Pri puzdre SOT - 23 znamená výraz v zátvorkách (A6...) oznaèenie na puzdre. t rr = reverse recovery time BAS 16,19,21 BAV 70 BAV 99 BAW 56
|
|
|
- Ανδρομέδη Κοντόσταυλος
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Diskrétne súèiastky Diódy 2 Usmeròovacie mostíky 4 Transily 5 Zenerove diódy 6 Varikapy 6 Tyristory 7 Triaky 7 Diaky 7 ipolárne tranzistory 8 Darlingtonove tranzistory 9 Spínacie tranzistory 10 VF tranzistory 10 Unipolárne tranzistory 11 IGT 12 Tranzistory 2S_ 13
2 DIÓDY DIÓDY MALÉ UNIVRZÁLN A SPÍNAI Obj.è Typ Imax[A] Umax[V] t rr [ns] Puzdro 1ks S LL 4148 SMD 0, MINIMLF 2,00 1,48 1,27 S LL 4448 SMD 0, MINIMLF 2,35 1,74 1,49 S AS 32 SMD 0, MINIMLF 3,75 2,78 2,39 S AS 16 SMD 0, SOT-23 (A6) 2,65 1,96 1,69 S AS 19 SMD 0, SOT-23 (A8) 2,98 2,20 1,89 S AS 21 SMD 0, SOT-23 (A82) 3,80 2,81 2,42 S AV 70 SMD 0, SOT-23 (A4) 2,75 2,04 1,75 S AV 99 SMD 0, SOT-23 (A7) 3,00 2,22 1,91 S AW 56 SMD 0, SOT-23 (A1) 3,20 2,37 2,04 1ks S N , DO-35 0,90 0,60 0,48 S N , DO-35 0,98 0,72 0,62 S AV 21 0, DO-35 1,80 1,20 0,99 A K Pri puzdre SOT - 23 znamená výraz v zátvorkách (A6...) oznaèenie na puzdre. t rr = reverse recovery time AS 16,19,21 AV 70 AV 99 AW 56 DIÓDY USMRÒOVAI Obj.è Typ Imax[A] Umax[V] Puzdro 1ks S SM 4002 SMD MLF 2,33 1,89 1,67 S SM 4007 SMD MLF 3,36 2,72 2,40 1ks S N DO-41 0,95 0,77 0,68 S N DO-41 0,90 0,72 0,65 1ks S N DO-201 3,07 2,48 2,19 S N DO-201 3,05 2,47 2,18 S P 600 D P-6 7,48 6,05 5,34 S P 600 K P-6 9,01 7,29 6,44 Dodáme aj SMD diódy pre prúdy 1A a 3A v puzdre DO-214. DIÓDY USMRÒOVAI RÝHL (Fast Recovery) s t rr >100ns Obj.è Typ Imax[A] Umax[V] t rr [ns] Puzdro 1ks S A DO-41 1,89 1,53 1,35 S A DO-41 2,60 2,11 1,86 S Y DO-201 2,25 1,82 1,61 S Y DO-201 3,99 3,23 2,85 S Y DO-201 5,00 3,70 3,18 S Y DO-201 5,25 3,89 3,34 S MR DO ,13 7,49 6,44 S MR DO-201 6,93 5,61 4,95 S Y 228* SOD-64 10,50 8,50 7,50 S YW SOD-64 17,39 14,08 12,42 S Y TO-220A 48,89 39,58 34,92 * vyvinutá pre horizontálny rozklad TV t rr = reverse recovery time Krížové referencie diód nájdete na strane VI. v zadnej èasti katalógu. 2 eny sú uvádzané bez DPH.
3 DIÓDY DIÓDY USMRÒOVAI RÝHL ( Fast Recovery) s t rr >100ns Obj.è Typ Imax[A] Umax[V] t rr [ns] Puzdro 1ks UF DO-41 7,03 5,20 4, FUF DO-201AD 13,70 10,14 8, FUF DO-201AD 20,53 15,19 13,05 S YV SOD-57 7,62 6,17 5,45 S YV , SOD-64 11,72 9,49 8,37 S YW * DO-220A 27,13 21,96 19,38 S YW * DO-220A 29,19 23,63 20,85 S YV x TO ,92 42,84 37,80 S YV TO ,52 36,04 31,80 *1) UF=0,85V@5A, IR=0,6mA *2) UF=0,85V@7A, IR=1mA DIÓDY SHOTTKYHO (<1A) sú charakteristické nízkym úbytkom napätia v priepustnom smere (parameter U Fmax ) Obj.è Typ I max [A] U max [V] U F [V/A] Pozn.* Puzdro 1ks S AS 85 0, / ns MINIMLF 5,46 4,42 3,90 S TMM AT41 0, / pf MINIMLF 10,08 8,16 7,20 S TMM AT43 0,2 30 0,33 / 0,001 5 ns MINIMLF 13,65 11,05 9,75 S TMM AT46 0, / pf MINIMLF 10,29 8,33 7,35 S AR 43 0, / ns SOT-23 (D95) 8,40 6,80 6,00 S AR 43 A 0, / ns SOT-23 (D1) 10,50 8,50 7,50 S AR 43 0, / ns SOT-23 (D2) 10,29 8,33 7,35 S AR 43 S 0, / ns SOT-23 (DA5) 10,08 8,16 7,20 S AT 41 0, / pf DO-35 4,20 3,40 3,00 S AT 42 0, / ns DO-35 2,94 2,38 2,10 S AT 43 0, / pf DO-35 3,47 2,81 2,48 S AT 46 0, / pf DO-35 4,20 3,40 3,00 S AT 48 0, / ns DO-35 4,41 3,57 3,15 S AT 49 0, / pf DO-41 14,49 11,73 10,35 S AT 85 0, / ns DO-35 3,36 2,72 2, SD 101 0, / ns DO-35 3,05 2,47 2, SD 103 0, / ns DO-35 3,78 3,06 2,70 * Pozn. = údaj v tejto kolónke oznaèuje velièinu t rr [ns] = reverse recovery time, alebo kapacitu diódy [pf] DIÓDY SHOTTKYHO VÝKONOVÉ (>1A) sú charakteristické nízkym úbytkom napätia v priepustnom smere (parameter U Fmax ) AR 43 AR 43 AR 43S AR 43A Obj.è Typ I max [A] U max [V] U F [V/A] Puzdro 1ks S S120 (1N5817) / 1.0 DO-41 5,88 4,76 4,20 S S130 (1N5818) / 1.0 DO-41 6,30 5,10 4,50 S S140 (1N5819) / 1.0 DO-41 6,30 5,10 4, S / 1.0 DO-41 9,24 7,48 6,60 S S340 (1N5822) / 1.0 DO-201AD 11,55 9,35 8, S / 3.0 DO-201AD 14,70 11,90 10, S / 5.0 DO-201AD 25,20 20,40 18,00 S S / 5.0 DO-201AD 19,95 16,15 14,25 1 ks S MR 745 7, / 15.0 DO ,66 24,82 21, MR 760 7, / 15.0 DO ,70 28,90 25,50 S MR / 20.0 DO ,50 25,50 22, MR / 20.0 DO ,07 28,39 25,05 S MR / 16.0 DO ,80 30,60 27,00 S MR 1545 T 2 x / 15 TO ,85 31,45 27, MR 1560 T 2 x / 7.5 TO ,10 35,70 31,50 S MR 2045 T 2 x / 20 TO ,74 32,98 29, MR 2060 T 2 x / 20 TO ,69 40,29 36,47 S MR T 2 x / 20 TO ,71 52,14 47, MR T 2 x / 20 TO ,93 61,62 55,77 S MR 2545 T 2 x / 15 TO ,45 55,30 50, MR 4045 PT 2 x / 20 TO ,02 72,68 65,78 DO K A TO A K A TO A K A eny sú uvádzané bez DPH. 3
4 DIÓDY USMRÒOVAI MOSTÍKY Obj.èíslo Typ Imax[A] Umax[V] Puzdro 1ks S DF 02 S 1 80 SMD 9,66 7,82 6,90 S DF 04 S SMD 14,18 11,48 10,13 S DF 08 S SMD 16,80 13,60 12,00 S DIL (DF02M) 1 80 DIP-4 8,19 6,63 5,85 S DIL (DF06M) DIP-4 9,45 7,65 6,75 S DIL (DF08M) DIP-4 13,28 11,22 10,15 S RD 1,5 80 R 1F 11,03 8,93 7,88 S RD 1,5 250 R 1F 11,97 9,69 8,55 S RD 1,5 380 R 1F 12,39 10,03 8,85 S /1000 FL 1,5 80 F 1F 19,74 15,98 14,10 S /1000 FL 1,5 250 F 1F 23,10 18,70 16,50 S KP 04 M F 2F 13,46 11,38 10,30 SMD DIP-4 R1F F1F F2F Obj.èíslo Typ Imax[A] Umax[V] Puzdro 1ks S /2200 3,7 80 F 4F 43,95 37,13 33,61 S /2200 3,7 250 F 4F 55,17 46,61 42,19 S / F 4F 54,23 45,82 41,47 S / F 4F 59,84 50,56 45,76 S FI4V40 (KU4) FI4 39,27 33,18 30,03 S FI4V250 (KU4J) FI4 48,81 41,24 37,32 S FI65M1 (KU6) FI4 46,75 39,50 35,75 S FI6J5M1 (KU6J) FI4 46,75 39,50 35,75 S FI85M1 (KU8) FI4 47,69 40,29 36,47 S KU 8 G (PU804) F 3F 57,97 48,98 44,33 S FI8J5M1 (KU8J) FI4 52,55 44,40 40,18 FI4 F3F S KP 1006 DR R 3W 121,80 98,60 87,00 S KP 2506 DR R 3W 138,60 112,20 99,00 S KP 3506 DR R 3W 147,00 119,00 105,00 S KP R 3F 72,93 61,62 55,77 S KP R 3F 95,37 80,58 72,93 S KP R 3F 84,15 71,10 64,35 S KP R 3F 93,50 79,00 71,50 S KP R 3F 93,50 79,00 71,50 S KP R 3F 106,78 90,22 81,65 4 F4F F3F FI4 R3W R3F eny sú uvádzané bez DPH.
5 TRANSILY TRANSILY - SUPRSOROVÉ DIÓDY Polovodièové prvky, ktoré slúžia na ochranu elektronických zariadení alebo dlhých vedení pred prepätiami. Nachádzajú široké uplatnenie pri ochrane výpoètovej a telekomunikaènej techniky, v automobiloch, ale aj v 230V sie ových rozvodoch. Vyrábajú sa v dvoch verziách: 1) Jednosmerné (unidirectional) 2) Obojsmerné (bidirectional) Jednosmerné transily sa používajú na ochranu jednosmerných (D) obvodov, obojsmerné transily nájdu uplatnenie v obvodoch so striedavým prúdom alebo napätím. Oproti Zenerovej dióde alebo varistoru majú transily ve¾mi krátke reakèné èasy ( rádovo pikosekundy ), èo je minimálne o dva rády lepšie, a nízke hodnoty dynamickej impedancie vo vodivom stave. Ich základným parametrom je napätie U R, pri ktorom sa transily dostávajú do vodivého stavu ( charakteristické "koleno" na voltampérovej charakteristike - viï obr. ). Ïalším dôležitým parametrom je výkon P PP, ktorý sú transily schopné absorbova. Udáva sa v jednotkách W/ms ( napr. ZW06: P PP =600 W / 1 ms ). Transily sú schopné pohlti pomerne znaèný krátkodobý výkonový impulz, rozhodne sa však nehodia k trvalému za aženiu. Vyššie uvedená hodnota výkonu sa vz ahuje na impulz v trvaní 1 ms. Zapájajú sa paralelne s chráneným obvodom. U R [V]= breakdown voltage (zlomové napätie - koleno, pri ktorom prudko vzrastá prúd) 600 W/1ms, puzdro DO-15 U RM [V]= stand-off voltage (maximálne záverné napätie) Obj.èíslo Typ kvivalent U R [V] U RM [V] 1ks S ZW06-5V8 P6K6,8A 6,8 5,8 12,81 10,37 9, ZW06-13 P6K ,97 9,69 8,55 S ZW06-15 P6K ,08 9,78 8,63 S ZW06-26 P6K ,01 13,77 12,15 S ZW06-33 P6K ,96 12,92 11,40 S ZW06-5V8 P6K6,8A 6,8 5,8 16,17 13,09 11,55 S ZW06-10 P6K12A ,59 15,05 13,28 S ZW06-13 P6K15A ,75 12,75 11,25 S ZW06-15 P6K18A ,27 14,79 13,05 S ZW06-23 P6K27A ,27 14,79 13,05 S ZW06-26 P6K30A ,27 14,79 13,05 S ZW06-33 P6K39A ,75 12,75 11,25 S ZW06-48 P6K56A ,95 16,15 14,25 S ZW P6K440A ,52 19,04 16,80 Alternatívne dodáme transily série P6K. Jednosmerné (unidirectional) Obojsmerné (bidirectional) 1500 W/1ms, puzdro DO-201 Obj.èíslo Typ U R [V] U RM [V] 1ks ,5 K 6,8 A 6,8 5,8 33,60 27,20 24,00 S ,5 K 18 A 18 15,3 24,89 20,15 17,78 S ,5 K 33 A 33 28,2 27,09 21,93 19,35 S ,5 K 47 A 47 40,2 27,30 22,10 19, ,5 K 400 A ,97 26,69 23, ,5 K 6,8 A 6,8 5,8 32,97 26,69 23,55 S ,5 K 18 A 18 15,3 32,55 26,35 23,25 S ,5 K 33 A 33 28,2 26,25 21,25 18,75 S ,5 K 36 A 36 30,8 32,13 26,01 22, ,5 K 400 A ,97 26,69 23,55 Jednosmerné (unidirectional) Obojsmerné (bidirectional) 600 W/1ms, puzdro DO-214AA Obj.èíslo Typ U R [V] U RM [V] 1ks P6SM 6,8 A 6,8 5,8 19,11 15,47 13, P6SM 15 A 15 12,8 15,96 12,92 11, P6SM 18 A 18 15,3 15,96 12,92 11, P6SM 33 A 33 28,2 15,96 12,92 11, P6SM 6,8 A 6,8 5,8 21,21 17,17 15, P6SM 15 A 15 12,8 17,85 14,45 12, P6SM 18 A 18 15,3 17,85 14,45 12, P6SM 33 A 33 28,2 17,85 14,45 12,75 Jednosmerné (unidirectional) Obojsmerné (bidirectional) eny sú uvádzané bez DPH. 5
6 ZNROV DIÓDY ZNROV DIÓDY Typ ZD 0,5W ZD 1,3W 0,5 W 1,3 W DO-35 DO-41 UZ[V] Obj. èíslo Obj. èíslo 2,4 S ,7 S ,0 S ,3 S ,6 S S ,9 S S ,3 S S ,7 S S ,1 S S ,6 S S ,2 S S ,8 S S ,5 S S ,2 S S ,1 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S S ,0 S ,0 S ,0 S ,0 S , , , Typ ZV 55 ZX 84 Porovnávacia tabu¾ka 0,5 W 0,3 W ZD 0,5W ZD 1,3W ZV 55 ZX 79 ZV 85 ZMM ZX 55 ZX 85 ZT 55 ZPD ZPY TZM MINIMLF SOT-23 UZ[V] Obj. èíslo Obj. èíslo 2,7 S S (W4) 3,3 S S (W6) 3,9 S S (W8) 4,7 S S (Z1) 5,1 S S (Z2) 6,2 S S (Z4) 6,8 S S (Z5) 7,5 S S (Z6) 8,2 S ,1 S S (Z8) 10 S S S (Y2) 15 S S S Výraz v zátvorkách (W8...) pri obj.èísle znamená oznaèenie na puzdre. Príklad oznaèenia pre objednávku ZD 0,5W 2,7V Typ Napätie eny/sk Typ 1ks ZD 0,5W 1,50 1,11 0,95 ZD 1,3W 3,00 2,22 1,91 ZD 1,3W (>180V) 3,75 2,78 2,39 ZV 55 3,00 2,22 1,91 ZX 84 3,00 2,22 1,91 Zabezpeèíme aj Zenerove diódy so stratovým výkonom 2W (ZY...) a 5W (1N53xx). Neuvedené typy/hodnoty na objednávku. VARIKAPY - KAPAITNÉ DIÓDY Obj.èíslo Typ Umax/Imax [pf]@u [pf]@u 1ks S Y 31 28V/20mA 1,9/28V 17,5/1V 8,15 6,89 6,23 S Y 40 28V/20mA 4,6/28V 45/1V 8,40 7,09 6,42 S Y 51 7V/20mA 3,1/4V 5,3/1V 21,47 18,14 16,42 S Y 52 7V/20mA 1,15/4V 1,85/1V 27,73 23,43 21,21 SOT-23 6 eny sú uvádzané bez DPH.
7 TYRISTORY, TRIAKY, DIAKY TYRISTORY Obj.èíslo Typ Imax[A] Umax[V] Igt[mA] Puzdro 1ks S RX 49 0, ,2 TO-92 23,08 19,50 17,65 S D ,2 TO ,81 10,37 9,15 S TI 106 M ,2 TO-220A 23,09 19,51 17,66 S TI 116 M TO-220A 37,40 31,60 28,60 S TI 126 M TO-220A 37,40 31,60 28,60 S T R TO-220A 27,30 23,07 20,88 S T R TO-220A 24,31 20,54 18,59 S T R TO-220A 46,75 39,50 35,75 S TW TOP-3 448,92 388,89 357,57 TRIAKY Obj.èíslo Typ I t [A] U m [V] I h [ma] Puzdro 1ks S Z 0107 DA 0, TO-92 11,97 10,11 9,15 S TI 201 M 2, TO-220A 23,94 20,22 18,30 S T TO-220A 23,19 19,59 17,73 S TI 206 M TO-220A 33,66 28,44 25,74 S TI 216 M TO-220A 39,27 33,18 30,03 S TI 226 M TO-220A 35,34 29,86 27,03 S T TO-220A 24,31 20,54 18,59 S T TO-220A 31,79 26,86 24,31 S TA TO-220A 46,75 39,50 35,75 S TI 236 M TO-220A 47,12 39,82 36,04 S TI 236 N TO-220A 71,81 60,67 54,91 S TI 246 M TO-220A 59,84 50,56 45,76 S T TO-220A 39,27 33,18 30,03 S TI 246 N TO-220A 91,26 77,10 69,78 S TA TO-220A 57,97 48,98 44,33 S TI 253 M TO ,19 93,72 86,17 S TI 263 M TO ,48 87,91 80,83 S TI 263 N TO ,40 216,05 198,65 S TA TOP-3 158,93 137,68 126,59 S TA TOP-3 209,84 181,78 167,14 TO TOP - 3 S TA RD ,84 293,53 269,89 Triaky série TA majú izolované puzdro. DIAKY Obj.èíslo Typ I max [A] U bo [V] P tot [mw] Puzdro 1ks S R DO-35 6,24 5,05 4,46 Krížové referencie tyristorov a triakov TSLA ekvivalent TSLA ekvivalent TSLA ekvivalent KT 205/xxx TI 206M KT 201/xxx TI 106M KT 726/xxx TI 116M KT 207/xxx TI 216M KT 206/xxx TI 106M KT 508/xxx RX 49 KT 71x TI 106M Nenašli ste tyristor, triak alebo diak pre Vašu aplikáciu? Vyžiadajte si ponuku. Presné rozmery puzdier nájdete v poslednej sivej èasti katalógu. eny sú uvádzané bez DPH. 7
8 TRANZISTORY IPOLÁRN TRANZISTORY Nízkovýkonové univerzálne Obj.èíslo Typ Vodivos U [V] I [A] h F (min/max) Puzdro 1ks S NPN 65 0,1 200/450 SOT-23 2,10 1,70 1,50 S NPN 45 0,1 200/450 SOT-23 2,10 1,70 1,50 S NPN 30 0,1 200/450 SOT-23 2,00 1,62 1,43 S * NPN 45 0,1 200/450 SOT-23 2,00 1,62 1,43 S PNP -65-0,1 220/475 SOT-23 2,21 1,79 1,58 S PNP -45-0,1 220/475 SOT-23 2,00 1,62 1,43 S PNP -30-0,1 220/475 SOT-23 2,21 1,79 1,58 S * PNP -45-0,1 220/475 SOT-23 2,10 1,70 1,50 S PNP -45-0,5 250/600 SOT-23 2,63 2,13 1,88 S NPN 45 0,5 250/600 SOT-23 2,52 2,04 1,80 S W 66 H NPN 45 0,8 250/630 SOT-23 3,15 2,55 2,25 S W 68 H PNP -45-0,8 250/630 SOT-23 3,15 2,55 2,25 S P PNP /250 SOT ,03 8,93 7,88 S P NPN /250 SOT ,03 8,93 7, DP 949 NPN /475 SOT ,20 16,35 14, DP 950 PNP /475 SOT ,20 16,35 14,43 S NPN /375 SOT-89 12,39 10,03 8,85 S PNP /375 SOT-89 12,39 10,03 8,85 S X NPN /250 SOT-89 10,50 8,50 7,50 S X PNP /250 SOT-89 10,50 8,50 7,50 S NPN 45 0,1 200/450 TO-18 30,45 24,65 21,75 S PNP -45-0,1 125/500 TO-18 25,73 20,83 18,38 S N 2222 NPN 30 0,8 75/- TO-18 22,05 17,85 15,75 S NPN /250 TO-39 26,25 21,25 18,75 S PNP /250 TO-39 30,87 24,99 22,05 S NPN 65 0,1 200/450 TO-92 1,89 1,53 1,35 S NPN 45 0,1 200/450 TO-92 1,89 1,53 1,35 S NPN 45 0,1 420/800 TO-92 1,89 1,53 1,35 S NPN 30 0,1 200/450 TO-92 1,89 1,53 1,35 S NPN 30 0,1 420/800 TO-92 2,10 1,70 1,50 S NPN 30 0,1 420/800 TO-92 1,89 1,53 1,35 S * NPN 45 0,1 420/800 TO-92 1,89 1,53 1,35 S PNP -65-0,1 220/475 TO-92 2,10 1,70 1,50 S PNP -45-0,1 220/475 TO-92 1,89 1,53 1,35 S PNP -45-0,1 420/800 TO-92 2,00 1,62 1,43 S PNP -30-0,1 320/800 TO-92 1,89 1,53 1,35 S * PNP -45-0,1 420/800 TO-92 2,52 2,04 1,80 S PNP -45-0,5 250/600 TO-92 2,73 2,21 1,95 S NPN 45 0,5 250/600 TO-92 2,52 2,04 1,80 S NPN /250 TO-92 4,62 3,74 3,30 S PNP /250 TO-92 4,62 3,74 3,30 S MPSA 42 NPN 300 0,5 min.40 TO-92 4,62 3,74 3,30 S MPSA 92 PNP ,5 min.25 TO-92 4,62 3,74 3,30 * nízkošumové Výkonové Obj.èíslo Typ Vodivos I [A] U [V] P tot [W] Puzdro 1ks , 5.., 8.. MPSA , 640 S D NPN 1, TO-126 9,35 7,90 7,15 S D PNP -1, TO-126 9,16 7,74 7,01 S D 237 NPN TO ,21 12,01 10,87 S D 238 PNP TO ,91 11,76 10,64 S D 441 NPN TO ,33 12,96 11,73 S D 442 PNP TO ,14 15,33 13, MJ 15032* NPN TO ,62 41,08 37, MJ 15033* PNP TO ,71 52,14 47,19 S D239 (TIP23) NPN TO ,09 11,06 10, D240 (TIP30) PNP TO ,70 15,80 14,30 S D241 (TIP31) NPN TO ,65 18,30 16,56 S D242 (TIP32) PNP TO ,51 18,17 16,45 S D243 (TIP41) NPN TO ,14 15,33 13,87 S D244 (TIP42) PNP TO ,64 16,59 15,02 * vyvinuté pre NF audio 8 eny sú uvádzané bez DPH.
9 TRANZISTORY Výkonové (pokraèovanie) Obj.èíslo Typ Vodivos I [A] U [V] P tot [W] Puzdro 1ks S D 649 NPN TO ,21 19,61 17,75 S D 650 PNP TO ,26 17,96 16, MJ 15030* NPN TO ,36 44,24 40, MJ 15031* PNP TO ,43 40,92 37,04 S MJ 3055 T NPN TO ,75 20,07 18,16 S MJ 2955 T PNP TO ,75 20,07 18,16 S D 711 NPN TO ,70 15,80 14,30 S D 712 PNP TO ,48 27,44 24,84 S D 911 NPN TO ,80 24,33 22,02 S D 912 PNP TO ,62 21,65 19,59 S D 245 NPN TO ,49 42,66 38,61 S D 246 PNP TO ,78 43,75 39,60 S D 249 NPN TO ,09 71,89 65,07 S D 250 PNP TO ,02 72,68 65,78 S N 3055 NPN TO-3 21,36 18,04 16,33 S D 317 NPN TO-3 91,63 77,42 70,07 S D 318 PNP TO-3 89,76 75,84 68, MJ 15022* NPN TO-3 172,04 145,36 131, MJ 15023* PNP TO-3 172,04 145,36 131, MJ 15024* NPN TO-3 151,47 127,98 115, MJ 15025* PNP TO-3 149,60 126,40 114,40 S MJ 15003* NPN TO-3 130,53 110,28 99,81 S MJ 15004* PNP TO-3 128,71 108,75 98,43 * vyvinuté pre NF audio Darlingtonove Obj.èíslo Typ Vodivos I [A] U [V] P tot [W] Puzdro 1ks S V 46 PNP 0,5 60 0,35 SOT-23 7,46 6,04 5,33 S V 47 NPN 0,5 60 0,35 SOT-23 7,46 6,04 5,33 S PNP -0,4-30 0,625 TO-92 5,25 4,25 3,75 S NPN 0,4 30 0,625 TO-92 5,25 4,25 3,75 S NPN+Dióda ,8 TO-92 11,34 9,18 8,10 S PNP+Dióda ,8 TO-92 6,93 5,61 4,95 1ks S D 679* NPN+Dióda TO ,33 12,96 11,73 S D 680* PNP+Dióda TO ,83 14,22 12,87 S D 679 A* NPN+Dióda TO ,83 14,22 12,87 S D 680 A* PNP+Dióda TO ,33 14,65 13,26 S D 681 NPN+Dióda TO ,83 14,22 12,87 S D 682 PNP+Dióda TO ,83 14,22 12,87 * U sat=2,5v@1,5a, pri verzii A: U sat=2,8v@2a S TIP 122 NPN+Dióda TO ,70 15,80 14,30 S TIP 127 PNP+Dióda TO ,70 15,80 14,30 S DX 53 NPN+Dióda TO ,94 17,70 16,02 S DX 54 PNP+Dióda TO ,94 17,70 16,02 S TIP 132 NPN+Dióda TO ,18 22,12 20,02 S TIP 137 PNP+Dióda TO ,38 19,75 17,88 S D 901 NPN+Dióda TO ,09 20,35 18,42 S D 902 PNP+Dióda TO ,31 20,54 18,59 S U 806 NPN+Dióda TO ,75 39,50 35,75 S DX 33 NPN+Dióda TO ,57 17,38 15,73 S DX 34 PNP+Dióda TO ,89 15,96 14,44 S DW 93 NPN+Dióda TO ,99 24,49 22,17 S DW 94 PNP+Dióda TO ,91 24,43 22,11 S TIP 142 NPN+Dióda TO ,23 45,82 41,47 S TIP 147 PNP+Dióda TO ,71 52,14 47,19 S DW 83 NPN+Dióda TO ,65 69,84 63,21 S DW 84 PNP+Dióda TO ,40 70,47 63,78 S MJ 4032 PNP+Dióda TO-3 146,05 123,40 111,68 S MJ 4035 NPN+Dióda TO-3 104,03 87,90 79,55 eny sú uvádzané bez DPH. 9
10 TRANZISTORY Spínacie Obj.èíslo Typ Vodivos I [A] U [V] P tot [W] Puzdro 1ks S MJ 340 NPN 0, ,8 TO ,57 17,38 15,73 S MJ 350 PNP -0, ,8 TO ,57 17,38 15,73 S U 406 NPN TO ,40 31,60 28,60 S UV 46 NPN TO ,47 28,28 25,60 S UT 11 A NPN TO ,80 29,40 26,61 S UT 12 A NPN TO ,19 39,03 35,32 S UT 56 A NPN TO ,66 28,44 25,74 S UX 85 NPN TO ,03 28,76 26,03 S MJ NPN TO ,25 21,33 19,31 S MJ NPN TO ,34 32,39 29,32 S MJ NPN TO ,97 48,98 44,33 S U 2508 AF NPN SOT ,85 75,92 68, U 2508 DF NPN+Dióda SOT ,92 70,06 63, U 2520 AF NPN SOT ,62 65,59 59,36 S U 2520 DF NPN+Dióda SOT ,76 75,84 68,64 S U 2525 AF NPN SOT ,59 90,06 81, U 2525 DF NPN+Dióda TO ,59 90,06 81, U 2527 AF NPN TO ,29 105,86 95,81 S U 508 AF NPN SOT ,13 59,25 53,63 S U 508 DFI NPN+Dióda SOT ,03 109,02 98,67 S UT 11 AF NPN SOT ,53 30,02 27,17 S UT 18 AF NPN SOT ,13 37,29 33,75 S S 2000 AF 3 NPN SOT ,98 85,32 77,22 S S 2000 N NPN TO ,32 56,88 51,48 S U 2508 A NPN TO ,28 69,52 62, U 2508 D NPN+Dióda TO ,06 79,47 71,93 S U 2525 A(W) NPN TO ,68 101,12 91, U 2525 D NPN+Dióda TO ,98 146,15 132,28 S U 508 A NPN TO ,20 94,80 85,80 S U 508 D NPN+Dióda TO ,93 61,62 55,77 S UV 47 A NPN TO ,02 72,68 65,78 S UV 48 A NPN TO ,68 83,38 75,46 S UW 13 A NPN TO ,11 83,74 75,79 S U 208 A NPN TO-3 71,06 60,04 54,34 S U 208 D NPN+Dióda TO-3 82,28 69,52 62,92 S U 326 A NPN TO-3 123,42 104,28 94,38 S UX 48 A NPN-Darl TO-3 190,74 161,16 145,86 S UX 98 A NPN TO-3 430,10 363,40 328, UY 69 A (SU169) NPN TO-3 134,64 113,76 102, MJ NPN-Darl TO-3 497,42 420,28 380,38 SOT-186 SOT-199 TO-247 Vysokofrekvenèné Obj.èíslo Typ Vodivos U [V] I [ma] P tot [mw] f T [GHz] F[d] Puzdro* 1ks AT NPN ,4-1,7 SOT 47 60,12 48,67 42,95 S FR 90 NPN ,2 SOT 37 20,03 16,22 14, FR 90 A NPN ,8 SOT 37 20,01 16,20 14,30 S FR 91 A NPN ,6-2,3 SOT 37 15,12 12,24 10,80 S FR 96 TS NPN ,3-4 SOT 37 19,32 15,64 13,80 S FN 26 NPN ,07 - SOT-23 6,30 5,10 4,50 S FN 27 PNP ,1 - SOT-23 6,30 5,10 4,50 S FR 92 A NPN ,8 SOT-23(+P2) 17,87 14,47 12,77 S FR 93 A NPN ,6-2,1 SOT-23(+R2) 10,50 8,50 7,50 S FR 193 NPN ,2-2,1 SOT-23(R) 22,68 18,36 16,20 S FT 93 PNP ,4 SOT-23(X1p) 49,64 40,19 35, AT NPN ,0 SOT ,50 25,50 22, FP 405 NPN 4, ,15 SOT 343(ALs) 75,16 60,84 53, FP 420 NPN 4, ,05 SOT 343(AMs) 68,82 55,71 49, FP 520 NPN ,95 SOT 343(APs) 37,61 30,45 26,87 * výraz v zátvorkách (+P2...) je oznaèenie na puzdre 10 eny sú uvádzané bez DPH.
11 TRANZISTORY Vysokofrekvenèné (pokraèovanie) Obj.èíslo Typ Vodivos U [V] I [ma] P tot [mw] f T [MHz] Puzdro* 1ks S F 199 NPN TO-92 5,96 4,83 4,26 S F 240 NPN TO-92 5,25 4,25 3,75 S F 324 PNP TO-92 7,75 6,27 5,54 S F 422 NPN TO-92 5,15 4,17 3,68 S F 423 PNP TO-92 4,83 3,91 3,45 S F 494 NPN TO-92 6,20 5,02 4,43 S F 959 NPN TO-92 8,98 7,58 6,86 S F 259 NPN TO 39 21,00 17,00 15,00 S F 871 NPN TO ,32 13,21 11,66 S F 872 PNP TO ,45 9,27 8,18 S F 459 NPN TO ,91 16,12 14,22 S F 469 NPN TO ,75 16,80 14,82 S F 470 PNP TO ,93 13,70 12,09 S F 471 NPN TO ,84 9,59 8,46 S F 472 PNP TO ,91 13,69 12,08 1ks MAR-6 NPN kaskáda 3,5V/16mA 2GHz G=11-20d F=3d SOT ,60 119,20 109, MAV-3 UHF NPN kaskáda SOT ,03 93,59 86,05 * Písmená za oznaèením puzdra znamenajú zapojenie vývodov v poradí UNIPOLÁRN TRANZISTORY Nízkovýkonové (<1W) Obj.èíslo Typ Vodivos U ds [V] I d [ma] P tot [mw] R dson [Ω] Puzdro 1ks S SN 20 MOSFT-N R SOT-23 4,75 4,01 3, SS 83 P MOSFT-P R SOT-23 8,53 7,20 6,52 S SS 84 MOSFT-P R SOT-23 10,51 8,88 8,04 S SS 123 MOSFT-N R SOT-23 7,67 6,48 5, SS 131 MOSFT-N R SOT-23 12,96 10,95 9,91 S SS 138 MOSFT-N ,5R SOT-23 6,79 5,74 5,19 S F 992 ift-n SOT ,90 10,90 9,87 S F 998 ift-n SOT-143 9,35 7,90 7,15 S F 245 A JFT-N I G =6,5mA TO-92 GSD 12,72 10,74 9,72 S F 245 JFT-N I G =15mA TO-92 GSD 10,57 8,93 8,08 S F 245 JFT-N I G =25mA TO-92 GSD 11,59 9,80 8,87 S S 107 VMOS-N R TO-92 DGS 13,09 11,06 10,01 S S 108 VMOS-N R TO-92 DGS 10,96 9,26 8,38 S S 170 VMOS-N R TO-92 DGS 9,91 8,37 7,58 S S 250 VMOS-P R TO-92 DGS 14,77 12,48 11,30 S SS 92 MOSFT-P R TO-92 SDG 11,59 9,80 8,87 S SS 98 MOSFT-N ,5R TO-92 DGS 13,09 11,06 10,01 S SS 100 MOSFT-N R TO-92 DGS 13,09 11,06 10,01 * Písmená za oznaèením puzdra znamenajú zapojenie vývodov v poradí Výkonové (>1W) Obj.èíslo Typ Vodivos U ds [V] I d [A] P tot [W] R dson [Ω] Puzdro 1ks IRFD 024 MOSFT-N 60 2,5 1,3 0,1 DIP-4 27,38 23,13 20,94 S IRFD 110 MOSFT-N ,3 0,54 DIP-4 22,44 18,96 17, IRFD 120 MOSFT-N 100 1,3 1,3 0,3 DIP-4 27,00 22,82 20, IRFD 9014 MOSFT-P -60-1,1 1,3 0,5 DIP-4 29,56 24,98 22, IRFD 9024 MOSFT-P -60-1,6 1,3 0,28 DIP-4 34,41 29,07 26, IRFD 9120 MOSFT-P ,3 0,6 DIP-4 30,89 26,10 23, IRFR 024 N MOSFT-N ,075 TO-252AA 27,96 23,62 21, IRFR 110 MOSFT-N 100 4,3 25 0,54 TO-252AA 29,79 25,17 22, IRFR 120 N MOSFT-N 100 9,3 40 0,21 TO-252AA 35,49 29,99 27, IRFR 220 MOSFT-N 200 4,8 42 0,8 TO-252AA 31,98 27,02 24, IRFR 420 MOSFT-N 500 2, TO-252AA 39,92 33,73 30, IRFR 9024 MOSFT-P -60-8,8 42 0,28 TO-252AA 35,53 30,02 27, IRFU 024 MOSFT-N ,1 TO-251AA 28,24 23,86 21, IRFU 120 N MOSFT-N 100 9,3 40 0,21 TO-251AA 31,79 26,86 24, IRFU 9024 MOSFT-P -60-8,8 42 0,28 TO-251AA 37,40 31,60 28,60 eny sú uvádzané bez DPH. 11
12 TRANZISTORY Výkonové >1W (pokraèovanie) Obj.èíslo Typ Vodivos U ds [V] I d [A] P tot [W] R dson [Ω] Puzdro 1ks S UZ 10 MOSFT-N ,07 TO ,37 22,28 20,16 S UZ 11 MOSFT-N ,04 TO ,79 26,86 24,31 S UZ 11 A MOSFT-N ,05 TO ,25 21,33 19,31 S UZ 20 MOSFT-N ,5 75 0,2 TO ,12 44,03 39,85 S UZ 21 MOSFT-N ,085 TO ,06 50,04 54,34 S UZ 71 MOSFT-N ,1 TO ,64 18,28 16,55 S UZ 71 A MOSFT-N ,12 TO ,01 18,60 16,83 S UZ 72 A MOSFT-N ,25 TO ,98 27,02 24,45 S UZ 80 A MOSFT-N TO ,72 88,48 80,08 S UZ 90 MOSFT-N 600 4,5 75 1,6 TO ,59 75,70 68,51 S UZ 90 A MOSFT-N TO ,89 48,06 43,50 S UZ 345 MOSFT-N ,045 TO ,10 125,14 113,26 Výkonové (pokraèovanie) Obj.èíslo Typ Vodivos U ds [V] I d [A] P tot [W] R dson [Ω] Puzdro 1ks IRF 1010 N MOSFT-N ,011 TO ,41 67,94 61, IRF 3205 MOSFT-N ,008 TO ,41 82,30 74, IRF 510 MOSFT-N 100 5,6 43 0,4 TO ,87 21,01 19,02 S IRF 520 MOSFT-N 100 9,2 60 0,27 TO ,78 20,94 18,95 S IRF 530 MOSFT-N ,16 TO ,18 22,12 20,02 S IRF 540 MOSFT-N ,077 TO ,14 34,76 31,46 S IRF 630 MOSFT-N ,4 TO ,68 20,86 18,88 S IRF 640 MOSFT-N ,18 TO ,14 34,76 31,46 S IRF 730 MOSFT-N 400 5, TO ,22 28,91 26,17 S IRF 740 MOSFT-N ,55 TO ,62 41,08 37,18 S IRF 830 MOSFT-N 500 4, ,5 TO ,01 36,34 32,89 S IRF 840 MOSFT-N ,88 TO ,25 38,24 34, IRF 9530 MOSFT-P ,3 TO ,33 34,92 31,60 S IRF 9540 MOSFT-P ,2 TO ,84 50,56 45,76 S IRF 9630 MOSFT-P ,5 74 0,8 TO ,50 56,18 50, IRF 9640 MOSFT-P ,5 TO ,59 47,81 43, IRF30 MOSFT-N 600 3,6 74 2,2 TO ,58 34,29 31, IRF30 MOSFT-N 800 4, TO ,58 53,72 48, IRFG30 MOSFT-N , TO ,56 58,78 53, IRFZ 24 N MOSFT-N ,07 TO ,05 23,70 21, IRFZ 34 N MOSFT-N ,04 TO ,16 29,70 26, IRFZ 44 N MOSFT-N ,024 TO ,69 40,29 36, IRFZ 46 N MOSFT-N ,02 TO ,10 47,40 42, IRFZ 48 N MOSFT-N ,016 TO ,23 45,82 41, IRFP 150 MOSFT-N ,06 TO ,94 97,96 88, IRFP 240 MOSFT-N ,18 TO ,11 83,74 75, IRFP 250 MOSFT-N ,09 TO ,75 97,80 88,52 S IRFP 450 MOSFT-N ,4 TO ,98 85,32 77, IRFP 460 MOSFT-N ,27 TO ,93 153,72 139, IRFP 9240 MOSFT-P ,5 TO ,40 79,76 72, IXFH 26N50 MOSFT-N ,2 TO ,32 465,33 432, IXFH 58N20 MOSFT-N ,04 TO ,36 444,96 413, IXFH 75N10 MOSFT-N ,02 TO ,05 431,37 400, IXTH 21N50 MOSFT-N ,25 TO ,13 390,61 363, IXTH 7P50 MOSFT-P ,5 TO ,81 475,53 442,04 TO-220 TO-218 IGT (Insulated Gate ipolar Transistor) sú bipolárne výkonové tranzistory s izolovaným riadiacim hradlom. Spájajú v sebe typické vlastnosti MOSFTov (nízka hodnota riadiaceho prúdu IG) so špecifickými spínacími vlastnos ami bipolárnych tranzistorov (nízke saturaèné napätie, vysoká prúdová za ažite¾nos, krátke spínacie èasy a nízky stratový výkon). Sú ideálne ako spínaèe vo výkonovej oblasti, obzvláš pre spínané zdroje s taktovacou frekvenciou do 50 khz, na spínanie ventilátorov, relé, motorov a záložných zdrojov. Obj.èíslo Typ U ds [V] I d [A] P tot [W] Puzdro 1ks S UP ,6 50 TO ,10 49,47 45,48 S UP TO ,75 85,54 78,65 S UP TO ,84 107,28 98,64 S UP TO ,24 268,75 247,11 S UP TO ,38 255,01 234, IXGH 12N100A TO ,06 188,90 173, IXGH 20N TO ,22 256,61 235, IXGH 32N TO ,06 376,02 345,73 12 eny sú uvádzané bez DPH.
13 TRANZISTORY INTLIGNTNÉ SPÍNAÈ Inteligentné spínaèe radu UK sú vyvinuté firmou PHILIPS a patria do rodiny TOPFT (Temperature and Overload Protected MOSFT). Spájajú v sebe všetky výhody štandardných výkonových MOSFT tranzistorov (nízky RDSon, riadenie logickými úrovòami) s výhodami integrovaných ochrán (tepelná, proti skratu na výstupe, prepä ová, SD-Zenerova dióda na vstupe G). Sú urèené do nízkonapä ových aplikácií, napr. v automobilovom priemysle). Obj.èíslo Typ Poznámka U ds [V] I d [A] R dson [Ω] Puzdro 1ks S UK100-50GL LogicLevel 50 13,5 - TO ,27 63,47 58,36 S UK101-50GL LogicLevel TO ,94 72,71 66, TS 117 HITFT 60 3,5 0,1 TO ,84 50,56 45,76 S TS 410 PROFT 50 1,6 0,22 TO-220/5 153,94 133,36 122, IRL 540 N LogicLevel ,044 TO ,26 67,81 61, IRLZ 24 N LogicLevel ,06 TO ,52 24,10 21,81 TRANZISTORY 2S (VÝR ZO SORTIMNTU) Obj.èíslo Typ Vodivos U max [V] I max [A] P tot [W] Puzdro 1ks S SA 1013 PNP ,9 TO-92 mod 10,19 8,61 7,79 S SA 1302 PNP TO ,01 73,52 66, SA 1306 PNP ,5 20 TO ,27 33,18 30,03 S SA 1625 PNP ,5 0,75 TO-92 24,18 20,43 18,49 S S 1775 NPN 90 0,05 0,3 TO-92 10,85 9,16 8,29 S S 1815 NPN 60 0,15 0,4 TO-92 2,67 2,26 2,04 S S 1969 NPN TO ,86 123,24 111,54 S S 2078 NPN TO ,53 30,02 27,17 S S 3281 NPN TO ,07 62,58 56,64 S S 3298 NPN 160 1,5 20 TO ,66 44,49 40,27 S S 4242 NPN TO ,77 37,83 34,23 S SD 882 NPN TO ,87 10,03 9,08 S SD 1555 NPN TO ,65 47,02 42,56 S SK 30 MOSFT-N 50 6,5mA 0,1 TO-92 14,64 12,37 11, SK 1081 VMOS-N TO ,00 147,02 133,06 S SK 170 MOSFT-N 40 0, TO-92 21,45 18,12 16, SK 793 MOSFT-N TO ,81 108,83 98,50 Krížové referencie tranzistorov TSLA ekvivalent TSLA ekvivalent TSLA ekvivalent K K K K K K 237V 546 K K K K 307V 556 K K K K K K K K K KD 137 D KD 138 D KD 139 D KD 140 D KD 366 MJ 4035 KD 367 MJ 4032 SU 160 U 208A D 137 D D 138 D eny sú uvádzané bez DPH. 13
14 TRANZISTORY TRANZISTORY NA OJDNÁVKU-VÝR Z PONUKY TYP 2 SA SA SA SA 1013-Y 2 SA 1015 GR 2 SA 1015 Y 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 1156 M 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 1220 A-R 2 SA SA SA SA 1235 A 2 SA SA SA SA SA SA SA SA 1264 (N) 2 SA 1265 (N) 2 SA SA SA 1275 R 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 1295 (TO220) 2 SA SA SA SA SA 1302 R 2 SA SA 1306 (Y) 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 1359 Y 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 1535 A 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 708 A 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 778 A 2 SA SA SA SA SA SA 817 A 2 SA 817 Y 2 SA SA SA SA SA SA SA SA 872 A 2 SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA SA 985 AP 2 SA SA SA SA SA S S S S S S S S S S S S S S S S S S 1071 A 2 S S S S S S S S S S S S S S 1132 SMD 2 S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S 1186 A 2 S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S 546 A 2 S S S 549 A 2 S S S S S S 564 A 2 S S S S S S S S S S S 631 K 2 S S S S S S S S S S 649 A 2 S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S 744 (A) 2 S S S S S S S S 772-P 2 S 774 R 2 S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S S 895 A 2 S S S S S S Rozšírený zoznam na eny sú uvádzané bez DPH.
Elektronika stručne. Vodiče Polovodiče Izolanty
Elektronika stručne Vodiče Polovodiče Izolanty Polovodiče sa líšia od kovových vodičov a izolantov najmä tým, že ich vodivosť sa mení rôznych fyzikálnych veličín, napr. zmenou teploty, svetla, tlaku a
HASLIM112V, HASLIM123V, HASLIM136V HASLIM112Z, HASLIM123Z, HASLIM136Z HASLIM112S, HASLIM123S, HASLIM136S
PROUKTOVÝ LIST HKL SLIM č. sklad. karty / obj. číslo: HSLIM112V, HSLIM123V, HSLIM136V HSLIM112Z, HSLIM123Z, HSLIM136Z HSLIM112S, HSLIM123S, HSLIM136S fakturačný názov výrobku: HKL SLIMv 1,2kW HKL SLIMv
ITU-R P ITU-R P (ITU-R 204/3 ( )
1 ITU-R P.530-1 ITU-R P.530-1 (ITU-R 04/3 ) (007-005-001-1999-1997-1995-1994-199-1990-1986-198-1978)... ( ( ( 1 1. 1 : - - ) - ( 1 ITU-R P.530-1..... 6.3. :. ITU-R P.45 -. ITU-R P.619 -. ) (ITU-R P.55
ITU-R P (2012/02) &' (
ITU-R P.530-4 (0/0) $ % " "#! &' ( P ITU-R P. 530-4 ii.. (IPR) (ITU-T/ITU-R/ISO/IEC).ITU-R http://www.itu.int/itu-r/go/patents/en. ITU-T/ITU-R/ISO/IEC (http://www.itu.int/publ/r-rec/en ) () ( ) BO BR BS
Transistor Products BC846WU NPN BCE BC847WU NPN
Transistor Products NPN Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta=25 O C) BC846WU NPN 80 65 100 225 110 800 2 5 0.25 10 00 BCE BC847WU NPN 50 45 100 225 110 800 2 5 0.25 10 00 BCE 0.2 MMBT2222AWU
Start. Vstup r. O = 2*π*r S = π*r*r. Vystup O, S. Stop. Start. Vstup P, C V = P*C*1,19. Vystup V. Stop
1) Vytvorte algoritmus (vývojový diagram) na výpočet obvodu kruhu. O=2xπxr ; S=πxrxr Vstup r O = 2*π*r S = π*r*r Vystup O, S 2) Vytvorte algoritmus (vývojový diagram) na výpočet celkovej ceny výrobku s
ΗΛΙΑΣΚΟΣ ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ. Θετικής - Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Φυσική Γ Λυκείου ΥΠΗΡΕΣΙΕΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΥΨΗΛΟΥ ΕΠΙΠΕΔΟΥ. Επιμέλεια: ΘΕΟΛΟΓΟΣ ΤΣΙΑΡΔΑΚΛΗΣ
ΗΛΙΑΣΚΟΣ ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΥΠΗΡΕΣΙΕΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΥΨΗΛΟΥ ΕΠΙΠΕΔΟΥ Θετικής - Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Φυσική Γ Λυκείου Επιμέλεια: ΘΕΟΛΟΓΟΣ ΤΣΙΑΡΔΑΚΛΗΣ e-mail: info@iliaskos.gr www.iliaskos.gr - f= f= f t+ 0 ) max
Odporníky. 1. Príklad1. TESLA TR
Odporníky Úloha cvičenia: 1.Zistite technické údaje odporníkov pomocou katalógov 2.Zistite menovitú hodnotu odporníkov označených farebným kódom Schématická značka: 1. Príklad1. TESLA TR 163 200 ±1% L
ο ο 3 α. 3"* > ω > d καΐ 'Ενορία όλις ή Χώρί ^ 3 < KN < ^ < 13 > ο_ Μ ^~~ > > > > > Ο to X Η > ο_ ο Ο,2 Σχέδι Γλεγμα Ο Σ Ο Ζ < o w *< Χ χ Χ Χ < < < Ο
18 ρ * -sf. NO 1 D... 1: - ( ΰ ΐ - ι- *- 2 - UN _ ί=. r t ' \0 y «. _,2. "* co Ι». =; F S " 5 D 0 g H ', ( co* 5. «ΰ ' δ". o θ * * "ΰ 2 Ι o * "- 1 W co o -o1= to»g ι. *ΰ * Ε fc ΰ Ι.. L j to. Ι Q_ " 'T
m r = F m r = F ( r) m r = F ( v) F = F (x) m dv dt = F (x) vdv = F (x)dx d dt = dx dv dt dx = v dv dx
m r = F m r = F ( r) m r = F ( v) x F = F (x) m dv dt = F (x) d dt = dx dv dt dx = v dv dx vdv = F (x)dx 2 mv2 x 2 mv2 0 = F (x )dx x 0 K = 2 mv2 W x0 x = x x 0 F (x)dx K K 0 = W x0 x x, x 2 x K 2 K =
The plastic material carries U/L recognition 94V-0. Operating and storage temperature: -65 C ~ +150 C. MINIATURE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER da 1 a 3A
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS Da a 3 ampere The plastic merial carries U/L recognition 94V-0. Opering and storage temperure: -65 C ~ +50 C DO-20 AD Maximum Peak reverse PRV Max Fwd Peak surge @8.3ms Superimposed
ss rt çã r s t Pr r Pós r çã ê t çã st t t ê s 1 t s r s r s r s r q s t r r t çã r str ê t çã r t r r r t r s
P P P P ss rt çã r s t Pr r Pós r çã ê t çã st t t ê s 1 t s r s r s r s r q s t r r t çã r str ê t çã r t r r r t r s r t r 3 2 r r r 3 t r ér t r s s r t s r s r s ér t r r t t q s t s sã s s s ér t
Matematika Funkcia viac premenných, Parciálne derivácie
Matematika 2-01 Funkcia viac premenných, Parciálne derivácie Euklidovská metrika na množine R n všetkých usporiadaných n-íc reálnych čísel je reálna funkcia ρ: R n R n R definovaná nasledovne: Ak X = x
iw For 12V/1A, 9V/1.2A, 5V/2A QC2.0 Design
iw1780-03 For 12V/1A, 9V/1.2A, 5V/2A QC2.0 Design General Design Specification: 1. AC Input Range 90-264V AC 2. DC Output 12V/1A, 9V/1.2A, 5V/2A 3. Meet 100mW@5V No-Load standby Power Consumption Requirement
NPN Silicon RF Transistor BFQ 74
NPN Silicon RF Transistor BFQ 74 For low-noise amplifiers in the GHz range, and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 1 ma to 25 ma. Hermetically
ELEKTRONICKÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY S VIAC AKO DVOMA PRIECHODMI PN - SPÍNACIE VÝKONOVÉ VIACVRSTVOVÉ PRVKY
ELEKTRONICKÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY S VIAC AKO DVOMA PRIECHODMI PN - SPÍNACIE VÝKONOVÉ VIACVRSTVOVÉ PRVKY Sú charakteristické dvoma stabilnými stavmi. Nevodivý stav je charakterizovaný vysokým odporom (otvorený
Metalizované rezistory axiálne s keramickým jadrom - precízne
Pasívne súèiastky Rezistory 2 Rezistorové siete 6 Odporové trimre 7 Potenciometre 9 Gombíky na potenciometre 12 Termistory 13 Varistory 14 Keramické kondenzátory 15 Fóliové kondenzátory 18 Tantalové kondenzátory
Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises
Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises Page 11 CHAPTER 1 V LSB 5.1V 10 bits 5.1V 104bits 5.00 mv V 5.1V MSB.560V 1100010001 9 + 8 + 4 + 0 785 10 V O 786 5.00mV or
TRANSISTOR. POWER TRANSISTOR Power MOSFET Trench MOSFET Power Transistor Switching Power Transistor General Purpose Power Transistor
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR General Purpose Bipolar Transistor High Voltage Switching Bipolar Transistor High Speed Switching Bipolar Transistor RF Transistor High Gain Bipolar Transistor Complex
Z O S I L Ň O V A Č FEARLESS SÉRIA D
FEARLESS SÉRIA D FEARLESS SÉRIA D Fearless 5000 D Fearless 2200 D Fearless 4000 D Fearless 1000 D FEARLESS SÉRIA D Vlastnosti: do 2 ohmov Class-D, vysoko výkonný digitálny kanálový subwoofer, 5 kanálový
MICROMASTER Vector MIDIMASTER Vector
s MICROMASTER Vector MIDIMASTER Vector... 2 1.... 4 2. -MICROMASTER VECTOR... 5 3. -MIDIMASTER VECTOR... 16 4.... 24 5.... 28 6.... 32 7.... 54 8.... 56 9.... 61 Siemens plc 1998 G85139-H1751-U553B 1.
Rating to Unit ma ma mw W C C. Unit Forward voltage Zener voltage. Condition
MA MA Series Silicon planer e For stabilization of power supply ø.56. Unit : mm Features Color indication of VZ rank classification High reliability because of combination of a planer chip and glass seal
5ppm/ SOT-23 AD5620/AD5640/AD5660. nanodac AD5660 16 AD5640 14 AD5620 12 12 1.25V/2.5V 5ppm/ 8 SOT-23/MSOP 480nA 5V 200nA 3V 3V/5V 16 DAC.
5ppm/ SOT-23 12/14/16nanoDAC AD562/AD564/AD566 nanodac AD566 16 AD564 14 AD562 12 12 1.25V/2.5V 5ppm/ 8SOT-23/MSOP 48nA 5V 2nA 3V 3V/5V 16 DAC 3 to SYNC 1. 1212/14/16nanoDAC 2. 1.25V/2.5V 5ppm/ 3. 8SOT-23
/&25*+* 24.&6,2(2**02)' 24
!! "#$ % (33 &' ())**,"-.&/(,01.2(*(33*( ( &,.*(33*( ( 2&/((,*(33*( 24 /&25** 24.&6,2(2**02)' 24 " 0 " ( 78,' 4 (33 72"08 " 2/((,02..2(& (902)' 4 #% 7' 2"8(7 39$:80(& 2/((,* (33; (* 3: &
Molekulare Ebene (biochemische Messungen) Zelluläre Ebene (Elektrophysiologie, Imaging-Verfahren) Netzwerk Ebene (Multielektrodensysteme) Areale (MRT, EEG...) Gene Neuronen Synaptische Kopplung kleine
GenX3 TM 300V IGBT IXGA42N30C3 IXGH42N30C3 IXGP42N30C3 V CES = 300V I C110. = 42A V CE(sat) 1.85V t fi typ. = 65ns
GenX3 TM V IGBT High Speed PT IGBTs for -1kHz switching IXGA42NC3 IXGH42NC3 IXGP42NC3 V CES = V 1 = 42A V CE(sat) 5V t fi typ = 65ns TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V CES = 25 C to
1 B0 C00. nly Difo. r II. on III t o. ly II II. Di XR. Di un 5.8. Di Dinly. Di F/ / Dint. mou. on.3 3 D. 3.5 ird Thi. oun F/2. s m F/3 /3.
. F/ /3 3. I F/ 7 7 0 0 Mo ode del 0 00 0 00 A 6 A C00 00 0 S 0 C 0 008 06 007 07 09 A 0 00 0 00 0 009 09 A 7 I 7 7 0 0 F/.. 6 6 8 8 0 00 0 F/3 /3. fo I t o nt un D ou s ds 3. ird F/ /3 Thi ur T ou 0 Fo
WinMate Communication Inc. 9F, No Hsing Teh Road, San-Chung, Taipei, Taiwan, R.O.C TEL: FAX:
www.winmate.com.tw WinMate Communication Inc. 9F, No. 111-6 Hsing Teh Road, San-Chung, Taipei, Taiwan, R.O.C TEL:886-2-6635-5758 FAX:886-2-6635-5859 MTBF Test Report Product Model Product cription Issue
Si Photo-transistor Chip TKA124PT
Si Photo-transistor ChipTKA124PT Ambient Light Sensor 1. Scope The specification applies to NPN silicon photo-transistor chips. TypeTKA124PT-L-8-N. (Ambient Light) 2. Structure NPN planar type. 3. Size
0CHIPSTAR MICROELECTRONICS 5.5W CS8571E CS8571E. Chipstar Micro-electronics. 470uF. 0.39uF 4 IN MODE: 0----AB CS8571 CS8571E FM AB D CS8571E
AB/D, 5.2W FM ABD 5.5W AERC( Adaptive Edge Rate Control), EMI,,FCC Part5 Class B2dB. PWM PCB, 9%,,, ESOP8,-4 85 ESOP8 IN.39uF 4 IN 6 PO at % THD+ N, VDD = 5V RL = 4 Ω 3.45W() RL = 2 Ω 5.2W() PO at % THD+
SAW FILTER - RF RF SAW FILTER
FEATURES - Frequencies from 0MHz to 700MHz - Custom specifications available - Industry standard package configurations - Low-loss saw component - Low amplitude ripple - RoHS compliance - Electrostatic
! : ;, - "9 <5 =*<
ITU-R M.473- (00/0)! (TDMA/FDMA) ""# $ %!& ' " ( ) 34 --./ 0, (MSS) * * )! +, 56 78 89 : ;, - "9
3. Striedavé prúdy. Sínusoida
. Striedavé prúdy VZNIK: Striedavý elektrický prúd prechádza obvodom, ktorý je pripojený na zdroj striedavého napätia. Striedavé napätie vyrába synchrónny generátor, kde na koncoch rotorového vinutia sa
HiPerFAST TM IGBT with Diode
HiPerFAST TM IGBT with Diode C2-Class High Speed IGBTs IXGK NC2D1 IXGX NC2D1 S = V 25 = 75 A (sat) = V t fi(typ) = 35 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings S = 25 C to 15 C V V CGR = 25 C to 15 C;
MZ0.5GF SERIES ZENER DIODE TECHHICAL SPECIFICATION FEATURES. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGE: (Ta=25 ) Parameter Symbols Limits Unit
MZ.GEV- THRU MZ.GEV-. MZ.GF SERIES MZ.GEV THRU MZ.GEV TECHHICAL SPECIFICATION FEATURES Silicon Planar Power Diodes Standard Voltage Tolerance is ±% DO- Glass Case High Reliability Weight: Approx..g DO-
CD-308MP/FM. Service Manual - CD-308MP/FM
CD-308MP/FM R Service Manual - CD-308MP/FM Bill of Materials NO ITEM CODE DESCRIPTION QTY SYMBOL 1 001-3300D-A90 P.C.B ISO BOARD 1 2 001-3912S-W00 P.C.B MAIN BOARD 1 3 002-01140-A09 I.C LA1140 IF SIP 1
d dx x 2 = 2x d dx x 3 = 3x 2 d dx x n = nx n 1
d dx x 2 = 2x d dx x 3 = 3x 2 d dx x n = nx n1 x dx = 1 2 b2 1 2 a2 a b b x 2 dx = 1 a 3 b3 1 3 a3 b x n dx = 1 a n +1 bn +1 1 n +1 an +1 d dx d dx f (x) = 0 f (ax) = a f (ax) lim d dx f (ax) = lim 0 =
Rozsah akreditácie 1/5. Príloha zo dňa k osvedčeniu o akreditácii č. K-003
Rozsah akreditácie 1/5 Názov akreditovaného subjektu: U. S. Steel Košice, s.r.o. Oddelenie Metrológia a, Vstupný areál U. S. Steel, 044 54 Košice Rozsah akreditácie Oddelenia Metrológia a : Laboratórium
F (x) = kx. F (x )dx. F = kx. U(x) = U(0) kx2
F (x) = kx x k F = F (x) U(0) U(x) = x F = kx 0 F (x )dx U(x) = U(0) + 1 2 kx2 x U(0) = 0 U(x) = 1 2 kx2 U(x) x 0 = 0 x 1 U(x) U(0) + U (0) x + 1 2 U (0) x 2 U (0) = 0 U(x) U(0) + 1 2 U (0) x 2 U(0) =
a; b 2 R; a < b; f : [a; b] R! R y 2 R: y : [a; b]! R; ( y (t) = f t; y(t) ; a t b; y(a) = y : f (t; y) 2 [a; b]r: f 2 C ([a; b]r): y 2 C [a; b]; y(a) = y ; f y ỹ ỹ y ; jy ỹ j ky ỹk [a; b]; f y; ( y (t)
M p f(p, q) = (p + q) O(1)
l k M = E, I S = {S,..., S t } E S i = p i {,..., t} S S q S Y E q X S X Y = X Y I X S X Y = X Y I S q S q q p+q p q S q p i O q S pq p i O S 2 p q q p+q p q p+q p fp, q AM S O fp, q p + q p p+q p AM
SMD AVR AVR-M AVRL. Variable resistor. 2 Zener diode (1/10) RoHS / / j9c11_avr.fm. RoHS EU Directive 2002/95/EC PBB PBDE
(1/1) SMD RoHS AVR AVR-M AVRL Variable resistor 2Zener diode Current(A) Positive direction 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 Zener diode /Vz:6.8V Chip varistor /V1mA:12V 2 Zener Diodes A capacitance content 18 14 1
REAL-TIME CLOCKS MIXED-SIGNAL DESIGN GUIDE. Data Sheets Applications Notes Free Samples. DS32kHz
REAL-TIME CLOCKS MIXED-SIGNAL DESIGN GUIDE Data Sheets Applications Notes Free Samples DS32kHz TCXO 32.768kHz Dallas Semiconductor RTC RTC IC X1 DS32kHz 32kHz 4 1 DS32kHz 1998 RTC (V) SRAM 32kHz DS1500
PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION NE699M FEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) HIGH ft: 6 GHz TYP at V, ma LOW NOISE FIGURE: NF =. db TYP
Prechod z 2D do 3D. Martin Florek 3. marca 2009
Počítačová grafika 2 Prechod z 2D do 3D Martin Florek florek@sccg.sk FMFI UK 3. marca 2009 Prechod z 2D do 3D Čo to znamená? Ako zobraziť? Súradnicové systémy Čo to znamená? Ako zobraziť? tretia súradnica
Parts Manual. Trio Mobile Surgery Platform. Model 1033
Trio Mobile Surgery Platform Model 1033 Parts Manual For parts or technical assistance: Pour pièces de service ou assistance technique : Für Teile oder technische Unterstützung Anruf: Voor delen of technische
Through-hole Type : Emitter
1 Infrared Component Through-hole Type : Emitter Package Wavelength (nm) Intensity@20mA (mw/sr) Typ. V F @20mA Viewing Angle ( ) Max. Rating (ma) FIR00X-D mm 74 36 1.7 3 70 HIR00W-D0 mm 80 38 1.4 30 0
Ανταλλακτικά για Laptop Toshiba
Ανταλλακτικά για Laptop Toshiba Ημερομηνία έκδοσης καταλόγου: 6/11/2011 Κωδικός Προϊόντος Είδος Ανταλλακτικού Μάρκα Μοντέλο F000000901 Inverter Satellite A10 Series, A10 PSA10L-033X4P F000000902 Inverter
COMPONENTS LIST BASE COMPONENTS
ITLIN TEHNOLOGY grifo PPENIX : R SSEMLY The GP F can be ordered in two different mode: completely mounted, tested and ready to use or in assembly kit. In this final condition the user can directly use
!!" #7 $39 %" (07) ..,..,.. $ 39. ) :. :, «(», «%», «%», «%» «%». & ,. ). & :..,. '.. ( () #*. );..,..'. + (# ).
1 00 3 !!" 344#7 $39 %" 6181001 63(07) & : ' ( () #* ); ' + (# ) $ 39 ) : : 00 %" 6181001 63(07)!!" 344#7 «(» «%» «%» «%» «%» & ) 4 )&-%/0 +- «)» * «1» «1» «)» ) «(» «%» «%» + ) 30 «%» «%» )1+ / + : +3
(... )..!, ".. (! ) # - $ % % $ & % 2007
(! ), "! ( ) # $ % & % $ % 007 500 ' 67905:5394!33 : (! ) $, -, * +,'; ), -, *! ' - " #!, $ & % $ ( % %): /!, " ; - : - +', 007 5 ISBN 978-5-7596-0766-3 % % - $, $ &- % $ % %, * $ % - % % # $ $,, % % #-
RSDW08 & RDDW08 series
/,, MODEL SELECTION TABLE INPUT ORDER NO. INPUT VOLTAGE (RANGE) NO LOAD INPUT CURRENT FULL LOAD VOLTAGE CURRENT EFFICIENCY (Typ.) CAPACITOR LOAD (MAX.) RSDW08F-03 344mA 3.3V 2000mA 80% 2000μF RSDW08F-05
m i N 1 F i = j i F ij + F x
N m i i = 1,..., N m i Fi x N 1 F ij, j = 1, 2,... i 1, i + 1,..., N m i F i = j i F ij + F x i mi Fi j Fj i mj O P i = F i = j i F ij + F x i, i = 1,..., N P = i F i = N F ij + i j i N i F x i, i = 1,...,
Dissertation for the degree philosophiae doctor (PhD) at the University of Bergen
Dissertation for the degree philosophiae doctor (PhD) at the University of Bergen Dissertation date: GF F GF F SLE GF F D Ĉ = C { } Ĉ \ D D D = {z : z < 1} f : D D D D = D D, D = D D f f : D D
7. Schematic Diagram. 7-1 Overall Block Diagram FRONT MAIN MAIN CD SMPS (MAX-A54U)...
7. Schematic Diagram 7- Overall Block Diagram... 7-7- FRONT... 7-7- MAIN-... 7-7- MAIN-... 7-5 7-5 CD... 7-7- SM (MAX-A5U)... 7-7 7-7 SM (MAX-A55U)... 7- Samsung Electronics This Document can not be used
HONDA. Έτος κατασκευής
Accord + Coupe IV 2.0 16V (CB3) F20A2-A3 81 110 01/90-09/93 0800-0175 11,00 2.0 16V (CB3) F20A6 66 90 01/90-09/93 0800-0175 11,00 2.0i 16V (CB3-CC9) F20A8 98 133 01/90-09/93 0802-9205M 237,40 2.0i 16V
NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
FEATURES NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = MHz TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE=.55 pf TYP
a; b 2 R; a < b; f : [a; b] R! R y 2 R: y : [a; b]! R; ( y (t) = f t; y(t) ; a t b; y(a) = y : f (t; y) 2 [a; b]r: f 2 C ([a; b]r): y 2 C [a; b]; y(a) = y ; f y ỹ ỹ y ; jy ỹ j ky ỹk [a; b]; f y; ( y (t)
Answers to practice exercises
Answers to practice exercises Chapter Exercise (Page 5). 9 kg 2. 479 mm. 66 4. 565 5. 225 6. 26 7. 07,70 8. 4 9. 487 0. 70872. $5, Exercise 2 (Page 6). (a) 468 (b) 868 2. (a) 827 (b) 458. (a) 86 kg (b)
rs r r â t át r st tíst Ó P ã t r r r â
rs r r â t át r st tíst P Ó P ã t r r r â ã t r r P Ó P r sã rs r s t à r çã rs r st tíst r q s t r r t çã r r st tíst r t r ú r s r ú r â rs r r â t át r çã rs r st tíst 1 r r 1 ss rt q çã st tr sã
SLOVENSKO maloobchodný cenník (bez DPH)
Hofatex UD strecha / stena - exteriér Podkrytinová izolácia vhodná aj na zaklopenie drevených rámových konštrukcií; pero a drážka EN 13171, EN 622 22 580 2500 1,45 5,7 100 145,00 3,19 829 hustota cca.
ρ ρ s ::= sd sd ::= K x sk xotse se sk ::= K (sk x) se ::= x K se se se x = se xotse se xotse se x sp se se l lo sp ::= x l K sp x(x ) l ::= char number lo ::= se (+ = = < > ) se se se ot ::= τ ɛ τ
Κεφάλαιο 2 Διαχείριση Σηµάτων σε Ψηφιακά Συστήµατα Ελέγχου
Κεφάλαιο 2 Διαχείριση Σηµάτων σε Ψηφιακά Συστήµατα Ελέγχου u Μετατροπή Αναλογικού Σήµατος σε Ψηφιακό (A/D Conversion) Ο µετασχηµατισµός Ζ u Μαθηµατική Ανάλυση της Διαδικασίας A/D Μετατροπή Ψηφιακού Σήµατος
... 5 A.. RS-232C ( ) RS-232C ( ) RS-232C-LK & RS-232C-MK RS-232C-JK & RS-232C-KK
RS-3C WIWM050 014.1.9 P1 :8... 1... 014.0.1 1 A... 014.0. 1... RS-3C()...01.08.03 A.. RS-3C()...01.08.03 3... RS-3C()... 003.11.5 4... RS-3C ()... 00.10.01 5... RS-3C().008.07.16 5 A.. RS-3C().0 1.08.
2013/2012. m' Z (C) : V= (E): (C) :3,24 m/s. (A) : T= (1-z).g. (D) :4,54 m/s
( ) 03/0 - o l P z o M l =.P S. ( ) m' Z l=m m=kg m =,5Kg g=0/kg : : : : Q. (A) : V= (B) : V= () : V= (D) : V= (): : V :Q. (A) :4m/s (B) :0,4 m/s () :5m/s (D) :0,5m/s (): : M T : Q.3 (A) : T=(-z).g (B)
Vypínaèe, prepínaèe, tlaèidlá
Vypínaèe, prepínaèe, tlaèidlá Vypínaèe kolískové 2 Vypínaèe tlaèidlové 4 Vypínaèe páèkové 4 Prepínaèe páèkové 5 Prepínaèe otoèné 5 Prepínaèe posuvné 6 Prepínaèe DIP 6 Prepínaèe kódovacie 6 Tlaèidlá a hmatníky
MZ0.5GN SERIES ZENER DIODE TECHHICAL SPECIFICATION FEATURES. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGE: (Ta=25 ) Parameter Symbols Limits Unit
MZ.GEV- THRU MZ.GEV-. MZ.GN SERIES MZ.GEV THRU MZ.GEV TECHHICAL SPECIFICATION FEATURES Silicon Planar Power Diodes The zener voltages are graded according to the International E standard smaller voltage
SMD Transient Voltage Suppressors
SMD Transient Suppressors Feature Full range from 0 to 22 series. form 4 to 60V RMS ; 5.5 to 85Vdc High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Fast response time
!"#! $%&'$% %(' ') '#*#(& ( #'##+,-'!$%(' & ('##$%(' &#' & ('##$%('. )!#)! ##%' " (&! #!$"/001
!"#! $%&'$% %(' ') '#*#(& ( #'##+,-'!$%(' & ('##$%(' &#' & ('##$%('. ') '#*#(& )!#)! ##%' " (&! #!$"/001 ')!' &'# 2' '#)!( 3(&/004&' 5#(& /006 # '#)! 7!+8 8 8 #'%# ( #'## +,-'!$%(' & ('##$%('9&#' & ('##$%('9')
Ax = b. 7x = 21. x = 21 7 = 3.
3 s st 3 r 3 t r 3 3 t s st t 3t s 3 3 r 3 3 st t t r 3 s t t r r r t st t rr 3t r t 3 3 rt3 3 t 3 3 r st 3 t 3 tr 3 r t3 t 3 s st t Ax = b. s t 3 t 3 3 r r t n r A tr 3 rr t 3 t n ts b 3 t t r r t x 3
ITU-R BT ITU-R BT ( ) ITU-T J.61 (
ITU-R BT.439- ITU-R BT.439- (26-2). ( ( ( ITU-T J.6 ( ITU-T J.6 ( ( 2 2 2 3 ITU-R BT.439-2 4 3 4 K : 5. ITU-R BT.24 :. ITU-T J.6. : T u ( ) () (S + L = M) :A :B :C : D :E :F :G :H :J :K :L :M :S :Tsy :Tlb
IXBH42N170 IXBT42N170
High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25
Ceramic PTC Thermistor Overload Protection
FEATURES compliant CPTD type are bare disc type CPTL type are leaded Low, medium and high voltage ratings Low resistance; Small size No need to reset supply after overload No noise generated Stable over
L A TEX 2ε. mathematica 5.2
Διδασκων: Τσαπογας Γεωργιος Διαφορικη Γεωμετρια Προχειρες Σημειωσεις Πανεπιστήμιο Αιγαίου, Τμήμα Μαθηματικών Σάμος Εαρινό Εξάμηνο 2005 στοιχεοθεσια : Ξενιτιδης Κλεανθης L A TEX 2ε σχεδια : Dia mathematica
O.172 ITU-T (SDH) ITU-T O.172 (2005/04)
O.172 ITU-T (2005/04) :O / (SDH) ITU-T O.172 O O.9 O.19 O.39 - - - - O.1 O.10 O.20 O.129 O.40 O.199 - O.130 O.209 O.200 - /. (SDH) ITU-T O.172 (SDH).(SDH).(PDH) (SDH). 2005 13 ITU-T O.172 (2008-2005) 4.ITU-T
r r t r r t t r t P s r t r P s r s r r rs tr t r r t s ss r P s s t r t t tr r r t t r t r r t t s r t rr t Ü rs t 3 r r r 3 rträ 3 röÿ r t
r t t r t ts r3 s r r t r r t t r t P s r t r P s r s r P s r 1 s r rs tr t r r t s ss r P s s t r t t tr r 2s s r t t r t r r t t s r t rr t Ü rs t 3 r t r 3 s3 Ü rs t 3 r r r 3 rträ 3 röÿ r t r r r rs
AT Surface Mount Package SOT-363 (SC-70) I I Y. Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B , 7:56 PM
AT-3263 Surface Mount Package SOT-363 (SC-7) I I Y Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B 2 Page 1 21.4., 7:6 PM Absolute Maximum Ratings [1] Absolute Thermal Resistance [2] : Symbol Parameter Units Maximum
"!$#&%('*),+.- /,0 +/.1),032 #4)5/ /.0 )80/ 9,: A B C <ED<8;=F >.<,G H I JD<8KA C B <=L&F8>.< >.: M <8G H I
"!$#&%('*),+.- /,0 +/.1),032 #4)5/.-076 4/.0 )80/ 9,: ;=@?4: A B C
NEC Silicon RFIC Amplifiers Low Power, Wideband & SiGe/SiGeC
NEC Silicon RFIC Amplifiers Low Power, Wideband & SiGe/SiGeC Low Power Amplifiers ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C) Range VCC ICC NF Gain RLIN RLOUT PdB ISOL @ 3dB (V) (ma) (dbm) Part down Package
u R Pasívne prvky R, L, C v obvode striedavého prúdu Činný odpor R Napätie zdroja sa rovná úbytku napätia na činnom odpore.
Pasívne prvky, L, C v obvode stredavého prúdu Čnný odpor u u prebeh prúdu a napäta fázorový dagram prúdu a napäta u u /2 /2 t Napäte zdroja sa rovná úbytku napäta na čnnom odpore. Prúd je vo fáze s napätím.
f RF f LO f RF ±f LO Ιδανικός μείκτης RF Είσοδος f RF f RF ± f LO IF Έξοδος f LO LO Είσοδος f RF f LO (ω RF t) (ω LO t) = 1 2 [(ω RF + ω LO )t + (ω RF ω LO )t] RF LO IF f RF ± f LO 0 180 +1 RF IF 1 LO
3 V, 900 MHz LOW NOISE SI MMIC AMPLIFIER
V, 9 MHz LOW NOISE SI MMIC AMPLIFIER UPC78T FEATURES.8 db NOISE FIGURE LOW VOLTAGE - LOW CURRENT: ma at V LOW POWER CONSUMPTION: 8 mw TYP SUPER SMALL PACKAGE TAPE AND REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE DESCRIPTION
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft of LOW VOLTAGE/LOW CURRENT OPERATION HIGH INSERTION POWER GAIN: SE = db @ V, 7 ma, GHz SE = db @ V, ma, GHz LOW NOISE:. db AT. GHz AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC
IXBK64N250 IXBX64N250
High Voltage, High Gain BiMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBK64N25 IXBX64N25 V CES = 25V 11 = 64A V CE(sat) 3.V TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V CES = 25 C to 15 C 25
PRIEMER DROTU d = 0,4-6,3 mm
PRUŽINY PRUŽINY SKRUTNÉ PRUŽINY VIAC AKO 200 RUHOV SKRUTNÝCH PRUŽÍN PRIEMER ROTU d = 0,4-6,3 mm èíslo 3.0 22.8.2008 8:28:57 22.8.2008 8:28:58 PRUŽINY SKRUTNÉ PRUŽINY TECHNICKÉ PARAMETRE h d L S Legenda
0.5W SMD Zener Diodes TLZJ2.0A TLZJ W SMD Zener Diodes. Features. MiniMelf. Mechanical Data
Features Planar Die Construction 0.5W Power Dissipation Zener Voltage: 2.0V to 56V Ideally Suited for Automated Assembly Processes RoHS Compliant MiniMelf Mechanical Data Case: Molded Glass MiniMelf Terminals:
Θερ ικοί Αισθητήρες. Α. Πετρόπουλος - Τεχνολογία των αισθητήρων. 2011. Θερμικοί αισθητήρες. 1. Αισθητήρας Μέτρησης Ροής
Θερ ικοί Αισθητήρες Α. Πετρόπουλος - Τεχνολογία των αισθητήρων. 011 Θερμικοί αισθητήρες 1. Αισθητήρας Μέτρησης Ροής Θερ ικοί Αισθητήρες Α. Πετρόπουλος - Τεχνολογία των αισθητήρων. 011 Συγκεντρωτικά Εφαρμογές
ITU-R M ITU-R M ITU-R 92/8 ( (2000) GMDSS 1 GMDSS .(IMO)
1 (2000) ITU-R M.1467-1 * ITU-R M.1467-1 NAVTEX A2 A2 (ITU-R 92/8 ) NAVTEX A2 ITU-R M.1467...A2 CMDSS 1974 (SOLAS) ( (GMDSS) 1999 GMDSS A2 ( ITU-R 92/8 (.A2 GMDSS GMDSS 1.1 A2.1.(IMO) * ITU-R M.1467-1
Q π (/) ^ ^ ^ Η φ. <f) c>o. ^ ο. ö ê ω Q. Ο. o 'c. _o _) o U 03. ,,, ω ^ ^ -g'^ ο 0) f ο. Ε. ιη ο Φ. ο 0) κ. ο 03.,Ο. g 2< οο"" ο φ.
II 4»» «i p û»7'' s V -Ζ G -7 y 1 X s? ' (/) Ζ L. - =! i- Ζ ) Η f) " i L. Û - 1 1 Ι û ( - " - ' t - ' t/î " ι-8. Ι -. : wî ' j 1 Τ J en " il-' - - ö ê., t= ' -; '9 ',,, ) Τ '.,/,. - ϊζ L - (- - s.1 ai
!"#!"!"# $ "# '()!* '+!*, -"*!" $ "#. /01 023 43 56789:3 4 ;8< = 7 >/? 44= 7 @ 90A 98BB8: ;4B0C BD :0 E D:84F3 B8: ;4BG H ;8
J! "#$ %"& ( ) ) ) " *+, -./0-, *- /! /!+12, ,. 6 /72-, 0,,3-8 / ',913-51:-*/;+ 5/<3/ +15;+ 5/<3=9 -!.1!-9 +17/> ) ) &
J! "#$ %"& J ' ( ) ) ) " *+, -./0-, L *- /! /!+12,3-4 % +15,. 6 /72-, 0,,3-8 / ',913-51:-*/;+ 5/01 ',913-51:--
Service Manual. Professional Sound Systems
Professional Sound Systems Titan 8ACTIVE Service Manual SPECIFICATION SPECIFICATION ASSEMBLYSKETCH SCHEMATIC DIAGRAM SCHEMATIC DIAGRAM SCHEMATIC DIAGRAM SCHEMATIC DIAGRAM SCHEMATIC DIAGRAM SCHEMATIC DIAGRAM
Modulárne stykače pre inštaláciu do domových spínacích skríň
Modulárne stykače pre inštaláciu do domových spínacích skríň Technické údaje Menovité napätie U n 230 V - 440 V Menovité izolačné napätie U i 440 V termo-elektrický prúd I th 20A, 25A, 40A, 63A Životnosť
5.6 Púzdra integrovaných obvodov :
5.6 Púzdra integrovaných obvodov : Najlacnejšie a najpoužívanejšie integrované obvody (IO - Integrovaný Obvod, IC - Integrated Circuits) sú dodávané v plastickom púzdre s vývodmi (pinmi) v dvoch radoch,
#%" )*& ##+," $ -,!./" %#/%0! %,!
-!"#$% -&!'"$ & #("$$, #%" )*& ##+," $ -,!./" %#/%0! %,! %!$"#" %!#0&!/" /+#0& 0.00.04. - 3 3,43 5 -, 4 $ $.. 04 ... 3. 6... 6.. #3 7 8... 6.. %9: 3 3 7....3. % 44 8... 6.4. 37; 3,, 443 8... 8.5. $; 3
Νόµοςπεριοδικότητας του Moseley:Η χηµική συµπεριφορά (οι ιδιότητες) των στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού.
Νόµοςπεριοδικότητας του Moseley:Η χηµική συµπεριφορά (οι ιδιότητες) των στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού. Περιοδικός πίνακας: α. Είναι µια ταξινόµηση των στοιχείων κατά αύξοντα
ITU-R P (2012/02)
ITU-R P.56- (0/0 P ITU-R P.56- ii.. (IPR (ITU-T/ITU-R/ISO/IEC.ITU-R ttp://www.itu.int/itu-r/go/patents/en. (ttp://www.itu.int/publ/r-rec/en ( ( BO BR BS BT F M P RA RS S SA SF SM SNG TF V 0.ITU-R ITU 0..(ITU
Magneti opis i namena Opis: Napon: Snaga: Cena:
Magneti opis i namena Opis: Napon: Snaga: Cena: Magnet fi 9x22x28x29,5 mm 12 V DC 9 Magnet fi 9x22x28x29,5 mm 24 V DC 9 Magnet fi 9x22x28x29,5 mm 24 V AC 9 Magnet fi 9x22x28x29,5 mm 110 V DC 15 Magnet
Meranie na jednofázovom transformátore
Fakulta elektrotechniky a informatiky TU v Košiciach Katedra elektrotechniky a mechatroniky Meranie na jednofázovom transformátore Návod na cvičenia z predmetu Elektrotechnika Meno a priezvisko :..........................
Motivácia Denícia determinantu Výpo et determinantov Determinant sú inu matíc Vyuºitie determinantov. Determinanty. 14. decembra 2010.
14. decembra 2010 Rie²enie sústav Plocha rovnobeºníka Objem rovnobeºnostena Rie²enie sústav Príklad a 11 x 1 + a 12 x 2 = c 1 a 21 x 1 + a 22 x 2 = c 2 Dostaneme: x 1 = c 1a 22 c 2 a 12 a 11 a 22 a 12