1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni
|
|
- Κήυξ Αλεξάκης
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 1
2 2
3 1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni Efectul Early (modularea grosimii bazei) În analiza funcţionării tranzistorului bipolar prezentată anterior, a fost presupusă iners polarizată joncţiunea B-C, fără nici un efect al tensiunii u BC asupra curentului de colector i C. În practică se constată o uşoară creştere a curentului de colector cu ceşterea tensiunii colector-emitor, u CE. Deoarece tensiunea u BE este practic constantă, ariaţia tensiunii u CE este practic egală cu ariaţia tensiunii u CB (u CE u CB + u BE ). Creşterea tensiunii u CB duce la extinderea regiunii de tranziţie a joncţiunii colectoare şi deci la micşorarea grosimii bazei. În figura 3-29 se prezintă distribuţia concentraţiei de purtători minoritari în bază. Aceasta este liniară, aând aloarea Regiunea de BE n p tranziţie np( 0) np e T 0 E B pentru U CE1 C n p0 n p (0) n p (x) w B Regiunea de tranziţie pentru U CE2 > U CE1 0 w B x Fig Explicarea efectului Early Pentru realizări obişnuite, A la marginea joncţiunii emitoare şi n ( w ) p B 0 la marginea joncţiunii colectoare. Micşorarea grosimii bazei duce la creşterea pantei concentraţiei de minoritari şi deci la creşterea curentului în colector (care este practic curent de difuzie a minoritarilor în bază). Forma tipică a caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului se prezintă în figura Din cauza efectului Early, caracteristicile sunt uşor înclinate. Prin extrapolarea caracteristicilor înapoi către axa u CE, intersecţia cu această axă se produce la o tensiune - A, numită tensiune Early. Influenţa efectului Early asupra caracteristicilor de semnal mare ale tranzistorului în regiunea actiă normală (RAN) se poate reprezenta analitic prin modificarea relaţiei (3.56) astfel: ic I CE S 1 + e A BE T (3.91) i C BE4 BE3 BE2 BE1 - A 0 Fig Eidenţierea tensiunii Early CE 3
4 β Dependenţa factorului de amplificare β de curentul de colector În teoria elementară a tranzistorului bipolar s-au neglijat o serie de fenomene care în practică, în anumite condiţii, îşi fac simţite efectele. Astfel, factorul de amplificare în curent, β, nu este constant, ci depinde de curentul I C ca în figura I C Fig Dependenţa β f(i C ) 1.4. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cu joncţiuni Se a considara tranzistorul ca un cuadripol. Eident, un terminal a fi comun intrării şi ieşirii. De exemplu, în figura 3-32 se specifică mărimile de intrare şi de ieşire pentru conexiunile emitor comun (EC) şi bază comună (BC). i B u BE i C u CE IN EC IES IN BC IES asemenea pentru conexiunea emitor comun. i E u EB u CB Fig Mărimile de intrare şi de ieşire considerate în caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare i C Aspectul caracteristicilor a fi eident diferit în funcţie de conexiunea tranzistorului. Există trei tipuri de caracteristici: - de intrare (i IN f( IN )) - de transfer (i IES f( IN ) sau i IES f(i IN )) - de ieşire (i IES f( IES )) În multe cazuri, mai ales pentru caracteristicile de ieşire, se reprezintă o familie de caracteristici, alegând ca parametru o mărime de intrare. Caracteristicile statice pentru conexiunea emitor comun sunt cele mai folosite. În figura 3-30 s-a reprezentat o familie de altfel de caracteristici de ieşire, la care parametrul s-a ales tensiunea BE. În figura 3-33 se prezintă aspectul caracteristicilor de intrare şi de transfer, de i B i C i C 20µA 2mA 0,6 u BE 0,6 u BE Fig Caracteristici de intrare şi de transfer i B 4
5 În figura 3.34 se prezintă caracteristicile de ieşire ale unui tranzistor npn, în funcţie de parametrul i B, eidenţiindu-se regiunile actiă normală, actiă inersă şi de saturaţie. S-au utilizat scări diferite pentru alori pozitie sau negatie. i C [ma] Regiunea de saturaţie Regiune a actiă normală i B 0,04mA 0,03mA 0,02mA 0,01mA i B 0 i B 0 i B 0,01mA 0,02mA 0,03mA 0,04mA Regiune a actiă inersată u CE ,02 Regiunea de -0,04 saturaţie B CE0 ALORI TIPICE -0,06 RAN: β F 100-0,08 α F 0,99-0,10 RAI: β R 1 5 α R 0,5 0,8 Fig Caracteristicile de ieşire i C f(u CE ) cu parametrul i B S-a eidenţiat şi fenomenul de străpungere, caracterizat de tensiunea de stăpungere B CE0 (breakdown oltage) între colector şi emitor ca baza în gol. 5
6 1.1. Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim ariabil la semnal mic Se consideră un circuit teoretic reprezentat în figura Se admite că tensiunea de polarizare, CC, este suficient de mare încât joncţiunea bază colector să rămână polarizată iners, pentru toate alorile posibile ale componentei ariabile be, deci tranzistorulu să se menţină permanent în regiunea actiă normală. Tensiunea BE aând şi componentă continuă şi ariabilă, curenţii i B şi i C or aea, la rândul lor, atât componente continue, cât şi ariabile. BE BE + be BE be be ic IS e T ic IS e T IS e T e T IC e T BE BE + (3.99) be i C I C +i c Relaţia (3.99) oferă posibilitatea determinării mărimii totale a curentului de colector. Ea permite şi stabilirea unui i B I B +i b criteriu după care componenta ariabilă să fie considerată sau nu de semnal mic. be BE BE CC Fig Circuit pentru studiul funcţionării tranzistorului la semnal mic Criteriu de estimare a mărimii semnalului Dezoltând relaţia (3.99) în serie Taylor se obţine: ic I be be be C T + 3 T (3.100) 2 6 T Se poate considera semnalul mic atunci când circuitul este liniar, adică atunci când se pot neglija termenii de grad superior din relaţia (3.100). Aceasta însemană că: be << T (3.101) I În acest caz: ic I C C + be (3.102) T I Componenta ariabilă este: i C c be g m be (3.103) T unde s-a notat cu g m tranconductanţa de semnal mic a tranzistorului: I g C m (3.104) T Practic, se poate considera că, dacă be < 10m, erorile care apar datorită aproximaţiei de semnal mic sunt sub 10%. 6
7 Modelul π-hibrid simplificat Conform cu definirea regimului ariabil la semnal mic, porţiunea din caracteristica dispozitiului parcursă de punctul de funcţionare poate fi aproximată cu tangenta dusă în punctul static de funcţionare. Considerând caracteristica de transfer i C f( BE ), adică: BE (3.105) ic ISe T relaţia între componentele de semnal mic a fi: i c g m be (3.106) unde: BE be di I g C S d e IS e T IC m T (3.107) BE PSF T T T PSF Se obseră că s-a regăsit relaţia (3.104). Transconductanţa g m modelează efectul de tranzistor pentru componentele de semnal mic ale mărimilor electrice. Deoarece joncţiunea bază-emitor este direct polarizată, prin echialenţă cu comportarea joncţiunii p-n la semnal mic, între bază şi emitor, pentru semnal mic, comportarea tranzistorului a fi descrisă de o rezistenţă. Relaţia între curentul de bază şi tensiunea bază-emitor de semnal mic este deci: be i b r π unde cu r π s-a notat rezistenţa echialentă la semnal mic între bază şi emitor. b r π + - ic g r be m β π (3.109) ib ib gm Cele două elemente, g m şi r π pot descrie, într-o primă aproximaţie, c funcţionarea tranzistorului bipolar în regim ariabil, la semnal mic, dacă frecenţa de lucru nu este prea mare. Modelul bazat pe cei doi parametri este prezentat în g m be figura 3-39 şi se numeşte modelul π-hibrid simplificat. e Fig Modelul de semnal mic π-hibrid simplificat (3.108) 7
8 Modelul π-hibrid complet Luând în considerare şi alte fenomene se or găsi elemente care să completeze modelul din figura a) Rezistenţa de ieşire S-a arătat că efectul Early produce ariaţia curentului de colector, i C, cu tensiunea colector, CE. unde A este tensiunea Early. Pentru componentele de semnal mic, relaţia deine liniară: unde: b i b r π + - i e g m be e Fig Modelul de semnal mic incluzând şi r o i c r o c i C I S 1 + CE A e BE T ic gm be + go ce g o 1 r O i Deci rezistenţa de ieşire are expresia: ro A IC Modelul completat cu acest element este prezentat în figura C CE PSF I (3.110) (3.111) C A (3.113) (3.112) b) ariaţia sarcinii în regiunea bazei S-a arătat că la ariaţia tensiunii colector emitor, CE, se modifică panta distribuţiei de purtători minoritari din bază. Aceasta înseamnă, de fapt, modificarea sarcinii de purtători minoritari din bază. La creşterea tensiunii u CE, corespunde creşterea pantei, deci, conform figurii 3-29, micşorarea ariei triunghiului o;w B ;n p (0), adică micşorarea sarcinii de bază. Aceasta duce la micşorarea curentului de bază. Acest efect se modelează cu un r b µ c rezistor plasat între colector şi bază, notat cu r µ., ca în figura r π + - g m be e r o Fig Modelul π-hibrid care include şi r µ Se poate arăta că: rµ > β rπ (3.114) aloarea sa fiind foarte mare, r µ se a lua în considerare numai când restul circuitului conţine rezistenţe fizice sau echialente foarte mari. 8
9 d) Rezistenţele parazite După cum se poate obsera în figura 3-15-a, între contactele terminalelor tranzistorului, din partea de sus şi partea actiă a structurii, plasată sub emitor, se înseriază porţiuni de material semiconductor, care prezintă o anumită rezistiitate. Efectul acestora se r r manifestă mai ales la curenţi mari de polarizare. alori tipice pentru aceste rezistenţe parazite, corespunzând unor b b b µ r c c tranzistoare din circuitele integrate, sunt următoarele: re 1Ω 3Ω rb notatã uneori si r x Ω (3.115) rc 20Ω 200Ω Se poate obsera, în figura 3-42 că generatorul care modelează efectul de tranzistor nu mai este comandat de întreaga tensiune aplicată la terminale, be, ci numai de partea disponibilă la nodurile interne b ' şi e '. r π + - g m b e d) Capacităţi În figura 3-43, în care se prezintă modelul π-hibrid complet al tranzistorului, apar şi trei capacităţi. Capacitatea C π include o componentă datorată sarcinii de b r x b r π + - C π e r µ C µ g m b e r o C cs r c c bază (ariaţia curentului i c ca răspuns la ariaţia tensiunii BE implică modificarea distribuţiei de purtători minoritari şi deci a sarcinii de minoritari din bază), care este, de fapt, o capacitate de difuzie. O a doua componentă a capacităţii C π o reprezintă capacitatea de barieră a joncţiunii emitoare, datorate sarcinii din regiunea de tranziţie a acestei joncţiuni. Capacitatea C µ este capacitatea de barieră a joncţiunii colectoare. Tranzistoarele npn din circuitele integrate mai sunt afectate de o capacitate parazită a joncţiunii care apare între colectorul de tip n şi substratul de tip p pe care se realizează circuitul integrat, capacitate notată cu C CS. e e r e Fig Includerea rezistenţelor parazite în modelul de semnal mic r o e Fig Modelul de semnal mic π-hibrid complet r e 9
10 Tranzistorul cu efect de camp Clasificare, simboluri Functionarea se bazeaza pe controlul conductiitatii unui canal semiconductor cu ajutorul unui camp electric orientat transersal fata de acest canal. cu canal n TEC - J (TEC cu poarta jonctiune) cu canal p TEC - MOS (TEC cu poarta izolata Metal - Oxid -Semiconductor) cu canal cu canal indus (cu imbogatire - enhancement) cu canal cu canal n cu canal initial (cu saracire- depletion) cu canal p 10 n p
11 drena i D Canal n poarta gate (grila) substrat (body) TEC-J (J-FET) sursa TEC- MOS cu canal indus (enhancement MOS-FET) TEC- MOS cu canal initial (depletion MOS-FET) D D D Canal p G G i D B G B S S S 11
12 TEC MOS cu canal n indus structura; procese fizice 12
13 GS 0 doua diode in opozitie inseriate intre drena si sursa nu circula nici un curent intre D si S daca se aplica o tensiune DS > 0 exista o regiune golita de purtatori liberi de sarcina electrica intr substratul de tip p si regiunile de tip n+ ale drenei si sursei GS > 0 potentialul poziti de pe poarta respinge golurile libere rezultand o regiune golita incarcata cu sarcina negatia a atomilor acceptori ionizati pe masura ce GS creste, sunt atrasi electroni liberi care, treptat, formeaza un strat de inersiune (mai multi electroni decat goluri) la suprafata de sub electrodul poarta (se INDUCE un canal conductor de tip n intre D si S). Acest fenomen apare daca GS > Th (tensiune de prag threshold) daca se aplica o tensiune DS > 0, a cirula un curent intre D si S prin canal 13
14 TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea de blocare GS DS < 0 Th i D 0 14
15 TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea trioda GS GS > Th EXISTA canal canalul se adanceste (R Ch ) Pt. alori mici ale tensiunii i i D D ~ R DS DS Ch ; R Ch ~ GS 1 TH DS Pentru tensiuni DS mici, tranzistorul se comporta intre drena si sursa ca un rezistor cu rezistenta controlata de tensiunea GS 15
16 S G D GS Ch (x 0 ) DS GCh (x 0 ) h Ch (x 0 ) GD DS - Ch (x 0 ) 0 x 0 L x GCh GCh GCh (x); (x) > (x) < Th Th GCh GCh (0) (L) h h Ch Ch GS GD (x) 0 (exista canal in x) (x) 0 (NU exista canal in x) DS GS - Th x In particular : DS 2 > 0 > x1 (x) GCh GD h Ch (x 2 GS GS ) < Ch h DS (x Ch 2 Ch (x ) (x) 1 ) > GD Ch < (x 1 GS ) GCh (x 2 h ) < Ch GCh (L) < (x h 1 Ch ) (0) DS h GD Ch GS Th (L) 0 Th 16
17 17 > DSsat Th GS DS Th GS ( ) [ ] n C ox KP ; 2 KP L W K 2 DS DS Th GS D 2 K i µ
18 i D K TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea de saturatie (actia) Reg. trioda GS DS DSsat 2 [ 2 ( ) ] GS > GS Th Th Th DS DS Reg. saturata (actia) GS DS > Th > GS Th DSsat La limita, DS DSsat GS Th i D sau i D K K ( ) GS 2 DS Th 2 Pt. DS > DSsat curentul i D ramane constant, egal cu aloarea de la limita regiunii trioda. Electronii sunt transportati de la arful canalului la drena sub actiunea campului electric din aceasta regiune. 18
19 Reg. saturata (actia) GS DS > > Th GS Th DSsat i D K ( ) 2 GS Th Regiune in care panta scade datorita cresterii rezistentei canalului cu DS Regiune aproape liniara cu panta proportionala cu ( GS Th ) Curentul se satureaza deoarece canalul este strangulat in dreptul drenei si DS nu mai afecteaza canalul 19
20 20 ( ) Th GS DS DS D K i 2 Th GS 2 > > DSsat Th GS DS Th GS ( ) 2 Th GS D K i
21 21 21
22 22 22
23 2323
24 GS DS > > Th GS Th DSsat Efectul modularii lungimii canalului i r D o K 1 λ I 2 ( ) ( 1+ λ ) D GS I A D Th DS 24
25 TEC MOS cu canal n initial structura; regiuni de functionare Exista canal (I D > 0) chiar si la GS 0; pentru a anula canalul tebuie aplicata o tensiune GS negatia. Deci tensiunea de prag este negatia ( Th < 0) 25
26 Conditiile care definesc regiunile de functionare si expresiile marimilor electrice asociate acestora raman IDENTICE cu cele de la TEC MOS cu canal n indus; Tensiunea de prag este insa negatia ( Th < 0). Reg. blocare Reg. trioda GS DS GS > TH GS TH Reg. saturata (actia) I GS DS DSS Th i > > D I D 0 i TH GS D (0) K Th K [ ] 2 2 i 2 Th ( ) D GS K Th ( ) GS DS Th 2 DS 26
27 TEC-J cu canal n structura; regiuni de functionare Canalul este delimitat de 2 jonctiuni pn polarizate iners ( GS < 0); modificarea tensiunii GS determina ariatia extinderii regiunilor de tranzitie ale jonctiunilor si deci controleaza adancimea canalului. Conditiile care definesc regiunile de functionare si expresiile marimilor electrice asociate acestora raman IDENTICE cu cele de la TEC MOS cu canal n indus si TEC MOS cu canal n initial; Tensiunea de prag este negatia ( Th < 0), ca si la TEC MOS cu canal n initial. TEC-J cu canal n functioneaza NUMAI la GS < 0 (altfel s-ar polariza direct jonctiunile si i G ar deeni foarte mare 27
28 Comparatie intre cele 3 tipuri de TEC cu canal n caracteristica de transfer in regiunea saturata 28
29 TEC cu canal p Toate inegalitatile care definesc regiunile de functionare si toate expresiile marimilor electrice asociate raman IDENTICE cu cele de la TEC cu canal n DACA SE OPEREAZA TRANSFORMARILE : GS SG DS SD Th Th sensul de referinta al i D se inerseaza 29
30 Caracteristicile de transfer in regiunea saturata pentru TEC cu canal p si canal n 30
31 Structura CMOS 31
32 32
33 33 33
34 34 34
35 3535
36 36
37 Capitolul al n-lea Circuite de polarizare n.1 Definitii; probleme specifice Pentru prelucrarea de semnale ariabile, aceste semnale trebuie spuprapuse peste componente continue care să stabilească punctul static de funcţionare într-o regiune conenabilă a caracteristicii dispozitiului utilizat. POLARIZARE totalitatea tehnicilor de circuit prin care se stabileşte un anumit punct static de funcţionare pentru un dispoziti 37
38 U BC I B I C U CE I G GD I D DS U BE I E GS I S IE IC + IB U U + U CE BC BE IC IS e IC β I B U BE T IS I I D G DS I D + I K 0 G GD + GS ( ) GS Th 2 PSF ( ) PSF ( ) I C, U CE I D, DS 38
39 n.2 Circuite de polarizare realizate cu componente discrete pentru tranzistorul bipolar cu jonctiuni Circuitul simplu de polarizare R B I B U BE R C I C Q (a) U CE CC R B DI U D I B U BE R C β I B I C (b) U CE CC I B CC I C U CC D U R B R D B I B ; dacã β I β B CC CC R B > U U D D CC R C I C + U CE U CE CC R C β CC U R B D 39
40 Circuitul de polarizare cu rezistor in emitor 40
41 Proiectarea pentru stabilitate specificată a punctului static de funcţionare I T T CC UD ( TMIN ) C( MIN) β( MIN) RB + [ β( TMIN) + 1] RE U T IC( TMAX) ( T CC D ( MAX ) β MAX) R + [ β( T ) + 1] R B MAX E U CE Circuitul de polarizare cu rezistor in emitor ( T ) MAX CC R C + β ( TMAX ) + β( T ) MAX 1 R E I C ( T ) MAX 41
42 Circuitul de polarizare cu diizor de tensiune în bază şi rezistor în emitor R B1 R B2 I B U BE I C R C U CE R E I E CC I B D C β RB + ( β + 1) RE β U R R I β CE CC C E C R B1 R B R B1 R B2 B CC R B2 /(R B1 +R B2 ) I C R C CC R B R B I B U CE CC R B2 B B U BE R E I E 42
43 n.3 Circuite de polarizare realizate cu componente discrete pentru tranzistorul cu efect de camp 43
44 n.4 Circuite de polarizare specifice circuitelor integrate analogice 44
45 Oglinda de curent simplă Surse de curent cu TBJ I REF I O I C2 I BE1 BE2 C1 I C2 I C2 I B1 I B2 Q 1 Q 2 A 2 A I 2 I Q1 Q2 S1 S2 ic IS e BE T BE1 BE2 ( β ) I I 1 + 2I βi + 2I + 2 I REF C B B B B IC 2 I 1 C2 I O β I β + 2 REF β I I I O C2 β B I O β I B 0 I REF 45
46 Oglinda de curent simplă Rezistenta de iesire i C BE4 BE3 BE2 BE1 - A 0 CE b i b r π + - g m be i c r o c r o I A C i e e 46
47 Oglinda de curent simplă Rezistenta de iesire 47
48 Structură de polarizare care realizează rapoarte între curenţi Q 5 Q CC - I REF I 2 I REF /2 I 3 3 I REF /2 I 4 I 6 I 4 I REF Q 3 Q 4 Q 1 Q 2 + EE - 48
49 Surse de curent cu TEC Oglinda de curent simplă 49
50 Etaje elementare de amplificare 1 Etaje elementare de amplificare cu tranzistoare bipolare cu jonctiuni Deoarece tranzistorul bipolar cu joncţiuni are trei terminale, unul dintre acestea a fi comun intrării şi ieşirii. Se or deosebi trei conexiuni elementare: - emitor comun (EC); -bază comună (BC); - colector comun (CC). Identificarea conexiunii se referă la regimul ariabil şi, în consecinţă, se a realiza utilizând o schemă echialentă în regim ariabil. În curent continuu nu este obligatoriu să existe un terminal la masă. Analiza etajelor elementare se a efectua în bandă, utilizînd modelul π-hibrid simplificat. Se or urmări câţia dintre parametrii caracteristici amplificatoarelor, cum ar fi: amplificarea de tensiune, rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire. 50
51 R g g R i i C B Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea emitor comun R B1 R B2 R E R C Q C E C L o R o R L + CC - I B UB C RB + ( β + 1) RE β U R R I β CE CC C E C B CC R R R // R R B B1 B2 B2 + R B1 B2 Punctul static de functionare R B1 R B2 I B U BE I C R C I E Q R E U CE CC 51
52 R g R i i C B R B1 R B2 R C Q C L o R o R L + CC - g R g R i i R B Q R C R o R L o a o i g R E C E R B R B1 R B2 R L R C R L g R g R i R it b i R B + r π c R ot - e g m be R C R L R o R L o g r m π I β g C m T Amplificarea de tensiune ( ) o gm be RC // RL a o gm R be i ' i L 52
53 g R g R i R it b i R B + r π c R ot - e g m be R C R L R o R L o g r m π I β g C m T Ri RB// RiT Rezistenta de intrare t R i t it i t t + r π - g m be R it T r π i t Ri RB// r π 53
54 g R g R i R it b i R B + r π c R ot - e g m be R C R L R o R L o g r m π I β g C m T R ot R o i t t Rezistenta de iesire R g R B + r π - g m be R C i t t R o t i t R C 54
55 R g g R i I i C B C Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea colector comun (repetor pe emitor) R B1 R B2 β R R E B B CC R R R // R Q C L ( β 1) o B UD + + R R B B1 B2 B2 + R B1 B2 + CC - R o E R L Punctul static de functionare R B1 R B2 I B U BE I C I E Q R E U CE CC β U R I + 1 I R β CE CC E E CC C E 55
56 Amplificarea in tensiune g R g R i i R it R B Q R o R ot R i R g R it b g i R B + r π - e c g m be R o R B R B1 R B2 R E R L o R ot R L R L (a) R E R L o (b) o ie RE RL ib + ic RE RL + r ( // ) ( ) ( // be ) g ( R // R ) 1 g r + m π 1 R R + β r r π m be E L ( // ) ( R // R ) be E L be E l π π 56
57 Amplificarea in tensiune g R g R i i R it R B Q R o R ot R i R g R it b g i R B + r π - e c g m be R o R B R B1 R B2 R E R L o R ot R L R L (a) R E R L o (b) i be + o ( β ) ( // ) β rπ RE R i be be ( RE // RL) r r π π L be 57
58 Amplificarea in tensiune a o i ( β + 1) ( RE // RL) + ( β + 1) ( // ) r R R π E L r π ( β + 1) ( β 1) R ' L + + R ' L Rezistenta de intrare i t R it be it rπ g g rπ i β i m be m t t t + r π - g m be R LR E R L R it ( ) ' ' t be L e t L t + R i rπ i + R β + 1 i i t π t r + ( ) ' β + 1 R L Ri RB// RiT 58
59 Rezistenta de iesire R g Ro RE // RoT R B + r π - g m be R ot t i t 1+ R 1 r π g + // R r π g m B i t be i t + + rπ t be g R ot t m r be π be 0 ( R // R ) g B ( ) r + ( R R ) g // B π g // B rπ + R R 1+ g r 1+ β R o m R E π // ( ) g// B r + R R π β
60 g R g R g Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea baza comuna R i C E i R E R B R i R it Q Q R o R C L C R B1 I C R B R L I B o C B R B2 U BE CC RoT R o R C Q I E U CE R E CC g i R E R C R L o R L g R g R i i R it g m be RoT R o e - c R E r π R C + R L o b 60
61 g R g R i i R it g m be RoT R o e - c R E r π R C + R L o b Amplificarea in tensiune ( R // R ) g g R be i ' o C L m be m be L a o gm R i ' L 61
62 i t t R it g m be - r π + R L Rezistenta de intrare i t + be r be π + g t m be 0 Ri RiT // RE i t t 1 gm r + gm t + π 1 t + β r r r π π π t R it t rπ i β + 1 t Rezistenta de iesire R g R E - r π + R ot g m be R C R o i t t i t t R o R C 62
63 Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea emitor comun cu rezistenta de emitor nedecuplata R g R i i C B R B1 R B2 R C Q C L o R o R L + CC - g R g R i i R it R B Q R ot R o R C R L o g R E R E R g R i R it R ot R o g R B i + r π - g m be R E R C R L R L o 63
64 R g R i R it R ot R o g R B i + r π - g m be R E R C R L R L o Amplificarea in tensiune o i g be m be + r be π R ' L + g m be R E a o i g m R 1+ gm r 1+ r π ' L π R E r π + β R ' L ( β + 1) R E a R R ' L E 64
65 Rezistenta de intrare i t R it t + r π - g m be R L Ri RB // RiT be it rπ g g rπ i β i m be m t t R E ( ) i rπ + β + 1 R t t E Rezistenta de iesire R ot R o R C R it t rπ + ( β + 1) R i t E 65
66 2 Etaje elementare de amplificare cu tranzistoare cu efect de camp Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu canal p initial în conexiunea sursa comuna 66
67 67
68 Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu canal n indus în conexiunea poarta comuna 68
69 Etaj elementar de amplificare cu TEC-J cu canal n în conexiunea drena comuna (repetor pe sursa) 69
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Διαβάστε περισσότερα1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea activă normală
1 1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea actiă normală Se a considera cazul unui tranzistor npn. Funcţionarea tranzistorului pnp este principial aceeaşi dacă se
Διαβάστε περισσότερα10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
Διαβάστε περισσότερα(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector
Διαβάστε περισσότερα4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
Διαβάστε περισσότεραAnaliza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Διαβάστε περισσότερα1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
Διαβάστε περισσότεραV O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
Διαβάστε περισσότεραCurs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
Διαβάστε περισσότεραL2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural
Διαβάστε περισσότερα4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA
Διαβάστε περισσότεραFig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie
Διαβάστε περισσότεραExemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE 6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITĂŢI
CATOLUL 6. TAZTOAE UOLAE 6.1. TAZTOAE UOLAE EEALTĂŢ pre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare utilizează un singur tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri) care circulă
Διαβάστε περισσότεραLUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
Διαβάστε περισσότεραPolarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
Διαβάστε περισσότεραProblema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS.
Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS. Circuitele integrate MOS au fost realizate la inceput in tehnologia PMOS, datorita predictibilitatii tensiunii de prag pentru acest tip de tranzistoare. Pe
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni
apitolul 3 3. TRANZTORUL POLAR U JONŢUN Tranzistoarele reprezintă cea mai importantă clasă de dispozitive electronice, deoarece au proprietatea de a amplifica semnalele electrice. În funcţionarea tranzistorului
Διαβάστε περισσότερα5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)
ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic
Διαβάστε περισσότεραFigura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..
I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
Διαβάστε περισσότεραa. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR. La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie.
TANZISTOUL IPOLA La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie. două diode În partea de jos avem o zonă de semiconductor de tip n cu un contact metalic,
Διαβάστε περισσότερα(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 7. Polarizarea tranzistorului bipolar
Scopul lucrării a. Introducerea unor noţiuni elementare despre funcţionarea tranzistoarelor bipolare b. Identificarea prin măsurători a regiunilor de funcţioare ale tranzistorului bipolar. c. Prezentarea
Διαβάστε περισσότερα2.3. Tranzistorul bipolar
2.3. Tranzistorul bipolar 2.3.1. Structură şi simboluri Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din 3 straturi de material semiconductor şi are trei electrozi conectati la acestea. Construcţia şi
Διαβάστε περισσότεραElectronică anul II PROBLEME
Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice
Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real este activ (amplifică)precum şi a unor
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS
Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii
Διαβάστε περισσότεραLucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
Διαβάστε περισσότεραCircuite Integrate Analogice Celule fundamentale
ircuite Integrate Analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS Facultatea de Electronică Telecomunicații și Tehnologia Informației Doris sipkes Departamentul Bazele Electronicii Din conținut...
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Διαβάστε περισσότεραOvidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
Διαβάστε περισσότεραI C I E E B C V CB V EB NAB N DE. b x LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR. 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional
LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional Tranzistorul bipolar (TB) convenţional reprezintă un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, a cărui funcţie principală
Διαβάστε περισσότεραElectronică Analogică. 5. Amplificatoare
Electronică Analogică 5. Amplificatoare 5.1. Introducere Prin amplificare înţelegem procesul de mărire a valorilor instantanee ale unei puteri sau ale altei mărimi, fără a modifica modul de variaţie a
Διαβάστε περισσότεραMetode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
Διαβάστε περισσότερα11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul
Διαβάστε περισσότεραPlanul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
Διαβάστε περισσότερα11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.
Διαβάστε περισσότεραCurs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele
Διαβάστε περισσότεραCurs 4 Serii de numere reale
Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni
Διαβάστε περισσότερα5. TRANZISTOARE UNIPOLARE (cu efect de câmp)
5 TRANZISTOARE UNIOLARE (cu efect de câmp) 5 NOŢIUNI INTROUCTIE Apariţia tranzistoarelor cu efect de câmp (al căror principiu de funcţionare a fost propus de W Shockley încă din 95) a constituit la vremea
Διαβάστε περισσότεραi R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2
TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare
Διαβάστε περισσότερα3 TRANZISTORUL BIPOLAR
S.D.Anghel - azele electronicii analogice şi digitale 3 TRANZSTORUL POLAR William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956 împreună cu J. ardeen şi W.H rattain. Au pus la punct tehnologia
Διαβάστε περισσότεραDispozitive electronice de putere
Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă
Διαβάστε περισσότερα7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE
7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7.1. GENERALITĂŢI PRIVIND AMPLIFICATOARELE DE SEMNAL MIC 7.1.1 MĂRIMI DE CURENT ALTERNATIV 7.1.2 CLASIFICARE 7.1.3 CONSTRUCŢIE 7.2 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
Διαβάστε περισσότεραAnaliza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener
Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener 1 Caracteristica statică a unei diode Zener În cadranul, dioda Zener (DZ) se comportă ca o diodă redresoare
Διαβάστε περισσότερα4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Διαβάστε περισσότεραEtaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode conectate în serie Etaj de deplasare a nivelului de curent
Cuprins CAPITOLL 3 STRCTRA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE...5 3. Introducere...5 3. SRSE DE CRENT CONSTANT...5 3.. Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare...53 3... Configuraţia
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes
Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar aracteristici statice Determinarea unor parametri de interes A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real
Διαβάστε περισσότεραa) b) c) Fig Caracteristici de amplitudine-frecvenţă ale amplificatoarelor.
Clasificarea amplificatoarelor Amplificatoarele pot fi comparate după criterii diverse şi corespunzător există numeroase variante de clasificare ale amplificatoarelor. În primul rând, dacă pot sau nu să
Διαβάστε περισσότεραFENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
Διαβάστε περισσότεραa n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea
Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,
Διαβάστε περισσότεραExamen. Site Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate
Curs 12 2015/2016 Examen Sambata, S14, ora 10-11 (? secretariat) Site http://rf-opto.etti.tuiasi.ro barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate min. 1pr. +1pr. Bonus T3 0.5p + X Curs 8-11 Caracteristica
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM CONTINUU
Lucrarea nr 2 TRANZISTORUL IPOLAR ÎN REGIM ONTINUU uprins I Scopul lucrării II Noţiuni teoretice III Desfăşurarea lucrării IV Temă de casă V Simulări VI Anexă 1 I Scopul lucrării Ridicarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραEtaj de amplificare elementar cu tranzistor bipolar în conexiune colector comun (repetorul pe emitor)
taj de amplificare elementar cu tranzistor bipolar în conexiune colector comun (repetorul pe emitor) Circuitul echivalent natural π - hibrid (Giacoletto)... taj de polarizare cu TB in conexiune colector
Διαβάστε περισσότεραPlatformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic
Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic Elemente de Electronică Analogică 35. Stabilizatoare de tensiune integrate STABILIZATOARE DE TENSIUNE INTEGRATE Stabilizatoarele
Διαβάστε περισσότεραCOMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραCircuite Integrate Analogice
Circuite integrate analogice I. Circuite fundamentale Cuprins 1 Tranzistoare MOS şi bipolare 3 1.1 Tranzistoare bipolare....................... 3 1.1.1 Generalitǎţi........................ 3 1.1.2 Funcţionarea
Διαβάστε περισσότεραMARCAREA REZISTOARELOR
1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE. MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit CUPRINS 1. Avantajele si limitarile MMIC 2. Modelarea dispozitivelor active 3. Calculul timpului de viata al MMIC
Διαβάστε περισσότεραAMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN
AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN Montajul Experimental În laborator este realizat un amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune cu emitorul comun (E.C.) cu o singură
Διαβάστε περισσότερα2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC
Lucrarea nr.6 AMPLIFICATOAE DE SEMNAL MIC 1. Scopurile lucrării - ridicarea experimentală a caracteristicilor amplitudine-frecvenţă pentru amplificatorul cu cuplaj C şi amplificatorul selectiv; - determinarea
Διαβάστε περισσότεραElemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer.
Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer. Scopul lucrării: Învăţarea folosirii osciloscopului în mod de lucru X-Y. Vizualizarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραStabilizator cu diodă Zener
LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator
Διαβάστε περισσότεραV.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile
Metode de Optimizare Curs V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Propoziţie 7. (Fritz-John). Fie X o submulţime deschisă a lui R n, f:x R o funcţie de clasă C şi ϕ = (ϕ,ϕ
Διαβάστε περισσότεραAparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1
Aparate de măsurat Măsurări electronice Rezumatul cursului 2 MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 1. Aparate cu instrument magnetoelectric 2. Ampermetre şi voltmetre 3. Ohmetre cu instrument magnetoelectric
Διαβάστε περισσότερα7 AMPLIFICATORUL OPERAŢIONAL
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice şi digitale 7 AMPLIFICATOUL OPEAŢIONAL 7. Electronica amplificatorului operaţional 7.. Amplificatorul diferenţial Amplificatorul operaţional (AO) este un circuit
Διαβάστε περισσότεραAmplificatoare liniare
mplificatoare liniare 1. Noţiuni introductie În sistemele electronice, informaţiile sunt reprezentate prin intermediul semnalelor electrice, care reprezintă mărimi electrice arible în timp (de exemplu,
Διαβάστε περισσότεραAplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Διαβάστε περισσότεραCuprins Introducere Lucrarea I. Simularea funcţionării circuitelor elementare cu amplificatoare operaţionale
Cuprins Introducere Lucrarea I. Simularea funcţionării circuitelor elementare cu amplificatoare operaţionale.. Introducere teoreticǎ... Amplificator inversor..2. Configuraţie inversoare cu amplificare
Διαβάστε περισσότεραCurs 1 Şiruri de numere reale
Bibliografie G. Chiorescu, Analiză matematică. Teorie şi probleme. Calcul diferenţial, Editura PIM, Iaşi, 2006. R. Luca-Tudorache, Analiză matematică, Editura Tehnopress, Iaşi, 2005. M. Nicolescu, N. Roşculeţ,
Διαβάστε περισσότεραIII. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă.
III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. Definiţie. O serie a n se numeşte: i) absolut convergentă dacă seria modulelor a n este convergentă; ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar
Διαβάστε περισσότεραSTABILIZATOARE DE TENSIUNE REALIZATE CU CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE
Cuprins CAPITOLL 8 STABILIZATOARE DE TENSINE REALIZATE C CIRCITE INTEGRATE ANALOGICE...220 8.1 Introducere...220 8.2 Stabilizatoare de tensiune realizate cu amplificatoare operaţionale...221 8.3 Stabilizatoare
Διαβάστε περισσότεραMONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ
DCE I Îndrumar de laorator Lucrarea nr. 5 MONTAJU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ I. Scopul lucrării II. Noţiuni teoretice III. Desfăşurarea lucrării IV. Temă de casă V. Simulări VI. Anexă DCE I Îndrumar de
Διαβάστε περισσότεραL1. DIODE SEMICONDUCTOARE
L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare. Rezultatele fiind comparate cu relaţiile analitice teoretice. Este
Διαβάστε περισσότεραCircuite electrice in regim permanent
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme apitolul. ircuite electrice in regim permanent. În fig. este prezentată diagrama fazorială a unui circuit serie. a) e fenomen este
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune
ucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune Scopul lucrării - studiul funcţionării diferitelor tipuri de stabilizatoare de tensiune; - determinarea parametrilor de calitate ai stabilizatoarelor analizate;
Διαβάστε περισσότεραFig Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30].
Fig.3.43. Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30]. Fig.3.44. Dependenţa curentului de fugă de raportul U/U R. I 0 este curentul de fugă la tensiunea nominală
Διαβάστε περισσότεραRĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,
REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii
Διαβάστε περισσότεραCurs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"
Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia
Διαβάστε περισσότερα3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE.
3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE. 3.5.1 STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU AMPLIFICATOARE OPERAȚIONALE. Principalele caracteristici a unui stabilizator de tensiune sunt: factorul de stabilizare
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 9. Analiza în regim variabil de semnal mic a unui circuit de amplificare cu tranzistor bipolar
Scopul lucrării: determinarea parametrilor de semnal mic ai unui circuit de amplificare cu tranzistor bipolar. Cuprins I. Noţiuni introductive. II. Determinarea prin măsurători a parametrilor de funcţionare
Διαβάστε περισσότεραDISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE
DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:
Διαβάστε περισσότεραSeminar electricitate. Seminar electricitate (AP)
Seminar electricitate Structura atomului Particulele elementare sarcini elementare Protonii sarcini elementare pozitive Electronii sarcini elementare negative Atomii neutri dpdv electric nr. protoni =
Διαβάστε περισσότεραSTRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE
3 STRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE 31 Structura TTL standard Familia circuitelor integrate TTL (Transistor Transistor Logic) a fost creată de Texas Instruments şi standardizată în anul 1964 Circuitele integrate
Διαβάστε περισσότεραa. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 %
1. Un motor termic funcţionează după ciclul termodinamic reprezentat în sistemul de coordonate V-T în figura alăturată. Motorul termic utilizează ca substanţă de lucru un mol de gaz ideal având exponentul
Διαβάστε περισσότεραVII.2. PROBLEME REZOLVATE
Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea
Διαβάστε περισσότεραDispozitive Electronice şi Electronică Analogică Suport curs 01 Notiuni introductive
1. Reprezentarea sistemelor electronice sub formă de schemă bloc În figura de mai jos, se prezintă schema de principiu a unui circuit (sistem) electronic. sursă de energie electrică intrare alimentare
Διαβάστε περισσότεραDioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă
Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 10 Etaje cu două tranzistoare
Lucrarea Nr. 0 Etaje cu două tranzistoare. Polarizarea în RAN A.Scopul lucrării - Determinarea unor PSF-uri optime pentru tranzistoarele etajului - Obervarea influenţei neîmperecherii tranzistoarelor în
Διαβάστε περισσότερα