Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

Σχετικά έγγραφα
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΨΗΦΙΑΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ.

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 5: Ειδικοί Τύποι Διόδων

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

104Θ Αναλογικά Ηλεκτρονικά 12: Φίλτρα

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ. ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Περίοδος Σεπτεμβρίου 2011

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS. Διάλεξη 10

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Κατανάλωση ισχύος ψηφιακών κυκλωμάτων

Κεφάλαιο 4 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Λογικός Φόρτος 2

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 4 η Εργαστηριακή Άσκηση

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

K15 Ψηφιακή Λογική Σχεδίαση 6: Λογικές πύλες και λογικά κυκλώματα

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 11: Ταλαντωτές

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα Β:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΣΧΥΟΣ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΔΙΟΔΟΥΣ & ΤΑ ΘΥΡΙΣΤΟΡ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών


ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ / Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Α ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: ΑΡΧΩΝ ΜΑΡΚΟΣ-ΤΖΑΓΚΑΡΑΚΗΣ ΓΙΑΝΝΗΣ-KΥΡΙΑΚΑΚΗΣ ΓΙΩΡΓΟΣ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

α) = β) Α 1 = γ) δ) Μονάδες 5

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών)

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 1: Εισαγωγή

ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ. Το ιδανικό κύκλωμα LC του σχήματος εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις, με περίοδο

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Ψηφιακή Λογική και Σχεδίαση

Low Power. Οργάνωση Παρουσίασης. ηµήτρης Μητροβγένης ηµήτρης Κασερίδης Μαρίνος Σαµψών VLSI II ΠΑΤΡΑ 2004

απόσβεσης, με τη βοήθεια της διάταξης που φαίνεται στο διπλανό σχήμα. Η σταθερά του ελατηρίου είναι ίση με k = 45 N/m και η χρονική εξίσωση της

5 η διάλεξη Ο Αντιστροφέας και οι ιδιότητες του

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα

6. Τελεστικοί ενισχυτές

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Κυκλώματα 2

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Φυσική για Μηχανικούς

Transcript:

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ

Εισαγωγή Περιεχόμενα 1 Εισαγωγή 2 Ταχύτητα 3 Κατανάλωση ισχύος 4 Ανοχή στον θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 2 / 24

Εισαγωγή Ιδανική συμπεριφορά αναστροφέα IN OUT (i) (ii) Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 3 / 24

Εισαγωγή Χαρακτηριστική μεταφοράς ιδανικού αναστροφέα V out (Ā) V DD 0 V DD /2 V DD V in (A) Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 4 / 24

Εισαγωγή Έξοδος ιδανικού αναστροφέα με ενθόρυβη είσοδο OUT V out V DD t 0 V DD V in IN t Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 5 / 24

Εισαγωγή Έξοδος ιδανικού αναστροφέα με μη ιδανική κυματομορφή εισόδου OUT V out V DD t 0 V DD V in IN t Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 6 / 24

Ταχύτητα Περιεχόμενα 1 Εισαγωγή 2 Ταχύτητα 3 Κατανάλωση ισχύος 4 Ανοχή στον θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 7 / 24

Ταχύτητα Χρόνοι μετάβασης και καθυστέρησης Η 90% 90% L 10% 10% t (i) t HL t LH Η L Η t PHL t PLH t (ii) L t Η L Η L 50% 50% t (iii) 50% 50% t t PHL t PLH Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 8 / 24

Ταχύτητα Ταχύτητα αναστροφέα Χρόνος καθόδου (t HL = t f ) [1/4] Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 9 / 24

Ταχύτητα αναστροφέα Ταχύτητα Χρόνος καθόδου (t HL = t f ) [2/4] Για τη μετάβαση από V o = 09V DD (t 1 ) έως V o = V DD V Tn (t 2 ) ισχύει: Ολοκληρώνοντας από t 1 σε t 2 : C L dv o dt + β n 2 (V DD V Tn ) 2 = 0 dv o = β n 2C L (V DD V Tn ) 2 dt t f1 = t 2 t 1 = 2C L(V Tn 01V DD ) β n (V DD V Tn ) 2 Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 10 / 24

Ταχύτητα Ταχύτητα αναστροφέα Χρόνος καθόδου (t HL = t f ) [3/4] Για τη μετάβαση από V o = V DD V Tn (t 1 ) έως V o = 01V DD (t 2 ) ισχύει: [ ] dv o C L dt + β n (V DD V Tn )V o V2 o = 0 2 Ολοκληρώνοντας από t 1 σε t 2 : dv o = β [ ] n V 2 o C L 2 (V DD V Tn ) dt ( ) C L t f2 = t 2 t 1 = β n (V DD V Tn ) ln 19VDD 20V Tn V DD Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 11 / 24

Ταχύτητα Ταχύτητα αναστροφέα Χρόνος καθόδου (t HL = t f ) [4/4] Για τον συνολικό χρόνο καθόδου ισχύει: = 2C L(V Tn 01V DD ) β n (V DD V Tn ) 2 + = 2C L β n (V DD V Tn ) t f = t f1 + t f2 = ( ) C L β n (V DD V Tn ) ln 19VDD 20V Tn = V DD [ VTn 01V DD + 1 ( )] V DD V Tn 2 ln 19VDD 20V Tn V DD Θεωρώντας ότι V Tn 02V DD προκύπτει η ακόλουθη προσεγγιστική έκφραση: t f = 4C L β n V DD Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 12 / 24

Ταχύτητα Ταχύτητα αναστροφέα Χρόνος ανόδου (t LH = t r ) Λόγω της συμμετρίας του κυκλώματος του αναστροφέα, για τον συνολικό χρόνο ανόδου ισχύει: [ 2C L VTp 01V DD t r = + 1 ( )] β p (V DD V Tp ) V DD V Tp 2 ln 19VDD 20 V Tp V DD Θεωρώντας ότι V Tp 02V DD προκύπτει η ακόλουθη προσεγγιστική έκφραση: t r = 4C L β p V DD Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 13 / 24

Ταχύτητα Ταχύτητα αναστροφέα Καθυστέρηση διάδοσης (τ d ) [1/2] Κατά προσέγγιση, ο χρόνος καθυστέρησης ο οποίος οφείλεται στον χρόνο ανόδου/καθόδου είναι ίσος με το ήμισυ του χρόνου αυτού: t dr = t r 2 t df = t f 2 Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 14 / 24

Ταχύτητα Ταχύτητα αναστροφέα Καθυστέρηση διάδοσης (τ d ) [2/2] Επομένως, η μέση καθυστέρηση διάδοσης είναι: τ d = t dr + t df 2 = t r + t f 4 Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 15 / 24

Κατανάλωση ισχύος Περιεχόμενα 1 Εισαγωγή 2 Ταχύτητα 3 Κατανάλωση ισχύος 4 Ανοχή στον θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 16 / 24

Κατανάλωση ισχύος Στατική ισχύς Στατική ισχύς αναστροφέα Η στατική ισχύς αφορά τις περιπτώσεις όπου η χωρητικότητα φόρτου του αναστροφέα είναι πλήρως φορτισμένη ή πλήρως εκφορτισμένη Το μόνο ρεύμα που εμφανίζεται στο κύκλωμα είναι το μικρό ρεύμα διαρροής (της τάξης του pa για τάσεις τροφοδοσίας 5V) των ανάστροφα πολωμένων επαφών που απαρτίζουν τα MOSFETs Εάν i η τιμή του ρεύματος διαρροής ανά MOSFET και V DD η τάση τροφοδοσίας, η στατική ισχύς ενός αναστροφέα θα δίνεται από τη σχέση: P s = 2 i V DD Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 17 / 24

Κατανάλωση ισχύος Στατική ισχύς Στατική ισχύς κυκλώματος CMOS Στη γενική περίπτωση κυκλώματος CMOS με N τρανζίστορ, η προηγούμενη σχέση γενικεύεται ως εξής: P s = N i V DD Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 18 / 24

Κατανάλωση ισχύος Δυναμική ισχύς Δυναμική ισχύς αναστροφέα (1/3) Θα υπολογίσουμε τη δυναμική ισχύ αναστροφέα CMOS όταν στην είσοδό του διοχετεύουμε ορθογώνιους παλμούς (αποφεύγοντας την περίπτωση να άγουν ταυτόχρονα και τα δύο τρανζίστορ) Θεωρούμε ότι η συχνότητα f p του σήματος εισόδου αντιστοιχεί σε περίοδο t p αρκετά μεγάλη, ώστε να έχουμε πλήρη φόρτιση και εκφόρτιση της χωρητικότητας φόρτου C L Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 19 / 24

Κατανάλωση ισχύος Δυναμική ισχύς Δυναμική ισχύς αναστροφέα (2/3) Κάτω από τις προηγούμενες συνθήκες, κατά τη μισή περίοδο t p άγει το nmos (εκφόρτιση), ενώ για το υπόλοιπο μισό της περιόδου έχουμε φόρτιση μέσω του pmos Επομένως, μπορούμε να γράψουμε για τη δυναμική ισχύ P d : P d = 1 tp/2 i n (t)v o dt + 1 tp t p t p 0 t p /2 i p (t)(v DD V o )dt όπου V o η τάση εξόδου και i p, i n τα ρεύματα που διαρρέουν τα nmos και pmos, αντίστοιχα Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 20 / 24

Κατανάλωση ισχύος Δυναμική ισχύς Δυναμική ισχύς αναστροφέα (3/3) Λαμβάνοντας υπόψη τη σχέση i(t) = C L dv o dt η έκφραση για τη δυναμική ισχύ γράφεται: P d = C L t p VDD 0 V o dv o + C L t p 0 V DD (V DD V o )d(v DD V o ) ή P d = C L V 2 DD t p = C L V 2 DD f p Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 21 / 24

Ανοχή στον θόρυβο Περιεχόμενα 1 Εισαγωγή 2 Ταχύτητα 3 Κατανάλωση ισχύος 4 Ανοχή στον θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 22 / 24

Ανοχή στον θόρυβο Περιθώρια θορύβου (1/2) Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 23 / 24

Ανοχή στον θόρυβο Περιθώρια θορύβου (2/2) Τα περιθώρια θορύβου επηρεάζονται από τις παραμέτρους των MOSFETs Για ίσα περιθώρια θορύβου επιλέγουμε β n = β p Γιάννης Λιαπέρδος (TEI-Πελ) 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Θόρυβος 24 / 24