Kafli 1: Tímastuðull RC liður. Dæmi 1.1 A: 3,3ms B: 7,56V Dæmi 1.2 A: 425µF B: 1s Dæmi 1.3 A: 34,38V B: 48,1V Dæmi 1.4 A: 59,38s

Σχετικά έγγραφα
Þriggja fasa útreikningar.

Undirstöðuatriði RC-tengds magnara Ólafur Davíð Bjarnason og Valdemar Örn Erlingsson 28. apríl 2009

Reikniverkefni VII. Sævar Öfjörð Magnússon. 22. nóvember Merki og ker Jónína Lilja Pálsdóttir

Vísandi mælitæki (2) Vísandi mælitæki. Vísandi mælitæki (1) Vísandi mælitæki (3)

Bústólpi ehf - Nýtt kjarnfóður H K / APRÍL 2014

Meðalmánaðardagsumferð 2009

6. júní 2016 kl. 08:30-11:00

Menntaskólinn í Reykjavík

FRÆÐSLUSKRIFSTOFA RAFIÐNAÐARINS

BLDC mótorstýring. Lokaverkefni í rafmagnstæknifræði BSc. Halldór Guðni Sigvaldason

Eðlisfræði II: Riðstraumur. Kafli 11. Jón Tómas Guðmundsson 10. vika vor 2016

x(t) = T 0 er minnsta mögulega gildi á T

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

Span og orka í einfaldri segulrás

Kaplan Meier og Cox. Aðferðafræði klínískra rannsókna haustið 2010 Fimmtudagur 11 nóvember. Thor Aspelund Hjartavernd og Háskóla Íslands

Iðjuþjálfun LIE0103 Hrefna Óskarsd.

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)

Eðlisfræði 1. Dæmi 5.2 (frh.) Dæmi Dæmi (frh.) d) P = W tog. = 0, 47kW. = 9, 4kJ

Chương 2: Đại cương về transistor

Greinargerð Trausti Jónsson. Sveiflur IV. Árstíðasveiflur í háloftunum yfir Keflavík

Rafmagsfræði loftræsikerfa

Rafbók. Riðstraumsmótorar. Kennslubók

Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises

Hætta af rafmagni og varnir

RAF301G Merki og kerfi Miðmisserispróf, lausn

4.01 Maður ekur 700 km. Meðalhraðinn er 60 km/klst fyrstu 250 km og 75 km/klst síðustu 450 km. Hver er meðalhraðinn?

1) Birgðabreyting = Innkaup - Sala + Framleiðsla - Rýrnun - Eigin notkun. Almennari útgáfa af lögmálinu hér fyrir ofan lítur svona út:

NPN Silicon RF Transistor BFQ 74

Líkindi Skilgreining

Reglur um skoðun neysluveitna

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Guðbjörg Pálsdóttir Guðný Helga Gunnarsdóttir NÁMSGAGNASTOFNUN

Ályktanir um hlutföll og tengslatöflur

Stillingar loftræsikerfa

Skilaverkefni 1. Skil á þriðjudaginn

16 kafli stjórn efnaskipta

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

PRÓFBÚÐIR Í LÍNULEGRI ALGEBRU VIÐ HR VOR 2014 HERKÚLES

Nokkur valin atriði úr aflfræði

Sæmundur E. Þorsteinsson, TF3UA

Rafbók. Loftnetskerfi. Verkefnahefti A

Veghönnunarreglur 02 Þversnið

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og Nesjavallavirkjun

0CHIPSTAR MICROELECTRONICS 5.5W CS8571E CS8571E. Chipstar Micro-electronics. 470uF. 0.39uF 4 IN MODE: 0----AB CS8571 CS8571E FM AB D CS8571E

H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun

Skrifað út ; 18:59 gk. 6. kafli, dæmi og svör með útreikningum

H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι

H2S mælingar í Norðlingaholti og Hveragerði Skýrsla um mælingar árið 2013 Unnið fyrir Orkuveitu Reykjavíkur

H 2 S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði

PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun

Veghönnunarreglur 03 Vegferill

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

Spurningar úr Raforkudreifikerfum. e. Ófeig Sigurðsson.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ενισχυτές με ανατροφοδότηση

Rating Symbol Value Unit Drain Gate Voltage VDSS 65 Vdc Drain Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc

G U LU S Í Ð U R N A R

Greiðir eingöngu fyrir það magn sem er notað. Blandað á staðnum. Ekkert fer til spillis. Umhverfisvænt. Tímasparnaður.

Το διπολικό τρανζίστορ

4. útgáfa júní Vörulýsing. steinsteypa. Sterkari lausnir

Annar kafli Hraði, hröðun, kraftur og massi

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

Forritunarkeppni Framhaldsskólanna 2014

Stærðfræði. Lausnir. Lausnir. 8tíu. NÁMSGAGNASTOFNUN 20. apríl 2009

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

Grunnvatnsrannsóknir í Norðurþingi

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

Fylgiseðill: Upplýsingar fyrir notanda lyfsins. Symbicort mite Turbuhaler 80 míkrógrömm/4,5 míkrógrömm/skammt, Innöndunarduft

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

Þjófavarnarkerfi fyrir bílstöðvar

Viðskipta- og Hagfræðideild Tölfræði II, fyrirlestur 6

Borðaskipan í þéttefni

Microelectronic Circuit Design Fifth Edition - Part I Solutions to Exercises

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

HÖNNUN Á STRENGLÖGN 11KV ÞINGVALLASVEIT

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

Upplýsingar um innrigerð jarðar er fundið með jarðskjálftabylgjum og loftsteinum.

Verkefni 1: Splæsibrúun og jafnhæðarferlar

( 1) R s S. R o. r D + -

24 sem x stendur fyrir hluta í ppm og M er mólmassi efnisins. Skrifað út ; 19:01 gk. Skrifað út ; 19:01 gk

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

9 x 2 x 2 x 3 = 19 (9 + 2) 2 3 = 19

HÖNNUN BURÐARVIRKIS IÐNAÐARHÚSS SAMANBURÐUR Á MISMUNANDI BYGGINGAREFNUM

ΕΦΗΜΕΡΙΣ ΤΗΣ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΣ

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

Gagnasafnsfræði Venslaalgebra og bestun fyrirspurna. Hallgrímur H. Gunnarsson

VIÐAUKI I SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

Veggirðingar. UNNIÐ s FYRIR VEGAGERÐINA. Höfundur: Grétar Einarsson

IXBH42N170 IXBT42N170

FYLGISEÐILL. Dorbene Vet 1 mg/ml stungulyf, lausn fyrir hunda og ketti.

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25 o C) Item Symbol Condition Rating Unit Operating-Voltage VDS 55 V. Item Symbol Condition Limit Unit

Transcript:

Kafli 1: Tímastuðull RC liður Dæmi 1.1 A: 3,3ms B: 7,56V Dæmi 1.2 A: 425µF B: 1s Dæmi 1.3 A: 34,38V B: 48,1V Dæmi 1.4 A: 59,38s Kafli 2: NTC, PTC, LDR, VDR viðnám Dæmi 2.1 A: Frá vinstri: NTC viðnám, VDR viðnám, LDR viðnám og PTC viðnám. Dæmi 2.2 A: Þá hækkar viðnámið. B: Ljósnæmt viðnám LDR C: Þá breytist viðnámið úr 10kΩ niður í 1kΩ. Dæmi 2.3 A: Þá lækkar viðnámið. B: Neikvæðan hitastuðul t > R C: NTC viðnám. D: Viðnámið breytist úr 200Ω (100 o C) upp í 400Ω (50 o C). Dæmi 2.4 A: þá hækkar viðnámið. B: Jákvæðan hitastuðul t > R C: PTC viðnám. D: TN o C E: Þá lækkar viðnámið aftur og hagar sér eins og NTC viðnám. F: Miklu meiri. G: Yfirhitavörn í mótorum, skynjari, brunaboði. Dæmi 2.5 A: Þá lækkar viðnámið B: Spennunæmt viðnám. VDR viðnám. C: Þá hækkar straumurinn úr 60V/2500Ω = 24mA niður í 20V/8000Ω = 2,5mA D: Yfirspennuvörn fyrir tæki og rofa. Jafnar spennu fyrir viðkvæm tæki. Kafli 3: Díóður Dæmi 3.1 A: 0,7V B: 19,17mA C: 44mW D: 13,42mW Dæmi 3.2 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/3-2lausn.jpg B: 400Ω Dæmi 3.3 Vísbending: Reiknaðu rásastrauminn (20,82mA) og síðan spennuna yfir 1kΩ viðnámið plús spennuna yfir díóðuna. Svar: 21,52V Dæmi 3.4 If = (Uf-0,7)/150 og Ir = Ur/ (150 + 10k) Opnaðu slóðina til þess að sjá heildarlausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/3.4-lausn.pdf Dæmi 3.5 A: 1,36mA B: 1,36mA C: 0A díóðan leiðir ekki D: 4,39V E: 5,86V (rásastraumurinn er 1,1mA) Dæmi 3.6 A: 254µ + 104µ + 277µ = 635µA B: 223µ + 0 + 0 = 223µA 31

Kafli 4: Afriðun Dæmi 4.1 A: 1,26kΩ B: 81mW Dæmi 4.2 A: 2 lausnir. Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/4-2lausn.jpg B: 5;47KΩ eða lausn 2 1,63kΩ Dæmi 4.3 A: 17,1V B: 0,89W C: 54V Dæmi 4.4 A: 490Ω B: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/4-4lausn.jpg Dæmi 4.5 A: 5,6Vpp B: 13,47V Dæmi 4.6 A: 169V B: 338V C: 0V. Enginn straumur er tekinn frá rásinni. Dæmi 4.7 A: 57Vpp - 50Hz B: 452V C: 931V (962V er ok) D: 28,4W Dæmi 4.8 A: 8,18Vpp B: 5,82V C: 100Hz Dæmi 4.9 A: 3,45Vpp B: 46,76V C: 130V D: 2,17A E: 434mA F: 100VA Dæmi 4.10 A:1,59Vpp B: 19,6V C: 15,41V D: 6,86VA Dæmi 4.11 A: 8,18Vpp B: 6,52V C: 22,6V D: 100Hz E: 36,2Ω Dæmi 4.12 A: 3,8Vpp B: 26,3V C: 63VA D: 2,38/2 = 1,19A E: 0,27A > 0,3AT F: Tregt er hægt að brenna yfir F er mjög fljót að brenna yfir, það er litið notaður i spennugjöfum. G: 63VA spennubreytir, 230V 2 x 26,3V. Dæmi 4.13 A: 103V B: Dæmi 4.14 Kafli 5 Zenerdíóður Dæmi 5.1 A: 0,7V B: 9,73mA Dæmi 5.2 A: 6,8V B: 6,91mA Dæmi 5.3 A: 85,11mA B: 4,7V C: 121Ω Dæmi 5.4 A: 139Ω B: 1,21W C: 84mA D: 178Ω Dæmi 5.5 A: 22,73mA B: 29,33mA C: 202Ω D: 0,55W Dæmi 5.6 A: 10,33Ω B: 443,3mA C: 18,02Ω D: 48,63W E: 1,64A F: Nei, díóðurnar þola 0,81A en straumurinn er 1,64A í gegnum þær. Dæmi 5.7 A: 45V B: 51,31V C: 40,23V D: 11,08Vpp E: 0A. Spennan er lægri en zenerspennan, þess vegna tekur díóðan engan straum. Kafli 6 Transistorar, dc rásir 32

Dæmi 6.1 A:NPN B: Talið neðan frá: emitter, base, collector Dæmi 6.2 A: PNP B: Talið neðan frá: collector, base, emitter Dæmi 6.3 A: basestraums Ib og basespennuvb B: basestraums Ib og collectorstraums Ic C: collector-emitterspennu Vce og collectorstraums Ic Dæmi 6.4 1.kvarði = útgangslínurit, 2. kvarði = yfirfærslulínurit, 3. kvarði = inngangslínurit. Dæmi 6.5 A: Að collectorstraumurinn er 70 sinnum meiri en basestraumurinn. B: Hfe = Ic / Ib C og D: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/6-5lausn.jpg Dæmi 6.6 A:12,5mA (Ipera = 1A) B: 344Ω Dæmi 6.7 A: 13,33µA B: 848kΩ C: 3KΩ D: 2,0133mA Dæmi 6.8... A: 500µA B: 22,6kΩ C: Transistorinn eyðileggst af spanspennu frá segulliðaspólunni. Dæmi 6.9 A: 6,67mA B: 106µA C: 9,37kΩ D: Koma í veg fyrir að transistorinn taki straum þegar spennan frá rökrásinni er Low (0-2V) E: Pon = U x I 0,1 x 6,67m = 0,67mW Poff = U x I = 12 x 0 = 0W Kafli 7 Transistorar, vinnupunktsútreikningar Dæmi 7.1 A: 6,5V B: 2,41mA C: 24µA D: 100 Dæmi 7.2 A: 28,4µA B: 4,26mA C: 6V Dæmi 7.3 A: 889Ω B: 405kΩ (Ib = 20,45µA) Dæmi 7.4 A: 150µA B: 12,15mA C: 2,67V D: 14,93V E: 191kΩ Dæmi 7.5 A: 8,75mA B: 182 C: 8,8mA D: 1,94V E: 5,55V F: 320kΩ Dæmi 7.6 A: 6,72mA B: 1,34kΩ C: 6,77mA D: 3,2V E: 248µA F: 59,6kΩ G: 16kΩ Dæmi 7.7 A: 16,7V B: 460kΩ C: 2,65kΩ Dæmi 7.8 A: 2,13mA B: 9,68µA C: 1,22kΩ D: 259kΩ E: 47kΩ Dæmi 7.9 A: 489µA (500µA er ok) B: 7,8V C: 156mW D: 6kΩ E: 14,1kΩ F: 0,14W Kafli 8 Transistorar, vinnupunktur með aðstoð línurits Dæmi 8.1 A: 30mA B: 32V C: 14mA D: 40µA E: 17V F: 0,7V G: 350 H. I, og J: Sjá lausn á dæmi 6.4 Dæmi 8.2 A: Ib = 80µA, Ic = 80µA, Vbe = 0,75V, Vce10V B: 500Ω C: 240kΩ 33

D:, E:, F: og H: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/8-2lausn.pdf Dæmi 8.3 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/8-3lausn.pdf B: 714Ω C: 142Ω D: 372kΩ E: 29,2mA F: 19mA G: 9V Dæmi 8.4 A: 18V B: 214Ω C: 26Ω D: 22,9kΩ E: 6,67kΩ F: 0,3W Dæmi 8.5 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. http://www.fva.is/~flemming/hs-daemasafn/daemasafn-rat102/lausn-skjol/8-5lausn.pdf B: 400µA C: 127Ω D: 36Ω E: 25,5kΩ F: 13,5kΩ G: Sjá svarið í lið A. Dæmi 8.6 A: Ib = 40µA, Ic = 11,5mA B: 7V C: 4V D: 346Ω E: 9,58kΩ F: 23,5kΩ Kafli 9 Dæmi 9.1 Svörin við dæmi 9.1-9.7 eru miðuð við formúlur fyrir venjulega notkun, þar sem eingöngu hfe er þekkt. A: Uinn er tengt á milli jarðar og vinstri hliðar á Cinn. Uút er tengt á milli jarðar og hægri hliðar á Cút. B: 2,6mA C: 229x D: 3,6kΩ E: 2200Ω Dæmi 9.2 A: Enginn Ce í rásinni. B: 8,1x C: 38kΩ D: 2200Ω E: Mögnunin snarlækkar og inngangsimpedansinn Zi snarhækkar. Dæmi 9.3 A: Álag er tengt við útganginn og Ce er í rásinni. B: 71,5x C: 3,6kΩ D: 2200Ω E: Mögnun minnka annað er óbreytt. F: 2,2µF G: 2,5µF H: 294µF I: 2,5x Dæmi 9.4 A: 4,7x B: 2,35V C: 4.9kΩ D: 470Ω E: 3,2Hz F: 10,8Hz G: 11Hz efsta marktíðni ræður ferðinni. H: 3,4V Dæmi 9.5 A: 9,3Ω B: 116x C: 180 D: 80mV E: 1,9kΩ F: 39Hz G: 1,6Hz H: 39Hz I: 73µF Dæmi 9.6 A: Emitterviðnáminu er skipt í tvennt og eingöngu neðri helmingurinn er afkúplaður. B: 4x C: 15kΩ D: 1,8kΩ E: 4,8Hz F: 1000µF G: Minni mögnun og hærri inngangsimpedans og þess vegna lægri fn. 34

Dæmi 9.7 A: ré = 18,8Ω > Av = 176x B: 45dB C: 3,6kΩ D: 94Hz E: - F: 1,61nF G:165kHz D: lárétt lína við 45dB, -3dB við 94Hz og 165kHz hallinn á skerðingunni er -20dB/tíund = -6dB/átt. Dæmi 9.8 A: 165x B: 82,5x C. 248mV D: 3784Ω E: 3003Ω F: Av lítill munur 176x - 165x. Zinn lítill munur 3,6kΩ-3,8kΩ. Zút lítill munur 3,3kΩ-3kΩ. Dæmi 10.1 A: 37,5µA B: 2kΩ C:150kΩ D:338kΩ E:uinn á milli jörð og tengipunkt t.v. á þéttir tengt base. Uút á milli jörð og tengipunkt t.h. á þéttir tengt emmitter. F:emitterfylgjarás Dæmi 10.2 A: 4,7Ω B: 0,99x C: 44kΩ D: 23Ω E: 0 Dæmi 10.3 A: 0,98x B: 684mV C: 25kΩ D: 8,3Ω E: 424nF F: 348µF G: 15Hz H: 111x I: 699mV Dæmi 10.4 A: 75Ω B: 0,983x C: 1561Ω D: 393mV E: 4,7mW F: 48x G: 25,4Ω H: fninn = 10,2Hz fnút = 5,9Hz > svar 10Hz Dæmi 10.5 A: - B: 9pF C: 29MHz D: 21Hz E: lárétt lína við 0dB, -3dB við 21Hz og 29MHz hallinn á skerðingunni er -20dB/tíund = -6dB/átt. F: fe er hærri vegna mikkli minni Cinn 9pF á móti 1,6nF. Lærri fn vegna hærri Zinn 16kΩ á móti 3,6kΩ Dæmi 11.1 Rbt Rbb Re Rc Cinn Cút Cb R2 R3 R4 R1 C1 C2 C3 Dæmi 11.2 A: 1,5kΩ B: 100Ω C: 86kΩ D: 11,3kΩ E: uinn tv á C1 og uút th á C2 F: 0 Dæmi 11.3 A: 2,7V B: 11,4V C: 12,5Ω D: 100x E: 12,3Ω F: 3,3kΩ G: 862µF H: 20µF I: 88µF Dæmi 11.4 A: 176x B: 45dB C: 18,5Ω D: 547Hz E: 16MHz F: 5,3MHz G: lið F lægsta tíðnin H: lárétt lína við 45dB.lækkar um -20dB/tiund fyrir neðan 547Hz og -20dB/tiund fyrir ofan 5MHz. H: Fe er mikkli hærri vegna þess að engin merki kemur i gegn Ccb i mótfasa. Fn mikkli hærri vegna þess að sama stærð inngangsþétti saman með mjög lágan Zinn gefur hærri marktíðni. Dæmi 12.1 Tyristorar, diak og triakk bætast inn í seinar meir. 35

Dæmi 13.1 A: Jfet, N gerð B: Frá neðan source, gate og drain C: Jfet, P gerð D: sama og lið B Dæmi 13.2 A: Drainstraum Id sem fall af forspennan -Vgs B: Straumurinn Id sem fall af spennanvds Dæmi 13.3 A: Ingangslínurit t.v. útgangslínurít t.h. B: Idss skerdingin á milli ingangsferilinn og y asinn. Vgsoff er þar sem inngangsferilinn snerta x ásinn. C: Snertill i punktið Idss. D: Hallan á Vgs=1V línan í útgangslínuritið. E: yfs = 5-7mA/V Yos = 50µA/V = 50µS. Dæmi 13.4 Yfs (gm) er i gegnum vinupunkt i rás. Yfso (gmo) er igegnum Idss punktið. B: fleygbogi (parabóla) C. Yos samsvarar hoe sem er tala fyrir útgangsleðni. D: Yis á að vera inngangsimpedansinnn en hann er mjög há i j fet. Þetta er díóða i hindrunurátt. Svo yis verða i flesta gerðar í gigaohmsstærð. E: Sem stillanlegt viðnám. F: Þá verða Vds að vera meiri en Vpinsh off (Vp). Dæmi 13.5 Idss = 16mA Vgsoff =-6,5V Yos = um 5mA/V Vp = um 5V. Dæmi 13.6 A: 5mA/V B: flot C: 6mA D: J fet með mismunandi viðbætur a,b,c hafa gjörólik forspenna og drainstraum. Dæmi 13.7 Dæmi 13.8 A: Inngangsspennu er milli grd og Cinn. Útgangsspennan er á milli grd og Cút. B: Halda gatespennan á 0V. C: Yfir Rs. D: Sjá tengimynd E: 27,6kΩ F: 26kΩ H: Einfaldari tenging. Hærri ingangsimpedans sem oftast er kostir. A: Id = 2,5mA Vgs = -0,7V B: Rg=280Ω, Rd= 2,5kΩ C: 1MΩ D: Lína í gegnum Vds=15V og Vds, Id = 8V, 2,5mA E: 8-10X Dæmi 14.1 A: Lina i gegnum 20V, 0mA og vinnupunktið 20V, 6mA B: 4mA/V C: 1500Ω D: 160Ω E: 1mA/V = 5mA/5V F: 5x G: 14dB Dæmi 14.2 A: 3,03mA B: 14V C: - D: 3,5mA/V E: 5,77x F: 6x mælt G: 7,2nF H: 2,4µF I: 482µF J: Idss = 9,5mA Vgsoff = -3,8V 36

Dæmi 14.3 A: 40Ω B: 3,96kΩ C: 600Ω D: 48mA/V E: 28,8mA/V F: 50µS G: 110x H: 3,3kΩ I: 0,3µF Dæmi 14.4 A: 5,5mA B: -0,2V C: 2,5kΩ D: 36Ω E: 1MΩ F: 29X G: 2,54kΩ H: 190pF I: 1,9KΩ Dæmi 14.5 A: 4,5mA B: 2,44kΩ C: 0,875V D: 194Ω E: 3,4mA/V F: 3,13X G: 9,9dB H: 5,89pF I: 1,8GHz Dæmi 14.6 A: 2,5mA B: 300Ω C: 2,2MΩ D: 3,3kΩ E: Cút & Rd+Rá >17,7Hz Cs & Rs > 5,3Hz > svar 17,7Hz F: 1kΩ Dæmi 15.1 A: Cd B: lina í gegnum (Vds, Id) = (0,20) og í gegnum (8,3) C: 4,7kΩ D: -0,6V E: 7,3MΩ F: 2,9MΩ G: 0,92 H: 368Ω Dæmi 15.2 A: Uinn er vinstri meginn 1µF uút we hægri meginn 100µF B: 3mA C: 0,91X D: 500kΩ E: 201Ω F: 0,97X G: 500kΩ H: 64Ω I. Spennutapið minnkar og útgangsimpedansinn lækkar bædi þýðir betra rás. Dæmi 15.3 A: 4,5mA B: 0,875V C: 266Ω D: Yfs = 3,4mA/V RL=729 Av = 0,71 > svar 2,133V > -2,9dB E: 54nF F: Vegna þess að crss ekki hafa teljanleg áhrif og að engin spenumögnun er i rásinni. Dæmi 16.1 A: uinn er tv á 220µF þéttir uút er th. Á 47µF þéttir. B: lína í gegnum (vds, Id) = (0,25) og (13, 3m) C: 330Ω D: 4kΩ E: Yfs línurit = 3,5mA/V > svar Av = 14X F: 153Ω G: 4kΩ H: Aðalega vegna þess að crss ekki hafa áhrif á inngangsspennan. Dæmi 16.2 A: 4,5mA B: -0,875V C: 194Ω D: 1,8kΩ E: yfs = 3,4mA/V > zinn = 117Ω F: 1,8kΩ G: 153mV H: 15,7dB I: 13,6Hz Dæmi 16.3 A: 2,52V B: 11,25V C: -1,23V D: 194Ω E: 2,7kΩ F: 4,62X G: 8Hz inngangin ráða. Dæmi 17.1 A: B: C: D mosfet leiða án á sjálfan sig án forspenna Vgs = 0V > Idss D: Einangrunnnin á milli gate og source E: Einangrunin hindra að gs díóðan fer að leiða. Þannig er ekki með J fet. F: línuritið er nákvæmlega eins nema að strauminn i drain halda áfram að hækka þegar Vgs er yfir 0V. 37

G: Þeir hafa frekar hátt innra viðnám Rdson i mettun. Dæmi 17.2 A: Cs B: 32Ω C: 8W D: 3W E: 1MΩ F: Fet hafa engin lekastraum á milli d og s og rennur þess vegna ekki hitalega séð af stad eins og transistorar. G: 0,5A H: sjá tengimynd. Dæmi 17.3 A: 0V B: Id = Idss = 14mA C: 8,42V D: 8,75mA/V E: Yfs = Yfso þegar vgs er 0V = 8,75mA/V F: 2,95x G: 105mV rms H: 10MΩ. Dæmi 17.4 A: 0,65V B: 16mA C: 2,3kΩ D: 40Ω E: 24,6mA/V F: 18,5mA/V G: 14,6X H: 1,46V I: 1,46V Dæmi 17.5 A: B: C: E mos tekur engin straum (lokað) án forspenna þetta er öfugt D mos. D: Þegar forspennan fer fer fettin of af sjálfan sig. Öfugt við týristor. E: Það þarf að ganga drainstraum til að stilla vinnupunktið sv Vdd spennan verða skipt á milli fetinn pg drainviðnámið. F: Mjög einfalt að tengja. Til er emosgerðir sem þolir mjög háar strauma og spennur. G: með gatespenna settur inn á halda E fettin sig on án spennu off. Þetta þyðir minni straumþörf fyrir örgjafir og þar með minni hita og hægt er að koma fleiri rofar (Emos) fyrir á flagan. Dæmi 17.6 A: 0V B: Emosfet C: sjálflokandi D: 7,5mA E: 32,8kΩ F: 12,2V G: 128,7kΩ H: Minni mögnun og minni bjögun Dæmi 17.7 A: Common drain B: Straummagnari C: 0dB = 1x D: 5,17MΩ E: 8,89mA F: 2,63MΩ G: 6,6Ω H: Engin mismunnur er á riðspennan yfir gs rymdin. Þess vegna þarf ekki að upp og afhlaða þéttin i akti með inngangsspenan. Dæmi 17.8 A:192W B: 0A fettin verða off 38

Dæmi 17.9 A: 0A B: 0,833A C: 22sek. D: Eitt timastudul gefur 0,63 x 6V = 3,8V sem er u.þ.b. það sama sem þröskulspennan Vth. Þess vegna fer fettin on eftir 22 sek. 39