Ge Si(100) Si... 39
|
|
|
- Φυλλίς Ασπάσιος
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1
2 Ge Si Ge/Si Ge , Ge/Si Ge Ge Si Ge Si(100) Si(111) Ge Si(100) Ge Si(111) SiGe Si(100) SiGe Si SiGe Si(100) Si SiGe Ge Si Ge/Si
3 «100» «-100» IS 50-LO plus Si Ge Ge Si1-xGex
4 100., 5., 56., 1., 39, 1. -,,,,,, - Ge,. Ge/Si Ge, :, -,. Ge/Si Ge, SiGe Si(100) - «-100». : 1. Si «-100» Si1-xGex. 7.,. 4
5 : - ; ; ; - ; ; ; ; - ; ; ; ;. 5
6 -, -. - ( ),.,,.,,,.,,. 90 %,,,.,,. -...,,, (, 6
7 ).,.,.,,,,.. ( ),,..,, -. ( ). ( ) SiGe/Si,. SiGe, ( ).,,,., SiGe/Si,. 7
8 (FET),. SiGe/Si.,,. Ge,, Ge Ge/Si. Ge/Si Ge,. : 1. - Ge/Si,, SiGe Si(100); 2. - Ge/Si Ge/Si Ge «-100»: ; Si Ge Si(100) Si(111) ; Si1-xGex. : -, -,,,. 8
9 , Ge Si(111) ё , (υ = α βi ) Ge 0,023-0,107 Å/ α= Å/ β=0, Si1-xGex Si(100) ё 550 Si1-xGex 0 x 0, , Ge Si(111). Si1-xGex 0 x 0,4 x Ge Si., Ge Si -,, Si1- Ge x. : ( Ge/Si Ge, Si1- Ge x). 9
10 5. Ge Si. Ge/Si Ge. -, :, -,. Ge/Si Ge, : Ge, Ge Ge, Ge/Si.., -,, Si1-xGex.. 10
11 1 Ge Si - -, 4%,. -,, III V (GaAs, InP..)., Ge ( ), Si. Ge Si : 1) Ge; 2), - ; 3).,, [1].. 1,.. 11
12 « ,, quantum dots [2] (0D) ( 2). x, y, z. 2 [3]., [3]. E lmn l n m, md x 2md y 2md z l, m, n = 1, 2, 3, ; dx, dy, dz. Elmn. ( 3). g(e) - 12
13 3 [4] 1992.,. Ge-Si InAs-GaAs ( ) Ge-Si. [1] « , Ge (GeSi) Si, [2] 13
14 III V. : 1) III V; 2) I ( ), ; 3),. III-V InAs-GaAs. 5, Ge Si, « , Ge (GeSi) Si - [2] - - (3D) ( - )., ( 14
15 ),, ( - ),, -,, ( ), InGaAs-GaAs., ( ) 3D, [1]. 15
16 2 Ge/Si Ge , [5].,..,, Ge/Si., -, Ge ( ( )).,,,,,,.,,,.,, Si,. Ge Si, Ge/Si. 16
17 ,,. I-,,,. I- InAs/GaAs. I- 6( ) [6]. 6 I- ( ) GaAs/InAs II- ( ) Ge/Si [6] II-,. II- Ge/Si. II- 6( ) [6]., Ge/Si II.. Ge, Si.., Ge/Si Ge,., 17
18 ,, [5]. 18
19 3 -, Ge/Si Ge " "- ( επ αξ - ).. ( ).,. ( ),.,,.,,.,..,. - ( ) ( ),. (Bell Laboratories, ). 7., , 1500., (77 ), 19
20 .. ( ),. ;. -.,,,,,.,.. 1 /. 7 - [7], ( ),,.,. ( 20
![).., ~ 1/10..,,..,, ( 8).,. 8 - [3] 8, 1 2; 3 ; 4 ; 5,.](/docs-images/71/64630958/images/21-0.jpg "I, II, III.,.,. 21")
21 ).., ~ 1/10..,,..,, ( 8).,. 8 - [3] 8, 1 2; 3 ; 4 ; 5,. I, II, III.,.,. 21
22 .,. 3,,.. : , ,.,.,, ( э я). [3,7]., ( )., ( ).,.,,. 22
23 ( 9 ).,,, - ( 9 ). 9 [3] - ( 9 )... Ge Si 4%, Ge Si , (. reflection high-energy electron diffraction., RHEED), 5 100, [8]., 1 5,,,.., 23
24 50 100, 100, 1 1 [9].,, (, 1 5º)..,...,... d d = l λ / r, l, r (,, ). ( ),,. ё ё ё,. ё,. ё (, ) - 24
25 ё ( ). ё, [8]. 10.,.,, - [9]. 10 [9] ,..,,. 25
26 11 [9],.,,. -...,,. -, ( ). -,. -, 26
27 ,.,.,. (, ),.,.,,., [9] ( ). - Mr, (...) (Da). - (m/z)..,, m/z,, [10].,, - 27
![-.,,, -. - (,,, ) ( ). - -,,, -. -,.. - - ( ) [11].](/docs-images/71/64630958/images/28-0.jpg "3.2.3 -,,, ( ) ( ) ( 12).,,., [12]. 12 - [12] 28")
28 -.,,, -. - (,,, ) ( ). - -,,, -. -, ( ) [11] ,,, ( ) ( ) ( 12).,,., [12] [12] 28
![. - ( 13). 13 - [12],,, ( 14).](/docs-images/71/64630958/images/29-0.jpg "( ),.,, [9]. 14 - -., - [9] 29")
29 . - ( 13) [12],,, ( 14). ( ),.,, [9] , - [9] 29
30 - : ( ), ( ).., -.,. ( ). -.,.,. : , ,. 6.,,. 7. ; ; ;.,,. 30
31 ( ), - - ( )., 5 100,.. - -, (, XRD X- ray diffractometry),. ( ),. - : nλ = sinθ, n -,, λ, d, θ,. - 15,. 15 [13] 31
32 , θ,, nλ,..., : sinθ = λn, θ. ( 16). :,,, ,. ( ) , 2., 3., 4., 5., 6. [13].,.,,,.. ( ) [13]
33 . 17, ,. 4, ё 5. ё 2, 1. 3 [13].,.,,., [13]., (,, ),. ё, ё. ё.,, -,, 33
34 : (F), (P) (S) ( 18). ( ) F, P S [13] ( ). /,,.,,,. 2, - θ-2θ- я,.,,, [13]. ( 2θ ~ 5 34
35 100 ).. 2θ..,,., [13]. : 1., XRD : (, ). 5. ё. 6. ё. 7. ( ). 8. ё. 35
36 4 Ge Si, 3D,.,.,,. 4.1 Ge Si(100) Si(111) Ge Si(100) Ge Si ( 19), :,,. 19 Ge Si [5],.,, :. 850º Ge. 450º - 600º, 36
37 ..,.,,, ё ё Si Ge,.. Ge,, Si,,. [5] Ge Si(111) Ge Si(111) (7 7) (5 5) ( 20). 20 Si (111) [9] 37
38 Si(111) (7 7), : (7 7) (5 5). 1 Ge (1 = 3,55 Å), (5 5)., 3,, : 7 7, D, (7 7) ,, Ge Si(111) : (7 7) (5 5), ((7 7) (5 5) (7 7)) C (5 5). ё., (7 7), (2 8) ( 21) [14]. 21 Ge (111) 2 8 [9] (111) ё Ge., (5 5) 38
39 , [14]. 4.2 SiGe Si(100) SiGe Si : f = a Ge a Si a Ge +a Si [15], a, Ge Si. 1-2, 5%, f = a Ge a Si a Si [15].,...,., [15]., Si1-xGex.. Si1-xGex. -,. ( ). 39
40 , ( 22)., 45 1/2. (001). 22, ( ) ( ) [15] SiGe Si(100) GexSi1-x, GexSi1-x,,. x ( Ge), dgesi ( ). GexSi1-x Si : (hut-, dome- ), ( ). Ge GexSi1-x Si(100) 23 [16]. Matthews and Blakesley dmb 40
41 ., (T 750 o C).,,,,. ddt T=550 o C dmb. GexSi1-x, [5]. [17] GexSi1-x 550.,,.., 0.2% 0.8% hut dome,. hut-, dome Si1-xGex Si(001) Ge. (d =185Å, 78Å, 31Å, - x=0.15, 0.3, 0.6, ) Matthews Blakesley x: 0.15, 0.3, 0.6, - GexSi1-x, [16] 41
42 GexSi1-x,,, ( 24). 24 GexSi1-x (, ), Ge [17] Si Ge - Si1-xGex Å/. T = ºC Si1-xGex x x. x x,.. Ge Si1-XGeX. 25 Si1-xGex Ge. Ge,. ( ), [15]. 42
43 Si1-xGex,,,. 25 Si1-xGex 100 (x) [15] [1 0] GexSi1-x Si(100) = 450 C, 26., Si. Si1-xGex. Ge. Ge Si,.. = 1,0., Si1-xGex 43
44 ( ), Si1-xGex. Ge. Si- Si1-xGex. 26 [1 0] GexSi1-x Si(100) = 450 C [15] Si1-xGex/Si Si. Ge, Si Si1-xGex. Si-., Si1-xGex Si. [18] [19],,,. :. 44
45 4.3 Si SiGe 10 20,.,,., ( ). GaAs. IBM 1987., SiGe/Si, Si - ( 1,3-1,55.)., -,., 1,3-1,55, p-i-n- InGaAs/InP. Si [15]. 1,3-1,55 Si p-i-n., GeSi/Si (, ),,,, :, Si ( - ), ( )., GeSi 45
46 -, - Si. 27 Si, GeSi. 27 Si, GeSi ( - GeSi ) [15]. 4.4 Ge Si,.,,,, 4%. (,, ), -.,.,, [5]. 46
![, -,. (3D).,.., hut- dome-. Hut- {105} 10-20 1-2. 28 hut-,. 28 - hut-, Ge Si [20] hut- :, [21]. - ( - ) 29.](/docs-images/71/64630958/images/47-0.jpg "ё 29 (, ),, Tgr = 530, hge = 11Ǻ Tgr = 360, hge = 10Ǻ;. 29 ( ), Tgr = 360, hge = 14Ǻ, ( ).")
47 , -,. (3D).,.., hut- dome-. Hut- {105} hut-, hut-, Ge Si [20] hut- :, [21]. - ( - ) 29. ё 29 (, ),, Tgr = 530, hge = 11Ǻ Tgr = 360, hge = 10Ǻ;. 29 ( ), Tgr = 360, hge = 14Ǻ, ( ). 29 ( ), Tgr = 360, hge = 6Ǻ 47
![ё. ё ё, ё {105}.,,, 29 ( ), 29 ( ) ( ), [21].](/docs-images/71/64630958/images/48-0.jpg "29 - - ; : Tgr = 530, hge = 11Ǻ ( ); Tgr = 360, hge = 10 Ǻ ( ); ( ): Tgr = 360, hge = 14Ǻ ( );, ё ( ) ( ): Tgr")
48 ё. ё ё, ё {105}.,,, 29 ( ), 29 ( ) ( ), [21] ; : Tgr = 530, hge = 11Ǻ ( ); Tgr = 360, hge = 10 Ǻ ( ); ( ): Tgr = 360, hge = 14Ǻ ( );, ё ( ) ( ): Tgr = 360, hge = 6Ǻ ( ё ) [21] hut-, {105},.. 1 : 10.,..,,, 48
49 Ge. -,, ; : Tgr = 530, hge = 11Ǻ ( ); : Tgr = 360, hge = 10Ǻ ( ); ( ), ё : Tgr = 360, hge = 8Ǻ ( ) [21],,,,,.,,,,,.. ё, ( ).,,, ( ) Si Si/Ge - ё (, ) Ge,., Ge/Si. Si in 49
![situ Ge, ё ё Ge [21]. 30( ) (Tgr = 360, hge = 8Ǻ)., hut- ( 31) [20].](/docs-images/71/64630958/images/50-0.jpg "31 - hut- 1990 [20] -,, 29(, ) 30( ),.,.. ( -.) hut-,. [20], Ge.., 29( ) 30( ) [21].")
50 situ Ge, ё ё Ge [21]. 30( ) (Tgr = 360, hge = 8Ǻ)., hut- ( 31) [20] hut [20] -,, 29(, ) 30( ),.,.. ( -.) hut-,. [20], Ge.., 29( ) 30( ) [21]. hut-,.,., hut-. 50
51 32, 14( ).,, ( ) ( ), 29( ) [21], 1,6,., :,, hge (. - 29).,, hge.,,.. 51
52 dome. {113} {102} : , - ( ),,,. «dome»,.,, Ge Si (001) -, ( 33) dome- [22]. 4.5 Ge/Si Ge/Si,, Si.,, Ge 700, % [23], 300 ~ 15 [24], Ge. 52
53 34 Ge [25] 34,.,, > 400 C, hut-,, ,, Ge. [26] 300,,, [23], hut- ( ), 15,. Ge, ( 34). Ge,,,. [27] ё., ё. Si/Si(111), Ge/Ge(111)., 53
54 , -, ё ё, ё : - ё., ё. -.,,, - ё. :...,,., ё, - [14] ,,, Ge,,,, [28]. ~ [29]. Ge/Si(001) : 1) 2.5 ; 2), ; 54
55 3) [100] [010] [14]. Ge/Si, Ge,, hut- [14]. [30] Ge Si,. - ( ). [31] (10-15 ) ,..,, ( 35). 35 [32] 55
56 .,.,..,,.,.,. : Е = Е + Е + Е, Е - ( D ); Е = C1D -1 - ; Е = - C2D -1 ln(d/a) -, ( - ).,, D [32]. (, ) GaAs{(311) (775)}, Si(211), (110), Ir(110).. -, 56
57 . -. (, ),. - (step-bunching),, ( 36)., Si(111), GaAs{(001) (100)}, Pt(100) [32]. 36 [32] GaAs(100) 7 15 ( ).,.., GaAs(001) [010], : [110] [ 00]., [32].,,,. 57
58 ( ) GaAs-AlAs,. : Е = Е + Е + Е + Е.,, Е.,,. 37 [32] ; 2 [32], ( 37, ). AlAs, GaAs(001)., ( 37,, ). GaAs AlAs{(001) (311)} AlAs GaAs(311). 58
59 GaAs AlAs AlAs.. ( 37, )..,,,, [32].,, Ge Si(111), [ 2] [11 ], [33]. 59
60 5 «100» 5.1 «-100» Si/Ge -. Ge - (4,2 %)., :,,.,,,. «-100» - -, ( ) - ( - )., -.,, (, ), ( ) ( - ). 60
61 38 - «-100» -. «100» -. (B Sb). ( ) 2 10, 5-8.,, Si. (BN) ,.. Ge Si.,,, 61
62 ,,.,,, -..,.. -,..,, ( ), Si Ge....., Si IS 50-LO plus. -,,,, -.. (, ), ( )
63 6000.,. [34-36].,. : -,. ( ) - ( ) ; -, ; -, (,.), ( ) ; -,, ; - ( 250 ).. λ T,, 63
64 ,., : ), ( )., :,, h, λ, Т.,, = 1 ( ). 1,,.,,.. = f(λ,t),,,,.. ( 39) [34-36] [34],,,, , 64
65 ,., 0.1, ,. ),,,.,,.,,,,. ),.., -, ( ), -, (, ). ), ( ). ),. 65
66 IS 50-LO plus ( 40) -,,, : - 1 ; -,. 0,45 ; - ( ) ; - ; - ; - RS-232/RS485; IS 50-LO [37], -.,
67 . -., RS232/RS485. : ),,. ).,. ) RS485. ).. 5.2,,, : 1) :,,. 67
68 ,.,. 850º SiO2,.,, : NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:10,... ( )... : ; ; ; 68
69 : ; ; 3. 1:10 5 ; 4., : 1. NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:10 10 (SiO2) 2., 10 ; ; 4. ; 5.,. - «-100». 2) : 800 C ( Si(111)-7x7 Si(111)-1x1 830 C)., 69
70 ,. 5x10 13 / 2..,,. Si(111)-7x7. 3) : C / ,.,..,.. :. 0,543 Si 0,565 Ge [9]. Si (100), Si, ( 41 ( )). Si (100), 70
71 , ( 41 ( )) C, : ) Si (100) 1 1; ) ( ) Si (100) 2 1 [9] Si (111) : ,, 7 7, C. 42, Si (111) 7 7.,,. 42 Si (111) 7 7 [9] 71
72 C, «-» «1 1». 7 7 [9] «-100». : 20, 1,54, Si(111) (7 7) Si(100) (2 1),, ) 2 1, (100). 43 ) 7 7, (111). 43 ) hut- {105}, ( 2, ) (100) (111). 43 ) dome-. 72
73 Si (100) ( ) (2 1) Si (100) ( ) (7 7) Si (111) ( ) Ge Si (100), ( ) Hut- Ge Si (100) ( ) Dome- Ge Si (100) ( ) 43,,, ( - ),. 43.,.. in situ [38]. 73
![43 [38],,](/docs-images/71/64630958/images/74-0.jpg ".,. ( ) ( ).,., [38].")
74 43 [38],,.,. ( ) ( ).,., [38]. 74
75 5.5., : (. In = 156 ), (. Sn = 232 ), (. Pb = 327 ) (. Al = 660 ). 550, IS 50-LO plus., ( 44) «-100».,, ( 45)
76 , : (. In = 156 ) U = 10,1 I = 10,9 A; (. Sn = 232 ) U = 11,7 I = 12,1 A; (. Pb = 327 ) U = 14,5 I = 14 A; (. Al = 660 ) U = 26,8 I = 21,8 A. IS 50-LO plus, ε = 17,3%,, 660..,, Si(111) ( 46, ), «1 1» ( 46, ). 7 7 [9]. 46 ( 47). 76
77 47, , - IS 50-LO plus, -, , 835, 30.,,, Si Ge, ( ). Si Si(111) Si 700. Si ( 48). Si.,,, 77
78 Å/. Si Si(111) 170 0,12 Å/. 48 Si Ge Si(111) Ge 180. Ge ( 49). 49 Ge Ge Si(111) 180 0,06 Å/. 78
79 5.7 Ge,. Ge Si(111) Ge Ge Si (111). 50 Ge Si (111) Viewer 12 ( 51). Ge. 52,
80 51 Ge Si Viewer 12 ( ) 52 Ge Si ( Ge Si.,,. T1 Ge Si, T2 SiGe,,. 80
81 Ge Si(111) 200 0,04 Å/. Ge Si(111) Ge Si(111), I, T1, T2, υ1, υ2 Ge Si I ( A) T1 (c) υ1 (Å/ ) T2 (c) υ2 (Å/ ) υ (Å/ ) , ,024 0, , ,027 0, , ,041 0, , ,104 0, Ge Si(111) Ge Si(111) Ge υ = 81
82 α βi ( 53). α Å/, β 0,051-1., : - Ge Si(111) ё , (υ = α βi ) Ge 0,023-0,107 Å/ α= Å/ β=0, Si1-xGex 5.8 Si 1-x Ge x Si1-xGex. PANalytical X'Pert PRO ( 54)., Si1-xGex ( 55). Si1-xGex 25 ( 55, ). 54 PANalytical X Pert PRO [39] 82
83 55 Si1-xGex x, Si0.5Ge0.5, - Si0.6Ge0.4, - Si0.75Ge0.25, - Si0.8Ge0.2, - Si0.85Ge0.15, -,. Si, ω/2. x. 100%,,, 550 Si1-xGex < x < %. x ω/2 Si. - «-100» 83
84 Si1-xGex. Si(100) 100 Si 85, 29. Si1-xGex Si. x,, x : 0,119 Å/ Si 0,024 Å/ Ge. 56 Si0.85Ge0.15 ( ) Si0.84Ge0.16 ( ) PANalytical X Pert PRO ( 56, ). ( 56). Si1-xGex x=0.15.,.,. Si Si1-xGex ( 55, ). : - Si1-xGex Si(100) ё 550 Si1-xGex 0 x 0,
85 .,, :,,,..,,,, ( ), 2/3.,.,,. Ge Si -., : 1. - Ge/Si, ( ), Si1-xGex Si(100) Ge/Si Ge/Si Ge, : 85
86 Ge, Ge Ge, Ge. 4. «-100». 5. IS 50- LO plus.. 6. Si Ge Si(100) Si(111) Ge 0,023 0,105 Å/. 7. Si1-xGex. Ge/Si Ge Si1-xGex IS 50-LO plus, Si1-xGex. : 1. - Ge Si(111) ё , (υ = α βi ) Ge 0,023-0,107 Å/ α= Å/ β=0, Si1-xGex Si(100) ё 550 Si1-xGex 0 x 0, , 1 86
87 Scopus Web of Science: 1...,.. Si/Ge Ge Ge. //, : ,.. Ge/Si Ge - // 53- : , ,.. Si/Ge Ge. // XII : Pishchagin A.A, Serokhvostov V.Yu., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Nikiforov A.I., Dzyadukh S.M. Investigation of Ge/Si with Ge quantum dots structures using the methods of admittance spectroscopy // 3rd International School and Conference Saint-Petersburg OPEN Book of abstracts St. Petersburg Academic University RAS. Pp ,.. Ge Si -. // : , Pishchagin A.A, Izhnin I. I., Fitsych E. I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Serokhvostov V.Yu., Dzyadukh S.M., Nikiforov A.I. Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots. // Abstract Book of participants of the International Summer School and International research and practice conference, August Lviv: Eurosvit, Pp Pishchagin A.A, Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Serokhvostov V.Yu., Dzyadukh S.M., Nikiforov A.I. Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots // Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) ,..,..,..,..,.. 87
88 Ge/Si Ge. // XI X,,, , Pishchagin A.A, Lozovoy K.A., Serokhvostov V.Yu., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Nikiforov A.I. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods // Actual problems of radiophysics. Proceeding of the VI International Conference APR London : Red Square Scientific. Pp ,..,.. Ge Si -. // XXI :,,. V , ,..,..,.. Ge Si(100) Si(111) -. // : : ,..,..,... // : :
89 1...,..,... - : // Database offering journal articles and book chapters [ ] // URL: ( ). 3...,..,... :. 2.,..:, ,..,..,.. /.....:, ( ) GeSi GeSiSn Si(100).: /...., Ge/Si Ge.: /...., :,,,.: / -., ,..,. 3..:, ,..,... /... :..:, :., [ ] / 89
90 :.. :, :. /..,... :, 2003., Ge Si.: /., : «- -» /...,..,...,, ; 16. Matthews, J.W. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations / J.W. Matthews and A.E. Blakesley. // Journal of Crystal Growth V. 27 P Volpi, F. Nucleation and evolution of Si1-xGex islands on Si(001) / F. Volpi, A. Portavoce, A. Ronda, Y. Shi, J.M. Gay, I. Berbezier. // Thin Solid Films V. 380 P E. Kasper. Growth and properties of Si/SiGe superlattices // Surface Science V P J.C. Bean, L.C. Feldman, A.T. Fiory, et al. GexSi1-x strained layer superlattice grown by molecular beam epitaxy. // J. Vac. Sci. Technol. A V.2, 2. P Mo Y. W., Savage D. E. et al. Kinetic Pathway in Stranski-Krastanov Growth of Ge on Si(001). - Phys. Rev. Lett., 1990, v. 65, 8, p ,.. hut- Ge, Si (001) - // G. Cappellini, L. G. Gaspare, F. Evangelisti. Atomic-force microscopy study of self-organized Ge islands on Si(001) by low pressure chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, 4, p
91 23...,..,..,..,..,..,..,..,..,.. GeSi Si(001). -, 2000,. 34, 1, Yakimov A. I., Dvurechenskii A. V.,Proskuryakov Yu.Yu., Nikiforov A. I., Pchelyakov O. P., Teys S. A., Gutakovskii A. K. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. - Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, 10, p ,..,..,..,..,.. Ge Ge(Si)/Si(001)., 2005,. 47,. 1, Kastner M., Voigtlander B. Kinetically Self-Limiting Growth of Ge Islands on Si(001). - Phys. Rev. Lett., 1999, v. 82, 13, p ,..,..,.., ,,, 1991, 4, ,..,... Ge/Si(100) // Peng C. S., Huang Q., Cheng W. Q., Zhou J. M., Zhang Y. H., Sheng T. T., Tung C. H. Improvement of Ge self-organized quantum dots by use of Sb surfactant. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, 20, p ,..,..,..,.. Ge - Si. -, 2004,.46, 1, Yakimov A.I., Derjabin A.S., Sokolov L.V., Pchelyakov O.P, Dvurechenskii A.V., Moiseeva M.M., Sokolov N.S. Growth and characterization of CaF2/Ge/CaF2/Si(111) quantum dots for resonant tunneling diodes operating at room temperature. - Appl. Phys. Lett., 2002, v. 81, 3, p
92 32...,..,..,.. /.....:, ,.... Ge Si(111) -, 2006,.48, 9, , :.-.:, , ,..,..,.-.-.:, ,.., IS 50-LO plus, IGA 50-LO plus. [ ] ,,, /...,...:, ISBN Panalytical XPert PRO[ ] // URL: ( ). 92
93
94 ,
95
96 ( ): «-». : :,,. : (,, ) -, : H01L 21/203, C30B 23/08, C23C 14/24, B64G 1/66, F16K 3/18, H01J 27/20, B82B 3/00, H01L 33/26, H01S 5/30, H01L 21/
97 , 1 - (, ) -,., , H01L 21/203, , C30B 23/08, C23C 14/24, H01L 21/203, , C30B 23/08, C23C 14/24, H01L 21/203, , ( ),.,,, ( ): (RU) : /28, : : ( ): (RU) : /25, : : ( )\ -... (RU) : /28, : : ( ): (, ) - ( : ) ( : ) ( ) ( 97
98 F16K 3/18, , H01L 21/203, B82B 3/00, , H01L 33/26, H01S 5/30, , H01L 21/3105 ( ) (RU) : /06, : : ( ): ( ) (RU) : /28, : : ( ): ( ) (RU) : /28, : : ( ):... ( ) (RU) 98 - InSb ) ( ) ( : ) :
99 : , : :
100 - ;, -. : ( ), -,. 20.,.,. ё. 100
101 Exactus Like (/index.php) (/index.php/ru/) β (/index.php/en/) В :... :... В... : 2017 В В В А Э А PubMed А ( : М.docx. : % 6.39% 0.0% 6.39% 93.61% я я: Д : Э Ge Si(100) ( docx) : Т : docx ( docx) я (23) В И 3.58% 2. : ( : Т :. ( я (7) 1.26% 1/2
102 Exactus Like 3. Д ( : Т : я. ( я (7) 1.26% 4. : ( docx) : Т : docx ( docx) я (10) 1.21% 5. К : Э Si Ge Si(111) ( docx) : Т : docx ( docx) я (10) 1.1% И ( 2/2
Phase Segregation of ZnO / ZnMgO Superlattice Affected by Ⅱ-Ⅵ Ratio
35 5 214 5 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Vol. 35 No. 5 May 214 1-732 214 5-526-5 Ⅱ-Ⅵ ZnO /ZnMgO * 3615 Zn 1 - x Mg x O x =. 4 ~. 6 c ZnO /ZnMgO Ⅱ-Ⅵ X X MgZnO ZnO Ⅱ-Ⅵ O484. 4 A DOI 1. 3788 /fgxb214355.
CdS/ CdTe 3. Cd Te. SnO2 F/,, ( XPS) (300. ( %,Johnson2Matt hey) Cd Te ( %, Johnson2Matt hey), Ev = 0193eV [1 ]., Ev =
![CdS/ CdTe 3. Cd Te. SnO2 F/,, ( XPS) (300. ( %,Johnson2Matt hey) Cd Te ( %, Johnson2Matt hey), Ev = 0193eV [1 ]., Ev =](/thumbs/50/26345800.jpg "CdS/ CdTe 3. Cd Te. SnO2 F/,, ( XPS) (300. ( %,Johnson2Matt hey) Cd Te ( %, Johnson2Matt hey), Ev = 0193eV [1 ]., Ev =")
26 6 2005 6 CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol. 26 No. 6 J une,2005 CdS/ CdTe 3 1 2 2 2 (1, 610031) (2, 610064) : CdS Cd Te,. (001) CdS/ Cd Te,. CdS/ Cd Te EV = 01 98eV 0105eV, Ec = 0107 01 1eV. :
C 1 D 1. AB = a, AD = b, AA1 = c. a, b, c : (1) AC 1 ; : (1) AB + BC + CC1, AC 1 = BC = AD, CC1 = AA 1, AC 1 = a + b + c. (2) BD 1 = BD + DD 1,
1 1., BD 1 B 1 1 D 1, E F B 1 D 1. B = a, D = b, 1 = c. a, b, c : (1) 1 ; () BD 1 ; () F; D 1 F 1 (4) EF. : (1) B = D, D c b 1 E a B 1 1 = 1, B1 1 = B + B + 1, 1 = a + b + c. () BD 1 = BD + DD 1, BD =
Επιςτιμθσ Επιφανειϊν και Τεχνολογία Λεπτϊν Υμενίων. Π. Πατςαλάσ, Αναπλ. Κακθγθτισ
Επιςτιμθσ Επιφανειϊν και Τεχνολογία Λεπτϊν Υμενίων Π. Πατςαλάσ, Αναπλ. Κακθγθτισ Στοιχεία Επικοινωνίασ Γραφείο: Γ324 & Φ3-109β Εργαςτιριο: Εργαςτιριο ΘΜΟ, Νζο Κτίριο ΤΜΕΥ, 1 οσ Προφοσ Τθλ: 9012 (Εργαςτιριο),
J. of Math. (PRC) 6 n (nt ) + n V = 0, (1.1) n t + div. div(n T ) = n τ (T L(x) T ), (1.2) n)xx (nt ) x + nv x = J 0, (1.4) n. 6 n
Vol. 35 ( 215 ) No. 5 J. of Math. (PRC) a, b, a ( a. ; b., 4515) :., [3]. : ; ; MR(21) : 35Q4 : O175. : A : 255-7797(215)5-15-7 1 [1] : [ ( ) ] ε 2 n n t + div 6 n (nt ) + n V =, (1.1) n div(n T ) = n
Table of contents. 1. Introduction... 4
Table of contents 0. Motivation.... 1 1. Introduction... 4 2. Inclusion compounds of [Al(OH)(bdc)] n and [V(O)(bdc)] n... 11 2.1 [(η 5 -C 5 H 5 ) 2 Fe] 0.5 @MIL-53(Al) and [(η 5 -C 5 H 5 ) 2 Co] 0.25 @MIL-53(Al)
櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI /j. cnki. bdtjs MOSFET %
櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI 10. 13290 /j. cnki. bdtjs. 2014. 02. 006 Ge /SiGe 361005 HfO 2 k Si Ge /SiGe SB- n Si 0. 16 Ge 0. 84 n SiGe UHV CVD Ge Si Ge 32 nm Si 0. 16 Ge 0. 84 12 nm Ge
Estimation of grain boundary segregation enthalpy and its role in stable nanocrystalline alloy design
Supplemental Material for Estimation of grain boundary segregation enthalpy and its role in stable nanocrystalline alloy design By H. A. Murdoch and C.A. Schuh Miedema model RKM model ΔH mix ΔH seg ΔH
Supporting information. An unusual bifunctional Tb-MOF for highly sensing of Ba 2+ ions and remarkable selectivities of CO 2 /N 2 and CO 2 /CH 4
Electronic Supplementary Material (ESI) for Journal of Materials Chemistry A. This journal is The Royal Society of Chemistry 2015 Supporting information An unusual bifunctional Tb-MOF for highly sensing
Pyrrolo[2,3-d:5,4-d']bisthiazoles: Alternate Synthetic Routes and a Comparative Study to Analogous Fused-ring Bithiophenes
![Pyrrolo[2,3-d:5,4-d']bisthiazoles: Alternate Synthetic Routes and a Comparative Study to Analogous Fused-ring Bithiophenes](/thumbs/92/108867714.jpg "Pyrrolo[2,3-d:5,4-d']bisthiazoles: Alternate Synthetic Routes and a Comparative Study to Analogous Fused-ring Bithiophenes")
SUPPORTING INFORMATION Pyrrolo[2,3-d:5,4-d']bisthiazoles: Alternate Synthetic Routes and a Comparative Study to Analogous Fused-ring Bithiophenes Eric J. Uzelac, Casey B. McCausland, and Seth C. Rasmussen*
Preparation of Hydroxyapatite Coatings on Enamel by Electrochemical Technique
25 7 2009 7 CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY Vol.25 No.7 1187~1193 1,2 *,1 1 ( 1, 361005) ( 2, 363105) : Ca(NO 3 ) 2 NH 4 H 2 PO 4 NaNO 3, (HA) X (XRD) (SEM) (EDS), ph (HA), HA c ph 6 0.5 ma cm -2
Electronic, Crystal Chemistry, and Nonlinear Optical Property Relationships. or W, and D = P or V)
Electronic, Crystal Chemistry, and Nonlinear Optical Property Relationships in the Dugganite A 3 B 3 CD 2 O 14 Family (A = Sr, Ba or Pb; B = Mg or Zn; C = Te or W, and D = P or V) Hongwei Yu, Joshua Young,
P ƒ. Œ. ʳ Ö,. É ±, ˆ.. Š Öαμ,. ˆ. ÕÉÕ ±μ,.. ² μ. Š -ŒˆŠ Š : Œ ˆ, œ,
P13-2013-108 ƒ. Œ. ʳ Ö,. É ±, ˆ.. Š Öαμ,. ˆ. ÕÉÕ ±μ,.. ² μ Š -ŒˆŠ Š : Œ ˆ, œ, Œ ˆ Š ˆ ʳ Ö ƒ. Œ.. P13-2013-108 Š -³ ± μ ±μ : μ ³μ μ É, Ò Ê²ÓÉ ÉÒ, μ ² ³Ò ±É Ò μé μ Ò ÕÉ Ö ËÊ ±Í μ ²Ó Ò μ ³μ μ É Ò É Éμ
Divergent synthesis of various iminocyclitols from D-ribose
Electronic Supplementary Material (ESI) for rganic & Biomolecular Chemistry. This journal is The Royal Society of Chemistry 205 Divergent synthesis of various iminocyclitols from D-ribose Ramu Petakamsetty,
ΓΗ ΚΑΙ ΣΥΜΠΑΝ. Εικόνα 1. Φωτογραφία του γαλαξία μας (από αρχείο της NASA)
ΓΗ ΚΑΙ ΣΥΜΠΑΝ Φύση του σύμπαντος Η γη είναι μία μονάδα μέσα στο ηλιακό μας σύστημα, το οποίο αποτελείται από τον ήλιο, τους πλανήτες μαζί με τους δορυφόρους τους, τους κομήτες, τα αστεροειδή και τους μετεωρίτες.
Metal-free Oxidative Coupling of Amines with Sodium Sulfinates: A Mild Access to Sulfonamides
Electronic Supplementary Material (ESI) for RSC Advances. This journal is The Royal Society of Chemistry 2014 Supporting information for Metal-free Oxidative Coupling of Amines with Sodium Sulfinates:
Ó³ Ÿ , º 7(163).. 793Ä797 ˆ ˆŠ ˆ ˆŠ Š ˆ. .. Ëμ μ. Î ± É ÉÊÉ ³..., Œμ ±
Ó³ Ÿ. 2010.. 7, º 7(163).. 793Ä797 ˆ ˆŠ ˆ ˆŠ Š ˆ Š ˆ œ Š Œ ˆ Œ.. Ëμ μ Î ± É ÉÊÉ ³..., Œμ ± ² É Î ± ³μÉ μ Ëμ ³ μ ²Ó μéμî ÒÌ Ô² ±É μ ÒÌ Êαμ, Ö ±μéμ ÒÌ Î É Î μ É ² μ μ ³, Éμ± ³, ÒÏ ÕÐ ³ ²Ó μ Î Éμ± ²Ó. Ê
Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel
Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel Δέσποινα Στεφοπούλου Επιβλέπων: Κωνσταντίνος Κορδάτος Στην παρούσα διπλωματική εργασία παρασκευάστηκαν
Electronic Supplementary Information DFT Characterization on the Mechanism of Water Splitting Catalyzed by Single-Ru-substituted Polyoxometalates
Electronic Supplementary Information DFT Characterization on the Mechanism of Water Splitting Catalyzed by Single-Ru-substituted Polyoxometalates Zhong-Ling Lang, Guo-Chun Yang, Na-Na Ma, Shi-Zheng Wen,
Αξιολόγηση Ημιαγώγιμων Υμενίων Σεληνιούχου Καδμίου Σε Υπόστρωμα Νικελίου Για Φωτοβολταϊκές Εφαρμογές
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Αξιολόγηση Ημιαγώγιμων Υμενίων Σεληνιούχου Καδμίου Σε Υπόστρωμα
«ΟΜΙΚΗ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΚΑΙ ΣΤΑΤΙΚΗ ΣΤΕΡΕΩΣΗ ΙΣΤΟΡΙΚΟΥ ΙΕΡΟΥ ΝΑΟΥ»
«ΟΜΙΚΗ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΚΑΙ ΣΤΑΤΙΚΗ ΣΤΕΡΕΩΣΗ ΙΣΤΟΡΙΚΟΥ ΙΕΡΟΥ ΝΑΟΥ» ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ ΣΠΥΡΑΚΟΣ ρ ΠΟΛΙΤΙΚΟΣ ΜΗΧΑΝΙΚΟΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΕΜΠ ΙΕΥΘΥΝΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΑΝΤΙΣΕΙΣΜΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Σηµαντικά ρήγµατα στη περιοχή της
SUPPLEMENTAL INFORMATION. Fully Automated Total Metals and Chromium Speciation Single Platform Introduction System for ICP-MS
Electronic Supplementary Material (ESI) for Journal of Analytical Atomic Spectrometry. This journal is The Royal Society of Chemistry 2018 SUPPLEMENTAL INFORMATION Fully Automated Total Metals and Chromium
of the methanol-dimethylamine complex
Electronic Supplementary Information for: Fundamental and overtone virational spectroscopy, enthalpy of hydrogen ond formation and equilirium constant determination of the methanol-dimethylamine complex
ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Ι ΙΟΤΗΤΩΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟ- ΓΙΚΕΣ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΕΙΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΚΡΗ- ΤΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Βικεντίου Μάριος ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Ι ΙΟΤΗΤΩΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟ- ΓΙΚΕΣ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΕΙΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ
Supporting Information
Supporting Information Wiley-VC 007 9 Weinheim, Germany ew ear Infrared Dyes and Fluorophores Based on Diketopyrrolopyrroles Dipl.-Chem. Georg M. Fischer, Dipl.-Chem. Andreas P. Ehlers, Prof. Dr. Andreas
Laboratory Studies on the Irradiation of Solid Ethane Analog Ices and Implications to Titan s Chemistry
Laboratory Studies on the Irradiation of Solid Ethane Analog Ices and Implications to Titan s Chemistry 5th Titan Workshop at Kauai, Hawaii April 11-14, 2011 Seol Kim Outer Solar System Model Ices with
Νόµοςπεριοδικότητας του Moseley:Η χηµική συµπεριφορά (οι ιδιότητες) των στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού.
Νόµοςπεριοδικότητας του Moseley:Η χηµική συµπεριφορά (οι ιδιότητες) των στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού. Περιοδικός πίνακας: α. Είναι µια ταξινόµηση των στοιχείων κατά αύξοντα
Ó³ Ÿ , º 7(163).. 798Ä802 ˆ ˆŠ ˆ ˆŠ Š ˆ. .. Ëμ μ. Î ± É ÉÊÉ ³..., Œμ ±
Ó³ Ÿ. 2010.. 7, º 7(163).. 798Ä802 ˆ ˆŠ ˆ ˆŠ Š ˆ ˆ Š ˆ œ Š Š Œ ˆ Œ ˆ.. Ëμ μ Î ± É ÉÊÉ ³..., Œμ ± Ò Ê²ÓÉ ÉÒ Î ² μ μ ³μ ² μ Ö É Í μ ÒÌ μí μ ² Î ÒÌ Ì - ³ Ì É ² Í Ö ²Ó μéμî ÒÌ Ô² ±É μ ÒÌ Êαμ ʲÓÉ ÉÒ ³ ³ É
Νανοσύνθετα πολυαιθυλενίου υψηλής πυκνότητας (HDPE) / νανοϊνών χαλκού (Cu-nanofibers) με βελτιωμένη σταθερότητα στην υπεριώδη ακτινοβολία
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών ΦΥΣΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Νανοσύνθετα πολυαιθυλενίου υψηλής πυκνότητας (HDPE) / νανοϊνών
Butadiene as a Ligand in Open Sandwich Compounds
Electronic Supplementary Material (ESI) for Physical Chemistry Chemical Physics. This journal is the Owner Societies 2018 Butadiene as a Ligand in Open Sandwich Compounds Qunchao Fan, a Jia Fu, a Huidong
Fused Bis-Benzothiadiazoles as Electron Acceptors
Fused Bis-Benzothiadiazoles as Electron Acceptors Debin Xia, a,b Xiao-Ye Wang, b Xin Guo, c Martin Baumgarten,*,b Mengmeng Li, b and Klaus Müllen*,b a MIIT Key Laboratory of ritical Materials Technology
The effect of temperature and heating period on optical properties of ZnO nano layers deposited on LiNbO 3
- ( ) LiNbO ( 89/1/1 : - 89/1/14 : ) ( Zn) ( ZnO).. 00-1100 (k) (R) (T) ( 800 o C).. ZnO 800 o C.. : The effect of temperature and heating period on optical properties of ZnO nano layers deposited on LiNbO
"#$%&#%$'(!)*!+$',+-.$+/!,%&/')0$)#'.,(!1.#2!#$.02)(02+#'!3(456!$'-'+/!+!
JBC Papers in Press. Published on April 24, 2013 as Manuscript M112.420521 The latest version is at http://www.jbc.org/cgi/doi/10.1074/jbc.m112.420521 Active NP exoribonuclease with triphosphate dsrna
Multifunctinality and Crystal Dynamics of Highly Stable Porous Metal-Organic Framework [Zn 4 O(NTB) 2 ]
![Multifunctinality and Crystal Dynamics of Highly Stable Porous Metal-Organic Framework [Zn 4 O(NTB) 2 ]](/thumbs/92/109256432.jpg "Multifunctinality and Crystal Dynamics of Highly Stable Porous Metal-Organic Framework [Zn 4 O(NTB) 2 ]")
Supporting Information Multifunctinality and Crystal Dynamics of Highly Stable Porous Metal-Organic Framework [Zn 4 O(NTB) 2 ] Eun Young Lee, Seung Yeon Jang, and Myunghyun Paik Suh* School of Chemistry,
Μελέτη Πρότυπων Καταλυτικών Συστηµάτων. µε Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές
Μελέτη Πρότυπων Καταλυτικών Συστηµάτων µε Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιδακτορική διατριβή Υποβληθείσα στο Τµήµα Χηµικών Μηχανικών Του Πανεπιστηµίου Πατρών Υπό ΣΤΑΥΡΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΥ ΚΑΡΑΚΑΛΟΥ του Πέτρου
Βιογραφικό σημείωμα. Εμμανουήλ Δημάκης
Βιογραφικό σημείωμα Εμμανουήλ Δημάκης Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf Institute of Ion Beam Physics and Materials Research Bautzner Landstraße 400, 01328 Δρέσδη, Γερμανία +49.351.260.2765 e.dimakis@hzdr.de,
Approximation Expressions for the Temperature Integral
20 7Π8 2008 8 PROGRSS IN CHMISRY Vol. 20 No. 7Π8 Aug., 2008 3 3 3 3 3 ( 230026),,,, : O64311 ; O64213 : A : 10052281X(2008) 07Π821015206 Approimation pressions for the emperature Integral Chen Haiiang
Supporting Information
Electronic Supplementary Material (ESI) for ChemComm. This journal is The Royal Society of Chemistry 2015 Synthesis of 3-omosubstituted Pyrroles via Palladium- Catalyzed Intermolecular Oxidative Cyclization
Supporting Information
Supporting Information Aluminum Complexes of N 2 O 2 3 Formazanate Ligands Supported by Phosphine Oxide Donors Ryan R. Maar, Amir Rabiee Kenaree, Ruizhong Zhang, Yichen Tao, Benjamin D. Katzman, Viktor
ACTA CHIMICA SINICA . :AAO. H 3 PO 4 AAO AAO. Unstable Growth of Anodic Aluminum Oxide Investigated by AFM
2004 62 7, 680 685 ACTA CHIMICA SINICA Vol 62, 2004 No 7, 680 685 AFM a b Ξ, a Ξ ( a 730000) ( b 730000) (AFM) (AAO) :AAO H 3 PO 4 AAO ; H 2 C 2 O 4 AAO,,, AAO, Y T (AFM), (AAO),, Unstable Growth of Anodic
Dr. N. Φράγκης Αναπληρωτής Καθηγητής Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Τµήµα Φυσικής Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ) Θεσσαλονίκη
Dr. N. Φράγκης Αναπληρωτής Καθηγητής Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Τµήµα Φυσικής Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ) 54006 Θεσσαλονίκη Προσωπικά στοιχεία: Έτος γεννήσεως 1956. Έγγαµος και
April MD simulation of interaction between radiation damages and microstructure: voids, helium bubbles and grain boundaries
2137-32 Joint ICTP-IAEA Advanced Workshop on Multi-Scale Modelling for Characterization and Basic Understanding of Radiation Damage Mechanisms in Materials 12-23 April 2010 MD simulation of interaction
Answers to practice exercises
Answers to practice exercises Chapter Exercise (Page 5). 9 kg 2. 479 mm. 66 4. 565 5. 225 6. 26 7. 07,70 8. 4 9. 487 0. 70872. $5, Exercise 2 (Page 6). (a) 468 (b) 868 2. (a) 827 (b) 458. (a) 86 kg (b)
.. 2,.. 3,.. 4 , - [1].,, [2],. [2], 1. ,,. - ,..)., , ( - , - A n+1 A n A [5]. [6] : ; ; , - . «..»
![.. 2,.. 3,.. 4 , - [1].,, [2],. [2], 1. ,,. - ,..)., , ( - , - A n+1 A n A [5]. [6] : ; ; , - . «..»](/thumbs/54/33747606.jpg ".. 2,.. 3,.. 4 , - [1].,, [2],. [2], 1. ,,. - ,..)., , ( - , - A n+1 A n A [5]. [6] : ; ; , - . «..»")
544.272 1.. 2,.. 3,.. 4 - -.. - -.. : ; ; -., -,, -.,., - -, [1].,, [2],. [2], 1., -,, -,,. - [3]., ( -,..).,,. -., [4],, -,. -,., -,.. - A n+1 A n A [5]. [6]. 1. 2 -,,, -. E-mail: korenchenko@physics.susu.ac.ru
A facile and general route to 3-((trifluoromethyl)thio)benzofurans and 3-((trifluoromethyl)thio)benzothiophenes
Electronic Supplementary Material (ESI) for ChemComm. This journal is The Royal Society of Chemistry 2014 A facile and general route to 3-((trifluoromethyl)thio)benzofurans and 3-((trifluoromethyl)thio)benzothiophenes
P ² Ì μ Š ˆ Œˆ Š Œ Œˆ. ² μ Ê ² Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.
P1-2017-59.. ² Ì μ ˆ Š ˆ ˆ ƒˆ ˆˆ γ-š ƒ Œˆ Š ˆ Œˆ Š Œ Œˆ ² μ Ê ² Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A E-mail: zalikhanov@jinr.ru ² Ì μ.. P1-2017-59 μ ÒÏ ÔËË ±É μ É É Í γ-± Éμ μ
Direct Transformation of Ethylarenes into Primary Aromatic Amides with N-Bromosuccinimide and I 2 -aq NH 3
Supporting Information Direct Transformation of Ethylarenes into Primary Aromatic Amides with N-Bromosuccinimide and I 2 -aq NH 3 Shohei Shimokawa, Yuhsuke Kawagoe, Katsuhiko Moriyama, Hideo Togo* Graduate
P Ò±,. Ï ± ˆ ˆŒˆ Š ƒ ˆŸ. Œ ƒ Œ ˆˆ γ-š Œˆ ƒ ƒˆ 23 ŒÔ. ² μ Ê ². Í μ ²Ó Ò Í É Ö ÒÌ ² μ, É μí±, μ²óï
P15-2012-75.. Ò±,. Ï ± ˆ Œ ˆŸ ˆ, š Œ ˆ ˆŒˆ Š ƒ ˆŸ ˆ ˆ, Œ ƒ Œ ˆˆ γ-š Œˆ ƒ ƒˆ 23 ŒÔ ² μ Ê ² Í μ ²Ó Ò Í É Ö ÒÌ ² μ, É μí±, μ²óï Ò±.., Ï ±. P15-2012-75 ˆ ³ Ö μ Ì μ É, μ Ñ ³ ÒÌ μ É Ì ³ Î ±μ μ μ É μ Íμ Ö ÕÐ
Studies on the Binding Mechanism of Several Antibiotics and Human Serum Albumin
2005 63 Vol. 63, 2005 23, 2169 2173 ACTA CHIMICA SINICA No. 23, 2169 2173 a,b a a a *,a ( a 130012) ( b 133002), 26 K A 1.98 10 4, 1.01 10 3, 1.38 10 3, 5.97 10 4 7.15 10 4 L mol 1, n 1.16, 0.86, 1.19,
Heterobimetallic Pd-Sn Catalysis: Michael Addition. Reaction with C-, N-, O-, S- Nucleophiles and In-situ. Diagnostics
Supporting Information (SI) Heterobimetallic Pd-Sn Catalysis: Michael Addition Reaction with C-, N-, -, S- Nucleophiles and In-situ Diagnostics Debjit Das, a Sanjay Pratihar a,b and Sujit Roy c * a rganometallics
FIB (FIB) 4. in situ FIB. Si(111) 8 QL Bi 2 Se 3 (111) FIB. capped. non-capped. Bi Bi 2 Te 3. Bi(111) Bi 2 Te 3 (111) Rashba π
1.1. 1 1.1 4 3 1.1.1 Bi Bi 2 Te 3 Bi Bi 2 Te 3 Bi(111) Bi 2 Te 3 (111) Rashba π Bi(111) Bi 2 Te 3 (111) in-situ Bi(111) Rashba Bi 2 Te 3 (111) 3-6QL QL= FIB (FIB) 4 STM in situ in situ FIB Si(111) 8 QL
P ˆ.. ƒê ²μ 1,.. Œ ² ±μ 1,..Šμ Í,.. ʳ,.. μ μ 2. ˆ ˆŸ Š Š ˆ ƒ ˆŒ œ ƒ Œ ƒ ƒ Š-Š ˆ 10- Œ ˆ. ( ), Œμ ± Œμ ± 1 μ Ò É Ì μ²μ ±μ³ μ ÉÒ ±Êʳ ÒÌ μ μ
P9-2017-78 ˆ.. ƒê ²μ 1,.. Œ ² ±μ 1,..Šμ Í,.. ʳ,.. μ μ 2 ˆ ˆŸ Š Š ˆ ƒ ˆŒ œ ƒ Œ ƒ ƒ Š-Š ˆ 10- Œ ˆ 1 μ Ò É Ì μ²μ ±μ³ μ ÉÒ ±Êʳ ÒÌ μ μ ( ), Œμ ± 2 Œμ ±μ ± μ Ê É Ò Ê É É ³. Œ.. μ³μ μ μ, Œμ ± ƒê ²μ ˆ... P9-2017-78
MALMÖ UNIVERSITY HEALTH AND SOCIETY DISSERTATION 2014:3 ANTON FAGERSTRÖM EFFECTS OF SURFACTANT ADJUVANTS ON PLANT LEAF CUTICLE BARRIER PROPERTIES
MALMÖ UNIVERSITY HEALTH AND SOCIETY DISSERTATION 2014:3 ANTON FAGERSTRÖM EFFECTS OF SURFACTANT ADJUVANTS ON PLANT LEAF CUTICLE BARRIER PROPERTIES 1 Malmö University Health and Society, Doctoral Dissertation
,, 2015
621.039.516.4-1000 05.14.14,, 2015 2.... 6..... 7 1. -1000...... 14 1.1. -1000 -... 14 1.2. - 15 1.2.1. 16 1.2.2. 17 1.2.3. -... 18 1.2.4. -. 20 1.3. -1000 -......... 23 1.4. - -1000... 26 1.5. - -1000.....
Supporting Information
SUPPORTING INFORMATION FOR: Trialkylstibine complexes of boron, aluminium, gallium and indium trihalides: synthesis, properties and bonding Victoria K. Greenacre, William Levason and Gillian Reid Chemistry,
J. of Math. (PRC) Banach, , X = N(T ) R(T + ), Y = R(T ) N(T + ). Vol. 37 ( 2017 ) No. 5
Vol. 37 ( 2017 ) No. 5 J. of Math. (PRC) 1,2, 1, 1 (1., 225002) (2., 225009) :. I +AT +, T + = T + (I +AT + ) 1, T +. Banach Hilbert Moore-Penrose.. : ; ; Moore-Penrose ; ; MR(2010) : 47L05; 46A32 : O177.2
Appendix B Table of Radionuclides Γ Container 1 Posting Level cm per (mci) mci
3 H 12.35 Y β Low 80 1 - - Betas: 19 (100%) 11 C 20.38 M β+, EC Low 400 1 5.97 13.7 13 N 9.97 M β+ Low 1 5.97 13.7 Positrons: 960 (99.7%) Gaas: 511 (199.5%) Positrons: 1,199 (99.8%) Gaas: 511 (199.6%)
ITU-R P (2012/02) &' (
ITU-R P.530-4 (0/0) $ % " "#! &' ( P ITU-R P. 530-4 ii.. (IPR) (ITU-T/ITU-R/ISO/IEC).ITU-R http://www.itu.int/itu-r/go/patents/en. ITU-T/ITU-R/ISO/IEC (http://www.itu.int/publ/r-rec/en ) () ( ) BO BR BS
Το άτομο του Υδρογόνου
Το άτομο του Υδρογόνου Δυναμικό Coulomb Εξίσωση Schrödinger h e (, r, ) (, r, ) E (, r, ) m ψ θφ r ψ θφ = ψ θφ Συνθήκες ψ(, r θφ, ) = πεπερασμένη ψ( r ) = 0 ψ(, r θφ, ) =ψ(, r θφ+, ) π Επιτρεπτές ενέργειες
Th, Ra, Rn, Po, Pb, Bi, & Tl K x-rays. Rn Kα1. Rn Kα2. 93( 227 Th)/Rn Kβ3. Ra Kα2. Po Kα2 /Bi K α1 79( 227 Th)/Po Kα1. Ra Kα1 /Bi K β1.
Page -1-10 8 10 7 10 6 10 5 10 4 334 ( Th) Counts/Channel 10 3 10 2 10 1 49 ( Th)/ 50 ( Th)/ 50 ( Fr) 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000 Channel
ΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ
Σχολή Μηχανικής και Τεχνολογίας Πτυχιακή εργασία ΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ Βασιλική Ζήνωνος Λεμεσός, Μάϊος 2017 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ
ΝΟΜΟΣ ΤΗΣ ΠΕΡΙΟ ΙΚΟΤΗΤΑΣ : Οι ιδιότητες των χηµικών στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού.
1. Ο ΠΕΡΙΟ ΙΚΟΣ ΠΙΝΑΚΑΣ Οι άνθρωποι από την φύση τους θέλουν να πετυχαίνουν σπουδαία αποτελέσµατα καταναλώνοντας το λιγότερο δυνατό κόπο και χρόνο. Για το σκοπό αυτό προσπαθούν να οµαδοποιούν τα πράγµατα
Electronic Supplementary Information (ESI)
Electronic Supplementary Information (ESI) Lanthanide metal-organic frameworks constructed by asymmetric 2-nitro-biphenyl-4,4 -dicarboxylate ligand: syntheses, structures, luminescence and magnetic investigations
ΠΕΡΙΟΔΙΚΟΣ ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ
ΠΕΡΙΟΔΙΚΟΣ ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Περίοδοι περιοδικού πίνακα Ο περιοδικός πίνακας αποτελείται από 7 περιόδους. Ο αριθμός των στοιχείων που περιλαμβάνει κάθε περίοδος δεν είναι σταθερός, δηλ. η περιοδικότητα
Synthesis, Crystal Structure and Supramolecular Understanding of 1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-pyrazol-5- yl)benzenes
Supplementary information Synthesis, Crystal Structure and Supramolecular Understanding of 1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-pyrazol-5- yl)benzenes Marcos A. P. Martins 1 *, Alexandre R. Meyer 1, Paulo R. S. Salbego
Prey-Taxis Holling-Tanner
Vol. 28 ( 2018 ) No. 1 J. of Math. (PRC) Prey-Taxis Holling-Tanner, (, 730070) : prey-taxis Holling-Tanner.,,.. : Holling-Tanner ; prey-taxis; ; MR(2010) : 35B32; 35B36 : O175.26 : A : 0255-7797(2018)01-0140-07
Supporting Information
Supporting Information Prediction of Novel High-Pressure Structures of Magnesium Niobium Dihydride Chuanzhao Zhang,,, Guoliang Sun, Jingjing Wang, Cheng Lu,*,, Yuanyuan Jin, Xiaoyu Kuang,*, and Andreas
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ 1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ 1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Επώνυμο : Παπαδοπούλου Όνομα : Παναγιώτα Όνομα πατρός : Δημήτριος Όνομα συζύγου : Λεωνίδας Ημερομηνία Γέννησης : 1-6 - 1970 Οικογενειακή Κατάσταση : Έγγαμη με ένα
Supporting Information
Supporting Information Wiley-VCH 27 69451 Weinheim, Germany Supplementary Figure 1. Synthetic results as detected by XRD (Cu-Kα). Simulation pattern of MCM-68 Relative Intensity / a.u. YNU-2P Conventional
An experimental and theoretical study of the gas phase kinetics of atomic chlorine reactions with CH 3 NH 2, (CH 3 ) 2 NH, and (CH 3 ) 3 N
Electronic Supplementary Material (ESI) for Physical Chemistry Chemical Physics. This journal is the Owner Societies 2015 An experimental and theoretical study of the gas phase kinetics of atomic chlorine
SERIES DATASHEET INDUCTORS RF INDUCTORS (MRFI SERIES)
SERIES DATASHEET INDUCTORS RF INDUCTORS (MRFI SERIES) (8) 95-8365 venkel.com Features: RoHS Compliant and Halogen Free Good Q values High SRF range: 1nH to 47uH Tolerance: ±.2nH, ±.3nH, ±2%, ±5%, ±1% High
IPSJ SIG Technical Report Vol.2014-CE-127 No /12/6 CS Activity 1,a) CS Computer Science Activity Activity Actvity Activity Dining Eight-He
CS Activity 1,a) 2 2 3 CS Computer Science Activity Activity Actvity Activity Dining Eight-Headed Dragon CS Unplugged Activity for Learning Scheduling Methods Hisao Fukuoka 1,a) Toru Watanabe 2 Makoto
P ² ± μ. œ Š ƒ Š Ÿƒ ˆŸ Œ œ Œ ƒˆ. μ²μ μ Œ Ê μ μ ±μ Ë Í μ É Í ±μ ³μ²μ (RUSGRAV-13), Œμ ±, Õ Ó 2008.
P3-2009-104.. ² ± μ ˆ ˆ Š Š ˆ œ Š ƒ Š Ÿƒ ˆŸ Œ œ Œ ƒˆ μ²μ μ Œ Ê μ μ ±μ Ë Í μ É Í ±μ ³μ²μ (RUSGRAV-13), Œμ ±, Õ Ó 2008. ² ± μ.. ²μ μ ± μé±²μ μé ÓÕÉμ μ ±μ μ ±μ ÉÖ μé Ö μ³μðóõ É μ μ ³ ²ÒÌ Ô P3-2009-104 ÓÕÉμ
þÿ ɺÁ Ä ÅÂ, ±»Î¼ Neapolis University þÿ Á̳Á±¼¼± ¼Ìù±Â ¹ º à Â, Ç» Ÿ¹º ½ ¼¹ºÎ½ À¹ÃÄ ¼Î½ º±¹ ¹ º à  þÿ ±½µÀ¹ÃÄ ¼¹ µ À»¹Â Æ Å
Neapolis University HEPHAESTUS Repository School of Economic Sciences and Business http://hephaestus.nup.ac.cy Master Degree Thesis 2016 þÿ ͽ Á ¼ µà±³³µ»¼±ä¹º  þÿµ¾ Å ½Éà  ³º» ³¹ºÎ½ ½ à þÿ ɺÁ Ä ÅÂ,
Heavier chalcogenone complexes of bismuth(iii)trihalides: Potential catalysts for acylative cleavage of cyclic ethers. Supporting Information
Electronic Supplementary Material (ESI) for RSC Advances. This journal is The Royal Society of Chemistry 2015 Heavier chalcogenone complexes of bismuth(iii)trihalides: Potential catalysts for acylative
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΝΑΝΟΕΠΙΣΤΗΜΕΣ & ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ Ν&Ν ΓΡΑΦΕΝΙΟ : ΦΥΣΙΚΗ & ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΛΑΜΠΡΙΝΟΣ Ι. ΜΙΧΑΗΛ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:
Direct Palladium-Catalyzed Arylations of Aryl Bromides. with 2/9-Substituted Pyrimido[5,4-b]indolizines
![Direct Palladium-Catalyzed Arylations of Aryl Bromides. with 2/9-Substituted Pyrimido[5,4-b]indolizines](/thumbs/87/95187440.jpg "Direct Palladium-Catalyzed Arylations of Aryl Bromides. with 2/9-Substituted Pyrimido[5,4-b]indolizines")
Direct Palladium-Catalyzed Arylations of Aryl Bromides with 2/9-Substituted Pyrimido[5,4-b]indolizines Min Jiang, Ting Li, Linghua Meng, Chunhao Yang,* Yuyuan Xie*, and Jian Ding State Key Laboratory of
Measurement of nitrogen atom flux and growth of β-si 3 N 4 on Si(111) by RF-discharge
Measurement of nitrogen atom flux and growth of β-si 3 N 4 on Si(111) by RF-discharge Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, and Motoi Wada Atom nitrogen flux created by the inductive coupling rf discharge was
Supporting Information
Supporting Information Mitochondria-Targeting Polydopamine Nanocomposites as Chemophotothermal Therapeutics for Cancer Zhuo Wang *,, Yuzhi Chen, Hui Zhang, Yawen Li, Yufan Ma, Jia Huang, Xiaolei Liu, Fang
Mandelamide-Zinc Catalyzed Alkyne Addition to Heteroaromatic Aldehydes
1 Mandelamide-Zinc Catalyzed Alkyne Addition to Heteroaromatic Aldehydes Gonzalo Blay, Isabel Fernández, Alícia Marco-Aleixandre, and José R. Pedro Departament de Química Orgànica, Facultat de Química,
þÿ µ ºÄµÂ À ¹ÌÄ Ä±Â ÃÄ
Neapolis University HEPHAESTUS Repository School of Economic Sciences and Business http://hephaestus.nup.ac.cy Master Degree Thesis 2015-09 þÿ µ ºÄµÂ À ¹ÌÄ Ä±Â ÃÄ þÿ²¹ À±» ³¹ºÌ µá³±ãä Á¹ Avraam, Anastasia
Supporting Information To. Microhydration of caesium compounds: Journal of Molecular Modeling
Supporting Information To Microhydration of caesium compounds: Cs, CsOH, CsI and Cs 2 I 2 complexes with one to three H 2 O molecules of nuclear safety interest Journal of Molecular Modeling Mária Sudolská
H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας
Ανιχνευτές οπτοηλεκτρονικής H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας Ανίχνευση σημάτων με οπτικές συχνότητες (10 14 Hz) το φώς ηλεκτρικό σήμα ενίσχυση + ανίχνευση με FET, διπολικά τρανζίστορ,
Study of Electronic Structures and Thermoelectric Properties of Half Metal
MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 39, No. 1, 2005 * ** Study of Electronic Structures and Thermoelectric Properties of Half Metal Yukio YUTOH* and Sunao SUGIHARA** Electronic structures and
College of Life Science, Dalian Nationalities University, Dalian , PR China.
Electronic Supplementary Material (ESI) for New Journal of Chemistry. This journal is The Royal Society of Chemistry and the Centre National de la Recherche Scientifique 2018 Postsynthetic modification
MnZn. MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer. Abstract:
MnZn JFE No. 8 5 6 p. 32 37 MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer FUJITA Akira JFE Ph. D. FUKUDA Yutaka JFE NISHIZAWA Keitarou JFE TOGAWA Jirou MnZn Fe2O3 1 C NiO
P Œ ²μ, Œ.. ƒê Éμ,. ƒ. ²μ,.. μ. ˆ ˆŸ Œˆ ˆŸ ˆ Š Œ ˆŸ Ÿ - ˆ ˆ ŠˆŒˆ Œ Œˆ ˆ œ ˆ Œ ˆ ŒˆŠ Œ -25
P6-2011-64.. Œ ²μ, Œ.. ƒê Éμ,. ƒ. ²μ,.. μ ˆ ˆŸ Œˆ ˆŸ ˆ Š Œ ˆŸ Ÿ - ˆ ˆ ŠˆŒˆ Œ Œˆ ˆ œ ˆ Œ ˆ ŒˆŠ Œ -25 Œ ²μ... P6-2011-64 ² μ Ö ²Õ³ Ö ± ³ Ö μ Í Ì μ Ò Ö μ-ë Î ± ³ ³ Éμ ³ μ²ó μ ³ ³ ± μé μ Œ -25 μ³μðóõ Ö μ-ë
Supplementary Information. Living Ring-Opening Polymerization of Lactones by N-Heterocyclic Olefin/Al(C 6 F 5 ) 3
Supplementary Information Living Ring-Opening Polymerization of Lactones by N-Heterocyclic Olefin/Al(C 6 F 5 ) 3 Lewis Pairs: Structures of Intermediates, Kinetics, and Mechanism Qianyi Wang, Wuchao Zhao,
HONDA. Έτος κατασκευής
Accord + Coupe IV 2.0 16V (CB3) F20A2-A3 81 110 01/90-09/93 0800-0175 11,00 2.0 16V (CB3) F20A6 66 90 01/90-09/93 0800-0175 11,00 2.0i 16V (CB3-CC9) F20A8 98 133 01/90-09/93 0802-9205M 237,40 2.0i 16V
Electronic Supplementary Information
Electronic Supplementary Information NbCl 3 -catalyzed [2+2+2] intermolecular cycloaddition of alkynes and alkenes to 1,3-cyclohexadiene derivatives Yasushi Obora,* Keisuke Takeshita and Yasutaka Ishii*
D-Glucosamine-derived copper catalyst for Ullmann-type C- N coupling reaction: theoretical and experimental study
Electronic Supplementary Material (ESI) for RSC Advances. This journal is The Royal Society of Chemistry 2016 D-Glucosamine-derived copper catalyst for Ullmann-type C- N coupling reaction: theoretical
ΙΕΥΘΥΝΤΗΣ: Καθηγητής Γ. ΧΡΥΣΟΛΟΥΡΗΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ ΙΑΤΡΙΒΗ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΚΑΙ ΑΕΡΟΝΑΥΠΗΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ & ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ / ΥΝΑΜΙΚΗΣ & ΘΕΩΡΙΑΣ ΜΗΧΑΝΩΝ ΙΕΥΘΥΝΤΗΣ: Καθηγητής Γ. ΧΡΥΣΟΛΟΥΡΗΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ
Si + Al Mg Fe + Mn +Ni Ca rim Ca p.f.u
.6.5. y = -.4x +.8 R =.9574 y = - x +.14 R =.9788 y = -.4 x +.7 R =.9896 Si + Al Fe + Mn +Ni y =.55 x.36 R =.9988.149.148.147.146.145..88 core rim.144 4 =.6 ±.6 4 =.6 ±.18.84.88 p.f.u..86.76 y = -3.9 x
Parts Manual. Trio Mobile Surgery Platform. Model 1033
Trio Mobile Surgery Platform Model 1033 Parts Manual For parts or technical assistance: Pour pièces de service ou assistance technique : Für Teile oder technische Unterstützung Anruf: Voor delen of technische
Handbook of Electrochemical Impedance Spectroscopy
Handbook of Electrochemical Impedance Spectroscopy A B D Im Y * Im Y * Im Y * Im Y * e Y * e Y * e Y * e Y * IUITS made of ESISTOS, INDUTOS and APAITOS E@SE/EPMI J.-P. Diard, B. e Gorrec,. Montella Hosted
C H Activation of Cp* Ligand Coordinated to Ruthenium. Center: Synthesis and Reactivity of a Thiolate-Bridged
Supporting Information C H Activation of Cp* Ligand Coordinated to Ruthenium Center: Synthesis and Reactivity of a Thiolate-Bridged Diruthenium Complex Featuring Fulvene-like Cp* Ligand Xiaoxiao Ji, Dawei
ITU-R P ITU-R P (ITU-R 204/3 ( )
1 ITU-R P.530-1 ITU-R P.530-1 (ITU-R 04/3 ) (007-005-001-1999-1997-1995-1994-199-1990-1986-198-1978)... ( ( ( 1 1. 1 : - - ) - ( 1 ITU-R P.530-1..... 6.3. :. ITU-R P.45 -. ITU-R P.619 -. ) (ITU-R P.55
... 4 1. 10 1.1... 10 1.β... 14 1.3... 16 1.4... 21 1.5... 33 1.6... 39 1.7... 43 1.8... 50 1... 52 β... 54 β.1 6... 54 β.β... 64 β.β.1... 64 β.β.β... 70 β.β.γ.... 76 β.γ... 82 2 β... 87 γ... 90 γ.1...
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Ι ΑΚΤΙΚΟ ΕΡΓΟ
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: Χρήστος Μήτσας ΙΕΥΘΥΝΣΗ: Κοµνηνών 64 Πανόραµα 55 236 Τηλ. 0310 340 072 ΤΟΠΟΣ-ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΓΕΝΝΗΣΕΩΣ: Θεσ/νίκη - 13/7/62 1977-1980 1ο Λύκειο Αρρένων Ν. Σµύρνης. 1981-1984
Supplementary Materials: Exploration of vanadate selenites Solid Phase Space, crystal structures and polymorphism
Supplementary Materials: Exploration of vanadate selenites Solid Phase Space, crystal structures and polymorphism Vadim M. Kovrugin a,b, Marie Colmont a, Oleg I. Siidra b, Sergey V. Krivovichev b, Olivier