MODEL COMPACT PENTRU TRANZISTOARE MOS SUBMICRONICE PENTRU APLICATII ANALOGICE. Gheorghe Brezeanu, Andrei Sevcenco
|
|
|
- Ῥέα Δουμπιώτης
- 5 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 MODEL COMPACT PENTRU TRANZISTOARE MOS SUBMICRONICE PENTRU APLICATII ANALOGICE Gheorghe Brezeanu, Andrei Sevcenco Facultatea de Electronica, Telecomunicatii şi Tehnologia Informației Universitatea POLITEHNICA Bucuresti
2 Cuprins Evolutia tehnologiei CMOS Saturatia vitezei. Degradarea mobilitatii Model compact al tranzistorului MOS Comparatii model date experimentale Concluzii
3 Microelectronica Tranzistorul bipolar începutul microelectronicii Descoperire importanta a sec. 0 Dec patent-tranz.cu contact punctiform-amplificator Sept. 1951, tranzistorul cu joncţiuni
4 Circuite Integrate- aplicaţii Impactul industriei semiconductoare este uriaş în multiple domenii: PC/ laptopuri Carduri Comunicaţii / telefonie mobilă Multimedia( tv, jurnale electronice) Sisteme audio & video portabile Electronică medicală Electronică auto GPS Global Positioning System Aplicaţii militare Explorarea spaţiului
5 1959- primul TB planar Diametru -30 inch Dimensiunea minimă-3 inch 196 primul CI Produs de Fairchild 4 tranzistoare + 6 rezistoare 6 fire de conexiune Încapsulat în TO Micrologic circuit Produs de Fairchild 50 componente Inceputul CI
6 Scalarea lungimii canalului Dimensiuni nanometrice Tehnologii CMOS ani rata de innoire Circuite LSI digitale
7 Scalarea lungimii canalului Previziuni Nanofire Conexiuni optice Litografie computationala
8 INTEL - Evolutia microprocesoarelor Multi -cores
9 Microelectronica Preţul unui tranzistor din CI echivalează azi costul tipăririi unui caracter (literă) într-o publicaţie oarecare; Acum o memorie DRAM de 4MB si 4milioane de tranzistoare costă mai puţin decât un tranzistor în 1960; Nr. de caractere din toate tipăriturile depăşeşte cu doar un ordin de mărime nr. de tranzistoare incluse în CI fabricate până în prezent.
10 nmos Structura tridimensionala
11 nmos Efecte de canal scurt E y y+dy Ex ξ x - campul transversal - degradarea mobilitatii ξ - campul longitudinal saturatia vitezei
12 ξ x ( y) Degradarea mobilitatii + ( y) O T cs 6t ox µ 0 µ ( y) = ξx 1 ( y + ) ξ x, c - campul electric transversal ξ x, C = 1.5 µ m O = GS T T t ox - campul transversal critic - tensiunea de comandă efectivă - tensiunea de prag - grosimea oxidului de poartă
13 Saturatia vitezei v( y) = µ ξ( y) ( α ( ) ) ξ( y) ξc α v( y) cs ξ ( y) = L ξ C = 1.5 µ m α = 1/ α = - viteza purtatorilor mobili în canal - campul electric vertical/longitudinal - campul (vertical)critic - pt. goluri(p- MOS)/electroni(n -MOS)
14 MOS regiuni de funcţionare
15 Modelarea in inversie puternica(1) I = Wv( y) Q ( y) D I ( ) Q ( y) = C ( y) I ox GS T cs C ox - Sarcina purtatorilor mobili din canal - Capacitatea oxidului de poarta d µ ( y) dy I D = W [ C ox ( GS T cs ( y ))] α 1/ α 1/ α cs dcs 1 + ξc dy α d ( y) L cs DS O cs I 1 0 D + ξ c dy WCox 0 d 0 cs dy = µ O + T cs ( y) 1+ GS, C
16 Modelarea in inversie puternica () W 1 I = µ C + ( + ) ln 1 1+ DS D 0 ox GS, C DS GS, C GS, C T L DS O + T + GS, C DS, C DS, C = alξ = 6ξ t GS, C x, c ox c - Tensiunea de drenă critică - Tensiunea de poarta critică x ln ( 1 + x) x pt. x << 1 W DS I µ D 0C L ox O DS O + T DS 1 1 O GS, C DS, C T + GS. C
17 MOS regiuni de funcţionare
18 µ 0 µ eff = T 1+ O Curentul de drena in zona de trioda W 1 1 I µ C L + DS 1+ GS, C = Modelul nou DS, C ( ) 1 D eff ox O O DS DS T O + 1 ( 1+ O ) GS, C Modelul clasic = << O GS T GS, C DS << DS, C - Mobilitatea efectivă la campuri longitudinale mici - Tensiunea de comanda efectiva normata - Efectul campului transversal-neglijabil - Efectul campului longitudinal-neglijabil 1 I W D 0Cox O DS DS L µ
19 Curentul de drena in zona activa (1) Modelul nou 1 W DS, act D = µ eff ox. DS, act = D, C L DS, C I C I O DS, act = DS, C 1+ ( 1+ O ) 1 DS, C 1 W I C L µ - tensiunea de drena la limita intre zona de trioda si zona activa = µ - curentul de drena critic D, C eff ox. DS, C = Modelul clasic ( O = GS T << GS, C DS << DS, C ) = = = DS, act DS, sat O GS T 1 W 1 W I µ C = µ C L L D 0 ox DS, act 0 ox DS, O
20 Curentul de drena in zona activa () Cazuri limită 1 W DS, act D = µ eff ox. DS, act = D, C L DS, C I C I Tensiune de comandă mică DS, act O ( O << GS, C O << DS, C ) = 1 W I C. L µ D 0 ox O Tensiune de comandă medie = DS, act DS, C Tensiune de comandă mare O >>, ( ) 1+ DS, act O DS, C O 1 W I = I = C. L µ D D, C eff ox DS, C 1 W I D 0 Cox GS, C DS, C const. L µ = DS C
21 nmos - comparatie model - experiment.5 1. Drain Current, I D (ma) nmos W=5.6µm, L=0.6µm DS = 1 DS = Drain Current, ID (ma) nmos W=5.6µm, L=0.6µm DS = 1 DS = DS = Overdrive oltage, O () (a) Caracteristici de transfer 0.0 Date experimentale - simboluri Model complet - linie intrerupta Drain oltage, DS () (b) Caracteristici de iesire Model simplu(fara degradarea mobilitatii) - linie continua
22 pmos - comparatie model - experiment Drain Current, I D (ma) pmos W=5.6µm, L=0.6µm DS = 1 DS = Drain Current, I D (ma) pmos W=5.6µm, L=0.6µm GS = 1 GS = GS = Overdrive oltage, O () (a) Drain oltage, DS () (b) Caracteristici de transfer Caracteristici de iesire Date experimentale - simboluri Model complet - linie intrerupta Model simplu(fara degradarea mobilitatii) - linie continua
23 Comparatie model experiment Characteristic Device W/L Model error (%) ID DS GS = 3 Simplu Complet nmos 0.7/ nmos 5.6/ pmos 5.6/ ID GS DS = nmos 0.7/ nmos 5.6/ pmos 5.6/ Se observa micsorarea erorii pentru modelul complet Motivul este combinarea efectelor de canal scurt
24 Comparatie model experiment - BSIM 0.6 Drain Current, I D (ma) pmos W=5.6µm, L=0.6µm GS = 1 GS = GS = Drain oltage, DS () (c) Date experimentale - simboluri Model complet - linie intrerupta BSIM - linie continua
25 Transconductanta - panta tranzistorului g m g m i i d D = = vgs vgs I, Parametru dinamic-defineste performantele de amplificare dependenta de curent g m 1 = gm, c + 1 g D DS, C 1 + I, D, C D C I I D T + GS, C = W L µ C. m, c eff ox DS, C dependenta de tensiunea de comanda efectiva 1 O = gm, c O O 1+ ( 1+ O ) 1+ ( 1+ O ) + 1 DS, C DS, C I D DS
26 Transconductanta - cazuri limita Curenti mici - saturatia vitezei neglijabilă I W g g C I I = L µ D m m, c eff ox D D, C Curenti mari I D >> I D, C W g g = C. W C. L µ = µ ξ m m, c eff ox DS, C eff ox C 1 I D << I D, C Normalized Transconductance, g m /g m,c 0.1 T =0,5 GS,C =10 DS,C = 0 1 Normalized Drain Current, I D /I D,K
27 Transconductanţa- dependenta de curent g m 1 = gm, c D DS, C 1 + I, D, C D C I I D T + GS, C I Transconductance, g m (ma/) nmos W=0.7µm, L=0.6µm Measured, DS = 10-3 Model ,0 0,1 0, Drain Current, I D (ma)
28 pmos-transconductanţa- dependenta de O g m 1 O = gm, c O 1 ( 1 ) O ( 1 ) O + + O + 1 a DS, C DS, C 10 0 Transconductance, g m (m ma/) pm O S W = 5.6 µm, L= 0.6 µm M e asure d, D S = M o del O verdrive vo lta g e, O ( )
29 nmos-transconductanţa- dependenta de O g m 1 O = gm, c O 1 ( 1 ) O ( 1 ) O + + O + 1 b DS, C DS, C 10 0 Transconductance, g (ma/) m nmos W =0.7µm, L=0.6µm Measured, DS = Model O verdrive voltage, O ()
30 Concluzii Tehnologiile CMOS evolueaza spre dimensiuni nano Campul electric in canal devine semnificativ Campul transvesal degradarea mobilitatii Campul longitudinal saturaţia vitezei Model compact model analitic ce include pentru prima oara efectul combinat al degradarii mobilitatii si saturatiei vitezei Ecuatii pentru I si g similare cu cele ale modelului clasic D Modelul este validat prin comparatii cu date experimentale masurate pe n MOS si p MOS fabricate in tehn.cmos de 0,um Rezultate apropiate de BSIM3-model folosit in simulatoare Poate fi usor implementat in simulatoare m Articol acceptat - International Journal of Electronics
31 INTEL - Evolutia microprocesoarelor primul microprocesor Pentium 006 Pentium dual core
32 Scalarea lungimii canalului si grosimii oxidului de poarta SiO - T ox a scazut pana 1, nm (5 distante atomice): curenti de poarta foarte mari, neuniformitate accentuata pe o placheta de 1 inch randamentul si fiabilitatea scad dramatic Dielectrici high k
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE. MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit CUPRINS 1. Avantajele si limitarile MMIC 2. Modelarea dispozitivelor active 3. Calculul timpului de viata al MMIC
10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
Capitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
V O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS.
Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS. Circuitele integrate MOS au fost realizate la inceput in tehnologia PMOS, datorita predictibilitatii tensiunii de prag pentru acest tip de tranzistoare. Pe
Curs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN TIMIŞOARA. Facultatea de Electronică şi Telecomunicaţii EXAMEN LICENŢĂ SPECIALIZAREA ELECTRONICĂ APLICATĂ
UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN TIMIŞOARA Facultatea de Electronică şi Telecomunicaţii EXAMEN LICENŢĂ SPECIALIZAREA ELECTRONICĂ APLICATĂ 2015-2016 UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN TIMIŞOARA Facultatea de Electronică
1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni
1 2 1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni 1.3.1. Efectul Early (modularea grosimii bazei) În analiza funcţionării tranzistorului bipolar prezentată anterior, a fost
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
Circuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS
Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii
Dispozitive electronice de putere
Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Capitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie
(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector
Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
![Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].](/thumbs/72/67648751.jpg "Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].")
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
CIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
Tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Electronică anul II PROBLEME
Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le
Circuite Integrate Numerice 4. Inversoare NMOS DETERMINAREA CARACTERISTICILOR DE REGIM STATIC PENTRU INVERSOARELE REALIZATE CU TRANZISTOARE NMOS
DETERMINAREA CARACTERISTICILOR DE REGIM STATIC PENTRU INVERSOARELE REALIZATE CU TRANZISTOARE NMOS I. Analiza regimului static Toate informaţiile vor fi obţinute prin vizualizarea caracteristicii statice
1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea activă normală
1 1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea actiă normală Se a considera cazul unui tranzistor npn. Funcţionarea tranzistorului pnp este principial aceeaşi dacă se
L3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J
L3. RANZISORUL CU EFEC DE CÂMP EC-J În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unui tranzistor cu efect de câmp cu rilă-jocţiune (EC-J) şi este verificată concordanţa cu relaţiile analitice
Problema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Stabilizator cu diodă Zener
LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator
Erori si incertitudini de măsurare. Modele matematice Instrument: proiectare, fabricaţie, Interacţiune măsurand instrument:
Erori i incertitudini de măurare Sure: Modele matematice Intrument: proiectare, fabricaţie, Interacţiune măurandintrument: (tranfer informaţie tranfer energie) Influente externe: temperatura, preiune,
LUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
1. PROPRIETĂȚILE FLUIDELOR
1. PROPRIETĂȚILE FLUIDELOR a) Să se exprime densitatea apei ρ = 1000 kg/m 3 în g/cm 3. g/cm 3. b) tiind că densitatea glicerinei la 20 C este 1258 kg/m 3 să se exprime în c) Să se exprime în kg/m 3 densitatea
Circuite Integrate Analogice
Circuite integrate analogice I. Circuite fundamentale Cuprins 1 Tranzistoare MOS şi bipolare 3 1.1 Tranzistoare bipolare....................... 3 1.1.1 Generalitǎţi........................ 3 1.1.2 Funcţionarea
FENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
Electronică Analogică. 5. Amplificatoare
Electronică Analogică 5. Amplificatoare 5.1. Introducere Prin amplificare înţelegem procesul de mărire a valorilor instantanee ale unei puteri sau ale altei mărimi, fără a modifica modul de variaţie a
Exemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Valori limită privind SO2, NOx şi emisiile de praf rezultate din operarea LPC în funcţie de diferite tipuri de combustibili
Anexa 2.6.2-1 SO2, NOx şi de praf rezultate din operarea LPC în funcţie de diferite tipuri de combustibili de bioxid de sulf combustibil solid (mg/nm 3 ), conţinut de O 2 de 6% în gazele de ardere, pentru
4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA
Examen. Site Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate
Curs 12 2015/2016 Examen Sambata, S14, ora 10-11 (? secretariat) Site http://rf-opto.etti.tuiasi.ro barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate min. 1pr. +1pr. Bonus T3 0.5p + X Curs 8-11 Caracteristica
Lucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)
ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic
Μικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
Circuite Integrate Analogice Celule fundamentale
ircuite Integrate Analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS Facultatea de Electronică Telecomunicații și Tehnologia Informației Doris sipkes Departamentul Bazele Electronicii Din conținut...
Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice
Laborator 4 Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Obiective: o Semnalul sinusoidal, o Semnalul dreptunghiular, o Semnalul triunghiular, o Generarea diferitelor semnale folosind placa multifuncţională
Aparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1
Aparate de măsurat Măsurări electronice Rezumatul cursului 2 MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 1. Aparate cu instrument magnetoelectric 2. Ampermetre şi voltmetre 3. Ohmetre cu instrument magnetoelectric
a. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 %
1. Un motor termic funcţionează după ciclul termodinamic reprezentat în sistemul de coordonate V-T în figura alăturată. Motorul termic utilizează ca substanţă de lucru un mol de gaz ideal având exponentul
riptografie şi Securitate
riptografie şi Securitate - Prelegerea 12 - Scheme de criptare CCA sigure Adela Georgescu, Ruxandra F. Olimid Facultatea de Matematică şi Informatică Universitatea din Bucureşti Cuprins 1. Schemă de criptare
(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE
7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7.1. GENERALITĂŢI PRIVIND AMPLIFICATOARELE DE SEMNAL MIC 7.1.1 MĂRIMI DE CURENT ALTERNATIV 7.1.2 CLASIFICARE 7.1.3 CONSTRUCŢIE 7.2 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
LUCRAREA 3: TRANZISTORUL MOS MODULUL MCM4/EV
LUCRAREA 3: TRANZISTORUL MOS MODULUL MCM4/EV CAPITOLUL 3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI MOS 3.1.1 OBIECTIVE Structura tranzistorului MOS; Simbolul tranzistorului MOS. 3.1.2 ASPECTE TEORETICE Tranzistorul
a) b) c) Fig Caracteristici de amplitudine-frecvenţă ale amplificatoarelor.
Clasificarea amplificatoarelor Amplificatoarele pot fi comparate după criterii diverse şi corespunzător există numeroase variante de clasificare ale amplificatoarelor. În primul rând, dacă pot sau nu să
Propagarea Interferentei. Frecvente joase d << l/(2p) λ. d > l/(2p) λ d
1. Introducere Sunt discutate subiectele urmatoare: (i) mecanismele de cuplare si problemele asociate cuplajelor : cuplaje datorita conductiei (e.g. datorate surselor de putere), cuplaje capacitive si
Capitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25
Capitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25 LAGĂRELE CU ALUNECARE!" 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.!" 25.2.Funcţionarea lagărelor cu alunecare.! 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.
CAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă
CIRCUITE CU PORŢI DE TRANSFER CMOS
CIRCUITE CU PORŢI DE TRANSFER CMOS I. OBIECTIVE a) Înţelegerea funcţionării porţii de transfer. b) Determinarea rezistenţelor porţii în starea de blocare, respectiv de conducţie. c) Înţelegerea modului
Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic
Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic Elemente de Electronică Analogică 35. Stabilizatoare de tensiune integrate STABILIZATOARE DE TENSIUNE INTEGRATE Stabilizatoarele
I X A B e ic rm te e m te is S
Sisteme termice BAXI Modele: De ce? Deoarece reprezinta o solutie completa care usureaza realizarea instalatiei si ofera garantia utilizarii unor echipamente de top. Adaptabilitate la nevoile clientilor
COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului
RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,
REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii
Circuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Curs 4 Serii de numere reale
Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni
Corectură. Motoare cu curent alternativ cu protecție contra exploziei EDR * _0616*
Tehnică de acționare \ Automatizări pentru acționări \ Integrare de sisteme \ Servicii *22509356_0616* Corectură Motoare cu curent alternativ cu protecție contra exploziei EDR..71 315 Ediția 06/2016 22509356/RO
R R, f ( x) = x 7x+ 6. Determinați distanța dintre punctele de. B=, unde x și y sunt numere reale.
5p Determinați primul termen al progresiei geometrice ( b n ) n, știind că b 5 = 48 și b 8 = 84 5p Se consideră funcția f : intersecție a graficului funcției f cu aa O R R, f ( ) = 7+ 6 Determinați distanța
11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite
4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRATĂ
4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRTĂ În prezent, circuitele logice se realizează în exclusivitate prin tehnica integrării monolitice. În funcţie de tehnologia utilizată, circuitele logice integrate
Fig Stabilizatorul de tensiune continuă privit ca un cuadripol, a), şi caracteristica de ieşire ideală, b).
6. STABILIZATOARE DE TENSIUNE LINIARE 6.1. Probleme generale 6.1.1. Definire si clasificare Un stabilizator de tensiune continuă este un circuit care, alimentat de la o sursă de tensiune continuă ce prezintă
Lucrarea de laborator nr.6 STABILIZATOR DE TENSIUNE CU REACŢIE ÎN BAZA CIRCUITELOR INTEGRATE
Lucrarea de laborator nr.6 TABILIZATOR DE TENIUNE CU REACŢIE ÎN BAZA CIRCUITELOR INTEGRATE 6.1. copul lucrării: familiarizarea cu principiul de funcţionare şi metodele de ridicare a parametrilor de bază
Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie
FITRE DE MIROUNDE Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie P R Puterea disponibila de la sursa Puterea livrata sarcinii P inc P Γ ( ) Γ I lo P R ( ) ( ) M ( ) ( ) M N P R M N ( ) ( ) Tipuri
2.3. Tranzistorul bipolar
2.3. Tranzistorul bipolar 2.3.1. Structură şi simboluri Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din 3 straturi de material semiconductor şi are trei electrozi conectati la acestea. Construcţia şi
2CP Electropompe centrifugale cu turbina dubla
2CP Electropompe centrifugale cu turbina dubla DOMENIUL DE UTILIZARE Capacitate de până la 450 l/min (27 m³/h) Inaltimea de pompare până la 112 m LIMITELE DE UTILIZARE Inaltimea de aspiratie manometrică
STRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE
3 STRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE 31 Structura TTL standard Familia circuitelor integrate TTL (Transistor Transistor Logic) a fost creată de Texas Instruments şi standardizată în anul 1964 Circuitele integrate
Aspects of High-Frequency Modelling with EKV3
ESSCIRC/ESSDERC Workshops, MOS-AK Meeting Edinburgh, September 15-19, 2008 Aspects of High-Frequency Modelling with EKV3 Matthias Bucher, Maria-Anna Chalkiadaki Technical University of Crete (TUC), Chania,
Lucrarea 3 : Studiul efectului Hall la semiconductori
Lucrarea 3 : Studiul efectului Hall la semiconductori 1 Consideraţii teoretice În această lucrare vom studia efectul Hall intr-o plăcuţă semiconductoare de formă paralelipipedică, precum cea din Figura
MARCAREA REZISTOARELOR
1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii în tehnică
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii în tehnică Sisteme de încălzire a locuinţelor Scopul tuturor acestor sisteme, este de a compensa pierderile de căldură prin pereţii locuinţelor şi prin sistemul
Grafica Asistata de Calculator
Laborator 1. Prezentarea tematicii laboratorului Scopul lucrării - Deprinderea noţiunilor teoretice de protecţia muncii şi prevenire a incendiilor; - Cunoaşterea şi recunoaşterea simbolurilor elementelor
Laborator: Electronică Industrială Electronică de Putere. Convertoare sincrone de curent continuu
Convertoare sincrone de curent continuu 1. Introducere Un pas important în dezvoltare convertoarelor de curent continuu o reprezintă creşterea randamentului acestora. O metodă de creştere a randamentului
Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice
Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real este activ (amplifică)precum şi a unor
a. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE.
3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE. 3.5.1 STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU AMPLIFICATOARE OPERAȚIONALE. Principalele caracteristici a unui stabilizator de tensiune sunt: factorul de stabilizare
i R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2
TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare
Control confort. Variator de tensiune cu impuls Reglarea sarcinilor prin ap sare, W/VA
Control confort Variatoare rotative electronice Variator rotativ / cap scar 40-400 W/VA Variatoare rotative 60-400W/VA MGU3.511.18 MGU3.559.18 Culoare 2 module 1 modul alb MGU3.511.18 MGU3.559.18 fi ldeş
Θεωρία Τρανζίστορ MOS
2 η Θεµατική Ενότητα : Θεωρία Τρανζίστορ MOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Θεωρία Τρανζίστορ MOS Ένα τρανζίστορ MOS ορίζεται ως στοιχείο φορέων πλειονότητας (majority - carrier device) του οποίου το
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
SISTEME CU CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE (EA II) ELECTRONICĂ DIGITALĂ (CAL I) Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan
SISTEME CU CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE (EA II) ELECTRONICĂ DIGITALĂ (CAL I) Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan Tehnologia circuitelor integrate digitale La proiectarea circuitelor digitale trebuie alese circuitele
Introducere. Tipuri de comparatoare.
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE (II) 2. Circuite analogice de comutaţie. Circuitele cu funcţionare în regim de comutaţie au două stări stabile între care suferă o trecere rapidă
CAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE 6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITĂŢI
CATOLUL 6. TAZTOAE UOLAE 6.1. TAZTOAE UOLAE EEALTĂŢ pre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare utilizează un singur tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri) care circulă
L2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural
Capitolul 3. Analiza si proiectarea la nivel de masti a inversoruluicmos. Reguli de proiectare a mastilor
Capitolul 3. Analiza si proiectarea la nivel de masti a inversoruluicmos. Reguli de proiectare a mastilor In primul capitol au fost prezentate mai multe exemple de porti logice, realizate cu ajutorul tranzistoarelor
Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes
Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar aracteristici statice Determinarea unor parametri de interes A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
Integrala nedefinită (primitive)
nedefinita nedefinită (primitive) nedefinita 2 nedefinita februarie 20 nedefinita.tabelul primitivelor Definiţia Fie f : J R, J R un interval. Funcţia F : J R se numeşte primitivă sau antiderivată a funcţiei
Planul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
a n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea
Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,
STABILIZATOR DE TENSIUNE EXEMPLU DE PROIECTARE
STABILIZATOR DE TENSIUNE EXEMPLU DE PROIECTARE Presupunem ca se doreste obtinerea unui stabilizator cu urmatoarele performante Tensiunea de iesire reglabila in intervalul: 15 0 V; Sarcina la iesire 3Ω;
(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)
(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης) The MOS Transistor Polysilicon Aluminum N MOS Τρανζίστορ ρ Διάταξη τριών ακροδεκτών Πηγή (Source) Καταβόθρα (Drain) Πύλη (Gate) Κατασκευαστικά η Πηγή και η Καταβόθρα είναι όμοιες