm. Μπορείτε να το αλλάξετε για να επαληθεύονται οι απαιτήσεις του εργαλείου CAD tools. Για το αρχείο κανόνα CMOS 0.25μm (cmos025.rul), παρατηρήστε το overetch που εφαρμόζεται για να έρθει σε επαφή και αντίστροφα. Αυτό το overetch είναι υποχρεωτικό να υπακούσει τους τελικούς κανόνες σχεδίου, κρατώντας το φιλικό προς το χρήστη. Το Microwind μπορεί επίσης να μετατρέψει τα στοιχεία σχεδιαγράμματος σε ένα SPICE netlist χρησιμοποιώντας την εντολή "File Convert Into SPICE netlist". Το σχέδιό σας είναι έπειτα μεταφρασμένο σε μια συμβατή περιγραφή SPICE. Ο εξαγωγέας κυκλωμάτων που περιλαμβάνεται στο λογισμικό, παράγει το ισοδύναμο διάγραμμα κυκλωμάτων του σχεδιαγράμματος και ένα συμβατό SPICE netlist έτοιμο για προσομοίωση. Μπορείτε να επιλέξετε το πρότυπο που θα χρησιμοποιείτε για την προσομοίωση. Οι δυνατές επιλογές είναι: model 1, model 3 και model 9. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 31

32 Η SPICE περιγραφή περιλαμβάνει τον κατάλογο n-channel και p-channel κρυσταλλολυχνιών (transistor) και τα σχετικά πλάτη & μήκη τους που εξάγονται από το σχεδιάγραμμα. Το αρχείο κειμένων απαριθμεί επίσης τα ονόματα κόμβων, τις παρασιτικές χωρητικότητες, και τα πρότυπα συσκευών. Το SPICE όνομα αρχείου αντιστοιχεί στο τρέχον όνομα αρχείου με το παράρτημα.cir Select Foundry (File menu): Επιλέγοντας File -> Select Foundry. Ο κατάλογος διαθέσιμων διαδικασιών εμφανίζεται.ο προεπιλεγμένος κανόνας σχεδίασης γράφεται με έντονους χαρακτήρες. Οι διάφορες τεχνολογίες είναι διαθέσιμες από 1.2µm - 0,05μm. Επιλέγοντας άλλον κανόνα σχεδίασης το λογισμικό προσαρμόζεται στους νέους κανόνες. Λιθογράφια Έτος Στρώσεις Core Core Chip size Input/output Kανόνας Μετάλλου supply Oxide (mm) pads σχεδίασης (V) (nm) 1.2µm x5 250 Cmos12.rul 0.7µm x7 350 Cmos08.rul 0.5µm x Cmos06.rul 0.35µm x Cmos035.rul 0.25µm x Cmos025.rul 0.18µm x Cmos018.rul 0.12µm x Cmos012.rul 90nm x Cmos90n.rul 65nm x Cmos65n.rul Colors (File Menu) : Αλλαγή σε μονοχρωματικό: το σχέδιο υλοποιείται από μαύρο και άσπρο. Αυτός ο τύπος σχεδίου είναι κατάλληλος να χτιστεί μονοχρωματική τεκμηρίωση. Πιέστε "Alt" + "Print" για να αντιγράψει την οθόνη στην περιοχή αποκομμάτων. Κατόπιν, ανοίξτε το Word, και πιέστε "Edit Paste". Η οθόνη παρεμβάλλεται στο έγγραφο. Άσπρο υπόβαθρο. Τα στρώματα εμφανίζονται με μια παλέτα χρωμάτων, με άσπρο υπόβαθρο. Properties (File Menu) : Το File Properties παρέχει κάποιες πληροφορίες για την τρέχουσα τεχνολογία, το ποσοστό της μνήμης που χρησιμοποιείται από το σχεδιάγραμμα και το μέγεθος του σχεδιαγράμματος συν το λεπτομερές περιεχόμενό της. Εάν το σχεδιάγραμμα έχει εξαχθεί προηγουμένως ή εάν πατήσετε "extract now ", ο αριθμός συσκευών και κόμβων θα ενημερωθεί. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΥΤΟΜΑΤΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ VLSI Σελ 32

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ SPICE/PSpice ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ SPICE/PSpice ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ SPICE/PSpice ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ Εμμ. Δρης, Καθηγητής, Σ. Μαλτέζος, Λέκτορας Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών Ε.Μ. Πολυτεχνείο Αθήνα 2003 2 ΕΙΣΑΓΩΓΗ

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 1. Εργαλεία εξομοίωσης, SPICE, αρχεία περιγραφής κυκλωμάτων (netlist) (Παρ. 3.4, σελ 152-155) 2. To transistor ως διακόπτης, πύλη διέλευσης. (Παρ

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας

Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΥ 130 : Ψηφιακή σχεδίαση Βόλος 2015 1 Εισαγωγή Το Multisim είναι ένα ολοκληρωμένο περιβάλλον προσομοίωσης της συμπεριφοράς

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1. Όργανα εργαστηρίου, πηγές συνεχούς τάσης και μετρήσεις

Άσκηση 1. Όργανα εργαστηρίου, πηγές συνεχούς τάσης και μετρήσεις ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 1 Όργανα εργαστηρίου, πηγές συνεχούς τάσης και μετρήσεις Στόχος Η άσκηση είναι εισαγωγική και προσφέρει γνωριμία και εξοικείωση

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ανάλυση κυκλωμάτων με το πρόγραμμα ORCAD PSPICE- LITE EDITION

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ανάλυση κυκλωμάτων με το πρόγραμμα ORCAD PSPICE- LITE EDITION Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Ανάλυση κυκλωμάτων με το πρόγραμμα ORCAD PSPICE- LITE EDITION Αικατερίνη Ραμμογιαννοπούλου, M.Sc. Πάτρα 2005 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΤΟ

Διαβάστε περισσότερα

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100) ΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου Κέρδος ρεύµατος Το διπολικό τρανζίστορ χαρακτηρίζεται από το κέρδος ρεύµατος που ορίζεται ως ο λόγος του ρεύµατος στο συλλέκτη προς το ρεύµα στη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES PART NUMBER NE6858 NE6859 NE6850 NE685 NE6859/9R EIAJ REGISTERED NUMBER SC505 SC500 SC959 SC955 SC957 PACKAGE OUTLINE 8 9 0 9 SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ Ι Εργαστήριο 1 MATLAB ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 1. Θέμα εργαστηρίου: Εισαγωγή στο MATLAB και στο Octave

ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ Ι Εργαστήριο 1 MATLAB ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 1. Θέμα εργαστηρίου: Εισαγωγή στο MATLAB και στο Octave ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 1 Θέμα εργαστηρίου: Εισαγωγή στο MATLAB και στο Octave Περιεχόμενο εργαστηρίου: - Το περιβάλλον ανάπτυξης προγραμμάτων Octave - Διαδικασία ανάπτυξης προγραμμάτων MATLAB - Απλά

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ PSPICE ΣΕ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ DOS

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ PSPICE ΣΕ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ DOS ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ PSPICE ΣΕ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ DOS ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Η ΙΣΤΟΡΙΑ ΤΟΥ SPICE Η ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΤΟΥ SPICE ΜΟΡΦΕΣ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΟΝΟΜΑΤΟΛΟΓΙΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΩΝ ΑΝΟΙΓΟΝΤΑΣ ΤΟ SPICE ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ Εισαγωγή Τα τελευταία χρόνια

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI. Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI. Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ ΦΕΒΡΟΥΑΡΙΟΣ 2011 ΠΡΟΛΟΓΟΣ Στο φυλλάδιο αυτό περιλαμβάνονται οι ασκήσεις του Eργαστηρίου

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΘΕΩΡΙΑ Οι ασκήσεις 3 και 4 αφορούν τον αντιστροφέα CMOS, ο οποίος είναι η απλούστερη αλ α ταυτόχρονα και σημαντικότερη πύλη για την κατανόηση της λειτουργίας των Ολοκληρωμένων

Διαβάστε περισσότερα

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ η κατανόηση της αρχής λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Σχεδίαση layout και προσομοίωση κυκλώματος με το πρόγραμμα MICROWIND

Εργαστηριακή άσκηση. Σχεδίαση layout και προσομοίωση κυκλώματος με το πρόγραμμα MICROWIND Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη της Κατανάλωσης Ενέργειας και Φυσικός Σχεδιασμός Πυλών CMOS Πολύπλοκης Λογικής Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών) Σχεδιασμός και Προσομοίωση Βασικών Κυκλωμάτων Τεχνολογίας CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind Σκοπός: η

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ 1 Σκοπός Στην άσκηση αυτή μελετάται η συμπεριφορά ενός κυκλώματος RLC σε σειρά κατά την εφαρμογή εναλλασσόμενου ρεύματος. Συγκεκριμένα μελετάται η μεταβολή

Διαβάστε περισσότερα

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου ΙΙ Γιώργος Σούλτης 167

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου ΙΙ Γιώργος Σούλτης 167 Προσομοίωση πραγματικών συστημάτων στο MATLAB Είδαμε μέχρι τώρα πως μπορούμε να υπολογίσουμε την συνάρτηση μεταφοράς σε πραγματικά συστήματα. Ο υπολογισμός της συνάρτησης μεταφοράς στη ουσία είναι η «γραμμικοποίηση»

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

DISCONTINUED NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION

DISCONTINUED NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION FEATURES DESCRIPTION NF (db) Noise Figure,..0..0. NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 0 GHz LOW NOISE FIGURE:.7 db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:. db at GHz

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση

Διαβάστε περισσότερα

ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΑΡΧΕΙΟΥ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΒΙΒΛΙΟΘΗΚΩΝ

ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΑΡΧΕΙΟΥ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΒΙΒΛΙΟΘΗΚΩΝ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΜΑΖΙ ΜΕ ΤΟ ΒΙΒΛΙΟ ΤΟΥ SEDRA-SMITH ΔΙΝΕΤΑΙ ΕΝΑ CD ΠΟΥ ΠΕΡΙΕΧΕΙ ΤΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ PSPICE, ΑΝΟΙΓΟΥΜΕ ΤΟ CD (ΑΝΟΙΓΜΑ, ΟΧΙ ΑΥΤΟΜΑΤΗ ΕΚΤΕΛΕΣΗ) ΠΗΓΑΙΝΟΥΜΕ ΣΤΟ ΦΑΚΕΛΟ ORCAD ΚΑΙ ΕΚΤΕΛΟΥΜΕ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed. Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά

Διαβάστε περισσότερα

NE680 SERIES. from this datasheet are not NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION

NE680 SERIES. from this datasheet are not NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION SILICON TRANSISTOR NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 0 GHz LOW NOISE FIGURE:.7 db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:. db at GHz 8.0 db

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 00 (CHIP) 35 (MICRO-X)

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 00 (CHIP) 35 (MICRO-X) FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 8 GHz LOW NOISE FIGURE:. db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 5 db at GHz db at GHz LOW COST DESCRIPTION The NE68 series of NPN epitaxial silicon transistors

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 6. Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς

ΑΣΚΗΣΗ 6. Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς ΑΣΚΗΣΗ 6 Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς Σκοπός : Να μελετήσουμε το φαινόμενο του συντονισμού σε ένα κύκλωμα που περιλαμβάνει αντιστάτη (R), πηνίο (L) και πυκνωτή (C) συνδεδεμένα σε σειρά (κύκλωμα

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 0. Κύκλωμα - Όργανα

ΑΣΚΗΣΗ 0. Κύκλωμα - Όργανα ΑΣΚΗΣΗ 0 Κύκλωμα Όργανα ΤΙ ΧΡΕΙΑΖΟΜΑΣΤΕ: Ένα τροφοδοτικό GP 4303D, δύο πολύμετρα FLUKE 179 ένα λαμπάκι πυρακτώσεως, ένα πυκνωτή και καλώδια. ΣΚΟΠΟΣ: α) Να μάθουμε να φτιάχνουμε ένα κύκλωμα στον πάγκο β)

Διαβάστε περισσότερα

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες)

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες) Q2-1 Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες) Παρακαλείστε να διαβάσετε τις Γενικές Οδηγίες στον ξεχωριστό φάκελο πριν ξεκινήσετε το πρόβλημα αυτό. Εισαγωγή Τα δισταθή μη γραμμικά ημιαγώγιμα

Διαβάστε περισσότερα

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΙΡΑΙΑ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ Καθ. Εφαρμογών: Σ. Βασιλειάδου Εργαστήριο Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου για Ηλεκτρολόγους Μηχανικούς Εργαστηριακές Ασκήσεις Χειμερινό

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis).

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). ΕΙΣΑΓΩΓΗ Προγράµµατα προσοµοίωσης κυκλωµάτων είναι τα λεγόµενα «Προγράµµατα τύπου SPICE», από το όνοµα του πρωτοποριακού λογισµικού

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στο Προγραμματισμό με τη PASCAL & τη Matlab Εξαμηνιαία Εργασία 2014 Μετατρέποντας AC σε DC Τάση Μέρος Β : Πορεία Εργασίας

Εισαγωγή στο Προγραμματισμό με τη PASCAL & τη Matlab Εξαμηνιαία Εργασία 2014 Μετατρέποντας AC σε DC Τάση Μέρος Β : Πορεία Εργασίας Εισαγωγή στο Προγραμματισμό με τη PASCAL & τη Matlab Εξαμηνιαία Εργασία 2014 Μετατρέποντας AC σε DC Τάση Μέρος Β : Πορεία Εργασίας. Συναρτήσεις στη PASCAL Σκοπός Προσομοίωση ενός Συστήματος / Κυκλώματος,

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: Β 90 kω, C kω, Ε E kω, kω, V CC V, V B 0.70 V και Ι Β 0 μα. Επίσης, για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται: β h e h e 00 και h

Διαβάστε περισσότερα

Tools, Help.

Tools, Help. Εισαγωγή Το LTspice είναι ένα πρόγραµµα εξοµοίωσης της συµπεριφοράς των ηλεκτρονικών εξαρτηµάτων και κυκλωµάτων. Το πρόγραµµα διατίθεται δωρεάν και µπορείτε να το κατεβάσετε από την παρακάτω ηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε

Διαβάστε περισσότερα

Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015

Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015 Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015 Πρόγραμμα Παρουσιάσεων Τετάρτης 18/11/2015 Παρουσίαση Ομάδας 1 Περιγράψτε αναλυτικά την πειραματική διαδικασία ελέγχου της γραμμικότητας στο πιο κάτω κύκλωμα. Έπειτα, υπολογίστε

Διαβάστε περισσότερα

Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1

Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1 Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2101 LECTURE 210 DC ANALYSIS OF THE 741 OP AMP (READING: GHLM 454462) Objective The objective of this presentation is to: 1.) Identify the devices,

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή 1. Ηλεκτρονικός Υπολογιστής Ο Ηλεκτρονικός Υπολογιστής είναι μια συσκευή, μεγάλη ή μικρή, που επεξεργάζεται δεδομένα και εκτελεί την εργασία του σύμφωνα με τα παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ - VLSI Ενότητα: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. 1 Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες)

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες) Q2-1 Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες) Παρακαλείστε να διαβάσετε τις Γενικές Οδηγίες στον ξεχωριστό φάκελο πριν ξεκινήσετε το πρόβλημα αυτό. Εισαγωγή Τα δισταθή μη γραμμικά ημιαγώγιμα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 5 ΧΡΟΝΙΑ ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α. ια τις ημιτελείς προτάσεις Α. έως Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και, δίπλα σε κάθε αριθμό,

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην Αριθμητική Ανάλυση

Εισαγωγή στην Αριθμητική Ανάλυση Εισαγωγή στην Αριθμητική Ανάλυση Εισαγωγή στη MATLAB ΔΙΔΑΣΚΩΝ: ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΑΚΡΙΒΗΣ ΒΟΗΘΟΙ: ΔΗΜΗΤΡΙΑΔΗΣ ΣΩΚΡΑΤΗΣ, ΣΚΟΡΔΑ ΕΛΕΝΗ E-MAIL: SDIMITRIADIS@CS.UOI.GR, ESKORDA@CS.UOI.GR Τι είναι Matlab Είναι ένα περιβάλλον

Διαβάστε περισσότερα

Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση

Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση ονομάζονται εκείνα στα οποία επιβάλλεται τάση της μορφής: = ( ω ϕ ) vt V sin t όπου: V το πλάτος (στιγμιαία μέγιστη τιμή) της τάσης ω

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ - VLSI Ενότητα: Συνδιαστικά κυκλώματα, βασικές στατικές λογικές πύλες, σύνθετες και δυναμικές πύλες Κυριάκης

Διαβάστε περισσότερα

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 2η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 2η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail: Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 Όπως

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2005 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3: Κυκλώματα αναφοράς Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 5. Ρυθμίζοντας τη Φορά Περιστροφής. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων

Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 5. Ρυθμίζοντας τη Φορά Περιστροφής. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων Σκοπός Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 5 Ρυθμίζοντας τη Φορά Περιστροφής DC Κινητήρα. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων Βασική δομή ενός προγράμματος στο LabVIEW. Εμπρόσθιο Πλαίσιο (front

Διαβάστε περισσότερα

Theory Greek (Cyprus) Μη γραμμική δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 μονάδες)

Theory Greek (Cyprus) Μη γραμμική δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 μονάδες) Q2-1 Μη γραμμική δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 μονάδες) Παρακαλείστε, να διαβάσετε τις Γενικές Οδηγίες που βρίσκονται σε ξεχωριστό φάκελο πριν ξεκινήσετε την επίλυση αυτού του προβλήματος. Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική 1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα

Διαβάστε περισσότερα

Η πρώτη παράμετρος είναι ένα αλφαριθμητικό μορφοποίησης

Η πρώτη παράμετρος είναι ένα αλφαριθμητικό μορφοποίησης Η συνάρτηση printf() Η συνάρτηση printf() χρησιμοποιείται για την εμφάνιση δεδομένων στο αρχείο εξόδου stdout (standard output stream), το οποίο εξ ορισμού συνδέεται με την οθόνη Η συνάρτηση printf() δέχεται

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικές Ταλαντώσεις: Εξαναγκασμένη Ηλεκτρική Ταλάντωση

Ηλεκτρικές Ταλαντώσεις: Εξαναγκασμένη Ηλεκτρική Ταλάντωση Σκοπός της άσκησης Ηλεκτρικές Ταλαντώσεις: Εξαναγκασμένη Ηλεκτρική Ταλάντωση Να παρατηρήσουν οι μαθητές στην πράξη το φαινόμενο του συντονισμού στην εξαναγκασμένη ηλεκτρική ταλάντωση Να αντιληφθούν τον

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ - VLSI Ενότητα: Ο Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. 1 Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ : ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ. ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1περίοδος

ΘΕΜΑ : ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ. ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1περίοδος ΘΕΜΑ : ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1περίοδος Ο τελεστικός ενισχυτής μπορεί να συνδεθεί σε διάφορες συνδεσμολογίες δημιουργώντας πολύ χρήσιμα κυκλώματα. τόσο στα αναλογικά κυκλώματα

Διαβάστε περισσότερα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα