Δομή της διάλεξης. Schmitt Trigger Πολυδονητές ΟΧρονιστής555 Ταλαντωτής δακτυλίου Ασκήσεις
|
|
- Ἀγαπητός Αθανασιάδης
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Κυκλώματα Χρονισμού
2 Δομή της διάλεξης Schmitt Trigger Πολυδονητές ΟΧρονιστής555 Ταλαντωτής δακτυλίου Ασκήσεις 2
3 Κυκλώματα Χρονισμού Schmitt Trigger 3
4 Schmitt Trigger Αναγεννητικό κύκλωμα Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης με υστέρηση Διαφορετικά κατώφλια εισόδου για σήματα τάσης μεταβαλλόμενα προς τα θετικά και προς τα αρνητικά Επαναφέρει τις ακμές των σημάτων εισόδου Χρήσιμο σε περιπτώσεις που το σήμα έχει διέλθει από μακριά γραμμή και έχει ταλαντώσεις 4
5 Χαρακτηριστική Μεταφοράς Τάσης και Σύμβολο V ou t V OH In Out V OL V M V M+ V in 5
6 Καταστολή Θορύβου V in V out V M V M t 0 t t 0 +t p t 6
7 Υλοποίηση με BJTs (1) Eξήγηση Διαδρομής από a σε c: Αρχικά Vin=Low, Q1=OFF, Q2=κόρος, Vout=Low=0.1+ VE a)vin αυξάνεται σταδιακά. Όταν V1=b, Q1 σχεδόν έτοιμο προς αγωγή, δηλ. Vin=VE+ VBE(on). Μικρή περαιτέρω αύξηση της Vin προκαλεί : VC1 = λόγωότιιc1=. (Ισχύει: Vc1= Vcc-VR1=Vcc-Ic1 R1).) Επιπλέον VE= (διότι Vin=VE+ VBE(on) και VBE(on)=const=0.7 VBE2 ( = VCE1 = VC1-VE) συμπιέζεται ραγδαία σε VBE2< VBE(on) Q2=OFF, Q1=κόρος και Vout c = Vcc, V1N= VΤ+= VE+VBE(on), Περαιτέρω αύξηση της Vin σπρώχνει Q1 7 περισσότερο στον κόρο και Q2 συνεχίζει OFF, διότι VCE1=VBE2=0.1
8 Υλοποίηση με BJTs (2) Eξήγηση Διαδρομής από c σε a. Στο c Q1 =κόρος, Q2=OFF. Vin μειώνεται σταδιακά, και όταν Vin =d Q1=ενεργός περιοχή (επειδή Vin τότεvb<vc) και VCE1=VBE2 >0.1 VBE(on). Με Vin τότεic1 καιve= (διότι Vin=VE+ VBE(on) και VBE(on)=const=0.7) Συνολικό αποτέλεσμα= Q2=ON όταν VCE1=VBE2=VBE(on) Ic2 λόγωvbe2 και Ic1 (λόγω και μεταλλαγή ρεύματος από Q1 σε Q2) και τελικά Q2 στον κόρο και Q1=Off και απότομη μετάβαση από d σε c. Switching point για αυτή την μετάβαση : VCE1=VBE2=VBE(on) και VT- = Vin= VE + 8 VBE(on)) σε αυτό το σημείο OFF
9 Παράδειγμα για Scmitt Triger κυκλώματος προηγούμενης διαφάνειας (1) 9
10 Παράδειγμα για Scmitt Triger κυκλώματος προηγούμενης διαφάνειας (2) 10
11 Υλοποίηση με CMOS (2) V DD Βασική Ιδέα : Switching Threshold του CMOS αντιστροφέα (Μ1, Μ2) καθορίζεται από το λόγο (kn/kp) μεταξύ των NMOS και M 2 M 4 PMOS transistors : Αύξηση του λόγου αυτού οδηγεί σε μείωση του threshold ( V in X V out VT-), και μείωσή του οδηγεί σε αύξηση του threshold (VT+). M 1 M 3 Α) Έστω αρχικά Vin=0 Vout=0 M3=OFF,M4=ON. Πρακτικά ο inverter έχει πλέον ως pull-up network τα Μ2 και Μ4 εν παραλλήλω και ως pull-down μόνο το Μ1 effective (inverter) transistor. ratio= k M1 /(k M2 +k M4 ) αυξάνεται το switching threshold σε VT+. Έτσι όταν Vin> VT+ => X αρχίζει να αναστρέφει προς 0, Vout αναστρέφει προς 1=> τότε Μ4=OFF και Μ3=ON. M1, M3 =pull-down network πλέον ραγδαία κατεβάζουν Χ στο 0 και Vout μεταβαίνει ραγδαία στο 1 (μετάβαση b c ). Αντίστροφα ισχύουν από μετάβαση c d a: Σε c Vout=1 M4=OFF,M3=ON. Πρακτικά ο inverter έχει πλέον ως pull-down network τα Μ1 και Μ3 εν παραλλήλω και ως pull-up μόνο το Μ2 effective (inverter) transistor ratio= (k M1 +k M3 )/ k M2 μειώνεταιτο switching threshold σε VT-. Έτσι όταν Vin<VT- =>X αρχίζεινααναστρέφειπρος1, Vout αναστρέφει προς 0 => τότε M3=OFF,M4=ON οπότε ανεβάζουν ραγδαία το Χ στο 1 και κατεβάζουν 11 ραγδαία το Vout στο 0 (μετάβαση c a)
12 Κυκλώματα Χρονισμού Πολυδονητές 12
13 Πολυδονητές Αναγεννητικά κυκλώματα 3 τύποι: Διπλοσταθερό κύκλωμα: δύο σταθερές καταστάσεις, αλλάζει κατάσταση με σκανδαλισμό και μένει σε αυτή σταθερά, εφαρμογή: latches και Flip-Flops Μονοσταθές κύκλωμα: μία σταθερή κατάσταση και μία ημισταθή συγκεκριμένης χρονικής διάρκειας (προσδιορίζεται από τις παραμέτρους του κυκλώματος) στην οποία εισέρχεται με σκανδαλισμό και μετά επιστρέφει στην σταθερή κατάσταση, εφαρμογή: one shot timer Ασταθές κύκλωμα: δεν έχει σταθερές καταστάσεις, ταλαντώνεται μεταξύ δύο ημισταθών καταστάσεων, η διάρκεια κάθε μίας προσδιορίζεται από τις παραμέτρους του κυκλώματος, εφαρμογή: oscillator 13
14 Πολυδονητές R S Bistable Multivibrator flip-flop, Schmitt Trigger T Monostable Multivibrator one-shot Astable Multivibrator oscillator 14
15 Μονοσταθής Πολυδονητής Λειτουργία (κανονικοποιητής παλμών): 15
16 Μονοσταθής Πολυδονητής Αρχή λειτουργίας: Στην κατάσταση ισορροπίας και οι δύο είσοδοι της XOR=ταυτόσημοι=0 Out=0. Μετάβαση σε 1 μίας εισόδου δημιουργεί προσωρινά (για td) διαφοροποίηση των XOR εισόδων Out=1. Μετά τον χρονο td (λόγω στοιχείου καθυστέρησης είσοδοι ταυτόσημοι και πάλι=1 Out=0. Delay element: συνήθως RC δίκτυο, ή χρήση αλυσίδας πυλών In DELAY t d Out t d 16
17 Παράδειγμα monostable multivibrator (με χρήση καθυστέρησης πύλης NAND) In In N1 X N2 Out X t plh Out = Mono-Stable Multi-Vibrator 17
18 Μονοσταθής Πολυδονητής Κύκλωμα με χρήση CMOS NOR πυλών: Ηπηγήυ I παρέχει θετικούς παλμούς σκανδαλισμού 18
19 Μονοσταθής Πολυδονητής (a) Δίοδοι σε κάθε είσοδο μιας CMOS πύλης δύο εισόδων (b) Ισοδύναμο κύκλωμα διόδων όταν οι δύο είσοδοι είναι συνδεδεμένες μεταξύ τους 19 Οι δίοδοι έχουν ρόλο να προστατεύουν τις πύλες των συσκευών από πιθανές καταστρεπτικές υπερτάσεις λόγω συσσώρευσης στατικού ηλεκτρικού φορτίου
20 Μονοσταθής Πολυδονητής Προσεγγιστικό ισοδύναμο κύκλωμα εξόδου CMOS πύλης όταν η έξοδος είναι (a) low ηπύλητραβάειρεύμακαι(b) high η πύλη παρέχει ρεύμα. 20
21 Μονοσταθής Πολυδονητής Ισοδύναμο κύκλωμα κατά την εκφόρτιση της C στο τέλος του κανονικοποιημένου χρόνου T 21
22 Μονοσταθής Πολυδονητής 22 Οι κυματομορφές στους διάφορους κόμβους του κυκλώματος
23 Μονοσταθής Πολυδονητής Υπολογισμός Περιόδου Τ Λόγω Διαιρέτη τάσης που σχηματίζουν τα R, Ron ισχύει ότι: ΔV1=V DD R/ (R+Ron) (1) V 12(t) = V DD ΔV1 e (-t/τ1) (2) τ1=c(r+ron), Θέτοντας t=t, v12(t)=vth στην (1) και αντικαθιστώντας την ΔV1 από την εξίσωση (2) παίρνουμε : 23
24 Ασταθής Πολυδονητής Βασικό Κύκλωμα Αstable Κύκλωμα με χρήση CMOS NOR πυλών αποτελούμενο από RC δικτύωμα και κατάλληλη ανάδραση Το κύκλωμα αυτό καλούμενο και relaxation oscillator αποτελεί έναν βολικό τρόπο για την δημιουργία σήματος ρολογιού εφόσον οι απαιτήσεις για σταθερότητα στην συχνότητα (frequency stability ) δεν είναι αυστηρές 24
25 Ασταθής Πολυδονητής-Κυματομορφές Οι κυματομορφές του κυκλώματος Οι δίοδοι στην είσοδο έχουν θεωρηθεί ιδανικές και επομένως περιορίζουν την τάση υ I1 μεταξύ 0 και V DD 25
26 Ασταθής Πολυδονητής- Αρχή Λειτουργίας Έστω t=0=> vi1 Aνέρχεται στο 1- όταν αυτό ξεπεράσει Vth => πύλες G1, G2 αλλάζουν κατάσταση => vο1=0, vο2=1. Η απότομη μεταβολή (κατά +VDD) στο v02 προκαλεί συνεπακόλουθη άνοδο (μέσω του C οοποίος στιγμιαία παραμένει αμετάβλητος) και στο vi1 -η τιμήτουανeβαίνει έως το VDD (και όχι περισσότερο) λόγω της διόδου προστασίας. Κατόπιν τούτου το C αρχίζει να ξεφορτίζεται (με σταθερά χρόνου RC) Όταν η τιμή του πέσει κάτω του Vth, τότε μεταβάλλεται και πάλι η κατάσταση των G1, G2 => vο1=1, vο2=0. Η απότομη μεταβολή (κατά - VDD) στο v02 προκαλεί συνεπακόλουθη πτώση (μέσω του C οοποίος στιγμιαία παραμένει αμετάβλητος) και στο vi1 -η τιμή του κατεβαίνει έως το 0 (και όχι πιο κάτω) λόγω της διόδου προστασίας. Κατόπιν τούτου το C αρχίζει να φορτίζεται (με σταθερά χρόνου RC) προς το VDD έως ότου ξεπεράσει και πάλι το Vth, οπότε και πάλι v01=0, v02=1,και ο προηγούμενος κυκλος επαναλαμβάνεται 26
27 Ασταθής Πολυδονητής-Υπολογισμός Περιόδου T=T(high) +T(Low)= T H + T L Υπολογισμός T H : T H =ο χρόνος που χρειάζεται για να φορτισθεί η Vi1 έως την Vth Vi1 (t)= V DD (1 e (-t/τ) ), τ=rc. Θεωρώντας t=t H => Vi1(t)=Vth => Vth = V DD V DD e (-T H/τ) => e (-T H/RC) = (V DD Vth ) / V DD =>T H =RC ln [(V DD /(V DD Vth )] Υπολογισμός T L : T L =ο χρόνος που χρειάζεται για να εκφορτισθεί η Vi1 από την V DD έως την Vth Vi1 (t)= V DD e (-t/τ), τ=rc. Θεωρώντας t=t L => Vi1(t)=Vth => Vth=V DD e (-T L/τ) => e (-T L/RC) =Vth /V DD =>T L =RC ln (V DD /Vth ) T=T H + T L = RC [ ln [(V DD /(V DD Vth )] + ln (V DD /Vth )]=> T= RC ln [[(V DD /(V DD Vth )] (V DD /Vth )] 27
28 Κυκλώματα Χρονισμού ΟΧρονιστής555 28
29 Χρονιστής 555 Μπλοκ διάγραμμα που αναπαριστά το εσωτερικό κύκλωμα του χρονιστή 555 V TH =2/3 V CC V TL =1/3 V CC 29
30 Χρονιστής Μονοσταθής 30 (a) Οι συνδέσεις του χρονιστή 555 για χρήση ως μονοσταθούς πολυδονητή, (b) οι κυματομορφές του κυκλώματος
31 31
32 32
33 Χρονιστής Μονοσταθής Υπολογισμός Τ, Τ= ο χρόνος που χρειάζεται για να φορτισθεί οπυκνωτήςαπό0 έως Vth. Τότε ισχύει: Vc (t)= V CC (1- e (-t/rc) ). Θεωρώντας t=t => Vc (t)= Vth=2/3 V CC => T=CRln3 =1.1 CR 33
34 Χρονιστής Ασταθής 34 (a) Οι συνδέσεις του χρονιστή 555 για χρήση ως ασταθούς πολυδονητή, (b) οι κυματομορφές του κυκλώματος
35 35 Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 Καθηγητής Κωνσταντίνος Ευσταθίου
36 Χρονιστής Ασταθής -Υπολογισμός Τ 36
37 Κυκλώματα Χρονισμού Ταλαντωτής δακτυλίου 37
38 Ταλαντωτής δακτυλίου (Ring Oscillator) Ταλαντωτής δακτυλίου (Ring Oscillator) Σχηματίζεται με την δακτυλιοειδή σύνδεση περιττού αριθμού αντιστροφέων (η έξοδος του ενός οδηγεί την είσοδο του επόμενου) Χρήσιμο και για τη μέτρηση του μέσου χρόνου καθυστέρησης μετάδοσης μιας λογικής πύλης 38
39 Ταλαντωτής δακτυλίου (Ring Oscillator) Λειτουργία του ταλαντωτή Συχνότητα ταλάντωσης: f 1 2Nt P όπου Ν είναι ο αριθμός των αντιστροφέων 39
40 Ταλαντωτής δακτυλίου Ελεγχόμενος απότάση (1) (Voltage Controlled Ring Oscillator ) O ταλαντωτής δακτυλίου των προηγούμενων διαφανειών,παράγει ταλάντωση σε μία συγκεκριμένη και μόνον συχνότητα. Πιθανός τρόπος γι α μεταβολή συχνότητας ταλάντωσης = έλεγχος του propagation delay των inverters Έλεγχος του ρεύματος εκφόρτισης (έλεγχος του χρόνου μετάβασης από high σε low,tphl ) και φόρτισης (έλεγχος του χρόνου μετάβασης από low σε high, tplh ) της χωρητικότητας της κάθε πύλης)- current starved inverter Το παραπάνω κύκλωμα χρησιμοποιεί παραπανήσια NMOS devices που επηρεάζουν και ελέγχουν το ρεύμα εκφόρτισης κάθε πύλης (και άρα του tphl) μέσω του vcontrol στο M3 λ.χ. μείωση του vcontr μειώνει το ρεύμα εκφόρτισης μέσω του 40 M3 και συνεπώς αυξάνεται το tphl
41 Ταλαντωτής δακτυλίου Ελεγχόμενος απότάση (2) (Voltage Controlled Ring Oscillator ) Πλήρες κύκλωμα current starved inverter Εδώ περιλαμβάνονται και οι παρaπάνήσιες διατάξεις (Μ2, Μ3 και Μ4( που είναι απαραίτητες για τον έλεγχο του ρεύματος φόρτισης και άρα του χρόνου tplh κάθε πύλης To ρεύμα που διέρχεται μέσα από το M5 ελέγχεται από την τάση vcontr και καθρεφτίζεται (αναπαράγεται ταυτόσημα) μέσω των Μ6 και Μ4 στο ρεύμα φόρτισης (της χωρητικότητας ) της πύλης που διέρχεται από τα Μ4 και Μ2 (ID4=IDS6). Γίνεται επιπλέων χρήση Schmitt trigger για την αποκατάσταση των slopes (παρυφών) του 41 σήματος και επιπρόσθετου inverter για αποκατάσταση πολικότητας του σήματο ς
42 Ταλαντωτής δακτυλίου Ελεγχόμενος απότάση (3) (Voltage Controlled Ring Oscillator ) 42
43 VCO βασισμένο σε Differential Delay Element v 3 V o 2 V o 1 v 1 in1 v 2 v 4 43 V ctrl delay cell V 1 V 2 V 3 V time (ns) simulated waveforms of 2-stage VCO two stage VCO Άλλη προσέγγιση για VCO είναι με χρήση differential delay element. Δεδομένου ότι το cell αυτό διαθέτει τόσο αναστρέφουσες όσο και μη αναστρέφουσες εξόδους ο ταλαντωτής αυτός μπορεί να υλοποιηθεί και με άρτιο αριθμό σταδίων. Το πάνω δεξιά κύκλωμα είναι μια τέτοια υλοποίηση στο οποίο το feedback loop δημιουργεί διαφορά φάσης 180 ο μέσω δύο cells (αναστρέφων και μη) η οποία δημιουργεί την ταλάντωση. Το πλεονέκτημα αυτού του VCO σε σχέση με τον ταλαντωτή δακτυλίου είναι ότι είναι περισσότερο ανθεκτικός σε (common mode) θόρυβο, όπως αυτός της τροφοδοσίας, ενώ το μειονέκτημά του είναι η μεγαλύτερη κατανάλωση ισχύος
44 Κυκλώματα Χρονισμού Ασκήσεις 44
45 Άσκηση 1 Εκφώνηση (προς λύση) Στο παρακάτω σχήμα φαίνεται ένα εναλλακτικό κύκλωμα για τον CMOS πολυδονητή. (α) Σχεδιάστε τις κυματομορφές τάσης στα V1, V2, Vx με ένα κατάλληλο σύστημα σκανδαλισμού. (β) Αναπτύξτε μία απλή εξίσωση για το εύρος του παλμού εξόδου στην V1. 45
46 Άσκηση 2 Εκφώνηση (προς λύση) Στο παρακάτω σχήμα φαίνεται ένα NMOS Schmitt trigger κύκλωμα. Υποθέστε ότι V TD =-2V, V TE =+1V, k =20μA/V2, και γ=λ=0. Να σχεδιάσετε την VTC με εκτιμήσεις για τις V T+ και V T-. 46
47 Άσκηση 3 Εκφώνηση Βρείτε μία έκφραση για την συχνότητα ταλάντωσης F o του ασταθούς πολυδονητή του παρακάτω σχήματος υπό την συνθήκη V TH =V DD /2. Βρείτε τις κατάλληλες τιμές R1 και C ώστε F o =100K. Ui1 1 2 U1A Uo1 R1 10K C1 5 6 U1B Uo2 490pF 47
48 Άσκηση 3 Λύση (1) Η τάση στην είσοδο της πύλης U 1A μεταβάλλεται λόγω της φόρτισης του πυκνωτή C1. Ο πυκνωτής C1 φορτίζεται από την τάση V d (τάση αγωγής της διόδου προστασίας της εισόδου της πύλης CMOS) προς την τάση τροφοδοσίας. Η φόρτιση σταματά όταν ητάσηuo1 φτάσει την τάση V TH της πύλης. ΛόγωτηςσυμμετρίαςτηςV TH τα ίδια ισχύουν και για την εκφόρτιση του πυκνωτή. Η τιμή της ημιπεριόδου είναι: T (R1 Ron)C1 ln V DD V V DD TH R1 Vd R1 Ron V DD T R1 C1 ln R1 C1 1,02 V V Vd DD TH 1 R1 C1 4,9u sec 2,04 Fo Επιλέγουμε ως R1 μια μεγάλη αντίσταση έτσι ώστε το λάθος που εισάγεται λόγω της απαλοιφής της R on να μην είναι σημαντικό (R1=10K). Συνεπώς ο πυκνωτής C1=490pF. Προσοχή : Η λογική για τον υπολογισμό των R,C είναι σωστή αλλά η παραπάνω 48 εξίσωση που δίδεται για υπολογισμό του Τ δεν είναι σωστή. Ο σωστός υπολογισμός του Τ αναλύεται στην επόμενη διαφάνεια
49 Άσκηση 3 Λύση (2) Διορθωμένος (σωστός) υπολογισμός του Τ: Η τιμή της ημιπεριόδου φόρτισης του πυκνωτή (τα ίδια ισχύουν και για την ημιπερίοδο εκφόρτισης ) είναι: Vi1 (t)= V DD -(V DD +V d ) e (-t/τ) ), τ=r1+ron, V d = (τάση αγωγής της διόδου προστασίας της εισόδου της πύλης CMOS)=> => Θεωρώντας t=t H => Vi1(t)=Vth => Vth = V DD -(V DD +V d e (-T/τ) ) => e (-T/(R1+Ron)C1) = (V DD Vth ) /( V DD +V d ) => => T=(R1 +Ron) C1 ln [(V DD +V d )/ (V DD Vth )] και εδώ μπορεί να θεωρηθεί ότι R1 >>Ron και άρα T=R1 C1 ln [(V DD +V d )/ (V DD Vth )], οπότε τα R1, C1 μπορούν να υπολογιστούν (με απλή αντικατάσταση των τιμών τω στοιχείων )όπως από προηγούμενη διαφάνεια 49
50 Άσκηση 4 Εκφώνηση Χρησιμοποιώντας το κύκλωμα του παρακάτω σχήματος, σχεδιάστε ένα μονοσταθές κύκλωμα λογικής CMOS στο οποίο R on =100Ω, V DD =5V και V TH =0.4V DD. Χρησιμοποιείστε C=1μF για να δημιουργήσετε παλμό διάρκειας 1 sec. Ποιά είναι η τιμή της R που πρέπει να χρησιμοποιηθεί; VDD Ui1 V2 VPWL 1 2 U1A Uo1 C1 1nF Ui2 R1 10K 5 6 U1B Uo2 50
51 Άσκηση 4 Λύση Η σταθερά χρόνου φόρτισης του πυκνωτή C εξαρτάται από την αντίσταση R1 και την εσωτερική αντίσταση εξόδου της πύλης U1A. Η αρχικήτάσηui2 δίνεται από το διαιρέτη τάσης λόγω των R on και R1. Ο πυκνωτής φορτίζεται προς την τάση V DD αλλά όταν η τάση φθάσει την τιμή V TH ηπύληu1b πηγαίνει στο 0 παρασύροντας την U1A στο 1 Θεωρούμε ότι η R1 είναι πολύ μεγαλύτερη από την R on και έτσι ο χρόνος φόρτισης του πυκνωτή μέχρι την τάση V TH θα είναι: T 1sec C R1 910K R1 Ron ln R1 R1 Ron V V DD DD V TH 1u R1 ln
52 Άσκηση 5 Εκφώνηση Ένας απλός NMOS μονοσταθής πολυδονητής φαίνεται στο παρακάτω σχήμα. Υποθέστε ότι V TD =-2V, V TE =+1V, k =20μA/V2, και γ=λ=0. (α) Σχεδιάστε τις κυματομορφές τάσης στις V DS2, V GS4 και V DS4 με ένα κατάλληλο σήμα σκανδαλισμού. (β) Υπολογίστε την τιμή του Cx για ένα εύρος παλμού εξόδου 10μsec. 52
53 Άσκηση 5 Λύση Τα Μ1, Μ2, Μ3 αποτελούν μία πύλη NOR. Τα Μ4, Μ5 αποτελούν μία πύλη NOT. To M6 συμπεριφέρεται σαν μία πηγή ρεύματος που φορτίζει τον πυκνωτή. Αρχικά η είσοδος είναι 0 και η έξοδος της NOR είναι 1 αφού και η έξοδος του αναστροφέα είναι 0 εφ όσον έχει είσοδο 1 που προκύπτει από το M6. Όταν η είσοδος Vin γίνει 1 ηέξοδοςτηςnor και συνεπώς το ένα (αριστερό) άκρο του πυκνωτή θα γίνει 0, συμπαρασύροντας την είσοδο του αναστροφέα στο 0. Ο πυκνωτής τώρα θα φορτίζεται με σταθερό ρεύμα μέσα από το Μ6. Ας σημειωθεί ότι θεωρούμε την αντίσταση Rdon του Μ2 πολύ μικρή (δείτε τους λόγους W/L των Μ2 και Μ6). 53
54 Άσκηση 5 Λύση Το Μ6 θα συμπεριφέρεται σαν πηγή ρεύματος όσο η τάση V DS >(V GS -V TE ) V DS >2V ή αλλιώς όσο η τάση στο δεξί άκρο του πυκνωτή είναι μικρότερη από 3V (πράγματι όταν V DS =2V Το ρεύμα που παρέχει το Μ6 είναι: Όταν η τάση στο δεξί άκρο του πυκνωτή φτάσει την τάση αγωγής του Μ4,(ξεπεράσει δηλ.το 1V- υπενθυμίζεται ότι η τάση κατωφλίου τότε η έξοδος του αναστροφέα γίνεται 0 και η έξοδος της NOR γίνεται 1. Ο χρόνος που απαιτείται για την φόρτιση του πυκνωτή ισοδυναμεί με τον χρόνο που χρειάζεται να ανέλθει η τάση (του πυκνωτή) έως τα 1 Volts Άρα από τερματικές εξισώσεις πυκνωτή=> => ic= I DS (M6)= Cx (ΔV/ Δt)= Cx (1/T)=> 8μΑ= Cx 1/10 μs => => Cx= 80 pf. 54. I DS ( M 6) k' (0 ( 2)) 8
55 Άσκηση 6 Εκφώνηση Οι κυματομορφές για το μονοσταθές κύκλωμα του παρακάτω σχήματος δίδονται στο σχήμα. Έστω V DD = 10V, V TH = V DD /2, R=10K, C=1nF και R on =200Ω. Βρείτε τις τιμές των Τ, ΔV1 και ΔV2. Πόσο μεταβάλλεται η u O1 κατά την διάρκεια της ημιευσταθούς κατάστασης; Ποιο είναι το μέγιστο ρεύμα που τραβά η U1A; Ποιο είναι το αντίστοιχο ρεύμα που παρέχει; VDD Ui1 V2 VPWL 1 2 U1A Uo1 C1 1nF Ui2 R1 10K 5 6 U1B Uo2 Οι κυματομορφές δείχνουν ποιοτικά (όχι ποσοτικά) την τάση στα διάφορα σημεία του κυκλώματος 55
56 Άσκηση 6 Λύση Η σταθερά χρόνου φόρτισης του πυκνωτή C εξαρτάται από την αντίσταση R1 και την εσωτερική αντίσταση εξόδου της πύλης U1A. Η αρχικήτάσηui2 θα είναι Ο πυκνωτής φορτίζεται προς την τάση V DD αλλάότανητάσηφθάσειτηντιμήv TH ηπύλη U1B πηγαίνει στο 0 παρασύροντας την U1A στο 1. Οχρόνοςφόρτισηςτουπυκνωτή μέχρι την τάση V TH είναι: ΛόγωτηςαλλαγήςτηςτάσηςεξόδουτηςπύληςU1A σε 1 θα έχουμε αντίστοιχη αλλαγή τάσης και στο σημείο Ui2. Η αλλαγή της τάσης θα είναι: 56 Ui 2 V T C DD R1 R1 Ron R R Ron V V DD R Ronln 6.87usec R1 V DD 9. 8V R1 Ron V DD TH και συνεπώς η τάση στο σημείο Ui2 θα φτάσει την τιμή 9,8V+V TH =14,8V. Από εκεί θα εκφορτιστεί μέσω των δύο αντιστάσεων στο V DD. Στην πραγματικότητα, οι δίοδοι προστασίας της εισόδου της πύλης U1B θα περιορίσουν την τάση στα V DD +0,7V=10,7V.
57 Άσκηση 6 Λύση Το μέγιστο ρεύμα το τραβά η πύλη την στιγμή του Trigger Ipull(max) VDD R1 Ron 0.98ma Το μέγιστο ρεύμα το δίνει η πύλη στο τέλος του παλμού εξόδου. Αν θεωρήσουμε την αντίσταση αγωγής της διόδου προστασίας αμελητέα τότε έχουμε 14,8V 10V 0.7 Ipush(max) 20. 5ma Ron 57
58 Πανεπιστήμιο Πατρών, Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Τεχνολογίας Υπολογιστών Τομέας Ηλεκτρονικής & Υπολογιστών, Εργαστήριο Ηλεκτρονικών Εφαρμογών Η διάλεξη έγινε στο πλαίσιο του προγράμματος EΠΕΑΕΚ II από το μεταπτυχιακό φοιτητή Παπαμιχαήλ Μιχαήλ για το μάθημα Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα Καθηγητής Κωνσταντίνος Ευσταθίου
59 Back-Up Slides 59
60 Schmitt TriggerΥλοποίηση με CMOS (1) 60
Μνήμες RAM. Διάλεξη 12
Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού
Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με
Διαβάστε περισσότεραFlip-Flop: D Control Systems Laboratory
Flip-Flop: Control Systems Laboratory Είναι ένας τύπος συγχρονιζόμενου flip- flop, δηλαδή ενός flip- flop όπου οι έξοδοί του δεν αλλάζουν μόνο με αλλαγή των εισόδων R, S αλλά χρειάζεται ένας ωρολογιακός
Διαβάστε περισσότεραΠολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11
Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Διάλεξη 11 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή ΗσύνθετηλογικήNMOS ΗσύνθετηλογικήCMOS Η πύλη μετάδοσης CMOS Ασκήσεις 2 Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Εισαγωγή 3 Εισαγωγή Στη λογική
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2
Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs Διάλεξη 2 Δομή της διάλεξης Επανάληψη άλγεβρας Boole Λογική με διόδους Λογική Αντιστάσεων-Τρανζίστορ (Resistor-Transistor Logic ή RTL) Λογική Διόδων-Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΦροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών
Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Άσκηση 1 Μία TTL πύλη εγγυάται να τραβάει 10 ma χωρίς να ξεπεράσει το δυναμικό εξόδου VOL(max) = 0.4 Volt και να μπορεί να δώσει 5 ma χωρίς να πέσει το δυναμικό εξόδου
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 7η - Ακολουθιακά Κυκλώματα
HY330 Ψηφιακά - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 Μανταλωτές θετικής, αρνητικής πολικότητας Σχεδίαση με Μανταλωτές
Διαβάστε περισσότεραΣελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52
Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5
Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :
Διαβάστε περισσότεραΑσύγχρονοι Απαριθμητές. Διάλεξη 7
Ασύγχρονοι Απαριθμητές Διάλεξη 7 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στους Απαριθμητές Ασύγχρονος Δυαδικός Απαριθμητής Ασύγχρονος Δεκαδικός Απαριθμητής Ασύγχρονος Δεκαδικός Απαριθμητής με Latch Ασκήσεις 2 Ασύγχρονοι
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS
Διαβάστε περισσότεραΕπιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές
Αναστροφέας με φορτίο Enhancement OSFE Η απλούστερη υλοποίηση OSFE αναστροφέα με ενεργό φορτίο χρησιμοποιεί δύο N-OSFES. Στην ανάλυση που ακολουθεί θα διαπιστώσουμε ότι η χαρακτηριστική μεταφοράς απέχει
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4
Λογικά Κυκλώματα NMOS Διάλεξη 4 Δομή της διάλεξης Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS
Διαβάστε περισσότεραΛογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3
Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ (TTL) και Schottky TTL Διάλεξη 3 Δομή της διάλεξης Το κύκλωμα της πύλης TTL Ανάλυση της πύλης TTL Χαρακτηριστικά της πύλης TTL ΗπύληNAND TTL και άλλα λογικά κυκλώματα TTL Βελτίωση
Διαβάστε περισσότεραΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) 1 The Current Switch (Μεταγωγός Ρεύματος) Αποτελεί την καρδιά οποιασδήποτε πύλης ECL Q1, Q2 =πανομοιότυπα Rc=matched αντιστάσεις Κύκλωμα μεταγωγού ρεύματος σε πύληecl
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Περιεχόμενα Βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εισαγωγή
Διαβάστε περισσότεραΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ 6
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ 6 ΚΥΚΛΩΜΑ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΑΠΟΣΤΑΣΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑ ΤΩΝ ΦΟΙΤΗΤΩΝ ΚΩΣΤΑ ΓΙΑΝΝΑΚΙΔΗ
Διαβάστε περισσότερα7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα
7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Ιδανικός διακόπτης ΙΔΑΝΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΠΡΑΓΜΑΤΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία
Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΙΑΤΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Προαιρετική εργασία «Κατασκευή δυαδικού απαριθμητή με δεκαδική απεικόνιση δεκάδων και μονάδων» Συνυπεύθυνος
Διαβάστε περισσότεραΝα σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,
Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΚαθυστέρηση στατικών πυλών CMOS
Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Πρόχειρες σημειώσεις Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Άνοιξη 2008 Παρόλο που οι εξισώσεις των ρευμάτων των MOS τρανζίστορ μας δίνουν
Διαβάστε περισσότερα4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας
2 η διάλεξη 25 Σεπτεμβρίου Πραγματικά τρανζίστορ Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η τάση στο gate του τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Πολυδονητές. Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Πολυδονητές Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 009 Πολυδονητές και Μετρητές Ψηφιακής Κυκλώματα Schmitt Λογικής Ασταθής Πολυδονητής
Διαβάστε περισσότεραΓια τη μοντελοποίηση των ταλαντωτών μπορεί να χρησιμοποιηθεί το παρακάτω δομικό διάγραμμα:
7. ΤAΛΑΝΤΩΤΕΣ 7.. Γενικά Οι ταλαντωτές είναι κυκλώματα που, στην έξοδό τους, εμφανίζουν κυματομορφές συγκεκριμένης συχνότητας f o. Οι ταλαντωτές περιλαμβάνουν έναν ενισχυτή και ένα κύκλωμα θετικής ανάδρασης
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες
Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και
Διαβάστε περισσότεραΟ BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας
Ο BJT Αναστροφέας Ο πιο απλός αναστροφέας που μπορούμε να υλοποιήσουμε φαίνεται στο διπλανό σχήμα και αποτελείται από ένα τρανζίστορ και δύο αντιστάσεις. Μελετώντας το κύκλωμα θα διαπιστώσουμε ότι οι επιδόσεις
Διαβάστε περισσότεραΚ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ, Γ. ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ ΠΑΤΡΑ
ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΕΣ Κ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ, Γ. ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ακολουθιακή Λογική 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Ακολουθιακή Λογική Κεφάλαιο 7 ο Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Δισταθή κυκλώματα Μεταστάθεια 2. Μανδαλωτές 3. Flip Flops Flops 4. Δομές διοχέτευσης 5. Διανομή ρολογιού 6. Συγχρονισμός
Διαβάστε περισσότεραΣύγχρονοι Απαριθμητές. Διάλεξη 8
Σύγχρονοι Απαριθμητές Διάλεξη 8 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Σύγχρονος Δυαδικός Απαριθμητής Σύγχρονος Δεκαδικός Απαριθμητής Προγραμματιζόμενοι Απαριθμητές Ασκήσεις 2 Σύγχρονοι Απαριθμητές Εισαγωγή 3 Εισαγωγή
Διαβάστε περισσότεραΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ.3 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔYΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ.5 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔΕΚΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ.7 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΣ ΔΕΚΑΔΙΚΟΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΗΣ ΜΕ LATCH.
ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΕΣ Κ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ, Γ. ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ
Διαβάστε περισσότεραΕνότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ
Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Γενικές Γραμμές Οικογένειες Ψηφιακής Λογικής Τάση τροφοδοσίας Λογικά επίπεδα - Περιθώριo θορύβου Χρόνος μετάβασης Καθυστέρηση διάδοσης Κατανάλωση ισχύος Γινόμενο
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1
Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα Διάλεξη 1 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στο Μάθημα Βασικές αρχές λογικών κυκλωμάτων Ο BJT ως διακόπτης Μεταβατικά φαινόμενα Παράδειγμα μεταβατικής λειτουργίας Ασκήσεις 2 Εισαγωγή
Διαβάστε περισσότεραΤαλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη
Ταλαντωτές Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές ΑΝΑΔΡΑΣΗ Στοιχεία Ταλάντωσης Ενισχυτής OUT Ταλαντωτής είναι ένα κύκλωμα που παράγει ηλεκτρικό σήμα σταθερής συχνότητας
Διαβάστε περισσότεραΔυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS. Διάλεξη 10
Δυναμική συμπεριφορά ων λογικών κυκλωμάων MOS Διάλεξη 10 Δομή ης διάλεξης Εισαγωγή Ανισροφέας NMOS με φορίο ύπου αραίωσης Ανισροφέας CMOS Διάφορα ζηήμαα Ασκήσεις Δυναμική συμπεριφορά ων λογικών κυκλωμάων
Διαβάστε περισσότερα(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα
5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι ( ΠΥΚΝΩΤΕΣ) Πυκνωτές O πυκνωτής είναι ένα ηλεκτρικό εξάρτημα το οποίο έχει την ιδιότητα να απορροφά και να αποθηκεύει ηλεκτρική ενέργεια και να την απελευθερώνει, σε προκαθορισμένο
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 3ο. Λιούπης Χαρακτηριστική καµπύλη µεταφοράς τάσης TTL V out (volts) εγγυηµένη περιοχή V OH V OH(min) V OL(max) 2.4 Ηκαµπύλη µεταφοράς εξαρτάται από τη θερµοκρασία περιβάλλοντος
Διαβάστε περισσότεραΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. (Silicon Controlled Rectifier). πυριτίου (TRlAC). (Silicon Controll ed Switch). - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR
6. Θυρίστορ - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφανεια 1 6. ΤΑ ΘΥΡΙΣΤΟΡ - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR (Silicon Controlled Rectifier). - Η αµφίδροµη δίοδος THYRlSTOR (DIAC). - 0 αµφίδροµος ελεγχόµενος ανορθωτής
Διαβάστε περισσότεραΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ΠΟΡΛΙ ΑΣ ΗΜΗΤΡΙΟΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟ ΟΙ 9 Πορλιδάς ηµήτριος www.porlidas.gr dporli@physics.auth.gr Τελεστικοί Ενισχυτές Κυκλώµατα Πειραµατικές Μετρήσεις και
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Ταλαντωτές και Πολυδονητές Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Υλοποίηση και Εργαστηριακή Αναφορά Ring και Hartley Ταλαντωτών Φοιτητής: Ζωγραφόπουλος Γιάννης Επιβλέπων Καθηγητής: Πλέσσας Φώτιος
Διαβάστε περισσότεραΤρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ
ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραΦυσική για Μηχανικούς
Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS
ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΘΕΩΡΙΑ Οι ασκήσεις 3 και 4 αφορούν τον αντιστροφέα CMOS, ο οποίος είναι η απλούστερη αλ α ταυτόχρονα και σημαντικότερη πύλη για την κατανόηση της λειτουργίας των Ολοκληρωμένων
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ενότητα: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts
Εργασία στο μάθημα «Εργαστήριο Αναλογικών VLSI» Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts Ομάδα Γεωργιάδης Κωνσταντίνος konsgeorg@inf.uth.gr Σκετόπουλος Νικόλαος sketopou@inf.uth.gr ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΒασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)
Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) CMOS Κάθε λογική πύλη αποτελείται από δύο τμήματα p-mos δικτύωμα, τοποθετείται μεταξύ τροφοδοσίας και εξόδου. Όταν είναι ενεργό φορτίζει την έξοδο στην
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 10 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ακολουθιακή Λογική 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ακολουθιακή Λογική Κεφάλαιο 10 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Δισταθή κυκλώματα Μεταευστάθεια 2. Μανδαλωτές 3. Flip
Διαβάστε περισσότεραΔιαφορικός ενισχυτής (op-amp)
Κ. Πολιτόπουλος Διαφορικός ενισχυτής (opamp) Ενισχύει την διαφορά του σήματος εισόδου Vout=G(V V ) Δεν ενδιαφερόμαστε για απόλυτη τιμή τάσης Ground loop Πολλά γραμμικά κυκλώματα Πολλά μη γραμμικά κυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων
ΗΜΥ 2: Σχεδιασμό Ψηφιακών Συστημάτων, Χειμερινό Εξάμηνο 27 Νοε-7 ΗΜΥ-2: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Χειμερινό Εξάμηνο 27 Ακολουθιακά Κυκλώματα: Μανδαλωτές (Latches) και Flip-Flops Flops Διδάσκουσα:
Διαβάστε περισσότερα3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική
1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από
Διαβάστε περισσότεραΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007
ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 Μάθημα : Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Τεχνολογία ΙΙ Τεχνικών Σχολών, Θεωρητικής Κατεύθυνσης
Διαβάστε περισσότεραΥπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:
Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας
Διαβάστε περισσότεραΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ
ΣΧΟΛΗ ΑΣΠΑΙΤΕ ΤΜΗΜΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ 1) Οι απαριθμητές ή μετρητές (counters) είναι κυκλώματα που
Διαβάστε περισσότεραΦυσική για Μηχανικούς
Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.
Διαβάστε περισσότεραΦυσική για Μηχανικούς
Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8: Ταλαντωτές Γεννήτριες σήματος Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής,
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 9. Tα Flip-Flop
ΑΣΚΗΣΗ 9 Tα Flip-Flop 9.1. ΣΚΟΠΟΣ Η κατανόηση της λειτουργίας των στοιχείων μνήμης των ψηφιακών κυκλωμάτων. Τα δομικά στοιχεία μνήμης είναι οι μανδαλωτές (latches) και τα Flip-Flop. 9.2. ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)
Εισαγωγή Η τεχνολογία COS εφευρέθηκε από τον Δρ. Frank Wanlass (17/5/33) το 1963 και κατοχυρώθηκε με πατέντα το 1967 (Αρ. πατέντας 3,356,5). Η COS τεχνολογία είναι αυτή που έχει κάνει πραγματικότητα την
Διαβάστε περισσότερα4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET
4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1
Διαβάστε περισσότεραΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά
Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ.
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότερα100 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΜΕ ΤΙΣ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΕΣ ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ
100 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΜΕ ΤΙΣ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΕΣ ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1) Να μετατρέψετε τον δεκαδικό αριθμό (60,25) 10, στον αντίστοιχο δυαδικό 11111,11 111001,01 111100,01 100111,1 111100,01 2)
Διαβάστε περισσότεραi C + i R i C + i R = 0 C du dt + u R = 0 du dt + u RC = 0 0 RC dt ln u = t du u = 1 RC dt i C = i R = u R = U 0 t > 0.
Α. Δροσόπουλος 6 Ιανουαρίου 2010 Περιεχόμενα 1 Κυκλώματα πρώτης τάξης 2 1.1 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RC πρώτης τάξης.................................. 2 1.2 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RL πρώτης τάξης...................................
Διαβάστε περισσότεραΑκολουθιακά κυκλώματα: Μανδαλωτές και Flip-Flop. Διάλεξη 6
Ακολουθιακά κυκλώματα: Μανδαλωτές και Flip-Flop Διάλεξη 6 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στην ακολουθιακή λογική Ομανδαλωτής SR Latch JK Flip-Flop D Flip-Flop Timing Definitions Latch vs Flip-Flop Ασκήσεις
Διαβάστε περισσότερα6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ
6 η διάλεξη Σχεδίαση και Υλοποίηση Συνδυαστικών Κυκλωμάτων σε επίπεδο Τρανζίστορ 1 2 Οποιοδήποτε κύκλωμα εμπεριέχει την έννοια της τρέχουσας κατάστασης είναι ακολουθιακό. Έτσι, κυκλώματα όπως ΜΠΚ, καταχωρητές,
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
Διαβάστε περισσότεραΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ
ΣΧΟΛΗ ΑΣΠΑΙΤΕ ΤΜΗΜΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ 1) Οι σύγχρονοι μετρητές υλοποιούνται με Flip-Flop τύπου T
Διαβάστε περισσότεραΑπό τους κλασικούς ταλαντωτές, στους ταλαντωτές που ελέγχονται από τάση ή
Από τους κλασικούς ταλαντωτές, στους ταλαντωτές που ελέγχονται από τάση ή VCOs: Voltage Controlled Oscillators του Αθανάσιου Νασιόπουλου, Καθ. Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας 1. Πρόλογος Εγκαινιάζουμε αυτή
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Η λειτουργία RESET R IN OUT Εάν το σήμα R είναι λογικό «1» στην έξοδο
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές
Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Συστήματα. 7. Κυκλώματα Μνήμης
Ψηφιακά Συστήματα 7. Κυκλώματα Μνήμης Βιβλιογραφία 1. Φανουράκης Κ., Πάτσης Γ., Τσακιρίδης Ο., Θεωρία και Ασκήσεις Ψηφιακών Ηλεκτρονικών, ΜΑΡΙΑ ΠΑΡΙΚΟΥ & ΣΙΑ ΕΠΕ, 2016. [59382199] 2. Floyd Thomas L., Ψηφιακά
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) Τα ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώματα χωρίζονται σε κατηγορίες ( λογικές οικογένειες ) ανάλογα με την τεχνολογία κατασκευής
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 2ο. Λιούπης Transistor διπολικής επαφής (BJT) I B B C E I C Στα ψηφιακά κυκλώµατα χρησιµοποιείται κατά κύριο λόγο ως διακόπτης Στο σχήµαφαίνεταιένα τυπικό BJT τύπου NPN I B :
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Θεσσαλίας
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Εργαστηριακές Ασκήσεις Εργαστήριο 5 Κυκλώματα RC (φόρτιση/εκφόρτιση πυκνωτή, σύνθετη αντίσταση) Φ. Πλέσσας
Διαβάστε περισσότεραΙ. Ν. ΛΥΓΟΥΡΑΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ Δ. Π. Θ
Ι. Ν. ΛΥΓΟΥΡΑΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ Δ. Π. Θ Έκδοση 4 η 4 Στη Χαρά τον Νίκο και τον Λευτέρη 5 6 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΡΟΛΟΓΟΣ 15 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ 1.1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ 19 1.2. Ο
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός
Διαβάστε περισσότεραε. Ένα κύκλωμα το οποίο παράγει τετραγωνικούς παλμούς και απαιτείται εξωτερική διέγερση ονομάζεται ασταθής πολυδονητής Λ
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΤΑΞΗ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Α ) & ΜΑΘΗΜΑΤΩΝ ΕΙΔΙΚΟΤΗΤΑΣ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Β ) ΣΑΒΒΑΤΟ 16/04/2016 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ (ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΠΕΝΤΕ (5) ΕΝΔΕΙΚΤΙΚΕΣ
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18)
ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) Άσκηση 1. Α) Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος την χρονική στιγμή t=0 sec ο διακόπτης κλείνει. Βρείτε τα v c και i c. Οι πυκνωτές είναι αρχικά αφόρτιστοι. Β)
Διαβάστε περισσότεραΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007
ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 Μάθημα : Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Τεχνολογία ΙΙ Τεχνικών Σχολών, Θεωρητικής Κατεύθυνσης
Διαβάστε περισσότεραΣε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ
Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β' Σκοπός της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Σημείωμα
Διαβάστε περισσότερα