MOSFET tööpõhimõte. MOS diood. Tsoonipilt. MOS diood Tüüpiline metall-oksiid-pooljuht (MOS) diood omab sellist struktuuri

Σχετικά έγγραφα
ibemo Kazakhstan Republic of Kazakhstan, West Kazakhstan Oblast, Aksai, Pramzone, BKKS office complex Phone: ; Fax:

ΔΗΜΟΤΙΚΕΣ ΕΚΛΟΓΕΣ 18/5/2014 ΑΚΥΡΑ

rs r r â t át r st tíst Ó P ã t r r r â

Θεωρία Τρανζίστορ MOS

HONDA. Έτος κατασκευής

Π Ο Λ Ι Τ Ι Κ Α Κ Α Ι Σ Τ Ρ Α Τ Ι Ω Τ Ι Κ Α Γ Ε Γ Ο Ν Ο Τ Α

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

M p f(p, q) = (p + q) O(1)

! "# $ % $&'& () *+ (,-. / 0 1(,21(,*) (3 4 5 "$ 6, ::: ;"<$& = = 7 + > + 5 $?"# 46(A *( / A 6 ( 1,*1 B"',CD77E *+ *),*,*) F? $G'& 0/ (,.

FORD KA KA_202054_V2_2013_Cover.indd /06/ :51

!"#$ "%&$ ##%&%'()) *..$ /. 0-1$ )$.'-

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Physique des réacteurs à eau lourde ou légère en cycle thorium : étude par simulation des performances de conversion et de sûreté

ΑΡΑΠΟΓΛΟΥ ΔΗΜΗΤΡΑ του Διαμαντή

Φυσικό βερνίκι για καινούργιες και παλιές επιφάνειες, µε καλή διείσδυση.

P r s r r t. tr t. r P

Metalli-pooljuhi kontakt (Schottky barjäär) Metalli-pooljuhi kontakt (Schottky barjäär) Metalli-pooljuhi kontakt (Schottky barjäär)

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Α Ρ Ι Θ Μ Ο Σ : 6.913

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Κυκλώματα 2

2. Α ν ά λ υ σ η Π ε ρ ι ο χ ή ς. 3. Α π α ι τ ή σ ε ι ς Ε ρ γ ο δ ό τ η. 4. Τ υ π ο λ ο γ ί α κ τ ι ρ ί ω ν. 5. Π ρ ό τ α σ η. 6.

ENERGIA - POTENZA - CORRELAZIONE

الهندسة ( )( ) مذكرة رقم 14 :ملخص لدرس:الجداءالسلمي مع تمارين وأمثلةمحلولة اھافواراتاة ارس : ( ) ( ) I. #"ر! :#"! 1 :ااءا&%$: v

ο ο 3 α. 3"* > ω > d καΐ 'Ενορία όλις ή Χώρί ^ 3 < KN < ^ < 13 > ο_ Μ ^~~ > > > > > Ο to X Η > ο_ ο Ο,2 Σχέδι Γλεγμα Ο Σ Ο Ζ < o w *< Χ χ Χ Χ < < < Ο

(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)

Finite Integrals Pertaining To a Product of Special Functions By V.B.L. Chaurasia, Yudhveer Singh University of Rajasthan, Jaipur

Erkki Mäkinen ja Timo Poranen Algoritmit

%78 (!*+$&%,+$&*+$&%,-. /0$12*343556

9. AM ja FM detektorid

Α Δ Ι. Παρασκευή 15 Νοεμβρίου Ασκηση 1. Να ευρεθεί η τάξη τού στοιχείου a τής ομάδας (G, ), όπου. (4) a = ( 1 + i 3)/2, (G, ) = (C, ),

r t t r t t à ré ér t é r t st é é t r s s2stè s t rs ts t s

Q π (/) ^ ^ ^ Η φ. <f) c>o. ^ ο. ö ê ω Q. Ο. o 'c. _o _) o U 03. ,,, ω ^ ^ -g'^ ο 0) f ο. Ε. ιη ο Φ. ο 0) κ. ο 03.,Ο. g 2< οο"" ο φ.

E.E. Παρ. Ill (I) 429 Κ.Δ.Π. 150/83 Αρ. 1871,


())*+,-./0-1+*)*2, *67()(,01-+4(-8 9 0:,*2./0 30 ;+-7 3* *),+*< 7+)0 3* (=24(-) 04(-() 18(4-3-) 3-2(>*+)(3-3*

Formulas of Agrawal s Fiber-Optic Communication Systems. Section 2-1 (Geometrical Optics Description) NA n 2 ; n n. NA( )=n1 a

P P Ó P. r r t r r r s 1. r r ó t t ó rr r rr r rí st s t s. Pr s t P r s rr. r t r s s s é 3 ñ

A 1 A 2 A 3 B 1 B 2 B 3

NEW COLLECTION ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΌΣ ΚΑΤΆΛΟΓΟΣ ΟΙΚΙΑΚΟΣ & ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΟΣ ΦΩΤΙΣΜΟΣ ΕΣΩΤΕΡΙΚΩΝ & ΕΞΩΤΕΡΙΚΩΝ ΧΩΡΩΝ ΕΙΔΙΚΕΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΕΣ - ARTISTIC LIGHTS

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.

Jeux d inondation dans les graphes

i Το τρανζίστορ αυτό είναι τύπου NMOS. Υπάρχει και το συμπληρωματικό PMOS. ; Τι συμβαίνει στο τρανζίστορ PMOS; Το τρανζίστορ MOS(FET)

MATEMAATIKA TÄIENDUSÕPE MÕISTED, VALEMID, NÄITED LEA PALLAS XII OSA

Sarò signor io sol. α α. œ œ. œ œ œ œ µ œ œ. > Bass 2. Domenico Micheli. Canzon, ottava stanza. Soprano 1. Soprano 2. Alto 1

,, #,#, %&'(($#(#)&*"& 3,,#!4!4! +&'(#,-$#,./$012 5 # # %, )

(α) Στη στήλη «Θέσεις 1993» ο αριθμός «36» αντικαθίσταται. (β) Στη στήλη των επεξηγήσεων αναγράφεται η ακόλουθη

( )( ) ( )( ) 2. Chapter 3 Exercise Solutions EX3.1. Transistor biased in the saturation region

Assessment of otoacoustic emission probe fit at the workfloor

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VLSI T echnol ogy ogy and Computer A r A chitecture Lab Γ Τσ ιατ α ο τ ύχ ύ α χ ς ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Japanese Fuzzy String Matching in Cooking Recipes

MÉTHODES ET EXERCICES

Modèles de représentation multi-résolution pour le rendu photo-réaliste de matériaux complexes

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

Formulas of Agrawal s Fiber-Optic Communication Systems NA n 2 ; n n. NA( )=n1 a

İ Organized Input. The maximum material thickness for the perforation process is 10mm from 0,30mm. (2000X4000mm)

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Vers un assistant à la preuve en langue naturelle

ΓΗ ΚΑΙ ΣΥΜΠΑΝ. Εικόνα 1. Φωτογραφία του γαλαξία μας (από αρχείο της NASA)

P μ,. Œμ α 1,. ²μ ± 1,.. ϱ Î, Ÿ. Ê Í± 2 Œˆ ˆ Œ Š Ÿ Š Ÿ ˆ ˆŒ ˆˆ. ² μ Ê ² μ Ò É Ì ± Ô± ³ É

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

ΦΑΚΕΛΟΣ ΠΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗΣ ΠΙΝΑΚΑ ΑΝΕΛΚΥΣΤΗΡΑ ISL_V4

Õige vastus annab 1 punkti, kokku 2 punkti (punktikast 1). Kui õpilane märgib rohkem kui ühe vastuse, loetakse kogu vastus valeks.

Αλγεβρικες οµες Ι Ασκησεις - Φυλλαδιο 5

!"#$ % &# &%#'()(! $ * +

m i N 1 F i = j i F ij + F x

Lokaalsed ekstreemumid

Ε Π Ι Μ Ε Λ Η Τ Η Ρ Ι Ο Κ Υ Κ Λ Α Δ Ω Ν

Buz Buz Buz. Buz Buz Buz Buz

CTL - Λογική Δένδρου Υπολογισμού (ΗR Κεφάλαιο 3.4)

Χαρακτηρισµός Κυκλώµατος και Εκτίµηση Απόδοσης 2. Χαρακτηρισµός Κυκλώµατος

Πυκνότητα φορέων σε ημιαγωγούς με προσμείξεις. Σε ημιαγωγό με προσμείξεις τύπου n τα ηλεκτρόνια στην ΤΑ

Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises

ss rt çã r s t Pr r Pós r çã ê t çã st t t ê s 1 t s r s r s r s r q s t r r t çã r str ê t çã r t r r r t r s

Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων

Kompleksarvu algebraline kuju

Ψηφιακή Λογική και Σχεδίαση

met la disposition du public, via de la documentation technique dont les rιfιrences, marques et logos, sont

Radio détection des rayons cosmiques d ultra-haute énergie : mise en oeuvre et analyse des données d un réseau de stations autonomes.


Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

ΚΑΝΟΝΙΣΜΟΣ (ΕΕ) 2019/1150 ΤΟΥ ΕΥΡΩΠΑΪΚΟΥ ΚΟΙΝΟΒΟΥΛΙΟΥ ΚΑΙ ΤΟΥ ΣΥΜΒΟΥΛΙΟΥ

MATEMAATIKA TÄIENDUSÕPE MÕISTED, VALEMID, NÄITED, ÜLESANDED LEA PALLAS VII OSA

Η ΣΕΙΡΑ FOURIER ΚΑΙ Ο ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΣ FOURIER ΑΝΑΛΥΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΩΣ ΠΡΟΣ ΗΜΙΤΟΝΙΚΕΣ ΣΥΝΙΣΤΩΣΕΣ. xt A t A t A t t

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

!#$%!& '($) *#+,),# - '($) # -.!, '$%!%#$($) # - '& %#$/0#!#%! % '$%!%#$/0#!#%! % '#%3$-0 4 '$%3#-!#, '5&)!,#$-, '65!.#%

Ó³ Ÿ , º 3(194).. 673Ä677. Š Œ œ ƒˆˆ ˆ ˆŠ. ˆ.. ³ Ì μ, ƒ.. Š ³ÒÏ,ˆ..Š Ö, Ÿ. ʲ ±μ ±

Estimation of grain boundary segregation enthalpy and its role in stable nanocrystalline alloy design

Émergence des représentations perceptives de la parole : Des transformations verbales sensorielles à des éléments de modélisation computationnelle

Couplage dans les applications interactives de grande taille

Wb/ Μ. /Α Ua-, / / Βζ * / 3.3. Ηλεκτρομαγνητισμός Ι Μ. 1. Β = k. 3. α) Β = Κ μ Π 2. B-r, 2 10~ ~ 2 α => I = ~ } Α k M I = 20Α

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3

Σειρά Προβλημάτων 4 Λύσεις

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΔΙΑΛΕΙΠΤΟΥ ΠΑΡΟΧΗΣ ΙΣΧΥΟΣ

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)

ACI sécurité informatique KAA (Key Authentification Ambient)

ΗΜΥ 210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων. Συνδιαστικά Λογικά Κυκλώματα / Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 1

Θεωρητική μηχανική ΙΙ

Transcript:

MOS dood Metall-okd- ooljuht (MOS) o kaaaja kroelektrooka kõge rohke kautatav re ülde! MOSET tööõhõte I Pch-off D 3 S- allka (ource), G- a (gate), D- eel (dra) -kaalga MOSET (NMOS) kautab -tüü alut 1 1 V D 3 > > 1 Ku aule (gate) rakedada otve ge (alue uhte), elektroe tõatake SO oole g ad oodutavad oaärae kaal. Iga jaok vool I D kavab V D kavade g lõuk jõuab küllatue. MOS dood Tüüle etall-okd-ooljuht (MOS) dood oab ellt truktuur Toolt E vac d V SO S eφ eχ E g eφ E C E d e E E V V o etallle rakedatud ge. Oole kotakt (aadatud) etall okd -tüü ooljuht 3 Terle taakaalu (la väle geta) o etall g ooljuh fer vood ühel jooel. 4 1

Ideaale MOS dood Ideaale MOS dood vatab järgevatele tgutele: 1) Väle ge uuduel o etall ja ooljuh väljutööde vahe 0 (flat bad codto) eφ Eg # eφ eφ eφ $ eχ + + e 0! % " ) ad laegud, dood ekteervad, auvad ooljuh ja etall al ja o udug vataärgled. 3) Laegukadjad e läb okdkht! MOS dood väle gega akuulatoo Negatve ge (V<0) Vool uudub. Pooljuh er tae o uutuatu. Too ääred kaarduvad üle. Pooljuh-okd ale koguevad augud. Kua vahe E -E uureeb ooljuh al, rale akuuleertake auke. Q Q S vaatlee -tüü MOS dood. 5 6 MOS dood väle gega tühjeee Väke otve ge (V>0) Väkee otve ge korral kaarduvad tood allaoole g rdeala tühjeeb õhltet laegukadjatet. Laeg avaldub Q c en MOS dood väle gega veroo Suur otve ge (V>>0) Tood kaarduvad alla, et E ja E taeed lõkuvad. Toub veroo, ku tteõhlte laegukadjate (elektrode) kotetratoo ületab õhlte (aukude) oa ral. 7 8

MOS dood väle gega tugev veroo Nõrk veroo algab ku (E -E )>0 ja tteõhlte laegukadjate kotetratoo kavab ekoetaalelt. Tugev veroo o, ku tteõhlte laegukadjate kotetratoo o lgkaudelt võrde alue legeere taeega. Tühjedatud ala al ja elektrotaatle otetaal Elektrotaatle otetaal 0 ooljuh al ooljuh ruu Sellet uktt kaugeal o uure oa laduud egatvet laegut võrde laeguga Q väga kta - tüü verookh akuega x okd-ooljuh ral (x ~1-10 << ). Srdeala aku o akaale ( ), kua väke juurdekav toode kõverdue aab väga uure Q juurdekavu. Q Q + Q c Q en 9 10 Elektrotaatle otetaal Elektrode ja aukude kotetratood võb avaldada ku e S atud juhul võe ka eed avaldada elektrotaatle otetaal kaudu: ( e( e e Elektrotaatle otetaal Laegukadjate kotetratood al avalduvad : ( e( e e S aae ted erevad aotetaal juhud: < 0 0 0 < < > ukude akuulatoo (tood kõverduvad üle) lat-bad tgu ukudet tühjedae (tood kõverduvad alla) Oajuhtvue tgu ( ) Iveroo (tood kõverduvad alla) Potve, ku tood kõverduvad allaoole E -E 11 1 3

Tühjedatud ala aku (deleto wdth) Pooljuh a tühjedatud ala eeutab + - ret, ku barjäär ee ge aedae aotetaalga: Tugeval verool ol N, e e ε en ( ( v) e kt Tühjedatud ala aku (deleto wdth) Tugeval verool aae akaale tühjedatud ala akue: ( v) ε ε en en 4ε kt l e N ( N ) kt N ( v) $! l e % " # 13 14 MOS-truktuur akuulatoo M O S tgute. -tüü S < 0. Sarae laatkodeaatorga! ku (ε ox ) / x ox < 0 -S ukude akuulatoo Seega akuulatoo tgute o truktuur ahtuvu võrde okdkh ahtuvuega. x 15 MOS-truktuur tühjeee tgute. M O S Tühjedae tgu: > 0 Mõlead ahtuvued ltuvad: ε ox / x ox C ε S / C /( + C S ) õltub get!!! > 0 Q M C ε S φ qn -tüü S ku φ o aotetaal ukudet tühjedae 16 4

MOS-truktuur veroo tgute V T ja > V T Iveroo tgu: φ φ 1/ εs T φ qn >>0 Kõrgetel agedutel veroo elektrod e jõua reageerda, eega etall laegu balaeerek eab uutua ooljuh rdeala aku. ε ox /x ox C ε S / T (ω ) C / ( + C S ) Q M M O S -S ukudet tüh ala Iveroo elektrod δ- fuktoo C MOS-kodeaator veroo tgute Madalatel agedutel jõuavad veroo elektrod reageerda g koguahtuvu o võrde okdkh ahtuvuega. (ω 0) ε ox / x ox 17 18 Seega, o kotate ku V T C / ( +C ) -tüü S Madal agedu Kõrge agedu V T C-V õltuvued reaale MOS-truktuur uhul - ja -tüü rä Mõõdetud C-V õltuvued -tüü rä. Madalad agedued N D 9.0 10 14 c -3 x ox 0.119 µ -tüü -tüü 19 0 5