MAHLE Letrika d.o.o. Simulacije prevodnih emisij elektronskih naprav za avtomobilsko industrijo

Transcript

1 MAHLE Letrika d.o.o. Simulacije prevodnih emisij elektronskih naprav za avtomobilsko industrijo Gregor Ergaver, EMC specialist, MAHLE Letrika d.o.o., EMC laboratorij Ljubljana,

2 Vsebina Predstavitev podjetja MAHLE Letrika d.o.o. Pregled produktov Predstavitev EMC laboratorija podjetja MAHLE Letrika EMC simulacije, elektromagnetne prevodne emisije, modeli Model EMI sprejemnika Praktičen primer simulacija prevodnih emisij integriranega vezja 2

3 Letrika član skupine MAHLE Od 1. aprila 2015 naprej je Letrika nov član skupine MAHLE Kdo je MAHLE? MAHLE Group je vodilno podjetje v proizvodnji delov za motorje z notranjim izgorevanjem, filtracijo, elektroniki/mehatroniki in hlajenju, prezračevanju in klimatizaciji vozil. V letu 2016 je zaposloval delavcev na 170 proizvodnjih lokacijah in 15 večjih raziskovalno razvojnih centrih (6000 inženirjev) s prodajo 11,5 milijard eurov. 3

4 MAHLE Letrika, Šempeter pri Gorici (Slovenia) Pogonski sistemi R&D Center Zaganjalniki in alternatorji Pogonski sistemi Mehatronika Mehatronika Skladišče Komponente Proizvodnja opreme in orodij 4

5 Produkti Mehatronika Servo motorji (EPS, EHPS) Senzorji HVAC ventilatorji Električne vodne črpalke Aktuatorji za turbopolnilnike (VTG,EWG) Motorji (AC, BLDC), generatorji, elektronika Področja vgradnje: viličarji (pogonski motorji, servo motorji), pogoni za klima kompresorje,pogoni za lahka vozila Območje moči: 0,1-110 kw DC motorji Motorji za (hidravlične) črpalke, pogonski motorji, Področja vgradnje: industrijske, marinske in viličarske aplikacije Območje moči: 0,1-7,6 kw Zaganjalniki in alternatorji Področja vgradnje: kmetijska in gradbena mehanizacija, komercialna vozila Območje moči: 0,8-9 kw 5

6 Razvoj Pisarne razvoja: m² Laboratoriji: m² Prototipna delavnica: 500 m² Skupno število inženirjev: 133 6

7 Oprema za preizkušanje Okoljski preizkusi - Temperaturne komore, šok komore - Vlažne komore - Slana megla, prah in blato EMC preizkusi - Pol-neodbojna EMC soba - Zaslonjena EMC soba - Industrijsko in avtomobilsko testiranje Hrup, vibracije in vzdržljivost - Gluha komora - Stresalnik LDS V875 - Hitra kamera IDT Redlake 7

8 EMC laboratorij - EMC sobe: pol-neodbojna (zgrajena leta 2012), zaslonjena soba (zgrajena leta 2015) - Industrijsko, komercialno merjenje emisij in testiranje imunosti (EN X, EN12895, itd.) - EMC testiranja za avtomobilsko industrijo: (MB, VW, BMW, Renault, itd.) Meritve elektromagnetnih emisij: Prevodne napetost na LISN vezju [dbμv], Prevodne napetost na KSK [dbμv], Sevalne z antenami (palična, logaritemska, rog ) (9 khz - 6 GHz) [dbμv/m], Prevodne z RF tokovnimi kleščami (do 500 MHz) [dbμa], Prevodne napetostni prehodni pojavi pri vklopu ali izklopu produkta [V] Preizkušanje imunosti : Prevodna Injiciranje toka v ožičenje (BCI), RF injicirne tokovne klešče - do 500 W CW, 10 khz MHz [dbμa, ma], Sevalna z antenami (logaritemska, rog ) (ALSE), do 200 V/m, 200 MHz 8 GHz [V/m], Prehodni pojavi na napajanju (TSUP) [V], Prehodni pojavi na signalno/podatkovnem ožičenju (TOL) [V, A], Elektrostatične razelektritve (ESD) [V] Rokovanje do 30 kv, Med delovanjem do 30 kv, RC elementi [150pF ali 330 pf,330ω ali 2kΩ] 8

9 EMC laboratorij 9

10 Simulacije Zakaj simulirati? 10

11 EMC simulacije Zakaj simulirati? Klasično reševanje EMC problemov: Meritev v redu, ni v redu Če ni v redu: Nalaganje dodatnih komponent na vezje med EMC meritvami Redesign tiskanega vezja dolgotrajno Simulacije: EMC analiza samega koncepta brez realizacije cost/performance Hitri odgovori kaj bi se zgodilo, če se naredi to ali to ali ono Analiza, kaj povzroča težavo in kako jo elegantno rešiti. Optimizacija rešitve manjše število komponent -> nižja cena 11

12 EMC simulacije Enote veličin v EMC meritvah/simulacijah Napetost Tok Veličina Enota Formula dbμv dbμa U dbμv = 20log 10 I dbμa = 20log 10 Impedanca dbω Z dbω = 20log 10 Z Ω Moč Električna poljska jakost Magnetna poljska jakost dbm dbμv m dbμa m In podobne enote veličin Poleg tega še, frekvenca [Hz], čas [s], P dbm = 10log 10 E dbμv m = 20log 10 H dbμa m = 20log 10 U[V] 1μV I[A] 1μA P[W] 1mW E[V m] 1μ V m H[A m] 1μ A m 12

13 EMC simulacije Osnovni model/algoritem simulacije prevodnih emisij napetosti na LISN vezjih Model pasivnih gradnikov vezja Model nelinearnih gradnikov vezja D, T,... Model integriranih vezij Model ohišja Model tiskanega vezja Model merilne postavitve (LISN vezja, ozemljitve, merjenec itd.) Model obnašanja vezja - pamet Nastavitve simulatorja za dosego konvergence abstol, vntol, reltol, integracijska metoda... Simulacijski model rezultat napetosti na obeh LISN vezjih v časovnem prostoru/ frekvenčnem Model EMI sprejemnika Pasovne širine, čas merjenja, detektorji (PK,AV,QP) Primerjava simuliranih nivojev prevodnih emisij z limitami Limite nivojev prevodnih emisij 13

14 EMC simulacije Model merilne postavitve za merjenje elektromagnetnih prevodnih emisij elektronike za avtomobilsko industrijo - CISPR25 ali EN55025 Pogled s strani BAT + ožičenje LISN EUT 50 mm Pogled od zgoraj Vir napajanja DC filter 400 mm BAT + LISN LISN 50Ω EUT Zaključitev signalnega ožičenja 100 mm EMI sprejemnik 14

15 EMC simulacije 15

16 EMC simulacije Model merilne postavitve CISPR 25 LISN vezje 16

17 EMC simulacije Model merilne postavitve Nadomestno SPICE vezje 5 μh V bat + napajanje 1 μf 100 nf 50 Ω V bat + I 1 V 1 EUT I 2 V 2 50 Ω 1 μf 5 μh 100 nf V bat 0V 17

18 EMC simulacije Model merilne postavitve Sofazni, protifazni tokovi in napetosti V 1 = V DM + V CM V 2 = V CM V DM V CM = V 1 + V 2 2 V DM = V 1 V 2 2 I 1 = I DM + I CM1 I 2 = I CM2 I DM I CM = I 1 +I 2 I DM = I 1 I

19 EMC simulacije Osnovni model/postopek simulacije prevodnih emisij napetosti na LISN vezjih Model pasivnih gradnikov vezja Model nelinearnih gradnikov vezja D, T,... Model integriranih vezij Model ohišja Model tiskanega vezja Model merilne postavitve (LISN vezja, ozemljitve, merjenec itd.) Model obnašanja vezja - pamet Nastavitve simulatorja za dosego konvergence abstol, vntol, reltol, integracijska metoda... Simulacijski model rezultat napetosti na obeh LISN vezjih v časovnem prostoru/ frekvenčnem Model EMI sprejemnika Pasovne širine, čas merjenja, detektorji (PK,AV,QP) Primerjava simuliranih nivojev prevodnih emisij z limitami Limite nivojev prevodnih emisij 19

20 EMC simulacije Če simulacije poganjamo v časovnem prostoru, kako simulirane napetosti na LISN vezjih iz časovnega prostora pretvorimo v frekvenčni prostor? Model EMI sprejemnika izračuna frekvenčni spekter časovnega signala. Pri izračunu upošteva lastnosti EMI sprejemnika. 20

21 EMC simulacije EMI sprejemnik blokovna shema Vhodni filter Mešalnik Pasovno prepustno sito Detektor V RF prikaz Oscilator 21

22 EMC simulacije EMI sprejemnik čas meritve in pasovno prepustno sito CISPR25 Frekvenčni pas [MHz] Pasovno prepustno sito [khz] Čas meritve na posamezni frekvenci [ms] 0,

23 EMC simulacije Model EMI sprejemnika blokovna shema Časovna simulacija (SPICE) EMI sprejemnik f s x(t) x(t) STFT X(k,m) Detektorji X PK (f) X AV (f) t start t end t w(n) Gaussovo okno f bw f s 23

24 EMC simulacije Model EMI sprejemnika STFT izračun X k, m = 2 2Nwin Gc N win n=1 x n + (m 1)N win 1 O_proc 100 n k j2π w n e N win Popravek amplitude, ker EMI sprejemnik izmeri RMS vrednosti, FFT izračuna PK vrednosti Časovno zamaknjen vhodni signal x[n] Okno w[n] Konvolucija zamaknjenega signala z oknom V L-tem stolpcu pa frekvenčni spekter X k, L v celotnem frekvenčnem področju f f res, f s 2, f res = f s N win, pri času t stft = L 1 t med + N win 2f s. V K-ti vrstici polja se nahaja frekvenčni spekter X K, m pri frekvenci K f res in pri različnih časih t stft (časovni zamik med dvema oknoma). 24

25 EMC simulacije Model EMI sprejemnika STFT izračun X k, m = 2 2Nwin Gc N win n=1 x n + (m 1)N win 1 O_proc 100 n k j2π w n e N win pri čemer je Gc koherentno ojačenje zaradi uporabe okna: Gc = 1 Nwin N win n=1 w n Procent prekrivanja sosednjih oken vrednosti spremenljivke m so cela števila v območju: m ε 1, M, M = in vrednosti spremenljivke k cela števila v območju: N N win O_proc 100 N win N win O_proc 100 k ε 1, N win 2 25

26 EMC simulacije Model EMI sprejemnika izračun Gaussovega okna Impulzni odziv Gaussovega okna premaknjenega za polovico dolžine okna N win 2 w n = N win 1 2πf s sσ e (n N win 2 )2 2f s 2 σ 2 je: pri čemer je indeks n 1, N win Predpisana pasovna širina pasovno prepustnega sita fbw (-6 db) določa standardno deviacijo σ. σ = 2ln2 2π f bw 2 Predpisan frekvenčni korak preleta EMI sprejemnika f step določa frekvenčno ločljivost f res, ta pa definira dolžino okna N win N win = f s f step 26

27 EMC simulacije Model EMI sprejemnika izračun Gaussovega okna Predpisani frekvenčni koraki in zahtevano pasovno prepustno sito v standardu CISPR25 glede na frekvenčno področje Frekvenčni pas [MHz] f BW [khz] f step [khz] 0, ,

28 EMC simulacije Model EMI sprejemnika izračun Gaussovega okna Primerjava realiziranega Gaussovega pasovno propustnega sita pasovne širine 9 khz (-6dB) z zahtevami standarda CISPR

29 EMC simulacije Model EMI sprejemnika izračun Gaussovega okna Primerjava realiziranega Gaussovega pasovno propustnega sita pasovne širine 120 khz (-6dB) z zahtevami iz standarda CISPR

30 EMC simulacije Model EMI sprejemnika izračun Gaussovega okna Primerjava realiziranega Gaussovega pasovno propustnega sita pasovne širine 1 MHz (-6dB) z zahtevami iz standarda CISPR

31 EMC simulacije Model EMI sprejemnika prikaz izračuna m=1 t med STFT m=i m=m x(n) t start t stft (m=1) t stft (m=i) t end t stft t (m=m) FFT X(k,m=1) X(k,m=i) X(k,m=M) 31

32 EMC simulacije Model EMI sprejemnika prikaz izračuna 32

33 EMC simulacije Model EMI sprejemnika detektorji Izračun vršne vrednosti (peak) frekvenčnega spektra X PK k = max X k, m, m 1, M Izračun povprečne vrednosti (average) frekvenčnega spektra X AV k = M m=1 X k, m M 33

34 EMC simulacije 1. Primer spektra signala Pravokoten signal: Amplituda 50mVpp, frekvenca 5 khz, čas vzpona 10 ns, čas padanja 10 ns, obratovalni cikel (duty cycle) 5%. 34

35 EMC simulacije 1. Primer spektra signala Izračun spektra z modelom EMI sprejemnika in z uporabo FFT metode - apfft 35

36 EMC simulacije 2. Primer spektra signala Pravokoten signal: Amplituda 50mVpp, frekvenca 1 MHz, čas vzpona 10 ns, čas padanja 10 ns, obratovalni cikel (duty cycle) 10%. 36

37 EMC simulacije 2. Primer spektra signala Izračun spektra z modelom EMI sprejemnika in z uporabo FFT metode - apfft 37

38 EMC simulacije Če je pasovna širina pasovno propustnega sita EMI sprejemnika manjša od frekvence signala, potem je vršna vrednost in povprečna vrednost frekvenčnega spektra enaka. Spekter EMI sprejemnika je enak spektru izračunanem z FFT metodo. IFBW < f signala PK = AV = QP = abs FFT(X) Drugače, vršna vrednost ni enaka povprečni vrednosti frekvenčnega spektra. Spekter izračunan z FFT metodo ni primerljiv s spektrom izračunanim z modelom EMI sprejemnika 38

39 EMC simulacije Osnovni model/postopek simulacije prevodnih emisij napetosti na LISN vezjih Model pasivnih gradnikov vezja Model nelinearnih gradnikov vezja D, T,... Model integriranih vezij Model ohišja Model tiskanega vezja Model merilne postavitve (LISN vezja, ozemljitve, merjenec itd.) Model obnašanja vezja - pamet Nastavitve simulatorja za dosego konvergence abstol, vntol, reltol, integracijska metoda... Simulacijski model rezultat napetosti na obeh LISN vezjih v časovnem prostoru/ frekvenčnem Model EMI sprejemnika Pasovne širine, čas merjenja, detektorji (PK,AV,QP) Primerjava simuliranih nivojev prevodnih emisij z limitami Limite nivojev prevodnih emisij 39

40 EMC simulacije - integrirana vezja - Uvod Integrirana vezja so potrebna za izvedbo sodobnih, kompleksnih tiskanih vezij. Vedno več in več funkcij je vgrajenih v integrirano vezje imenovano sistem na čipu (SoC). Z uporabo takšnih integriranih vezij zmanjšamo število komponent, velikost tiskanega vezja in ceno elektronske naprave. Več funkcij in večje število tranzistorjev na integriranem vezju navadno vodi v večjo verjetnost za težave z elektromagnetno združljivostjo elektronske naprave. Vir: ELMOS SOC za motorno kontrolo 40

41 EMC simulacije - integrirana vezja - Evolucija Integrirano vezje je povezano na ohišje z bondi (bonded) ali krogljicami spajke (solder balls) QFP quad flat pack BGA ball gate array Vir: EMC IC Etienne Sicard 41

42 EMC simulacije - integrirana vezja - Evolucija Zlaganje integriranih vezij eno na drugo sistem v ohišju (System in Package SIP) EMC težave! Parazitni efekti zaradi bližine presluhi. Vir: EMC IC Etienne Sicard 42

43 EMC simulacije - integrirana vezja - Evolucija Frekvenčni spekter emisij integriranega vezja je sestavljen iz harmonskih komponent urinega signala. Frekvence urinih signalov so vedno višje. Posledično lahko emisije integriranega vezja motijo komunikacijske naprave (FM radio, GSM, GPS, bluetooth, LTE, itd). Čeprav je tip integriranega enak, se emisije (in tudi imunost) od proizvajalca do proizvajalca integriranega vezja razlikujejo. Vir: EMC IC Etienne Sicard 43

44 EMC simulacije - integrirana vezja - načrtovanje Algoritmi/metodologije za načrtovanje integriranega vezja za nizke emisije pred izdelavo. Zakaj? Izdelava ene verzije integriranega vezja stane lahko do 5M! In lahko zakasni masovno proizvodnjo/industrializacijo integriranega vezja do 12 mesecev. Vir: EMC IC Etienne Sicard 44

45 EMC simulacije - integrirana vezja Kaj lahko načrtovalec tiskanega vezja naredi? 1. Izbere integrirano vezje z najvišjo imunostjo in najnižjimi emisijami. 2. Definira optimalno filtriranje in blokiranje na tiskanem vezju v bližini integriranega vezja. 3. Optimizira postavitev gradnikov in povezav tiskanega vezja za dosego EMC zahtev na nivoju elektronske naprave. 4. Oceni vpliv redizajna (nove verzije) integriranega vezja, nove tehnologije integriranega vezja ali spremembe ohišja integriranega vezja na elektromagnetno združljivost elektronske naprave. 45

46 Merilne metode za karakterizacijo emisij integriranega vezja: standard IEC IEC IEC/TS IEC IEC IEC IEC Vir: EMC IC Ramdani IEC EMC simulacije - integrirana vezja IC-EMC standardizacija Opis Emisije Splošni pogoji merjenja in definicije Merjenje elektromagnetnih sevalnih emisij z uporabo TEM celice Merjenje elektromagnetnih sevalnih emisij nad celotno površino integriranega vezja (ang. surface scan) z uporabo magnetne sonde Merjenje protifaznih elektromagnetnih prevodnih emisij z uporabo 1/150 Ω metode Merjenje sofaznih elektromagnetnih prevodnih emisij z uporabo»workbench Faraday Cage«metode Merjenje elektromagnetnih sevalnih emisij v točki z uporabo magnetne sonde Mode Stirred Chamber Merjenje elektromagnetnih sevalnih emisij z uporabo trakaste linije (ang. stripline)

47 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Integrirano vezje emisije digitalnega dela CMOS IC: - Pomikalni register iz 500 D pomnilnih celic, načrtan v TSMC 0.25 μm CMOS BCD tehnologiji, - Sinteza: - Minimalna časovna zakasnitev med preklopi celic preklapljanje REF IC - Zamikanje urinega signala razporejanje preklopov celic SCT IC Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 47

48 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja REF IC SCT IC Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 48

49 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Meritev napajalnega priključka oscilatorja 50 Ω linija 6,8nF SMA2 masa na zgornjem sloju tiskanega vezja Priključek za spreminjanje napetosti v vhodni priključek integriranega vezja WE Ω R 5 51Ω C 8 R 4 100nF P2 2.5V SMA3 2.5V L 2 50 Ω linija 51 Ω masa na zgornjem sloju tiskanega vezja Reset vezje LDO 2.5V 2.5V 12V 1 2.5V Vin Vout 100nF C 2 2 On/Off C RESET 3 6 C 7 2,2μF 1kΩ R 1μF GND bypass 1 masa pod C 5 10nF čipom C 4 OSC Vcc ST GND CLK RF masa pod oscilatorjem 18 pf R 7 C Ω R 6 RESET Integrirano vezje p_reset p_clk p_in p_out Meritev izhodnega priključka integriranega vezja Priključek 12V napajanje iz laboratorijskega usmernika p_vddd5v p_vddd2v p_vssd5v p_vssd2v Linearni regulator za 2.5V izhodno napetost WE RF masa pod integriranim vezjem R 8 Meritev napajalnega priključka 2.5V integriranega vezja L 6,8nF 1 120Ω 50 Ω linija SMA1 C 1 R 100nF 3 C 3 51Ω R 2 masa na zgornjem sloju tiskanega vezja 120Ω Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 49

50 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 50

51 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Prevodne emisije integriranega vezja smo modelirali s tremi modeli: Model v časovnem prostoru z modelom integriranega vezja na tranzistorskem nivoju z RC paraziti Model v časovnem prostoru z ICEM-CE modelom integriranega vezja Model v frekvenčnem prostoru z ICEM-CE modelom integriranega vezja Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 51

52 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Model v časovnem prostoru z modelom integriranega vezja na tranzistorskem nivoju z RC paraziti Model integriranega vezje p_vddd5v p_vddd2v p_vssd5v p_vssd2v p_reset p_clk p_in p_out Model bondirnih žic bi_vddd5v bi_vddd2v bi_vssd5v bi_vssd2v bi_reset bi_clk bi_in bi_out bo_vddd5v bo_vddd2v bo_vssd5v bo_vssd2v bo_reset bo_clk Merilni del bo_in bo_out Model tiskanega vezja VDDD5V VDDD2V VSSD5V VSSD2V RESET CLK IN OUT Povezave na tiskanem vezju VF modeli pasivnih komponent C 1, C 2, C 3, C 4, C 6, C 8 in C 9 L 1 in L 2 R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7, R 8 Idealni neodvisni viri Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija V SMA1 V SMA3 V V R REC R REC Povezave na tiskanem vezju V CLK V LDO 52

53 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Model v časovnem prostoru z ICEM-CE modelom integriranega vezja ICEM-CE model REF SCT verzije integriranega vezja Model tiskanega Model bondirnih žic vezja R VDD R VDD p_vddd2v bi_vddd2v bo_vddd2v VDDD2V mω mω C 53,5 I xvdd 74 pf dig_ref dig_sct C 10,6 pf dig mω mω p_vssd2v bi_vssd2v bo_vssd2v VSSD2V R VSS R VSS R VDD5V R VDD5V p_vddd5v bi_vddd5v bo_vddd5v VDDD5V 17,5 pf 380mΩ C H R H C xvss 192 Ω 2 pf C per I per_sct per_ref p_out bi_out bo_out OUT 33 pf C L R L 322 Ω 8,75 pf 320mΩ p_vssd5v bi_vssd5v bo_vssd5v VSSD5V R VSS5V Merilni del Povezave na tiskanem vezju VF modeli pasivnih komponent C 1, C 2, C 3, C 4, C 6, C 8 in C 9 L 1 in L 2 R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7, R 8 V SMA1 V R REC Povezave na tiskanem vezju Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija V SMA3 V R REC 53

54 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Model v frekvenčnem prostoru z ICEM-CE modelom integriranega vezja Simulacijski model v frekvenčnem prostoru se od modela v časovnem prostoru razlikuje v tem, da so: o tokovni viri (I dig_ref, I dig_sct, I per ) opisani v frekvenčnem prostoru z Laplaceovim transformom. Z njim opišemo ovojnico preklopnega toka. o VF modeli pasivnih komponent zgrajeni iz RLC nadomestnih vezij (niso uporabljeni S- parametri). SPICE simulator (LTSpice), v katerem smo simulirali model v frekvenčnem prostoru, ne podpira modelov opisanih z S-parametri. Model simuliramo v frekvenčnem prostoru, posledično je čas izračuna hitrejši v primerjavi z modelom v časovnem prostoru. Rezultati pa so manj natančni. Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 54

55 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Simulacijski model integriranega vezja SPECTRE netlista z RC ekstraktom - Več kot vrstic netliste, Tip gradnika netliste število gradnikov bsim3v3_sr bsource_rg 21 capacitor_sr diode_sr 301 resistor_sr Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 55

56 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja 3D simulacijski model bondirnih žic integriranega vezja Rezultat simulacije: RLGC matrika bondirnih žic Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 56

57 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja 3D simulacijski model tiskanega vezja Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 57

58 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Potreben čas za simulacijo nivojev prevodnih emisij integriranega vezja posameznih modelov v simulatorju: model REF verzije integriranega vezja na tranzistorskem nivoju z RC paraziti v časovnem prostoru: 8 h in 55 min (1μs simulacijski čas). model SCT verzije integriranega vezja na tranzistorskem nivoju z RC paraziti v časovnem prostoru: 35 h 27 min (1 μs simulacijski čas). ICEM-CE model REF verzije integriranega vezja v časovnem prostoru: 11 min in 17 sec (5μs simulacijski čas). Enak čas je bil potreben za ICEM-CE model SCT verzije integriranega vezja. ICEM-CE model REF verzije integriranega vezja v frekvenčnem prostoru: 0,84 sec (frekvenčni prostor 8 MHz 3 GHz). Enak čas je bil potreben za ICEM-CE model SCT verzije integriranega vezja. Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 58

59 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Razlika v izmerjenih prevodnih emisijah med SCT in REF verzijo integriranega vezja Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 59

60 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Primerjava rezultatov simulacij z meritvami napajalni priključek integriranega vezja Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 60

61 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Primerjava rezultatov simulacij z meritvami napajalni priključek integriranega vezja Slaba točnost ICEM-CE modela Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 61

62 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Primerjava rezultatov simulacij z meritvami izhodni priključek integriranega vezja Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 62

63 EMC simulacije prevodne emisije integriranega vezja Primerjava rezultatov simulacij z meritvami izhodni priključek integriranega vezja Slaba točnost ICEM-CE modela Presluh oscilatorja Vir: Gregor Ergaver doktorska disertacija 63

64 EMC simulacije zaključek Prednosti: Ocena elektromagnetne združljivosti v času načrtovanja izdelka koncepta izdelka, Reševanje elektromagnetne združljivosti v dobi načrtovanja ali pa testiranja 64

65 Hvala za pozornost! Vprašanja? 65