Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές»
|
|
- Κηφάς Δουμπιώτης
- 8 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός Τελεστικών Ενισχυτών (ΤΕ) Ευστάθεια και Αντιστάθμιση Κυκλώματα Αναφοράς Required Text: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Copyrighted Images reproduced with kind permission of The McGraw-Hill Companies, Inc. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές» Οι τελεστικοί ενισχυτές έχουν σημαντικό ρόλο σε πάρα πολλά ηλεκτρονικά συστήματα, αναλογικά και μικτού σήματος. Η εφαρμογή τους στη ενίσχυση σημάτων, σε φίλτρα και σε πολωτικά κυκλώματα είναι διαδομένη Θα μελετήσουμε: Την ανάλυση και σχεδιασμό των ΤΕ Τις διάφορες παραμέτρους που χαρακτηρίζουν τις επιδόσεις των ΤΕ Διάφορες τοπολογίες ΤΕ και τα χαρακτηριστικά τους
2 Εισαγωγή Ο ΤΕ είναι ένας «διαφορικός ενισχυτής με ψηλό κέρδος» Το «ψηλό κέρδος» μπορεί κυμαίνεται μεταξύ 0 και 0 5 αναλόγως της εφαρμογής Στο παρελθών ο στόχος των σχεδιαστών ήταν οι γενικής χρήσεως τελεστικοί ενισχυτές Σήμερα ο κάθε ΤΕ έχει σχεδιαστεί με βάση την εφαρμογή για την οποία προορίζεται 3 Παράμετροι που χαρακτηρίζουν τις προδιαγραφές των ΤΕ Κέρδος (Gain) Εύρος ζώνης μικρών σημάτων (Small signal bandwidth) Εύρος ζώνης μεγάλων σημάτων (Large signal bandwidth) Ταλάντωση τάσης εξόδου (output voltage swing) Γραμμικότητα (linearity) Θόρυβος και τάση αποκλίσεως (voltage offset) Απόρριψη θορύβου τροφοδοσίας (supply rejection) 4
3 Κέρδος Το κέρδος (Α 0 ) καθορίζει την ακρίβεια σε ένα σύστημα με ανατροφοδότηση Πρέπει να ξέρουμε πιο είναι το ελάχιστο κέρδος για να ικανοποιήσουμε τις απαιτούμενες προδιαγραφές Μείωση στο κέρδος μπορεί να επιφέρει πιο ψηλή απόδοση σε άλλα χαρακτηριστικά όπως εύρος ζώνης, ισχύ κτλ. 5 Παράδειγμα για ελάχιστο κέρδος του ΤΕ Ο ενισχυτής έχει σχεδιαστεί για να έχει κέρδος 0 δηλ +R /R 0. Βρείτε το ελάχιστο κέρδος Α για να έχει % σφάλμα κέρδους out in A 0 R + R. R R R + R + A + A R + R R A 0.99 A.99 A 0 + A 0 > 990 Ενώ είναι εύκολη η σχεδίαση για κέρδος 0 σε τοπολογία κοινής πηγής, είναι αδύνατο να εγγυηθείς σφάλμα της τάξης του % 6 3
4 Εύρος ζώνης Μικρών Σημάτων Το κέρδος του ΤΕ σε ψηλές συχνότητες είναι σημαντικό όταν ένα σύστημα με ανατροφοδότηση πρέπει να δουλεύει με χαμηλό σφάλμα και στις ψηλές συχνότητες Το εύρος ζώνης μικρών σημάτων συνήθως καθορίζεται ως την συχνότητα όπου το κέρδος του ΤΕ πέφτει στο ένα, f u (συχνότητα μοναδιαίου κέρδους unity gain frequency) Η άλλη επιλογή είναι να καθορίζεται η συχνότητα όπου μοιράζεται ισχύ, f -3dB (0log 0 (0.5)-3dB) 7 Παράδειγμα για Εύρος Ζώνης Μικρών Σημάτων (/3) α) Υποθέστε ότι ο ΤΕ έχει μόνο ένα πόλο. Εάν το in είναι μικρό υπολογίστε τον χρόνο που χρειάζεται για να φτάσει η τάση εξόδου το εντός % της τελικής τιμής. β) Τί συχνότητα μοναδιαίου κέρδους πρέπει να έχει ο ΤΕ εάν +R /R 0 και ο χρόνος αποκατάστασης πρέπει να είναι λιγότερος από 5ns; 8 4
5 Παράδειγμα για Εύρος Ζώνης Μικρών Σημάτων (/3) α) out in in out out A( s) R + A( s) R + R A ( s) R + R + R κέρδος είσοδος 0 & R + t ( t) au( t) exp R τ Τελική τιμή A0 A( s) + s / ω 3dB A0 R + A0 R + R s A0 + + s ω0 R + A0 ω0 R + R Από ΗΜΜΥ t τ ln τ τ (RC) 9 Παράδειγμα για Εύρος Ζώνης Μικρών Σημάτων (3/3) β) 5 ns τ ln00 τ. 09ns.09ns R + R + R A 0 ω0 + 0 ω A 0 0 A ω 9.Grad / s. 47GHz
6 Εύρος ζώνης Μεγάλων Σημάτων Δεν είναι επαρκείς να χαρακτηρίζουμε την συμπεριφορά του ΤΕ μόνο για μικρά σήματα γιατί στην πραγματικότητα τυχαίνουν εφαρμογές οπού η είσοδος στιγμιαία είναι μεγάλο σήμα π.χ. Σε συστήματα «αυτόματου ελέγχου κέρδους» Εάν έχουμε κέρδος μικρού σήματος της τάξης του 000, και η είσοδος είναι θα έχουμε 000 στην έξοδο; Η ανάλυση μεγάλου σήματος είναι αρκετά περίπλοκη και χρειάζεται προσοχή όταν χρησιμοποιείται εξομοιωτής Ταλάντωση Τάσης Εξόδου Η ανάγκη μεγάλης ταλάντωσης στη έξοδο προέρχεται από το γεγονός ότι η δυναμική περιοχή σημάτων στην φύση είναι εξαιρετικά μεγάλη. Π.χ. Ο πιο δυνατός θόρυβος που άκουμε μπορεί να είναι 0 0 φορές πιο δυνατός από τον πιο σιγανό. Το να σχεδιάσεις μεγάλη ταλάντωση στις νέες τεχνολογίες σήμερα είναι από τους πιο προκλητικούς στόχους 6
7 Γραμμικότητα Πετυχαίνουμε την γραμμικότητα με: Τη διαφορική επεξεργασία για τη εξουδετέρωση των ζυγών αρμονικών Μεγάλο κέρδος ανοικτού βρόγχου σε συνδυασμό με ανατροφοδότηση Περιορίζοντας την είσοδο σε μικρά σήματα 3 Θόρυβος και Τάση Αποκλίσεως Ο θόρυβος καθορίζει το ελάχιστο χρήσιμο μέγεθος του σήματος εισόδου. Οι σχεδιαστές μπορούν να αυξήσουν το μέγεθος των στοιχείων η των ρευμάτων για να βελτιώσουν την επίδοση Η τάση αποκλίσεως σχετίζεται με το ταίριασμα των διαφορικών ζευγών. Αύξηση της επιφάνειας τους βελτιώνει το ταίριασμα. 4 7
8 Απόρριψη Θορύβου Τροφοδοσίας Ο θόρυβος στη τροφοδοσία συνηθίζεται περισσότερο σε ολοκληρωμένα κυκλώματα μικτών σημάτων Τα πλήρως διαφορικά κυκλώματα έχουν την καλύτερη απόρριψη του θορύβου τροφοδοσίας Στόχος είναι το καλό ταίριασμα και η μείωση τον παρασιτικών στις πηγές ρεύματος 5 Τελεστικοί Ενισχυτές Ενός Σταδίου 8
9 Δυο Απλοί ΤΕ Επιπρόσθετος πόλος A g r r ) A g r r ) v m, ( o o4 v m, ( o o4 Το C L καθορίζει το εύρος ζώνης του ενισχυτή Ο θόρυβος προέρχεται από το Μ -Μ 4 Το κέρδος συνήθως είναι κάτω από 0 πως μπορούμε να το αυξήσουμε? 7 Παράδειγμα ΤΕ ως Ακολουθητή Τάσης GS Καθόρισε τα όρια της λειτουργικής περιοχής εισόδου και την εμπέδηση εξόδου του ακολουθητή CCS + in min CCS GS in max DDS GS 3 + TH R out ( r r + βa o o4 o o4 0 ) ( r + g m, r ( r o ) r o4 ) g m, 8 9
10 Τηλεσκοπικοί ΤΕ A g v ( gm4ro 4ro gm ro 6r 8) m, 6 o A g Το κέρδος αυξήθηκε σημαντικά (τουλάχιστο μερικές εκατοντάδες) Η ταλάντωση τάσης εξόδου είναι πιο μικρή Η μέγιστη τάση εισόδου είναι πιο μικρή v ( gm4ro 4ro gm ro 6r 8) m, 6 o 9 Παράδειγμα Τηλεσκοπικού ΤΕ ως Ακολουθητή Τάσης Α)Υπό ποίες συνθήκες είναι κορεσμένα τα τρανζιστορ Μ & Μ 4 ; Β)Τι είναι το μέγεθος της επιτρεπόμενης περιοχής; Α) + out X TH out b TH 4 X b GS 4 + b TH 4 out b GS 4 TH Β) + ) out max out min GS 4 TH ( TH 4 0 0
11 Από που ξεκινούμε όταν θέλουμε να Σχεδιάσουμε ΤΕ; Πρώτα καθορίζονται οι προδιαγραφές του από το σύστημα όπου θα λειτουργεί. Μετά διαλέγουμε μια τοπολογία που αρμόζει με τα κυρίως χαρακτηριστικά που αρμόζει στον περίπτωση Και μετά ακολουθούμε μια διαδικασία πάρε δώσε μεταξύ των χαρακτηριστικών ως που να πετύχουμε τις απαιτούμενες προδιαγραφές Παράδειγμα σχεδίασης ΤΕ (/5) Σχεδιάστε ένα πλήρως διαφορικό τηλεσκοπικό ΤΕ με τις ακόλουθες προδιαγραφές: DD 3 Διαφορική ταλάντωση εξόδου3 Ισχύ0 mw Κέρδος τάσης000 μ n C ox 60μA/ μ p C ox 30μA/ λ n 0. -, λ p 0. - (για L min 0.5μm) γ0 THN THP 0.7
12 Παράδειγμα σχεδίασης ΤΕ (/5) DD 3 ) Αποφασίζουμε πως θα διατεθεί η ισχύ 0mW/ mA ) Εξετάζουμε την ταλάντωση εξόδου δηλ. X, Y ±0.75 δεν βγάζει κανένα στοιχείο από την περιοχή κορεσμού 333μA 3mA για να κρατεί κορεσμένα Μ 9,Μ,Μ 3,Μ 5,Μ 7 OD9 + OD + OD3 + OD5 + OD7.5 OD9 0.5, ODpmos 300m, ODnmos 00m 3 Παράδειγμα σχεδίασης ΤΕ (3/5) DD 3 Αφού ξέρουμε το OD και το ρεύμα σε κάθε στοιχείο μπορούμε εύκολα να βρούμε το W/L (I D (/)μc OX (W/L)( GS - TH ) ) W -4 50, W 5-8, W 9 400, LL min 3) Εξετάζουμε να δούμε εάν η προδιαγραφή για το κέρδος ικανοποιείται Av gm, ( gm4ro 4ro gm r 6 8) 6 o ro 46 4
13 Παράδειγμα σχεδίασης ΤΕ (4/5) DD 3 4) Προσπαθούμε να αυξήσουμε το κέρδος χωρίς να χαλάσουμε τις άλλες προδιαγραφές Αφού g r m o μc ox λi ( WL) / I ( W / L) I D D D Επηρεάζει ταχύτητα και θόρυβο Από τα στοιχεία αυτά περνά το σήμα, οπόταν δεν τα μεγαλώνουμε Εάν διπλασιάσουμε και το W και το L, το g m θα παραμείνει το ίδιο, ενώ το τελικό r o θα διπλασιαστεί (W/L) -4 50/0.5, (W/L) 5-8 /, (W/L) 9 400/0.5 Av Παράδειγμα σχεδίασης ΤΕ (5/5) DD 3 in min ) Καθορίζουμε την τάση των κόμβων b & b GS OD9 TH OD OD b min OD9 + OD + GS 3.6 ( OD7 + 5 ) b max DD GS.7 Στην πραγματικότητα πρέπει να αφήσουμε περιθώρια για κατασκευαστικές ατέλειες και την επίδραση σώματος 6 3
14 Διπλωμένα Κασκωδικά Κυκλώματα Οι διπλωμένοι κασκωδικοί ΤΕ έχουν το πλεονέκτημα ότι έχουν καλύτερη ταλάντωση εξόδου και μπορούν εύκολα να συνδεθούν ως ακολουθητές τάσης 7 Διπλωμένοι Κασκωδικοί ΤΕ (/3) Ρεύμα I SS CMmax b - GS3 + TH OUTmin ODISS + OD + OD4 OUTmax DD -( OD7 + OD9 ) Ρεύμα I SS + I SS + I SS CMmin b - GS3 - THP OUTmin OD3 + OD5 OUTmax DD -( OD7 + OD9 ) Ισχύ Ταλάντωση εισόδου Ταλάντωση εξόδου 8 4
15 Διπλωμένοι Κασκωδικοί ΤΕ (/3) A G m R out G g αφο << m m, ύ / gm3 ro 5 ro {[( g + g ) r ( r r )] [( g g ) r r ]} A gm, m3 mb3 o3 o o5 m7 + mb7 o7 o9 Σε σύγκριση με το τηλεσκοπικό ΤΕ (διαφάνεια 3) το κέρδος είναι πιο χαμηλό κατά -3 φορές γιατί: Το pmos διαφορικό ζεύγος έχει πιο χαμηλό g m παρά το nmos Το r o και το r o5 εμφανίζονται παράλληλα 9 Διπλωμένοι Κασκωδικοί ΤΕ (3/3) Σε σύγκριση με το τηλεσκοπικό ΤΕ (διαφάνεια 3) ο πόλος στο σημείο δίπλωσης είναι σε πιο χαμηλή συχνότητα γιατί έχει περισσότερα παρασιτικά στοιχεία: Ο αντίστοιχος ΤΕ με NMOS διαφορικό ζεύγος έχει καλύτερο κέρδος αλλά ο πόλος είναι σε ακόμα πιο χαμηλή συχνότητα αφού το /g m-pmos >/g m-nmos Παρόλα τα μειονεκτήματα του διπλωμένου κασκωδικού ΤΕ χρησιμοποιείται συχνά γιατί μπορείς να συνδέσεις την έξοδο στην είσοδο πιο εύκολα και έχει πιο μεγάλη περιοχή κοινής εισόδου. 30 5
16 Κασκωδικοί ΤΕ με μονή Έξοδο 3 ΤΕ των δυο σταδίων Οι ΤΕ που εξετάσαμε έχουν ένα στάδιο ενίσχυσης αφού το ρεύμα του διαφορικού ζεύγους περνά από την αντίσταση εξόδου για την παραγωγή της τάσης εξόδου. Και έτσι, εάν θέλουμε να αυξήσουμε το κέρδος με κασκωδικές τοπολογίες μειώνεται η περιοχή ταλάντωσης της εξόδου 3 6
17 Παράδειγμα ΤΕ με δυο σταδία [ g ( r r )] A gm ( ro ro 3) m5 o5 o7 out min b TH 7 out max ( dd GS 3 ) + TH 3 + TH 5 33 Παραδείγματα ΤΕ των δυο σταδίων {( g + g ) r r ( g g ) r r }[ g ( r r )] A gm, m3 mb3 o3 o m5 + mb5 o5 o7 m9 o9 o 34 7
18 Παράδειγμα ΤΕ των δυο σταδίων με Μονή Έξοδο [ g ( r r )] A gm ( ro ro 3) m5 o5 o7 Μπορούμε να βάλουμε και τρίτο στάδιο ενίσχυσης; 35 8
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Ανατροφοδότηση»
Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MO Ενισχυτέςενόςσταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Απόκριση Συχνότητας»
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MO Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2
ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 Το διαφορικό ζεύγος Το κάτω τρανζίστορ (I bias ) καθορίζει το ρεύμα του κυκλώματος Τα δυο πάνω τρανζίστορ συναγωνίζονται γιατοποιοθαπάρειαυτότορεύμα 2 Ανάλυση
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο
ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής /4 Ηλεκτρονική ΙIΙ Ηλεκτρονική ΙIΙ ο εξάμηνο. Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών. Κυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων S «Διαφορικά Ζεύγη» Φώτης Πλέσσας fplessas@f.uth.r Δομή Παρουσίασης Αναθεώρηση απλής διαφορικής λειτουργίας Περιγραφή και ανάλυση του διαφορικού ζεύγους Λόγος απόρριψης κοινού
Διαβάστε περισσότεραΙατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:
Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ
Διαβάστε περισσότεραΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5
ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 Cascode Κυκλώματα (1/2) Χρησιμοποιούμε ένα κοινήςπύλης/βάσης τρανζίστορ για να: Βελτιώσουμε την αντίσταση εξόδου ενός άλλου τρανζίστορ. V drain Μειώσουμε το φαινόμενο Gate-to-
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Ηλεκτρικός Θόρυβος»
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF
Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Κεφάλαιο 6. NA Σωτήριος Ματακιάς, -3, Σχεδίαση Τηλεπικοινωνιακών I Κυκλωμάτων, Κεφάλαιο 5 /3 Βασικές παράμετροι των NA: Receiver Front End Z =5Ω RF Filter - -8dB Z =5Ω
Διαβάστε περισσότερα1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά
Διαβάστε περισσότερα1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων Ενότητα 9: Ευστάθεια και Αντιστάθμιση Συχνότητας
Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Σύστημα αρνητικής ανάδρασης Y X s H(s) 1 H(s) Συνάρτηση μεταφοράς κλειστού βρόχου Ταλαντωτής
Διαβάστε περισσότεραK14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής
K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Γενικά Περιεχόμενα 1 Γενικά 2 Διαφορικός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώµατα ΙΙ
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώµατα ΙΙ Εισαγγή στα Ολο. Κυκλ.ü Βασική Φυσική MO ü Ενισχυτές ενός σταδίου ü Διαφορικοί Ενισχυτέςü Καθρέφτες Ρεύµατος ü Απόκριση Συχνότητας ü Ηλεκτρικός Θόρυβος ü Ανατροφοδότηση
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ ΚΕΦΑΛΑΙΟ
ΘΕΩΡΙΑ Περιεχόμενα 1ο Μέρος ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1...9 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΡΗΤΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ... 9 1.1 Εισαγωγή... 9 1.2 Ακρίβεια (Αccuracy)... 10 1.2.1 Παράδειγμα... 11 1.2.2 Παράδειγμα... 12 1.3 Σαφήνεια (Precision)...
Διαβάστε περισσότεραHY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων
HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων «Ηλεκτρικός Θόρυβος» Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Στατιστικά Χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΤο ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MO S MOS ιαφορικός Ενισχτής Γ. MOS Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MOS Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (Ι) G Φόρτος Q ()
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Διαφορικός Ενισχτής MOS Κεφάλαιο 7 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το διαφορικό ζεύγος. Διαφορικό κέρδος κοινού σήματος 3.
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτές. Εργαστήριο VLSΙ. Τμήμα ΗΜΜΥ Πολυτεχνική σχολή Πανεπιστημίου Θεσσαλίας. Μεταπτυχιακός φοιτητής. Αλεξανδρίδης Αναστάσιος. Υπεύθυνος Καθηγητής
Τμήμα ΗΜΜΥ Πολυτεχνική σχολή Πανεπιστημίου Θεσσαλίας Ενισχυτές Εργαστήριο VLSΙ Μεταπτυχιακός φοιτητής Αλεξανδρίδης Αναστάσιος Υπεύθυνος Καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Εισαγωγή Σκοπός αυτής της εργασίας είναι
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραHY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας
HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr 1 Εισαγωγή (1/2) Με την πρόοδο της τεχνολογίας VLSI οι ψηφιακές υλοποιήσεις αυξάνονται
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή
Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο
Ηλεκτρονική ΙIΙ 6 ο εξάμηνο 1. Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών 2. Κυκλώματα ανόρθωσης - δίοδοι zener 3. Κυκλώματα αναφοράς 4. Ενισχυτές ισχύος 5. Ηλεκτρονικά ελέγχου ισχύος 1/38 1 Πηγή ρεύματος Widlar με
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο
5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός
Διαβάστε περισσότεραΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Εισαγωγή Ιστορικά στοιχεία Οι πρώτοι τελεστικοί ενισχυτές χρησιμοποιήθηκαν κυρίως για την εκτέλεση μαθηματικών πράξεων, δηλαδή πρόσθεση, αφαίρεση, ολοκλήρωση και διαφόριση.
Διαβάστε περισσότερα«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΣυλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ
Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ Σε ένα ηλεκτρικό κύκλωμα δημιουργούνται ανεπιθύμητα ηλεκτρικά σήματα, που οφείλεται σε διάφορους παράγοντες, καθώς επίσης και
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εισαγωγή
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1: Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες
Διαβάστε περισσότεραΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;
ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Τύποι Αναλύσεων (1 από2) Για την μελέτη της συμπεριφοράς των κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF
Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6.2 Mixers /25 Βασικές Παράμετροι Μικτών Mixer Βασικές παράμετροι των μικτών: Z =5Ω Band Selecion Filer - -8dBm Z =5Ω Receiver Fron End LNA A 5dB Z =5Ω Image Rejec
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Περιεχόμενα Βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότερα4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων
Σχεδίαση Μεικτών LSI Κυκλωμάτων Ενότητα 6: Παθητικοί και ενεργητικοί καθρέπτες ρεύματος Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Πόλωση του διαφορικού ενισχυτή
Διαβάστε περισσότεραΗ Βασική Δομή Συστημάτων Ελέγχου Κίνησης
Η Βασική Δομή Συστημάτων Ελέγχου Κίνησης Σύστημα ονομάζουμε ένα σύνολο στοιχείων κατάλληλα συνδεδεμένων μεταξύ τους για να επιτελέσουν κάποιο έργο Είσοδο ονομάζουμε τη διέγερση, εντολή ή αιτία η οποία
Διαβάστε περισσότεραΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας
ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος 24/11/2011 12:09 καθ. Τεχνολογίας ΜΙΚΡΟΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΗΣ Ένας μικροεπεξεργαστής είναι ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα που επεξεργάζεται όλες τις πληροφορίες σε ένα
Διαβάστε περισσότεραΠείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία
Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές
Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:
Διαβάστε περισσότεραΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ
ΕΙΣΑΓΩΓΗ: Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα προκατασκευασμένο κύκλωμα μικρών διαστάσεων που συμπεριφέρεται ως ενισχυτής τάσης, και έχει πολύ μεγάλο κέρδος, πολλές φορές της τάξης του 10 4 και 10 6. Ο τελεστικός
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5: Πολυβάθμιοι ενισχυτές Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ
Διαβάστε περισσότεραΔιάρκεια εξέτασης 2 ώρες
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ ΓΡΑΠΤΗ ΕΞΕΤΑΣΗ B ΠΕΡΙΟΔΟΥ ΕΑΡΙΝΟΥ 007-08 Η/Ν ΦΙΛΤΡΑ Εξεταστής: Καθηγητής Ηρ. Γ. Δηµόπουλος Διάρκεια εξέτασης ώρες 0.09.008 ΖΗΤΗΜΑ (5 µονάδες Tο εικονιζόµενο κανονικοποιηµένο
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per
Διαβάστε περισσότεραΕξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής
Ανάλυση Κυκλωμάτων Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Εισαγωγή Οι εξαρτημένες πηγές είναι πολύ ενδιαφέροντα ηλεκτρικά στοιχεία, αφού αποτελούν αναπόσπαστα στοιχεία
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET Recommended Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (4 th Chapter) Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi ( nd Chapter)
Διαβάστε περισσότερα7 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΑΥΤΟΕΞΕΤΑΣΗΣ. 1) Ποιος είναι ο ρόλος του δέκτη στις επικοινωνίες.
7 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΑΥΤΟΕΞΕΤΑΣΗΣ 1) Ποιος είναι ο ρόλος του δέκτη στις επικοινωνίες. Ρόλος του δέκτη είναι να ενισχύει επιλεκτικά και να επεξεργάζεται το ωφέλιμο φέρον σήμα που λαμβάνει και να αποδίδει
Διαβάστε περισσότεραΜνήμες RAM. Διάλεξη 12
Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραHY:433 Αναλογικά Κυκλώματα VLSI (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας
HY:433 Αναλογικά Κυκλώματα VLSI (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr 1 Σκοπός του μαθήματος http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce433/index.php Ένα προχωρημένο μάθημα στο σχεδιασμό
Διαβάστε περισσότεραΜετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).
Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να
Διαβάστε περισσότερα«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα
Διαβάστε περισσότεραΚαθυστέρηση στατικών πυλών CMOS
Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Πρόχειρες σημειώσεις Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Άνοιξη 2008 Παρόλο που οι εξισώσεις των ρευμάτων των MOS τρανζίστορ μας δίνουν
Διαβάστε περισσότερα7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα
7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4
Λογικά Κυκλώματα NMOS Διάλεξη 4 Δομή της διάλεξης Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Θεσσαλίας
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Εργαστηριακές Ασκήσεις Εργαστήριο 8 Τελεστικός Ενισχυτής Φ. Πλέσσας Βόλος 2015 Σκοπός Σκοπός του εργαστηρίου
Διαβάστε περισσότεραTo π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT
Ενισχυτικές Διατάξεις To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT C μ : Χωρητικότητα ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-C C π = C BE : Χωρητικότητα ορθά πολωμένης επαφής Β-Ε g m : Διαγωγιμότητα τρανζίστορ r b c : αντίσταση
Διαβάστε περισσότεραΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές 1.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότερα4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET
4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1
Διαβάστε περισσότερα6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 6 ης ενότητας Στην έκτη ενότητα, θα μελετήσουμε τον τελεστικό ενισχυτή,
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των
Διαβάστε περισσότεραΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β
Διαβάστε περισσότερα5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Συνδυαστική Λογική Κεφάλαιο 9 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Στατική CMOS λογική και λογική 2. Διαφορική λογική 3.
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος
Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3: Κυκλώματα αναφοράς Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το
Διαβάστε περισσότεραΙατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 4β. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:
Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 Μειονεκτήματα
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ
Άσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215
Διαβάστε περισσότεραΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4
ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 Το βασικό μοντέλο ενισχυτή Χαρακτηριστικά Ενίσχυση σημάτων μηδενικής (σχεδόν) τάσης Τροφοδοσία από μια ή περισσότερες DC πηγές Απαιτεί κατάλληλο DC biasing
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές
Θεωρητική Ανάλυση: Τελεστικοί Ενισχυτές 1. Διαβάστε το datasheet του LM741 και συμπληρώστε τις παρακάτω παραμέτρους. Supply Voltage, Input Offset Current, Input Offset Voltage, Input Resistance, Output
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 5 -Ενισχυτές
Κεφάλαιο 5 Ενισχυτές Χαµηλού Θορύβου (LNA) Χαµηλού Θορύβου 1 Βασικές παρέµετροι των Ενισχυτών Χαµηλού Θορύβου. Τυπικά χαρακτηριστικά των LNA για ετερόδυνες αρχιτεκτονικές NF (εικόνα θορύβου) db I I P 3-10
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4: Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες
Διαβάστε περισσότεραΧαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)
6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Υλοποίηση και Εργαστηριακή Αναφορά Ring και Hartley Ταλαντωτών Φοιτητής: Ζωγραφόπουλος Γιάννης Επιβλέπων Καθηγητής: Πλέσσας Φώτιος
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ
Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β'
Διαβάστε περισσότεραΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 3
ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 3 ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 007 Ο Τελεστικός Ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής (op-amp αποτελεί ένα βασικό δομικό στοιχείο στη σχεδίαση αναλογικών κυκλμάτν. Η συμπεριφορά του μοντελοποιείται
Διαβάστε περισσότεραΤΗΛ412 Ανάλυση & Σχεδίαση (Σύνθεση) Τηλεπικοινωνιακών Διατάξεων. Διάλεξη 6. Άγγελος Μπλέτσας ΗΜΜΥ Πολυτεχνείου Κρήτης, Φθινόπωρο 2016
ΤΗΛ412 Ανάλυση & Σχεδίαση (Σύνθεση) Τηλεπικοινωνιακών Διατάξεων Διάλεξη 6 Άγγελος Μπλέτσας ΗΜΜΥ Πολυτεχνείου Κρήτης, Φθινόπωρο 2016 1 Διάλεξη 6 Αρχιτεκτονικές Δεκτών (συνέχεια) Προηγούµενες διαλέξεις:
Διαβάστε περισσότεραHMY 102 Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
HMY Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Μέρος Α Ωμικά Κυκλώματα (Διαλέξεις 6) Δρ. Σταύρος Ιεζεκιήλ ezekel@ucy.ac.cy Green Park, Γραφείο Τηλ. 899 Διάλεξη 7 Εισαγωγή στη μεταβατική ανάλυση Βασικά στοιχεία κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΙατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 5γ. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:
Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 Πολλές
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα Β:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα Β:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 3: Σχεδίαση αναλογικών Ο.Κ. MOS Αραπογιάννη Αγγελική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών. Σελίδα
Διαβάστε περισσότερα