ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ, ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ

Σχετικά έγγραφα
.Λιούπης. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά - Ηµιαγωγικές Μνήµες 1

Ηλεκτρονικός οδηγός για τους φοιτητές ενός Α.Ε.Ι.

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΓΕΩΛΟΓΙΑΣ ΤΟΜΕΑΣ ΓΕΩΛΟΓΙΑΣ

Σχεδίαση στατικών μνημών RAM

ΣΕΙΣΜΟΣ & ΑΝΤΙΣΕΙΣΜΙΚΗ ΠΡΟΣΤΑΣΙΑ ΣΤΟ ΣΧΟΛΙΚΟ ΧΩΡΟ ΣΤΟ ΠΛΑΙΣΙΟ ΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΕΙΦΟΡΟ ΑΝΑΠΤΥΞΗ

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Μελλοντικές Κατευθύνσεις

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας

Χαρακτηρισµός Κυκλώµατος και Εκτίµηση Απόδοσης 2. Χαρακτηρισµός Κυκλώµατος

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. Σταθερές Μνήμες Αρχιτεκτονικές Μνήμης RAM

Electronic Analysis of CMOS Logic Gates

Αποκωδικοποιητές Μνημών

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

ΟΙΚΟΝΟΜΟΤΕΧΝΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΕΝΟΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΑ ΑΥΤΟΝΟΜΟΥ ΝΗΣΙΟΥ ΜΕ Α.Π.Ε

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)

Πλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΠΡΟΕΝΙΣΧΥΤΗ ΜΟΥΣΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ ΜΕ ΔΥΝΑΤΟΤΗΤΑ ΕΦΕ

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Μεταπτυχιακή διατριβή

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018

ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΙ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟ ΜΗΧΑΝΩΝ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

ΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Έξυπνα ίκτυα Και Νέες Τεχνολογίες Εξοικονόµησης

Ο ΗΓΙΕΣ ΣΥΓΓΡΑΦΗΣ ΙΑΤΡΙΒΩΝ & ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΩΝ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης. Πριν την εξοµοίωση Σχεδίαση. Εξοµοίωση CMOS VLSI κυκλωµάτων 2

ΕΙΣΑΓΩΓΗ στους Η/Υ. Δρ. Β Σγαρδώνη. Τμήμα Τεχνολογίας Αεροσκαφών ΤΕΙ ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ. Χειμερινό Εξάμηνο


Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Τετάρτη, 11 Ιανουαρίου 2017, 04:00 μμ. Σας καλωσορίζουμε!

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

ΔΥΝΑΜΙΚΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΜΕΣΟΥ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI II

CMOS Technology for Computer Architects

Κεφάλαιο 12 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Μνήμες 2

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI II

Μικροηλεκτρονική - VLSI

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 7η - Ακολουθιακά Κυκλώματα

ΠΡΑΚΤΙΚΟ 6/ ΣΥΝΕΔΡΙΑΣΗΣ THΣ ΣΥΝΕΛΕΥΣΗΣ ΤΟΥ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε.

ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΙ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟ ΜΗΧΑΝΩΝ

ΗΜΥ 210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων. Συνδιαστικά Λογικά Κυκλώματα / Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 1

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.

Θεωρία Τρανζίστορ MOS

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Συνάφεια Κρυφής Μνήµης σε Επεκτάσιµα Μηχανήµατα

Σύστημα ψηφιακής επεξεργασίας ακουστικών σημάτων με χρήση προγραμματιζόμενων διατάξεων πυλών. Πτυχιακή Εργασία. Φοιτητής: ΤΣΟΥΛΑΣ ΧΡΗΣΤΟΣ

Probability and Random Processes (Part II)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2

Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

Ανάπτυξη διαδικτυακής διαδραστικής εκπαιδευτικής εφαρμογής σε λειτουργικό σύστημα Android

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΓΕΩΡΓΙΟΣ Α. ΤΖΙΑΤΖΙΟΣ

Τομέας Υλικού και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

V DS T jmax G PG-TO262 G FP SP T jmax. Gate source voltage static V GS V GS ± ± Power dissipation, T C = 25 C P tot G-TO220 C3 T C V DD

(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ. ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Περίοδος Σεπτεμβρίου 2011

ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017

«Μετα Μετ πτ π υ τ χ υ ιακές Σπουδές ιακές & Έρευνα & Έρευνα τ σ ο τ Τ ο μήμα μήμα υσικής τ υσικής ου ΑΠΘ Α απληρωτής απληρω

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 4 η Εργαστηριακή Άσκηση

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο Κυκλώματα CMOS. Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

ΤΕΙ Θεσσαλίας - Τεχνολογικών Εφαρμογών (ΣΤΕΦ) Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών Τ.Ε.

ΤΕΙ Θεσσαλίας - Τεχνολογικών Εφαρμογών (ΣΤΕΦ) Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών Τ.Ε.

ΜΟΝΑΔΕΣ ΜΝΗΜΗΣ. Μονάδες Μνήμης 1. Ε. Κυριάκης Μπιτζάρος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ

Bλάβες, ελαττώματα και. Δημήτρης Νικολός, Τμήμα Μηχ. Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής, Παν. Πατρών

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI II

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI II

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ - ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΕΣ ΣΠΟΥΔΕΣ ΚΑΝΟΝΙΣΜΟΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ

Ο Δ Η Γ Ι Ε Σ Χ Ε Ι Ρ Ι Σ Μ Ο Υ

ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ ΕΠΙΧΕΙΡΗΣΙΑΚΗΣ ΕΡΕΥΝΑΣ ΜΕ ΤΗ ΧΡΗΣΗ Η/Υ (3 ο Φυλλάδιο)

Μεταπτυχιακή διατριβή

ΚΒΑΝΤΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ

Σχεδίαση Ψηφιακών Συστημάτων

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ

ΕΛΛΗΝΙΚΟ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ASHRAE. «Eco-design, Refrigeration, KENAK & Energy audits»

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

i Στα σύγχρονα συστήματα η κύρια μνήμη δεν συνδέεται απευθείας με τον επεξεργαστή

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

Ψηφιακή Σχεδίαση με CAD II

What we should learn. Συστήματα VLSI 2

Transcript:

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ, ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΑΝΑΖΗΤΗΣΗ ΣΤΟ ΧΩΡΟ ΣΥΝΘΕΣΗΣ ΚΑΙ ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗΣ ΜΝΗΜΩΝ CACHE ΚΑΤΩ ΑΠΟ ΤΗ ΔΙΑΚΥΜΑΝΣΗ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ ON THE EXLORATION AND OPTIMIZATION OF CACHES UNDER PARAMETRIC VARIATION Μεταπτυχιακή Διατριβή Χαράλαμπος Γ. Αντωνιάδης Επιβλέποντες Καθηγητές : Ευμορφόπουλος Νέστωρας Επίκουρος Καθηγητής Σταμούλης Γεώργιος Καθηγητής Τσομπανοπούλου Παναγιώτα Επίκουρος Καθηγήτρια Βόλος, Ιούλιος 2014

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ Αναζήτηση στο χώρο σύνθεσης και βελτιστοποίησης μνημών cache κάτω από τη διακύμανση παραμέτρων Μεταπτυχιακή Διατριβή Χαράλαμπος Γ. Αντωνιάδης Επιβλέποντες : Ευμορφόπουλος Νέστωρας Επίκουρος Καθηγητής Σταμούλης Γεώργιος Καθηγητής Τσομπανοπούλου Παναγιώτα Επίκουρος Καθηγήτρια Εγκρίθηκε από την τριμελή εξεταστική επιτροπή την 11 η Ιουλίου 2014......... Ν. Μπέλλας Π. Τσομπανοπούλου Χ. Δ. Αντωνόπουλος Αναπληρωτής Καθηγητής Επίκουρος Καθηγήτρια Επίκουρος Καθηγητής

Μεταπτυχιακή Διατριβή για την απόκτηση του Μεταπτυχιακού διπλώματος Ειδίκευσης «Επιστήμη και Τεχνολογία Υπολογιστών, Τηλεπικοινωνιών και Δικτύων» του Πανεπιστημίου Θεσσαλίας, στα πλαίσια του Προγράμματος Μεταπτυχιακών Σπουδών του Τμήματος Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών και Δικτύων του Πανεπιστημίου Θεσσαλίας... Αντωνιάδης Χαράλαμπος Διπλωματούχος Μηχανικός Ηλεκτρονικών Υπολογιστών, Τηλεπικοινωνιών και Δικτύων Πανεπιστημίου Θεσσαλίας Copyright Charalampos Antoniadis, 2014 Με επιφύλαξη παντός δικαιώματος. All rights reserved. Απαγορεύεται η αντιγραφή, αποθήκευση και διανομή της παρούσας εργασίας, εξ ολοκλήρου ή τμήματος αυτής, για εμπορικό σκοπό. Επιτρέπεται η ανατύπωση, αποθήκευση και διανομή για σκοπό μη κερδοσκοπικό, εκπαιδευτικής ή ερευνητικής φύσης, υπό την προϋπόθεση να αναφέρεται η πηγή προέλευσης και να διατηρείται το παρόν μήνυμα. Ερωτήματα που αφορούν τη χρήση της εργασίας για κερδοσκοπικό σκοπό πρέπει να απευθύνονται προς τον συγγραφέα.

µ = 6.74E 10 σ = 2.74E 12 I ds V ds α V gs = 1.1V µ = 1.94E 10 σ = 7.98E 13 µ = 7.2E 3 sd = 0.036E 3

µ = 6.6387E 9 σ = 5.7098E 12 µ = 1.5256E 9 σ = 5.3615E 11 µ = 9.9119E 10 σ = 2.5040E 12 µ = 7.0047E 10 σ = 3.6974E 12 µ = 4.9032E 9 σ = 2.6216E 10 µ = 1.7875E 9 σ = 1.1985E 12 µ = 2.6741E 9 σ = 2.6788E 12 µ = 5.71E 9 σ = 4.6116E 12

SRAM PDF EVT CMOS MOSFET FinFET CMP PF MC EMC IS LUT WID

I leak = µ eff C ox W L u2 t (1 e ( V dd u t ) ) e ( V th V off n u t ) µ eff C ox W /L u t V th V off V gs = 0 V ds = V dd

P leak inv = I leak pmos + I leak nmos V DD 2 I leak pmos I leak nmos P leak nand2 = I leak nmos SF nand2 V DD SF nand2 P leak = P leak network + P leak peripheral circuitry + P leak mem array P peripheral circuitry = (P leak decoder + P leak senseamps ) N banks N subbanks N mats in subbank

P leak mem cells = N subarr rows N subarr cols P mem cell P mem cell = V DD I cell leakage I cell leakage = (n N I N + n P I P )k design n N n P I N I P k degign

R e ff C drain C gate C gate (W ) = W L eff C gate + L poly L eff C polywire L eff W L poly C gate C polywire C drain (W ) = A D W C diffarea + P D C diffside + W C diffgate

A D = W L D P D = W + 2 L D C diffarea C diffside C diffgate C diffgate R V ds I ds

R eff = V DD I eff I eff = I H + I L 2 I H = I DS (V GS = V DD, V DS = V DD 2 ) I L = I DS (V GS = V DD 2, V DS = V DD ) x C eq R eq Vx Req Ceq [ ( uth )] 2 delay = t f + 2trise b(1 u th )/t f V dd V dd

u th t rise t f t f = R eq C eq b b = 0.5 t fall [ ( delay = t f 1 u )] 2 th 2t fall b u th + V dd V dd t f b = 4 u th1 u th2 [ ( uth )] 2 delay = t f + 2trise b(1 u th )/t f + V dd V [ ( dd uth1 ) ( uth2 ] t f V dd V dd [ ( delay = t f 1 u th )] 2 2t fall b u th + + V dd V dd t f ( 1 u ] th2 V dd [ ( t f 1 u ) th1 V dd T step = [ R 2 C 2 + (R 1 + R 2 )C 1 ] ( ustart u end ) u start u end u start >

u end u start V dd u end u start u pre u end u pre u sense delay = { V 2T DD V th step, if T m step 0.5 V DD V th m T step + V DD V th, if T 2m step > 0.5 V DD V th m R1 C1 C2 R2 T access = T request network + T mat + T reply netork T mat = MAX(T row dec path, T col dec path ) T row dec path = T row dec + T bitline + T senseamp T col dec path = T col dec

T cycle time = max(t row dec path + T wordline reset + T bl restore, T between buffers htree network, T col dec path ) R wire = ρ d (thickness barrier)(width 2barrier) d < 1 ρ C wire = ε 0 (2Kε horiz thickness spacing + 2ε width vert layerspacing ) + fringe(ε horiz, ε vert )

τ = ( 1 l R o(c 0 + C p ) + R ) o s C wire + R wire sc 0 + 0.5R wire C wire l C 0 C p R o l s C 0 C p R o R wire C wire L optimal = 2R o (C 0 + C p ) R wire C wire S optimal = Ro C wire R wire C 0 delay = 0.693 τ len len L optimal S optimal P leakage = 1 + β V DD I leak 2 β I leak W = W min.nmos S optimal

l Ro Rwire Cp Cwire C0 Repeater t delay = nand delay + inverter delay + driver delay nand inverter driver P leakage = 4 (P leak inv + P leak nand2) P leak inv P leak nand2

t driver = (R driver (C wire + C drain ) + R wire C wire /2 + (R driver + R wire ) C senseamp ) C wire R wire R driver C drain P leak = 4 P leak inv P leak inv

P δp = δp D2D + δp W ID = δp D2D + δp rand + δp sys V th L V th L V th L V th L eff V th L eff δv thrand δl eff rand δv thrand δl eff rand δv thrand δl eff rand σδv thrand δv th δl eff L eff = L eff nominal + δl eff V th = V thnominal + δv th I eff R eff I eff C g/diff R eff C g/dif τ N

delay α α = 1.3 I DS α α α = 1.3 I on

400 Bitline delay distribution Occurrences 350 300 250 200 150 100 50 0 6.7 6.75 6.8 6.85 6.9 6.95 7 Delay(s) x 10 10 µ = 6.74E 10 σ = 2.74E 12 0, if V gs V th W P I DS = c L eff P u (V gs V th ) α/2 V ds, if V ds < V d0 W L eff P c (V gs V th ) α, if V ds V d0 P c P u V d0 V d0 = P u (V gs V th ) α/2 P c P v V d0 α α α δv th δl eff

10 2 10 3 Ids(A) 10 4 alpha power Model Shockley Model HSpice 10 5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 Delay[s] I ds V ds α V gs = 1.1V 400 Max bitline delay distribution Occurrences 350 300 250 200 150 100 50 0 1.92 1.93 1.94 1.95 1.96 1.97 1.98 1.99 2 Delay(s) x 10 10 µ = 1.94E 10 σ = 7.98E 13 L eff = L eff nominal + δl eff V th = V thnominal + δv th 5.5 2

600 Total Leakage Power distribution 500 Occurrences 400 300 200 100 0 7.2 7.25 7.3 7.35 7.4 7.45 7.5 7.55 7.6 7.65 Power(W) x 10 3 µ = 7.2E 3 sd = 0.036E 3 dish random 0 σ = 6 N

Y =... f ( )C(h( )) x 1 x 2... x n x2 x n x 1 = (x 1, x 2,..., x n ) f ( ) = f X1 (x 1 )f X2 (x 2 )... f Xn (x n ) y = h( ) C(h) = 1 h 1 ( ) < 10 9 s h 2 ( ) < 10 9 W f o (h( )) f ( ) ( ) h( ) i = 1, 2..., N

Y Y N i=1 C(h( )) N f ( ) ( ) h( ) F (h( )) y c P [Y y c ] θf X (x) x = θf X (x) g(x) g(x) x = θfx (x) g(x) g(x) x = E g( θf X(x) g(x) ) θ... g ( ) := f 1 γ ( ) = f 1 γ X 1 (x 1 )f 1 γ X 2 (x 2 )... f 1 γ X n (x n ) f ( ) γ > 0 f o (h( )) g X (x) f X (x) f X (x) γ = 0 γ = 1

Y C(h( i ))f ( i ) γ fx ( ) γ f 1 γ ( ) f 0 f 0 g X (x) = f (1 γ) X (x) f X (x) N(µ, σ) g(x) = f(x, µ, σ) = 1 σ (x µ) 2 2π e 2σ 2 1 σ (1 γ) ( e 2π) (1 γ) (x µ) 2 (1 γ) 2σ 2 1 g(x) = e σ (1 γ) ( 2π) 2π γ (x µ) 2 (1 γ) σ 2γ ( 2π) 2γ 2σ 2 σ 2γ ( 2π) 2γ σ = σ1 γ ( 2π) γ g(x)

g(x) = 1 σ 2π e (x µ) 2 (1 γ) 2 σ 2γ ( 2π) 2γ 2σ 2 g(x) = 1 ((x µ)κ) 2 ) σ 2π e 2σ 2 κ = ( 1 γ) σ γ ( 2π) γ g(x) x = κx µ = κµ g(x) = 1 (x µ ) 2 ) σ 2π e 2σ 2 x x = x /κ N(µ, σ )

1 The natural sampling function 0.9 0.8 0.7 0.6 f(x) 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 5 0 5 X 1 The EMC sampling function 0.9 0.8 0.7 0.6 g(x) 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 5 0 5 X

i = 1... I P i = 1... I M i p j M I p j = (z 1,..., z I ) j = 1... M z i ε p j P P 0 + I (z i ) P 0 M M M mats.in.a.subbank cols.in.a.subarray rows.in.a.subarray i=1

P dyn () cost(arch) = min.dynamic.power en.for.dyn.power.opt + T access () min.delay en.for.delay.opt + P leak () min.leakage.power en.for.leak.power.opt + T cycle.time () min.cycle.time en.for.cycle.time.opt P dyn () (1 + a) min.dyn.power P leak () (1 + b) min.leak.power T access () (1 + c) min.delay T cycle.time () (1 + d) min.cycle.time = {N banks, N subbanks, N mats.in.subbank, N subarr.rows, N subarr.cols,...} P dyn () P leak () T access () T cycle.time ()

min.dynamic.power min.leakage.power min.delay min.cycle.time a b c d a b c, d en.for.dyn.power.opt en.for.delay.opt en.for.leak.power.opt en.for.cycle.time.opt P dyn () P leak () T access () T cycle.time () P dyn () P leak () T access () T cycle.time () max( ()) max( ()) max( ()) max(. ())

cost() = max( ()) min.dynamic.power en.for.dyn.power.opt + max( ()) en.f or.delay.opt + min.delay max( ()) min.leakage.power en.for.leak.power.opt + max(. ()) en.f or.cycle.time.opt + min.cycle.time max.y ield en.for.y ield.opt Y ield() max( ()) (1 + a) min.dyn.power max( ()) (1 + b) min.leak.power max( ()) (1 + c) min.delay max(. ()) (1 + d) min.cycle.time

350 Bitline delay distribution of cfg1 Occurrences 300 250 200 150 100 50 0 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 Delay[s] x 10 10 µ = 6.6387E 9 σ = 5.7098E 12

350 Bitline delay distribution of cfg2 Occurrences 300 250 200 150 100 50 0 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 Delay[s] x 10 9 µ = 1.5256E 9 σ = 5.3615E 11 400 decoder+wordline delay distribution of cfg1 Occurrences 350 300 250 200 150 100 50 0 9.8 9.85 9.9 9.95 10 10.05 10.1 10.15 Delay[s] x 10 10 µ = 9.9119E 10 σ = 2.5040E 12 350 Decoder+wordline delay distribution of cfg2 Occurrences 300 250 200 150 100 50 0 6.85 6.9 6.95 7 7.05 7.1 7.15 7.2 Delay[s] x 10 10 µ = 7.0047E 10 σ = 3.6974E 12

500 htree network delay distribution of cfg3 400 Occurrences 300 200 100 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 Delay[s] x 10 9 µ = 4.9032E 9 σ = 2.6216E 10 120 Total access time distribution of cfg1 100 Occurrences 80 60 40 20 0 1.784 1.785 1.786 1.787 1.788 1.789 1.79 1.791 1.792 1.793 1.794 Delay[s] x 10 9 µ = 1.7875E 9 σ = 1.1985E 12

80 Total access time distribution of cfg2 Occurrences 70 60 50 40 30 20 10 0 2.666 2.668 2.67 2.672 2.674 2.676 2.678 2.68 2.682 2.684 2.686 Delay[s] x 10 9 µ = 2.6741E 9 σ = 2.6788E 12 100 Total access time distribution of cfg3 80 Occurrences 60 40 20 0 5.695 5.7 5.705 5.71 5.715 5.72 5.725 5.73 Delay[s] x 10 9 µ = 5.71E 9 σ = 4.6116E 12