1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea activă normală
|
|
- Σταματία Δημαράς
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 1
2 1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea actiă normală Se a considera cazul unui tranzistor npn. Funcţionarea tranzistorului pnp este principial aceeaşi dacă se înlocuiesc fluxurile de electroni cu cele de goluri şi iners, precum şi dacă se schimbă semnele tensiunilor aplicate şi sensurile curenţilor prin terminale. Descrierea fenomenelor se face in legătură şi cu figura S-a notat cu W B (base width) lăţimea efectiă a bazei, cuprinsă între extremităţile regiunilor de tranziţie ale celor două joncţiuni. flux de goluri flux de electroni Joncţiunea bază-emitor (BE) fiind polarizată direct, electronii majoritari din n p n emitor or fi injectaţi în bază; la fel, golurile din bază or fi injectate înspre emitor. Deoarece emitorul este mult mai puternic dopat decât baza, ponderea cea mai mare în I E I C curentul total prin joncţiunea emitoare o are fluxul de electroni injectaţi din emitor spre bază. E C Electronii ajunşi în regiunea bazei dein purtători minoritari. Ei sunt transportaţi prin difuzie. Recombinarea în regiunea bazei este foarte redusă datorită dimensiunilor geometrice foarte mici ale acesteia. Astfel, practic toţi electronii B injectaţi de emitor în bază ajung la marginea regiunii de tranziţie a joncţiunii colectoare. În această regiune există un câmp electric orientat de la colector spre bază, datorat polarizării inerse a acestei joncţiuni. Acest câmp a faoriza trecerea 0 w B x BE CB electronilor din regiunea bazei în regiunea colectorului. I B Se obseră că prin joncţiunea colectoare, deşi polarizată iners, a trece un curent important. Există şi un curent foarte mic format din goluri extrase din colector şi electroni extraşi din bază (curentul iners al joncţiunii colectoare), numit şi curent Fig Procese fizice în TBJ polarizat în RAN rezidual I CB0 (curentul între colector şi bază cu emitorul în gol). În mod obişnuit acest curent se neglijează. Curentul prin joncţiunea colectoare nu depinde practic de tensiunea inersă aplicată acestei joncţiuni. În schimb, aloarea acestui curent a fi puternic influenţată de tensiunea directă aplicată joncţiunii bază-emitor. Acest efect de control al curentului printr-o joncţiune polarizată iners de către tensiunea aplicată altei joncţiuni, polarizate direct, se numeşte efect de tranzistor Expresiile curenţilor pentru tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea actiă normală O înţelegere mai bună a proceselor ce determină funcţionarea tranzistorului se poate obţine pe baza distribuţiei purtătorilor minoritari. Existând două regiuni de tip n, pentru a face distincţie între ele, se a adăuga indicele E sau C. Se utilizează expresiile concentraţiilor de purtători minoritari la marginile regiunii de tranziţie a unei joncţiuni p-n polarizate.
3 p ne (x) p ne (0) p ne0 n p0 n, p n p (0 n p (x ) 0 n p (w B ) w B p nc0 p nc (w B ) p nc (x) Fig Distribuţia purtătorilor minoritari la un TBJ polarizat în RAN x Astfel, în legătură şi cu notaţiile din figura 3-18 şi neglijând dimensiunile regiunilor de tranziţie se poate scrie: BE pne ( 0) pne e T 0 ; ( > pne0) BE np( 0) np e T 0 ; ( > np0) BC np WB np0 e T 0; ( BC < 0) ( ) BC pnc( WB ) pnc e T 0 0 (3.47) (3.48) (3.49) (3.50) Se poate demonstra că distribuţia de purtători minoritari în bază este practic liniară. Distribuţia de minoritari în bază a aea deci expresia: BE x x np( x) np( 0) 1 np e T 0 1 (3.51) wb wb Aşa cum s-a arătat, în general, curentul de câmp al purtătorilor minoritari poate fi neglijat. Curentul de electroni în bază a aea deci numai componentă de difuzie. Densitatea de curent de difuzie este: ( ) J q D d x BE np q Dn np nd n 0 (3.52) e T dx wb Neglijând recombinarea în bază, rezultă că acest curent se menţine constant. De fapt, deoarece purtătorii minoritari transportaţi prin difuzie până la joncţiunea colectoare or fi preluaţi de câmpul electric şi trecuţi în regiunea colectorului, rezultă că acesta este chiar curentul de colector, adică: J C -J nd (3.53) Semnul minus proine de la faptul că referinţa pentru curentul de colector este în sens iners axei ox. Deci, densitatea de curent de colector este: BE BE q Dn np J C 0 e T JS e T (3.54) w B unde s-a notat cu J S densitatea de curent de saturaţie a tranzistorului q Dn np JS 0 (3.55) wb Multiplicând cu aria secţiunii transersale a joncţiunii emitoare, rezultă ecuaţia care caracterizează efectul de tranzistor (I C f( BE )).
4 IC A JC I I e T C S (3.56) IS A JS unde I S este numit curent de saturaţie şi este o constantă pentru o anumită temperatură. Denumirea de saturaţie, în acest caz, nu are legătură cu regiunea de de funcţionare la saturaţie a tranzistorului. alori tipice pentru I S sunt în interalul A. Practic, intensitatea curentului de colector este determinată de panta distribuţiei de purtători minoritari de bază. Se mai obseră că sarcina de purtători minoritari acumulată în bază este proporţională cu aria haşurată în figura 3-18, aceasta sarcină fiind strict necesară întreţinerii curentului în colector. Curentul de bază are, în principal, două componente: -I B1 - datorată fenomenului de recombinare în bază; -I B2 - datorată injecţiei de goluri din bază înspre emitor Prima componentă este proporţională cu sarcina de bază: Q I b B1 τ (3.57) b unde τ b este timpul de tranzit al purtătorilor prin bază. ( ) q n ol q n p 0 A w BE pmed B q np0 A wb IB e T 1. 2 (3.58) τb τb 2τb A doua componentă trebuie să întreţină excesul de goluri la limita regiunii de tranziţie a joncţiunii emitoare. IB2 A JpEd( 0) (3.59) Semnul minus se datorează referinţei pentru curentul I B care corespunde cu deplasarea golurilor în sens iners axei x. Fiind un curent de difuzie, el a depinde de gradientul concentraţiei de goluri în emitor. Distribuţia de goluri în exces este dată de (3.17), cu obseraţia că injecţia are loc în sens iners axei x. x p ' L ne ( x) p e p (3.60) Be p pne( 0 ) pne pne e T (3.61) Neglijând 1 în raport cu exponenţiala (ştiind că BE >0, deoarece în RAN joncţiunea emitoare este polarizată direct), rezultă: J q D dp ne x q Dp pne PEd p 0 e T e dx Lp Înlocuind (3.62) în (3.59) şi folosind şi (3.58) rezultă curentul total de bază: ' ( ) BE BE x Lp (3.62)
5 I B q np A wb q Dp pne A e 2τb L p Comparând cu (3.56) se obseră că, atât curentul de colector, cât şi cel de bază depind de e T. Raportul lor a fi deci o constantă care se notează cu β F şi se numeşte factor de amplificare în curent în sens direct (F forward direct), adică definit pentru polarizare în RAN (pentru RAI se a defini β R ; R reerse iners). q Dn np0 A w β B 1 F q np A wb q Dp pne A w D B p + (3.64) pne w + 0 B 2 τ L 2 τ D D n L Pe baza relaţiei: Rezultă: b 2 ne0 ne0 i 2 p n n np0 pp0 ni dar n N p N ne0 D E ; p0 A β F w 2 τ 2 B b p D n b p n n A D E n ne0 p0 1 Dp N w + D N L Deci: IC β F IB (3.67) β F este cu atât mai mare cu cât lăţimea bazei, w B, este mai mică şi cu cât emitorul este mai dopat decât baza (N DE >N A ). O aloare tipică este β F 100. Relaţiile (3.56) şi (3.67) descriu funcţionarea tranzistorului în RAN. Parametrii care caracterizează această funcţionare sunt I S şi β. Relaţiile au fost deduse în regim staţionar, dar ele sunt alabile şi în mărimi totale, în regim casistaţionar, dacă frecenţa componentelor ariabile ale semnalelor nu este prea mare. BE ic IS e T (3.68) ic βf ib BE T n N n i N B p A BE n 2 i D E 2 p0 p (3.63) (3.65) (3.66)
6 1.2. Distribuţia purtătorilor de sarcină minoritari pentru diferite regiuni de fucţionare ale unui tranzistor bipolar Se or utiliza relaţiile (3.47) şi (3.50), adaptate pentru polarităţile tensiunilor aplicate. Pentru fixarea ideilor se a considera un tranzistor npn ( BE, BC > 0, înseamnă polarizare directă, iar BE, BC < 0, înseamnă polarizare inersă) Regiunea actiă normală a) Regiunea actiă normală propriu-zisă În acest caz, BE > 0; BC < 0. Distribuţia a fost descrisă în figura Curentul de colector este determinat de panta concentraţiei n p (x). Sarcina acumulată în bază este proporţională cu aria triunghiului o; w B ; n p (0) şi are aloarea minimă posibilă pentru susţinerea unui anumit curent de colector. b) Limita între regiunea actiă normală şi cea de saturaţie p ne(x) p ne0 n p0 n, p n p (0) n p (x) 0 n p (w B ) w B p nc(x) p nc0 Fig Distribuţia de minoritari pentru BE > 0 şi BC Regiunea de blocare În acest caz, BE < 0 şi BC < 0. Distribuţia de purtători minoritari este prezentată în figura x În acest caz, BE > 0; BC 0. Distribuţia de purtători minoritari este prezentată în figura Se obseră că n p (w B ) n p0 0. Dar cum aloarea concentraţiei de electroni în regiunea bazei la echilibru, n p0 este foarte mică, acest regim de funcţionare nu diferă esenţial de cel precedent. Se manifestă încă efectul de tranzistor (relaţiile (3.68) sunt încă alabile). c) Limita între regiunea actiă normală şi cea de blocare În acest caz, BE 0; BC < 0. Distribuţia este prezentată în figura aloarea concentraţiei la echilibru, n p0, fiind foarte mică, panta concentraţiei n p (x) este mică şi deci a rezulta un curent de colector foarte mic. La BE 0, practic, tranzistorul este aproape blocat. În această situaţie, în bază nu există sarcină acumulată, iar gradientul concentraţiei fiind zero, curentul de colector este zero (practic există nişte alori mici datorate curenţilor reziduali). Ieşirea din regiunea de blocare necesită un anumit n, p timp pentru realizarea distribuţiei corespunzătoare regiunii actie normale (modificarea sarcinii din bază) şi pentru încărcarea capacităţilor joncţiunilor. De p ne0 aceea, curentul de colector a urmări cu o anumită întârziere ariaţia tensiunii p nc0 bază-emitor. p ne(x) n p (x) p nc(x) n p0 p ne(x) p ne0 n p0 n, p n p (x) 0 w B p nc0 Fig Distribuţia de minoritari pentru BE 0 şi BC < 0 p nc(x) x 0 w B Fig Distribuţia de minoritari pentru BE < 0 şi BC < 0 x
7 Regiunea de saturaţie În saturaţie, ambele joncţiuni sunt polarizate direct (pentru npn BE > 0 şi BC > 0). Ca urmare, tensiunea colector- emitor CE este mică, plasându-se uzual în gama 0,05 0,3. În figura 3-24 se indică distribuţia concentraţiilor de n, p purtători minoritari de sarcină pentru un tranzistor npn saturat. p ne(x) p ne0 n p0 n p (0) n p1 (x) n p (x) n p (w B ) p nc(x) p nc0 0 n p2 (x) w B x Fig D istribuţia de minoritari pentru BE > 0 şi BC > 0 ( BE > BC ) Concentraţia de minoritari în bază, la marginea joncţiunii colectoare, a fi: BC np( wb) npo e T (3.70) Deoarece BC este acum pozitiă, rezultă că n p (w B ) > 0. Deoarece BE este practic constantă, rezultă că ariaţiile tensiunii CE se regăsesc ca ariaţii ale CB ( CE - BC + BE ), deci tensiunea CE influenţează direct concentraţia n p (w B ). Deoarece curentul de colector, i C, este proporţional cu panta concentraţiei de minoritari din bază, rezultă că odată cu scăderea tensiunii CE spre saturaţie, scade şi curentul i C (deoarece creşte BC şi deci n p (w B )). Un model util pentru tranzistorul la saturaţie este prezentat în figura Din distribuţia concentraţiilor se mai obseră că pentru o aloare dată a curentului de colector, la saturaţie, în bază există o cantitate mult mai mare de sarcină stocată, în comparaţie cu cazul regiunii actie normale (aria trapezului 0/n p (0)/n p (w B )/w B > aria triunghiului 0/n p (0)/w B ). Ca urmare, contribuţia la curentul de bază a componentei de recombinare (proporţională cu sarcina) a fi mai mare la saturaţie. În plus, joncţiunea colectoare fiind polarizată direct, a exista o nouă componentă a curentului de bază care corespunde injecţiei de goluri din bază în colector. Aceste două efecte conduc la o aloare a curentului de bază la saturaţie mai mare decât cea din RAN corespunătoare unei alori date a curentului de colector (β scade la saturaţie). Practic, pentru a aduce un tranzistor la saturaţie trebuie să-i injectăm în bază un curent mai mare decât cel necesar susţinerii aceluiaşi curent de colector la funcţionarea în RAN. După intrarea în saturaţie nu se mai manifestă efectul de tranzistor, deci ariaţiile curentului de bază nu mai produc ariaţii ale curentului de colector, curent ce a fi determinat de circuitul exterior. Ieşirea din saturaţie se a face cu o anumită întârziere faţă de momentul schimbării tensiunilor de polarizare, datorită timpului necesar pentru eacuarea sarcinii suplimentare stocate în bază. Acest timp este sensibil mai mare faţă de cel necesar ieşirii din blocare. Descrierea bazată pe figura 3-24 corespunde cu aşa numita saturaţie directă ( BE > BC >0). Există şi saturaţia inersată când BE < BC şi deci n p (0) < n p (w B ), adică panta concentraţiei n p (x) este inersă, ceea ce corespunde cu circulaţia unui flux de electroni dinspre colector spre emitor. E I E I CE 0 X I C C B Fig Regimul de curent zero Este posibil şi un caz limită cînd BE BC şi deci n p (0) n p (W B ) > 0. În acest caz, deşi există sarcină acumulată în bază, gradientul concentraţiei n p (x) este zero şi deci nu există circulaţie de curent între colector şi emitor. Acest regim de funcţionare se numeşte şi regim de curent zero. Tranzistorul se a comporta ca două joncţiuni p-n independente, ca în figura B U D r sat CEsat E Fig Model pentru tranzistorul bipolar la saturaţie C U D 0,6 0,7 CEsat 0,1 0,3 r sat 2 50 Ω
8
9
10 1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni Efectul Early (modularea grosimii bazei) În analiza funcţionării tranzistorului bipolar prezentată anterior, a fost presupusă iners polarizată joncţiunea B-C, fără nici un efect al tensiunii u BC asupra curentului de colector i C. În practică se constată o uşoară creştere a curentului de colector cu ceşterea tensiunii colector-emitor, u CE. Deoarece tensiunea u BE este practic constantă, ariaţia tensiunii u CE este practic egală cu ariaţia tensiunii u CB (u CE u CB + u BE ). Creşterea tensiunii u CB duce la extinderea regiunii de tranziţie a joncţiunii colectoare şi deci la micşorarea grosimii bazei. În figura 3-29 se prezintă distribuţia concentraţiei de purtători minoritari în bază. Aceasta este liniară, aând aloarea Regiunea de BE n p tranziţie np( 0) np e T 0 E B pentru U CE1 C n p0 n p (0) n p (x) w B Regiunea de tranziţie pentru U CE2 > U CE1 0 w B x Fig Explicarea efectului Early Pentru realizări obişnuite, A la marginea joncţiunii emitoare şi n ( w ) p B 0 la marginea joncţiunii colectoare. Micşorarea grosimii bazei duce la creşterea pantei concentraţiei de minoritari şi deci la creşterea curentului în colector (care este practic curent de difuzie a minoritarilor în bază). Forma tipică a caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului se prezintă în figura Din cauza efectului Early, caracteristicile sunt uşor înclinate. Prin extrapolarea caracteristicilor înapoi către axa u CE, intersecţia cu această axă se produce la o tensiune - A, numită tensiune Early. Influenţa efectului Early asupra caracteristicilor de semnal mare ale tranzistorului în regiunea actiă normală (RAN) se poate reprezenta analitic prin modificarea relaţiei (3.56) astfel: ic I CE S 1 + e A BE T (3.91) i C BE4 BE3 BE2 BE1 - A 0 Fig Eidenţierea tensiunii Early CE
11 β Dependenţa factorului de amplificare β de curentul de colector În teoria elementară a tranzistorului bipolar s-au neglijat o serie de fenomene care în practică, în anumite condiţii, îşi fac simţite efectele. Astfel, factorul de amplificare în curent, β, nu este constant, ci depinde de curentul I C ca în figura I C Fig Dependenţa β f(i C ) 1.4. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cu joncţiuni Se a considara tranzistorul ca un cuadripol. Eident, un terminal a fi comun intrării şi ieşirii. De exemplu, în figura 3-32 se specifică mărimile de intrare şi de ieşire pentru conexiunile emitor comun (EC) şi bază comună (BC). i B u BE i C u CE IN EC IES IN BC IES asemenea pentru conexiunea emitor comun. i E u EB u CB Fig Mărimile de intrare şi de ieşire considerate în caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare i C Aspectul caracteristicilor a fi eident diferit în funcţie de conexiunea tranzistorului. Există trei tipuri de caracteristici: - de intrare (i IN f( IN )) - de transfer (i IES f( IN ) sau i IES f(i IN )) - de ieşire (i IES f( IES )) În multe cazuri, mai ales pentru caracteristicile de ieşire, se reprezintă o familie de caracteristici, alegând ca parametru o mărime de intrare. Caracteristicile statice pentru conexiunea emitor comun sunt cele mai folosite. În figura 3-30 s-a reprezentat o familie de altfel de caracteristici de ieşire, la care parametrul s-a ales tensiunea BE. În figura 3-33 se prezintă aspectul caracteristicilor de intrare şi de transfer, de i B i C i C 20µA 2mA 0,6 u BE 0,6 u BE Fig Caracteristici de intrare şi de transfer i B
12 În figura 3.34 se prezintă caracteristicile de ieşire ale unui tranzistor npn, în funcţie de parametrul i B, eidenţiindu-se regiunile actiă normală, actiă inersă şi de saturaţie. S-au utilizat scări diferite pentru alori pozitie sau negatie. i C [ma] Regiunea de saturaţie Regiune a actiă normală i B 0,04mA 0,03mA 0,02mA 0,01mA i B 0 i B 0 i B 0,01mA 0,02mA 0,03mA 0,04mA Regiune a actiă inersată u CE ,02 Regiunea de -0,04 saturaţie B CE0 ALORI TIPICE -0,06 RAN: β F 100-0,08 α F 0,99-0,10 RAI: β R 1 5 α R 0,5 0,8 Fig Caracteristicile de ieşire i C f(u CE ) cu parametrul i B S-a eidenţiat şi fenomenul de străpungere, caracterizat de tensiunea de stăpungere B CE0 (breakdown oltage) între colector şi emitor ca baza în gol.
13 1.1. Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim ariabil la semnal mic Se consideră un circuit teoretic reprezentat în figura Se admite că tensiunea de polarizare, CC, este suficient de mare încât joncţiunea bază colector să rămână polarizată iners, pentru toate alorile posibile ale componentei ariabile be, deci tranzistorulu să se menţină permanent în regiunea actiă normală. Tensiunea BE aând şi componentă continuă şi ariabilă, curenţii i B şi i C or aea, la rândul lor, atât componente continue, cât şi ariabile. BE BE + be BE be be ic IS e T ic IS e T IS e T e T IC e T BE BE + (3.99) be i C I C +i c Relaţia (3.99) oferă posibilitatea determinării mărimii totale a curentului de colector. Ea permite şi stabilirea unui i B I B +i b criteriu după care componenta ariabilă să fie considerată sau nu de semnal mic. be BE BE CC Fig Circuit pentru studiul funcţionării tranzistorului la semnal mic Criteriu de estimare a mărimii semnalului Dezoltând relaţia (3.99) în serie Taylor se obţine: ic I be be be C T + 3 T (3.100) 2 6 T Se poate considera semnalul mic atunci când circuitul este liniar, adică atunci când se pot neglija termenii de grad superior din relaţia (3.100). Aceasta însemană că: be << T (3.101) I În acest caz: ic I C C + be (3.102) T I Componenta ariabilă este: i C c be g m be (3.103) T unde s-a notat cu g m tranconductanţa de semnal mic a tranzistorului: I g C m (3.104) T Practic, se poate considera că, dacă be < 10m, erorile care apar datorită aproximaţiei de semnal mic sunt sub 10%.
14 Modelul π-hibrid simplificat Conform cu definirea regimului ariabil la semnal mic, porţiunea din caracteristica dispozitiului parcursă de punctul de funcţionare poate fi aproximată cu tangenta dusă în punctul static de funcţionare. Considerând caracteristica de transfer i C f( BE ), adică: BE (3.105) ic ISe T relaţia între componentele de semnal mic a fi: i c g m be (3.106) unde: BE be di I g C S d e IS e T IC m T (3.107) BE PSF T T T PSF Se obseră că s-a regăsit relaţia (3.104). Transconductanţa g m modelează efectul de tranzistor pentru componentele de semnal mic ale mărimilor electrice. Deoarece joncţiunea bază-emitor este direct polarizată, prin echialenţă cu comportarea joncţiunii p-n la semnal mic, între bază şi emitor, pentru semnal mic, comportarea tranzistorului a fi descrisă de o rezistenţă. Relaţia între curentul de bază şi tensiunea bază-emitor de semnal mic este deci: be i b r π unde cu r π s-a notat rezistenţa echialentă la semnal mic între bază şi emitor. b r π + - ic g r be m β π (3.109) ib ib gm Cele două elemente, g m şi r π pot descrie, într-o primă aproximaţie, c funcţionarea tranzistorului bipolar în regim ariabil, la semnal mic, dacă frecenţa de lucru nu este prea mare. Modelul bazat pe cei doi parametri este prezentat în g m be figura 3-39 şi se numeşte modelul π-hibrid simplificat. e Fig Modelul de semnal mic π-hibrid simplificat (3.108)
15 Modelul π-hibrid complet Luând în considerare şi alte fenomene se or găsi elemente care să completeze modelul din figura a) Rezistenţa de ieşire S-a arătat că efectul Early produce ariaţia curentului de colector, i C, cu tensiunea colector, CE. unde A este tensiunea Early. Pentru componentele de semnal mic, relaţia deine liniară: unde: b i b r π + - i e g m be e Fig Modelul de semnal mic incluzând şi r o i c r o c i C I S 1 + CE A e BE T ic gm be + go ce g o 1 r O i Deci rezistenţa de ieşire are expresia: ro A IC Modelul completat cu acest element este prezentat în figura C CE PSF I (3.110) (3.111) C A (3.113) (3.112) b) ariaţia sarcinii în regiunea bazei S-a arătat că la ariaţia tensiunii colector emitor, CE, se modifică panta distribuţiei de purtători minoritari din bază. Aceasta înseamnă, de fapt, modificarea sarcinii de purtători minoritari din bază. La creşterea tensiunii u CE, corespunde creşterea pantei, deci, conform figurii 3-29, micşorarea ariei triunghiului o;w B ;n p (0), adică micşorarea sarcinii de bază. Aceasta duce la micşorarea curentului de bază. Acest efect se modelează cu un r b µ c rezistor plasat între colector şi bază, notat cu r µ., ca în figura r π + - g m be e r o Fig Modelul π-hibrid care include şi r µ Se poate arăta că: rµ > β rπ (3.114) aloarea sa fiind foarte mare, r µ se a lua în considerare numai când restul circuitului conţine rezistenţe fizice sau echialente foarte mari.
16 d) Rezistenţele parazite După cum se poate obsera în figura 3-15-a, între contactele terminalelor tranzistorului, din partea de sus şi partea actiă a structurii, plasată sub emitor, se înseriază porţiuni de material semiconductor, care prezintă o anumită rezistiitate. Efectul acestora se r r manifestă mai ales la curenţi mari de polarizare. alori tipice pentru aceste rezistenţe parazite, corespunzând unor b b b µ r c c tranzistoare din circuitele integrate, sunt următoarele: re 1Ω 3Ω rb notatã uneori si r x Ω (3.115) rc 20Ω 200Ω Se poate obsera, în figura 3-42 că generatorul care modelează efectul de tranzistor nu mai este comandat de întreaga tensiune aplicată la terminale, be, ci numai de partea disponibilă la nodurile interne b ' şi e '. r π + - g m b e d) Capacităţi În figura 3-43, în care se prezintă modelul π-hibrid complet al tranzistorului, apar şi trei capacităţi. Capacitatea C π include o componentă datorată sarcinii de b r x b r π + - C π e r µ C µ g m b e r o C cs r c c bază (ariaţia curentului i c ca răspuns la ariaţia tensiunii BE implică modificarea distribuţiei de purtători minoritari şi deci a sarcinii de minoritari din bază), care este, de fapt, o capacitate de difuzie. O a doua componentă a capacităţii C π o reprezintă capacitatea de barieră a joncţiunii emitoare, datorate sarcinii din regiunea de tranziţie a acestei joncţiuni. Capacitatea C µ este capacitatea de barieră a joncţiunii colectoare. Tranzistoarele npn din circuitele integrate mai sunt afectate de o capacitate parazită a joncţiunii care apare între colectorul de tip n şi substratul de tip p pe care se realizează circuitul integrat, capacitate notată cu C CS. e e r e Fig Includerea rezistenţelor parazite în modelul de semnal mic r o e Fig Modelul de semnal mic π-hibrid complet r e
17 Tranzistorul cu efect de camp Clasificare, simboluri Functionarea se bazeaza pe controlul conductiitatii unui canal semiconductor cu ajutorul unui camp electric orientat transersal fata de acest canal. cu canal n TEC - J (TEC cu poarta jonctiune) cu canal p TEC - MOS (TEC cu poarta izolata Metal - Oxid -Semiconductor) cu canal cu canal indus (cu imbogatire - enhancement) cu canal cu canal n cu canal initial (cu saracire- depletion) cu canal p n p
18 drena i D Canal n poarta gate (grila) substrat (body) TEC-J (J-FET) sursa TEC- MOS cu canal indus (enhancement MOS-FET) TEC- MOS cu canal initial (depletion MOS-FET) D D D Canal p G G i D B G B S S S
19 TEC MOS cu canal n indus structura; procese fizice
20 GS 0 doua diode in opozitie inseriate intre drena si sursa nu circula nici un curent intre D si S daca se aplica o tensiune DS > 0 exista o regiune golita de purtatori liberi de sarcina electrica intr substratul de tip p si regiunile de tip n+ ale drenei si sursei GS > 0 potentialul poziti de pe poarta respinge golurile libere rezultand o regiune golita incarcata cu sarcina negatia a atomilor acceptori ionizati pe masura ce GS creste, sunt atrasi electroni liberi care, treptat, formeaza un strat de inersiune (mai multi electroni decat goluri) la suprafata de sub electrodul poarta (se INDUCE un canal conductor de tip n intre D si S). Acest fenomen apare daca GS > Th (tensiune de prag threshold) daca se aplica o tensiune DS > 0, a cirula un curent intre D si S prin canal
21 TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea de blocare GS DS < 0 Th i D 0
22 TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea trioda GS GS > Th EXISTA canal canalul se adanceste (R Ch ) Pt. alori mici ale tensiunii i i D D ~ R DS DS Ch ; R Ch ~ GS Pentru tensiuni DS mici, tranzistorul se comporta intre drena si sursa ca un rezistor cu rezistenta controlata de tensiunea GS 1 TH DS
23 S G D GS Ch (x 0 ) DS GCh (x 0 ) h Ch (x 0 ) GD DS - Ch (x 0 ) 0 x 0 L x GCh GCh GCh (x); (x) > (x) < Th Th GCh GCh (0) (L) h h Ch Ch GS GD (x) 0 (exista canal in x) (x) 0 (NU exista canal in x) DS GS - Th x In particular : DS 2 > 0 > x1 (x) GCh GD h Ch (x 2 GS GS ) < Ch h DS (x Ch 2 Ch (x ) (x) 1 ) > GD Ch < (x 1 GS ) GCh (x 2 h ) < Ch GCh (L) < (x h 1 Ch ) (0) DS h GD Ch GS Th (L) 0 Th
24 > DSsat Th GS DS Th GS ( ) [ ] n C ox KP ; 2 KP L W K 2 DS DS Th GS D 2 K i µ
25 i D K TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea de saturatie (actia) Reg. trioda GS DS DSsat 2 [ 2 ( ) ] GS > GS Th Th Th DS DS Reg. saturata (actia) GS DS > Th > GS Th DSsat La limita, DS DSsat GS Th i D sau i D K K ( ) GS 2 DS Th 2 Pt. DS > DSsat curentul i D ramane constant, egal cu aloarea de la limita regiunii trioda. Electronii sunt transportati de la arful canalului la drena sub actiunea campului electric din aceasta regiune.
26 Reg. saturata (actia) GS DS > > Th GS Th DSsat i D K ( ) 2 GS Th Regiune in care panta scade datorita cresterii rezistentei canalului cu DS Regiune aproape liniara cu panta proportionala cu ( GS Th ) Curentul se satureaza deoarece canalul este strangulat in dreptul drenei si DS nu mai afecteaza canalul
27 ( ) Th GS DS DS D K i 2 Th GS 2 > > DSsat Th GS DS Th GS ( ) 2 Th GS D K i
28 21
29 22
30 23
31 GS DS > > Th GS Th DSsat Efectul modularii lungimii canalului i r D o K 1 λ I 2 ( ) ( 1+ λ ) D GS I A D Th DS
32 TEC MOS cu canal n initial structura; regiuni de functionare Exista canal (I D > 0) chiar si la GS 0; pentru a anula canalul tebuie aplicata o tensiune GS negatia. Deci tensiunea de prag este negatia ( Th < 0)
33 Conditiile care definesc regiunile de functionare si expresiile marimilor electrice asociate acestora raman IDENTICE cu cele de la TEC MOS cu canal n indus; Tensiunea de prag este insa negatia ( Th < 0). Reg. blocare Reg. trioda GS DS GS > TH GS TH Reg. saturata (actia) I GS DS DSS Th i > > D I D 0 i TH GS D (0) K Th K [ ] 2 2 i 2 Th ( ) D GS K Th ( ) GS DS Th 2 DS
34 TEC-J cu canal n structura; regiuni de functionare Canalul este delimitat de 2 jonctiuni pn polarizate iners ( GS < 0); modificarea tensiunii GS determina ariatia extinderii regiunilor de tranzitie ale jonctiunilor si deci controleaza adancimea canalului. Conditiile care definesc regiunile de functionare si expresiile marimilor electrice asociate acestora raman IDENTICE cu cele de la TEC MOS cu canal n indus si TEC MOS cu canal n initial; Tensiunea de prag este negatia ( Th < 0), ca si la TEC MOS cu canal n initial. TEC-J cu canal n functioneaza NUMAI la GS < 0 (altfel s-ar polariza direct jonctiunile si i G ar deeni foarte mare
35 Comparatie intre cele 3 tipuri de TEC cu canal n caracteristica de transfer in regiunea saturata
36 TEC cu canal p Toate inegalitatile care definesc regiunile de functionare si toate expresiile marimilor electrice asociate raman IDENTICE cu cele de la TEC cu canal n DACA SE OPEREAZA TRANSFORMARILE : GS SG DS SD Th Th sensul de referinta al i D se inerseaza
37 Caracteristicile de transfer in regiunea saturata pentru TEC cu canal p si canal n
38 Structura CMOS
39 32
40 33
41 34
42 35
43 36
44 Capitolul al n-lea Circuite de polarizare n.1 Definitii; probleme specifice Pentru prelucrarea de semnale ariabile, aceste semnale trebuie spuprapuse peste componente continue care să stabilească punctul static de funcţionare într-o regiune conenabilă a caracteristicii dispozitiului utilizat. POLARIZARE totalitatea tehnicilor de circuit prin care se stabileşte un anumit punct static de funcţionare pentru un dispoziti
45 U BC I B I C U CE I G GD I D DS U BE I E GS I S IE IC + IB U U + U CE BC BE IC IS e IC β I B U BE T IS I I D G DS I D + I K 0 G GD + GS ( ) GS Th 2 PSF ( ) PSF ( ) I C, U CE I D, DS
46 n.2 Circuite de polarizare realizate cu componente discrete pentru tranzistorul bipolar cu jonctiuni Circuitul simplu de polarizare R B I B U BE R C I C Q (a) U CE CC R B DI U D I B U BE R C β I B I C (b) U CE CC I B CC I C U CC D U R B R D B I B ; dacã β I β B CC CC R B > U U D D CC R C I C + U CE U CE CC R C β CC U R B D
47 Circuitul de polarizare cu rezistor in emitor
48 Proiectarea pentru stabilitate specificată a punctului static de funcţionare I T T CC UD ( TMIN ) C( MIN) β( MIN) RB + [ β( TMIN) + 1] RE U T IC( TMAX) ( T CC D ( MAX ) β MAX) R + [ β( T ) + 1] R B MAX E U CE Circuitul de polarizare cu rezistor in emitor ( T ) MAX CC R C + β ( TMAX ) + β( T ) MAX 1 R E I C ( T ) MAX
49 Circuitul de polarizare cu diizor de tensiune în bază şi rezistor în emitor R B1 R B2 I B U BE I C R C U CE R E I E CC I B D C β RB + ( β + 1) RE β U R R I β CE CC C E C R B1 R B R B1 R B2 B CC R B2 /(R B1 +R B2 ) I C R C CC R B R B I B U CE CC R B2 B B U BE R E I E
50 n.3 Circuite de polarizare realizate cu componente discrete pentru tranzistorul cu efect de camp
51 n.4 Circuite de polarizare specifice circuitelor integrate analogice
52 Oglinda de curent simplă Surse de curent cu TBJ I REF I O I C2 I BE1 BE2 C1 I C2 I C2 I B1 I B2 Q 1 Q 2 A 2 A I 2 I Q1 Q2 S1 S2 ic IS e BE T BE1 BE2 ( β ) I I 1 + 2I βi + 2I + 2 I REF C B B B B IC 2 I 1 C2 I O β I β + 2 REF β I I I O C2 β B I O β I B 0 I REF
53 Oglinda de curent simplă Rezistenta de iesire i C BE4 BE3 BE2 BE1 - A 0 CE b i b r π + - g m be i c r o c r o I A C i e e
54 Oglinda de curent simplă Rezistenta de iesire
55 Structură de polarizare care realizează rapoarte între curenţi Q 5 Q CC - I REF I 2 I REF /2 I 3 3 I REF /2 I 4 I 6 I 4 I REF Q 3 Q 4 Q 1 Q 2 + EE -
56 Surse de curent cu TEC Oglinda de curent simplă
57 Etaje elementare de amplificare 1 Etaje elementare de amplificare cu tranzistoare bipolare cu jonctiuni Deoarece tranzistorul bipolar cu joncţiuni are trei terminale, unul dintre acestea a fi comun intrării şi ieşirii. Se or deosebi trei conexiuni elementare: - emitor comun (EC); -bază comună (BC); - colector comun (CC). Identificarea conexiunii se referă la regimul ariabil şi, în consecinţă, se a realiza utilizând o schemă echialentă în regim ariabil. În curent continuu nu este obligatoriu să existe un terminal la masă. Analiza etajelor elementare se a efectua în bandă, utilizînd modelul π-hibrid simplificat. Se or urmări câţia dintre parametrii caracteristici amplificatoarelor, cum ar fi: amplificarea de tensiune, rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire.
58 R g g R i i C B Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea emitor comun R B1 R B2 R E R C Q C E C L o R o R L + CC - I B UB C RB + ( β + 1) RE β U R R I β CE CC C E C B CC R R R // R R B B1 B2 B2 + R B1 B2 Punctul static de functionare R B1 R B2 I B U BE I C R C I E Q R E U CE CC
59 R g R i i C B R B1 R B2 R C Q C L o R o R L + CC - g R g R i i R B Q R C R o R L o a o i g R E C E R B R B1 R B2 R L R C R L g R g R i R it b i R B + r π c R ot - e g m be R C R L R o R L o g r m π I β g C m T Amplificarea de tensiune ( ) o gm be RC // RL a o gm R be i ' i L
60 g R g R i R it b i R B + r π c R ot - e g m be R C R L R o R L o g r m π I β g C m T Ri RB// RiT Rezistenta de intrare t R i t it i t t + r π - g m be R it T r π i t Ri RB// r π
61 g R g R i R it b i R B + r π c R ot - e g m be R C R L R o R L o g r m π I β g C m T R ot R o i t t Rezistenta de iesire R g R B + r π - g m be R C i t t R o t i t R C
62 R g g R i I i C B C Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea colector comun (repetor pe emitor) R B1 R B2 β R R E B B CC R R R // R Q C L ( β 1) o B UD + + R R B B1 B2 B2 + R B1 B2 + CC - R o E R L Punctul static de functionare R B1 R B2 I B U BE I C I E Q R E U CE CC β U R I + 1 I R β CE CC E E CC C E
63 Amplificarea in tensiune g R g R i i R it R B Q R o R ot R i R g R it b g i R B + r π - e c g m be R o R B R B1 R B2 R E R L o R ot R L R L (a) R E R L o (b) o ie RE RL ib + ic RE RL + r ( // ) ( ) ( // be ) g ( R // R ) 1 g r + m π 1 R R + β r r π m be E L ( // ) ( R // R ) be E L be E l π π
64 Amplificarea in tensiune g R g R i i R it R B Q R o R ot R i R g R it b g i R B + r π - e c g m be R o R B R B1 R B2 R E R L o R ot R L R L (a) R E R L o (b) i be + o ( β ) ( // ) β rπ RE R i be be ( RE // RL) r r π π L be
65 Amplificarea in tensiune a o i ( β + 1) ( RE // RL) + ( β + 1) ( // ) r R R π E L r π ( β + 1) ( β 1) R ' L + + R ' L Rezistenta de intrare i t R it be it rπ g g rπ i β i m be m t t t + r π - g m be R it ( ) ' ' t be L e t L t + R i rπ i + R β + 1 i r t π it + ( ) ' β + 1 R L R LR E R L Ri RB// RiT
66 Rezistenta de iesire R g Ro RE // RoT R B + r π - g m be R ot t i t 1+ R 1 r π g + // R r π g m B i t be i t + + rπ t be g R ot t m r be π be 0 ( R // R ) g B ( ) r + ( R R ) g // B π g // B rπ + R R 1+ g r 1+ β R o m R E π // ( ) g// B r + R R π β + 1
67 g R g R g Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea baza comuna R i C E i R E R B R i R it Q Q R o R C L C R B1 I C R B R L I B o C B R B2 U BE CC RoT R o R C Q I E U CE R E CC g i R E R C R L o R L g R g R i i R it g m be RoT R o e - c R E r π R C + R L o b
68 g R g R i i R it g m be RoT R o e - c R E r π R C + R L o b Amplificarea in tensiune ( R // R ) g g R be i ' o C L m be m be L a o gm R i ' L
69 i t t R it g m be - r π + R L Rezistenta de intrare i t + be r be π + g t m be 0 Ri RiT // RE i t t 1 gm r + gm t + π 1 t + β r r r π π π t R it t rπ i β + 1 t Rezistenta de iesire R g R E - r π + R ot g m be R C R o i t t i t t R o R C
70 Etaj elementar de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea emitor comun cu rezistenta de emitor nedecuplata R g R i i C B R B1 R B2 R C Q C L o R o R L + CC - g R g R i i R it R B Q R ot R o R C R L o g R E R E R g R i R it R ot R o g R B i + r π - g m be R C R L R L o R E
71 R g R i R it R ot R o g R B i + r π - g m be R E R C R L R L o Amplificarea in tensiune o i g be m be + r be π R ' L + g m be R E a o i g m R 1+ gm r 1+ r π ' L π R E r π β R + ' L ( β + 1) R E a R R ' L E
72 Rezistenta de intrare i t R it t + r π - g m be R L Ri RB // RiT be it rπ g g rπ i β i m be m t t R E ( ) i rπ + β + 1 R t t E Rezistenta de iesire R ot R o R C R it t rπ + ( β + 1) R i t E
73 2 Etaje elementare de amplificare cu tranzistoare cu efect de camp Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu canal p initial în conexiunea sursa comuna
74
75 Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu canal n indus în conexiunea poarta comuna
76 Etaj elementar de amplificare cu TEC-J cu canal n în conexiunea drena comuna (repetor pe sursa)
1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni
1 2 1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni 1.3.1. Efectul Early (modularea grosimii bazei) În analiza funcţionării tranzistorului bipolar prezentată anterior, a fost
Διαβάστε περισσότερα5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Διαβάστε περισσότερα(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
Διαβάστε περισσότερα4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
Διαβάστε περισσότερα10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
Διαβάστε περισσότεραAnaliza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Διαβάστε περισσότερα1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
Διαβάστε περισσότεραCurs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
Διαβάστε περισσότεραV O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
Διαβάστε περισσότερα4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA
Διαβάστε περισσότεραa. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
Διαβάστε περισσότεραExemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Διαβάστε περισσότεραFig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie
Διαβάστε περισσότεραProblema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Διαβάστε περισσότεραL2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural
Διαβάστε περισσότερα11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite
Διαβάστε περισσότεραPolarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
Διαβάστε περισσότερα(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
Διαβάστε περισσότεραOvidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS.
Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS. Circuitele integrate MOS au fost realizate la inceput in tehnologia PMOS, datorita predictibilitatii tensiunii de prag pentru acest tip de tranzistoare. Pe
Διαβάστε περισσότερα2.3. Tranzistorul bipolar
2.3. Tranzistorul bipolar 2.3.1. Structură şi simboluri Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din 3 straturi de material semiconductor şi are trei electrozi conectati la acestea. Construcţia şi
Διαβάστε περισσότεραLUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
Διαβάστε περισσότερα5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni
apitolul 3 3. TRANZTORUL POLAR U JONŢUN Tranzistoarele reprezintă cea mai importantă clasă de dispozitive electronice, deoarece au proprietatea de a amplifica semnalele electrice. În funcţionarea tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE 6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITĂŢI
CATOLUL 6. TAZTOAE UOLAE 6.1. TAZTOAE UOLAE EEALTĂŢ pre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare utilizează un singur tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri) care circulă
Διαβάστε περισσότεραElectronică anul II PROBLEME
Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le
Διαβάστε περισσότεραPlanul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR. La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie.
TANZISTOUL IPOLA La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie. două diode În partea de jos avem o zonă de semiconductor de tip n cu un contact metalic,
Διαβάστε περισσότεραLucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
Διαβάστε περισσότεραCurs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice
Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real este activ (amplifică)precum şi a unor
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)
ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic
Διαβάστε περισσότεραFENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
Διαβάστε περισσότεραAplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS
Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul
Διαβάστε περισσότεραCurs 4 Serii de numere reale
Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni
Διαβάστε περισσότεραCircuite Integrate Analogice Celule fundamentale
ircuite Integrate Analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS Facultatea de Electronică Telecomunicații și Tehnologia Informației Doris sipkes Departamentul Bazele Electronicii Din conținut...
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
Διαβάστε περισσότεραI C I E E B C V CB V EB NAB N DE. b x LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR. 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional
LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional Tranzistorul bipolar (TB) convenţional reprezintă un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, a cărui funcţie principală
Διαβάστε περισσότερα11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.
Διαβάστε περισσότεραFigura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..
I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 7. Polarizarea tranzistorului bipolar
Scopul lucrării a. Introducerea unor noţiuni elementare despre funcţionarea tranzistoarelor bipolare b. Identificarea prin măsurători a regiunilor de funcţioare ale tranzistorului bipolar. c. Prezentarea
Διαβάστε περισσότεραCOMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραCurs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"
Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia
Διαβάστε περισσότεραi R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2
TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare
Διαβάστε περισσότεραMetode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
Διαβάστε περισσότερα3 TRANZISTORUL BIPOLAR
S.D.Anghel - azele electronicii analogice şi digitale 3 TRANZSTORUL POLAR William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956 împreună cu J. ardeen şi W.H rattain. Au pus la punct tehnologia
Διαβάστε περισσότεραElectronică Analogică. 5. Amplificatoare
Electronică Analogică 5. Amplificatoare 5.1. Introducere Prin amplificare înţelegem procesul de mărire a valorilor instantanee ale unei puteri sau ale altei mărimi, fără a modifica modul de variaţie a
Διαβάστε περισσότερα7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE
7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7.1. GENERALITĂŢI PRIVIND AMPLIFICATOARELE DE SEMNAL MIC 7.1.1 MĂRIMI DE CURENT ALTERNATIV 7.1.2 CLASIFICARE 7.1.3 CONSTRUCŢIE 7.2 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
Διαβάστε περισσότεραV.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile
Metode de Optimizare Curs V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Propoziţie 7. (Fritz-John). Fie X o submulţime deschisă a lui R n, f:x R o funcţie de clasă C şi ϕ = (ϕ,ϕ
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE. MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit CUPRINS 1. Avantajele si limitarile MMIC 2. Modelarea dispozitivelor active 3. Calculul timpului de viata al MMIC
Διαβάστε περισσότεραEtaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode conectate în serie Etaj de deplasare a nivelului de curent
Cuprins CAPITOLL 3 STRCTRA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE...5 3. Introducere...5 3. SRSE DE CRENT CONSTANT...5 3.. Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare...53 3... Configuraţia
Διαβάστε περισσότεραAnaliza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener
Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener 1 Caracteristica statică a unei diode Zener În cadranul, dioda Zener (DZ) se comportă ca o diodă redresoare
Διαβάστε περισσότεραRĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,
REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes
Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar aracteristici statice Determinarea unor parametri de interes A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real
Διαβάστε περισσότερα5. TRANZISTOARE UNIPOLARE (cu efect de câmp)
5 TRANZISTOARE UNIOLARE (cu efect de câmp) 5 NOŢIUNI INTROUCTIE Apariţia tranzistoarelor cu efect de câmp (al căror principiu de funcţionare a fost propus de W Shockley încă din 95) a constituit la vremea
Διαβάστε περισσότεραExamen. Site Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate
Curs 12 2015/2016 Examen Sambata, S14, ora 10-11 (? secretariat) Site http://rf-opto.etti.tuiasi.ro barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate min. 1pr. +1pr. Bonus T3 0.5p + X Curs 8-11 Caracteristica
Διαβάστε περισσότεραStabilizator cu diodă Zener
LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator
Διαβάστε περισσότεραMARCAREA REZISTOARELOR
1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea
Διαβάστε περισσότεραVII.2. PROBLEME REZOLVATE
Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea
Διαβάστε περισσότεραDispozitive electronice de putere
Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si
Διαβάστε περισσότερα4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Διαβάστε περισσότεραCurs 1 Şiruri de numere reale
Bibliografie G. Chiorescu, Analiză matematică. Teorie şi probleme. Calcul diferenţial, Editura PIM, Iaşi, 2006. R. Luca-Tudorache, Analiză matematică, Editura Tehnopress, Iaşi, 2005. M. Nicolescu, N. Roşculeţ,
Διαβάστε περισσότεραa. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 %
1. Un motor termic funcţionează după ciclul termodinamic reprezentat în sistemul de coordonate V-T în figura alăturată. Motorul termic utilizează ca substanţă de lucru un mol de gaz ideal având exponentul
Διαβάστε περισσότεραa n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea
Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM CONTINUU
Lucrarea nr 2 TRANZISTORUL IPOLAR ÎN REGIM ONTINUU uprins I Scopul lucrării II Noţiuni teoretice III Desfăşurarea lucrării IV Temă de casă V Simulări VI Anexă 1 I Scopul lucrării Ridicarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραAmplificatoare liniare
mplificatoare liniare 1. Noţiuni introductie În sistemele electronice, informaţiile sunt reprezentate prin intermediul semnalelor electrice, care reprezintă mărimi electrice arible în timp (de exemplu,
Διαβάστε περισσότεραDISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE
DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:
Διαβάστε περισσότεραIntegrala nedefinită (primitive)
nedefinita nedefinită (primitive) nedefinita 2 nedefinita februarie 20 nedefinita.tabelul primitivelor Definiţia Fie f : J R, J R un interval. Funcţia F : J R se numeşte primitivă sau antiderivată a funcţiei
Διαβάστε περισσότερα5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE.
5 Eerciţii reolvate 5 UNCŢII IMPLICITE EXTREME CONDIŢIONATE Eerciţiul 5 Să se determine şi dacă () este o funcţie definită implicit de ecuaţia ( + ) ( + ) + Soluţie ie ( ) ( + ) ( + ) + ( )R Evident este
Διαβάστε περισσότεραa) b) c) Fig Caracteristici de amplitudine-frecvenţă ale amplificatoarelor.
Clasificarea amplificatoarelor Amplificatoarele pot fi comparate după criterii diverse şi corespunzător există numeroase variante de clasificare ale amplificatoarelor. În primul rând, dacă pot sau nu să
Διαβάστε περισσότεραAparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1
Aparate de măsurat Măsurări electronice Rezumatul cursului 2 MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 1. Aparate cu instrument magnetoelectric 2. Ampermetre şi voltmetre 3. Ohmetre cu instrument magnetoelectric
Διαβάστε περισσότεραCircuite electrice in regim permanent
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme apitolul. ircuite electrice in regim permanent. În fig. este prezentată diagrama fazorială a unui circuit serie. a) e fenomen este
Διαβάστε περισσότερα7 AMPLIFICATORUL OPERAŢIONAL
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice şi digitale 7 AMPLIFICATOUL OPEAŢIONAL 7. Electronica amplificatorului operaţional 7.. Amplificatorul diferenţial Amplificatorul operaţional (AO) este un circuit
Διαβάστε περισσότεραIII. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă.
III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. Definiţie. O serie a n se numeşte: i) absolut convergentă dacă seria modulelor a n este convergentă; ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar
Διαβάστε περισσότεραCircuite Integrate Analogice
Circuite integrate analogice I. Circuite fundamentale Cuprins 1 Tranzistoare MOS şi bipolare 3 1.1 Tranzistoare bipolare....................... 3 1.1.1 Generalitǎţi........................ 3 1.1.2 Funcţionarea
Διαβάστε περισσότεραAMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN
AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN Montajul Experimental În laborator este realizat un amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune cu emitorul comun (E.C.) cu o singură
Διαβάστε περισσότεραElemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer.
Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer. Scopul lucrării: Învăţarea folosirii osciloscopului în mod de lucru X-Y. Vizualizarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραDispozitive Electronice şi Electronică Analogică Suport curs 01 Notiuni introductive
1. Reprezentarea sistemelor electronice sub formă de schemă bloc În figura de mai jos, se prezintă schema de principiu a unui circuit (sistem) electronic. sursă de energie electrică intrare alimentare
Διαβάστε περισσότεραEtaj de amplificare elementar cu tranzistor bipolar în conexiune colector comun (repetorul pe emitor)
taj de amplificare elementar cu tranzistor bipolar în conexiune colector comun (repetorul pe emitor) Circuitul echivalent natural π - hibrid (Giacoletto)... taj de polarizare cu TB in conexiune colector
Διαβάστε περισσότερα4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (TB)
apitolul 4 Tranzistoare bipolare 4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (T) Tranzistorul este un dispozitiv electronic activ, cu trei terminale, care realizează
Διαβάστε περισσότεραCapitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25
Capitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25 LAGĂRELE CU ALUNECARE!" 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.!" 25.2.Funcţionarea lagărelor cu alunecare.! 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.
Διαβάστε περισσότεραPlatformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic
Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic Elemente de Electronică Analogică 35. Stabilizatoare de tensiune integrate STABILIZATOARE DE TENSIUNE INTEGRATE Stabilizatoarele
Διαβάστε περισσότερα4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRATĂ
4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRTĂ În prezent, circuitele logice se realizează în exclusivitate prin tehnica integrării monolitice. În funcţie de tehnologia utilizată, circuitele logice integrate
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice
Laborator 4 Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Obiective: o Semnalul sinusoidal, o Semnalul dreptunghiular, o Semnalul triunghiular, o Generarea diferitelor semnale folosind placa multifuncţională
Διαβάστε περισσότεραSubiecte Clasa a VIII-a
Subiecte lasa a VIII-a (40 de intrebari) Puteti folosi spatiile goale ca ciorna. Nu este de ajuns sa alegeti raspunsul corect pe brosura de subiecte, ele trebuie completate pe foaia de raspuns in dreptul
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune
ucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune Scopul lucrării - studiul funcţionării diferitelor tipuri de stabilizatoare de tensiune; - determinarea parametrilor de calitate ai stabilizatoarelor analizate;
Διαβάστε περισσότεραDioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă
Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va
Διαβάστε περισσότεραSIGURANŢE CILINDRICE
SIGURANŢE CILINDRICE SIGURANŢE CILINDRICE CH Curent nominal Caracteristici de declanşare 1-100A gg, am Aplicaţie: Siguranţele cilindrice reprezintă cea mai sigură protecţie a circuitelor electrice de control
Διαβάστε περισσότεραFig Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30].
Fig.3.43. Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30]. Fig.3.44. Dependenţa curentului de fugă de raportul U/U R. I 0 este curentul de fugă la tensiunea nominală
Διαβάστε περισσότεραCOMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE
COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicilor statice de transfer în tensiune pentru comparatoare cu AO fără reacţie. b) Determinarea tensiunilor de ieşire
Διαβάστε περισσότερα2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC
Lucrarea nr.6 AMPLIFICATOAE DE SEMNAL MIC 1. Scopurile lucrării - ridicarea experimentală a caracteristicilor amplitudine-frecvenţă pentru amplificatorul cu cuplaj C şi amplificatorul selectiv; - determinarea
Διαβάστε περισσότερα