Circuite Integrate Analogice Celule fundamentale
|
|
- Ευμελια Αξιώτης
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ircuite Integrate Analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS Facultatea de Electronică Telecomunicații și Tehnologia Informației Doris sipkes Departamentul Bazele Electronicii
2 Din conținut... joncțiunea pn modelul semiconductoarelor cu benzi energetic polarizarea, concentrații ale purtătorilor, capacitățile de joncțiune, curentul tranzistoare bipolare modelul cu benzi energetice, funcționare și polarizare pașii de fabricație și structura fizică modelul de semnal mare, regimuri de funcționare și caracteristici modelul de semnal mic și parametrii specifici tranzistoare MOS cu canal indus pașii de fabricație și structura fizică polarizarea si regimuri de funcționare modelul de semnal mare modelul de semnal mic și parametrii săi capacitățile parazite ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 2
3 Joncțiunea pn semiconductoare intrinseci și dopate joncțiunea pn = alăturarea metalurgică a două materiale semiconductoare dopate complementar p și n doparea de tip p un semiconductor intrinsec (ex. Si) dopat cu impurități acceptoare coloana 3 din tabelul periodic exces de goluri doparea de tip n un semiconductor intrinsec (ex. Si) dopat cu impurități donoare coloana 3 din tabelul periodic exces de goluri funcționarea depinde de modelul cu benzi energetice f distribuția Fermi-Dirac ( E) 1 F EE F kt 1 e ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 3
4 Joncțiunea pn semiconductoare intrinseci și dopate doparea modifică modelul cu benzi energetice a semiconductoarelor intrinseci banda interzisă efectivă scade și deplasarea nivelului Fermi faciliteză formarea de purtători liberi conducția la temperaturi >0K electronii se pot deplasa in banda de conducție sau golurile în banda de valență purtători de sarcină mobili curent de conducție ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 4
5 Joncțiunea pn nepolarizată modelul cu benzi energetice V N N n ln A D joncțiunea pn in echilibru nepolarizată potențialul intrinsec: 0 T 2 i ioni pozitivi și negativi câmp electric intern care accelerează purtătorii liberi prin limita dintre materiale difuzie de purtători recombinarea elecroni-goluri până neutralitatea sarcinilor este atinsă și câmpul electric intern este compensat regiunea de golire la limita dintre materialele cu ioni, dar fără purtatători liberi izolare efectivă între materialele de tip p și n ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 5
6 Joncțiunea pn polarizată polarizare inversă polarizarea întărește câmpul electric intern, regiunea de golire se lățește și bariera de potențial crește curent zero polarizare directă polarizarea compensează câmpul electric intern, regiunea de golire se îngustează și bariera de potențial scade difuzia purtătorilor și curent prin joncțiune ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 6
7 Joncțiunea pn capacități și curenți semiconductoarele dopate împreună cu regiunea de golire condensator j0 depinde de concentrația dopantului și de constante de material j j0 VD 1 0 capacitatea joncțiunii nepolarizate tensiune de polarizare potențial intrinsec curentul prin joncțiune determinat din ecuația difuziei ID IS e V nv D T 1 I S curent de saturație dependent de temperatură V T tensiunea termică n coeficientul de gradare a joncțiunii (=1 la joncțiuni abrupte) ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 7
8 Tranzistoare bipolare tranzistor bipolar = alăturarea a două joncțiuni pn astfel încât unul din materiale să fie folosit la comun dispozitiv cu 3 terminale controlate în curent: emitor (E) sursa purtătorilor baza (B) controlează fluxul de purtători și implicit curentul colector () capturează purtătorii și îi elimină din dispozitiv npn sau pnp depinde de tipul de dopant doar cazul npn e discutat, pnp e similar având tensiunile de polarizare și curenții negativi substratul este uneori lăsat neconectat tensiunea controlată prin proiectare ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 8
9 Tranzistoare bipolare tranzistor npn nepolarizat în echilibru joncțiunile și modelul său cu benzi energetice EBE EB nivelul Fermi este identic pentru toate cele trei straturi ambele joncțiuni sunt neutre dpv electric cu potențial intrinsec și câmp electric propriu regiuni de golire la limita ambelor joncțiuni bariere de potential curent zero dispozitivul necesită polarizare tensiuni corespunzătoare aplicate la terminale ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 9
10 Tranzistoare bipolare - polarizarea joncțiunea B polarizată invers regiunea de golire se lățeste electronii minoritari din bază sunt atrași de potențialul pozitiv al colectorului migrația de la B la bariera de potențial B oprește difuzia electronilor câtre B de unde vin electronii minoritari din bază?? juncțiunea BE polarizată direct regiunea de golire scade permite o concentrație mai mare de electroni în B electronii migrează de la E la curentul are sensul de la la E ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 10
11 Tranzistoare bipolare sensul curenților nu toți electronii din bază ajung în colector tipic ~1% sunt eliminați prin terminalul bazei curentul de bază nu este zero câștig de curent (β) curentul este asociat cu mișcarea golurilor sensul curentului este opus cu mișcarea electronilor săgeata din emitor arată sensul curentului condiții adecvate de polarizare IE I B I I I B V V V E BE B ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 11
12 Tranzistoare bipolare pași de fabricație simplificați pași succesivi de mascare, formare,gravură, implantare de ioni și creștere epitaxială exemplu: tranzistor npn vertical Pasul 1: implantarea stratului îngropat de n + pe un substrat p slab dopat Pasul 2: creștere epitaxială n pentru contactul vertical de colector ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 12
13 Tranzistoare bipolare pași de fabricație simplificați Pasul 3: implantarea regiunilor p + difuzia bazei și izolarea dispozitivelor adiacente B B Alternativă la izolarea dispozitivelor adiacente gravarea unor adâncituri în stratul epitaxial și umplerea cu izolator ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 13
14 Tranzistoare bipolare pași de fabricație simplificați Pasul 4: implantarea regiunilor n + zona emitorului și conexiunea verticală de colector B E B E Joncțiunile sunt create într-o configurație verticală tranzistor npn vertical ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 14
15 Tranzistoare bipolare pași de fabricație simplificați Pasul 5: contactele metalice și pasivizarea suprafeței cu SiO 2 tranzistorul final ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 15
16 Tranzistoare bipolare modelul de semnal mare definirea curentului de colector ca o funcție de tensiunile de polarizare, gradienți de concentrație și constante de material Electronii minoritari difuzați din E în B: np (0) np0 e x Gradientul de recombinare în B: np ( x) np (0) 1 W VBE qae Dnn p0 VT urentul de colector: I AE J n e WB curent de saturație I S V V B BE T I I e S dnp ( x) np (0) dx W V V BE T B ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 16
17 Tranzistoare bipolare efectul Early potențialul de colector modulează lățimea regiunii de golire B lățimea efectivă a bazei se schimbă I V V W V W V V W V I S VBE VBE qa D n qa D n E n p0 V E n p 0 T V W T B I W B e e 2 E E B ( E ) B ( E ) E B E 1 V V EA V EA tensiunea Early I V I V I V E VE E EA termenul de corecție a curentului * V I I I I V 1 E EA I * I e S V V BE T V 1 V E EA ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 17
18 Tranzistoare bipolare saturația V E =V BE +V B daca V E <V BE V B <0 joncțiunea B este polarizată direct lățimea regiunii de golire B scade migrație de purtători de în B ambele joncțiuni BE și B injectează purtători în bază datorită concentrației mari de purtători în bază câștigul de curent β nu mai este relevant curentul de bază crește semnificativ în practică V E nu poate fi prea mic polarizarea! I B I ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 18
19 Tranzistoare bipolare caracteristici dependența neliniară a curentului de colector I cu V BE și V E : caracteristica de transfer are semnificație doar în RAN caracteristica de ieșire o familie de curbe dependente de V BE definește regimurile de funcționare (saturația si RAN) aracteristica de transfer I f V BE V ct E I I e S V V BE aracteristica de ieșire I f V E V ct BE T V 1 V E EA OP OP ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 19
20 semnal mic= variații infinitezimale ale tensiunilor și curenților curentul de colector neliniar este liniarizat în jurul PSF Modelul de semnal mic ST Important: parametrii de semnal mic sunt dependenți de PSF!!! r g BE m VBE 1 1 I I B 1 I B V V BE V BE BE g I V T V 1 I ISe 1 V V V V E E EA T T m rezistența bază-emitor de semnal mic, sute de kω transconductanța de semnal mic, ms panta carecteristicii de transfer în jurul PSF r E VE 1 1 VBE I I IS VT V e E V EA V I EA resistența colector-emitor de semnal mic, sute de kω inversul pantei caracteristicii de ieșire în RAN ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 20
21 Modelul de semnal mic și înaltă frecvență include efectele capacităților parazite și rezistențele serie ale terminalelor r B, r, r E rezistențe asociate cu contactele B, si E S capacitate de jonctiune colector-substrat (o funcție de tensiunea V S ) B capacitate de tip joncțiune bază-colector BE capacitate parazită bază-emitor : BE BE dep BEdiff capacitate de joncțiune bază-colector capacitate de difuzie BE datorată deplasării sarcinii ca un efect al modificării tensiunii V BE ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 21
22 Modelul de semnal mic și înaltă frecvență capacitățile β dependent de frecvență β(s) determină răspunsul în frecvență i gmvbe 1 1 vbe ib rbe sbe s B 0 ( s) 1 s rbe BE B colectorul la masă, rezistențele contactelor de și E se neglijează f T frecvența de tranzit ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 22
23 Tranzistoare MOS cu canal indus tranzistoare MOS cu canal indus (Metal-Oxide-Semiconductor) = dispozitiv cu 4 terminale controlat în tensiune: sursa (S) sursa purtătorilor majoritari grila (G) terminal de control, izolat electric drena (D) terminal țintă pentru purtători substratul sau bulk (B) contact la dispozitie în mod explicit, care necesită polarizare tranzistor MOS cu canal-n (NMOS) sau canal-p (PMOS) depinde de tipul de semiconductor doar cazul NMOS este discutat, PMOS este similar dar are toate tensiunile de polarizare și curenții negativi analogic digital ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 23
24 Tranzistoare MOS - structura proces de fabricație n-well cu substrat p slab dopat tranzistoarele NMOS sunt realizate pe substrat, iar PMOS stau într-o covată n-well grila de polisiliciu e izolată de semiconductor de un strat subțire de izolator SiO 2 contactul de substrat (bulk) la dispoziție pentru polarizare (vezi latch-up) dispozitivele sunt izolate unele de altele (similar ca la TB) ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 24
25 Tranzistoare MOS pași de fabricație simplificați pași succesivi de mascare, formare,gravură, implantare de ioni și creștere epitaxială ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 25
26 Funcționarea structurii fizice tranzistor MOS nepolarizat joncțiunile substrat-sursă și substrat-drenă nepolarizate regiunile de golire din jurul S și D nu avem curent prin dispozitiv potențial de grilă pozitiv mai mic decât V Th electronii minoritari din substrat sunt atrași de G regiunea de golire se extinde sub grilă datoritaă recombinării electroni-goluri V GS crește peste V Th strat de inversiune (canal) sub grilă curent de purtători majoritari condiția fundamentală pentru conducție ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 26
27 tensiune V DS mică joncțiunea substrat drenă polarizată invers regiunea de golire este extinsă în jurul drenei canal asimetric purtătorii sunt accelerați spre D prin contactul ohmic S-D regim liniar (triodă) rezistența controlată în tensiune Funcționarea structurii fizice V DS V DSat regiunea de golire din jurul drenei determină întreruperea canalului (pinch-off) saturația Regimul de operare V GS V DS analul blocat < V Th înafara cazului nu contează, când se străpunge linear (triodă ) > V Th 0 < V DS < V Dsat da, pinch-off saturat > V Th V DS > V Dsat da, pinch-off ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 27 nu
28 Modelul de semnal mare modelul de semnal mare dependența curentului I D de V GS și V DS Regim liniar 2 oxw V DS I D VGS VTh VDS L 2 VDS VDSat Saturație oxw I V V 2Leff VDS VDSat 2 D GS Th µ mobilitatea purtătorilor ox capacitatea specifică a oxidului W, L lățimea și lungimea tranzistorului L eff lungimea efectivă a canalului λ coeficient de modulație a L V V V DSat GS Th Modulația lungimii canalului: L L X ( V ) eff pinch DS I pinch D I X X D I D pinch I V X V L V DS pinch DS eff DS I W I I V V V V 2 1 * D ox D D DS GS Th DS VDS 2L termen de corecție D ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 28
29 Polarizarea substratului tranzistoarele bipolare parazite și rezitențele de material într-un NMOS și PMOS adiacente crează o buclă de reacție pozitivă tiristor orice tensiune/curent nedorit poate amorsa bucla și crează un scurtcircuit între liniile de alimentare latch-up fiecare tranzistor bipolar trebuie dezactivat substratul pus la masă pentru NMOS (baza de tip p) și conectat la potențial pozitiv pentru PMOS (baza de tip n) Efectul V BS asupra tensiunii de prag: V V V 2 V 2 Th BS Th BS ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 29
30 Modelul de semnal mic în saturație variații infinitezimale ale tensiunilor și curenților curentul neliniar de drenă liniarizat în jurul PSF Important: parametrii de semnal mic sunt dependenți de PSF!!! g m I D 2I D 2LI D V V W GS DSat ox transconductanța de semnal mic, sute de µs panta caracteristicii I D (V GS ) în jurul PSF g mb I D g m V 2 V 2 BS BS 0 transconductanța de substrat, o fracțiune din g m (~ 20-25% pentru MOSFET cu canal scurt) r DS V DS 1 1 I D I I sat D VDS sat D resistența drenă-sursă, sute kω inversul pantei caracteristicii I D (V DS ) în jurul PSF în regim saturat ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 30
31 apacitățile parazite WL OLS OLD OL ox jbd BD0 1 V BD BD0 jbs BS 0 1 V BS BS 0 OLS, OLD capacități de suprapunere ale S și D jbs, jbd, jbch capacități de joncțiune sursă-substrat, drenă-substrat și canal-substrat ch capacitate grilă-canal (sau simplu capacitate de canal) depinde de regimul de funcționare Fiecare capacitate contribuie la capacitatea parazită totală dintre terminale, depinzând de regimul de funcționare. ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 31
32 Modelul de semnal mic și înaltă frecvență ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 32
33 Bibliografie B. van Zeghebroeck, Principles of Semiconductor Devices, online book, P.E. Allen, D.R. Holberg, MOS Analog ircuit Design, Oxford University Press, 2002 B. Razavi, Design of Analog MOS Integrated ircuits, McGraw-Hill, 2002 D. Johns, K. Martin, Analog Integrated ircuit Design, Wiley, 1996 ircuite integrate analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS 33
(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector
Διαβάστε περισσότερα5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Διαβάστε περισσότεραCurs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
Διαβάστε περισσότερα4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
Διαβάστε περισσότεραCircuite Integrate Analogice
Circuite integrate analogice I. Circuite fundamentale Cuprins 1 Tranzistoare MOS şi bipolare 3 1.1 Tranzistoare bipolare....................... 3 1.1.1 Generalitǎţi........................ 3 1.1.2 Funcţionarea
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS.
Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS. Circuitele integrate MOS au fost realizate la inceput in tehnologia PMOS, datorita predictibilitatii tensiunii de prag pentru acest tip de tranzistoare. Pe
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
Διαβάστε περισσότερα10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie
Διαβάστε περισσότερα4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA
Διαβάστε περισσότερα1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice
Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real este activ (amplifică)precum şi a unor
Διαβάστε περισσότεραAnaliza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes
Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar aracteristici statice Determinarea unor parametri de interes A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real
Διαβάστε περισσότερα1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni
1 2 1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni 1.3.1. Efectul Early (modularea grosimii bazei) În analiza funcţionării tranzistorului bipolar prezentată anterior, a fost
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE. MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit CUPRINS 1. Avantajele si limitarile MMIC 2. Modelarea dispozitivelor active 3. Calculul timpului de viata al MMIC
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
Διαβάστε περισσότεραV O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE 6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITĂŢI
CATOLUL 6. TAZTOAE UOLAE 6.1. TAZTOAE UOLAE EEALTĂŢ pre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare utilizează un singur tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri) care circulă
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni
apitolul 3 3. TRANZTORUL POLAR U JONŢUN Tranzistoarele reprezintă cea mai importantă clasă de dispozitive electronice, deoarece au proprietatea de a amplifica semnalele electrice. În funcţionarea tranzistorului
Διαβάστε περισσότερα1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea activă normală
1 1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea actiă normală Se a considera cazul unui tranzistor npn. Funcţionarea tranzistorului pnp este principial aceeaşi dacă se
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Διαβάστε περισσότερα2.3. Tranzistorul bipolar
2.3. Tranzistorul bipolar 2.3.1. Structură şi simboluri Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din 3 straturi de material semiconductor şi are trei electrozi conectati la acestea. Construcţia şi
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR. La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie.
TANZISTOUL IPOLA La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie. două diode În partea de jos avem o zonă de semiconductor de tip n cu un contact metalic,
Διαβάστε περισσότερα3 TRANZISTORUL BIPOLAR
S.D.Anghel - azele electronicii analogice şi digitale 3 TRANZSTORUL POLAR William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956 împreună cu J. ardeen şi W.H rattain. Au pus la punct tehnologia
Διαβάστε περισσότεραI C I E E B C V CB V EB NAB N DE. b x LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR. 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional
LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional Tranzistorul bipolar (TB) convenţional reprezintă un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, a cărui funcţie principală
Διαβάστε περισσότεραELECTRONII ÎN SOLIDE M E T A L I Z O L A T O R A T O M A T O M. E n e r g i e. n i v e l. n i v e l. b a n d a d e c o n d u c t i e g o a l a
ELECTRONII ÎN SOLIDE Se găseşte experimental şi mecanica cuantică demonstrează că într-un atom electronii au o energie bine definită, nivelele de energie. Pe un nivel de energie de tip "s" pot "încăpea"
Διαβάστε περισσότεραOvidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
Διαβάστε περισσότεραFig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
Διαβάστε περισσότεραDispozitive electronice de putere
Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si
Διαβάστε περισσότεραCOMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS
Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii
Διαβάστε περισσότεραL2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural
Διαβάστε περισσότεραa. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
Διαβάστε περισσότερα11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite
Διαβάστε περισσότερα4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (TB)
apitolul 4 Tranzistoare bipolare 4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (T) Tranzistorul este un dispozitiv electronic activ, cu trei terminale, care realizează
Διαβάστε περισσότεραElectronică anul II PROBLEME
Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le
Διαβάστε περισσότερα5. TRANZISTOARE UNIPOLARE (cu efect de câmp)
5 TRANZISTOARE UNIOLARE (cu efect de câmp) 5 NOŢIUNI INTROUCTIE Apariţia tranzistoarelor cu efect de câmp (al căror principiu de funcţionare a fost propus de W Shockley încă din 95) a constituit la vremea
Διαβάστε περισσότεραPolarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3. Modele SPICE ale tranzistoarelor bipolare
apitolul 3. Modele SPE ale tranzistoarelor bipolare 3.1. Descrierea unui tranzistor bipolar în SPE Tranzistoarele bipolare reprezintă dispozitive de referinţă pentru domeniul ircuitelor ntegrate Analogice.
Διαβάστε περισσότεραSeminar electricitate. Seminar electricitate (AP)
Seminar electricitate Structura atomului Particulele elementare sarcini elementare Protonii sarcini elementare pozitive Electronii sarcini elementare negative Atomii neutri dpdv electric nr. protoni =
Διαβάστε περισσότεραGrafica Asistata de Calculator
Laborator 1. Prezentarea tematicii laboratorului Scopul lucrării - Deprinderea noţiunilor teoretice de protecţia muncii şi prevenire a incendiilor; - Cunoaşterea şi recunoaşterea simbolurilor elementelor
Διαβάστε περισσότερα4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRATĂ
4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRTĂ În prezent, circuitele logice se realizează în exclusivitate prin tehnica integrării monolitice. În funcţie de tehnologia utilizată, circuitele logice integrate
Διαβάστε περισσότεραMODEL COMPACT PENTRU TRANZISTOARE MOS SUBMICRONICE PENTRU APLICATII ANALOGICE. Gheorghe Brezeanu, Andrei Sevcenco
MODEL COMPACT PENTRU TRANZISTOARE MOS SUBMICRONICE PENTRU APLICATII ANALOGICE Gheorghe Brezeanu, Andrei Sevcenco Facultatea de Electronica, Telecomunicatii şi Tehnologia Informației Universitatea POLITEHNICA
Διαβάστε περισσότεραStabilizator cu diodă Zener
LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Διαβάστε περισσότεραExemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Διαβάστε περισσότεραLucrarea de laborator nr. 4
Lucrarea de laborator nr. 4 Simularea şi caracterizarea regimului dinamic al porţilor logice CMOS Scopul lucrării: însuşirea cunoştinţelor privind regimul dinamic al porţilor logice CMOS, parametrii care
Διαβάστε περισσότεραExamen. Site Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate
Curs 12 2015/2016 Examen Sambata, S14, ora 10-11 (? secretariat) Site http://rf-opto.etti.tuiasi.ro barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate min. 1pr. +1pr. Bonus T3 0.5p + X Curs 8-11 Caracteristica
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3. Analiza si proiectarea la nivel de masti a inversoruluicmos. Reguli de proiectare a mastilor
Capitolul 3. Analiza si proiectarea la nivel de masti a inversoruluicmos. Reguli de proiectare a mastilor In primul capitol au fost prezentate mai multe exemple de porti logice, realizate cu ajutorul tranzistoarelor
Διαβάστε περισσότεραa n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea
Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,
Διαβάστε περισσότεραAplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Διαβάστε περισσότερα7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE
7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7.1. GENERALITĂŢI PRIVIND AMPLIFICATOARELE DE SEMNAL MIC 7.1.1 MĂRIMI DE CURENT ALTERNATIV 7.1.2 CLASIFICARE 7.1.3 CONSTRUCŢIE 7.2 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
Διαβάστε περισσότεραLucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
Διαβάστε περισσότερα8. TEHNOLOGIA TRANZISTOARELOR DISCRETE
8. TEHNOLOGIA TRANZISTOARELOR DISCRETE Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare care în funcţie de tipul purtătorilor de sarcină se împart în: bipolare şi cu efect de câmp sau unipolare. Tranzistoarele
Διαβάστε περισσότεραCurs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 7. Polarizarea tranzistorului bipolar
Scopul lucrării a. Introducerea unor noţiuni elementare despre funcţionarea tranzistoarelor bipolare b. Identificarea prin măsurători a regiunilor de funcţioare ale tranzistorului bipolar. c. Prezentarea
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM CONTINUU
Lucrarea nr 2 TRANZISTORUL IPOLAR ÎN REGIM ONTINUU uprins I Scopul lucrării II Noţiuni teoretice III Desfăşurarea lucrării IV Temă de casă V Simulări VI Anexă 1 I Scopul lucrării Ridicarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
Διαβάστε περισσότεραMetode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
Διαβάστε περισσότεραUNIVERSITATEA "POLITEHNICA" BUCURESTI DEPARTAMENTUL DE FIZICĂ LABORATORUL DE FIZICA ATOMICA SI FIZICA CORPULUI SOLID BN 031 B FOTODIODA
UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" BUCURESTI DEPARTAMENTUL DE FIZICĂ LABORATORUL DE FIZICA ATOMICA SI FIZICA CORPULUI SOLID BN 031 B FOTODIODA FOTODIODA Scopul lucrării. Studiul efectului fotovoltaic. Conversia
Διαβάστε περισσότεραLUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
Διαβάστε περισσότεραCurs 4 Serii de numere reale
Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni
Διαβάστε περισσότεραL3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J
L3. RANZISORUL CU EFEC DE CÂMP EC-J În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unui tranzistor cu efect de câmp cu rilă-jocţiune (EC-J) şi este verificată concordanţa cu relaţiile analitice
Διαβάστε περισσότερα9. TEHNOLOGIA CIRCUITELOR INTEGRATE
9. TEHNOLOGIA CIRCUITELOR INTEGRATE Prin integrare se înţelege tehnica de realizare a unor circuite electronice având componentele interconectate electric inseparabil şi plasate în aceeaşi capsulă. Componentele
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă
Διαβάστε περισσότεραSeminariile Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reziduurilor
Facultatea de Matematică Calcul Integral şi Elemente de Analiă Complexă, Semestrul I Lector dr. Lucian MATICIUC Seminariile 9 20 Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reiduurilor.
Διαβάστε περισσότεραCOMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE
COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicilor statice de transfer în tensiune pentru comparatoare cu AO fără reacţie. b) Determinarea tensiunilor de ieşire
Διαβάστε περισσότεραProblema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Διαβάστε περισσότεραL1. DIODE SEMICONDUCTOARE
L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare. Rezultatele fiind comparate cu relaţiile analitice teoretice. Este
Διαβάστε περισσότεραÎndrumar de laborator Circuite Integrate Analogice
Îndrumar de laborator ircuite ntegrate Analogice Lucrarea SURSE E URENT Prezentare generală: Sursele de curent cu tranzistoare sunt utilizate atât ca elemente de polarizare cât şi ca sarcini active pentru
Διαβάστε περισσότεραEtaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode conectate în serie Etaj de deplasare a nivelului de curent
Cuprins CAPITOLL 3 STRCTRA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE...5 3. Introducere...5 3. SRSE DE CRENT CONSTANT...5 3.. Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare...53 3... Configuraţia
Διαβάστε περισσότεραFENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
Διαβάστε περισσότερα(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
Διαβάστε περισσότεραCapitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25
Capitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25 LAGĂRELE CU ALUNECARE!" 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.!" 25.2.Funcţionarea lagărelor cu alunecare.! 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.
Διαβάστε περισσότεραSIGURANŢE CILINDRICE
SIGURANŢE CILINDRICE SIGURANŢE CILINDRICE CH Curent nominal Caracteristici de declanşare 1-100A gg, am Aplicaţie: Siguranţele cilindrice reprezintă cea mai sigură protecţie a circuitelor electrice de control
Διαβάστε περισσότερα3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE.
3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE. 3.5.1 STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU AMPLIFICATOARE OPERAȚIONALE. Principalele caracteristici a unui stabilizator de tensiune sunt: factorul de stabilizare
Διαβάστε περισσότερα5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
Διαβάστε περισσότεραR R, f ( x) = x 7x+ 6. Determinați distanța dintre punctele de. B=, unde x și y sunt numere reale.
5p Determinați primul termen al progresiei geometrice ( b n ) n, știind că b 5 = 48 și b 8 = 84 5p Se consideră funcția f : intersecție a graficului funcției f cu aa O R R, f ( ) = 7+ 6 Determinați distanța
Διαβάστε περισσότερα2CP Electropompe centrifugale cu turbina dubla
2CP Electropompe centrifugale cu turbina dubla DOMENIUL DE UTILIZARE Capacitate de până la 450 l/min (27 m³/h) Inaltimea de pompare până la 112 m LIMITELE DE UTILIZARE Inaltimea de aspiratie manometrică
Διαβάστε περισσότεραFigura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..
I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,
Διαβάστε περισσότεραProiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie
FITRE DE MIROUNDE Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie P R Puterea disponibila de la sursa Puterea livrata sarcinii P inc P Γ ( ) Γ I lo P R ( ) ( ) M ( ) ( ) M N P R M N ( ) ( ) Tipuri
Διαβάστε περισσότεραM. Stef Probleme 3 11 decembrie Curentul alternativ. Figura pentru problema 1.
Curentul alternativ 1. Voltmetrele din montajul din figura 1 indică tensiunile efective U = 193 V, U 1 = 60 V și U 2 = 180 V, frecvența tensiunii aplicate fiind ν = 50 Hz. Cunoscând că R 1 = 20 Ω, să se
Διαβάστε περισσότερα4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Διαβάστε περισσότεραCircuite electrice in regim permanent
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme apitolul. ircuite electrice in regim permanent. În fig. este prezentată diagrama fazorială a unui circuit serie. a) e fenomen este
Διαβάστε περισσότερα2
1 2 1 2 CUPINS PEFAŢĂ... 8 INTODUCEE... 10 1. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOAE... 13 1.1. Conducţia electrică la semiconductoare... 13 1.2. Procese în joncţiunea p-n... 16 1.3. Diode semiconductoare... 19 1.4.
Διαβάστε περισσότεραPlanul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune
ucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune Scopul lucrării - studiul funcţionării diferitelor tipuri de stabilizatoare de tensiune; - determinarea parametrilor de calitate ai stabilizatoarelor analizate;
Διαβάστε περισσότεραPlatformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic
Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic Elemente de Electronică Analogică 35. Stabilizatoare de tensiune integrate STABILIZATOARE DE TENSIUNE INTEGRATE Stabilizatoarele
Διαβάστε περισσότεραDIODA SEMICONDUCTOARE
LUCRRE NR.1 IO SEMICONUCTORE Scopul lucrării - Ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.
Διαβάστε περισσότεραDIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE
LUCRAREA NR. 2 DIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE OBIECTIE:. Să se studieze efectul Zener sau străpungerea inversă; 2. Să se observe diferenţa între ramurile de străpungere ale caracteristicilor diodelor
Διαβάστε περισσότεραAMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN
AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN Montajul Experimental În laborator este realizat un amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune cu emitorul comun (E.C.) cu o singură
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie. Aplicaţii.
Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regi de coutaţie. Aplicaţii. Scopul lucrării - Studiul condiţiilor de saturaţie pentru T; - Studiul aplicaţiilor cu T în regi de coutaţie; 1. ondiţia de saturaţie
Διαβάστε περισσότερα1. Amplificatorul în conexiunea sursă comună cu sarcină rezistivă
1. Amplificatorul în conexiunea sursă comună cu sarcină rezistivă Schema de test (amp-sarcinar.asc): Exerciţii propuse: 1. Dimensionați amplificatorul pentru GBW>0MHz și C L =1pF. Pentru ca circuitul să
Διαβάστε περισσότερα5 TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
..Anghel - Bazele electronicii analogice şi igitale 5 TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 5.1 Clasificare Tranzistorul cu efect e câmp (TEC) este un tranzistor unipolar pentru că în interiorul lui conucţia electrică
Διαβάστε περισσότεραSISTEME CU CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE (EA II) ELECTRONICĂ DIGITALĂ (CAL I) Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan
SISTEME CU CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE (EA II) ELECTRONICĂ DIGITALĂ (CAL I) Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan Tehnologia circuitelor integrate digitale La proiectarea circuitelor digitale trebuie alese circuitele
Διαβάστε περισσότεραDioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă
Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va
Διαβάστε περισσότεραLUCRAREA 3: TRANZISTORUL MOS MODULUL MCM4/EV
LUCRAREA 3: TRANZISTORUL MOS MODULUL MCM4/EV CAPITOLUL 3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI MOS 3.1.1 OBIECTIVE Structura tranzistorului MOS; Simbolul tranzistorului MOS. 3.1.2 ASPECTE TEORETICE Tranzistorul
Διαβάστε περισσότερα