ΗΜΥ 307 ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ. Εαρινό Εξάμηνο ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ
|
|
|
- Σταμάτις Ζάχος
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 1: ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002, J. Rabaey et al. ]
2 Διοικητικά Μαθήματος q Διδάσκων: Δρ. Χάρης Θεοχαρίδης Γραφείο: Green Park, #110 Tηλέφωνο: ttheocharides@ucy.ac.cy qώρες Γραφείου: Τρίτη 11:00-13:00 και Παρασκευή, 11:00-13:00, ή με ραντεβού στο ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΟ ΚΕΝΤΡΟ ΚΟΙΟΣ ή στο Green Park (110) Θα σας ενημερώννω αναλόγως. qδιαλέξεις: Τρίτη και Παρασκευή, 13:30 15:00 Αίθουσα Β106, ΧΩΔ 02 qurl: qβοηθοσ ΔΙΔΑΣΚΑΛΙΑΣ: Γιώργος Πλαστήρας (gplast01@ucy.ac.cy) Ώρες Γραφείου: Τρίτη και Πέμπτη, 17:00 18:00. (Γραφείο στο Ερευνητικό Κέντρο ΚΙΟΣ, Πανεπιστιμιούπολη, κτ. Κοινωνικών Δραστηριοτήτων, πάνω από το εστιατόριο). qpaperless COURSE! Will post PDFs from lecture slides and other details on course website. YOU ARE RESPONSIBLE FOR D/L THE MATERIAL! ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.2 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
3 Περιεχόμενα Μαθήματος l Introduction to digital integrated circuits CMOS devices and manufacturing technology. CMOS logic gates and their layout. Propagation delay, noise margins, and power dissipation. Combinational (e.g., arithmetic) and sequential circuit design. Memory design. l Course goals Ability to design and implement CMOS digital circuits and optimize them with respect to different constraints: size (cost), speed, power dissipation, and reliability l Course prerequisites ECE 102, ECE 202 Circuit Design & Devices ECE 210, Digital Logic Design ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.3 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
4 Βαθμολογία l Ενδιάμεση Εξέταση Τρίτη 21 Μαρτίου 25% l l l Τελική Εξέταση Εβδομάδες Εξετάσεων Μαίου 40% Εργαστηριακές Ασκήσεις 5 Ασκήσεις με χρήση Η/Υ 30% Συμμετοχή στο Μάθημα και σποραδικές κατοίκον εργασίες 5% Θα μάθουμε να σχεδιάζουμε κυκλώματα με την χρήση τόσο εργαλείων Schematics αλλά και με χρήση γλώσσας περιγραφής υλικού. l Ο διδάσκων διατηρεί το δικαίωμα να ανακατανέμει την βαθμολογία αφού ενημερώσει τους φοιτητές και έπειτα από διαβούλευση! ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.4 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
5 Ακαδημαϊκό Υπόβαθρο l Basic circuit theory ΗΜΥ 102 / 202 resistance, capacitance, inductance Diode concepts, electrons, holes, etc. MOS gate characteristics l Hardware description language ΗΜΥ 210/211/213 VHDL or Verilog (basic knowledge) l Use of modern EDA tools ΗΜΥ 211/13 simulation, verification ( ECE 312, ECE 305) schematic capture tools ECE 210 l Logic design ECE 210 logical minimization, FSMs, component design ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.5 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
6 Εργαστηριακές Ασκήσεις l Θα χρησιμοποιήσουμε εργαλεία που είναι δωρεάν και μπορείτε να τα εγκαταστείσετε στους Η/Υ σας Magic VLSI ( The first one and a half lab will be given on Magic IRSIM ( The second half and third lab will use IRSIM Qflow ( The last two labs will feature a complete design using all three tools. Installation on Linux, but you can also port them in Windows using Cygwin ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.6 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
7 Εργαστηριακές Ασκήσεις l Η κάθε ομάδα θα λάβει ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΟ κύκλωμα για τα τελευταία 2 εργαστήρια. Εργασία 1: Θα εγκαταστήσετε τα εργαλεία και θα σχεδιάσετε ένα απλό κύκλωμα (CMOS Inverter) Εργασία 2: Θα δημιουργήσετε μια «Standard Cell» βιβλιόθήκη με τις βασικές λογικές πύλες και θα διάφορα κομμάτια όπως latches και flip flops. Εργασία 3:Θα αυξήσετε τις επιλογές σας με διάφορα κυκλώματα όπως ADC, DAC, κλπ. Εργασία 4: Θα υλοποιήσετε ολοκληρωμένες μονάδες αριθμητικής και λογικής (adders, subtractors, multipliers, etc.) Εργασία 5: Θα υλοποιήσετε ένα ολοκληρωμένο ψηφιακό κύκλωμα, με σύστημα ελέγχου, καθώς και με εξωτερικές εισόδους και εξόδους (παράδειγματα: ALU, flash decoder/converter, reference voltage sampler, memory controller, etc.) ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.7 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
8 Περιεχόμενα Μαθήματος 2 weeks on the CMOS inverter 2 weeks on static and dynamic CMOS gates 2 weeks on C, R, and L effects 2 week on sequential CMOS circuits 2 weeks on design of datapath structures 2 weeks on memory design 1 week on design for test, margining, scaling, trends ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ: Digital Integrated Circuits A Design Perspective 2 nd Edition! Jan M. Rabaey Anantha Chandrakasan Borivoje Nikolic ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.8 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
9 Different Types of Integrated Circuits Classification of Circuits based on Different Criteria Ø Circuits can be classified into different types based on different criteria. Ø Based on connections: Series circuits and Parallel circuits. Ø Based on the size and manufacturing process of circuit: Integrated circuits and Discrete circuits. Ø Based on signal used in circuit: Analog circuits and Digital circuits ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.9 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
10 Different Types of Integrated Circuits Integrated Circuits Ø It is called Integrated circuit or IC or microchip or chip Ø It is a microscopic electronic circuit array formed by the fabrication of various electrical and electronic components. Ø Components (resistors, capacitors, transistors,)are placed on semiconductor material (silicon) wafer. Ø It can perform operations similar to the large discrete electronic circuits made of discrete electronic components. ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.10 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
11 Integrated Circuits Ø An arrays of components, microscopic circuits and semiconductor wafer material base are integrated together to form a single chip. Ø So, it is called as integrated circuit or integrated chip or microchip. ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.11 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
12 Different Types of Integrated Circuits Ø Ø Classification of Integrated Circuits is done based on various criteria. Based on the intended application, the IC are classified as follows Ø Ø Ø Analog integrated circuits. Digital integrated circuits Mixed integrated circuits. ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.12 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
13 Τα ολοκληρωμένα Κυκλώματα! l Introduction: Issues in digital design l The CMOS inverter l Combinational logic structures l Sequential logic gates l Design methodologies l Interconnect: R, L and C l Timing l Arithmetic building blocks l Memories and array structures ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.13 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
14 Τα ολοκληρωμένα Κυκλώματα! l Why is designing digital ICs different today than it was before? l Will it change in future? ΕΠΙΠΡΟΣΘΕΤΗ ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ (ΠΡΟΑΙΡΕΤΙΚΗ!): CMOS Digital Integrated Circuits Analysis & Design By: Sung-Mo (Steve) Kang and Yusuf Leblebici ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.14 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
15 The First Computer The Babbage Difference Engine (1832) 25,000 parts cost: 17,470 ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.15 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
16 ENIAC - The first electronic computer (1946) ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.16 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
17 The Transistor Revolution First transistor Bell Labs, 1948 ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.17 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
18 The First Integrated Circuits Bipolar logic 1960 s ECL 3-input Gate Motorola 1966 ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.18 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
19 Intel 4004 Micro-Processor transistors 1 MHz operation ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.19 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
20 Intel Pentium (IV) microprocessor ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.20 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
21 Moore s Law In 1965, Gordon Moore noted that the number of transistors on a chip doubled every 18 to 24 months. He made a prediction that semiconductor technology will double its effectiveness every 18 months ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.21 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
22 More recent Processors Ø Million transistors 2 GHz operation 45nm technology Ø2010 Core i7 1.2 Billion transistors 3.3 GHz operation 32nm technology Ø2012 Core i7 (newer generations) 1.7 Billion transistors 4.0 GHz operation 22nm technology Ø nm, then 10nm in 20xx, and then??? 22 ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.22 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
23 VLSI Design l What is VLSI? Very Large Scale Integration Defines integration level 1980s hold-over from outdated taxonomy for integration levels Obviously influenced from frequency bands, i.e. HF, VHF, UHF Sources disagree on what is measured (gates or transistors?) l SSI Small-Scale Integration ( ) l MSI Medium-Scale Integration ( ) l LSI Large-Scale Integration ( ) l VLSI Very Large-Scale Integration ( ) l ULSI Ultra Large-Scale Integration (>=10 7 ) ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.23 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
24 Example System-on-a-chip (SOC) Source: TI ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.24 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
25 Example System-on-a-chip (SOC) iphone 3G board TI OMAP44x ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.25 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
26 History of the Transistor l Early ideas of transistors started with the theoretical studies of J.W. Lilienfelds in 1930s. l 1947: Bardeen and Brattain create point contact transistor at Bell Laboratories. (U.S. Patent 2,524,035) ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.26 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
27 History of the Transistor ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.27 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
28 History of the Transistor ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.28 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
29 History of Transistor ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.29 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
30 History of Transistor ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.30 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
31 History of Transistor ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.31 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
32 History of Transistor ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.32 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
33 Moore s Law LOG 2 OF THE NUMBER OF COMPONENTS PER INTEGRATED FUNCTION Electronics, April 19, ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.33 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
34 Evolution in Complexity ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.34 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
35 Transistor Counts 1,000,000 K 1 Billion Transistors 100,000 10,000 1, i486 Pentium i Pentium III Pentium II Pentium Pro Source: Intel Projected Courtesy, Intel ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.35 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
36 Moore s law in Microprocessors Transistors (MT) X growth in 1.96 years! P6 Pentium proc Transistors on Lead Microprocessors double every 2 years Year Courtesy, Intel ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.36 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
37 Die Size Growth 100 Die size (mm) P6 Pentium proc ~7% growth per year ~2X growth in 10 years Year Die size grows by 14% to satisfy Moore s Law Courtesy, Intel ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.37 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
38 Frequency Frequency (Mhz) Doubles every 2 years P6 Pentium proc Year Lead Microprocessors frequency doubles every 2 years Courtesy, Intel ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.38 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
39 Power Dissipation 100 Power (Watts) P6 Pentium proc Year Lead Microprocessors power continues to increase Courtesy, Intel ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.39 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
40 Power will be IS a major problem Power (Watts) Pentium proc 18KW 5KW 1.5KW 500W Year Power delivery and dissipation will be prohibitive Courtesy, Intel ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.40 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
41 Power density Power Density (W/cm2) Rocket Nozzle Nuclear Reactor Hot Plate P6 Pentium proc Year Power density too high to keep junctions at low temp Courtesy, Intel ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.41 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
42 Not Only Microprocessors Cell Phone (and that was back in early 2000 s Digital Cellular Market (Phones Shipped) Small Signal RF Power RF Power Management Units 48M 86M 162M 260M 435M Analog Baseband Digital Baseband (DSP + MCU) (data from Texas Instruments) ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.42 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
43 Challenges in Digital Design µ DSM µ 1/DSM Microscopic Problems Ultra-high speed design Interconnect Noise, Crosstalk Reliability, Manufacturability Power Dissipation Clock distribution. Everything Looks a Little Different? Macroscopic Issues Time-to-Market Millions of Gates High-Level Abstractions Reuse & IP: Portability Predictability etc. and There s a Lot of Them! ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.43 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
44 Productivity Trends 10,000,000 1,000,000 Complexity Logic Transistor per Chip (M) 10,000 1, , ,000 1, Logic Tr./Chip Tr./Staff Month. x x x x x x x x 58%/Yr. compounded Complexity growth rate 21%/Yr. compound Productivity growth rate 100, ,000,000 10,000 10,000,000 1,000 1,000, , , , Productivity (K) Trans./Staff - Mo Source: Sematech Complexity outpaces design productivity Courtesy, ITRS Roadmap ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.44 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
45 Why Scaling? l Technology shrinks by 0.7/generation l With every generation can integrate 2x more functions per chip; chip cost does not increase significantly l Cost of a function decreases by 2x l But How to design chips with more and more functions? Design engineering population does not double every two years l Hence, a need for more efficient design methods Exploit different levels of abstraction ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.45 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
46 Design Abstraction Levels SYSTEM + MODULE GATE CIRCUIT S n+ G DEVICE n+ D ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.46 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
47 Design Metrics l How to evaluate performance of a digital circuit (gate, block, )? Cost Reliability Scalability Speed (delay, operating frequency) Power dissipation Energy to perform a function ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.47 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
48 Cost of Integrated Circuits l l NRE (non-recurrent engineering) costs design time and effort, mask generation one-time cost factor Recurrent costs silicon processing, packaging, test proportional to volume proportional to chip area ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.48 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
49 NRE Cost is Increasing ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.49 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
50 Die Cost Single die Wafer Going up to 12 (30cm) From ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.50 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
51 Cost per Transistor cost: -per-transistor Fabrication capital cost per transistor (Moore s law) ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.51 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
52 Yield p Dies per wafer = No. of good chips per wafer Y = 100% Total number of chips per wafer Wafer cost Die cost = Dies per wafer Die yield ( wafer diameter/2) die area 2 p wafer diameter - 2 die area ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.52 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
53 Defects die yield = æ defects per unit area die area ç1+ è a a is approximately 3 ö ø -a die cost = f 4 (die area) ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.53 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
54 Some EARLY Examples (1994) Chip Metal layers Line width Wafer cost Def./ cm 2 Area mm 2 Dies/ wafer Yield 386DX $ % $4 Die cost 486 DX $ % $12 Power PC $ % $53 HP PA $ % $73 DEC Alpha $ % $149 Super Sparc $ % $272 Pentium $ % $417 ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.54 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
55 Intel Phi Co-Processor Family! ΗΜΥ307 Δ1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ.55 Θεοχαρίδης, ΗΜΥ, 2017
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 1η - Θεμέλια Ηλεκτρικών Περιεχόμενα Νόμος
Οι Διδάσκοντες. Αντώνης Πασχάλης, Καθηγητής, Θεωρία. Χρήστος Κρανιώτης, ΕEΔΙΠ, Εργαστήριο
Οι Διδάσκοντες Αντώνης Πασχάλης, Καθηγητής, Θεωρία Γραφείο: A39 (Α όροφος) Τηλ. 210-7275231 E-mail: paschali@di.uoa.gr Χρήστος Κρανιώτης, ΕEΔΙΠ, Εργαστήριο Γραφείο: Εργαστήριο Ψηφιακής Σχεδίασης και Αρχιτεκτονικής
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2017-2018 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Γιώργος Καλοκαιρινός & Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα
Κεφάλαιο 1 Αφαιρετικότητα και Τεχνολογία Υπολογιστών (Computer Abstractions and Technology)
Κεφάλαιο 1 Αφαιρετικότητα και Τεχνολογία Υπολογιστών (Computer Abstractions and Technology) 1 Υπολογιστές Οι υπολογιστές μπορούν να χωριστούν σε τρεις κατηγορίες, βάση της εφαρμογής τους: Επιτραπέζιοι
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2018-2019 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα
Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Εισαγωγή Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Ολοκληρωμένα κυκλώματα 2. Εξέλιξη τεχνολογίας 3. Σχεδιαστικές πρακτικές VLSI
Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD Χειμερινό Εξάμηνο 2009 2010 Design flow? ΗΥ220 University of Crete 2 Ροή Σχεδίασης (Design Flow) Requirements Verilog, VHDL
Μικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 1: Εισαγωγή στη Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Αρχιτεκτονική Σχεδίαση Ασαφούς Ελεγκτή σε VHDL και Υλοποίηση σε FPGA ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΗΜΑΤΩΝ, ΕΛΕΓΧΟΥ ΚΑΙ ΡΟΜΠΟΤΙΚΗΣ Αρχιτεκτονική Σχεδίαση Ασαφούς Ελεγκτή σε VHDL και Υλοποίηση σε FPGA ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ
Κυκλωμάτων» Χειμερινό εξάμηνο
«Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων» Χειμερινό εξάμηνο 2016-2017 Εισαγωγή στα Συστήματα Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Δρ. Παρασκευάς Κίτσος Επίκουρος Καθηγητής http://diceslab.cied.teiwest.gr E-mail: pkitsos@teimes.gr
CMOS Technology for Computer Architects
CMOS Technology for Computer Architects Iakovos Mavroidis Giorgos Passas Manolis Katevenis Lecture 13: On chip SRAM Technology FORTH ICS / EURECCA & UoC GREECE ABC A A E F A BCDAECF A AB C DE ABCDAECF
Main source: "Discrete-time systems and computer control" by Α. ΣΚΟΔΡΑΣ ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΕΛΕΓΧΟΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΔΙΑΦΑΝΕΙΑ 1
Main source: "Discrete-time systems and computer control" by Α. ΣΚΟΔΡΑΣ ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΕΛΕΓΧΟΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΔΙΑΦΑΝΕΙΑ 1 A Brief History of Sampling Research 1915 - Edmund Taylor Whittaker (1873-1956) devised a
[1] P Q. Fig. 3.1
![[1] P Q. Fig. 3.1](/thumbs/79/80362156.jpg "[1] P Q. Fig. 3.1")
1 (a) Define resistance....... [1] (b) The smallest conductor within a computer processing chip can be represented as a rectangular block that is one atom high, four atoms wide and twenty atoms long. One
Χρήση υπολογιστικών τεχνικών στον έλεγχο Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων. Ioannis Voyiatzis Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε. TEI Αθήνας
Χρήση υπολογιστικών τεχνικών στον έλεγχο Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ioannis Voyiatzis Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε. TEI Αθήνας Outline Τρανζίστορ και Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (ΟΚ) Έλεγχος ΟΚ - Προκλήσεις
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 1: Υλοποίηση Ολοκληρωμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Βιβλιογραφία Principles
Μικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 4.1: Μέθοδοι Υλοποίησης Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Εισαγωγή. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Μέρος Α: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Μέρος Β: Στοιχεία
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων Χειµερινό Εξάµηνο 2006-2007 Ροή Σχεδίασης Κυκλωµάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: οµική µονάδα κυκλωµάτων Τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα
the total number of electrons passing through the lamp.
1. A 12 V 36 W lamp is lit to normal brightness using a 12 V car battery of negligible internal resistance. The lamp is switched on for one hour (3600 s). For the time of 1 hour, calculate (i) the energy
Εισαγωγή στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές
στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές http://courseware.mech.ntua.gr/ml23021/ 10 ο Μάθημα Λεωνίδας Αλεξόπουλος Λέκτορας ΕΜΠ E-mail: leo@mail.ntua.gr URL: http://users.ntua.gr/leo 1 Στα προηγούμενα μaθήματα Δυαδικό
Θέματα Διαλέξεων. Αρχιτεκτονικές Υπολογιστικών Συστημάτων Δίκτυα Υπολογιστών Λειτουργικά Συστήματα Ενσωματωμένα Συστήματα και Εφαρμογές
Θέματα Διαλέξεων Αρχιτεκτονικές Υπολογιστικών Συστημάτων Δίκτυα Υπολογιστών Λειτουργικά Συστήματα Ενσωματωμένα Συστήματα και Εφαρμογές 2 Εργασίες Ασκήσεις στη Βελτιστοποίηση Δυναμικών Δομών Δεδομένων (Dynamic
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ύλη του μαθήματος Μικροηλεκτρονική-Τεχνολογία CMOS. Εισαγωγή στην οργάνωση και λειτουργία των υπολογιστικών συστημάτων. Αρχιτεκτονικές διαδεδομένων επεξεργαστών (8086,,
Capacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference
Capacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference Capacitors store electric charge. This ability to store electric charge is known as capacitance. A simple capacitor consists of 2 parallel metal
Συστήματα VLSI. Εισαγωγή. Γιώργος Δημητρακόπουλος. Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης. Άνοιξη 2014
Συστήματα VLSI Εισαγωγή Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Άνοιξη 2014 Συστήματα VLSI 1 Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα από «μέσα» Συστήματα VLSI 2 Τα εργαλεία της σχεδίασης Algorithms-Applications
Εισαγωγή στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές. 10 ο Μάθημα. Λεωνίδας Αλεξόπουλος Λέκτορας ΕΜΠ. url:
στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές 10 ο Μάθημα Λεωνίδας Αλεξόπουλος Λέκτορας ΕΜΠ email: leo@mail.ntua.gr url: http://users.ntua.gr/leo Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative
Μικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 7: Ακολουθιακή Λογική Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες
«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 1 η :
2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1
2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 ΟΙ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND ΚΑΙ OR Οι βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole είναι οι πράξεις NOT, ANDκαι OR. Στα ψηφιακά
RF series Ultra High Q & Low ESR capacitor series
RF series Ultra High Q & Low ESR capacitor series FAITHFUL LINK Features Application» High Q and low ESR performance at high frequency» Telecommunication products & equipments:» Ultra low capacitance to
Modbus basic setup notes for IO-Link AL1xxx Master Block
n Modbus has four tables/registers where data is stored along with their associated addresses. We will be using the holding registers from address 40001 to 49999 that are R/W 16 bit/word. Two tables that
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Υλοποίηση ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΔΙΑΚΡΙΤΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΑΝΑΔΙΑΜΟΡΦΩΣΙΜΟ ΥΛΙΚΟ Ο.Κ. ΕΙΔΙΚΟΥ ΣΚΟΠΟΥ (VLSI) FULL CUSTOM (Reconfigurable
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ιπλωµατική Εργασία του φοιτητή του τµήµατος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Ηλεκτρονικών
ΕΝΣΩΜΑΤΩΜΕΝΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΤΕΙ ΗΠΕΙΡΟΥ- ΣΤΕΦ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧ. ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε.
ΕΝΣΩΜΑΤΩΜΕΝΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΤΕΙ ΗΠΕΙΡΟΥ- ΣΤΕΦ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧ. ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. 1 Εξάμηνο Διδασκαλίας: 7 ο Διδάσκων: Γρηγόρης Δουμένης / Δημήτρης Δημόπουλος E-mail: greg@teiep.gr ΓΝΩΡΙΜΙΑ Γρηγόρης Δουμένης (EE,
FEATURES APPLICATION PRODUCT T IDENTIFICATION PRODUCT T DIMENSION MAG.LAYERS
FEATURES RoHS compliant. Super low resistance, ultra high current rating. High performance (I sat) realized by metal dust core. Frequency Range: up to 1MHz. APPLICATION PDA, notebook, desktop, and server
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 2: ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΣΤΟΧΟΙ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated
«Σχεδίαση Εφαρμογών Ψηφιακδη Συστημάτοη με τη Γλώσσα \ HDL»
ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΑΟηΚίίΝ ΕΦΑΡΜΟΓίΣΝ ΤΜΗΜΑ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ «Σχεδίαση Εφαρμογών Ψηφιακδη Συστημάτοη με τη Γλώσσα \ HDL» ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥ ΜΟ ΣΙ10ΥΧΛΣΤΩΝ ΕΥΘΥΜΙΑ Μ1ΧΑΗΛΙΔΟΥ ΑΕΜ:
ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και. Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του. Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ του φοιτητή του
Εισαγωγή στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές
Εισαγωγή στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές 1 ο Εξάμηνο Σπουδών, Χειμερινό Εξάμηνο 2012/13 Τμήμα Εφαρμοσμένων Μαθηματικών, Πανεπιστήμιο Κρήτης Διδάσκων: Χαρμανδάρης Ευάγγελος, email: vagelis@tem.uoc.gr Ιστοσελίδα
ΕΙΣΑΓΩΓΗ στους Η/Υ. Δρ. Β Σγαρδώνη. Τμήμα Τεχνολογίας Αεροσκαφών ΤΕΙ ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ. Χειμερινό Εξάμηνο 2013-14
ΕΙΣΑΓΩΓΗ στους Η/Υ Τμήμα Τεχνολογίας Αεροσκαφών ΤΕΙ ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Δρ. Β Σγαρδώνη Χειμερινό Εξάμηνο 2013-14 Εισαγωγικές Έννοιες Τι είναι ένας ηλεκτρονικός υπολογιστής ; Ιστορία των Η/Υ Αρχιτεκτονική των
ΑΚΑ ΗΜΙΑ ΕΜΠΟΡΙΚΟΥ ΝΑΥΤΙΚΟΥ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΑΚΑ ΗΜΙΑ ΕΜΠΟΡΙΚΟΥ ΝΑΥΤΙΚΟΥ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ :ΤΥΠΟΙ ΑΕΡΟΣΥΜΠΙΕΣΤΩΝ ΚΑΙ ΤΡΟΠΟΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΣΠΟΥ ΑΣΤΡΙΑ: ΕΥΘΥΜΙΑ ΟΥ ΣΩΣΑΝΝΑ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ : ΓΟΥΛΟΠΟΥΛΟΣ ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ 1 ΑΚΑ
HOMEWORK 4 = G. In order to plot the stress versus the stretch we define a normalized stretch:
HOMEWORK 4 Problem a For the fast loading case, we want to derive the relationship between P zz and λ z. We know that the nominal stress is expressed as: P zz = ψ λ z where λ z = λ λ z. Therefore, applying
HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας
HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr 1 Εισαγωγή (1/2) Με την πρόοδο της τεχνολογίας VLSI οι ψηφιακές υλοποιήσεις αυξάνονται
Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας
Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ, ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΙΚΤΥΩΝ Τοµέας Υλικού και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΗΥ232 - Ψηφιακή Σχεδίαση µε CAD ΙΙ Design Flow Simulation - Synthesis
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 6: Συνδυαστική Λογική / Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Συν.) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Συνέχεια
NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
FEATURES NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = MHz TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE=.55 pf TYP
Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων
Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Προτεινόμενα βιβλία Τίτλος Συγγραφέας Εκδότης Design of Analog CMOS Integrated Circuits
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Statistical Inference I Locally most powerful tests
Statistical Inference I Locally most powerful tests Shirsendu Mukherjee Department of Statistics, Asutosh College, Kolkata, India. shirsendu st@yahoo.co.in So far we have treated the testing of one-sided
ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΓΕΓΟΝΟΤΩΝ ΒΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΠΙΤΑΧΥΝΣΙΟΜΕΤΡΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΓΕΓΟΝΟΤΩΝ ΒΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΠΙΤΑΧΥΝΣΙΟΜΕΤΡΩΝ
Démographie spatiale/spatial Demography
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ Démographie spatiale/spatial Demography Session 1: Introduction to spatial demography Basic concepts Michail Agorastakis Department of Planning & Regional Development Άδειες Χρήσης
Strain gauge and rosettes
Strain gauge and rosettes Introduction A strain gauge is a device which is used to measure strain (deformation) on an object subjected to forces. Strain can be measured using various types of devices classified
Metal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet
Φ SERIES Metal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet Features Wide operating voltage (V ma ) range from 8V to 0V Fast responding to transient over-voltage Large absorbing transient energy capability Low clamping
Thermistor (NTC /PTC)
ISO/TS16949 ISO 9001 ISO14001 2015 Thermistor (NTC /PTC) GNTC (Chip in Glass Thermistor) SMD NTC Thermistor SMD PTC Thermistor Radial type Thermistor Bare Chip Thermistor (Gold & silver Electrode) 9B-51L,
Multilayer Ceramic Chip Capacitors
FEATURES X7R, X6S, X5R AND Y5V DIELECTRICS HIGH CAPACITANCE DENSITY ULTRA LOW ESR & ESL EXCELLENT MECHANICAL STRENGTH NICKEL BARRIER TERMINATIONS RoHS COMPLIANT SAC SOLDER COMPATIBLE* PART NUMBER SYSTEM
SMD Transient Voltage Suppressors
SMD Transient Suppressors Feature Full range from 0 to 22 series. form 4 to 60V RMS ; 5.5 to 85Vdc High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Fast response time
Phys460.nb Solution for the t-dependent Schrodinger s equation How did we find the solution? (not required)
Phys460.nb 81 ψ n (t) is still the (same) eigenstate of H But for tdependent H. The answer is NO. 5.5.5. Solution for the tdependent Schrodinger s equation If we assume that at time t 0, the electron starts
ΗΜΥ 210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων. Συνδιαστικά Λογικά Κυκλώματα / Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 1
ΗΜΥ-210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Συνδυαστική Λογική / Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (Μέρος Γ) Διδάσκουσα: Μαρία Κ. Μιχαήλ Περίληψη Έξοδοι υψηλής εμπέδησης: απομονωτές tri-state, πύλες μετάδοσης Ολοκληρωμένα
Multilayer Ceramic Chip Capacitors
FEATURES X7R, X6S, X5R AND Y5V DIELECTRICS HIGH CAPACITANCE DENSITY ULTRA LOW ESR & ESL EXCELLENT MECHANICAL STRENGTH NICKEL BARRIER TERMINATIONS RoHS COMPLIANT SAC SOLDER COMPATIBLE* Temperature Coefficient
ΠΑΝΔΠΗΣΖΜΗΟ ΠΑΣΡΩΝ ΣΜΖΜΑ ΖΛΔΚΣΡΟΛΟΓΩΝ ΜΖΥΑΝΗΚΩΝ ΚΑΗ ΣΔΥΝΟΛΟΓΗΑ ΤΠΟΛΟΓΗΣΩΝ ΣΟΜΔΑ ΤΣΖΜΑΣΩΝ ΖΛΔΚΣΡΗΚΖ ΔΝΔΡΓΔΗΑ
ΠΑΝΔΠΗΣΖΜΗΟ ΠΑΣΡΩΝ ΣΜΖΜΑ ΖΛΔΚΣΡΟΛΟΓΩΝ ΜΖΥΑΝΗΚΩΝ ΚΑΗ ΣΔΥΝΟΛΟΓΗΑ ΤΠΟΛΟΓΗΣΩΝ ΣΟΜΔΑ ΤΣΖΜΑΣΩΝ ΖΛΔΚΣΡΗΚΖ ΔΝΔΡΓΔΗΑ Γηπισκαηηθή Δξγαζία ηνπ Φνηηεηή ηνπ ηκήκαηνο Ζιεθηξνιόγσλ Μεραληθώλ θαη Σερλνινγίαο Ζιεθηξνληθώλ
Applications. 100GΩ or 1000MΩ μf whichever is less. Rated Voltage Rated Voltage Rated Voltage
Features Rated Voltage: 100 VAC, 4000VDC Chip Size:,,,,, 2220, 2225 Electrical Dielectric Code EIA IEC COG 1BCG Applications Modems LAN / WAN Interface Industrial Controls Power Supply Back-Lighting Inverter
Calculating the propagation delay of coaxial cable
Your source for quality GNSS Networking Solutions and Design Services! Page 1 of 5 Calculating the propagation delay of coaxial cable The delay of a cable or velocity factor is determined by the dielectric
Μικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Metal thin film chip resistor networks
Metal thin film chip resistor networks AEC-Q200 Compliant Features Relative resistance and relative TCR definable among multiple resistors within package. Relative resistance : ±%, relative TCR: ±1ppm/
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ Διπλωματική Εργασία του φοιτητή του τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Ηλεκτρονικών
242 -ΕισαγωγήστουςΗ/Υ
242 -ΕισαγωγήστουςΗ/Υ ΤµήµαΜαθηµατικών, Πανεπιστήµιο Ιωαννίνων Ακαδηµαϊκό Έτος 24-25 Άρτια Α.Μ. (-2-4-6-8) Νικόλαος Γλυνός 27α, B όροφος Τηλ: 825 e-mail: nglinos@uoi.gr οµή και οργάνωση Ηλεκτρονικού Υπολογιστή
NMBTC.COM /
Common Common Vibration Test:... Conforms to JIS C 60068-2-6, Amplitude: 1.5mm, Frequency 10 to 55 Hz, 1 hour in each of the X, Y and Z directions. Shock Test:...Conforms to JIS C 60068-2-27, Acceleration
Surface Mount Multilayer Chip Capacitors for Commodity Solutions
Surface Mount Multilayer Chip Capacitors for Commodity Solutions Below tables are test procedures and requirements unless specified in detail datasheet. 1) Visual and mechanical 2) Capacitance 3) Q/DF
ΓΗΠΛΧΜΑΣΗΚΖ ΔΡΓΑΗΑ ΑΡΥΗΣΔΚΣΟΝΗΚΖ ΣΧΝ ΓΔΦΤΡΧΝ ΑΠΟ ΑΠΟΦΖ ΜΟΡΦΟΛΟΓΗΑ ΚΑΗ ΑΗΘΖΣΗΚΖ
ΔΘΝΗΚΟ ΜΔΣΟΒΗΟ ΠΟΛΤΣΔΥΝΔΗΟ ΥΟΛΖ ΠΟΛΗΣΗΚΧΝ ΜΖΥΑΝΗΚΧΝ ΣΟΜΔΑ ΓΟΜΟΣΑΣΗΚΖ ΓΗΠΛΧΜΑΣΗΚΖ ΔΡΓΑΗΑ ΑΡΥΗΣΔΚΣΟΝΗΚΖ ΣΧΝ ΓΔΦΤΡΧΝ ΑΠΟ ΑΠΟΦΖ ΜΟΡΦΟΛΟΓΗΑ ΚΑΗ ΑΗΘΖΣΗΚΖ ΔΤΘΤΜΗΑ ΝΗΚ. ΚΟΤΚΗΟΤ 01104766 ΔΠΗΒΛΔΠΧΝ:ΑΝ.ΚΑΘΖΓΖΣΖ ΗΧΑΝΝΖ
Rating to Unit ma ma mw W C C. Unit Forward voltage Zener voltage. Condition
MA MA Series Silicon planer e For stabilization of power supply ø.56. Unit : mm Features Color indication of VZ rank classification High reliability because of combination of a planer chip and glass seal
CSR series. Thick Film Chip Resistor Current Sensing Type FEATURE PART NUMBERING SYSTEM ELECTRICAL CHARACTERISTICS
FEATURE Operating Temperature: -55 ~ +155 C 3 Watts power rating in 1 Watt size, 1225 package High purity alumina substrate for high power dissipation Long side terminations with higher power rating PART
Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating
U Kamphaengsean Acad. J. Vol. 7, No. 2, 2009, Pages 48-60 ก 7 2 2552 ก ก กก ก Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating 1* Geerapong Srivichai 1* ABSTRACT The purpose
5.4 The Poisson Distribution.
The worst thing you can do about a situation is nothing. Sr. O Shea Jackson 5.4 The Poisson Distribution. Description of the Poisson Distribution Discrete probability distribution. The random variable
Μικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.3: Συνδυαστική Λογική - Δυναμικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
DESKTOP - Intel processor reference chart
DESKTOP - Intel processor reference chart Family Intel Turbo Boost 7 - Max Turbo 4th Generation Intel Core i7 and i5 Family (22nm) Cores / Intel HD Graphics Intel vpro 1, i7-4960x 3.6 4.0 1866 15 MB L3
ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕΛΕΤΗ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΟΥ ΠΑΡΚΟΥ ΜΕ ΟΙΚΙΣΚΟΥΣ ΓΙΑ ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΜΕΣΗΣ ΤΑΣΗΣ STUDY PHOTOVOLTAIC PARK WITH SUBSTATIONS
ΚΥΠΡΙΑΚΗ ΕΤΑΙΡΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ CYPRUS COMPUTER SOCIETY ΠΑΓΚΥΠΡΙΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ 6/5/2006
Οδηγίες: Να απαντηθούν όλες οι ερωτήσεις. Ολοι οι αριθμοί που αναφέρονται σε όλα τα ερωτήματα είναι μικρότεροι το 1000 εκτός αν ορίζεται διαφορετικά στη διατύπωση του προβλήματος. Διάρκεια: 3,5 ώρες Καλή
ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ. Nikos.Pitsianis@Eng.AUTh.Gr Mitrakos@Eng.AUTh.Gr
ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ Nikos.Pitsianis@Eng.AUTh.Gr Mitrakos@Eng.AUTh.Gr Στόχοι: 1. Να δώσει µια σφαιρική εικόνα των γνωστικών αντικειµένων της επιστήµης και τεχνολογίας των υπολογιστών. 2. Να εισαγάγει
CONTENTS. vlsi technology and design (ECE, VLSI, VLSI SYSTEM DESIGN AND VLSI & EMBEDDED SYSTEMS) THE FUTURE OF MICROELECTRONICS... 1.
Contents vlsi technology and design FOR m.tech (jntu - hyderabad) i year i semester (ECE, VLSI, VLSI SYSTEM DESIGN AND VLSI & EMBEDDED SYSTEMS) CONTENTS i UNIT - I [CH. H. - 1] ] [REVIEW OF MICROELECTRONICS
Σχεδίαση Ψηφιακών Συστημάτων
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ψηφιακών Συστημάτων Ενότητα 1: Εισαγωγή - Ιστορία Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες
CRASH COURSE IN PRECALCULUS
CRASH COURSE IN PRECALCULUS Shiah-Sen Wang The graphs are prepared by Chien-Lun Lai Based on : Precalculus: Mathematics for Calculus by J. Stuwart, L. Redin & S. Watson, 6th edition, 01, Brooks/Cole Chapter
4/10/2008. Εισαγωγή στη σχεδίαση συστημάτων VLSI. Περιεχόμενα μαθήματος. Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βιβλιογραφία. Ψηφιακά συστήματα.
Εισαγωγή στη σχεδίαση συστημάτων VLSI Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Περιεχόμενα μαθήματος Τα τρανζίστορ NMOS και PMOS Φυσικός σχεδιασμός των ψηφιακών κυκλωμάτων
ΚΒΑΝΤΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. ΚΒΑΝΤΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ Πτυχιακή Εργασία Φοιτητής: ΜIΧΑΗΛ ΖΑΓΟΡΙΑΝΑΚΟΣ ΑΜ: 38133 Επιβλέπων Καθηγητής Καθηγητής Ε.
Διπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ:ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ Διπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων
Εισαγωγή στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές
Εισαγωγή στους Ηλεκτρονικούς Υπολογιστές 1 ο Εξάμηνο Σπουδών Χειμερινό Εξάμηνο 2012/13 Τμήμα Εφαρμοσμένων Μαθηματικών, Πανεπιστήμιο Κρήτης Διδάσκων: Χαρμανδάρης Ευάγγελος, email: vagelis@tem.uoc.gr, Ιστοσελίδα
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 1: Εισαγωγή
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 1: Εισαγωγή Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Πληροφορίες για το μάθημα Περιεχόμενα
Chip Ferrite Bead MCB-S/B Series
Chip Ferrite Bead MCB-S/B Series Features Monolithic inorganic material construction Closed magnetic circuit avoids crosstalk SMD Type & suitable for reflow and wave soldering Available in various sizes
ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. «Προστασία ηλεκτροδίων γείωσης από τη διάβρωση»
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΥΨΗΛΩΝ ΤΑΣΕΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ «Προστασία ηλεκτροδίων
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 5: Το CMOS transistor και κυκλώµατα CMOS ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Περίληψη q Κυκλώµατα
Ανηικείμενα ποσ καλύπηονηαι
EE-4041 Σαλανηωηές, Φίληρα και Χρονοκσκλώμαηα ΒΑΙΚΔ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΔ Τμήμα Ηλεκτρονικής Τίτλοσ Μαθήματοσ Ταλαντωτζσ, Φίλτρα και Χρονοκυκλϊματα Κωδικόσ Μαθήματοσ EE-4041 Θεωρία / Εργαςτήριο Θεωρία + Εργαςτήριο
Και Εγέννετω Φως. Το Τρανζίστορ! ENIAC. Μικροηλεκτρονική 3. Το πρώτο τρανζίστορ! Τρανζίστορ στα 180nm 2000. Bell Labs 1947. Μικροηλεκτρονική 4
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Μικροηλεκτρονική Μικροηλεκτρονική Γ. Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Μικροηλεκτρονική 2 1 Και Εγέννετω Φως ENIAC Μικροηλεκτρονική 3 Το Τρανζίστορ! Το
Πυκνωτές-Capacitors. q=cu C=ε 0 (S/d) παράλληλες επιφάνειες Εµβαδού S απόστασης d ε 0 =8, C/Vm διηλεκτρική σταθερά κενού
Πυκνωτές-Capacitors q=cu C=ε 0 (S/d) παράλληλες επιφάνειες Εµβαδού S απόστασης d ε 0 =8,855 10-12 C/Vm διηλεκτρική σταθερά κενού 1 Capacitors 2 Πυκνωτής µε διηλεκτρικό Εισαγωγή µονωτικού υλικού (διηλεκτρικό)
HIS series. Signal Inductor Multilayer Ceramic Type FEATURE PART NUMBERING SYSTEM DIMENSIONS HIS R12 (1) (2) (3) (4)
FEATURE High Self Resonant Frequency Superior temperature stability Monolithic structure for high reliability Applications: RF circuit in telecommunication PART NUMBERING SYSTEM HIS 160808 - R12 (1) (2)
CHAPTER 25 SOLVING EQUATIONS BY ITERATIVE METHODS
CHAPTER 5 SOLVING EQUATIONS BY ITERATIVE METHODS EXERCISE 104 Page 8 1. Find the positive root of the equation x + 3x 5 = 0, correct to 3 significant figures, using the method of bisection. Let f(x) =
Αρχιτεκτονική Υπολογιστών Ι (ένα)
Αρχιτεκτονική Υπολογιστών Ι (ένα) Σπύρος Ξεργιάς ΕΔΙΠ Δημήτρης Γκιζόπουλος Καθηγητής Γενικά Σπύρος Ξεργιάς, ΕΔΙΠ http://www.di.uoa.gr/~xergias γραφείο Α33a Διδασκαλία στο αμφιθέατρο Δευτέρα 13 00-15 00
HY:433 Αναλογικά Κυκλώματα VLSI (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας
HY:433 Αναλογικά Κυκλώματα VLSI (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr 1 Σκοπός του μαθήματος http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce433/index.php Ένα προχωρημένο μάθημα στο σχεδιασμό
2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER
. GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER UPC79T FEATURES WIDE FREQUENCY RESPONSE:. GHz 3 GAIN vs. FREQUENCY HIGH GAIN: 3 db (UPC79T) SATURATED OUTPUT POWER: +. dbm (UPC79T) INTERNAL CURRENT REGULATION MINIMIZES
First Sensor Quad APD Data Sheet Part Description QA TO Order #
Responsivity (/W) First Sensor Quad PD Data Sheet Features Description pplication Pulsed 16 nm laser detection RoHS 211/65/EU Light source positioning Laser alignment ø mm total active area Segmented in
Aluminum Electrolytic Capacitors (Large Can Type)
Aluminum Electrolytic Capacitors (Large Can Type) Snap-In, 85 C TS-U ECE-S (U) Series: TS-U Features General purpose Wide CV value range (33 ~ 47,000 µf/16 4V) Various case sizes Top vent construction
3 V, 1500 MHz Si MMIC WIDEBAND AMPLIFIER
V, MHz Si MMIC WIDEBAND AMPLIFIER UPC7T FEATURES WIDE FREQUENCY RESPONSE: MHz LOW VOLTAGE OPERATION: V NOMINAL (. MIN) LOW POWER CONSUMPTION:. mw TYP SUPER SMALL PACKAGE TAPE AND REEL PACKAGING OPTION