ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4

Σχετικά έγγραφα
1. Φάσμα συχνοτήτων 2. Πεδίο μιγαδ

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Γ. Τσιατούχας. 1. Διαγράμματα Bode. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Φροντιστήρια ΙV

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΔΙΑΓΡΑΜΜΑΤΑ BODE ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΟ ΤΕΥΧΟΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΩΝ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Απόκριση συχνότητας ενισχυτή CE (I)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 8: Απόκριση κατά Συχνότητα των Ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

3 η ενότητα ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

Απόκριση Συχνότητας Γ. Τσιατούχας

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧ/ΚΩΝ & ΜΗΧ/ΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 20/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

Κεφάλαιο 4. Απόκριση συχνότητας


ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΠΟΚΡΙΣΕΙΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ. 10 f Να προσδιορίσετε τις συχνότητες, για τις οποίες το µέτρο της ενίσχυσης είναι 10dB κάτω από την µέγιστη τιµή της.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

Φίλτρα διέλευσης: (α) χαμηλών συχνοτήτων (β) υψηλών συχνοτήτων

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

104Θ Αναλογικά Ηλεκτρονικά 12: Φίλτρα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

Μεταβατική Ανάλυση - Φάσορες. Κατάστρωση διαφορικών εξισώσεων. Μεταβατική απόκριση. Γενικό μοντέλο. ,, ( ) είναι γνωστές ποσότητες (σταθερές)

Δυναμική Μηχανών I. Συνάρτηση Απόκρισης Συχνότητας

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Συνδυασμοί αντιστάσεων και πηγών

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

HMY 102 Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

( ) ( s) Συντονισµός Συντονισµός στο κύκλωµα RLC σειράς. Η αντίσταση εισόδου του κυκλώµατος είναι

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

ΕΝΟΤΗΤΑ 12: ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑΤΑ BODE

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

6. Τελεστικοί ενισχυτές

1. Φάσμα συχνοτήτων 2. Πεδίο μιγαδ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

ΚΥΡΙΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ

ΦΙΛΤΡΑ ΜΕ ΠΑΘΗΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

3. ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΚΑΤΑ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑ

Το διπολικό τρανζίστορ

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

Προτεινόμενες Ασκήσεις στις Εξαρτημένες Πηγές και στους Τελεστικούς Ενισχυτές

Παραρτήματα. Παράρτημα 1 ο : Μιγαδικοί Αριθμοί

ΧΡΟΝΙΚΗ ΚΑΙ ΑΡΜΟΝΙΚΗ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧ/ΚΩΝ & ΜΗΧ/ΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη

0 f(t)e st dt. L[f(t)] = F (s) =

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ 2. ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Απόκριση Συχνότητας»

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 18/09/2013

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT

Κεφάλαιο 26 DC Circuits-Συνεχή Ρεύματα. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής

Transcript:

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4

Το βασικό μοντέλο ενισχυτή Χαρακτηριστικά Ενίσχυση σημάτων μηδενικής (σχεδόν) τάσης Τροφοδοσία από μια ή περισσότερες DC πηγές Απαιτεί κατάλληλο DC biasing γιαναλειτουργήσει Ενισχύει μικρό αυξητικό σήμα εισόδου και παράγει ένα μεγενθυμένο σήμα εξόδου με κάποιο κέρδος 2

Παράδειγμα 1 DC ρεύμα (τάση) πόλωσης Μικρό σήμα εισόδου DC bias voltage V bias θέτει το DC σημείο λειτουργίας Το μικρό σήμα εισόδου ενισχύεται A v v kvinr v out L u = = = in in kr 3

DC blocking Η τιμή του σήματος εισόδου μπορεί να μην είναι η επιθυμητή για τον ενισχυτή. Οστόχοςείναιναθέσουμετο DC σημείο λειτουργίας ανεξαρτήτως του ενισχυτή. Χρήση πυκνωτών σύζευξης για να απομονώσουμε το DC μέρος των σημάτων εισόδου/εξόδου Τα σημεία λειτουργίας ε/ε θέτονται από τον ενισχυτή. Επηρεάζει τη συμπεριφορά κέρδους ενισχυτή σε σχέση με τη συχνότητα (θα το δούμε αργότερα). 4

Παράδειγμα 2 Single-stage ενισχυτής (με αντίσταση) Ο C μπλοκάρει το DC μέρος της v in To DC σημείο λειτουργίας ορίζεται από τις αντιστάσεις R 1,R 2 (διαιρετής αντίστασης) Ισοδύναμο μικρού σήματος για μεσαίες συχνότητες Ο C είναι βραχυκύκλωμα Μοντελοποίηση του MOSFET σαν πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση 5

Στοιχεία κέρδους Έννοιες σχετικές με κέρδος Τάση, Ρεύμα, transconductanse, transimpedance Εστιάζουμε σε κέρδος τάσης Χαρακτηριστικά Ο ιδανικός ενισχυτής τάσης έχει άπειρη αντίσταση εισόδου και μηδενική αντίσταση εξόδου. Οι coupling πυκνωτές απομονώνουν τις DC τάσεις των εισόδων/εξόδων αλλά προκαλεί πεπερασμένο ρυθμό πτώσης του κέρδους χαμηλής συχνότητας (lowfrequency gain rolloff). Οι παρασιτικές χωρητικότητες (στην κυκλωματική διάταξη του ενισχυτή) προκαλούν πτώση του κέρδους τάσης υψηλής συχνότητας (high-frequency gain rolloff). 6

Ιδανικός ενισχυτής τάσης Το μοντέλο ενισχυτή πηγής ρεύματος ελεγχόμενη από τάση (VCVS) Το VCVS έχει άπειρη αντίσταση εισόδου και μηδενική αντίσταση εξόδου Το κέρδος είναι : v v out A = = in v v cd ab 7

Μη-ιδανικός ενισχυτής τάσης Χρήση του VCVS μοντέλου αλλά με αντιστάσεις και πυκνωτές για τις μη-ιδανικότητες. Πεπερασμένη αντίσταση εισόδου (C in, R in ) Πεπερασμένη αντίσταση εξόδου (C out, R out ) Οι coupling πυκνωτές (C c1, C c2 ) είναι μεγάλοι (μf), ενώ οι παρασιτικοί πυκνωτές (C in, C out ) είναι μικροί (pf) Αυτό μας επιτρέπει να χρησιμοποιούμε απλούστερα μοντέλα βασιζόμενοι στην συχνότητα των σημάτων 8

Μοντέλο μεσαίων συχνοτήτων Για μεσαίες συχνότητες έχω Συνεζευγμένοι πυκνωτές (C c1, C c2 ) βραχυκύκλωμα Παρασιτικοί πυκνωτές (C in, C out ) ανοιχτοκύκλωμα Οι παρασιτικές αντιστάσεις επηρεάζουν το κέρδος A = v out = A MB v in Rin + Rs Rout + RL Συνήθως, R in >>R s & R out <<R L R in R L 9

Μοντέλο χαμηλών συχνοτήτων Στις χαμηλές συχνότητες μπορώ να αγνοήσω τους παρασιτικούς πυκνωτές αλλά όχι τους coupling Οι συνεζευγμένες χωρητικότητες επηρεάζουν το κέρδος 10

Μοντέλο υψηλών συχνοτήτων Στις υψηλές συχνότητες δεν μπορώ να αγνοήσω τους παρασιτικούς πυκνωτές ενώ οι πυκνωτές σύζευξης είναι βραχυκυκλώματα Πως επηρεάζεται το κέρδος; 11

Πόλοι και μηδενικά H ( s) Η γενική μορφή της απόκριση συχνότητας H(s) είναι: = N D ( s) ( s) = k ( s + z ( s + p 1 1 )( s + z )( s + p 2 2 ) L( s + zn) ) L( s + p ) Οι λύσεις του παρονομαστή είναι οι πόλοι ενώ του αριθμητή είναι τα μηδενικά Οι πόλοι και τα μηδενικά έχουν φανταστικό και πραγματικό μέρος. Στο διπλανό σχήμα ο άξονας X απεικονίζει το πραγματικό μέρος και ο Y το φανταστικό n 12

Διαγράμματα Bode (1/2) Τα διαγράμματα Bode είναι μια τεχνική σχεδίασης τα οποία μας δίνουν μια ιδέα για την συμπεριφορά της απόκρισης συχνότητας ενός συστήματος Για τη σχεδίαση τους χρησιμοποιούμε εργαλεία CAD όπως το MATLAB. Σχεδιάζοντας στο χέρι πολλές φορές έχουμε χρήσιμα συμπεράσματα Έστω ότι έχουμε πραγματικούς πρώτης τάξης πόλους και μηδενικά Αντικαθιστώντας το s με jω Χρειαζόμαστε το μέτρο Η(jω) και τη φάση θ(jω) της απόκρισης συχνότητας 13

Διαγράμματα Bode (2/2) Πρώτα αναδιατάσσουμε την εξίσωση Μετά λύνουμε ως προς Η(jω) και θ(jω) Ητιμή-90 0 προέρχεται από τον πόλο στη συχνότητα ω=0 14

Διαγράμματα πλάτους (1/4) Τα διαγράμματα πλάτους αφορούν πολλαπλασιασμούς και διαιρέσεις όρων μετράμε σε db (λογαριθμική κλίμακα) Το κέρδος της Η(jω) σε db είναι Για το συγκεκριμένο παράδειγμα Προτιμούμε να σχεδιάζουμε πόλους και μηδενικά ξεχωριστά και στη συνέχεια τα τοποθετούμε στο ίδιο διάγραμμα. Σχεδιάζουμε τα διαγράμματα με προσεγγιστικές ευθείες ως εξής: Κάθε πόλος προκαλεί κλίση -20dB/dec (-6dB/oct) Κάθε μηδενικό προκαλεί κλίση +20dB/dec (6dB/oct) 15

Διαγράμματα πλάτους (2/4) 1. 20log 10 Κ ευθεία γραμμή εφόσον δεν έχουμε εξάρτηση από ω 2. Για το μηδενικό z 1 το διάγραμμα αυξάνεται κατά 20dB/dec 16

Διαγράμματα πλάτους (3/4) 3. -20log 10 (ω) ευθεία γραμμή με κλίση -20dB/dec και τέμνει τα 0dB για ω=1 4. Για τον πόλο ευθεία γραμμή μέχρι p 1 και μετά κλίση -20dB 17

Συνολικά Διαγράμματα πλάτους (4/4) (Ο πολλαπλασιασμός είναι πρόσθεση σε db) 18

Διαγράμματα φάσης (1/2) Και εδώ χρησιμοποιώ προσεγγιστικές ευθείες Μερικοί κανόνες Η φάση για σταθερές είναι 0 Η φάση για πόλους ή μηδενικά στην αρχή (ω=0) είναι +/-90 βαθμούς Η φάση για πρώτης τάξης πόλους ή μηδενικά όχι στην αρχή είναι για ω<ω corner 0 για ω>10ω corner +/-90 βαθμούς για ω=ω corner +/-45 βαθμούς (-για πόλους και + για μηδενικά) 19

Συνολικά Διαγράμματα φάσης (2/2) 20

Διαγράμματα bode μιγαδικοί πόλοι και μηδενικά Η σχεδίασή τους είναι πιο δύσκολη μπορούμε πάλι να δουλέψουμε προσεγγιστικά. ζ<1 οι ρίζες είναι μιγαδικές. ζ>=1 (s+p 1 )(s+p 2 ) (κατά τα γνωστά ) Οι μιγαδικοί πόλοι και μηδενικά είναι σε ζεύγη οπότε έχω: +/- 40dB/dec αλλαγή στην κλίση των διαγραμμάτων πλάτους +/- 180 βαθμούςαλλαγέςστηφάση Επίσης 21

Μιγαδικοί πόλοι (πλάτος) Εξάρτηση από το ζ (damping coefficient) 22

Μιγαδικοί πόλοι (φάση) Εξάρτηση από το ζ (damping coefficient) 23

Διαγράμματα bode - συνοπτικά Για συνάρτηση μεταφοράς της μορφής κλάσματος γινομένου παραγόντων (s+a) Οι όροι του αριθμητή είναι τα μηδενικά Κλίση 20dB/dec ξεκινώντας από τη γωνιακή συχνότητα του μηδενικού 90 βαθμούς ολίσθηση φάσης μετά τη γωνιακή συχνότητα του μηδενικού Οι όροι του παρονομαστή είναι οι πόλοι Κλίση -20dB/dec ξεκινώντας από τη γωνιακή συχνότητα του πόλου 90 βαθμούς ολίσθηση φάσης μετά τη γωνιακή συχνότητα του μηδενικού Τα διαγράμματα bode αποδίδουν καλύτερα για αποστάσεις μεταξύ πόλων και μηδενικών μεγαλύτερες από 10x 24

Παράδειγμα 3 Απόκριση Χαμηλής Συχνότητας Οι πυκνωτές σύζευξης επηρεάζουν την απόκριση χαμηλής συχνότητας (Η ω p καθορίζει την χαμηλότερη συχνότητα αποκοπής) 25

Παράδειγμα 4 Απόκριση Υψηλής Συχνότητας (1/2) Λαμβάνουμε υπόψη την C in (αγνοούμε την C out ) Το κύκλωμα έχει απόκριση μοναδικού πόλου και το 3dB bandwidth είναι στην ω p =0 26

Παράδειγμα 4 Απόκριση Υψηλής Συχνότητας (2/2) Αν λάβουμε υπόψη και την C out το κέρδος είναι Αν ωp1<<ωp2, o ωp2 καθορίζει τα 3dB bandwidth Αν ωp2<<ωp1, o ωp1 καθορίζει τα 3dB bandwidth Αν ωp1=ωp2, η ωp είναι 6dB σημείο με διπλούς πόλους 27

Το φαινόμενο Miller Μια εμπέδηση η οποία γεφυρώνει τους κόμβους της εισόδου και της εξόδου ενός ανάστροφου ενισχυτή μπορεί να επηρεάσει σε μεγάλο βαθμό την αντίσταση εισόδου ενός ενισχυτή 28

Το ισοδύναμο Miller (1/2) Για απλοποίηση μπορούμε να χρησιμοποιήσουμε το ανάλογο ισοδύναμο 29

Το ισοδύναμο Miller (2/2) Ισοδύναμο κύκλωμα 30

Ενισχυτές πολλών σταδίων υ υ out = in υ1 υ in υ2 υ3 υout υ υ υ 1 2 3 = R g Rin 1 + R in1 R A1 Rin2 + R out1 in2 R A2 Rin 3 + R out2 in3 R A3 RL + R out3 L 31

Η διάλεξη αυτή έγινε στο πλαίσιο του ΕΠΕΑΚ ΙΙ για το μάθημα Αναλογικά Ηλεκτρονικά 32