Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS.
|
|
- Σαπφειρη Αλεξιάδης
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS. Circuitele integrate MOS au fost realizate la inceput in tehnologia PMOS, datorita predictibilitatii tensiunii de prag pentru acest tip de tranzistoare. Pe masura perfectionarii tehnologiei, prin recurgerea la implantare ionica, tranzistorul NMOS a devenit tot mai raspandit. Evolutia tehnologiei a condus, in continuare, la aparitia dispozitivelor CMOS. Acest capitol este consacrat tranzistoarelor NMOS si PMOS din punctul de vedere al structurii si operarii Tranzistorul NMOS in modul bogat (enhancement mode). Structura de baza a tranzistorului NMOS in modul bogat este aratata mai jos. Ea consta intr-un substrat de tip p, sursa si drena de tip n+. Intre sursa si drena se afla canalul acoperit cu SiO2. Acest strat de oxid mai poarta numele de oxid de poarta. Peste stratul de oxid al portii se afla un strat de siliciu policristalin, care reprezinta poarta. Atunci cand VGS =0, sursa si drena tranzistorului sunt separate de o regiune de tip p. Curentul de la drena la sursa, IDS, este foarte mic si limitat de curentul invers de polarizare din diode. Pe masura ce VGS creste electronii din zonele sursei si drenei vor fi atrasi de regiunea aflata sub poarta. Aceasta va conduce la cresterea conductibilitatii intre drena si sursa. In momentul in care VGS depaseste tensiunea de prag Vtn, se formeaza/se induce un canal (regiune de tip n) intre sursa si drena, canal ce asigura curgerea unui curent de la drena la sursa. O sectiune prin structura tranzistorului NMOS, cat si relatia intre VGS si IDS sunt prezentate in figurile (a) si (b), de mai jos. (a) 1
2 (b) Intrucat pe poarta tranzistorului NMOS nu se constata prezenta unui curent sau a unei tensiuni, acesta in mod normal este blocat. Se spune ca tranzistorul este in modul bogat deoarece se impune o tensiune pe poarta pentru a imbogati canalul in vederea realizarii acestuia. In figura de mai jos se prezinta: mastile pentru un tranzistor NMOS, o sectiune transversala prin structura tranzistorului si familiile de caracteristici IDS = f( VDS,VGS), IDS = f(vgs,vb), pentru VDS = const. Tensiune VB este tensiunea de polarizare a substratului. Modificarea acestei tensiuni de polarizare conduce la modificarea tensiunii de prag. 2
3 3
4 2.2. Tranzistorul NMOS in modul sarac (depletion mode). La tranzistorul NMOS in modul sarac canalul este prezent in absenta unor surse externe. Cnalul este natural, tranzistorul fiind in conductie/deschis, ceea ce se manifesta prin IDS > 0 cand VGS = 0. Pentru blocarea canalului trebuie sa se aplice pe poarta o tensiune negativa in raport cu sursa Tranzistorul PMOS in modul bogat. Ca si tranzistorul NMOS in modul bogat, tranzistorul PMOS in modul bogat nu poseda canal natural, canalul fiind indus atunci cand pe poarta se aplica o tensiune. Astfel, in mod normal este blocat. Caracteristica curent-tensiune a tranzistorului PMOS in mod bogat este inversa in raport cu cea a tranzistorului NMOS in modul bogat. Pentru a aduce tranzistorul in stare de conductie trebuie sa se aplice o tensiune negativa intre poarta si sursa. Mai jos se prezinta o sectiune prin structura tranzistorului (a), si caracteristicile IDS = f(vds) (b). (a) (b) 4
5 In figura de mai jos se prezinta: mastile pentru un tranzistor PMOS, o sectiune transversala prin structura tranzistorului si familiile de caracteristici IDS = f( VDS,VGS), IDS = f(vgs,vb), pentru VDS = const. Tensiune VB este tensiunea de polarizare a substratului. Modificarea acestei tensiuni de polarizare conduce la modificarea tensiunii de prag 5
6 2.4. Operarea tranzistorului. Operarea tranzistorului poate fi examinata in cadrul a doua regiuni: regiunea liniara si regiunea de saturatie (pinch-off). In cele ce urmeaza va fi examinata functionarea tranzistorului in cele doua regiuni Regiunea liniara. Considerand dispozitivl NMOS, cu canal indus, tensiunile de drena si poarta au ca referinta tensiunea sursei. In cazul in care VGS este mai mare decat tensiunea de prag se va forma canalul n. Pentru valori mici (sub 1V) ale tensiunii VDS, caracteristica IDS -VDS este liniara, ca in figura de mai jos, si ramane liniara pentru valori ale lui VDS mai mici decat VGS. Rezistenta intre sursa si drena este controlata de catre tensiunea pe poarta. Aceasta este regiunea liniara. O tensiune pozitiva mica aplicata intre poarta si sursa va induce o sarcina negativa in zona de sub poarta. Aceasta sarcina indusa este formata din acceptori ionizati, care asigura o regiune saraca, ca urmare a repulsiei golurilor. Cresterea in continuarea a tensiunii face ca purtatorii minoritari (electronii) sa fie atrasi catre canal de la sursa si de la drena. La o valoare data a tensiunii pe poarta, concentratia, la suprafata, a purtatorilor minoritari (electronii) poate sa depaseasca densitatea golurilor in material, ceea ce corespunde unei inversii de suprafata. Pentru valori mici ale lui VDS, stratul de inversie se intinde de la sursa la drena. 6
7 2.4. Regiunea de saturatie. Se considera situatia in care tensiunea de grila depaseste tensiunea de prag, dispozitivul fiind in conductie, cu canalul format. Pentru valori mici ale lui VDS, atunci cand VDS < VGS - V tn, stratul de inversie se intinde de la sursa la drena. Dispozitivul lucreaza ca un rezistor variabil controlat de o tensiune. Pe masura ce VDS creste, tensiunea intre poarta si drena scade, dar IDS inca are o crestere. Cand VDS =VGS -V tn, campul electric E prezent la capatul dinspre drena si dielectricul portii se reduce la o asemenea valoare incat stratul de inversie nu mai este asigurat. In aceasta situatie se spune ca a avut loc taierea (pinch-off) canalului. Aceasta situatie este prezentata in figura de mai jos. Curentul de la drena la sursa este saturat si notat cu IDSAT. O crestere in continuare a tensiunii VDS fata de VDSAT conduce la crearea unei zone fara inversie, ca in figura de mai jos. Datorita proprietatii de continuitate IDS este egal cu IDSAT. Zona formata, dispunand de un camp puternic, accelereaza electronii, care ajung la punctul de taiere, pentru a trece spre drena. Curentul ramane constant si egal cu cel de saturatie. Se poate insa constata ca 7
8 lungimea canalului s-a micsorat de la L la L. Acest fenomen poarta numele de modulare a canalului si are ca rezultat o usoara crestere a curentului in regiunea de saturatie. Caracteristica I-V a tranzistorului NMOS, cu canal indus, este data mai jos Ecuatia curentului IDS. In cele ce urmeaza se vor deduce o serie de ecuatii pentru curentul IDS, pe baza modelului simplificat al controlului prin sarcina. Pentru regiunea liniara, unde VGS > Vtn si V D < V G - V tn, se poate presupune o distributie uniforma a sarcinii, ceea ce face ca urmatoarea ecuatie sa fie valida: Q c ~ - C ox (VGS - V tn ) 8
9 unde Q c este densitatea de sarcina in canal (coulombi/unitatea de arie) si C ox este capacitatea portii pe unitatea de arie. Se poate observa ca semnul este negativ datorita faptului ca sarcina este constituita din electroni. Timpul de tranzit al sarcinii prin canal este egal cu lungimea canalului L impartita la viteza: τ ~ L/viteza Viteza electronilor este proportionala cu mobilitatea μn inmultita cu intensitatea campului electric E, ceea ce face ca τ ~ L/(μn.E) Pe de alta parte, intensitatea campului electric este egala cu VDS/L, ceea ce va conduce la: τ ~ L 2 /(μn.vds) Elementele geometrice ce caracterizeaza canalul L lungime, W- latime sunt prezentate in figura urmatoare: Raportul W/L poarta numele de raport- aspect. Pe baza celor de mai sus se poate scrie: ISD ~ sarcina totala in canal/timpul de tranzit sau ISD ~ - Cox (VGS Vtn).W.L/( L 2 /(μn.vds)) Dar, IDS = - ISD, astfel, ecuatia curentului IDS devine: IDS ~ μn.cox. (W/L). (VGS Vtn).VDS Parametrul W/L poate fi controlat de catre proiectant. 9
10 Observatii: - μn.cox. (W/L) reprezinta factorul de amplificare al tranzistorului (β); - μn.cox. este tipic (20-30) 10 6 A/V 2 - μn este tipic (6-9) 10 2 m 2 /V.s - Cox. este tipic (3-4) 10 4 F/m 2 In continuare se face o comparatie intre ecuatia simplificata si o ecuatie mai exacta pentru IDS, in regiunea liniara: - ecuatia simplificata: IDS ~ μn.cox. (W/L). (VGS Vtn).VDS - ecuatia mai exacta: IDS ~ μn.cox. (W/L). [(VGS Vtn).VDS - V 2 DS/2] Cand VDS este mic, modelul bazat pe controlul prin sarcina asigura o precizie rezonabila. In cazul reducerii dimensiunilor dispozitivului, aceste ecuatii de proiectare devin mai putin precise. Chiar fara termenul la patrat IDSAT poate fi calculat pe baza modelului controlat prin sarcina prin inlocuirea VDS = VDSAT = VGS Vtn, ceea ce va conduce la: IDSAT ~ μn.cox. (W/L). (VGS Vtn) 2 Aceastei estimari ii lipseste termenul V 2 DS/2 Intr-o maniera similara se poate examina tranzistorul PMOS. 2.6.Tensiunea de prag ( Vtn sau Vtn). Tensiunea de prag poate fi definita ca tensiunea intre poarta si sursa unui dispozitiv MOS sub valoarea careia curentul IDS devine zero. Considerand o valoare mica pentru VGS se pot face urmatoarele constatari: - sarcina initiala in canal se datoreaza numai acceptorilor ionizat din regiunea saraca; - concentratia de purtatori minoritari de la suprafata devina egala cu concentratia purtatorilor majoritari din substrat; - cresterea in continuarea a lui VGS induce un puternic strat de inversie; - tensiunea de prag Vtn/ Vtp poate fi controlata prin modificarea grosimii stratului de dioxid de siliciu tox, care nu constituie un parametru de proiectare, fiind controlat de specialistul in procesul de fabricatie. 10
11 2.7. Efectul de corp Sursa unui dispozitiv de tip N este de regula conectata la o tensiune coborata, ca si structura de baza/corpul, astfel incat tensiunea intre ele VBS = 0. In aceste conditii tensiunea de polarizare a substratului/corpului va afecta tensiunea de prag in mod direct. Dispozitivele MOS sunt construite pe un substrat comun, ceea ce face ca tensiunea de polarizare a substratului sa fie aceeasi. Exista unele combinatii, dupa cum se vede in figura de mai jos, in care tensiunea intre sursa si substrat sa nu fie egala cu zero (VBS1 = 0, VBS2 0). Cand creste tensiunea intre sursa si substrat creste, de asemenea, si latimea stratului sarac canalsubstrat. Ca rezultat, creste numarul acceptorilor ionizati din stratul sarac. Acesta trebuie compensat cu o sarcina egala si de semn opus pe poarta inainte de formarea stratului de inversie, ceea ce conduce la cresterea tensiunii de prag. O aproximatie de ordinul 0, pentru tensiunea de prag, este urmatoarea: Vtn = Vtn(0) + γ.v 1/2 BS unde Vtn(0) este tensiune de prag atunci cand VBS1=0, iar γ poate lua valori de la: 0.1 V 1/2 la 1 V 1/2. In relatia de mai sus semnul este pozitiv pentru dispozitivele NMOS. 11
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Διαβάστε περισσότερα4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
Διαβάστε περισσότερα10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
Διαβάστε περισσότεραCurs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
Διαβάστε περισσότεραAplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Διαβάστε περισσότερα1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
Διαβάστε περισσότεραAnaliza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Διαβάστε περισσότεραV O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
Διαβάστε περισσότερα(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3. Analiza si proiectarea la nivel de masti a inversoruluicmos. Reguli de proiectare a mastilor
Capitolul 3. Analiza si proiectarea la nivel de masti a inversoruluicmos. Reguli de proiectare a mastilor In primul capitol au fost prezentate mai multe exemple de porti logice, realizate cu ajutorul tranzistoarelor
Διαβάστε περισσότεραCurs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele
Διαβάστε περισσότεραFig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
Διαβάστε περισσότεραMetode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
Διαβάστε περισσότεραLUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE 6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITĂŢI
CATOLUL 6. TAZTOAE UOLAE 6.1. TAZTOAE UOLAE EEALTĂŢ pre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare utilizează un singur tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri) care circulă
Διαβάστε περισσότεραCurs 4 Serii de numere reale
Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni
Διαβάστε περισσότεραDISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE
DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:
Διαβάστε περισσότεραOvidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
Διαβάστε περισσότεραProblema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Διαβάστε περισσότεραPlanul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
Διαβάστε περισσότεραElectronică anul II PROBLEME
Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le
Διαβάστε περισσότεραRĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,
REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii
Διαβάστε περισσότερα11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.
Διαβάστε περισσότεραFunctii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor X) functia f 1
Functii definitie proprietati grafic functii elementare A. Definitii proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi X si Y spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe X cu valori in Y daca fiecarui
Διαβάστε περισσότεραa. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
Διαβάστε περισσότεραR R, f ( x) = x 7x+ 6. Determinați distanța dintre punctele de. B=, unde x și y sunt numere reale.
5p Determinați primul termen al progresiei geometrice ( b n ) n, știind că b 5 = 48 și b 8 = 84 5p Se consideră funcția f : intersecție a graficului funcției f cu aa O R R, f ( ) = 7+ 6 Determinați distanța
Διαβάστε περισσότεραMARCAREA REZISTOARELOR
1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea
Διαβάστε περισσότεραPolarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
Διαβάστε περισσότερα(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Διαβάστε περισσότεραFENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
Διαβάστε περισσότερα5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE.
5 Eerciţii reolvate 5 UNCŢII IMPLICITE EXTREME CONDIŢIONATE Eerciţiul 5 Să se determine şi dacă () este o funcţie definită implicit de ecuaţia ( + ) ( + ) + Soluţie ie ( ) ( + ) ( + ) + ( )R Evident este
Διαβάστε περισσότεραFunctii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor
Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi si spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe cu valori in daca fiecarui element
Διαβάστε περισσότερα11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite
Διαβάστε περισσότεραSubiecte Clasa a VII-a
lasa a VII Lumina Math Intrebari Subiecte lasa a VII-a (40 de intrebari) Puteti folosi spatiile goale ca ciorna. Nu este de ajuns sa alegeti raspunsul corect pe brosura de subiecte, ele trebuie completate
Διαβάστε περισσότεραExemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Διαβάστε περισσότερα5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
Διαβάστε περισσότεραa n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea
Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
Διαβάστε περισσότεραIntegrala nedefinită (primitive)
nedefinita nedefinită (primitive) nedefinita 2 nedefinita februarie 20 nedefinita.tabelul primitivelor Definiţia Fie f : J R, J R un interval. Funcţia F : J R se numeşte primitivă sau antiderivată a funcţiei
Διαβάστε περισσότεραSubiecte Clasa a VIII-a
Subiecte lasa a VIII-a (40 de intrebari) Puteti folosi spatiile goale ca ciorna. Nu este de ajuns sa alegeti raspunsul corect pe brosura de subiecte, ele trebuie completate pe foaia de raspuns in dreptul
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
Διαβάστε περισσότεραFigura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..
I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,
Διαβάστε περισσότερα4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRATĂ
4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRTĂ În prezent, circuitele logice se realizează în exclusivitate prin tehnica integrării monolitice. În funcţie de tehnologia utilizată, circuitele logice integrate
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS
Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii
Διαβάστε περισσότεραCurs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"
Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia
Διαβάστε περισσότερα1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni
1 2 1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni 1.3.1. Efectul Early (modularea grosimii bazei) În analiza funcţionării tranzistorului bipolar prezentată anterior, a fost
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Διαβάστε περισσότεραV.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile
Metode de Optimizare Curs V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Propoziţie 7. (Fritz-John). Fie X o submulţime deschisă a lui R n, f:x R o funcţie de clasă C şi ϕ = (ϕ,ϕ
Διαβάστε περισσότεραa. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 %
1. Un motor termic funcţionează după ciclul termodinamic reprezentat în sistemul de coordonate V-T în figura alăturată. Motorul termic utilizează ca substanţă de lucru un mol de gaz ideal având exponentul
Διαβάστε περισσότερα5. TRANZISTOARE UNIPOLARE (cu efect de câmp)
5 TRANZISTOARE UNIOLARE (cu efect de câmp) 5 NOŢIUNI INTROUCTIE Apariţia tranzistoarelor cu efect de câmp (al căror principiu de funcţionare a fost propus de W Shockley încă din 95) a constituit la vremea
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul
Διαβάστε περισσότερα4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Διαβάστε περισσότεραDispozitive electronice de putere
Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si
Διαβάστε περισσότεραCircuite Integrate Analogice
Circuite integrate analogice I. Circuite fundamentale Cuprins 1 Tranzistoare MOS şi bipolare 3 1.1 Tranzistoare bipolare....................... 3 1.1.1 Generalitǎţi........................ 3 1.1.2 Funcţionarea
Διαβάστε περισσότεραLucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
Διαβάστε περισσότεραCurs 1 Şiruri de numere reale
Bibliografie G. Chiorescu, Analiză matematică. Teorie şi probleme. Calcul diferenţial, Editura PIM, Iaşi, 2006. R. Luca-Tudorache, Analiză matematică, Editura Tehnopress, Iaşi, 2005. M. Nicolescu, N. Roşculeţ,
Διαβάστε περισσότερα2.1 Sfera. (EGS) ecuaţie care poartă denumirea de ecuaţia generală asferei. (EGS) reprezintă osferă cu centrul în punctul. 2 + p 2
.1 Sfera Definitia 1.1 Se numeşte sferă mulţimea tuturor punctelor din spaţiu pentru care distanţa la u punct fi numit centrul sferei este egalăcuunnumăr numit raza sferei. Fie centrul sferei C (a, b,
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă
Διαβάστε περισσότεραValori limită privind SO2, NOx şi emisiile de praf rezultate din operarea LPC în funcţie de diferite tipuri de combustibili
Anexa 2.6.2-1 SO2, NOx şi de praf rezultate din operarea LPC în funcţie de diferite tipuri de combustibili de bioxid de sulf combustibil solid (mg/nm 3 ), conţinut de O 2 de 6% în gazele de ardere, pentru
Διαβάστε περισσότεραStabilizator cu diodă Zener
LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator
Διαβάστε περισσότεραIII. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă.
III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. Definiţie. O serie a n se numeşte: i) absolut convergentă dacă seria modulelor a n este convergentă; ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar
Διαβάστε περισσότεραIV. CUADRIPOLI SI FILTRE ELECTRICE CAP. 13. CUADRIPOLI ELECTRICI
V. POL S FLTE ELETE P. 3. POL ELET reviar a) Forma fundamentala a ecuatiilor cuadripolilor si parametrii fundamentali: Prima forma fundamentala: doua forma fundamentala: b) Parametrii fundamentali au urmatoarele
Διαβάστε περισσότεραSisteme diferenţiale liniare de ordinul 1
1 Metoda eliminării 2 Cazul valorilor proprii reale Cazul valorilor proprii nereale 3 Catedra de Matematică 2011 Forma generală a unui sistem liniar Considerăm sistemul y 1 (x) = a 11y 1 (x) + a 12 y 2
Διαβάστε περισσότερα1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea activă normală
1 1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea actiă normală Se a considera cazul unui tranzistor npn. Funcţionarea tranzistorului pnp este principial aceeaşi dacă se
Διαβάστε περισσότερα3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE.
3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE. 3.5.1 STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU AMPLIFICATOARE OPERAȚIONALE. Principalele caracteristici a unui stabilizator de tensiune sunt: factorul de stabilizare
Διαβάστε περισσότεραDefiniţia generală Cazul 1. Elipsa şi hiperbola Cercul Cazul 2. Parabola Reprezentari parametrice ale conicelor Tangente la conice
1 Conice pe ecuaţii reduse 2 Conice pe ecuaţii reduse Definiţie Numim conica locul geometric al punctelor din plan pentru care raportul distantelor la un punct fix F şi la o dreaptă fixă (D) este o constantă
Διαβάστε περισσότεραCapitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25
Capitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25 LAGĂRELE CU ALUNECARE!" 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.!" 25.2.Funcţionarea lagărelor cu alunecare.! 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE CU DZ ȘI LED-URI
CICUITE CU DZ ȘI LED-UI I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru diode Zener. b) Determinarea funcționării diodelor Zener în circuite de limitare. c) Determinarea modului de
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni
apitolul 3 3. TRANZTORUL POLAR U JONŢUN Tranzistoarele reprezintă cea mai importantă clasă de dispozitive electronice, deoarece au proprietatea de a amplifica semnalele electrice. În funcţionarea tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4. Integrale improprii Integrale cu limite de integrare infinite
Capitolul 4 Integrale improprii 7-8 În cadrul studiului integrabilităţii iemann a unei funcţii s-au evidenţiat douăcondiţii esenţiale:. funcţia :[ ] este definită peintervalînchis şi mărginit (interval
Διαβάστε περισσότεραCircuite Integrate Analogice Celule fundamentale
ircuite Integrate Analogice elule fundamentale Tranzistoare bipolare și MOS Facultatea de Electronică Telecomunicații și Tehnologia Informației Doris sipkes Departamentul Bazele Electronicii Din conținut...
Διαβάστε περισσότεραLaborator 11. Mulţimi Julia. Temă
Laborator 11 Mulţimi Julia. Temă 1. Clasa JuliaGreen. Să considerăm clasa JuliaGreen dată de exemplu la curs pentru metoda locului final şi să schimbăm numărul de iteraţii nriter = 100 în nriter = 101.
Διαβάστε περισσότεραi R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2
TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare
Διαβάστε περισσότεραAsupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 2006
Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 006 Mircea Lascu şi Cezar Lupu La cel de-al cincilea baraj de Juniori din data de 0 mai 006 a fost dată următoarea inegalitate: Fie x, y, z trei numere reale
Διαβάστε περισσότεραDioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă
Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va
Διαβάστε περισσότεραVII.2. PROBLEME REZOLVATE
Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea
Διαβάστε περισσότερα3 TRANZISTORUL BIPOLAR
S.D.Anghel - azele electronicii analogice şi digitale 3 TRANZSTORUL POLAR William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956 împreună cu J. ardeen şi W.H rattain. Au pus la punct tehnologia
Διαβάστε περισσότεραSeminar 5 Analiza stabilității sistemelor liniare
Seminar 5 Analiza stabilității sistemelor liniare Noțiuni teoretice Criteriul Hurwitz de analiză a stabilității sistemelor liniare În cazul sistemelor liniare, stabilitatea este o condiție de localizare
Διαβάστε περισσότεραSEMINAR 14. Funcţii de mai multe variabile (continuare) ( = 1 z(x,y) x = 0. x = f. x + f. y = f. = x. = 1 y. y = x ( y = = 0
Facultatea de Hidrotehnică, Geodezie şi Ingineria Mediului Matematici Superioare, Semestrul I, Lector dr. Lucian MATICIUC SEMINAR 4 Funcţii de mai multe variabile continuare). Să se arate că funcţia z,
Διαβάστε περισσότεραELECTRONII ÎN SOLIDE M E T A L I Z O L A T O R A T O M A T O M. E n e r g i e. n i v e l. n i v e l. b a n d a d e c o n d u c t i e g o a l a
ELECTRONII ÎN SOLIDE Se găseşte experimental şi mecanica cuantică demonstrează că într-un atom electronii au o energie bine definită, nivelele de energie. Pe un nivel de energie de tip "s" pot "încăpea"
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 7. Polarizarea tranzistorului bipolar
Scopul lucrării a. Introducerea unor noţiuni elementare despre funcţionarea tranzistoarelor bipolare b. Identificarea prin măsurători a regiunilor de funcţioare ale tranzistorului bipolar. c. Prezentarea
Διαβάστε περισσότεραSTRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE
3 STRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE 31 Structura TTL standard Familia circuitelor integrate TTL (Transistor Transistor Logic) a fost creată de Texas Instruments şi standardizată în anul 1964 Circuitele integrate
Διαβάστε περισσότεραElemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer.
Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer. Scopul lucrării: Învăţarea folosirii osciloscopului în mod de lucru X-Y. Vizualizarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραriptografie şi Securitate
riptografie şi Securitate - Prelegerea 12 - Scheme de criptare CCA sigure Adela Georgescu, Ruxandra F. Olimid Facultatea de Matematică şi Informatică Universitatea din Bucureşti Cuprins 1. Schemă de criptare
Διαβάστε περισσότεραOvidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme Capitolul Diode semiconductoare 3. În fig. 3 este preentat un filtru utiliat după un redresor bialternanţă. La bornele condensatorului
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie. Aplicaţii.
Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regi de coutaţie. Aplicaţii. Scopul lucrării - Studiul condiţiilor de saturaţie pentru T; - Studiul aplicaţiilor cu T în regi de coutaţie; 1. ondiţia de saturaţie
Διαβάστε περισσότεραSeminariile Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reziduurilor
Facultatea de Matematică Calcul Integral şi Elemente de Analiă Complexă, Semestrul I Lector dr. Lucian MATICIUC Seminariile 9 20 Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reiduurilor.
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune
ucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune Scopul lucrării - studiul funcţionării diferitelor tipuri de stabilizatoare de tensiune; - determinarea parametrilor de calitate ai stabilizatoarelor analizate;
Διαβάστε περισσότεραCOMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului
Διαβάστε περισσότερα( ) Recapitulare formule de calcul puteri ale numărului 10 = Problema 1. Să se calculeze: Rezolvare: (
Exemple e probleme rezolvate pentru curs 0 DEEA Recapitulare formule e calcul puteri ale numărului 0 n m n+ m 0 = 0 n n m =0 m 0 0 n m n m ( ) n = 0 =0 0 0 n Problema. Să se calculeze: a. 0 9 0 b. ( 0
Διαβάστε περισσότεραCircuite electrice in regim permanent
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme apitolul. ircuite electrice in regim permanent. În fig. este prezentată diagrama fazorială a unui circuit serie. a) e fenomen este
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE. MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit CUPRINS 1. Avantajele si limitarile MMIC 2. Modelarea dispozitivelor active 3. Calculul timpului de viata al MMIC
Διαβάστε περισσότεραAnaliza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener
Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener 1 Caracteristica statică a unei diode Zener În cadranul, dioda Zener (DZ) se comportă ca o diodă redresoare
Διαβάστε περισσότεραExamen. Site Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate
Curs 12 2015/2016 Examen Sambata, S14, ora 10-11 (? secretariat) Site http://rf-opto.etti.tuiasi.ro barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate min. 1pr. +1pr. Bonus T3 0.5p + X Curs 8-11 Caracteristica
Διαβάστε περισσότερα4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA
Διαβάστε περισσότεραLIMITĂRI STATICE ALE AMPLIFICATOARELOR OPERAłIONALE
LMTĂ STATCE ALE AMPLFCATOAELO OPEAłNALE 5 La un AO ideal dacă valoarea de curent continuu a tensiunii de intrare este zero atunci şi la ieşire valoarea de c.c. a tensiunii este tot zero. Această limitare
Διαβάστε περισσότερα