ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ. ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Περίοδος Σεπτεμβρίου 2011



Σχετικά έγγραφα
Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Ψηφιακή Σχεδίαση με CAD II

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΨΗΦΙΑΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ.

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS. Διάλεξη 10

Ψηφιακή Λογική και Σχεδίαση

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

HY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Κυκλώματα 2

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων

Θεωρία Τρανζίστορ MOS

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας

i Το τρανζίστορ αυτό είναι τύπου NMOS. Υπάρχει και το συμπληρωματικό PMOS. ; Τι συμβαίνει στο τρανζίστορ PMOS; Το τρανζίστορ MOS(FET)

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 7η - Ακολουθιακά Κυκλώματα

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

ΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Chapter 5. Exercise Solutions. Microelectronics: Circuit Analysis and Design, 4 th edition Chapter 5 EX5.1 = 1 I. = βi EX EX5.3 = = I V EX5.

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΔΗΜΗΤΡΗΣ ΓΡΕΑΣΙΔΗΣ ΑΕΜ: 1624

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο Κυκλώματα CMOS. Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS


Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Αναλογικά & Ψηφιακά Κυκλώματα ιαφάνειες Μαθήματος ρ. Μηχ. Μαραβελάκης Εμ.

Αποκωδικοποιητές Μνημών

( )( ) ( ) ( )( ) ( )( ) β = Chapter 5 Exercise Problems EX α So 49 β 199 EX EX EX5.4 EX5.5. (a)

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 2:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 1: Οι διατάξεις MOS

6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως εικόνες, που υπόκειται σε άδεια

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 1 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών

Transcript:

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Περίοδος Σεπτεμβρίου Διδάσκοντες: Κ. Ευσταθίου Γρ. Καλύβας Τετάρτη 6// ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίνεται αναστροφέας με φορτίο Depletion MOSFET, και ζητείται:. Να σχεδιάσετε την χαρακτηριστική μεταφοράς θεωρώντας ότι περνά από το σημείο =Vo=.V και δείχνοντας τις περιοχές λειτουργίας των MOSFETs και βρείτε τη συνθήκη που πρέπει να ισχύει ώστε να συμβαίνει αυτό.. Λαμβάνοντας υπ όψη τα αποτελέσματα του (), βρείτε τα ζεύγη τιμών (, Vo) όπου ένα τουλάχιστον από τα δύο MOS- FETS αλλάζει περιοχή λειτουργίας. Δίδεται: VDD=V VTN=V VTD=-V ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίνεται Pseudo CMOS αναστροφέας και ζητείται:. Να σχεδιάσετε την χαρακτηριστική μεταφοράς θεωρώντας ότι περνά από το σημείο =Vo=.V και δείχνοντας τις περιοχές λειτουργίας των MOSFETs και βρείτε τη συνθήκη που πρέπει να ισχύει ώστε να συμβαίνει αυτό.. Λαμβάνοντας υπ όψη τα αποτελέσματα του (), βρείτε τα ζεύγη τιμών (, Vo) όπου ένα τουλάχιστον από τα δύο MOSFETS αλλάζει περιοχή λειτουργίας. Δίδεται: VDD=V VTN=V VTP=-V ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίνεται CMOS αναστροφέας και ζητείται:. Να σχεδιάσετε την χαρακτηριστική μεταφοράς θεωρώντας ότι περνά από το σημείο =Vo=.V και δείχνοντας τις περιοχές λειτουργίας των MOSFETs και βρείτε τη συνθήκη που πρέπει να ισχύει ώστε να συμβαίνει αυτό.. Λαμβάνοντας υπ όψη τα αποτελέσματα του (), βρείτε τα ζεύγη τιμών (, Vo) όπου ένα τουλάχιστον από τα δύο MOSFETS αλλάζει περιοχή λειτουργίας. Δίδεται: VDD=V VTN=V VTP=-V ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ 6 Νοεμβρίου

ΘΕΜΑ Ο () Θεωρώντας ιδανικούς τους CMOS αναστροφείς που τροφοδοτούνται με τάση VDD=V και έχουν τάση m=(=vo)=vdd/, βρείτε την χαρακτηριστική μεταφοράς του κυκλώματος για R=kΩ και R=kΩ. ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίδεται το ΝMOS network μίας σύνθετης πύλης CMOS.. Να βρείτε τη λογική έκφραση της εξόδου Υ.. Να σχεδιάσετε το PMOS network. ΤΥΠΟΛΟΓΙΟ ' W W Kn, p = Kn, p = µ n, pcox L L ( ) I, = K V V για V V V DS SAT GS T DS GS T ( ) I, = K ( V V ) V V για V V V DS TRIODE GS T DS DS DS GS T Σημείωση: Οι εξισώσεις για το PMOS είναι ίδιες με τη διαφορά ότι αναστρέφονται οι δείκτες των συμβόλων. Πχ: ISD αντί για IDS και VSD, VSG αντί για VDS,VGS. Καλή Επιτυχία ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ 6 Νοεμβρίου

Nov A Vdd := Vtd := Vtn := n := := :=,... Vnsat( ) := Vtn Vdsat( ) := Vdd + Vtd Vnsat( ) Vdsat( ),, Vtn, n ( ) ( Vtd) ( Vdd ) ( Vdd ) = Kr ( n Vtn) Solving for Kr we get: Kr := ( Vtd Vdd Vtd + Vdd Vdd + ) ( n + Vtn) Kr = 9 Obviously, Point is this one the Enhanced MosFet is p := Vtn Vop := Vdd p = Vop = Obviously, Point is the given n, p := n Vop := p = Vop = Finally at Point is the given n and is p := n Vop := n Vtn p = Vop =

Vnsat( ) Vdsat( ) Vop Vop Vop,, Vtn, n, p, p, p

Nov A Vdd := Vtp := Vtn := n := := :=,... Vnsat( ) := Vtn Vpsat( ) := Vtp Vnsat( ) Vpsat( ),, Vtn, n ( Vdd + Vtp) ( Vdd ) ( Vdd ) = Kr ( n Vtn) Solving for Kr we get ( Vdd + Vtp Vdd Vtp ) Kr := ( n + Vtn) Kr = Obviously, Point is this one the NMOSFET goes on p := Vtn Vop := Vdd p = Vop =

At Point NMOS goes from Sat to lin whereas PMOS is Lin Given Vo= Vtn ( Vdd + Vtp) ( Vdd Vo) ( Vdd Vo) = Kr ( Vtn) Find(, Vo) 7 6 6 + + 6 6 7 6 6 6 6 =...9.98 7 p 6 6 := + Vop 6 6 := + p =. Vop =. At Point PMOS goes from Lin to Sat whereas NMOS is Lin Vop := Vtp ( Vdd + Vtp) = Kr ( Vtn) Vo Vo p := ( Vdd + Vtp Vdd + Vtp + Kr Vtn Vop + Kr Vop ) Kr Vop p =. Vop = Vnsat( ) Vpsat( ) Vop Vop Vop,, Vtn, n, p, p, p

Nov A Vdd := Vtp := Vtn := n := := :=,... Vnsat( ) := Vtn Vpsat( ) := Vtp Vnsat( ) Vpsat( ),, Vtn, Vdd+ Vtp, n ( Vdd n + Vtp) = Kr ( n Vtn) Solving for Kr we get ( Vdd + n Vtp) Kr := Kr = ( n + Vtn) Obviously, Point is this one the NMOSFET goes on p := Vtn Vop := Vdd Obviously Point is at the given point n, whereas is p = Vop = p := n Vop := n Vtp p = Vop = Obviously for Point is at the given point n, whereas is p := n Vop := n Vtn p = Vop = and finally, Point is this one the PMOSFET goes off p := Vdd + Vtp Vop := p = Vop =

Vnsat( ) Vpsat( ) Vop Vop Vop Vop,, Vtn, Vdd+ Vtp, n, p, p, p, p

Nov A Vdd := V R := kω R := kω When =Low and in order the input of the first inverter to become Vdd/, is calculated Vdd R = Low R + R Vdd Low := ( R + R) Low = V R When =High and in order the input of the first inverter to become Vdd/, is calculated Vdd R = Hi R + R R + Vdd R + R Hi Vdd ( R R) := Hi = V R Output Voltage Input Voltage

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Περίοδος Σεπτεμβρίου Διδάσκοντες: Κ. Ευσταθίου Γρ. Καλύβας Τετάρτη 6// ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίνεται αναστροφέας με φορτίο Depletion MOSFET, και ζητείται:. Να σχεδιάσετε την χαρακτηριστική μεταφοράς θεωρώντας ότι περνά από το σημείο =.V Vo=.V και δείχνοντας τις περιοχές λειτουργίας των MOSFETs και βρείτε τη συνθήκη που πρέπει να ισχύει ώστε να συμβαίνει αυτό.. Λαμβάνοντας υπ όψη τα αποτελέσματα του (), βρείτε τα ζεύγη τιμών (, Vo) όπου ένα τουλάχιστον από τα δύο MOS- FETS αλλάζει περιοχή λειτουργίας. Δίδεται: VDD=V VTN=V VTD=-V ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίνεται Pseudo CMOS αναστροφέας και ζητείται:. Να σχεδιάσετε την χαρακτηριστική μεταφοράς θεωρώντας ότι περνά από το σημείο =,V Vo=.V και δείχνοντας τις περιοχές λειτουργίας των MOSFETs και βρείτε τη συνθήκη που πρέπει να ισχύει ώστε να συμβαίνει αυτό.. Λαμβάνοντας υπ όψη τα αποτελέσματα του (), βρείτε τα ζεύγη τιμών (, Vo) όπου ένα τουλάχιστον από τα δύο MOSFETS αλλάζει περιοχή λειτουργίας. Δίδεται: VDD=V VTN=V VTP=-V ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίνεται CMOS αναστροφέας και ζητείται:. Να σχεδιάσετε την χαρακτηριστική μεταφοράς θεωρώντας ότι περνά από το σημείο =V Vo=.V και δείχνοντας τις περιοχές λειτουργίας των MOSFETs και βρείτε τη συνθήκη που πρέπει να ισχύει ώστε να συμβαίνει αυτό.. Λαμβάνοντας υπ όψη τα αποτελέσματα του (), βρείτε τα ζεύγη τιμών (, Vo) όπου ένα τουλάχιστον από τα δύο MOSFETS αλλάζει περιοχή λειτουργίας. Δίδεται: VDD=V VTN=V VTP=-V ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ 6 Νοεμβρίου

ΘΕΜΑ Ο () Θεωρώντας ιδανικούς τους CMOS αναστροφείς που τροφοδοτούνται με τάση VDD=V και έχουν τάση m=(=vo)=vdd/, βρείτε την χαρακτηριστική μεταφοράς του κυκλώματος για R=kΩ και R=kΩ. ΘΕΜΑ Ο () Στο σχήμα δίδεται το ΝMOS network μίας σύνθετης πύλης CMOS.. Να βρείτε τη λογική έκφραση της εξόδου Υ.. Να σχεδιάσετε το PMOS network. ΤΥΠΟΛΟΓΙΟ ' W W Kn, p = Kn, p = µ n, pcox L L ( ) I, = K V V για V V V DS SAT GS T DS GS T ( ) I, = K ( V V ) V V για V V V DS TRIODE GS T DS DS DS GS T Σημείωση: Οι εξισώσεις για το PMOS είναι ίδιες με τη διαφορά ότι αναστρέφονται οι δείκτες των συμβόλων. Πχ: ISD αντί για IDS και VSD, VSG αντί για VDS,VGS. Καλή Επιτυχία ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ 6 Νοεμβρίου

Nov B Vdd := Vtd := Vtn := n := := :=,... Vnsat( ) := Vtn Vdsat( ) := Vdd + Vtd Vnsat( ) Vdsat( ),, Vtn, n ( ) ( Vtd) ( Vdd ) ( Vdd ) = Kr ( n Vtn) Solving for Kr we get: Kr := ( Vtd Vdd Vtd + Vdd Vdd + ) ( n + Vtn) Kr = Obviously, Point is this one the Enhanced MosFet is p := Vtn Vop := Vdd p = Vop =

Point Deplition in Lin and Enhanced in Sat Given Vo= Vtn ( ) ( Vtd) ( Vdd Vo) ( Vdd Vo) = Kr ( Vtn) Find(, Vo) + + 9 9 9 9 =....786 p := + 9 Vop := + 9 p =. Vop =. Point : Deplition in Sat, Enhanced in Lin Given Find(, Vo) p := 8 Vo= Vdd + Vtd ( Vtd) = Kr ( Vtn) Vo Vo 8 =. Vop := p =. Vop = Vnsat( ) Vdsat( ) Vop Vop Vop,, Vtn, n, p, p, p

Nov B Vdd := Vtp := Vtn := n :=. := :=,... Vnsat( ) := Vtn Vpsat( ) := Vtp Vnsat( ) Vpsat( ),, Vtn, n ( Vdd + Vtp) = Kr ( n Vtn) Solving for Kr we get Kr := ( Vdd + Vtp) ( n + Vtn) Kr = 6 Obviously, Point is this one the NMOSFET goes on p := Vtn Vop := Vdd p = Vop = Obviously Point is the given point n, p := n Vop := p =. Vop = and Obviously for Point is the given n and Vo is p := n Vop := n Vtn p =. Vop =.

Vnsat( ) Vpsat( ) Vop Vop Vop,, Vtn, n, p, p, p

Nov B Vdd := Vtp := Vtn := n := := :=,... Vnsat( ) := Vtn Vpsat( ) := Vtp Vnsat( ) Vpsat( ),, Vtn, Vdd+ Vtp, n ( Vdd + Vtp) = Kr ( n Vtn) Solving for Kr we get ( Vdd + n Vtp) Kr := Kr = ( n + Vtn) Obviously, Point is this one the NMOSFET goes on p := Vtn Vop := Vdd p = Vop = Obviously Point is at the given point n, whereas is p := n Vop := n Vtp p = Vop = Obviously Point is at the given point n, whereas is p := n Vop := n Vtn p = Vop = and finally, Point is this one the PMOSFET goes off p := Vdd + Vtp Vop := p = Vop =

Vnsat( ) Vpsat( ) Vop Vop Vop Vop,, Vtn, Vdd+ Vtp, n, p, p, p, p

Nov B Vdd := V R := kω R := kω When =Low and in order the input of the first inverter to become Vdd/, is calculated Vdd R = Low R + R Vdd Low := ( R + R) Low =. V R When =High and in order the input of the first inverter to become Vdd/, is calculated Vdd R = Hi R + R R + Vdd R + R Hi Vdd ( R R) := Hi =. V R Output Voltage Input Voltage