Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4
|
|
- Ἀπόλλων Σπανού
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Λογικά Κυκλώματα NMOS Διάλεξη 4
2 Δομή της διάλεξης Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Φορτίο τύπου αραίωσης Σύγκριση των Αντιστροφέων NMOS Οι λογικές πύλες NMOS Κατανάλωση Ισχύος Ασκήσεις 2
3 Λογικά Κυκλώματα NMOS Χρήση μόνο MOS καναλιού-n Διαβαθμισμένη λογική Στόχος: επιλογή της τοπολογίας του κυκλώματος και των λόγων W/L των τρανζίστορ MOS, ώστε να επιτευχθεί η λογική λειτουργία 3
4 Λογικά Κυκλώματα NMOS Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο 4
5 Το βασικό κύκλωμα αντιστροφέα M S : στοιχείο μεταγωγής NMOS, έχει στόχο να τραβάει την έξοδο προς το V OL R: στοιχείο φόρτου ωμικής αντίστασης, έχει στόχο να τραβάει την έξοδο προς τα πάνω, προς την τάση τροφοδοσίας V DD 5
6 Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Το NMOS σχεδιάζεται ώστε να μετάγεται ανάμεσα στη γραμμική περιοχή (για u I =V OH ) και την αποκοπή (για u I =V OL ) Επιλογή του R και του λόγου W/L του MS: Για ορισμό του V OL Για ορισμό της ολικής κατανάλωσης της πύλης 6
7 Λειτουργία Τάση εξόδου: u o =u DS =V DD -i DS R Για είσοδο LOW (u I =V OL ), M S σε αποκοπή i DS =0 u o =V DD =V OH δηλαδή έξοδος HIGH V OL μικρότερη από V TN ώστε το M S να είναι σε αποκοπή Φυσιολογικό σχεδιαστικό σημείο η V OL από 25 μέχρι 50% της V TN για επαρκή περιθώρια θορύβου 7
8 Λειτουργία Για είσοδο HIGH (u I =V OΗ ), M S σε γραμμική περιοχή,u o =V OL δηλαδή έξοδος LOW Θέτουμε περιορισμό για την κατανάλωση της πύλης, και άρα για το επιθυμητό ρεύμα λειτουργίας σε αυτή την κατάσταση και σε συνδυασμό με την επιθυμητή τιμή της V OL επιλέγουμε το κατάλληλο W/L Επιλέγουμε R=(V DD -V OL )/i DS 8
9 Κατανόηση της γραμμής φόρτου u DS =V DD -i DS R Το Mosfet μετάγεται ανάμεσα στις δύο περιοχές λειτουργίας πάνω στη γραμμή φόρτου (οι δύο κύκλοι) Στη δεξιά πλευρά της γραμμή φόρτου είναι σε αποκοπή Στην αριστερή πλευρά συμπεριφέρεται σαν μια μικρή αντίσταση. Το ρεύμα καθορίζεται κυρίως από την αντίσταση του φόρτου. Ηθέσηαυτούτου σημείου είναι σχεδόν ανεξάρτητη από τη V GS 9
10 Ηαντίσταση-on του στοιχείου μεταγωγής Ηαντίσταση-on του στοιχείου μεταγωγής: Ron u DS = = i D 1 K W u L V ' n GS TN Ron<<R ώστε V OL μικρή u 2 Για έξοδο LOW η V OL υπολογίζεται και από ένα ωμικό διαιρέτη τάσης μεταξύ R και R on : DS 10 Ron VOL = VDD = VDD R + R on 1 R 1+ R on
11 Περιθώρια θορύβου V OL και V OH γνωστά Υπολογίζουμε V IL και V IH, είναι τα σημεία που η χαρακτηριστική έχει κλίση -1 N ML =V IL -V OL N MH =V OH -V IH 11
12 Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Είδαμε στατική σχεδίαση Όχι κατάλληλη τεχνολογία για χρήση σε ICs Η αντίσταση καταλαμβάνει υπερβολικά μεγάλη επιφάνεια Για παράδειγμα, σε συγκεκριμένη τεχνολογία προκύπτει ότι η αντίσταση έχει πάνω από 4000 φορές μεγαλύτερη επιφάνεια από το τρανζίστορ μεταγωγής απλά μη αποδεκτό Γι αυτό: Χρήση τρανζίστορ στη θέση της αντίστασης φόρτου (θα δούμε 3 τοπολογίες) 12
13 Λογικά Κυκλώματα NMOS Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο 13
14 Το κύκλωμα του βασικού αντιστροφέα Πρέπει να διαστασιολογήσουμε τα δύο τρανζίστορ: Η συνδεσμολογία του τρανζίστορ φόρτου M L το αναγκάζει να λειτουργεί πάντα στον κόρο Περιορίζουμε το ρεύμα και την ισχύ της πύλης στο επιθυμητό επίπεδο (εδώ π.χ. 50μΑ) και σε συνδυασμό με την V OL (=0.25V για παράδειγμα, που σημαίνει u GS =4.75V για το M L ) επιλέγουμε το λόγο W/L του M L για να ικανοποιούνται αυτές οι δύο συνθήκες ΗεπιφάνειατουM L προκύπτει συγκρίσιμη με την επιφάνεια του M S, σε αντιδιαστολή με τον ωμικό φόρτο! 14
15 Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο Η χρήση του στοιχείου κορεσμένου φόρτου έχει δραματική επίδραση στη μείωση της επιφάνειας της πύλης Έχει υποβαθμιστική επίδραση όμως στα υπόλοιπα χαρακτηριστικά της πύλης V OH =V DD -V TN με την ανάλογη επίπτωση στο περιθώριο θορύβου Επειδή στην είσοδο συνδέεται πλέον μικρότερη V OH, για να παραμείνει ίδια η V OL πρέπει να αυξηθεί η τιμή του W/L του M S, και άρα η επιφάνειά του 15
16 Φαινόμενο σώματος Φαινόμενο σώματος: V B =0V u SB =0V για το M S Όχι και για το M L όμως Η τάση κατωφλίου του M L αυξάνεται ( 2 2 ) V = V + γ u + ϕ ϕ TN TO SB F F Περαιτέρω ελάττωση της V OH δευτεροβάθμια εξίσωση ( 2 2 ) VOH = VDD VTO + γ VOH + ϕf ϕf 16
17 Φαινόμενο σώματος Με τη νέα (χαμηλότερη) τιμή της V OH πρέπει να υπολογιστεί εκ νέου το W/L του M S (μεγαλύτερο) Πρέπει όμως και να υπολογιστεί και το W/L του M L ώστε να είναι σε θέση να δίνει τα 50μΑ (μικρή ελάττωση της επιφανείας του M L ) 17
18 Φαινόμενο σώματος Συγκριτικό παράδειγμα, οι σχεδιασμοί αντιστροφέα με κορεσμένα στοιχεία φόρτου: (a) χωρίς το φαινόμενο σώματος, (b) συμπεριλαμβανομένου του φαινομένου σώματος 18
19 Συνάρτηση μεταφοράς τάσης Προσομοίωση της συνάρτησης μεταφοράς τάσης με το SPICE Για μικρές τιμές της τάσης εισόδου, ηέξοδος είναι σταθερή στα 3.4V Καθώς η τάση εισόδου αυξάνεται, η κλίσητης συνάρτησης μεταφοράς αλλάζει απότομα στο σημείο που το τρανζίστορ μεταγωγής αρχίζει να άγει, όταν η τάση εισόδου υπερβεί την τάση κατωφλιού του M S Καθώς η τάση εισόδου συνεχίζει να αυξάνεται, η τάση εξόδου ελαττώνεται γρήγορα, και τελικά φτάνει την τιμή σχεδίασης των 0.25V, για μια τάση εσόδου 3.4V 19
20 Λογικά Κυκλώματα NMOS Ο Αντιστροφέας ΝMOS με Γραμμικό Φόρτο 20
21 Το κύκλωμα του βασικού αντιστροφέα Η πύλη του τρανζίστορ φορτίου συνδέεται σε μια ξεχωριστή τάση V GG Πρέπει V GG V DD +V TNL γιαναείναι στη γραμμική περιοχή το M L Έτσι V OH =V DD 21
22 ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο Οι λόγοι W/L υπολογίζονται με μεθόδους παρόμοιες με την περίπτωση του κορεσμένου φόρτου Για u o =V OL, η u GS του M L είναι μεγάλη, οπότε ο λόγος (W/L) L πρέπει να ελαττωθεί για να περιοριστεί το ρεύμα και η κατανάλωση στο επιθυμητό επίπεδο 22
23 ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΗεισαγωγήτηςV GG λύνει το πρόβλημα της ελαττωμένης τάσης εξόδου Όμως αυτή η τοπολογία χρησιμοποιείται σπάνια λόγω: Του κόστους της επιπλέον τροφοδοσίας και της πολυπλοκότητας των απαραίτητων διασυνδέσεων (η V GG πρέπει να ενώνεται σε κάθε πύλη) 23
24 Λογικά Κυκλώματα NMOS Ο Αντιστροφέας ΝMOS με Φορτίο τύπου αραίωσης 24
25 Το κύκλωμα του βασικού αντιστροφέα Ως φορτίο χρησιμοποιείται NMOS αραίωσης Έχει αρνητική τάση κατωφλίου, υπάρχει κανάλι ακόμα και για u GS =0, και άγει μέχρι η τάση u DS να γίνει μηδέν Άρα, η τάση εξόδου ανεβαίνει μέχρι την τελική της τιμή V OH =V DD όταν το στοιχείο μεταγωγής M S δεν άγει (u I =V OL ) Για u I =V OΗ, το ρεύμα περιορίζεται από το φορτίο τύπου αραίωσης, το οποίο σχεδιάζεται να λειτουργεί στην περιοχή κόρου, η οποία απαιτεί: u DS u GS -V TNL =0-V TNL ή u DS -V TNL 25
26 Παράδειγμα σχεδίασης αντιστροφέα Έστω V DD =5V, V OL =0.25V, V TNL =-3V Για το M L με u o =V OL είναι V DS =4.75V > -V TNL =3V, άρα το M L είναι στον κόρο Το ρεύμα του M L στον κόρο για u GS =0 είναι K W K W i u V V ' ' n 2 n 2 DSL = ( GSL TNL ) ( TNL ) 2 L = L 2 L L Λόγω φαινόμενου σώματος με V TO =-3V, γ=0.5, 2φ F =0.6V, K n=25μα/v 2, u SB =V OL =0.25V ( ) V = 3V V = 2.93V TNL Για ρεύμα σχεδίασης 50μA, από την εξίσωση του ρεύματος του M L βρίσκουμε (W/L) L =1/
27 Παράδειγμα σχεδίασης αντιστροφέα Για το λόγο W/L του M S που είναι σε γραμμική περιοχή έχουμε: u I =5V, u o =V OL W i = K u V u u ( 0.5 ) ' DSS n GSS TNS DSS DSS L S i DSS = 50μA, u GS =u I =5V, V TNS =1V, u DS =V OL =0.25V Αντικαθιστώντας προκύπτει (W/L) S =2.06/1 Οπότε έχουμε (W/L) L =1/2.15 και (W/L) S =2.06/1 27
28 Συνάρτηση μεταφοράς τάσης Προσομοίωση της συνάρτησης μεταφοράς τάσης με το SPICE του αντιστροφέα του παραδείγματος Για μικρές τιμές της τάσης εισόδου, η έξοδοςείναι σταθερή στα 5V Καθώς η τάση εισόδου αυξάνεται, ηκλίσητης συνάρτησης μεταφοράς μεταβάλλεται βαθμιαία καθώς το τρανζίστορ μεταγωγής αρχίζει να άγει, για μια τάση εισόδου που υπερβαίνει την τάση κατωφλιού του M S Καθώς η τάση εισόδου συνεχίζει να αυξάνεται, ητάση εξόδου ελαττώνεται γρήγορα, καιτελικάφτάνειτηντιμή σχεδίασης των 0.25V, για μια τάση εσόδου 5V 28
29 Περιθώρια θορύβου Η V OL και το περιθώριο θορύβου συναρτήσει της K R =K S /K L για τον αντιστροφέα NMOS με στοιχείο φόρτου τύπου αραίωσης 29
30 Λογικά Κυκλώματα NMOS Σύγκριση των Αντιστροφέων NMOS 30
31 Σύγκριση των Αντιστροφέων NMOS 31
32 Σύγκριση των Αντιστροφέων NMOS Η πύλη με το ωμικό φορτίο καταλαμβάνει μεγάλη επιφάνεια, ακατάλληλη για IC Μετοκορεσμένοφορτίοείναιτοπιοαπλόκύκλωμα(μόνο NMOS), αλλά η υψηλή λογική κατάσταση δε φτάνει την τάση τροφοδοσίας. Η ταχύτητα της τοπολογίας είναι μάλιστα μικρή Το κύκλωμα γραμμικού φορτίου λύνει τα προβλήματα λογικού επιπέδου και ταχύτητας, αλλά απαιτεί επιπλέον μια δαπανηρή τάση τροφοδοσίας με συνέπειες και στην καλωδίωση των πυλών Το κύκλωμα με φόρτο αραίωσης είναι η προτιμώμενη επιλογή: απλή τοπολογία, με τα ελάχιστα δυνατά μεγέθη τρανζίστορ, ταχύτερη μάλιστα όλων των άλλων. Σε σχέση με CMOS που θα δούμε στην επόμενη διάλεξη, υστερεί μόνο στη μεγάλη στατική κατανάλωση ισχύος, εγγενές χαρακτηριστικό της λογικής NMOS 32
33 Λογικά Κυκλώματα NMOS Οι λογικές πύλες NMOS 33
34 Οι λογικές πύλες NMOS Πύλη NOR NMOS με δύο εισόδους και απλοποιημένο μοντέλο Αν η μία είτε και οι δύο είσοδοι είναι σε υψηλό λογικό επίπεδο, θα υπάρχει τουλάχιστον μια διαδρομή ρεύματος από τα M A, M B και η έξοδος θα είναι low Μόνο αν και οι δύο είσοδοι είναι low, ηέξοδος θα είναι high 34
35 Οι λογικές πύλες NMOS Παράδειγμα σχεδίασης της πύλης: Το μέγεθος των διαφόρων τρανζίστορ πρέπει να επιλεγεί έτσι ώστε να ικανοποιούνται οι προδιαγραφές επιπέδου και ισχύος κάτω από τις χειρότερες συνθήκες λογικών εισόδων Για τη NOR η χειρότερη περίπτωση για τη χαμηλή κατάσταση εξόδου είναι να άγει μόνο ένα εκ των M A, M B ΆραταμεγέθητωνM A, M B είναι ίδια με το μέγεθος του M S στον αντιστροφέα αναφοράς του προηγούμενου παραδείγματος Όταν άγουν ταυτόχρονα, απλά η V OL θα είναι ακόμα χαμηλότερη από 0.25V Όταν είτε το M A είτε το Μ Β άγει μεμονωμένα, το ρεύμα περιορίζεται από το στοιχείο φόρτου, καιοιτάσειςθαείναι οι ίδιες ακριβώς όπως και στον αντιστροφέα αναφοράς. Έτσι, ολόγοςw/l του στοιχείου φόρτου είναι ο ίδιος με αυτόν στον αντιστροφέα αναφοράς 35
36 Οι λογικές πύλες NMOS Πύλη NAND NMOS με δύο εισόδους και απλοποιημένο μοντέλο Μόνο αν και οι δύο είσοδοι είναι high, θα υπάρχει διαδρομή ρεύματος διαμέσου του συνδυασμού σε σειρά των δύο στοιχείων μεταγωγής, και η έξοδος είναι σε χαμηλή λογική κατάσταση Αν η μία είτε και οι δύο είσοδοι είναι σε χαμηλό λογικό επίπεδο, η αγώγιμη διαδρομή ρεύματος διακόπτεται και η έξοδος θα είναι high 36
37 Οι λογικές πύλες NMOS Παράδειγμα σχεδίασης της πύλης: Το μέγεθος των διαφόρων τρανζίστορ πρέπει να επιλεγεί έτσι ώστε να ικανοποιούνται οι προδιαγραφές επιπέδου και ισχύος κάτω από τις χειρότερες συνθήκες λογικών εισόδων Όταν η έξοδος είναι low (άγουν και τα δύο M A, M B ), η συνδυασμένη αντίσταση είναι 2R on. Άρα ο κάθε λόγος W/L των M A, M B πρέπει να διπλασιαστεί ώστε η κάθε μεμονωμένη R on να γίνει η μισή Αυτή η ανάλυση είναι προσεγγιστική γιατί: Οι τάσεις κατωφλίου των M A, M B δεν είναι ίσες λόγω φαινομένου σώματος (διαφορετικές u SB ) V GSA V GSB, είναι V GSA =5V και V GSB =4.875V 37
38 Οι λογικές πύλες NMOS Ο συνυπολογισμός των δύο αυτών φαινομένων αφήνεται ως άσκηση (δεδομένα ίδια με τον αντιστροφέα με φορτίο αραίωσης που παρουσιάστηκε) Τα αποτελέσματα του συνυπολογισμού των δύο φαινομένων φαίνονται στην εικόνα (b) Σε σύγκριση με τα προσεγγιστικά αποτελέσματα που φαίνονται στην εικόνα (a), η διόρθωση που γίνεται είναι μάλλον μικρή, οπότε και οι τιμές στο αναπαριστούν ένα επαρκές επίπεδο σχεδίασης για τους περισσότερους σκοπούς 38
39 Λογικά Κυκλώματα NMOS Κατανάλωση Ισχύος 39
40 Κατανάλωση Ισχύος Χωρίζεται σε στατική και δυναμική κατανάλωση Στατική κατανάλωση ισχύος: Είναι η κατανάλωση σε σταθερή κατάσταση (για σταθερή έξοδο) Ισχύς που παρέχεται στην πύλη: P=V DD i DD, i DD είναι το ρεύμα που προέρχεται από την πηγή V DD. Στις πύλες που μελετήθηκαν, i DD είναι ίσο με το ρεύμα διαμέσου του στοιχείου φόρτου Ολική στατική κατανάλωση=μέσος όρος των καταναλώσεων για έξοδο high και low Για κύκλο λειτουργίας 50% (η πύλη μένει ίσο χρόνο σε high και σε low) P av =(V DD I DDH +V DD I DDL )/2 I DDH = ρεύμα στην πύλη για u o =V OH I DDL = ρεύμα στην πύλη για u o =V OL Για τις πύλες που μελετήθηκαν, το ρεύμα στην πύλη μηδενίζεται όταν η u o φτάνει την V OH, δηλαδή I DDH =0, οπότε P av =V DD I DDL /2 40
41 Κατανάλωση Ισχύος Δυναμική κατανάλωση ισχύος: Προκύπτει κατά τη διαδικασία φόρτισης και εκφόρτισης της χωρητικότητας φόρτου της πύλης Για τη μελέτη, χρήση απλού μοντέλου (a) φόρτιση, (b) εκφόρτιση Φόρτιση: Ο αρχικά εκφορτισμένος πυκνωτής φορτίζεται προς τη θετική τάση VDD μέσω μιας μη γραμμικής αντίστασης (π.χ. αντίσταση φόρτου) Ολική ενέργεια που παρέχεται από την πηγή ED = P() t dt Ισχύς P(t)=V DD i(t) άρα 0 VC ( ) duc D = DD () = DD () = DD = DD c dt V 0 E V i t dt V i t dt V C dt CV du C ( ) 41
42 Κατανάλωση Ισχύος Φόρτιση (συνέχεια): V C (0)=0, V C ( )=V DD, εύκολα υπολογίζουμε E D =CV DD 2 Ενέργεια που αποθηκεύεται στον πυκνωτή E S =CV DD2 /2 Επομένως η ενέργεια που χάνεται στο ωμικό στοιχείο είναι E L =E D -E S =CV DD2 /2 Εκφόρτιση: Ο πυκνωτής είναι αρχικά φορτισμένος στη VDD Μόλις κλείσει ο διακόπτης, εκφορτίζεται προς μηδενική τάση, διαμέσου μιας άλλης γραμμικής αντίστασης (όπως ένα τρανζίστορ MOS τύπου πύκνωσης) ΗενέργειαE S που αποθηκεύτηκε στον πυκνωτή καταναλώνεται στην αντίσταση Η ολική ενέργεια που καταναλώνεται στη διαδικασία της φόρτισης και εκφόρτισης είναι E TD 2 2 CVDD CVDD = + = CV DD 42
43 Κατανάλωση Ισχύος Σε κάθε πλήρη κύκλο μεταγωγής καταναλώνεται, λοιπόν, ενέργεια E TD 2 2 CVDD CVDD = + = CV DD Οι λογικές πύλες αλλάζουν καταστάσεις σε κάποια σχετικά μεγάλη συχνότητα f Η δυναμική ισχύς που καταναλώνεται στο κύκλωμα είναι: TD 2 PD = E = fetd = CVDDf T Από την πηγή V DD ουσιαστικά παρέχεται ένα μέσο ρεύμα ίσο με CVDDf 43
44 Κατανάλωση Ισχύος Κλιμάκωση της ισχύος στις λογικές πύλες MOS: Αν μεταβάλουμε τους λόγους W/L του στοιχείου φόρτου και του στοιχείου μεταγωγής κατά ένα συντελεστή, τότε τα ρεύματα των τρανζίστορ μεταβάλλονται κατά τον ίδιο συντελεστή, χωρίς αλλαγή στα επίπεδα τάσεων λειτουργίας Αν οι λόγοι μεταβληθούν κατά τον ίδιο συντελεστή, το επίπεδο ισχύος της πύλης μπορεί εύκολα να κλιμακωθεί προς τα πάνω ή προς τα κάτω, χωρίς να επηρεαστούν οι τιμές των V OH, V OL Η ίδια τεχνική μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να κλιμακοθετηθεί ο χρόνος δυναμικής απόκρισης του αντιστροφέα, ώστε να αντισταθμιστούν διάφορες συνθήκες χωρητικού φορτίου 44
45 Λογικά Κυκλώματα NMOS Ασκήσεις 45
46 Άσκηση 1 Εκφώνηση (προς λύση) Για τον αντιστροφέα του οποίου οι παράμετροι ορίζονται παρακάτω, υπολογίστε το ρεύμα όταν η έξοδος είναι χαμηλή. Βρείτε επίσης τη μέση στατική κατανάλωση ισχύος. μ n C OX = 50μA V 2 V te = 0.8V V tdo 3V 1 2 = γ = 0.4V φ ( ) = 10μm 2μm ( ) 2.5μm 2μm 2 f = 0.6V W L 1 W L 2 = V DD = 5V 46
47 Άσκηση 2 Εκφώνηση (προς λύση) (α) Για τον αντιστροφέα φορτίου απογύμνωσης δείξτε ότι: και η αντίστοιχη τιμή της εξόδου είναι: υ όπου υποτίθεται ότι η υ ο είναι πολύ κοντά στη V DD. V = V + (β) Υπολογίστε τις τιμές των V IL και υ ο για τον αντιστροφέα του οποίου οι παράμετροι ορίζονται στην Άσκηση 1. (γ) Χρησιμοποιήστε την τιμή της V IL που βρέθηκε στο (β) μαζί με την τιμή της 2 V OL από την έκφραση V για να βρείτε την τιμή της OL VtDO ( 2KR ( VDD VtE )) ΝΜ L. O V DD V td 2K R IL te V td K R 47
48 Άσκηση 3 Εκφώνηση (προς λύση) Ποιά είναι η ελάχιστη τιμή της V GG που απαιτείται για λειτουργία στη γραμμική περιοχή για το M L στο σχήμα (c) της διαφάνειας 31, αν είναι V TO =1V, γ=0.5, 2φ F =0.6V. 48
49 Άσκηση 4 Εκφώνηση (προς λύση) Θεωρήστε έναν αντιστροφέα φορτίου πύκνωσης με: μ n V t 0 = 1V ( W ) 4 L 2 C = 20μA V 2φ f = 0.6V OX W L γ = 0.5V = ( ) = (α) Αγνοώντας το φαινόμενο σώματος, βρείτε τα V OH, V IL, V OL, V IH, NM H και NM L. (β) Παίρνοντας τώρα υπόψη το φαινόμενο σώματος, βρείτε τις τροποποιημένες τιμές των V OH, NM H. (γ) Βρείτε το ρεύμα που παρέχει το τροφοδοτικό όταν το κύκλωμα βρίσκεται και στις δύο καταστάσεις του και έτσι υπολογίστε τη στατική κατανάλωση ισχύος. 1 2 V DD = 5V 49
50 Άσκηση 5 Εκφώνηση Να βρείτε την V OH για μία λογική πύλη NMOS με κορεσμένο φορτίο, αν V TO =0.5V, γ=0.85, 2φ F =0.7V και V DD =5V. 50
51 Άσκηση 5 Λύση Η παρακάτω εξίσωση δίνει την τάση VOH: V OH Θέτουμε: = VDD VTO K = V DD VTO γ + γ ( V + 2φ φ ) 2φ F OH F 2 και λύνουμε ως προς VOH: γ 2 V OH = K + γ + γ + 4Κ + 8φ F = Και γ 2 V OH = K + γ γ + 4Κ + 8φ F = που είναι και η λύση της άσκησης. ( ) V ( ) V F 51
52 Άσκηση 6 Εκφώνηση Γνωρίζουμε ότι το φαινόμενο σώματος υποβαθμίζει την συμπεριφορά των λογικών πυλών NMOS με φορτίο τύπου αραίωσης. Υποθέστε ότι το στοιχείο φορτίου τύπου αραίωσης έχει V TO =-3V και λειτουργεί στο κύκλωμα του αντιστροφέα με V DD =5V. Ποιάείναιημέγιστητιμήτης παραμέτρου του φαινόμενου σώματος, γ, που θα επιτρέψει να είναι V OH =V DD. 52
53 Άσκηση 6 Λύση Το NMOS αραίωσης πρέπει να άγει, δηλαδή V DS >V TN. Για V DS =0V πρέπει η V TN να είναι ελάχιστα αρνητική. V V TNL TNL TO ( U 2φ 2 SB F φf ) ( ) = V + γ + = 3 + γ = 3 + γ 1.59 γ 1.88 V 53
54 Πανεπιστήμιο Πατρών, Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Τεχνολογίας Υπολογιστών Τομέας Ηλεκτρονικής & Υπολογιστών, Εργαστήριο Ηλεκτρονικών Εφαρμογών Η διάλεξη έγινε στο πλαίσιο του προγράμματος EΠΕΑΕΚ II από το μεταπτυχιακό φοιτητή Παπαμιχαήλ Μιχαήλ για το μάθημα ΨηφιακάΟλοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα Καθηγητής Κωνσταντίνος Ευσταθίου
Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5
Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR
Διαβάστε περισσότεραΠολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11
Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Διάλεξη 11 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή ΗσύνθετηλογικήNMOS ΗσύνθετηλογικήCMOS Η πύλη μετάδοσης CMOS Ασκήσεις 2 Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Εισαγωγή 3 Εισαγωγή Στη λογική
Διαβάστε περισσότεραΜνήμες RAM. Διάλεξη 12
Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2
Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs Διάλεξη 2 Δομή της διάλεξης Επανάληψη άλγεβρας Boole Λογική με διόδους Λογική Αντιστάσεων-Τρανζίστορ (Resistor-Transistor Logic ή RTL) Λογική Διόδων-Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εισαγωγή
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :
Διαβάστε περισσότεραΕπιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές
Αναστροφέας με φορτίο Depletion MOSFET Ένας ακόμη αναστροφέας NMOS τεχνολογίας είναι ο αναστροφέας με φορτίο (ML) Depletion NMOS. Ο αναστροφέας αυτός έχει καλύτερη χαρακτηριστική μεταφοράς σε σύγκριση
Διαβάστε περισσότεραΕπιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές
Αναστροφέας με φορτίο Enhancement OSFE Η απλούστερη υλοποίηση OSFE αναστροφέα με ενεργό φορτίο χρησιμοποιεί δύο N-OSFES. Στην ανάλυση που ακολουθεί θα διαπιστώσουμε ότι η χαρακτηριστική μεταφοράς απέχει
Διαβάστε περισσότεραΤρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ
ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από
Διαβάστε περισσότεραΛογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3
Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ (TTL) και Schottky TTL Διάλεξη 3 Δομή της διάλεξης Το κύκλωμα της πύλης TTL Ανάλυση της πύλης TTL Χαρακτηριστικά της πύλης TTL ΗπύληNAND TTL και άλλα λογικά κυκλώματα TTL Βελτίωση
Διαβάστε περισσότεραΔυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS. Διάλεξη 10
Δυναμική συμπεριφορά ων λογικών κυκλωμάων MOS Διάλεξη 10 Δομή ης διάλεξης Εισαγωγή Ανισροφέας NMOS με φορίο ύπου αραίωσης Ανισροφέας CMOS Διάφορα ζηήμαα Ασκήσεις Δυναμική συμπεριφορά ων λογικών κυκλωμάων
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ. Το ιδανικό κύκλωμα LC του σχήματος εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις, με περίοδο
ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ Άσκηση 1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις. Να αποδείξετε ότι η στιγμιαία τιμή i της έντασης του ρεύματος στο κύκλωμα δίνεται σε συνάρτηση με το στιγμιαίο
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ.
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραΣτατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Στατική (C) ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Θα εξάγουµε τη χαρακτηριστική τάσης = f( ) (καθώς και τη χαρακτηριστική ρεύµατος
Διαβάστε περισσότεραΤα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)
Εισαγωγή Η τεχνολογία COS εφευρέθηκε από τον Δρ. Frank Wanlass (17/5/33) το 1963 και κατοχυρώθηκε με πατέντα το 1967 (Αρ. πατέντας 3,356,5). Η COS τεχνολογία είναι αυτή που έχει κάνει πραγματικότητα την
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 2 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Διαβάστε περισσότεραΚαθυστέρηση στατικών πυλών CMOS
Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Πρόχειρες σημειώσεις Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Άνοιξη 2008 Παρόλο που οι εξισώσεις των ρευμάτων των MOS τρανζίστορ μας δίνουν
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ( ΡΑΔΙΟΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ) ΒΑΡΝΑΒΙΔΟΥ Β. ΧΡΙΣΤΙΝΑ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ανάλυση λειτουργίας βασικών
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Περιεχόμενα Βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET
Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 8: Βηματική απόκριση κυκλωμάτων RL και R Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ ΠΡΟΣΠΑΘΕΙΑ ΣΑΣ ΚΙ 2014
ΤΟ ΥΛΙΚΟ ΕΧΕΙ ΑΝΤΛΗΘΕΙ ΑΠΟ ΤΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΑ ΒΟΗΘΗΜΑΤΑ ΤΟΥ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟΥ ΠΑΙΔΕΙΑΣ http://wwwstudy4examsgr/ ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ
Διαβάστε περισσότερα4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET
4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενο ενότητας (1 από 2) Τύποι τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (JFET, MOSFET, MESFET). Ομοιότητες και διαφορές των FET με τα διπολικά
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των Τρανζίστορ
Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 16: Απόκριση συχνότητας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ: 50657177
Διαβάστε περισσότεραΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗΝ ΑΠΛΗ ΑΡΜΟΝΙΚΗ ΤΑΛΑΝΤΩΣΗ
ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗΝ ΑΠΛΗ ΑΡΜΟΝΙΚΗ ΤΑΛΑΝΤΩΣΗ ΘΕΜΑ 1 Α. Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Σώμα εκτελεί Α.Α.Τ με περίοδο Τ και πλάτος Α. Αν διπλασιάσουμε το πλάτος της ταλάντωσης τότε η περίοδος της θα : α. παραμείνει
Διαβάστε περισσότεραΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΜΕΤΑΓΩΓΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ
ΜΕΤΑΓΩΓΗ ΑΠΟ ΤΟ ΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑ LC ΣΤΟ ΑΛΛΟ. ΔΥΟ ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΚΑΙ ΕΝΑ ΠΗΝΙΟ. Στο κύκλωμα του σχήματος το πηνίο έχει συντελεστή αυτεπαγωγής L = (A) (B) mh, ο πυκνωτής () έχει χωρητικότητα C = μf, ενώ ο πυκνωτής
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
Διαβάστε περισσότερα5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση
Διαβάστε περισσότεραΣε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΗ αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική
Διαβάστε περισσότερα2 ο Επαναληπτικό διαγώνισμα στο 1 ο κεφάλαιο Φυσικής Θετικής Τεχνολογικής Κατεύθυνσης (Μηχανικές και Ηλεκτρικές ταλαντώσεις)
ο Επαναληπτικό διαγώνισμα στο 1 ο κεφάλαιο Φυσικής Θετικής Τεχνολογικής Κατεύθυνσης (Μηχανικές και Ηλεκτρικές ταλαντώσεις) ΘΕΜΑ 1 ο Στις παρακάτω ερωτήσεις 1 4 επιλέξτε τη σωστή πρόταση 1. Ένα σώμα μάζας
Διαβάστε περισσότεραστη θέση 1. Κάποια χρονική στιγμή μεταφέρουμε το διακόπτη από τη θέση 1 στη
ΠΥΚΝΩΤΗΣ ΣΥΝΔΕΔΕΜΕΝΟΣ ΠΑΡΑΛΛΗΛΑ ΜΕ ΠΗΓΗ. Στο διπλανό κύκλωμα η πηγή έχει ΗΕΔ = V και ο διακόπτης είναι αρχικά στη θέση. Κάποια χρονική στιγμή μεταφέρουμε το διακόπτη από τη θέση στη θέση και αρχίζουν οι
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:
Διαβάστε περισσότεραΦυσική για Μηχανικούς
Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:
Διαβάστε περισσότεραΟ BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας
Ο BJT Αναστροφέας Ο πιο απλός αναστροφέας που μπορούμε να υλοποιήσουμε φαίνεται στο διπλανό σχήμα και αποτελείται από ένα τρανζίστορ και δύο αντιστάσεις. Μελετώντας το κύκλωμα θα διαπιστώσουμε ότι οι επιδόσεις
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) Τα ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώματα χωρίζονται σε κατηγορίες ( λογικές οικογένειες ) ανάλογα με την τεχνολογία κατασκευής
Διαβάστε περισσότερα1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή
Εισαγωγικές ασκήσεις στις ηλεκτρικές ταλαντώσεις 1. Ιδανικό κύκλωμα L εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή δίνεται από τη σχέση q = 10 6 συν(10 ) (S.I.). Ο συντελεστής
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών) Σχεδιασμός και Προσομοίωση Βασικών Κυκλωμάτων Τεχνολογίας CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind Σκοπός: η
Διαβάστε περισσότεραΦυσική για Μηχανικούς
Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.
Διαβάστε περισσότεραΑπαντήσεις των Θεμάτων Ενδιάμεσης Αξιολόγησης στο Μάθημα «Ηλεκτροτεχνία Ηλεκτρικές Μηχανές» Ημερομηνία: 29/04/2014. i S (ωt)
Θέμα 1 ο Απαντήσεις των Θεμάτων Ενδιάμεσης Αξιολόγησης στο Μάθημα «Ηλεκτροτεχνία Ηλεκτρικές Μηχανές» Ημερομηνία: 29/04/2014 Για το κύκλωμα ΕΡ του διπλανού σχήματος δίνονται τα εξής: v ( ωt 2 230 sin (
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων S «Διαφορικά Ζεύγη» Φώτης Πλέσσας fplessas@f.uth.r Δομή Παρουσίασης Αναθεώρηση απλής διαφορικής λειτουργίας Περιγραφή και ανάλυση του διαφορικού ζεύγους Λόγος απόρριψης κοινού
Διαβάστε περισσότερα(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα
5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι ( ΠΥΚΝΩΤΕΣ) Πυκνωτές O πυκνωτής είναι ένα ηλεκτρικό εξάρτημα το οποίο έχει την ιδιότητα να απορροφά και να αποθηκεύει ηλεκτρική ενέργεια και να την απελευθερώνει, σε προκαθορισμένο
Διαβάστε περισσότεραΝα σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,
Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 7: Μεταβατική απόκριση κυκλωμάτων RL και RC Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 2ο. Λιούπης Transistor διπολικής επαφής (BJT) I B B C E I C Στα ψηφιακά κυκλώµατα χρησιµοποιείται κατά κύριο λόγο ως διακόπτης Στο σχήµαφαίνεταιένα τυπικό BJT τύπου NPN I B :
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 7: Μεταβατική απόκριση κυκλωμάτων RL και RC Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών
Ανάλυση Κυκλωμάτων Στοιχεία Δύο Ακροδεκτών Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Αντιστάτης Πηγές τάσης και ρεύματος Πυκνωτής
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους
Διαβάστε περισσότεραΒασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)
Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) CMOS Κάθε λογική πύλη αποτελείται από δύο τμήματα p-mos δικτύωμα, τοποθετείται μεταξύ τροφοδοσίας και εξόδου. Όταν είναι ενεργό φορτίζει την έξοδο στην
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΠΑΤΡΑΣ / Σ.Τ.ΕΦ. Πάτρα Τμήμα: ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ. Εξέταση στο μάθημα «Ηλεκτρικές Μηχανές»
Τ.Ε.Ι. ΠΑΤΡΑΣ / Σ.Τ.ΕΦ. Πάτρα 26-1-2012 Τμήμα: ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Εξέταση στο μάθημα «Ηλεκτρικές Μηχανές» ΠΡΟΣΟΧΗ: Για οποιοδήποτε σύμβολο χρησιμοποιήσετε στις πράξεις σας, να γράψετε ξεκάθαρα τι αντιπροσωπεύει
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Ιδανικός διακόπτης ΙΔΑΝΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΠΡΑΓΜΑΤΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενα. Πρόλογος...13
Περιεχόμενα Πρόλογος...3 Κεφάλαιο : Στοιχεία ηλεκτρικών κυκλωμάτων...5. Βασικά ηλεκτρικά μεγέθη...5.. Ηλεκτρικό φορτίο...5.. Ηλεκτρικό ρεύμα...5..3 Τάση...6..4 Ενέργεια...6..5 Ισχύς...6..6 Σύνοψη...7.
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1
Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα Διάλεξη 1 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στο Μάθημα Βασικές αρχές λογικών κυκλωμάτων Ο BJT ως διακόπτης Μεταβατικά φαινόμενα Παράδειγμα μεταβατικής λειτουργίας Ασκήσεις 2 Εισαγωγή
Διαβάστε περισσότεραΟ πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας.
ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ Ο πυκνωτής Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας. Η απλούστερη μορφή πυκνωτή είναι ο επίπεδος πυκνωτής, ο οποίος
Διαβάστε περισσότερα4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρική και Μηχανική ταλάντωση στο ίδιο φαινόμενο
Ηλεκτρική και Μηχανική ταλάντωση στο ίδιο φαινόμενο Στο σχήμα φαίνεται μια γνώριμη διάταξη δύο παράλληλων αγωγών σε απόσταση, που ορίζουν οριζόντιο επίπεδο, κάθετο σε ομογενές μαγνητικό πεδίο έντασης.
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Ισχύος II
Ηλεκτρονικά Ισχύος II Ενότητα 1: (DCDC Converters) Δρ.Μηχ. Εμμανουήλ Τατάκης, Καθηγητής Πολυτεχνική Σχολή Τμ. Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Σκοποί ενότητας Παρουσίαση και επεξήγηση
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότερα4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας
2 η διάλεξη 25 Σεπτεμβρίου Πραγματικά τρανζίστορ Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η τάση στο gate του τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες
Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με
Διαβάστε περισσότερα7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα
7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 2 η ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΑΥΤΟΝΟΜΗΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΣΥΓΧΡΟΝΗΣ ΤΡΙΦΑΣΙΚΗΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑΣ ΜΕ ΦΟΡΤΙΟ
ΑΣΚΗΣΗ 2 η ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΑΥΤΟΝΟΜΗΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΣΥΓΧΡΟΝΗΣ ΤΡΙΦΑΣΙΚΗΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑΣ ΜΕ ΦΟΡΤΙΟ Σκοπός της άσκησης: Σκοπός της άσκησης είναι η μελέτη των χαρακτηριστικών λειτουργίας μιας σύγχρονης γεννήτριας
Διαβάστε περισσότεραΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) 1 The Current Switch (Μεταγωγός Ρεύματος) Αποτελεί την καρδιά οποιασδήποτε πύλης ECL Q1, Q2 =πανομοιότυπα Rc=matched αντιστάσεις Κύκλωμα μεταγωγού ρεύματος σε πύληecl
Διαβάστε περισσότεραΥλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Λογική MOS Η αναπαράσταση των λογικών µεταβλητών 0 και 1 στα ψηφιακά κυκλώµατα γίνεται µέσω κατάλληλων επιπέδων τάσης, όπου κατά σύµβαση
Διαβάστε περισσότερατου διπολικού τρανζίστορ
D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3
Διαβάστε περισσότεραΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ 1 ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ
ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ Α. Στις ημιτελείς προτάσεις - 4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη φράση, η οποία τη συμπληρώνει σωστά.. Το μέτρο της
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ. 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. ρ. Λάμπρος Μπισδούνης.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 3 ης
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18)
ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) Άσκηση 1. Α) Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος την χρονική στιγμή t=0 sec ο διακόπτης κλείνει. Βρείτε τα v c και i c. Οι πυκνωτές είναι αρχικά αφόρτιστοι. Β)
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενα. Πρόλογος...13
Περιεχόμενα Πρόλογος...3 Κεφάλαιο : Στοιχεία ηλεκτρικών κυκλωμάτων...5. Βασικά ηλεκτρικά μεγέθη...5.. Ηλεκτρικό φορτίο...5.. Ηλεκτρικό ρεύμα...5..3 Τάση...6..4 Ενέργεια...6..5 Ισχύς...6..6 Σύνοψη...7.
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΤο χρονικό διάστημα μέσα σε μια περίοδο που η ενέργεια του μαγνητικού πεδίου αυξάνεται ισούται με:
Κυκλώματα, Επαναληπτικό ΤΕΣΤ. ΘΕΜΑ Α. Στο κύκλωμα του σχήματος, ο πυκνωτής το χρονική στιγμή =0 που κλείνουμε το διακόπτη φέρει φορτίο q=q. Α. H ενέργεια του ηλεκτρικού πεδίου του πυκνωτή είναι ίσος με
Διαβάστε περισσότεραΑπαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο 2014 2015 Διδάσκων: Πλέσσας Φώτιος Βοηθός Διδασκαλίας: Ζωγραφόπουλος
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Τύποι Αναλύσεων (1 από2) Για την μελέτη της συμπεριφοράς των κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότερα