Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1
|
|
- Ἰαρέδ Αγγελίδου
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2101 LECTURE 210 DC ANALYSIS OF THE 741 OP AMP (READING: GHLM ) Objective The objective of this presentation is to: 1.) Identify the devices, circuits, and stages in the 741 operational amplifier 2.) Perform a dc bias analysis 3.) Compare hand calculations of dc analyses with PSpice simulations Outline 741 circuit topology and analysis PSpice analysis techniques and results Summary Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2102 Circuit 741 OPERATIONAL AMPLIFIER Q12 Q9 Q8 Q19 Q15 R 5 Q11 39kΩ Q7 Q10 Q5 R 6 R 10 27Ω 40kΩ R 7 Q23B Q23A 27Ω Q21 v out Q22 Q24 R 4 R 1 R 3 R2 R 9 R 8 5kΩ 1kΩ 1kΩ 100Ω V EE Fig The 741 op amp is typical of a widely used standalone operational amplifiers.
2 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2103 Simplified, Conceptual Schematic Diagram of the 741 Op Amp V Bias Q19 v out Q23 Q5 V EE V EE Fig Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2104 Multicollector Lateral PNP nepitaxial n (B) E E p (C 1 ) p (E) B 3 1 p (C 2 ) C 1 C 2 C 1 C 2 I s1 = 0.75Is I s2 = 0.25Is Is is the saturation current of the structure with both collectors connected together. B Fig
3 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2105 DC Analysis of the 741 Op Amp Bias circuitry: = 15V I ref Q12 R 5 39kΩ I 2 I 3 I1 I ref = V EE 2V BE R 5 = 733µA I 2 = I 13B = 0.75I ref = 550µA I 3 = I 13A = 0.25I ref = 180µA Q11 R 4 5kΩ Q10 I 1 = I 10 = V t R 4 [ln(i ref ) ln(i 1 )] = 19µA V EE = 15V Fig Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2106 Simplified Schematic of the 741 Op Amp with Idealized Biasing = 15V Q9 Q8 550µA 180µA R 10 40kΩ Q19 R 6 27Ω R 7 27Ω v out 19µA Q5 Q7 Q23 R 1 R 3 R2 R9 R 8 1kΩ 1kΩ 100Ω V EE = 15V Fig
4 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2107 Input Stage Biasing of the 741 Op Amp = 15V I C9 Q9 Q8 I A I A2 I A2 19µA Q7 Q5 R 1 R 3 R2 1kΩ 1kΩ V EE = 15V Fig I A = I 8 = I 9 = 19µA I A2 = 9.5µA 9.5µA V BE5 = V t ln I SNPN = 0.553V I SNPN = 5fA V BE5 = 0.555V V B5 = V BE5 R 1 9.5µA = 0.565V I R3 = I 7 = V B5 R = 11.3µA 3 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2108 Darlington Gain Stage Biasing 550µA V BE17 = V t ln I SNPN V B17 = V BE17 R 8 550µA = 0.716V I R9 = V B17 R 9 = 14.3µA I B17 = 550µA β1 = 2.2µA R 9 R 8 100Ω I 16 = I B17 I R9 = 16.5µA V EE Fig
5 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2109 Output Stage Biasing of the 741 Op Amp = 15V I C 180µA R Q19 6 V 27Ω Bias I OUT R 10 R 7 40kΩ 27Ω V OUT Q23 V IN V EE = 15V Fig I 19 = V t I 18 R 10 ln I SNPN I 18 I 19 = 180µA I 18 = 164µA I 19 = 15.7µA V BE18 V BE19 V BE14 V BE20 I 18 I 19 I SNPN18 I SNPN19 = I SNPN14 = 4.5 I SNPN I S20 = 10fA I 14 = 150µA I 14 2 I SNPN14 I SNPN20 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page Circuit for SPICE Simulation 21 Q9 Q12 R 5 39kΩ Q11 Q10 Q Q Q Q22 Q19 Q15 R 4 R 1 R 3 R2 R R 9 8 5kΩ 1kΩ 1kΩ 100Ω R 16 6 R 10 27Ω 40kΩ 20 Q23B Q23A 27Ω Q21 Q24 18 v out V EE Fig R 7
6 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page Spice Simulations of the 741 Op Amp ua741 Operational Amp Spice File 741 OP AMP BIAS CIRCUIT Q PNP Q NPN Q NPN PNP PNP 3 Q NPN Q PNP Q NPN Q NPN Q23B PNP R K R K R K CC PF DIFF AMP Q NPN Q NPN PNP PNP Q NPN NPN Q NPN Q PNP Q PNP R K R K R K DARLINGTON NPN NPN R K R OUTPUT STAGE Q NPN NPN Q23A PNP NPN SPNP R K R R POWER SUPPLY VCC 21 0 DC=15 VEE 22 0 DC=15 ANALYSIS DC Sweep to find input offset voltage Connect output to inverting input for unity gain buffer Rshort VIN 1 0 DC 0 AC 0.DC VIN 15V 15V.1V Now provide input offset voltage VIN 2 0 DC= UV AC=0 Open Loop Gain Remove Rshort VIN 1 0 AC=1 VIN 2 0 DC= UV AC=0.AC DEC MEG Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page SPICE File Continued.TF V(20) VIN Slew Rate Connect output (node 20 to node 2 with Rshort) VIN 1 0 PULSE (0 1 10us.001us.001us 10us 30us).TRAN.5us 30us.MODEL NPN NPN(IS=5E15 RB=200 RC=250 BF=250 BR=2 RE=2 VA=130 TF=.35NS CJE=1PF PE=.7V ME=.33 CJC=.3PF PC=.55V MC=.5 CCS=3PF PS=.52 MS=.5V).MODEL PNP PNP(IS=2E15 RB=300 RC=300 RE=10 BF=50 BR=4 VA=50 TF=30NS CJE=.3PF PE=.55V ME=.5 CJC=2PF PC=.55V MC=.5 CCS=3PF PS=.52V MS=.5V).MODEL SPNP PNP(IS=1E14 RB=150 RC=50 RE=2 BR=4 BF=50 VA=50 TF=20NS CJE=.5PF PE=.55V ME=.5 CJC=2PF PC=.52V MC=.5 CCS=3PF PS=.52V MS=.5V).OPTIONS LIMPTS=0.PROBE.END
7 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page Node Voltages SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = DEG C NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE ( 1) ( 2) 851.3E06 ( 3) (4) ( 5) ( 6) ( 7) ( 8) ( 9) ( 10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) 5.094E06 (21) (22) (23) (24) (25) (26) Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page Bipolar Junction Transistors NAME Q5 MODEL NPN NPN PNP PNP NPN IB 3.44E E E E E08 IC 7.63E E E E E06 VBE 5.44E E E E E01 VBC 1.44E E E E E01 VCE 1.50E E E E E00 BETADC 2.22E E E E E02 GM 2.95E E E E E04 RPI 7.53E E E E E05 RX 2.00E E E E E02 RO 1.89E E E E E07 CBE 1.59E E E E E12 CBC 5.75E E E E E13 CJS 5.60E E E E E11 BETAAC 2.22E E E E FT/FT2 2.85E E E E e07 NAME Q7 Q8 Q9 MODEL NPN NPN PNP PNP NPN IC 7.52E E E E E05
8 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page Bipolar Junction Transistors Continued NAME Q12 Q11 Q10 MODEL PNP NPN NPN PNP PNP IB 1.34E E E E e05 IC 6.70E E E E E03 VBE 6.97E E E E VBC 0.00E E E E E01 VCE 6.97E E E E BETADC 4.98E E E E GM 2.59E E E E RPI 1.92E E E E RX 3.00E E E E NAME Q19 Q23A MODEL NPN NPN NPN PNP NPN SNPN IC 2.51E E E E E E04 VBE 7.02E E E E E E01 Comparison: Transistor Q5 Q7 Q8 Q9 Q10 Q11 Caculated 9.5µA 9.5µA 9.5µA 9.5µA 9.5µA 9.5µA 11.3µA 19µA 19µA 19µA 733µA SPICE 7.63µA 7.73µA 7.75µA 7.65µA 7.50µA 7.52µA 11.1µA 14.8µA 19.3µA 19.6µA 731µA Transistor Q11 Q12 Q12 Q19 Caculated 733µA 733µA 733µA 813µA 550µA 150µA 16.5µA 550µA 164µA 15.7µA 150µA SPICE 731µA 670µA 670µA 813µA 2500µA 290µA 30µA 2510µA 791µA 20.6µA 287µA Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page PSpice Simulation Results Dynamic Range and Input Offset Voltage: 15V 10V 0V ( , u) 10V ( , ) 15V 15V 10V 5V 0V 5V 10V 15V V( 20) VI N
9 Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page SUMMARY The 741 is a classic Op Amp that exemplifies many of our ECE 6412 circuit concepts DC bias in almost all transistors is set by R 5 Hand calculated and PSpice bias currents compare favorably (except for )
Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 2 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)
Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο
Διαβάστε περισσότεραMAX4147ESD PART 14 SO TOP VIEW. Maxim Integrated Products 1 MAX4147 EVALUATION KIT AVAILABLE ; Rev 1; 11/96 V CC V EE OUT+ IN+ R t SENSE IN-
-; Rev ; / EVALUATION KIT AVAILABLE µ µ PART ESD TEMP. RANGE - C to +5 C PPACKAGE SO TOP VIEW V EE V CC SENSE+ SENSE- R t R t R t R t MAX SENSE OUT SENSE+ SENSE- N.C. SHDN N.C. 3 5 R f R G R f 3 VDSL TRANSFORMER
Διαβάστε περισσότεραNPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
FEATURES NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = MHz TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE=.55 pf TYP
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Διαβάστε περισσότεραElectrical Specifications at T AMB =25 C DC VOLTS (V) MAXIMUM POWER (dbm) DYNAMIC RANGE IP3 (dbm) (db) Output (1 db Comp.) at 2 f U. Typ.
Surface Mount Monolithic Amplifiers High Directivity, 50Ω, 0.5 to 5.9 GHz Features 3V & 5V operation micro-miniature size.1"x.1" no external biasing circuit required internal DC blocking at RF input &
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Αντιστάθμιση. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Αντιστάθμιση Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες
Διαβάστε περισσότερα«Ενισχυτές με διπολικό transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 1 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 1 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε
Διαβάστε περισσότεραBipolar Transistors ιπολικά τρανζίστορ
Bipolar Transistors ιπολικά τρανζίστορ Επιµέλεια Π. Παπαγέωργας Κεφάλαιο 5 1 Shockley, Bardeen, and Brattain were jointly awarded the 1956 Nobel Prize in Physics "for their researches on semiconductors
Διαβάστε περισσότεραΒασικά Κυκλώματα Ενισχυτών με Τρανζίστορ (Άσκηση 3)
Βασικά Κυκλώματα Ενισχυτών με Τρανζίστορ (Άσκηση 3) ΑΡ. ΟΜΑΔΑΣ/ΘΕΣΗΣ: --- ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΡΑΓΜΑΤΟΠΟΙΗΣΗΣ: 01/12/2014 1. Αντικείμενο και σκοπός Το τρανζίστορ είναι ένα ημιαγωγικό στοιχείο τριών ακροδεκτών,
Διαβάστε περισσότεραNPN Silicon RF Transistor BFQ 74
NPN Silicon RF Transistor BFQ 74 For low-noise amplifiers in the GHz range, and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 1 ma to 25 ma. Hermetically
Διαβάστε περισσότερα555 TIMER APPLICATIONS AND VOLTAGE REGULATORS
555 TIMER APPLICATIONS AND VOLTAGE REGULATORS OBJECTIVE The purpose of the experiment is to design and experimentally verify astable and monostable multivibrators using 555 timers; to design variable voltage
Διαβάστε περισσότεραMnZn. MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer. Abstract:
MnZn JFE No. 8 5 6 p. 32 37 MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer FUJITA Akira JFE Ph. D. FUKUDA Yutaka JFE NISHIZAWA Keitarou JFE TOGAWA Jirou MnZn Fe2O3 1 C NiO
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Fourth Edition - Part II Solutions to Exercises
Page 9 Microelectronic Circuit Design Fourth Edition - Part II olutions to Exercises CHAPTER 6 NM 0.8V 0.4V 0.4 V NM H 3.6V.0V.6 V Page 94 V 0% V + 0. ΔV [ ].4 V [ ].4 V.6V + 0. 0.6 (.6) 0.6V 0.9 0.6 (.6)
Διαβάστε περισσότερα4.8 V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor. Technical Data AT-31625
4.8 V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor Technical Data AT-31625 Features 4.8 Volt Operation +28. dbm P out @ 9 MHz, Typ. 7% Collector Efficiency @ 9 MHz, Typ. 9 db Power Gain @ 9 MHz, Typ.
Διαβάστε περισσότεραHigh Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System
High Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System Typical and guaranteed specifications vary versus frequency; see detailed data sheets for specification
Διαβάστε περισσότεραBipolar Model Standardization Mextram 503.2
Bipolar Model Standardization Mextram 53.2 W.J. Kloosterman J.C.J. Paasschens D.B.M. Klaassen Laboratories, Eindhoven c Electronics N.V. 1999 Outline (1) Introduction Extended Mextram circuit model Results
Διαβάστε περισσότερα2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER
. GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER UPC79T FEATURES WIDE FREQUENCY RESPONSE:. GHz 3 GAIN vs. FREQUENCY HIGH GAIN: 3 db (UPC79T) SATURATED OUTPUT POWER: +. dbm (UPC79T) INTERNAL CURRENT REGULATION MINIMIZES
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per
Διαβάστε περισσότεραMAX3970 MAX3970. Maxim Integrated Products ; Rev 1; 10/01 3.3V SUPPLY FILTERING V CC 1 V CC 2 3.3V FILTER R F.
19-197; Rev 1; 1/1 Ω µ + + µ PART TEMP. RANGE PIN-PACKAGE U/D C to +85 C Dice Note: Dice are designed to operate over a C to +11 C junction temperature (T J ) range, but are tested and guaranteed at T
Διαβάστε περισσότεραSingle Stage Amplifiers
CONTENTS Preface to Fourth Edition... (vii) Preface to Third Edition... (ix) Symbols...(xxiii) Brief History of Electronics...(xxvii) CHAPTER 1 Single Stage Amplifiers 1.1 Classification of Amplifiers...
Διαβάστε περισσότεραΙατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:
Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ
Διαβάστε περισσότερα3 V, 1500 MHz Si MMIC WIDEBAND AMPLIFIER
V, MHz Si MMIC WIDEBAND AMPLIFIER UPC7T FEATURES WIDE FREQUENCY RESPONSE: MHz LOW VOLTAGE OPERATION: V NOMINAL (. MIN) LOW POWER CONSUMPTION:. mw TYP SUPER SMALL PACKAGE TAPE AND REEL PACKAGING OPTION
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises
Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises Page 11 CHAPTER 1 V LSB 5.1V 10 bits 5.1V 104bits 5.00 mv V 5.1V MSB.560V 1100010001 9 + 8 + 4 + 0 785 10 V O 786 5.00mV or
Διαβάστε περισσότερα4.8 V NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor. Technical Data AT-38086
4.8 V NPN Silicon ipolar Common Emitter Transistor Technical Data AT-3886 Features 4.8 Volt Pulsed (pulse width = 577 µsec, duty cycle = 12.5%)/CW Operation +28 dm Pulsed P out @ 9 MHz, Typ. +23.5 dm CW
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ ΑΜΦΙΠΟΛΙΚΩΝ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΩΝ Η άσκηση αποτελείται από δύο τμήματα: 1) μελέτη των χαρακτηριστικών καμπύλων εισόδου και εξόδου των τρανζίστορ για
Διαβάστε περισσότεραPrepolarized Microphones-Free Field
Prepolarized Microphones-Free Field MP0 / MP3 / MP / MP / MP / MP / MP8 MP0 MP3 MP MP MP MP MP8 Standards (IEC7) I I I.3 ~ 0k 3 ~ 0k 0 ~.k 0 ~.k 0 ~ 70k 0 ~ k 0 ~ k Open-circuit Sensitivity (mv/pa) (±db)
Διαβάστε περισσότεραNPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NE74 SERIES FEATURES LOW NOISE FIGURE: < db at 00 MHz HIGH GAIN: db at 00 MHz HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: GHz ( GHz for the ) SMALL COLLECTOR CAPACITANCE: pf HIGH
Διαβάστε περισσότεραSURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft of LOW VOLTAGE/LOW CURRENT OPERATION HIGH INSERTION POWER GAIN: SE = db @ V, 7 ma, GHz SE = db @ V, ma, GHz LOW NOISE:. db AT. GHz AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC
Διαβάστε περισσότεραΔιπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ:ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ Διπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων
Διαβάστε περισσότεραElectronic Analysis of CMOS Logic Gates
Electronic Analysis of CMOS Logic Gates Dae Hyun Kim EECS Washington State University References John P. Uyemura, Introduction to VLSI Circuits and Systems, 2002. Chapter 7 Goal Understand how to perform
Διαβάστε περισσότεραSURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES PART NUMBER NE6858 NE6859 NE6850 NE685 NE6859/9R EIAJ REGISTERED NUMBER SC505 SC500 SC959 SC955 SC957 PACKAGE OUTLINE 8 9 0 9 SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN
Διαβάστε περισσότεραRT-178 / ARC-27 All schematics
RT / ARC All schematics J I K P0 L A B M C P N D O E H G F P0 RT /ARC F L P0 A C D G J M P S B E K R H N SQ OFF GUARD REC MOD I k I B E i DRVR I g FINAL I g I ant SQ OFF MAIN REC SENS PHONE METER MIC SENS
Διαβάστε περισσότεραPRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION NE699M FEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) HIGH ft: 6 GHz TYP at V, ma LOW NOISE FIGURE: NF =. db TYP
Διαβάστε περισσότεραNPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 00 (CHIP) 35 (MICRO-X)
FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 8 GHz LOW NOISE FIGURE:. db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 5 db at GHz db at GHz LOW COST DESCRIPTION The NE68 series of NPN epitaxial silicon transistors
Διαβάστε περισσότεραAT Surface Mount Package SOT-363 (SC-70) I I Y. Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B , 7:56 PM
AT-3263 Surface Mount Package SOT-363 (SC-7) I I Y Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B 2 Page 1 21.4., 7:6 PM Absolute Maximum Ratings [1] Absolute Thermal Resistance [2] : Symbol Parameter Units Maximum
Διαβάστε περισσότεραDISCONTINUED NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION
FEATURES DESCRIPTION NF (db) Noise Figure,..0..0. NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 0 GHz LOW NOISE FIGURE:.7 db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:. db at GHz
Διαβάστε περισσότεραDesign and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating
U Kamphaengsean Acad. J. Vol. 7, No. 2, 2009, Pages 48-60 ก 7 2 2552 ก ก กก ก Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating 1* Geerapong Srivichai 1* ABSTRACT The purpose
Διαβάστε περισσότεραMAX1886. TOP PART TEMP. RANGE PIN- PACKAGE M ARK MAX1886EZK -40 C to +85 C 5 Thin SOT23-5* ADQL
19-95; Rev ; 8/1 µ µ TOP PART TEMP. RANGE PIN- PACKAGE M ARK EZK -4 C to +85 C 5 Thin SOT3-5* ADQL *Requires a special solder temperature profile described in the Absolute Maximum Ratings section. TOP
Διαβάστε περισσότεραIXBH42N170 IXBT42N170
High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25
Διαβάστε περισσότεραΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΑΡΧΕΙΟΥ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΒΙΒΛΙΟΘΗΚΩΝ
ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΜΑΖΙ ΜΕ ΤΟ ΒΙΒΛΙΟ ΤΟΥ SEDRA-SMITH ΔΙΝΕΤΑΙ ΕΝΑ CD ΠΟΥ ΠΕΡΙΕΧΕΙ ΤΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ PSPICE, ΑΝΟΙΓΟΥΜΕ ΤΟ CD (ΑΝΟΙΓΜΑ, ΟΧΙ ΑΥΤΟΜΑΤΗ ΕΚΤΕΛΕΣΗ) ΠΗΓΑΙΝΟΥΜΕ ΣΤΟ ΦΑΚΕΛΟ ORCAD ΚΑΙ ΕΚΤΕΛΟΥΜΕ
Διαβάστε περισσότεραNE680 SERIES. from this datasheet are not NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION
SILICON TRANSISTOR NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 0 GHz LOW NOISE FIGURE:.7 db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:. db at GHz 8.0 db
Διαβάστε περισσότεραΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και. Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του. Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ του φοιτητή του
Διαβάστε περισσότερα516(5,(6. LOW NOISE 150mA LDO REGULATOR
LOW NOISE ma LDO REGULATOR 6(,(6 NO. EA-7-4 OUTLINE 7KH6HULHVDUH&6EDVHGYROWDJHUHJXODWRU,&VZLWKKLJKRXWSXWYROWDJHDFFXUDF\H[WUHPHO\ORZVXS SO\FXUUHQWORZUHVLVWDQFHDQGKLJKLSSOHHMHFWLRQ(DFK RI WKHVH YROWDJH UHJXODWRU,&V
Διαβάστε περισσότεραOperational Amplifiers
Operational Amplifiers Johan Huijsing Operational Amplifiers Theory and Design Third Edition Johan Huijsing Faculty of Electrical Engineering Mathematics and Computer Sciences (EEMCS) Delft University
Διαβάστε περισσότεραΙΕΥΘΥΝΤΗΣ: Καθηγητής Γ. ΧΡΥΣΟΛΟΥΡΗΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ ΙΑΤΡΙΒΗ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΚΑΙ ΑΕΡΟΝΑΥΠΗΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ & ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ / ΥΝΑΜΙΚΗΣ & ΘΕΩΡΙΑΣ ΜΗΧΑΝΩΝ ΙΕΥΘΥΝΤΗΣ: Καθηγητής Γ. ΧΡΥΣΟΛΟΥΡΗΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραFirst Sensor Quad APD Data Sheet Part Description QA TO Order #
Responsivity (/W) First Sensor Quad PD Data Sheet Features Description pplication Pulsed 16 nm laser detection RoHS 211/65/EU Light source positioning Laser alignment ø mm total active area Segmented in
Διαβάστε περισσότερα2-1. Power Transistors. Transistors for Audio Amplifier. Transistors for Humidifier. Darlington Transistors. Low VCE (sat) High hfe Transistors
Power Trnsistors -. Power Trnsistors Trnsistors for Audio Amplifier Trnsistors for Switch Mode Power Supply Trnsistors for Humidifier Trnsistor for Disply Horizontl Deflection Output Drlington Trnsistors
Διαβάστε περισσότερα3 V, 900 MHz Si MMIC AMPLIFIER
V, 9 MHz Si MMIC AMPLIFIER UPC77T FEATURES LOW VOLTAGE - LOW CURRENT: ma at V LOW POWER CONSUMPTION: mw TYP SUPER SMALL PACKAGE TAPE AND REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE DESCRIPTION The UPC77T is a Silicon
Διαβάστε περισσότερα65W PWM Output LED Driver. IDLV-65 series. File Name:IDLV-65-SPEC
~ A File Name:IDLV65SPEC 07050 SPECIFICATION MODEL OUTPUT OTHERS NOTE DC VOLTAGE RATED CURRENT RATED POWER DIMMING RANGE VOLTAGE TOLERANCE PWM FREQUENCY (Typ.) SETUP TIME Note. AUXILIARY DC OUTPUT Note.
Διαβάστε περισσότερα3 V, 900 MHz LOW NOISE SI MMIC AMPLIFIER
V, 9 MHz LOW NOISE SI MMIC AMPLIFIER UPC78T FEATURES.8 db NOISE FIGURE LOW VOLTAGE - LOW CURRENT: ma at V LOW POWER CONSUMPTION: 8 mw TYP SUPER SMALL PACKAGE TAPE AND REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE DESCRIPTION
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ ΚΑΙ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΙΑΜΟΡΦΩΣΕΩΝ ΣΕ ΨΗΦΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ.
Τµήµα Ηλεκτρονικής ΜΕΛΕΤΗ ΚΑΙ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΙΑΜΟΡΦΩΣΕΩΝ ΣΕ ΨΗΦΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ. Σπουδαστής: Γαρεφαλάκης Ιωσήφ Α.Μ. 3501 Επιβλέπων καθηγητής : Ασκορδαλάκης Παντελής. -Χανιά 2010- ΠΕΡΙΛΗΨΗ : Η παρούσα
Διαβάστε περισσότεραThe following part numbers from this datasheet are not recommended for new design. Please call sales office for PLEASE NOTE: details: NE68135
NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NE68 SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 8 GHz LOW NOISE FIGURE:. db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 5 db at GHz db at GHz LOW COST DESCRIPTION
Διαβάστε περισσότεραNPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor. Technical Data AT-38043
NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor Technical Data AT-3843 Features Operates Over a Wide Range of Voltages and Frequencies +25. dbm P 1dB and 6% Collector Efficiency @ 9 MHz, 4.8 Volts, Typ.
Διαβάστε περισσότεραCapacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference
Capacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference Capacitors store electric charge. This ability to store electric charge is known as capacitance. A simple capacitor consists of 2 parallel metal
Διαβάστε περισσότεραHigh Power Amp BMT321. Application Note
RF MMIC Innovator www.berex.com [Classification] Application Note [Date] 2015.11 [Revision No.] Rev.A [Measuring Instruments] - NA_Agilent E5071B - SA_Agilent N9020A - SG_Agilent 4438C - SG_Agilent N5182A
Διαβάστε περισσότεραΔιαφορικός ενισχυτής (op-amp)
Κ. Πολιτόπουλος Διαφορικός ενισχυτής (opamp) Ενισχύει την διαφορά του σήματος εισόδου Vout=G(V V ) Δεν ενδιαφερόμαστε για απόλυτη τιμή τάσης Ground loop Πολλά γραμμικά κυκλώματα Πολλά μη γραμμικά κυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραOverview: Relay Modules
20 Overview: Relay Modules 859 Series 857 Series 788 Series 858 Series 288 and 287 Series 286 Series 789 Series Relays with Changeover Contacts 1 changeover contact Item No. Page Item No. Page Item No.
Διαβάστε περισσότεραBuck Solution_10W LED Driver for Bulb LD7835_10W_R01_TEST. Size 55mm(L)ⅹ28mm(W)ⅹ18mm(H) Key Features
Subject LD7835 Demo Board Manual Model Name (40V/250mA) TOP VIEW BOTTOM VIEW Key Features Size 55mm(L)ⅹ28mm(W)ⅹ18mm(H) Buck Topology Current Ripple Reduction (CRR) Current Accuracy < 5% Fast Start-up
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές
Θεωρητική Ανάλυση: Τελεστικοί Ενισχυτές 1. Διαβάστε το datasheet του LM741 και συμπληρώστε τις παρακάτω παραμέτρους. Supply Voltage, Input Offset Current, Input Offset Voltage, Input Resistance, Output
Διαβάστε περισσότεραBuck Solution_20W LED Driver for T8 LD7835_T8_20W_R00_TEST. Key Features
Subject LD7835 T8 Demo Board Manual Model Name LD7835_20W_R00_TEST (60V/300mA) Key Features Buck Topology Current Ripple Reduction (CRR) Current Accuracy < 5% Single Stage PFC > 0.9 @ Normal Line Efficiency
Διαβάστε περισσότεραAT Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-3263 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor Data Sheet Description The AT-3263 contains two high performance NPN bipolar transistors in a single SOT-363 package. The devices are
Διαβάστε περισσότεραDC-DC Constant Current Step-Down LED driver LDD-300L LDD-350L LDD-500L LDD-600L LDD-700L CURRENT RANGE
SPECIFICATION ORDER NO. LDD-00L LDD-0L LDD-00L LDD-00L LDD-700L CURRENT RANGE 00mA 0mA 00mA VOLTAGE RANGE Note. ~ VDC for LDD-00~700L/LW ; ~ 8VDC for LDD-00~700LS CURRENT ACCURACY (Typ.) ±% at VDC input
Διαβάστε περισσότεραΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Περιληπτικές σημειώσεις ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
Διαβάστε περισσότερα1880 MHz PA Driver with BFG480W
1880 MHz PA Driver with BFG480W Application Note JL-9902v0 Author Jarek Lucek June 1, 1999 Discrete Semiconductors - Mansfield 1 Forbes Blvd. Mansfield, MA 02048 Abstract BFG480W, the new 5 th generation
Διαβάστε περισσότερα65W PWM Output LED Driver. IDPV-65 series. File Name:IDPV-65-SPEC
IDPV65 series ~ A File Name:IDPV65SPEC 07060 IDPV65 series SPECIFICATION MODEL OUTPUT OTHERS NOTE DC VOLTAGE RATED CURRENT RATED POWER DIMMING RANGE VOLTAGE TOLERANCE PWM FREQUENCY (Typ.) SETUP TIME Note.
Διαβάστε περισσότερα( )( ) ( ) ( )( ) ( )( ) β = Chapter 5 Exercise Problems EX α So 49 β 199 EX EX EX5.4 EX5.5. (a)
hapter 5 xercise Problems X5. α β α 0.980 For α 0.980, β 49 0.980 0.995 For α 0.995, β 99 0.995 So 49 β 99 X5. O 00 O or n 3 O 40.5 β 0 X5.3 6.5 μ A 00 β ( 0)( 6.5 μa) 8 ma 5 ( 8)( 4 ) or.88 P on + 0.0065
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Ταλαντωτές. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Ταλαντωτές Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης
Διαβάστε περισσότεραAPPLICATION NOTE. Silicon RF Power Semiconductors. RD01MUS2B single-stage amplifier with f= mhz evaluation board
APPLICATION NOTE Silicon RF Power Semiconductors Document NO. AN-VHF-55 Date : 15 h Nov. 211 Prepared : H.Sakairi K.Mori Confirmed : T.Okawa (Taking charge of Silicon RF by MIYOSHI Electronics) SUBJECT:
Διαβάστε περισσότερα4. ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ
4. ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Κατόπιν της δηµιουργίας του σχηµατικού διαγράµµατος του προς εξέταση ηλεκτρικού - ηλεκτρονικού κυκλώµατος, είναι δυνατό να προχωρήσουµε στην προσοµοίωση της ηλεκτρικής συµπεριφοράς
Διαβάστε περισσότεραNPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NE86 SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 7 GHz LOW NOISE FIGURE:. db at GHz HIGH COLLECTOR CURRENT: 00 ma HIGH RELIABILITY METALLIZATION LOW COST B E
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραContents Introduction to Filter Concepts All-Pole Approximations
Contents 1 Introduction to Filter Concepts... 1 1.1 Gain and Attenuation Functions..... 1 1.2 Ideal Transmission... 4 1.2.1 Ideal Filters... 5 1.3 Real Electronic Filters... 6 1.3.1 Realizable Lowpass
Διαβάστε περισσότεραIXBK64N250 IXBX64N250
High Voltage, High Gain BiMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBK64N25 IXBX64N25 V CES = 25V 11 = 64A V CE(sat) 3.V TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V CES = 25 C to 15 C 25
Διαβάστε περισσότεραΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis).
ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). ΕΙΣΑΓΩΓΗ Προγράµµατα προσοµοίωσης κυκλωµάτων είναι τα λεγόµενα «Προγράµµατα τύπου SPICE», από το όνοµα του πρωτοποριακού λογισµικού
Διαβάστε περισσότεραSMD Power Inductor. - SPRH127 Series. Marking. 1 Marking Outline: 1 Appearance and dimensions (mm)
Marking Outline: Low DCR, high rated current. Magnetic shielded structure Lead free product, RoHS compliant. RoHS Carrier tape packing, suitable for SMT process. SMT Widely used in buck converter, laptop,
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικό Τρανηίςτορ Bipolar Junction Transistor (BJT)
Διπολικό Τρανηίςτορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θζματα που κα καλυφκοφν Δομι και ςυμβολιςμόσ των διπολικών τρανηίςτορ Φυςικι λειτουργία διπολικοφ τρανηίςτορ Τα ρεφματα ςτο τρανηίςτορ Μοντζλο μεγάλο
Διαβάστε περισσότερα2R2. 2 (L W H) [mm] Wire Wound SMD Power Inductor. Nominal Inductance Packing Tape & Reel. Design Code M ±20%
Wire Wound SMD Power Inductors WPN Series Operating temperature range : -40 ~+125 (Including self-heating) FEATURES Fe base metal material core provides large saturation current Metallization on ferrite
Διαβάστε περισσότεραΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΓΕΓΟΝΟΤΩΝ ΒΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΠΙΤΑΧΥΝΣΙΟΜΕΤΡΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΓΕΓΟΝΟΤΩΝ ΒΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΠΙΤΑΧΥΝΣΙΟΜΕΤΡΩΝ
Διαβάστε περισσότεραOPEN -- Overall Stage Results Σ.Σ.ΒΥΡΩΝΑ LII ΚΟΡΙΝΘΟΣ Printed Οκτώβριος 28, 2012 at 16:26
OPEN -- Overall Stage Results Stage 1 -- 1 1 67 12,66 5,2923 70,0000 100,00 89 ΤΥΡΑΚΗΣ, ΙΩΑΝ(ΣΟΑΡΚΑΛ) 2 66 13,28 4,9699 65,7359 93,91 2 ΑΛΕΞΙΟΥ, ΕΥΑΓ(ΣΣΒΥΡΩΝ) 3 65 13,12 4,9543 65,5294 93,61 36 ΚΑΡΤΑΠΑΝΗΣ,
Διαβάστε περισσότεραIDPV-45 series. 45W PWM Output LED Driver. File Name:IDPV-45-SPEC S&E
IDPV5 series S&E ~ A File Name:IDPV5SPEC 0805 IDPV5 series SPECIFICATION MODEL OUTPUT INPUT OTHERS NOTE DC VOLTAGE RATED CURRENT RATED POWER DIMMING RANGE VOLTAGE TOLERANCE PWM FREQUENCY (Typ.) SETUP TIME
Διαβάστε περισσότεραBuck Solution_9W LED Driver for Bulb LD9852_9W_R00_TEST. Size 34.2mm(L)ⅹ26mm(W)ⅹ18mm(H) Key Features
Subject LD9852 Demo Board Manual Model Name (45V/200mA) TOP VIEW BOTTOM VIEW Size 34.2mm(L)ⅹ26mm(W)ⅹ18mm(H) Key Features Buck Topology Current Accuracy < 5% Single Stage PFC > 0.9 @ Normal Line Efficiency
Διαβάστε περισσότεραAPPLICATION NOTE. Silicon RF Power Semiconductors. RD04HMS2 single-stage amplifier with f= mhz evaluation board
APPLICATION NOTE Silicon RF Power Semiconductors Document NO. AN-VHF-51-B Date : 3 th Sep. 21 Rev. date : 7 th Feb. 211 Prepared : H.Sakairi K.Mori Confirmed : T.Okawa (Taking charge of Silicon RF by MIYOSHI
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Fifth Edition - Part I Solutions to Exercises
Page Microelectronic Circuit Design Fifth Edition Part I Solutions to Exercises CHAPTER V LSB 5.V 0 bits 5.V 04bits 5.00 mv V MSB 5.V.560V 000000 9 + 8 + 4 + 0 785 0 V O 785 5.00mV or 5.V 3.95 V V O +
Διαβάστε περισσότεραOδηγός Μελέτης & Εκπόνησης Εργαστηρίου Ηλεκτρονικής Ι
1 ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Oδηγός Μελέτης & Εκπόνησης Εργαστηρίου Ηλεκτρονικής Ι 2 Περιεχόμενα 1 Γενικές Οδηγίες Εκπόνησης Εργαστηρίου...8 1.1 Κανονισμός Εργαστηρίου Ηλεκτρονικής
Διαβάστε περισσότεραΜΑΡΛΙΤΣΗΣ ΔΗΜΗΤΡΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕ ΘΕΜΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΕ ΤΟ P-SPICE Α.Μ.
ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕ ΘΕΜΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΕ ΤΟ P-SPICE ΜΑΡΛΙΤΣΗΣ ΔΗΜΗΤΡΗΣ Α.Μ. : 3926 ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΔΡΑΚΑΚΗΣ ΕΜΜΑΝΟΥΗΛ, ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ
Διαβάστε περισσότεραNEC Silicon RFIC Amplifiers Low Power, Wideband & SiGe/SiGeC
NEC Silicon RFIC Amplifiers Low Power, Wideband & SiGe/SiGeC Low Power Amplifiers ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C) Range VCC ICC NF Gain RLIN RLOUT PdB ISOL @ 3dB (V) (ma) (dbm) Part down Package
Διαβάστε περισσότεραAgilent MGA-565P8 20 dbm P sat High Isolation Buffer Amplifier
Agilent MGA-6P8 dbm P sat High Isolation Buffer Amplifier Data Sheet Description The MGA-6P8 is designed for use in LO chains to drive high dynamic range passive mixers. It provides high isolation, high
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 1. Σχήμα 1. Γεννήτρια τριγωνικού σήματος
ΑΣΚΗΣΗ 1 Σχήμα 1. Γεννήτρια τριγωνικού σήματος Δίνεται η γεννήτρια τριγωνικού σήματος του Σχ 1 με τα εξής στοιχεία : C = Κ nf, R 1 = Μ ΚΩ, R f =Λ ΚΩ, V Z = 7,5 Volt (1Ν750), τελεστικοί ενισχυτές 741 με
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.
Διαβάστε περισσότερα! " # $ &,-" " (.* & -" " ( /* 0 (1 1* 0 - (* 0 #! - (#* 2 3( 4* 2 (* 2 5!! 3 ( * (7 4* 2 #8 (# * 9 : (* 9
"# " # $ "%%" & '" (' )' * & + (' )' * &,-" " (.* & -" " ( /* 0 (1 1* 0 - (* 0 # - (#* 2 # - (#* 2 3( 4* 2 (* 2 5 3 ( * 2 6 3 (7 4* 2 #8 (# * 9 : (* 9 #" " 5,1 < = " = #+ +# 9 ' :> # &? + # & ISD i " @
Διαβάστε περισσότεραOWA-60E series IP67. 60W Single Output Moistureproof Adaptor. moistureproof. File Name:OWA-60E-SPEC
Single Output Moistureproof Adaptor OWA-60E series IP67 Ⅱ Ⅱ moistureproof I File Name:OWA-60E-SPEC 0-04- Single Output Moistureproof Adaptor OWA-60E series SPECIFICATION MODEL OWA-60E- OWA-60E- OWA-60E-0
Διαβάστε περισσότερα1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά
Διαβάστε περισσότεραGenX3 TM 300V IGBT IXGA42N30C3 IXGH42N30C3 IXGP42N30C3 V CES = 300V I C110. = 42A V CE(sat) 1.85V t fi typ. = 65ns
GenX3 TM V IGBT High Speed PT IGBTs for -1kHz switching IXGA42NC3 IXGH42NC3 IXGP42NC3 V CES = V 1 = 42A V CE(sat) 5V t fi typ = 65ns TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V CES = 25 C to
Διαβάστε περισσότεραBM1385. Bitcoin Hash ASIC Datasheet. Bitmain Technologies Limited
BM1385 Bitcoin Hash ASIC Datasheet Bitmain Technologies Limited Page 1 of 14 Contents Contents... 1 Revision History... 2 1 Overview... 3 1.1 Features... 3 1.2 Applications... 3 2 Pin Description... 4
Διαβάστε περισσότεραAD8114/AD8115* AD8114/AD8115 SER/PAR D0 D1 D2 D3 D4 A0 A1 A2 A3 CLK DATA OUT DATA IN UPDATE RESET 16 OUTPUT G = +1, G = +2
AD4/AD5* DATA IN UPDATE CE RESET SER/PAR AD4/AD5 D D D2 D3 D4 256 OUTPUT G = +, G = +2 A A A2 A3 DATA OUT AD4/AD5 AD4/AD5 t t 3 t 2 t 4 DATA IN OUT7 (D4) OUT7 (D3) OUT (D) t 5 t 6 = UPDATE = t 7 DATA OUT
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότερα