Δομή της διάλεξης. Schmitt Trigger Πολυδονητές ΟΧρονιστής555 Ταλαντωτής δακτυλίου Ασκήσεις

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Δομή της διάλεξης. Schmitt Trigger Πολυδονητές ΟΧρονιστής555 Ταλαντωτής δακτυλίου Ασκήσεις"

Transcript

1 Κυκλώματα Χρονισμού

2 Δομή της διάλεξης Schmitt Trigger Πολυδονητές ΟΧρονιστής555 Ταλαντωτής δακτυλίου Ασκήσεις 2

3 Κυκλώματα Χρονισμού Schmitt Trigger 3

4 Schmitt Trigger Αναγεννητικό κύκλωμα Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης με υστέρηση Διαφορετικά κατώφλια εισόδου για σήματα τάσης μεταβαλλόμενα προς τα θετικά και προς τα αρνητικά Επαναφέρει τις ακμές των σημάτων εισόδου Χρήσιμο σε περιπτώσεις που το σήμα έχει διέλθει από μακριά γραμμή και έχει ταλαντώσεις 4

5 Χαρακτηριστική Μεταφοράς Τάσης και Σύμβολο V ou t V OH In Out V OL V M V M+ V in 5

6 Καταστολή Θορύβου V in V out V M V M t 0 t t 0 +t p t 6

7 Υλοποίηση με BJTs (1) Eξήγηση Διαδρομής από a σε c: Αρχικά Vin=Low, Q1=OFF, Q2=κόρος, Vout=Low=0.1+ VE a)vin αυξάνεται σταδιακά. Όταν V1=b, Q1 σχεδόν έτοιμο προς αγωγή, δηλ. Vin=VE+ VBE(on). Μικρή περαιτέρω αύξηση της Vin προκαλεί : VC1 = λόγωότιιc1=. (Ισχύει: Vc1= Vcc-VR1=Vcc-Ic1 R1).) Επιπλέον VE= (διότι Vin=VE+ VBE(on) και VBE(on)=const=0.7 VBE2 ( = VCE1 = VC1-VE) συμπιέζεται ραγδαία σε VBE2< VBE(on) Q2=OFF, Q1=κόρος και Vout c = Vcc, V1N= VΤ+= VE+VBE(on), Περαιτέρω αύξηση της Vin σπρώχνει Q1 7 περισσότερο στον κόρο και Q2 συνεχίζει OFF, διότι VCE1=VBE2=0.1

8 Υλοποίηση με BJTs (2) Eξήγηση Διαδρομής από c σε a. Στο c Q1 =κόρος, Q2=OFF. Vin μειώνεται σταδιακά, και όταν Vin =d Q1=ενεργός περιοχή (επειδή Vin τότεvb<vc) και VCE1=VBE2 >0.1 VBE(on). Με Vin τότεic1 καιve= (διότι Vin=VE+ VBE(on) και VBE(on)=const=0.7) Συνολικό αποτέλεσμα= Q2=ON όταν VCE1=VBE2=VBE(on) Ic2 λόγωvbe2 και Ic1 (λόγω και μεταλλαγή ρεύματος από Q1 σε Q2) και τελικά Q2 στον κόρο και Q1=Off και απότομη μετάβαση από d σε c. Switching point για αυτή την μετάβαση : VCE1=VBE2=VBE(on) και VT- = Vin= VE + 8 VBE(on)) σε αυτό το σημείο OFF

9 Παράδειγμα για Scmitt Triger κυκλώματος προηγούμενης διαφάνειας (1) 9

10 Παράδειγμα για Scmitt Triger κυκλώματος προηγούμενης διαφάνειας (2) 10

11 Υλοποίηση με CMOS (2) V DD Βασική Ιδέα : Switching Threshold του CMOS αντιστροφέα (Μ1, Μ2) καθορίζεται από το λόγο (kn/kp) μεταξύ των NMOS και M 2 M 4 PMOS transistors : Αύξηση του λόγου αυτού οδηγεί σε μείωση του threshold ( V in X V out VT-), και μείωσή του οδηγεί σε αύξηση του threshold (VT+). M 1 M 3 Α) Έστω αρχικά Vin=0 Vout=0 M3=OFF,M4=ON. Πρακτικά ο inverter έχει πλέον ως pull-up network τα Μ2 και Μ4 εν παραλλήλω και ως pull-down μόνο το Μ1 effective (inverter) transistor. ratio= k M1 /(k M2 +k M4 ) αυξάνεται το switching threshold σε VT+. Έτσι όταν Vin> VT+ => X αρχίζει να αναστρέφει προς 0, Vout αναστρέφει προς 1=> τότε Μ4=OFF και Μ3=ON. M1, M3 =pull-down network πλέον ραγδαία κατεβάζουν Χ στο 0 και Vout μεταβαίνει ραγδαία στο 1 (μετάβαση b c ). Αντίστροφα ισχύουν από μετάβαση c d a: Σε c Vout=1 M4=OFF,M3=ON. Πρακτικά ο inverter έχει πλέον ως pull-down network τα Μ1 και Μ3 εν παραλλήλω και ως pull-up μόνο το Μ2 effective (inverter) transistor ratio= (k M1 +k M3 )/ k M2 μειώνεταιτο switching threshold σε VT-. Έτσι όταν Vin<VT- =>X αρχίζεινααναστρέφειπρος1, Vout αναστρέφει προς 0 => τότε M3=OFF,M4=ON οπότε ανεβάζουν ραγδαία το Χ στο 1 και κατεβάζουν 11 ραγδαία το Vout στο 0 (μετάβαση c a)

12 Κυκλώματα Χρονισμού Πολυδονητές 12

13 Πολυδονητές Αναγεννητικά κυκλώματα 3 τύποι: Διπλοσταθερό κύκλωμα: δύο σταθερές καταστάσεις, αλλάζει κατάσταση με σκανδαλισμό και μένει σε αυτή σταθερά, εφαρμογή: latches και Flip-Flops Μονοσταθές κύκλωμα: μία σταθερή κατάσταση και μία ημισταθή συγκεκριμένης χρονικής διάρκειας (προσδιορίζεται από τις παραμέτρους του κυκλώματος) στην οποία εισέρχεται με σκανδαλισμό και μετά επιστρέφει στην σταθερή κατάσταση, εφαρμογή: one shot timer Ασταθές κύκλωμα: δεν έχει σταθερές καταστάσεις, ταλαντώνεται μεταξύ δύο ημισταθών καταστάσεων, η διάρκεια κάθε μίας προσδιορίζεται από τις παραμέτρους του κυκλώματος, εφαρμογή: oscillator 13

14 Πολυδονητές R S Bistable Multivibrator flip-flop, Schmitt Trigger T Monostable Multivibrator one-shot Astable Multivibrator oscillator 14

15 Μονοσταθής Πολυδονητής Λειτουργία (κανονικοποιητής παλμών): 15

16 Μονοσταθής Πολυδονητής Αρχή λειτουργίας: Στην κατάσταση ισορροπίας και οι δύο είσοδοι της XOR=ταυτόσημοι=0 Out=0. Μετάβαση σε 1 μίας εισόδου δημιουργεί προσωρινά (για td) διαφοροποίηση των XOR εισόδων Out=1. Μετά τον χρονο td (λόγω στοιχείου καθυστέρησης είσοδοι ταυτόσημοι και πάλι=1 Out=0. Delay element: συνήθως RC δίκτυο, ή χρήση αλυσίδας πυλών In DELAY t d Out t d 16

17 Παράδειγμα monostable multivibrator (με χρήση καθυστέρησης πύλης NAND) In In N1 X N2 Out X t plh Out = Mono-Stable Multi-Vibrator 17

18 Μονοσταθής Πολυδονητής Κύκλωμα με χρήση CMOS NOR πυλών: Ηπηγήυ I παρέχει θετικούς παλμούς σκανδαλισμού 18

19 Μονοσταθής Πολυδονητής (a) Δίοδοι σε κάθε είσοδο μιας CMOS πύλης δύο εισόδων (b) Ισοδύναμο κύκλωμα διόδων όταν οι δύο είσοδοι είναι συνδεδεμένες μεταξύ τους 19 Οι δίοδοι έχουν ρόλο να προστατεύουν τις πύλες των συσκευών από πιθανές καταστρεπτικές υπερτάσεις λόγω συσσώρευσης στατικού ηλεκτρικού φορτίου

20 Μονοσταθής Πολυδονητής Προσεγγιστικό ισοδύναμο κύκλωμα εξόδου CMOS πύλης όταν η έξοδος είναι (a) low ηπύλητραβάειρεύμακαι(b) high η πύλη παρέχει ρεύμα. 20

21 Μονοσταθής Πολυδονητής Ισοδύναμο κύκλωμα κατά την εκφόρτιση της C στο τέλος του κανονικοποιημένου χρόνου T 21

22 Μονοσταθής Πολυδονητής 22 Οι κυματομορφές στους διάφορους κόμβους του κυκλώματος

23 Μονοσταθής Πολυδονητής Υπολογισμός Περιόδου Τ Λόγω Διαιρέτη τάσης που σχηματίζουν τα R, Ron ισχύει ότι: ΔV1=V DD R/ (R+Ron) (1) V 12(t) = V DD ΔV1 e (-t/τ1) (2) τ1=c(r+ron), Θέτοντας t=t, v12(t)=vth στην (1) και αντικαθιστώντας την ΔV1 από την εξίσωση (2) παίρνουμε : 23

24 Ασταθής Πολυδονητής Βασικό Κύκλωμα Αstable Κύκλωμα με χρήση CMOS NOR πυλών αποτελούμενο από RC δικτύωμα και κατάλληλη ανάδραση Το κύκλωμα αυτό καλούμενο και relaxation oscillator αποτελεί έναν βολικό τρόπο για την δημιουργία σήματος ρολογιού εφόσον οι απαιτήσεις για σταθερότητα στην συχνότητα (frequency stability ) δεν είναι αυστηρές 24

25 Ασταθής Πολυδονητής-Κυματομορφές Οι κυματομορφές του κυκλώματος Οι δίοδοι στην είσοδο έχουν θεωρηθεί ιδανικές και επομένως περιορίζουν την τάση υ I1 μεταξύ 0 και V DD 25

26 Ασταθής Πολυδονητής- Αρχή Λειτουργίας Έστω t=0=> vi1 Aνέρχεται στο 1- όταν αυτό ξεπεράσει Vth => πύλες G1, G2 αλλάζουν κατάσταση => vο1=0, vο2=1. Η απότομη μεταβολή (κατά +VDD) στο v02 προκαλεί συνεπακόλουθη άνοδο (μέσω του C οοποίος στιγμιαία παραμένει αμετάβλητος) και στο vi1 -η τιμήτουανeβαίνει έως το VDD (και όχι περισσότερο) λόγω της διόδου προστασίας. Κατόπιν τούτου το C αρχίζει να ξεφορτίζεται (με σταθερά χρόνου RC) Όταν η τιμή του πέσει κάτω του Vth, τότε μεταβάλλεται και πάλι η κατάσταση των G1, G2 => vο1=1, vο2=0. Η απότομη μεταβολή (κατά - VDD) στο v02 προκαλεί συνεπακόλουθη πτώση (μέσω του C οοποίος στιγμιαία παραμένει αμετάβλητος) και στο vi1 -η τιμή του κατεβαίνει έως το 0 (και όχι πιο κάτω) λόγω της διόδου προστασίας. Κατόπιν τούτου το C αρχίζει να φορτίζεται (με σταθερά χρόνου RC) προς το VDD έως ότου ξεπεράσει και πάλι το Vth, οπότε και πάλι v01=0, v02=1,και ο προηγούμενος κυκλος επαναλαμβάνεται 26

27 Ασταθής Πολυδονητής-Υπολογισμός Περιόδου T=T(high) +T(Low)= T H + T L Υπολογισμός T H : T H =ο χρόνος που χρειάζεται για να φορτισθεί η Vi1 έως την Vth Vi1 (t)= V DD (1 e (-t/τ) ), τ=rc. Θεωρώντας t=t H => Vi1(t)=Vth => Vth = V DD V DD e (-T H/τ) => e (-T H/RC) = (V DD Vth ) / V DD =>T H =RC ln [(V DD /(V DD Vth )] Υπολογισμός T L : T L =ο χρόνος που χρειάζεται για να εκφορτισθεί η Vi1 από την V DD έως την Vth Vi1 (t)= V DD e (-t/τ), τ=rc. Θεωρώντας t=t L => Vi1(t)=Vth => Vth=V DD e (-T L/τ) => e (-T L/RC) =Vth /V DD =>T L =RC ln (V DD /Vth ) T=T H + T L = RC [ ln [(V DD /(V DD Vth )] + ln (V DD /Vth )]=> T= RC ln [[(V DD /(V DD Vth )] (V DD /Vth )] 27

28 Κυκλώματα Χρονισμού ΟΧρονιστής555 28

29 Χρονιστής 555 Μπλοκ διάγραμμα που αναπαριστά το εσωτερικό κύκλωμα του χρονιστή 555 V TH =2/3 V CC V TL =1/3 V CC 29

30 Χρονιστής Μονοσταθής 30 (a) Οι συνδέσεις του χρονιστή 555 για χρήση ως μονοσταθούς πολυδονητή, (b) οι κυματομορφές του κυκλώματος

31 31

32 32

33 Χρονιστής Μονοσταθής Υπολογισμός Τ, Τ= ο χρόνος που χρειάζεται για να φορτισθεί οπυκνωτήςαπό0 έως Vth. Τότε ισχύει: Vc (t)= V CC (1- e (-t/rc) ). Θεωρώντας t=t => Vc (t)= Vth=2/3 V CC => T=CRln3 =1.1 CR 33

34 Χρονιστής Ασταθής 34 (a) Οι συνδέσεις του χρονιστή 555 για χρήση ως ασταθούς πολυδονητή, (b) οι κυματομορφές του κυκλώματος

35 35 Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 Καθηγητής Κωνσταντίνος Ευσταθίου

36 Χρονιστής Ασταθής -Υπολογισμός Τ 36

37 Κυκλώματα Χρονισμού Ταλαντωτής δακτυλίου 37

38 Ταλαντωτής δακτυλίου (Ring Oscillator) Ταλαντωτής δακτυλίου (Ring Oscillator) Σχηματίζεται με την δακτυλιοειδή σύνδεση περιττού αριθμού αντιστροφέων (η έξοδος του ενός οδηγεί την είσοδο του επόμενου) Χρήσιμο και για τη μέτρηση του μέσου χρόνου καθυστέρησης μετάδοσης μιας λογικής πύλης 38

39 Ταλαντωτής δακτυλίου (Ring Oscillator) Λειτουργία του ταλαντωτή Συχνότητα ταλάντωσης: f 1 2Nt P όπου Ν είναι ο αριθμός των αντιστροφέων 39

40 Ταλαντωτής δακτυλίου Ελεγχόμενος απότάση (1) (Voltage Controlled Ring Oscillator ) O ταλαντωτής δακτυλίου των προηγούμενων διαφανειών,παράγει ταλάντωση σε μία συγκεκριμένη και μόνον συχνότητα. Πιθανός τρόπος γι α μεταβολή συχνότητας ταλάντωσης = έλεγχος του propagation delay των inverters Έλεγχος του ρεύματος εκφόρτισης (έλεγχος του χρόνου μετάβασης από high σε low,tphl ) και φόρτισης (έλεγχος του χρόνου μετάβασης από low σε high, tplh ) της χωρητικότητας της κάθε πύλης)- current starved inverter Το παραπάνω κύκλωμα χρησιμοποιεί παραπανήσια NMOS devices που επηρεάζουν και ελέγχουν το ρεύμα εκφόρτισης κάθε πύλης (και άρα του tphl) μέσω του vcontrol στο M3 λ.χ. μείωση του vcontr μειώνει το ρεύμα εκφόρτισης μέσω του 40 M3 και συνεπώς αυξάνεται το tphl

41 Ταλαντωτής δακτυλίου Ελεγχόμενος απότάση (2) (Voltage Controlled Ring Oscillator ) Πλήρες κύκλωμα current starved inverter Εδώ περιλαμβάνονται και οι παρaπάνήσιες διατάξεις (Μ2, Μ3 και Μ4( που είναι απαραίτητες για τον έλεγχο του ρεύματος φόρτισης και άρα του χρόνου tplh κάθε πύλης To ρεύμα που διέρχεται μέσα από το M5 ελέγχεται από την τάση vcontr και καθρεφτίζεται (αναπαράγεται ταυτόσημα) μέσω των Μ6 και Μ4 στο ρεύμα φόρτισης (της χωρητικότητας ) της πύλης που διέρχεται από τα Μ4 και Μ2 (ID4=IDS6). Γίνεται επιπλέων χρήση Schmitt trigger για την αποκατάσταση των slopes (παρυφών) του 41 σήματος και επιπρόσθετου inverter για αποκατάσταση πολικότητας του σήματο ς

42 Ταλαντωτής δακτυλίου Ελεγχόμενος απότάση (3) (Voltage Controlled Ring Oscillator ) 42

43 VCO βασισμένο σε Differential Delay Element v 3 V o 2 V o 1 v 1 in1 v 2 v 4 43 V ctrl delay cell V 1 V 2 V 3 V time (ns) simulated waveforms of 2-stage VCO two stage VCO Άλλη προσέγγιση για VCO είναι με χρήση differential delay element. Δεδομένου ότι το cell αυτό διαθέτει τόσο αναστρέφουσες όσο και μη αναστρέφουσες εξόδους ο ταλαντωτής αυτός μπορεί να υλοποιηθεί και με άρτιο αριθμό σταδίων. Το πάνω δεξιά κύκλωμα είναι μια τέτοια υλοποίηση στο οποίο το feedback loop δημιουργεί διαφορά φάσης 180 ο μέσω δύο cells (αναστρέφων και μη) η οποία δημιουργεί την ταλάντωση. Το πλεονέκτημα αυτού του VCO σε σχέση με τον ταλαντωτή δακτυλίου είναι ότι είναι περισσότερο ανθεκτικός σε (common mode) θόρυβο, όπως αυτός της τροφοδοσίας, ενώ το μειονέκτημά του είναι η μεγαλύτερη κατανάλωση ισχύος

44 Κυκλώματα Χρονισμού Ασκήσεις 44

45 Άσκηση 1 Εκφώνηση (προς λύση) Στο παρακάτω σχήμα φαίνεται ένα εναλλακτικό κύκλωμα για τον CMOS πολυδονητή. (α) Σχεδιάστε τις κυματομορφές τάσης στα V1, V2, Vx με ένα κατάλληλο σύστημα σκανδαλισμού. (β) Αναπτύξτε μία απλή εξίσωση για το εύρος του παλμού εξόδου στην V1. 45

46 Άσκηση 2 Εκφώνηση (προς λύση) Στο παρακάτω σχήμα φαίνεται ένα NMOS Schmitt trigger κύκλωμα. Υποθέστε ότι V TD =-2V, V TE =+1V, k =20μA/V2, και γ=λ=0. Να σχεδιάσετε την VTC με εκτιμήσεις για τις V T+ και V T-. 46

47 Άσκηση 3 Εκφώνηση Βρείτε μία έκφραση για την συχνότητα ταλάντωσης F o του ασταθούς πολυδονητή του παρακάτω σχήματος υπό την συνθήκη V TH =V DD /2. Βρείτε τις κατάλληλες τιμές R1 και C ώστε F o =100K. Ui1 1 2 U1A Uo1 R1 10K C1 5 6 U1B Uo2 490pF 47

48 Άσκηση 3 Λύση (1) Η τάση στην είσοδο της πύλης U 1A μεταβάλλεται λόγω της φόρτισης του πυκνωτή C1. Ο πυκνωτής C1 φορτίζεται από την τάση V d (τάση αγωγής της διόδου προστασίας της εισόδου της πύλης CMOS) προς την τάση τροφοδοσίας. Η φόρτιση σταματά όταν ητάσηuo1 φτάσει την τάση V TH της πύλης. ΛόγωτηςσυμμετρίαςτηςV TH τα ίδια ισχύουν και για την εκφόρτιση του πυκνωτή. Η τιμή της ημιπεριόδου είναι: T (R1 Ron)C1 ln V DD V V DD TH R1 Vd R1 Ron V DD T R1 C1 ln R1 C1 1,02 V V Vd DD TH 1 R1 C1 4,9u sec 2,04 Fo Επιλέγουμε ως R1 μια μεγάλη αντίσταση έτσι ώστε το λάθος που εισάγεται λόγω της απαλοιφής της R on να μην είναι σημαντικό (R1=10K). Συνεπώς ο πυκνωτής C1=490pF. Προσοχή : Η λογική για τον υπολογισμό των R,C είναι σωστή αλλά η παραπάνω 48 εξίσωση που δίδεται για υπολογισμό του Τ δεν είναι σωστή. Ο σωστός υπολογισμός του Τ αναλύεται στην επόμενη διαφάνεια

49 Άσκηση 3 Λύση (2) Διορθωμένος (σωστός) υπολογισμός του Τ: Η τιμή της ημιπεριόδου φόρτισης του πυκνωτή (τα ίδια ισχύουν και για την ημιπερίοδο εκφόρτισης ) είναι: Vi1 (t)= V DD -(V DD +V d ) e (-t/τ) ), τ=r1+ron, V d = (τάση αγωγής της διόδου προστασίας της εισόδου της πύλης CMOS)=> => Θεωρώντας t=t H => Vi1(t)=Vth => Vth = V DD -(V DD +V d e (-T/τ) ) => e (-T/(R1+Ron)C1) = (V DD Vth ) /( V DD +V d ) => => T=(R1 +Ron) C1 ln [(V DD +V d )/ (V DD Vth )] και εδώ μπορεί να θεωρηθεί ότι R1 >>Ron και άρα T=R1 C1 ln [(V DD +V d )/ (V DD Vth )], οπότε τα R1, C1 μπορούν να υπολογιστούν (με απλή αντικατάσταση των τιμών τω στοιχείων )όπως από προηγούμενη διαφάνεια 49

50 Άσκηση 4 Εκφώνηση Χρησιμοποιώντας το κύκλωμα του παρακάτω σχήματος, σχεδιάστε ένα μονοσταθές κύκλωμα λογικής CMOS στο οποίο R on =100Ω, V DD =5V και V TH =0.4V DD. Χρησιμοποιείστε C=1μF για να δημιουργήσετε παλμό διάρκειας 1 sec. Ποιά είναι η τιμή της R που πρέπει να χρησιμοποιηθεί; VDD Ui1 V2 VPWL 1 2 U1A Uo1 C1 1nF Ui2 R1 10K 5 6 U1B Uo2 50

51 Άσκηση 4 Λύση Η σταθερά χρόνου φόρτισης του πυκνωτή C εξαρτάται από την αντίσταση R1 και την εσωτερική αντίσταση εξόδου της πύλης U1A. Η αρχικήτάσηui2 δίνεται από το διαιρέτη τάσης λόγω των R on και R1. Ο πυκνωτής φορτίζεται προς την τάση V DD αλλά όταν η τάση φθάσει την τιμή V TH ηπύληu1b πηγαίνει στο 0 παρασύροντας την U1A στο 1 Θεωρούμε ότι η R1 είναι πολύ μεγαλύτερη από την R on και έτσι ο χρόνος φόρτισης του πυκνωτή μέχρι την τάση V TH θα είναι: T 1sec C R1 910K R1 Ron ln R1 R1 Ron V V DD DD V TH 1u R1 ln

52 Άσκηση 5 Εκφώνηση Ένας απλός NMOS μονοσταθής πολυδονητής φαίνεται στο παρακάτω σχήμα. Υποθέστε ότι V TD =-2V, V TE =+1V, k =20μA/V2, και γ=λ=0. (α) Σχεδιάστε τις κυματομορφές τάσης στις V DS2, V GS4 και V DS4 με ένα κατάλληλο σήμα σκανδαλισμού. (β) Υπολογίστε την τιμή του Cx για ένα εύρος παλμού εξόδου 10μsec. 52

53 Άσκηση 5 Λύση Τα Μ1, Μ2, Μ3 αποτελούν μία πύλη NOR. Τα Μ4, Μ5 αποτελούν μία πύλη NOT. To M6 συμπεριφέρεται σαν μία πηγή ρεύματος που φορτίζει τον πυκνωτή. Αρχικά η είσοδος είναι 0 και η έξοδος της NOR είναι 1 αφού και η έξοδος του αναστροφέα είναι 0 εφ όσον έχει είσοδο 1 που προκύπτει από το M6. Όταν η είσοδος Vin γίνει 1 ηέξοδοςτηςnor και συνεπώς το ένα (αριστερό) άκρο του πυκνωτή θα γίνει 0, συμπαρασύροντας την είσοδο του αναστροφέα στο 0. Ο πυκνωτής τώρα θα φορτίζεται με σταθερό ρεύμα μέσα από το Μ6. Ας σημειωθεί ότι θεωρούμε την αντίσταση Rdon του Μ2 πολύ μικρή (δείτε τους λόγους W/L των Μ2 και Μ6). 53

54 Άσκηση 5 Λύση Το Μ6 θα συμπεριφέρεται σαν πηγή ρεύματος όσο η τάση V DS >(V GS -V TE ) V DS >2V ή αλλιώς όσο η τάση στο δεξί άκρο του πυκνωτή είναι μικρότερη από 3V (πράγματι όταν V DS =2V Το ρεύμα που παρέχει το Μ6 είναι: Όταν η τάση στο δεξί άκρο του πυκνωτή φτάσει την τάση αγωγής του Μ4,(ξεπεράσει δηλ.το 1V- υπενθυμίζεται ότι η τάση κατωφλίου τότε η έξοδος του αναστροφέα γίνεται 0 και η έξοδος της NOR γίνεται 1. Ο χρόνος που απαιτείται για την φόρτιση του πυκνωτή ισοδυναμεί με τον χρόνο που χρειάζεται να ανέλθει η τάση (του πυκνωτή) έως τα 1 Volts Άρα από τερματικές εξισώσεις πυκνωτή=> => ic= I DS (M6)= Cx (ΔV/ Δt)= Cx (1/T)=> 8μΑ= Cx 1/10 μs => => Cx= 80 pf. 54. I DS ( M 6) k' (0 ( 2)) 8

55 Άσκηση 6 Εκφώνηση Οι κυματομορφές για το μονοσταθές κύκλωμα του παρακάτω σχήματος δίδονται στο σχήμα. Έστω V DD = 10V, V TH = V DD /2, R=10K, C=1nF και R on =200Ω. Βρείτε τις τιμές των Τ, ΔV1 και ΔV2. Πόσο μεταβάλλεται η u O1 κατά την διάρκεια της ημιευσταθούς κατάστασης; Ποιο είναι το μέγιστο ρεύμα που τραβά η U1A; Ποιο είναι το αντίστοιχο ρεύμα που παρέχει; VDD Ui1 V2 VPWL 1 2 U1A Uo1 C1 1nF Ui2 R1 10K 5 6 U1B Uo2 Οι κυματομορφές δείχνουν ποιοτικά (όχι ποσοτικά) την τάση στα διάφορα σημεία του κυκλώματος 55

56 Άσκηση 6 Λύση Η σταθερά χρόνου φόρτισης του πυκνωτή C εξαρτάται από την αντίσταση R1 και την εσωτερική αντίσταση εξόδου της πύλης U1A. Η αρχικήτάσηui2 θα είναι Ο πυκνωτής φορτίζεται προς την τάση V DD αλλάότανητάσηφθάσειτηντιμήv TH ηπύλη U1B πηγαίνει στο 0 παρασύροντας την U1A στο 1. Οχρόνοςφόρτισηςτουπυκνωτή μέχρι την τάση V TH είναι: ΛόγωτηςαλλαγήςτηςτάσηςεξόδουτηςπύληςU1A σε 1 θα έχουμε αντίστοιχη αλλαγή τάσης και στο σημείο Ui2. Η αλλαγή της τάσης θα είναι: 56 Ui 2 V T C DD R1 R1 Ron R R Ron V V DD R Ronln 6.87usec R1 V DD 9. 8V R1 Ron V DD TH και συνεπώς η τάση στο σημείο Ui2 θα φτάσει την τιμή 9,8V+V TH =14,8V. Από εκεί θα εκφορτιστεί μέσω των δύο αντιστάσεων στο V DD. Στην πραγματικότητα, οι δίοδοι προστασίας της εισόδου της πύλης U1B θα περιορίσουν την τάση στα V DD +0,7V=10,7V.

57 Άσκηση 6 Λύση Το μέγιστο ρεύμα το τραβά η πύλη την στιγμή του Trigger Ipull(max) VDD R1 Ron 0.98ma Το μέγιστο ρεύμα το δίνει η πύλη στο τέλος του παλμού εξόδου. Αν θεωρήσουμε την αντίσταση αγωγής της διόδου προστασίας αμελητέα τότε έχουμε 14,8V 10V 0.7 Ipush(max) 20. 5ma Ron 57

58 Πανεπιστήμιο Πατρών, Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Τεχνολογίας Υπολογιστών Τομέας Ηλεκτρονικής & Υπολογιστών, Εργαστήριο Ηλεκτρονικών Εφαρμογών Η διάλεξη έγινε στο πλαίσιο του προγράμματος EΠΕΑΕΚ II από το μεταπτυχιακό φοιτητή Παπαμιχαήλ Μιχαήλ για το μάθημα Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα Καθηγητής Κωνσταντίνος Ευσταθίου

59 Back-Up Slides 59

60 Schmitt TriggerΥλοποίηση με CMOS (1) 60

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12 Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

Flip-Flop: D Control Systems Laboratory

Flip-Flop: D Control Systems Laboratory Flip-Flop: Control Systems Laboratory Είναι ένας τύπος συγχρονιζόμενου flip- flop, δηλαδή ενός flip- flop όπου οι έξοδοί του δεν αλλάζουν μόνο με αλλαγή των εισόδων R, S αλλά χρειάζεται ένας ωρολογιακός

Διαβάστε περισσότερα

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11 Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Διάλεξη 11 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή ΗσύνθετηλογικήNMOS ΗσύνθετηλογικήCMOS Η πύλη μετάδοσης CMOS Ασκήσεις 2 Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Εισαγωγή 3 Εισαγωγή Στη λογική

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2 Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs Διάλεξη 2 Δομή της διάλεξης Επανάληψη άλγεβρας Boole Λογική με διόδους Λογική Αντιστάσεων-Τρανζίστορ (Resistor-Transistor Logic ή RTL) Λογική Διόδων-Τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Άσκηση 1 Μία TTL πύλη εγγυάται να τραβάει 10 ma χωρίς να ξεπεράσει το δυναμικό εξόδου VOL(max) = 0.4 Volt και να μπορεί να δώσει 5 ma χωρίς να πέσει το δυναμικό εξόδου

Διαβάστε περισσότερα

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 7η - Ακολουθιακά Κυκλώματα

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.  1 ΗΥ330 - Διάλεξη 7η - Ακολουθιακά Κυκλώματα HY330 Ψηφιακά - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 Μανταλωτές θετικής, αρνητικής πολικότητας Σχεδίαση με Μανταλωτές

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5 Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :

Διαβάστε περισσότερα

Ασύγχρονοι Απαριθμητές. Διάλεξη 7

Ασύγχρονοι Απαριθμητές. Διάλεξη 7 Ασύγχρονοι Απαριθμητές Διάλεξη 7 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στους Απαριθμητές Ασύγχρονος Δυαδικός Απαριθμητής Ασύγχρονος Δεκαδικός Απαριθμητής Ασύγχρονος Δεκαδικός Απαριθμητής με Latch Ασκήσεις 2 Ασύγχρονοι

Διαβάστε περισσότερα

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές Αναστροφέας με φορτίο Enhancement OSFE Η απλούστερη υλοποίηση OSFE αναστροφέα με ενεργό φορτίο χρησιμοποιεί δύο N-OSFES. Στην ανάλυση που ακολουθεί θα διαπιστώσουμε ότι η χαρακτηριστική μεταφοράς απέχει

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4 Λογικά Κυκλώματα NMOS Διάλεξη 4 Δομή της διάλεξης Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS

Διαβάστε περισσότερα

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3 Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ (TTL) και Schottky TTL Διάλεξη 3 Δομή της διάλεξης Το κύκλωμα της πύλης TTL Ανάλυση της πύλης TTL Χαρακτηριστικά της πύλης TTL ΗπύληNAND TTL και άλλα λογικά κυκλώματα TTL Βελτίωση

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) 1 The Current Switch (Μεταγωγός Ρεύματος) Αποτελεί την καρδιά οποιασδήποτε πύλης ECL Q1, Q2 =πανομοιότυπα Rc=matched αντιστάσεις Κύκλωμα μεταγωγού ρεύματος σε πύληecl

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Περιεχόμενα Βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ 6

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ 6 ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ 6 ΚΥΚΛΩΜΑ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΑΠΟΣΤΑΣΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑ ΤΩΝ ΦΟΙΤΗΤΩΝ ΚΩΣΤΑ ΓΙΑΝΝΑΚΙΔΗ

Διαβάστε περισσότερα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2 Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Ιδανικός διακόπτης ΙΔΑΝΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΠΡΑΓΜΑΤΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΙΑΤΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Προαιρετική εργασία «Κατασκευή δυαδικού απαριθμητή με δεκαδική απεικόνιση δεκάδων και μονάδων» Συνυπεύθυνος

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Πρόχειρες σημειώσεις Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Άνοιξη 2008 Παρόλο που οι εξισώσεις των ρευμάτων των MOS τρανζίστορ μας δίνουν

Διαβάστε περισσότερα

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας 2 η διάλεξη 25 Σεπτεμβρίου Πραγματικά τρανζίστορ Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η τάση στο gate του τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Πολυδονητές. Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Πολυδονητές. Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Πολυδονητές Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 009 Πολυδονητές και Μετρητές Ψηφιακής Κυκλώματα Schmitt Λογικής Ασταθής Πολυδονητής

Διαβάστε περισσότερα

Για τη μοντελοποίηση των ταλαντωτών μπορεί να χρησιμοποιηθεί το παρακάτω δομικό διάγραμμα:

Για τη μοντελοποίηση των ταλαντωτών μπορεί να χρησιμοποιηθεί το παρακάτω δομικό διάγραμμα: 7. ΤAΛΑΝΤΩΤΕΣ 7.. Γενικά Οι ταλαντωτές είναι κυκλώματα που, στην έξοδό τους, εμφανίζουν κυματομορφές συγκεκριμένης συχνότητας f o. Οι ταλαντωτές περιλαμβάνουν έναν ενισχυτή και ένα κύκλωμα θετικής ανάδρασης

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας Ο BJT Αναστροφέας Ο πιο απλός αναστροφέας που μπορούμε να υλοποιήσουμε φαίνεται στο διπλανό σχήμα και αποτελείται από ένα τρανζίστορ και δύο αντιστάσεις. Μελετώντας το κύκλωμα θα διαπιστώσουμε ότι οι επιδόσεις

Διαβάστε περισσότερα

Κ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ, Γ. ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ ΠΑΤΡΑ

Κ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ, Γ. ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ ΠΑΤΡΑ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΕΣ Κ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ, Γ. ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ακολουθιακή Λογική 2

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ακολουθιακή Λογική 2 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Ακολουθιακή Λογική Κεφάλαιο 7 ο Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Δισταθή κυκλώματα Μεταστάθεια 2. Μανδαλωτές 3. Flip Flops Flops 4. Δομές διοχέτευσης 5. Διανομή ρολογιού 6. Συγχρονισμός

Διαβάστε περισσότερα

Σύγχρονοι Απαριθμητές. Διάλεξη 8

Σύγχρονοι Απαριθμητές. Διάλεξη 8 Σύγχρονοι Απαριθμητές Διάλεξη 8 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Σύγχρονος Δυαδικός Απαριθμητής Σύγχρονος Δεκαδικός Απαριθμητής Προγραμματιζόμενοι Απαριθμητές Ασκήσεις 2 Σύγχρονοι Απαριθμητές Εισαγωγή 3 Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ.3 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔYΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ.5 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔΕΚΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ.7 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔΕΚΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ ΜΕ LATCH.

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ.3 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔYΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ.5 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔΕΚΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ.7 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔΕΚΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ ΜΕ LATCH. ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΕΣ Κ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ, Γ. ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Γενικές Γραμμές Οικογένειες Ψηφιακής Λογικής Τάση τροφοδοσίας Λογικά επίπεδα - Περιθώριo θορύβου Χρόνος μετάβασης Καθυστέρηση διάδοσης Κατανάλωση ισχύος Γινόμενο

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1 Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα Διάλεξη 1 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στο Μάθημα Βασικές αρχές λογικών κυκλωμάτων Ο BJT ως διακόπτης Μεταβατικά φαινόμενα Παράδειγμα μεταβατικής λειτουργίας Ασκήσεις 2 Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές ΑΝΑΔΡΑΣΗ Στοιχεία Ταλάντωσης Ενισχυτής OUT Ταλαντωτής είναι ένα κύκλωμα που παράγει ηλεκτρικό σήμα σταθερής συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS. Διάλεξη 10

Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS. Διάλεξη 10 Δυναμική συμπεριφορά ων λογικών κυκλωμάων MOS Διάλεξη 10 Δομή ης διάλεξης Εισαγωγή Ανισροφέας NMOS με φορίο ύπου αραίωσης Ανισροφέας CMOS Διάφορα ζηήμαα Ασκήσεις Δυναμική συμπεριφορά ων λογικών κυκλωμάων

Διαβάστε περισσότερα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα 5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι ( ΠΥΚΝΩΤΕΣ) Πυκνωτές O πυκνωτής είναι ένα ηλεκτρικό εξάρτημα το οποίο έχει την ιδιότητα να απορροφά και να αποθηκεύει ηλεκτρική ενέργεια και να την απελευθερώνει, σε προκαθορισμένο

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 3ο. Λιούπης Χαρακτηριστική καµπύλη µεταφοράς τάσης TTL V out (volts) εγγυηµένη περιοχή V OH V OH(min) V OL(max) 2.4 Ηκαµπύλη µεταφοράς εξαρτάται από τη θερµοκρασία περιβάλλοντος

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. (Silicon Controlled Rectifier). πυριτίου (TRlAC). (Silicon Controll ed Switch). - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. (Silicon Controlled Rectifier). πυριτίου (TRlAC). (Silicon Controll ed Switch). - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR 6. Θυρίστορ - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφανεια 1 6. ΤΑ ΘΥΡΙΣΤΟΡ - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR (Silicon Controlled Rectifier). - Η αµφίδροµη δίοδος THYRlSTOR (DIAC). - 0 αµφίδροµος ελεγχόµενος ανορθωτής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΡΛΙ ΑΣ ΗΜΗΤΡΙΟΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟ ΟΙ 9 Πορλιδάς ηµήτριος www.porlidas.gr dporli@physics.auth.gr Τελεστικοί Ενισχυτές Κυκλώµατα Πειραµατικές Μετρήσεις και

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Ταλαντωτές και Πολυδονητές Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Υλοποίηση και Εργαστηριακή Αναφορά Ring και Hartley Ταλαντωτών Φοιτητής: Ζωγραφόπουλος Γιάννης Επιβλέπων Καθηγητής: Πλέσσας Φώτιος

Διαβάστε περισσότερα

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο

Διαβάστε περισσότερα

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΘΕΩΡΙΑ Οι ασκήσεις 3 και 4 αφορούν τον αντιστροφέα CMOS, ο οποίος είναι η απλούστερη αλ α ταυτόχρονα και σημαντικότερη πύλη για την κατανόηση της λειτουργίας των Ολοκληρωμένων

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ενότητα: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts

Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts Εργασία στο μάθημα «Εργαστήριο Αναλογικών VLSI» Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts Ομάδα Γεωργιάδης Κωνσταντίνος konsgeorg@inf.uth.gr Σκετόπουλος Νικόλαος sketopou@inf.uth.gr ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)

Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) CMOS Κάθε λογική πύλη αποτελείται από δύο τμήματα p-mos δικτύωμα, τοποθετείται μεταξύ τροφοδοσίας και εξόδου. Όταν είναι ενεργό φορτίζει την έξοδο στην

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 10 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ακολουθιακή Λογική 2

Κεφάλαιο 10 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ακολουθιακή Λογική 2 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ακολουθιακή Λογική Κεφάλαιο 10 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Δισταθή κυκλώματα Μεταευστάθεια 2. Μανδαλωτές 3. Flip

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικός ενισχυτής (op-amp)

Διαφορικός ενισχυτής (op-amp) Κ. Πολιτόπουλος Διαφορικός ενισχυτής (opamp) Ενισχύει την διαφορά του σήματος εισόδου Vout=G(V V ) Δεν ενδιαφερόμαστε για απόλυτη τιμή τάσης Ground loop Πολλά γραμμικά κυκλώματα Πολλά μη γραμμικά κυκλώματα

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων

Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων ΗΜΥ 2: Σχεδιασμό Ψηφιακών Συστημάτων, Χειμερινό Εξάμηνο 27 Νοε-7 ΗΜΥ-2: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Χειμερινό Εξάμηνο 27 Ακολουθιακά Κυκλώματα: Μανδαλωτές (Latches) και Flip-Flops Flops Διδάσκουσα:

Διαβάστε περισσότερα

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική 1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 Μάθημα : Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Τεχνολογία ΙΙ Τεχνικών Σχολών, Θεωρητικής Κατεύθυνσης

Διαβάστε περισσότερα

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ

ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ ΣΧΟΛΗ ΑΣΠΑΙΤΕ ΤΜΗΜΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ 1) Οι απαριθμητές ή μετρητές (counters) είναι κυκλώματα που

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8: Ταλαντωτές Γεννήτριες σήματος Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 9. Tα Flip-Flop

ΑΣΚΗΣΗ 9. Tα Flip-Flop ΑΣΚΗΣΗ 9 Tα Flip-Flop 9.1. ΣΚΟΠΟΣ Η κατανόηση της λειτουργίας των στοιχείων μνήμης των ψηφιακών κυκλωμάτων. Τα δομικά στοιχεία μνήμης είναι οι μανδαλωτές (latches) και τα Flip-Flop. 9.2. ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts) Εισαγωγή Η τεχνολογία COS εφευρέθηκε από τον Δρ. Frank Wanlass (17/5/33) το 1963 και κατοχυρώθηκε με πατέντα το 1967 (Αρ. πατέντας 3,356,5). Η COS τεχνολογία είναι αυτή που έχει κάνει πραγματικότητα την

Διαβάστε περισσότερα

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ.

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

100 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΜΕ ΤΙΣ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΕΣ ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

100 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΜΕ ΤΙΣ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΕΣ ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 100 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΜΕ ΤΙΣ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΕΣ ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1) Να μετατρέψετε τον δεκαδικό αριθμό (60,25) 10, στον αντίστοιχο δυαδικό 11111,11 111001,01 111100,01 100111,1 111100,01 2)

Διαβάστε περισσότερα

i C + i R i C + i R = 0 C du dt + u R = 0 du dt + u RC = 0 0 RC dt ln u = t du u = 1 RC dt i C = i R = u R = U 0 t > 0.

i C + i R i C + i R = 0 C du dt + u R = 0 du dt + u RC = 0 0 RC dt ln u = t du u = 1 RC dt i C = i R = u R = U 0 t > 0. Α. Δροσόπουλος 6 Ιανουαρίου 2010 Περιεχόμενα 1 Κυκλώματα πρώτης τάξης 2 1.1 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RC πρώτης τάξης.................................. 2 1.2 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RL πρώτης τάξης...................................

Διαβάστε περισσότερα

Ακολουθιακά κυκλώματα: Μανδαλωτές και Flip-Flop. Διάλεξη 6

Ακολουθιακά κυκλώματα: Μανδαλωτές και Flip-Flop. Διάλεξη 6 Ακολουθιακά κυκλώματα: Μανδαλωτές και Flip-Flop Διάλεξη 6 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στην ακολουθιακή λογική Ομανδαλωτής SR Latch JK Flip-Flop D Flip-Flop Timing Definitions Latch vs Flip-Flop Ασκήσεις

Διαβάστε περισσότερα

6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ

6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ 6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ 1 2 Οποιοδήποτε κύκλωμα εμπεριέχει την έννοια της τρέχουσας κατάστασης είναι ακολουθιακό. Έτσι, κυκλώματα όπως ΜΠΚ, καταχωρητές,

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ

ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ ΣΧΟΛΗ ΑΣΠΑΙΤΕ ΤΜΗΜΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ 1) Οι σύγχρονοι μετρητές υλοποιούνται με Flip-Flop τύπου T

Διαβάστε περισσότερα

Από τους κλασικούς ταλαντωτές, στους ταλαντωτές που ελέγχονται από τάση ή

Από τους κλασικούς ταλαντωτές, στους ταλαντωτές που ελέγχονται από τάση ή Από τους κλασικούς ταλαντωτές, στους ταλαντωτές που ελέγχονται από τάση ή VCOs: Voltage Controlled Oscillators του Αθανάσιου Νασιόπουλου, Καθ. Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας 1. Πρόλογος Εγκαινιάζουμε αυτή

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Η λειτουργία RESET R IN OUT Εάν το σήμα R είναι λογικό «1» στην έξοδο

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Συστήματα. 7. Κυκλώματα Μνήμης

Ψηφιακά Συστήματα. 7. Κυκλώματα Μνήμης Ψηφιακά Συστήματα 7. Κυκλώματα Μνήμης Βιβλιογραφία 1. Φανουράκης Κ., Πάτσης Γ., Τσακιρίδης Ο., Θεωρία και Ασκήσεις Ψηφιακών Ηλεκτρονικών, ΜΑΡΙΑ ΠΑΡΙΚΟΥ & ΣΙΑ ΕΠΕ, 2016. [59382199] 2. Floyd Thomas L., Ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) Τα ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώματα χωρίζονται σε κατηγορίες ( λογικές οικογένειες ) ανάλογα με την τεχνολογία κατασκευής

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 2ο. Λιούπης Transistor διπολικής επαφής (BJT) I B B C E I C Στα ψηφιακά κυκλώµατα χρησιµοποιείται κατά κύριο λόγο ως διακόπτης Στο σχήµαφαίνεταιένα τυπικό BJT τύπου NPN I B :

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Εργαστηριακές Ασκήσεις Εργαστήριο 5 Κυκλώματα RC (φόρτιση/εκφόρτιση πυκνωτή, σύνθετη αντίσταση) Φ. Πλέσσας

Διαβάστε περισσότερα

Ι. Ν. ΛΥΓΟΥΡΑΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ Δ. Π. Θ

Ι. Ν. ΛΥΓΟΥΡΑΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ Δ. Π. Θ Ι. Ν. ΛΥΓΟΥΡΑΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ Δ. Π. Θ Έκδοση 4 η 4 Στη Χαρά τον Νίκο και τον Λευτέρη 5 6 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΡΟΛΟΓΟΣ 15 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ 1.1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ 19 1.2. Ο

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός

Διαβάστε περισσότερα

ε. Ένα κύκλωμα το οποίο παράγει τετραγωνικούς παλμούς και απαιτείται εξωτερική διέγερση ονομάζεται ασταθής πολυδονητής Λ

ε. Ένα κύκλωμα το οποίο παράγει τετραγωνικούς παλμούς και απαιτείται εξωτερική διέγερση ονομάζεται ασταθής πολυδονητής Λ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΤΑΞΗ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Α ) & ΜΑΘΗΜΑΤΩΝ ΕΙΔΙΚΟΤΗΤΑΣ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Β ) ΣΑΒΒΑΤΟ 16/04/2016 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ (ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΠΕΝΤΕ (5) ΕΝΔΕΙΚΤΙΚΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18)

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) Άσκηση 1. Α) Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος την χρονική στιγμή t=0 sec ο διακόπτης κλείνει. Βρείτε τα v c και i c. Οι πυκνωτές είναι αρχικά αφόρτιστοι. Β)

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 Μάθημα : Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Τεχνολογία ΙΙ Τεχνικών Σχολών, Θεωρητικής Κατεύθυνσης

Διαβάστε περισσότερα

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ

Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β' Σκοπός της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Σημείωμα

Διαβάστε περισσότερα