Obr Štruktúra energetických pásov v izolante, v polovodiči a vo vodiči.
|
|
- Ζώπυρος Βασιλείου
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 7 POLOVODIČOVÝ DETEKTOR UČEBNÉ CIELE Oboznámiť sa procesmi prechodu náboja cez polovodičový PN prechod. Pochopiť ako ovplyvňuje vlastnosti polovodičového detektora merný odpor, šírka ochudobnej oblasti a kapacita PN prechodu. Spoznať vlastnosti najčastejšie používaných polovodičových detektorov typu PN a P i N. KĽÚČOVÉ SLOVÁ Elektrón diera; PN prechod; prímesné atómy; donory; akceptory; majoritný a minoritný nosič náboja; energetické hladiny; energia ionizácie; valenčný, vodivostný a zakázaný pás; vlastná (intrisická) koncentrácia; polovodič kompenzovaný; polovodič n typu, polovodič p typu; elektróda; pohyblivosť; merný odpor; fluktuácie jednosmerného prúdu; hrúbka ochudobnenej vrstvy; záverné napätie; procesy rekombinácie; nábojovo-citlivý predzosilňovač; detektory typu PN - difúzne detektory a detektory s povrchovou bariérou; detektory typu P-i-N - driftové detektory. 7.1 POLOVODIČOVÝ KRYŠTÁL V polovodičových detektoroch, podobne ako v detektoroch s plynovou náplňou, sa pre registráciu nabitých častíc využíva ionizačný účinok, ktoré tieto častice vytvorili v pracovnom objekte detektora, v tomto prípade v polovodičovom kryštále. V polovodičoch a izolátoroch existuje úplne zaplnený valenčný pás (obr. 7-1). Na prechod elektrónu z valenčného do vodivostného pásu je potrebné vynaložil určitú energiu. Ak je šírka zakázaného pásu E g veľká (E g > 3 ev), pripojené napätie nevyvolá prúd a takéto látky nazývame izolátory. Ak je šírka zakázaného pásu E g malá, niektoré elektróny, vďaka tepelným fluktuáciám, môžu prejsť do vodivostného pásu a pri pripojení napätia vzniká prúd. Takéto látky nazývame polovodiče. Pre Si E g =1,1eV, pre Ge E g = 0,67eV (hodnoty pri T = 300 K). Obr Štruktúra energetických pásov v izolante, v polovodiči a vo vodiči.
2 Počet elektrónov n, ktoré prejdú do vodivostného pásu, vďaka tepelným fluktuáciám, závisí od teploty, n~exp(-e g /2kT). Elektrická vodivosť rýchlo rastie s teplotou, čo je charakteristická vlastnosť polovodičov. Stredná energia ω~3e g, potrebná pre prechod elektrónu z valenčného do vodivostného pásu, t.j. energia ionizácie, je trochu väčšia ako E g. Ak sa valenčný a vodivostný pás prekrýva, vtedy hovoríme o kovoch. Nehľadiac na to, že môžu byť zhotovené veľmi čisté polovodičové kryštály, predsa sú v nich prítomné v malom množstve určité prímesi, ktoré vplývajú na elektrické vlastnosti látky. Z polovodičových kryštálov sa používa na detekciu ionizujúceho žiarenia hlavne kremík a germánium. Pre tieto kryštály je charakteristická malá šírka zakázaného pásu E g a pomerne vysoká pohyblivosť elektrónov a dier. Malá šírka zakázaného pásu spôsobuje, že energia ω, ktorú stratila nabitá častica a ktorá slúži na vytvorenie páru nosičov náboja, je v kryštáloch zhruba o jeden rád menšia, ako v plynoch. Pre Ge ω~2,96ev a pre Si ω~3,66 ev, zatiaľ čo pre plyny ω~35 ev. V scintilačnom detektore na utvorenie jedného fotoelektrónu je potrebná energia približne 350eV. To znamená, že očakávaná hodnota amplitúdy impulzu u polovodičových detektorov môže byť o rád väčšia, ako v prípade ionizačnej komory. Polovodičový detektor sa v podstate skladá z dvoch elektród (elektródami sa nazývajú obrazne, pretože elektródu môže tvoriť napr. vrstva zlata, naparená na polovodičový kryštál) medzi ktorými je umiestnený polovodičový kryštál. Páry elektrón - diera, utvorené ionizujúcou časticou v pracovnom objeme polovodičového detektora, sa zbierajú elektrickým poľom na jeho elektródach. Proces tvorenia a zberu náboja závisí od rozdelenia elektrónových energetických hladín v kryštále. Rozloženie elektrónových hladín v polovodičovom kryštále je na obr Obr Energetické hladiny v polovodiči: vlastnom (intrisickom), n typu a p typu. Keď prímesné atómy majú o valenčný elektrón naviac okrem tých, ktoré sú potrebné pre väzby atómov v kryštále, potom sa tieto elektróny pomerne ľahko odtrhnú od svojich atómov a môžu sa premiestňovať v kryštále. Polovodič tým nadobúda elektrickú vodivosť typu N. Prímesné atómy, ktoré polovodiču udeľujú elektrickú vodivosť elektrónovú (typu N), sa nazývajú donormi. Ak majú prímesné atómy o jeden valenčný elektrón menej ako je potrebné pre väzbu atómov v kryštále, v kryštalickej štruktúre sa utvárajú diery - uvoľnené elektrónové hladiny. Tieto uvoľnené miesta môžu byť zaplnené na úkor elektrónov iných atómov a diera sa premiestňuje, čo je ekvivalentné premiestneniu kladného
3 náboja. Polovodič tým nadobúda elektrickú vodivosť typu P. Prímesné atómy, ktoré polovodiču udeľujú elektrickú vodivosť dierovú (typu P), sa nazývajú akceptormi. Pre Ge a Si ako prvky IV. skupiny, sú donormi fosfor, arzén alebo antimón, teda prvky V. skupiny a akceptormi sú bór, gálium alebo indium - prvky III. skupiny periodickej sústavy. Oba typy prímesí majú pomerne malú ionizačnú energiu. Donory majú hladiny, ktoré ležia blízko vodivostného pásu, akceptory - blizko valenčného pásu (obr 7-2). V reálnych polovodičoch sú prítomne oba druhy prímesi, ktoré sa určitým spôsobom kompenzujú. Druh nosičov, ktorý prevláda, nazývame majoritný - napr. elektróny v materiáli typu N. Druh nosičov, ktorý je v menšine, nazývame minoritný - napr. diery v materiáli typu N. Ak sa počet donorov rovná počtu akceptorov, polovodič nazývame kompenzovaný. Tento prípad netreba zamieňať s prípadom veľmi čistého polovodičového materiálu, tzv. vlastného polovodiča, kedy v materiále nie sú prítomné primesné atómy a vodivosť kryštálu je spôsobená elektrónmi a dierami utvorenými tepelnými fluktuáciami. Pre vlastný polovodič musí byť splnená podmienka elektrickej neutrality v podobe p i =n i, kde index i znamená intrinsickú, čiže vlastnú koncentráciu dier p a elektrónov n. Obr Schéma zapojenia detektora na báze polovodičového kryštálu. (Čiarkovaná C reprezentuje kapacitu detektora spolu s kapacitou vstupu zosilňovača Merný odpor Veľká pohyblivosť elektrónov a dier zabezpečuje nezávislosť amplitúdy impulzov od polohy dráhy registrovanej častice v pracovnom objeme detektora pri dostatočne dobrej časovej rozlišovacej schopnosti. Avšak merný odpor polovodičových kryštálov je pomerne malý, Ω.cm. Preto keď na elektródy detektora, medzi ktorými je umiestnený polovodičový kryštál pripojíme malé jednosmerné napätie v elektrickom obvode bude pretekať jednosmerný prúd. Počet nosičov náboja. ktoré sa zúčastňujú na utváraní prúdu podlieha štatistickým fluktuáciám a v spojitosti s tým na detektore (na ekvivalentnej kapacite C detektora obr. 7-3) bude kolísať napätie (šum) nezávisle na tom či prešla častica cez detektor, alebo nie. To znamená, že pomer počtu nosičov náboja N, utvorených ionizujúcou časticou k hodnote fluktuácii jednosmerného prúdu určuje, nakoľko môžeme používať polovodičový kryštál ako detektor. Fluktuácie
4 jednosmerného prúdu sú tým menšie, čím menši je prúd. t.j. čim väčší je odpor polovodičového kryštálu R p, Hodnota fluktuácie sa určuje - ako stredná kvadratická odchýlka od stredného počtu nosičov, ktoré sa zúčastňujú na vytváraní detektorom pretekajúceho prúdu, počas doby T zberu nosičov náboja od registrovaných častíc. Ak pri napätí U vn cez detektor preteká prúd U vn /R p, potom stredný počet nosičov náboja, pretekajúci za čas T bude (U vn T)/(R p e) ± UvnT Rpe. Pomer N 0 η SN = udáva pomer signál/šum, odkiaľ pre R p dostaneme: Uvn. T Re p R p 2 U T = ηsn. en Z výsledkov príkladu 7-1 plynie, že merný odpor polovodičových kryštálov Si a Ge je nedostatočný pre dosiahnutie potrebného pomeru signál/šum η SN. Na zväčšenie merného odporu boli vypracované rôzne metódy zmenšenia počtu nosičov náboja, existencia ktorých je spôsobená prítomnosťou prímesi v Si a Ge. Metódy sú založené na utvorení v PN prechode detektora oblasti s malým množstvom nosičov. Príklad 7-1 Na základe vyššie uvedených vzťahov si vytvorte predstavu o mernom odpore bežných kryštálov Si a Ge. Pritom predpokladajte, že v detektore častica alfa stratila energiu 6 MeV, energia na vytvorenie jedného páru elektrón diera je tak ako v Si je ω~3,6ev, doba zberu náboja T=10-7 s, na polovodičovom kryštále je napätie U vn =100V a požadujeme pomer signálšum η SN ~1000. Riešenie: Častica alfa s energiou ΔW=6MeV utvorí v kryštále približne N o =ΔW/ω~1, párov elektrón - diera, pri napätí na detektore U n =100V a dobe zberu T=10-7 s bude R p =20η SN 2. Pre veľmi dobré energetické rozlíšenie musí byť η SN ~1000, potom R p ~ ohm. Pre detektor s plochou 0,1 cm 2 pri hrúbke 0,1 cm dostaneme pre merný odpor hodnotu ρ=2.l0 7 Ω.cm, čo je oveľa viac, ako majú bežné kryštály. Pre porovnanie pri T=300 K je merný odpor Si ρ Si = Ω.cm a pre Ge ρ Ge =50 Ω.cm. Príklad 7-2 Vo kremíku je priemerná energia na vytvorenie jedného páru elektrón - diera ω~3,66 ev. Určite akú amplitúdu bude mať impulz na výstupe nábojového predzosilňovača s kapacitou v obvode spätnej väzby 30pF, ak alfa častica pri prechode detektorom stratila energiu 5MeV a ak predpokladáme, že pracovný odpor detektora R je veľmi veľký, takže jeho vplyv zanedbáme. Riešenie: Ak je priemerná energia na vytvorenie jedného páru elektrón - diera v Si je ω=3,66 ev a ionizujúca častica má energiu ΔW = 5MeV, vytvorí sa v v ochudobnenej vrstve detektora Si N=ΔW/ω= /3,66= párov elektrón diera, resp. náboj Q=± , =±2, C. Ak je kapacita C det ~C sv ~30pF bude maximálna amplitúda napäťového impulzu U max =Q/C sv =~ 2, / ( ) = 7,2mV. Amplitúda napäťového impulzu z polovodičového Si detektora je veľmi malá a bude ju treba z výstupu predzosilňovača ešte ~200 krát zosilniť, aby sa mohla odmerať na mnohokanálovom analyzátore. vn PN prechod Prechod PN možno vytvoril tak, že na jednu plochu kryštálu z pomerne čistého materiálu typu P nanesieme vrstvu látky, ktorá obsahuje donory. Vďaka difúzii donory vytvoria v materiáli typu P tenkú povrchovú vrstvu, v ktorej je koncentrácia donorov mnohonásobne vyššia ako koncentrácia akceptorov. Za touto vrstvou, ktorá
5 má elektrónovú vodivosť (typ N), vzniká prechodová oblasť, ktorá oddeľuje materiály typu N a P. Obr Štruktúra energetických pásov v PN prechode sa po vytvorení barierového potenciálu U 0 deformuje. Voľné elektróny z vrstvy typu N budú vďaka difúzii prenikať do hĺbky kryštálu typu P, v ktorom je koncentrácia elektrónov vo vodivostnom páse nízka. Diery budú difundovať opačným smerom, z kryštálu typu P do vrstvy typu N. V materiáli typu N vznikne určitý prebytok kladne nabitých donórnych atómov (ich počet je rovný počtu elektrónov, ktoré prešli do kryštálu typu P). V materiáli typu P, v blízkosti vrstvy typu N, vznikne prebytok záporne nabitých akceptorných atómov, ktorých záporný náboj už nie je kompenzovaný kladným nábojom, pretože určité množstvo dier prešlo do vrstvy typu N, čiže náboje primesných atómov už nie sú kompenzované im prislúchajúcimi nosičmi. Je zrejmé, že nekompenzovaný negatívny náboj akceptorov bude rovný prebytočnému kladnému náboju donorov. Takto sa v oblasti PN prechodu vytvoria rovnako veľké priestorové náboje opačného znamienka, medzi ktorými je veľmi malá vzdialenosť. Tieto priestorové náboje utvárajú v oblasti PN prechodu elektrické pole, ktoré hrá úlohu potenciálovej bariéry, ktorá zamedzuje ďalšiu difúziu elektrónov do kryštálu typu P a dier - do vrstvy typu N. S postupným zvyšovaním potenciálovej bariéry sa bude rýchlosť difúzie zmenšovať a keď výška bariéry dosiahne určitého potenciálneho rozdielu U o, potom nastane rovnovážny stav, pri ktorom veľmi malá zvyšková difúzia majoritných nosičov náboja (ktoré získali tepelnú energiu na úkor fluktuácii, dostatočnú na prekonanie potenciálovej bariéry) sa bude kompenzovať práve takým malým prúdom, ktorý bude vytvorený prechodom cez PN prechod minoritných nosičov náboja (obr. 7-4). Obr Vytvorenie prechodu s Schottkyho barierou. V dôsledku rôzdielnych Fermiho hladín kovu a polovodiča v mieste ich kontaktu vzrastie ich kontaktný potenciál. Takáto tzv. Schotkyho bariéra na styku kov - polovodič má v mnohom vlastnosť PN prechodu. Od rozhrania do vnútra polovodiča sa vytvorí ochudobnená vrstva, pre vysoko rezistívny Si môže mať hrúbku ~5mm.
6 Obrázok 7-5 ilustruje ako sa deformuje štruktúra energetických pásov na rozhraní kov polovodič. Takto vytvorená tzv. Schotkyho bariéra na styku kov - polovodič má mnohé charakteristiky PN prechodu Šírka ochudobnej oblasti a kapacita PN prechodu Barierový potenciál U o na hraniciach PN prechodu môže dosiahnuť niekoľko desatín volta (~0,5 V). Výška potenciálovej bariéry eu o nemôže byť väčšia ako je šírka zakázaného pásu kryštálu E g. To znamená, že kryštál s PN prechodom by sa principiálne mohol použiť ako detektor častíc aj bez pripojenia vonkajšieho zdroja napätia v obvode detektora, pretože elektróny a diery, utvorené ionizujúcou časticou v oblasti prechodu (ktorá je ochudobnená o vlastné nosiče náboja), by vytvárali prúdové impulzy vo vonkajšom obvode detektora pod vplyvom vnútorného elektrického poľa PN prechodu. Ale pretože hrúbka ochudobnenej vrstvy by bola v tomto prípade malá, detektor by nemal prakticky význam. Obr.7-6. Vysvetlenie usmerňovacieho javu na prechode PN: a) prechod je v termodynamickej rovnováhe, b) napätie pripojené v priamom (priepustnom) smere, c) napätie pripojené v závernom smere. d - šírka ochudobnenej oblasti Obr 7-7. Ochudobnená oblasť na v závernom smere polarizovanom PN prechode pri rôznom vonkajšom predpätí U vn,. Šírka (hrúbka) ochudobnenej vrstvy d v PN prechodoch závisí od výšky potenciálovej bariéry a so zväčšovaním výšky bariéry jej šírka rastie. Toto umožňuje (pripojením ku kryštálu určitého vonkajšieho rozdielu potenciálov tak, aby vonkajšie elektrické pole zvyšovalo výšku bariéry ) roztiahnuť oblasť, ochudobnenú o volné nosiče elektrického náboja (obr. 7-6). Ak pripojíme ku kryštálu takéto záverné napätie U vn, t.j. napätie v závernom smere (obr. 7-7), šírka pracovnej oblasti detektora (šírka ochudobnenej oblasti) sa zväčší a bude 2. ε.( U0 + Uvn) d =, Na e kde: N a je koncentrácia neskompenzovaných akceptorov v P type polovodiča,
7 ε = εε r 0 - permitivita materiálu (Si alebo Ge), e = C elementárny náboj. Ak sú všetky akceptory ionizované, potom merný odpor polovodiča môžeme vyjadriť ako 1 ρ =, N.. eμ a p kde: μ p je pohyblivosť dier. Pre hrúbku ochudobnenej oblasti potom dostaneme: 9 d = 2. ε. ε. ρ. μ.( U + U ) 10 ρ.( U + U ) U ; r 0 p 0 vn 0 vn vn kde: ε r =11,8 je relatívna permitivita pre Si, ε 0 = 8, Fm -1 - permitivita vákua. Kapacita PN prechodu, ku ktorému je pripojené záverné napätie, sa približne rovná kapacite doskového kondenzátora, medzi doskami ktorého je dielektrikum εs kremík. Pretože medzi doskami je vzdialenosť d, pre kapacitu dostávame Cdet = d a na jednotku plochy S detektora pripadá: Cdet ε εr. ε0 εr. ε0 = = =. S S 2. ε. ε. ρ. μ.( U + U ) 2. ρμ..( U + U ) r 0 p 0 vn p 0 vn Obr Ilustrácia vzniku voľného náboja v ochudobnenej vrstve detektora typu PN Šírka ochudobnenej oblasti d a kapacita prechodu C det závisia od pripojeného napájacieho záverného napätia U vn, čoho dôsledkom je, že aj amplitúda impulzu z detektora U imp =Q/C det závisí od napájacieho napätia. Pre zosilnenie signálu (t.j. náboja, utvoreného v detektore, ktorý závisí od energie detekovanej častice) z polovodičového detektora je potrebné použiť nábojovo-citlivý predzosilňovač, ktorý ako integrátor umožňuje potlačiť závislosť jeho zosilnenia od vstupnej kapacity detektora. V nábojovo-citlivom predzosilňovači amplitúda napäťového signálu na výstupe U imp =Q/C sv nebude závisieť od napájacieho napätia U vn, nakoľko v integrátore sa skompenzuje vplyv vstupnej kapacity detektora C det inou kapacitou C sv, v obvode spätnej väzby integrátora. Na základe výsledku z príkladu 7-2 vidno, že
8 pre amplitúdovú analýzu treba takýto signál z výstupu nábojového predzosilňovača zosilniť ešte ~10 3 krát v hlavnom zosilňovači. Voľné nosiče náboja, utvorené ionizujúcou časticou v ochudobnenej oblasti, sa budú pohybovať v pripojenom elektrickom poli a budú sa zbierať na elektródach obr Z hľadiska úplného zberu náboja hrajú dôležitú úlohu procesy rekombinácie párov diera - elektrón. Tento proces je obzvlášť významný v prípade silno ionizujúcich častíc - protónov, ťažších iónov a fragmentov, vznikajúcich pri delení jadier, pre ktoré je charakteristická vysoká hustota utvorených párov až párov/cm 3. Pri detekcii slabo ionizujúcich častíc hrá väčšiu úlohu zachytenie nosičov náboja na záchytných centrách. Ak zanedbáme tieto procesy a pripustíme, že nastáva len krátkodobé zachytenie nosičov na záchytných centrách, t.j. ak budeme predpokladať, že na elektródach sa bude úplne zberať celkový náboj Q=Ne (N - počet utvorených párov nosičov náboja), potom Q bude s vysokou presnosťou proporcionálne energii ionizujúcej častice. Šírka ochudobnenej oblasti d je ohraničená merným odporom a prierazným napätím PN prechodu. Preto pri detekovaní monoenergetických častíc s rastom pripojeného napájacieho napätia U vn sa hodnota d spočiatku zväčšuje a amplitúda impulzu rastie. Keď však hodnota d bude rovná dobehu registrovanej častice, ďalšie zvyšovanie napájacieho napätia už nemôže zväčšiť amplitúdu impulzu. Rozlišovacia schopnosť polovodičového detektora je podmienená niekoľkými faktormi: štatistickou presnosťou merania, rôznymi typmi elektrických šumov v detektore a vo vstupných obvodoch predzosilňovača, fluktuáciami náboja pri neúplnom zbere, fluktuáciami energetických strát v okienku detektora a pod. Napr. pre častice alfa s energiou 5 MeV bude veľmi dobré rozlíšenie rádove kev, t.j. približne 0,2 %. Priklad 7-3 Získajte reálnu predstavu o číselných hodnotách kapacity prechodu, pripadajúcu na jednotku plochy pre kremík P typu, s ktorými sa možno stretnúť v praxi. Riešenie Aby sme získali reálnu predstavu o číselných hodnotách, s ktorými sa možno stretnúť v praxi vezmeme kremík P typu. Ak budeme uvažovať ρ =10 4 Ω.cm, η sn =480 cm 2 V -1 s- 1 a k detektoru je pripojené napájacie záverné napätie U vn =100 V, potom d=319μm, C det /S=33pFcm POUŽÍVANÉ TYPY DETEKTOROV V súčasnej dobe sa používajú dva typy detektorov: 1. detektory typu PN - difúzne detektory a detektory s povrchovou bariérou, 2. detektory typu P-i-N - driftové detektory Detektory typu PN Pri zhotovení difúznych detektorov sa používa fosfor, ktorý sa nanáša na povrch Si typu P. Tenká vrstva fosforu s nadbytkom voľných elektrónov kompenzuje dierovú vodivosť kryštálu a v hĺbke, ktorá sa rovná hĺbke difúzie, sa utvorí PN prechod. Pripojené vonkajšie napätie vytvorí ochudobnenú oblasť širokú asi 1mm.
9 Detektory s povrchovou bariériou sa zhotovujú tak, že na povrchu materiálu typu N sa napr. leptaním utvorí vrstva typu P. Potom sa na tento povrch nanáša tenká vrstva zlata. Pri pripojení napätia sa utvára ochudobnená oblasť, ktorá môže dosiahnuť hrúbku niekoľkých milimetrov (v prípade Si). Detektory s povrchovou bariérou sa môžu zhotoviť ako z Si, tak aj z Ge, no Ge -detektory sa používajú len pri teplote tekutého dusíka, T=77 K, vzhľadom na hodnoty merného odporu (tab. 1). Si - detektory sa používajú aj pri teplote T=300 K. Obr Charakteristiky detektora so záverne polarizovaným PN prechodom. (Napájacie napätie U vn má rovnakú polaritu ako barierový potenciál - U 0 ) a) priestorový náboj ρ(x); b) intenzita poľa E(x). Obr Kremíkový detektor s povrchovou bariérou (SSB). Tenká naparená vrstva zlata slúži ako vstupné okno pre ionizujúce častice a vyvára tiež kontakt pre pripojenie napätia na PN prechod, vytvorený medzi polovodičom a určitým kovom (napr. kremíkom N typu a zlatom alebo Si P - typu a hliníkom.) Štruktúru detektora s PN prechodom objasňuje obr Ionizujúce žiarenie vstupuje do detektora cez tenkú vrstvu polovodiča typu N s vysokou koncentráciou donorov. Oblasť typu P má miernu koncentráciu prímesí. V dôsleku difúzie nosičov sa v okolí rozhrania rozloží náboj ρ(x) (obr. 7-9a). Ak sa k detektoru pripojí vonkajšie napätie U vn, súhlasne polarizované s vytvoreným barierovým potencialom U 0, tak prúd cez prechod netečie. Ionizujúca častica vytvorí v ochudobnenej oblasti voľné nosiče náboja elektróny a diery (obr.7-8), vo vonkajšom obvode detektora pretečie prúd a na záťaži (podľa obrázku 7-9 cez záťaž tvorenú odporom R L a kapacitou C vs ) vznikne signál. Najpoužívanejším typom tohto typu detektora je detektor s povrchovou barierou (obr. 7-10).
10 7.2.2 Detektory typu P-i-N Šírka ochudobnenej oblasti difúznych detektorov a detektorov s povrchovou bariérou je ohraničená merným odporom použitých materiálov. Na registráciu kvánt gama a vysoko energetických častíc, ktoré majú malú ionizačnú schopnosť, sú uvedené detektory nevhodné. V týchto prípadoch sa používajú driftové detektory (niekedy označované ako P- i - N detektory, kde i znamená oblasť s intrinsickou vodivosťou kryštálu), v ktorých sú prímesy kompenzované iónmi lítia. Lítiové ióny (donory) pomerne ľahko driftujú do Si (obr. 7-11) alebo do Ge a kompenzujú akceptory v materiáloch typu P. Hrúbka ochudobnenej oblasti v takomto detektore závisí od podmienok driftu (teploty, napätia - atď.). V súčasnosti sa zhotovujú veľké kryštály Ge(Li), ktoré majú objem citlivej vrstvy asi 100 cm 3. Tieto detektory však môžu pracovať (ba musia sa aj skladovať) pri teplote tekutého dusíka. Obr Kremíkový detektor driftovaný litiom - Si(Li) detektor. Prechod P - i - N s vlastnou (intristickou) vodivosťou vytvára omnoho hrubšiu vrstvu citlivej oblasti detektora ( s použitím záverného napätia v rozsaju V). Obr Charakteristiky P- i -N detektora. (Napájacie napätie U vn má rovnakú polaritu ako barierový potenciál - U 0 ) a) Priestorový náboj ρ(x) b) Intenzita poľa E(x) V skompenzovanej oblasti o šírke l sa nevyskytuje priestorový náboj ρ(x), takže elektrické pole E(x) je v tejto oblasti prakticky konštantné. Hrúbka skompenzovanej oblasti u Si(Li) môže byť do mm. Pole E(x) vo vnútri ochudobnenej - vykompenzovanej vrstvy (obr. 7-12) je takmer konštantné a proces zberu náboja je analogický ako v ionizačnej komore. Rozdiel medzi pohyblivostiami elektrónov a dier (tab.1) však nie je taký veľký ako medzi pohyblivostiami elektrónov a iónov v plynových detektoroch (obr. 7-13). Na tvarovaní výstupného impulzu v polovodičovom detektore (obr. 7-14) sa preto podieľajú obe zložky prúdu. Trvanie zberu náboja a rýchlosť nárastu výstupnej
11 amplitúdy impulzu závisí od dráhy, ktorú častica prešla v pracovnom objeme detektora. Výstupný impulz môže mať trvanie okolo 1μs. Vzhľadom k pomerne veľkej rýchlosti nosičov náboja a tým úmerne aj ku krátkej dobe zberu náboja je časové rozlíšenie polovodičových detektorov veľmi vysoké. Napr. pri šírke ochudobnenej vrstvy d=1mm je trvanie čela výstupného impulzu okolo 1ns, pri šírke ochudobnenej vrstvy d=10mm je trvanie čela výstupného impulzu okolo 100ns a viac. Kvôli ľahšiemu porovnávaniu detektorov je zvykom udávať energetické rozlíšenie detektorov pomocou celkovej šírky píku meraného v polovičnej výške píku, t.j. skrátene pomocou FWHM (z anglického Full Width at Half Maximum), pri energii vybraných žiaričov. Napr. Ge(Li) detektory mávajú pri energii 1,33MeV ( 60 Co) rozlíšenie FWHM ~ 1,8 kev a pri energii 122 kev ( 57 Co) rozlíšenie FWHM ~ 820eV. S kremíkovými detektormi sa dosahuje pri registrácii častíc alfa s energiou 5,47MeV ( 241 Am) rozlíšenie FWHM ~ 15keV a pri meraní röntgenoflorescentného žiarenia s energiou 6,4keV ( 55 Fe) rozlíšenie FWHM ~ 170eV. Obr Prúd cez P i - N detektor pozostáva z elektrónovej a dierovej zložky, prúdu, s rôznym trvaním zberu náboja, v závislosti od pohyblivosti. Tvar zložiek i d (t) a i e (t je podobný ako v ionizačnej komore. Obr Výstupná amplitúda napätia v prípade voľby nekonečne veľkého zaťažovacieho odporu R, resp. voľby časovej konštanty C det R~ Tabuľka 1 porovnanie vlastností polovodičových kryštálov Si a Ge Parameter Si Ge Atómové číslo Atómová hmotnosť 28,08 72,60 Relatívna permitivita ε r 11,8 16 Šírka zakázaného pásu E g pri T=300 K [ev] 1,15 0,65 Energia ionizácie [ev] 3,66 2,96 Hustota vlastných nosičov náboja pri T=300 K [ev] 1, , Pohyblivosť elektrónov pri T=300 K [cm 2 /Vs] Pohyblivosť dier pri T=300 K [cm 2 /Vs] Pohyblivosť elektrónov pri T=77 K [cm 2 /Vs] , Pohyblivosť dier pri T=77 K [cm 2 /Vs] 1, , Vlastný merný odpor pri T=300 K [ev] 3, Vlastný merný odpor pri T=77 K [ev] K O N T R O L N É O T Á Z K Y 1. Ako ovplyvňujú donory a akceptory elektrónovú vodivosť polovodičového kryštálu? 2. Ako sa chovajú majoritné a minoritné nosiče náboja v oblasti PN prechodu? 3. Aký je rozdiel medzi vlastným (intrisickým) a kompenzovaným, polovodičom?
12 4. Porovnajte pohyblivosť elektrónov a dier? 5. Ako súvisí merný odpor s veľkosťou napätia na PN prechode? 6. Prečo sa pri zosilňovaní impulzov z polovodičového detektora používa nábojový zosilňovač? 7. Charakterizujte vlastnosti difúzneho detektora a detektora s povrchovou bariérou. 8. Charakterizujte vlastnosti driftových detektorov. 9. Porovnajte vlastnosti polovodičového detektora typu P-i-N a plošnej ionizačnej komory s mriežkou. S Ú H R N V polovodičových detektoroch sa pre meranie energie využíva náboj elektrónov a dier, ktorý sa na základe ionizačného účinku žiarenia vytvoril v pracovnom objekte detektora - v polovodičovom kryštále. Základom detektora je PN prechod, polarizovaný v závernom smere. Zvýšením vonkajšieho záverného napätia možno zväčšiť oblasť, ochudobnenú o voľné nosiče elektrického náboja. Veľkosť záverného napájacieho napätia limituje merný odpor polovodiča, možno ho však ovplyvniť prítomnosťou vhodných prímesi. Nevýhodou je, že šírka ochudobnenej oblasti a kapacita PN prechodu závisia od pripojeného napájacieho záverného napätia. Pokiaľ sa nepoužije na zosilnenie impulzov z detektora nábojový predzosilňovač bude amplitúda impulzu z detektora U imp =Q/C det závisieť od pripojeného napájacieho záverného napätia. V súčasnej dobe sa používajú dva typy detektorov: 1. detektory typu PN - difúzne detektory a detektory s povrchovou bariérou, 2. detektory typu P-i-N - driftové detektory.
ELEKTRICKÉ POLE. Elektrický náboj je základná vlastnosť častíc, je viazaný na častice látky a vyjadruje stav elektricky nabitých telies.
ELEKTRICKÉ POLE 1. ELEKTRICKÝ NÁBOJ, COULOMBOV ZÁKON Skúmajme napr. trenie celuloidového pravítka látkou, hrebeň suché vlasy, mikrotén slabý prúd vody... Príčinou spomenutých javov je elektrický náboj,
Διαβάστε περισσότερα13. Polovodičové detektory
13. olovoičové etektory 1. Všeobecná časť Vysoká energetická rozlišovacia schopnosť, krátka oba narastania (nábehová hrana) signálu a malé rozmery umožňujú široké využitie polovoičových etektorov na registráciu
Διαβάστε περισσότεραObr Voltampérova charakteristika plynového detektora závislosť počtu zozbieraných nábojov N od pracovného napätia Uvn na detektore.
6 PLYNOVÉ DETEKTORY UČEBNÉ CIELE Oboznámiť sa činnosťou plynom plnených detektorov ionizujúceho žiarenia. Uvedomiť si, že pre rýchlosť činnosti detektora je rozhodujúce trvanie zberu nosičov náboja a kapacita
Διαβάστε περισσότεραREZISTORY. Rezistory (súčiastky) sú pasívne prvky. Používajú sa vo všetkých elektrických
REZISTORY Rezistory (súčiastky) sú pasívne prvky. Používajú sa vo všetkých elektrických obvodoch. Základnou vlastnosťou rezistora je jeho odpor. Odpor je fyzikálna vlastnosť, ktorá je daná štruktúrou materiálu
Διαβάστε περισσότεραMatematika Funkcia viac premenných, Parciálne derivácie
Matematika 2-01 Funkcia viac premenných, Parciálne derivácie Euklidovská metrika na množine R n všetkých usporiadaných n-íc reálnych čísel je reálna funkcia ρ: R n R n R definovaná nasledovne: Ak X = x
Διαβάστε περισσότερα3. Striedavé prúdy. Sínusoida
. Striedavé prúdy VZNIK: Striedavý elektrický prúd prechádza obvodom, ktorý je pripojený na zdroj striedavého napätia. Striedavé napätie vyrába synchrónny generátor, kde na koncoch rotorového vinutia sa
Διαβάστε περισσότεραEkvačná a kvantifikačná logika
a kvantifikačná 3. prednáška (6. 10. 004) Prehľad 1 1 (dokončenie) ekvačných tabliel Formula A je ekvačne dokázateľná z množiny axióm T (T i A) práve vtedy, keď existuje uzavreté tablo pre cieľ A ekvačných
Διαβάστε περισσότεραObr.2-1. a) Pásové spektrum energii v kryštále, b) Vlastná vodivosť v polovodiči. c) Polovodič s vodivosťou typu. d) Polovodič s vodivosťou typu
2 DIÓDA - NELINEÁRNY JEDNOBRAN UČEBNÉ CIELE Zoznámiť sa s statickými a dynamickými parametrami náhradného obvodu diódy, pomocou ktorých možno aproximovať tento nelineárny jednobran na lineárny prvok Pochopiť
Διαβάστε περισσότεραObvod a obsah štvoruholníka
Obvod a štvoruholníka D. Štyri body roviny z ktorých žiadne tri nie sú kolineárne (neležia na jednej priamke) tvoria jeden štvoruholník. Tie body (A, B, C, D) sú vrcholy štvoruholníka. strany štvoruholníka
Διαβάστε περισσότεραKATEDRA DOPRAVNEJ A MANIPULAČNEJ TECHNIKY Strojnícka fakulta, Žilinská Univerzita
132 1 Absolútna chyba: ) = - skut absolútna ochýlka: ) ' = - spr. relatívna chyba: alebo Chyby (ochýlky): M systematické, M náhoné, M hrubé. Korekcia: k = spr - = - Î' pomerná korekcia: Správna honota:
Διαβάστε περισσότεραStart. Vstup r. O = 2*π*r S = π*r*r. Vystup O, S. Stop. Start. Vstup P, C V = P*C*1,19. Vystup V. Stop
1) Vytvorte algoritmus (vývojový diagram) na výpočet obvodu kruhu. O=2xπxr ; S=πxrxr Vstup r O = 2*π*r S = π*r*r Vystup O, S 2) Vytvorte algoritmus (vývojový diagram) na výpočet celkovej ceny výrobku s
Διαβάστε περισσότεραu R Pasívne prvky R, L, C v obvode striedavého prúdu Činný odpor R Napätie zdroja sa rovná úbytku napätia na činnom odpore.
Pasívne prvky, L, C v obvode stredavého prúdu Čnný odpor u u prebeh prúdu a napäta fázorový dagram prúdu a napäta u u /2 /2 t Napäte zdroja sa rovná úbytku napäta na čnnom odpore. Prúd je vo fáze s napätím.
Διαβάστε περισσότεραElektrický prúd v kovoch
Vznik jednosmerného prúdu: Elektrický prúd v kovoch. Usporiadaný pohyb voľných častíc s elektrickým nábojom sa nazýva elektrický prúd. Podmienkou vzniku elektrického prúdu v látke je prítomnosť voľných
Διαβάστε περισσότεραARMA modely čast 2: moving average modely (MA)
ARMA modely čast 2: moving average modely (MA) Beáta Stehlíková Časové rady, FMFI UK, 2014/2015 ARMA modely časť 2: moving average modely(ma) p.1/24 V. Moving average proces prvého rádu - MA(1) ARMA modely
Διαβάστε περισσότεραUČEBNÉ TEXTY. Pracovný zošit č.9. Moderné vzdelávanie pre vedomostnú spoločnosť Elektrotechnické merania. Ing. Alžbeta Kršňáková
Stredná priemyselná škola dopravná, Sokolská 911/94, 960 01 Zvolen Kód ITMS projektu: 26110130667 Názov projektu: Zvyšovanie flexibility absolventov v oblasti dopravy UČEBNÉ TEXTY Pracovný zošit č.9 Vzdelávacia
Διαβάστε περισσότεραCvičenie č. 4,5 Limita funkcie
Cvičenie č. 4,5 Limita funkcie Definícia ity Limita funkcie (vlastná vo vlastnom bode) Nech funkcia f je definovaná na nejakom okolí U( ) bodu. Hovoríme, že funkcia f má v bode itu rovnú A, ak ( ε > )(
Διαβάστε περισσότερα,Zohrievanie vody indukčným varičom bez pokrievky,
Farba skupiny: zelená Označenie úlohy:,zohrievanie vody indukčným varičom bez pokrievky, Úloha: Zistiť, ako závisí účinnosť zohrievania vody na indukčnom variči od priemeru použitého hrnca. Hypotéza: Účinnosť
Διαβάστε περισσότεραMotivácia Denícia determinantu Výpo et determinantov Determinant sú inu matíc Vyuºitie determinantov. Determinanty. 14. decembra 2010.
14. decembra 2010 Rie²enie sústav Plocha rovnobeºníka Objem rovnobeºnostena Rie²enie sústav Príklad a 11 x 1 + a 12 x 2 = c 1 a 21 x 1 + a 22 x 2 = c 2 Dostaneme: x 1 = c 1a 22 c 2 a 12 a 11 a 22 a 12
Διαβάστε περισσότεραAnalýza údajov. W bozóny.
Analýza údajov W bozóny http://www.physicsmasterclasses.org/index.php 1 Identifikácia častíc https://kjende.web.cern.ch/kjende/sl/wpath_teilchenid1.htm 2 Identifikácia častíc Cvičenie 1 Na web stránke
Διαβάστε περισσότεραM6: Model Hydraulický systém dvoch zásobníkov kvapaliny s interakciou
M6: Model Hydraulický ytém dvoch záobníkov kvapaliny interakciou Úlohy:. Zotavte matematický popi modelu Hydraulický ytém. Vytvorte imulačný model v jazyku: a. Matlab b. imulink 3. Linearizujte nelineárny
Διαβάστε περισσότερα7. FUNKCIE POJEM FUNKCIE
7. FUNKCIE POJEM FUNKCIE Funkcia f reálnej premennej je : - každé zobrazenie f v množine všetkých reálnych čísel; - množina f všetkých usporiadaných dvojíc[,y] R R pre ktorú platí: ku každému R eistuje
Διαβάστε περισσότεραARMA modely čast 2: moving average modely (MA)
ARMA modely čast 2: moving average modely (MA) Beáta Stehlíková Časové rady, FMFI UK, 2011/2012 ARMA modely časť 2: moving average modely(ma) p.1/25 V. Moving average proces prvého rádu - MA(1) ARMA modely
Διαβάστε περισσότερα1. VZNIK ELEKTRICKÉHO PRÚDU
ELEKTRICKÝ PRÚD 1. VZNIK ELEKTRICKÉHO PRÚDU ELEKTRICKÝ PRÚD - Je usporiadaný pohyb voľných častíc s elektrickým nábojom. Podmienkou vzniku elektrického prúdu v látke je: prítomnosť voľných častíc s elektrickým
Διαβάστε περισσότεραFyzikální sekce přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity v Brně FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM. Praktikum z elektroniky
Fyzikální sekce přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity v Brně FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Praktikum z elektroniky Zpracoval: Marek Talába a Petr Bílek Naměřeno: 6.3.2014 Obor: F Ročník: III Semestr: VI Testováno:
Διαβάστε περισσότεραKlasifikácia látok LÁTKY. Zmesi. Chemické látky. rovnorodé (homogénne) rôznorodé (heterogénne)
Zopakujme si : Klasifikácia látok LÁTKY Chemické látky Zmesi chemické prvky chemické zlúčeniny rovnorodé (homogénne) rôznorodé (heterogénne) Chemicky čistá látka prvok Chemická látka, zložená z atómov,
Διαβάστε περισσότεραPoužité fyzikálne veličiny a parametre
2. Použité fyzikálne veličiny a parametre značka jednotka názov α [K -1 ] teplotný súčiniteľ odporu γ [S.m -1 ] konduktivita (v staršej literatúre: merná elektrická vodivosť) λt [Wm -1 K -1 ] merná tepelná
Διαβάστε περισσότεραKontrolné otázky na kvíz z jednotiek fyzikálnych veličín. Upozornenie: Umiestnenie správnej a nesprávnych odpovedí sa môže v teste meniť.
Kontrolné otázky na kvíz z jednotiek fyzikálnych veličín Upozornenie: Umiestnenie správnej a nesprávnych odpovedí sa môže v teste meniť. Ktoré fyzikálne jednotky zodpovedajú sústave SI: a) Dĺžka, čas,
Διαβάστε περισσότεραTabuľková príloha. Tabuľka 1. Niektoré fyzikálne veličiny a ich jednotky. Tabuľka 2. - Predpony a označenie násobkov a dielov východiskovej jednotky
Tabuľková príloha Tabuľka 1. Niektoré fyzikálne veličiny a ich jednotky Veličina Symbol Zvláštny názov Frekvencia f hertz Sila F newton Tlak p pascal Energia, práca, teplo E, W, Q joule Výkon P watt Elektrický
Διαβάστε περισσότεραMeranie na jednofázovom transformátore
Fakulta elektrotechniky a informatiky TU v Košiciach Katedra elektrotechniky a mechatroniky Meranie na jednofázovom transformátore Návod na cvičenia z predmetu Elektrotechnika Meno a priezvisko :..........................
Διαβάστε περισσότερα13 Elektrostatické javy v dielektrikách
213 13 lektrostatické javy v dielektrikách 13.1 Polarizácia dielektrika lektricky nevodivá látka, izolant alebo dielektrikum, obsahuje nosiče náboja podobne ako vodič. No vo vodiči sú nosiče náboja pohyblivé,
Διαβάστε περισσότεραv d v. t Obrázok 14.1: Pohyb nabitých častíc vo vodiči.
219 14 Elektrický prúd V predchádzajúcej kapitole Elektrické pole sme preberali elektrostatické polia nábojov, ktoré boli v pokoji. V tejto kapitole sa budeme zaoberať pohybom elektrických nábojov, ktorý
Διαβάστε περισσότερα6 Limita funkcie. 6.1 Myšlienka limity, interval bez bodu
6 Limita funkcie 6 Myšlienka ity, interval bez bodu Intuitívna myšlienka ity je prirodzená, ale definovať presne pojem ity je značne obtiažne Nech f je funkcia a nech a je reálne číslo Čo znamená zápis
Διαβάστε περισσότερα1. Určenie VA charakteristiky kovového vodiča
Laboratórne cvičenia podporované počítačom V charakteristika vodiča a polovodičovej diódy 1 Meno:...Škola:...Trieda:...Dátum:... 1. Určenie V charakteristiky kovového vodiča Fyzikálny princíp: Elektrický
Διαβάστε περισσότεραNávrh vzduchotesnosti pre detaily napojení
Výpočet lineárneho stratového súčiniteľa tepelného mosta vzťahujúceho sa k vonkajším rozmerom: Ψ e podľa STN EN ISO 10211 Návrh vzduchotesnosti pre detaily napojení Objednávateľ: Ing. Natália Voltmannová
Διαβάστε περισσότεραMOSTÍKOVÁ METÓDA 1.ÚLOHA: 2.OPIS MERANÉHO PREDMETU: 3.TEORETICKÝ ROZBOR: 4.SCHÉMA ZAPOJENIA:
1.ÚLOHA: MOSTÍKOVÁ METÓDA a, Odmerajte odpory predložených rezistorou pomocou Wheastonovho mostíka. b, Odmerajte odpory predložených rezistorou pomocou Mostíka ICOMET. c, Odmerajte odpory predložených
Διαβάστε περισσότεραMERANIE OSCILOSKOPOM Ing. Alexander Szanyi
STREDNÉ ODBORNÁ ŠKOLA Hviezdoslavova 5 Rožňava Cvičenia z elektrického merania Referát MERANIE OSCILOSKOPOM Ing. Alexander Szanyi Vypracoval Trieda Skupina Šk rok Teoria Hodnotenie Prax Referát Meranie
Διαβάστε περισσότερα1. Limita, spojitost a diferenciálny počet funkcie jednej premennej
. Limita, spojitost a diferenciálny počet funkcie jednej premennej Definícia.: Hromadný bod a R množiny A R: v každom jeho okolí leží aspoň jeden bod z množiny A, ktorý je rôzny od bodu a Zadanie množiny
Διαβάστε περισσότεραElektrický prúd v kovoch
Elektrický prúd v kovoch 1. Aký náboj prejde prierezom vodiča za 2 h, ak ním tečie stály prúd 20 ma? [144 C] 2. Prierezom vodorovného vodiča prejde za 1 s usmerneným pohybom 1 000 elektrónov smerom doľava.
Διαβάστε περισσότεραSTRIEDAVÝ PRÚD - PRÍKLADY
STRIEDAVÝ PRÚD - PRÍKLADY Príklad0: V sieti je frekvencia 50 Hz. Vypočítajte periódu. T = = = 0,02 s = 20 ms f 50 Hz Príklad02: Elektromotor sa otočí 50x za sekundu. Koľko otáčok má za minútu? 50 Hz =
Διαβάστε περισσότερα5. Detekcia ionizujúceho žiarenia (druhy dozimetrov, princíp a použitie, osobná dozimetria a monitorovanie)
5. Detekcia ionizujúceho žiarenia (druhy dozimetrov, princíp a použitie, osobná dozimetria a monitorovanie) Metódy detekcie ionizujúceho žiarenia všeobecne vychádzajú zo skutočnosti, že toto žiarenie spôsobuje
Διαβάστε περισσότεραOdporníky. 1. Príklad1. TESLA TR
Odporníky Úloha cvičenia: 1.Zistite technické údaje odporníkov pomocou katalógov 2.Zistite menovitú hodnotu odporníkov označených farebným kódom Schématická značka: 1. Príklad1. TESLA TR 163 200 ±1% L
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORY STU FEI.
1 TRANZSTORY 17. 3. 2004 STU F lubica.stuchlíkova@stuba.sk lektronické systémy, Doc. ng. L. Hulényi, Sc. ipolárny tranzistor 2 Definícia Tranzistor (Transfer resistor ) - trojelektródový polovodičový prvok,
Διαβάστε περισσότεραPrechod z 2D do 3D. Martin Florek 3. marca 2009
Počítačová grafika 2 Prechod z 2D do 3D Martin Florek florek@sccg.sk FMFI UK 3. marca 2009 Prechod z 2D do 3D Čo to znamená? Ako zobraziť? Súradnicové systémy Čo to znamená? Ako zobraziť? tretia súradnica
Διαβάστε περισσότεραZrýchľovanie vesmíru. Zrýchľovanie vesmíru. o výprave na kraj vesmíru a čo tam astronómovia objavili
Zrýchľovanie vesmíru o výprave na kraj vesmíru a čo tam astronómovia objavili Zrýchľovanie vesmíru o výprave na kraj vesmíru a čo tam astronómovia objavili Zrýchľovanie vesmíru o výprave na kraj vesmíru
Διαβάστε περισσότεραGoniometrické rovnice a nerovnice. Základné goniometrické rovnice
Goniometrické rovnice a nerovnice Definícia: Rovnice (nerovnice) obsahujúce neznámu x alebo výrazy s neznámou x ako argumenty jednej alebo niekoľkých goniometrických funkcií nazývame goniometrickými rovnicami
Διαβάστε περισσότεραAerobTec Altis Micro
AerobTec Altis Micro Záznamový / súťažný výškomer s telemetriou Výrobca: AerobTec, s.r.o. Pionierska 15 831 02 Bratislava www.aerobtec.com info@aerobtec.com Obsah 1.Vlastnosti... 3 2.Úvod... 3 3.Princíp
Διαβάστε περισσότεραVYBRANÉ KAPITOLY Z ELEKTROTECHNIKY A ELEKTRONIKY
Moderné vzdelávanie pre vedomostnú spoločnosť/ Projekt je spolufinancovaný zo zdrojov EÚ VYBRANÉ KAPITOLY Z ELEKTROTECHNIKY A ELEKTRONIKY Fakulta výrobných technológií so sídlom v Prešove doc. Ing. Alexander
Διαβάστε περισσότεραUČEBNÉ TEXTY. Pracovný zošit č.7. Moderné vzdelávanie pre vedomostnú spoločnosť Elektrotechnické merania. Ing. Alžbeta Kršňáková
Stredná priemyselná škola dopravná, Sokolská 911/94, 960 01 Zvolen Kód ITMS projektu: 26110130667 Názov projektu: Zvyšovanie flexibility absolventov v oblasti dopravy UČEBNÉ TEXTY Pracovný zošit č.7 Vzdelávacia
Διαβάστε περισσότεραUČEBNÉ TEXTY. Pracovný zošit č.5. Moderné vzdelávanie pre vedomostnú spoločnosť Elektrotechnické merania. Ing. Alžbeta Kršňáková
Stredná priemyselná škola dopravná, Sokolská 911/94, 960 01 Zvolen Kód ITMS projektu: 26110130667 Názov projektu: Zvyšovanie flexibility absolventov v oblasti dopravy UČEBNÉ TEXTY Pracovný zošit č.5 Vzdelávacia
Διαβάστε περισσότεραJednotkový koreň (unit root), diferencovanie časového radu, unit root testy
Jednotkový koreň (unit root), diferencovanie časového radu, unit root testy Beáta Stehlíková Časové rady, FMFI UK, 2012/2013 Jednotkový koreň(unit root),diferencovanie časového radu, unit root testy p.1/18
Διαβάστε περισσότεραUČEBNÉ CIELE KĽÚČOVÉ SLOVÁ 8.1 SCINTILÁTOR valenčný pás vodivostný zakázaný pás
8. SCINTILAČNÝ DETEKTOR UČEBNÉ CIELE Zoznámiť sa z činnosťou scintilačného a čerenkovho detektora, ako detektorov, ktoré snímajú ionizujúce žiarenie prostredníctvom svetelných zábleskov. Pochopiť funkciu
Διαβάστε περισσότεραOhmov zákon pre uzavretý elektrický obvod
Ohmov zákon pre uzavretý elektrický obvod Fyzikálny princíp: Každý reálny zdroj napätia (batéria, akumulátor) môžeme považova za sériovú kombináciu ideálneho zdroja s elektromotorickým napätím U e a vnútorným
Διαβάστε περισσότεραCHÉMIA Ing. Iveta Bruončová
Výpočet hmotnostného zlomku, látkovej koncentrácie, výpočty zamerané na zloženie roztokov CHÉMIA Ing. Iveta Bruončová Moderné vzdelávanie pre vedomostnú spoločnosť/projekt je spolufinancovaný zo zdrojov
Διαβάστε περισσότεραZákladné poznatky molekulovej fyziky a termodynamiky
Základné poznatky molekulovej fyziky a termodynamiky Opakovanie učiva II. ročníka, Téma 1. A. Príprava na maturity z fyziky, 2008 Outline Molekulová fyzika 1 Molekulová fyzika Predmet Molekulovej fyziky
Διαβάστε περισσότεραZADANIE 1_ ÚLOHA 3_Všeobecná rovinná silová sústava ZADANIE 1 _ ÚLOHA 3
ZDNIE _ ÚLOH 3_Všeobecná rovinná silová sústv ZDNIE _ ÚLOH 3 ÚLOH 3.: Vypočítjte veľkosti rekcií vo väzbách nosník zťženého podľ obrázku 3.. Veľkosti známych síl, momentov dĺžkové rozmery sú uvedené v
Διαβάστε περισσότεραRozsah akreditácie 1/5. Príloha zo dňa k osvedčeniu o akreditácii č. K-003
Rozsah akreditácie 1/5 Názov akreditovaného subjektu: U. S. Steel Košice, s.r.o. Oddelenie Metrológia a, Vstupný areál U. S. Steel, 044 54 Košice Rozsah akreditácie Oddelenia Metrológia a : Laboratórium
Διαβάστε περισσότεραMotivácia pojmu derivácia
Derivácia funkcie Motivácia pojmu derivácia Zaujíma nás priemerná intenzita zmeny nejakej veličiny (dráhy, rastu populácie, veľkosti elektrického náboja, hmotnosti), vzhľadom na inú veličinu (čas, dĺžka)
Διαβάστε περισσότεραModul pružnosti betónu
f cm tan α = E cm 0,4f cm ε cl E = σ ε ε cul Modul pružnosti betónu α Autori: Stanislav Unčík Patrik Ševčík Modul pružnosti betónu Autori: Stanislav Unčík Patrik Ševčík Trnava 2008 Obsah 1 Úvod...7 2 Deformácie
Διαβάστε περισσότεραElektronika stručne. Vodiče Polovodiče Izolanty
Elektronika stručne Vodiče Polovodiče Izolanty Polovodiče sa líšia od kovových vodičov a izolantov najmä tým, že ich vodivosť sa mení rôznych fyzikálnych veličín, napr. zmenou teploty, svetla, tlaku a
Διαβάστε περισσότεραPRIEMER DROTU d = 0,4-6,3 mm
PRUŽINY PRUŽINY SKRUTNÉ PRUŽINY VIAC AKO 200 RUHOV SKRUTNÝCH PRUŽÍN PRIEMER ROTU d = 0,4-6,3 mm èíslo 3.0 22.8.2008 8:28:57 22.8.2008 8:28:58 PRUŽINY SKRUTNÉ PRUŽINY TECHNICKÉ PARAMETRE h d L S Legenda
Διαβάστε περισσότεραPrevodník pre tenzometrické snímače sily EMS170
Charakteristické vlastnosti Technické údaje Napäťové alebo prúdové napájanie snímačov alebo vodičové pripojenie snímačov Pripojenie až snímačov Nastavenie parametrov pomocou DIP prepínačov Prevedenie v
Διαβάστε περισσότεραELEKTROTECHNIKA zoznam kontrolných otázok na učenie toto nie sú skutočné otázky na skúške
1. Definujte elektrický náboj. 2. Definujte elektrický prúd. 3. Aký je to stacionárny prúd? 4. Aký je to jednosmerný prúd? 5. Ako možno vypočítať okamžitú hodnotu elektrického prúdu? 6. Definujte elektrické
Διαβάστε περισσότεραPOLOVODIČOVÉ DIÓDY. Polovodičové diódy využívajú priechod PN a jeho vlastnosti.
POLOVODIČOVÉ DIÓDY Polovodičové diódy využívajú priechod PN a jeho vlastnosti. Najčastejšie využívanou vlastnosťou je usmerňovací efekt priechodu PN, preto široko používané polovodičové diódy sú usmerňovacie
Διαβάστε περισσότεραLaboratórna práca č.1. Elektrické meracie prístroje a ich zapájanie do elektrického obvodu.zapojenie potenciometra a reostatu.
Laboratórna práca č.1 Elektrické meracie prístroje a ich zapájanie do elektrického obvodu.zapojenie potenciometra a reostatu. Zapojenie potenciometra Zapojenie reostatu 1 Zapojenie ampémetra a voltmetra
Διαβάστε περισσότερα2 Vodiče. ferit čistý kremík. bór. sklo. fosfor. Obr. 2.1 Prehľad rezistivít rôznych elektrotechnických materiálov
2 Vodiče 2.1 Úvod Vodiče sú materiály, i ktorých je vedenie elektrického prúdu sprostredkované prenosom elektrónov, pričom nedochádza k žiadnym pozorovateľným chemickým zmenám 13, 32, 34. 2.2 Fyzikálna
Διαβάστε περισσότεραC. Kontaktný fasádny zatepľovací systém
C. Kontaktný fasádny zatepľovací systém C.1. Tepelná izolácia penový polystyrén C.2. Tepelná izolácia minerálne dosky alebo lamely C.3. Tepelná izolácia extrudovaný polystyrén C.4. Tepelná izolácia penový
Διαβάστε περισσότεραChí kvadrát test dobrej zhody. Metódy riešenia úloh z pravdepodobnosti a štatistiky
Chí kvadrát test dobrej zhody Metódy riešenia úloh z pravdepodobnosti a štatistiky www.iam.fmph.uniba.sk/institute/stehlikova Test dobrej zhody I. Chceme overiť, či naše dáta pochádzajú z konkrétneho pravdep.
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTOR - NELINEÁRNY DVOJBRAN UČEBNÉ CIELE
3 TRANZISTOR - NELINEÁRNY DVOJBRAN UČEBNÉ CIELE Pochopiť javy, ktorými sa riadi ovládanie prúdu v tranzistore. Vedieť vypočítať prúdy a napätia v obvode s tranzistorom pomocou linearizovaného náhradného
Διαβάστε περισσότεραHASLIM112V, HASLIM123V, HASLIM136V HASLIM112Z, HASLIM123Z, HASLIM136Z HASLIM112S, HASLIM123S, HASLIM136S
PROUKTOVÝ LIST HKL SLIM č. sklad. karty / obj. číslo: HSLIM112V, HSLIM123V, HSLIM136V HSLIM112Z, HSLIM123Z, HSLIM136Z HSLIM112S, HSLIM123S, HSLIM136S fakturačný názov výrobku: HKL SLIMv 1,2kW HKL SLIMv
Διαβάστε περισσότεραRIEŠENIE WHEATSONOVHO MOSTÍKA
SNÁ PMYSLNÁ ŠKOL LKONKÁ V PŠŤNO KOMPLXNÁ PÁ Č. / ŠN WSONOVO MOSÍK Piešťany, október 00 utor : Marek eteš. Komplexná práca č. / Strana č. / Obsah:. eoretický rozbor Wheatsonovho mostíka. eoretický rozbor
Διαβάστε περισσότερα1. písomná práca z matematiky Skupina A
1. písomná práca z matematiky Skupina A 1. Vypočítajte : a) 84º 56 + 32º 38 = b) 140º 53º 24 = c) 55º 12 : 2 = 2. Vypočítajte zvyšné uhly na obrázku : β γ α = 35 12 δ a b 3. Znázornite na číselnej osi
Διαβάστε περισσότεραPodnikateľ 90 Mobilný telefón Cena 95 % 50 % 25 %
Podnikateľ 90 Samsung S5230 Samsung C3530 Nokia C5 Samsung Shark Slider S3550 Samsung Xcover 271 T-Mobile Pulse Mini Sony Ericsson ZYLO Sony Ericsson Cedar LG GM360 Viewty Snap Nokia C3 Sony Ericsson ZYLO
Διαβάστε περισσότεραTermodynamika. Doplnkové materiály k prednáškam z Fyziky I pre SjF Dušan PUDIŠ (2008)
ermodynamika nútorná energia lynov,. veta termodynamická, Izochorický dej, Izotermický dej, Izobarický dej, diabatický dej, Práca lynu ri termodynamických rocesoch, arnotov cyklus, Entroia Dolnkové materiály
Διαβάστε περισσότεραŽILINSKÁ UNIVERZITA V ŽILINE
ŽILINSKÁ UNIVERZITA V ŽILINE ELEKTROTECHNICKÁ FAKULTA DIPLOMOVÁ PRÁCA Textová časť 2006 PETER DRŠKA DIPLOMOVÁ PRÁCA Priezvisko a meno: Drška Peter Rok: 2006 Názov diplomovej práce: Analýza možností využitia
Διαβάστε περισσότεραMATERIÁLY NA VÝROBU ELEKTRÓD
MATERIÁLY NA VÝROBU ELEKTRÓD Strana: - 1 - E-Cu ELEKTROLYTICKÁ MEĎ (STN 423001) 3 4 5 6 8 10 12 15 TYČE KRUHOVÉ 16 20 25 30 36 40 50 60 (priemer mm) 70 80 90 100 110 130 Dĺžka: Nadelíme podľa Vašej požiadavky.
Διαβάστε περισσότερα1. OBVODY JEDNOSMERNÉHO PRÚDU. (Aktualizované )
. OVODY JEDNOSMENÉHO PÚDU. (ktualizované 7..005) Príklad č..: Vypočítajte hodnotu odporu p tak, aby merací systém S ukazoval plnú výchylku pri V. p=? V Ω, V S Príklad č..: ký bude stratový výkon vedenia?
Διαβάστε περισσότεραModerné vzdelávanie pre vedomostnú spoločnosť Projekt je spolufinancovaný zo zdrojov EÚ M A T E M A T I K A
M A T E M A T I K A PRACOVNÝ ZOŠIT II. ROČNÍK Mgr. Agnesa Balážová Obchodná akadémia, Akademika Hronca 8, Rožňava PRACOVNÝ LIST 1 Urč typ kvadratickej rovnice : 1. x 2 3x = 0... 2. 3x 2 = - 2... 3. -4x
Διαβάστε περισσότεραη = 1,0-(f ck -50)/200 pre 50 < f ck 90 MPa
1.4.1. Návrh priečneho rezu a pozĺžnej výstuže prierezu ateriálové charakteristiky: - betón: napr. C 0/5 f ck [Pa]; f ctm [Pa]; fck f α [Pa]; γ cc C pričom: α cc 1,00; γ C 1,50; η 1,0 pre f ck 50 Pa η
Διαβάστε περισσότεραTomáš Madaras Prvočísla
Prvočísla Tomáš Madaras 2011 Definícia Nech a Z. Čísla 1, 1, a, a sa nazývajú triviálne delitele čísla a. Cele číslo a / {0, 1, 1} sa nazýva prvočíslo, ak má iba triviálne delitele; ak má aj iné delitele,
Διαβάστε περισσότεραFyzika. Úvodný kurz pre poslucháčov prvého ročníka bakalárskych programov v rámci odboru geológie 9. prednáška základy elektriny
Fyzika Úvodný kurz pre poslucháčov prvého ročníka bakalárskych programov v rámci odboru geológie 9. prednáška základy elektriny Obsah prednášky: - úvodné poznámky - Coulombov zákon - základné veličiny
Διαβάστε περισσότεραObr Voltampérová charakteristika ideálneho zdroja: a) napätia; b) prúdu.
1 ZÁKLADNÉ POJMY ELEKTRONICKÝCH OBVODOV UČEBNÉ CIELE Oboznámiť sa so základnými pojmami, ktoré sa používajú pri analýze lineárnych elektronických obvodov. Študent by mal vedieť vytvoriť z reálneho zložitejšieho
Διαβάστε περισσότεραGLOSSAR A B C D E F G H CH I J K L M N O P R S T U V W X Y Z Ž. Hlavné menu
GLOSSAR A B C D E F G H CH I J K L M N O P R S T U V W X Y Z Ž Hlavné menu A Atóm základná stavebná častica látok pozostávajúca z jadra a obalu obsahujúcich príslušné častice Atómová teória teória pochádzajúca
Διαβάστε περισσότεραFAKULTA MATEMATIKY, FYZIKY A INFORMATIKY UNIVERZITA KOMENSKÉHO Bratislava ZÁKLADY FYZIKY PLAZMY
FAKULTA MATEMATIKY, FYZIKY A INFORMATIKY UNIVERZITA KOMENSKÉHO Bratislava Viktor Martišovitš ZÁKLADY FYZIKY PLAZMY Učebný text pre 3. ročník magisterského štúdia Bratislava 2004 . c Viktor Martišovitš,
Διαβάστε περισσότεραÚvod do lineárnej algebry. Monika Molnárová Prednášky
Úvod do lineárnej algebry Monika Molnárová Prednášky 2006 Prednášky: 3 17 marca 2006 4 24 marca 2006 c RNDr Monika Molnárová, PhD Obsah 2 Sústavy lineárnych rovníc 25 21 Riešenie sústavy lineárnych rovníc
Διαβάστε περισσότεραZáklady elektroniky a logických obvodov. Pavol Galajda, KEMT, FEI, TUKE
Základy elektroniky a logických obvodov Pavol Galajda, KEMT, FEI, TUKE Pavol.Galajda@tuke.sk 5 Bipolárny tranzistor V roku 1948 John Bardeen, Walter H. Brattain a William Shockley z Bellovho telefónneho
Διαβάστε περισσότεραZ O S I L Ň O V A Č FEARLESS SÉRIA D
FEARLESS SÉRIA D FEARLESS SÉRIA D Fearless 5000 D Fearless 2200 D Fearless 4000 D Fearless 1000 D FEARLESS SÉRIA D Vlastnosti: do 2 ohmov Class-D, vysoko výkonný digitálny kanálový subwoofer, 5 kanálový
Διαβάστε περισσότερα1. Oboznámte sa so základnými vlastnosťami a s katalógovými parametrami predložených stabilizačných diód.
Téma 4. : Stabilizačné diódy ( L, ) adanie: 1. Oboznámte sa so základnými vlastnosťami a s katalógovými parametrami predložených stabilizačných diód. 2. merajte V-charakteristiky stabilizačných diód v
Διαβάστε περισσότεραElektromagnetické pole
Elektromagnetické pole Elektromagnetická vlna. Maxwellove rovnice v integrálnom tvare a diferenciálnom tvare. Vlnové rovnice pre E a. Vjadrenie rýchlosti elektromagnetickej vln. Vlastnosti a znázornenie
Διαβάστε περισσότεραMatematika 2. časť: Analytická geometria
Matematika 2 časť: Analytická geometria RNDr. Jana Pócsová, PhD. Ústav riadenia a informatizácie výrobných procesov Fakulta BERG Technická univerzita v Košiciach e-mail: jana.pocsova@tuke.sk Súradnicové
Διαβάστε περισσότεραSpojité rozdelenia pravdepodobnosti. Pomôcka k predmetu PaŠ. RNDr. Aleš Kozubík, PhD. 26. marca Domovská stránka. Titulná strana.
Spojité rozdelenia pravdepodobnosti Pomôcka k predmetu PaŠ Strana z 7 RNDr. Aleš Kozubík, PhD. 6. marca 3 Zoznam obrázkov Rovnomerné rozdelenie Ro (a, b). Definícia.........................................
Διαβάστε περισσότερα1. Atómová štruktúra látok, stavba atómu. Elektrické a magnetické pole v elektrotechnike.
1. Atómová štruktúra látok, stavba atómu. Elektrické a magnetické pole v elektrotechnike. Atóm základná častica všetkých látok. Skladá sa z atómového jadra obsahujúceho protóny a neutróny a obalu obsahujúceho
Διαβάστε περισσότεραAkumulátory. Membránové akumulátory Vakové akumulátory Piestové akumulátory
www.eurofluid.sk 20-1 Membránové akumulátory... -3 Vakové akumulátory... -4 Piestové akumulátory... -5 Bezpečnostné a uzatváracie bloky, príslušenstvo... -7 Hydromotory 20 www.eurofluid.sk -2 www.eurofluid.sk
Διαβάστε περισσότεραZateplite fasádu! Zabezpečte, aby Vám neuniklo teplo cez fasádu
Zateplite fasádu! Zabezpečte, aby Vám neuniklo teplo cez fasádu Austrotherm GrPS 70 F Austrotherm GrPS 70 F Reflex Austrotherm Resolution Fasáda Austrotherm XPS TOP P Austrotherm XPS Premium 30 SF Austrotherm
Διαβάστε περισσότεραKontrolné otázky z jednotiek fyzikálnych veličín
Verzia zo dňa 6. 9. 008. Kontrolné otázky z jednotiek fyzikálnych veličín Upozornenie: Umiestnenie správnej odpovede sa môže v kontrolnom teste meniť. Takisto aj znenie nesprávnych odpovedí. Uvedomte si
Διαβάστε περισσότερα( V.m -1 ) ( V) ( V) (0,045 J)
1. Aká je intenzita elektrického poľa v bode, ktorý leží uprostred medzi ďvoma nábojmi Q 1 = 50 µc a Q 2 = 70 µc, ktoré sú od seba vzdialené r = 20 cm? Náboje sú v petroleji /ε = 2 ε 0 /. (9.10 6 V.m -1
Διαβάστε περισσότεραPriamkové plochy. Ak každým bodom plochy Φ prechádza aspoň jedna priamka, ktorá (celá) na nej leží potom plocha Φ je priamková. Santiago Calatrava
Priamkové plochy Priamkové plochy Ak každým bodom plochy Φ prechádza aspoň jedna priamka, ktorá (celá) na nej leží potom plocha Φ je priamková. Santiago Calatrava Priamkové plochy rozdeľujeme na: Rozvinuteľné
Διαβάστε περισσότεραCHÉMIA PRE BIOLÓGOV ŠTUDIJNÝ TEXT
CHÉMIA PRE BIOLÓGOV ŠTUDIJNÝ TEXT Mária Linkešová, Ivona Paveleková CHÉMIA AKO PRÍRODNÁ VEDA Chémia je prírodná veda, ktorá študuje štruktúru atómov, molekúl a látok z nich utvorených, sleduje ich vlastnosti
Διαβάστε περισσότεραOddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Úloha č.:...xviii... Název: Prechodové javy v RLC obvode Vypracoval:... Viktor Babjak... stud. sk... F.. dne... 6.. 005
Διαβάστε περισσότεραRiadenie elektrizačných sústav
Riaenie elektrizačných sústav Paralelné spínanie (fázovanie a kruhovanie) Pomienky paralelného spínania 1. Rovnaký sle fáz. 2. Rovnaká veľkosť efektívnych honôt napätí. 3. Rovnaká frekvencia. 4. Rovnaký
Διαβάστε περισσότεραPríklad merania časových intervalov medzi určitými udalosťami Príklad ovládania výberu udalostí na základe ich časovej korelácie
11. ANALÝZA ČASOVEJ INFORMÁCIE UČEBNÉ CIELE Študent by mal vedieť charakterizovať v čom spočívajú odlišnosti spracovania signálu s časovou informáciou, mal by vedieť akým spôsobom môže zosilňovač a diskriminátor
Διαβάστε περισσότερα