4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα"

Transcript

1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιείχαν αρχικά μικρό αριθμό λογικών πυλών. Τα πρώτα ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα ήταν διπολικής τεχνολογίας, δηλαδή η κατασκευή τους βασιζόταν σε κρυσταλλοδιόδους και διπολικά τρανζίστορ. Η κατασκευή των σύγχρονων ψηφιακών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων βασίζεται σε τρανζίστορ τεχνολογίας MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) τα οποία στο εξής θα αναφέρονται για συντομία ως MOS (Metal Oxide Semiconductor) τρανζίστορ. Με τη χρήση των MOS τρανζίστορ έγινε δυνατή η κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με μεγάλη πυκνότητα ολοκλήρωσης. Tα τρανζίστορ που χρησιμοποιήθηκαν αρχικά, ήταν τα p-channel MOS ή συμβολικά PMOS. Στη συνέχεια χρησιμοποιήθηκαν τα n-channel MOS ή NMOS τρανζίστορ. Η τεχνολογία που τελικά επικράτησε ήταν η CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) στην οποία χρησιμοποιείται κατάλληλος συνδυασμός από PMOS και NMOS τρανζίστορ. Η τεχνολογία CMOS έπαιξε σημαντικό ρόλο στην ανάπτυξη της παγκόσμιας βιομηχανίας κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. 4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα Μέχρι τώρα θεωρήσαμε ότι τα λογικά κυκλώματα επεξεργάζονται τα δυαδικά ψηφία, 0 και 1. Τα πραγματικά λογικά κυκλώματα επεξεργάζονται τιμές τάσεων. Όπως δείχνεται στο σχήμα 4.1, για κάθε τεχνολογία υλοποίησης υπάρχει μία περιοχή τιμών τάσεων V H που ερμηνεύεται σαν λογικό 1 και μία περιοχή τιμών τάσεων V L μη επικαλυπτόμενη με την προηγούμενη, που ερμηνεύεται σαν λογικό 0. Με V DD συμβολίζεται η τάση τροφοδοσίας των κυκλωμάτων. Τα ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα τεχνολογίας CMOS τροφοδοτούνται με τάση 5 Volt

2 114 Ψηφιακή Σχεδίαση ή 3.3 Volt, ενώ στο εσωτερικό των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων είναι συνήθεις οι τάσεις τροφοδοσίας 1.8 και 1.1 Volt. V DD Λογικό 1 V H 0.0 V Λογικό 0 V L 4.3 Τρανζίστορ MOS Σχήμα 4.1. Περιοχές τάσεων για τα λογικά 0, 1 Τα ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα τεχνολογίας CMOS κατασκευάζονται με τον κατάλληλο συνδυασμό NMOS και PMOS τρανζίστορ των οποίων η δομή και η λειτουργία περιγράφονται συνοπτικά στη συνέχεια. Τα τρανζίστορ αυτά κατασκευάζονται με βάση το κρυσταλλικό πυρίτιο (Silicon ή Si). Το πυρίτιο που είναι τετρασθενές στοιχείο σχηματίζει κρυσταλλικό πλέγμα με 4 δεσμούς μεταξύ των γειτονικών ατόμων. Στο σχήμα 4.2 δίδεται σχηματικά η δομή και το γραφικό σύμβολο των ΝMOS τρανζίστορ. Οι περιοχές τύπου n στο σχήμα 4.2 αποτελούνται από πυρίτιο στο οποίo έχουν συγκρυσταλλωθεί πεντασθενή άτομα. Αυτά τα άτομα έχουν ένα επί πλέον ηλεκτρόνιο σθένους από το πυρίτιο και έτσι ο ημιαγωγός τύπου n έχει πλεόνασμα ηλεκτρονίων. Το υπόστρωμα (substrate) είναι μία περιοχή τύπου p, δηλαδή έχουν συγκρυσταλλωθεί σε αυτή τρισθενή άτομα τα οποία έχουν ένα ηλεκτρόνιο σθένους λιγότερο από το πυρίτιο. Επομένως το υλικό τύπου p έχει πλεόνασμα ηλεκτρονικών οπών (ή οπών) που αντιστοιχούν σε ομοιοπολικούς δεσμούς που λείπουν. Το μονωτικό υλικό μεταξύ του υποστρώματος και της πύλης είναι ένα λεπτό στρώμα από διοξείδιο του πυριτίου (SiO 2 ). Η πύλη (gate ή G) κατασκευάζεται από πολυκρυσταλλικό πυρίτιο (πολυσιλικόνη) το οποίο εί-

3 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 115 ναι αγώγιμο. Οι περιοχές τύπου n ονομάζονται πηγή (source ή S) και υποδοχής ή απαγωγός (drain ή D). Οι ακροδέκτες σύνδεσης με την πηγή και την υποδοχή είναι φτιαγμένοι από μέταλλο, που παλαιότερα ήταν αλουμίνιο (Al), ενώ στα μοντέρνα κυκλώματα είναι χαλκός (Cu). Όταν ο ακροδέκτης της πύλης του NMOS τρανζίστορ έχει την ίδια τάση με το υπόστρωμα δεν ρέει ρεύμα μεταξύ πηγής και υποδοχής. Όταν εφαρμοστεί στην πύλη θετικό δυναμικό σε σχέση με το υπόστρωμα τα ηλεκτρόνια έλκονται από αυτή. Όταν η τάση στην πύλη υπερβεί κάποιο όριο έλκονται αρκετά ηλεκτρόνια ώστε να σχηματισθεί ένα κανάλι τύπου n κάτω από το μονωτικό υλικό. Αυτό το κανάλι επιτρέπει τη διέλευση ρεύματος μεταξύ πηγής και υποδοχής. Πρέπει να σημειωθεί ότι δεν ρέει καθόλου ρεύμα μεταξύ της πύλης και των άλλων ακροδεκτών (υποστρώματος, πηγής και υποδοχής) λόγω της ύπαρξης του μονωτικού υλικού από διοξείδιο του πυριτίου κάτω από αυτή. G (Πύλη) D (υποδοχή) S(πηγή) Αγωγός Μονωτής D (υποδοχή) n n G (Πύλη) Υπόστρωμα p-υπόστρωμα S(πηγή) Σχήμα 4.2. Δομή και γραφικό σύμβολο του ΝMOS τρανζίστορ Στα λογικά κυκλώματα τεχνολογίας CMOS το υπόστρωμα των NMOS τρανζίστορ συνδέεται με τη γείωση (GND). Για το λόγο αυτό χρησιμοποιούνται για τα NMOS τρανζίστορ τα απλοποιημένα γραφικά σύμβολα τριών ακροδεκτών που δίδονται στο σχήμα 4.3.

4 116 Ψηφιακή Σχεδίαση D D G G S Σχήμα 4.3. Απλουστευμένα γραφικά σύμβολα του ΝMOS τρανζίστορ Στο σχήμα 4.4 δίδεται σχηματικά η δομή και το γραφικό σύμβολο του PMOS τρανζίστορ. Η δομή του είναι παρόμοια με αυτή του NMOS τρανζίστορ, αλλά το υπόστρωμα κατασκευάζεται από υλικό τύπου n και οι περιοχές της πηγής και της υποδοχής από υλικό τύπου p. Στα PMOS τρανζίστορ εάν εφαρμόσουμε στην πύλη αρνητική τάση σε σχέση με το υπόστρωμα απωθούνται από αυτήν ηλεκτρόνια. Αυτό είναι ισοδύναμο με το να έλκονται οπές κάτω από το οξείδιο της πύλης. Όταν υπάρχουν αρκετές οπές σχηματίζεται ένα κανάλι τύπου p μεταξύ πηγής και απαγωγού. Αυτό το κανάλι επιτρέπει τη διέλευση ηλεκτρικού ρεύματος μεταξύ πηγής και υποδοχής. G (Πύλη) S D (υποδοχή) S(πηγή) Αγωγός Μονωτής D (υποδοχή) p p G (Πύλη) Υπόστρωμα n-υπόστρωμα S(πηγή) Σχήμα 4.4. Δομή και γραφικό σύμβολο του PMOS τρανζίστορ Το υπόστρωμα του PMOS τρανζίστορ στα κυκλώματα CMOS συνδέεται με την τάση τροφοδοσίας V DD. Για το λόγο αυτό χρησιμοποιούνται για το τρανζίστορ

5 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 117 PMOS τα απλοποιημένα γραφικά σύμβολα τριών ακροδεκτών που δίδονται στο σχήμα 4.5. S S G G D D Σχήμα 4.5. Απλουστευμένα γραφικά σύμβολα του PMOS τρανζίστορ Για να γίνει εύκολα κατανοητός ο τρόπος με τον οποίο λειτουργούν τα λογικά κυκλώματα που κατασκευάζονται με την τεχνολογία CMOS, θεωρούμε ότι τα MOS τρανζίστορ συμπεριφέρονται σαν διακόπτες. Στο σχήμα 4.6α συνοψίζεται η λειτουργία του NMOS τρανζίστορ σαν διακόπτης. Όταν η τάση που εφαρμόζεται στον ακροδέκτη της πύλης είναι αρκετά υψηλή (V H ), τότε λέμε ότι το τρανζίστορ είναι ενεργοποιημένο (on), δηλαδή λειτουργεί σαν κλειστός διακόπτης που συνδέει τους ακροδέκτες της πηγής και του απαγωγού. Όταν η τάση που εφαρμόζεται στον ακροδέκτη της πύλης είναι χαμηλή (V L ) τότε λέμε ότι το τρανζίστορ είναι απενεργοποιημένο (off), δηλαδή λειτουργεί σαν ανοικτός διακόπτης και δεν υπάρχει σύνδεση μεταξύ της πηγής και της υποδοχής. Το PMOS τρανζίστορ του οποίου η λειτουργία συνοψίζεται στο σχήμα 4.6β λειτουργεί αντίθετα από το ΝMOS τρανζίστορ. Όταν η τάση που εφαρμόζεται στον ακροδέκτη της πύλης είναι υψηλή (V H ) τότε λέμε ότι το τρανζίστορ είναι απενεργοποιημένο (off), δηλαδή λειτουργεί σαν ανοικτός διακόπτης. Όταν η τάση που εφαρμόζεται στον ακροδέκτη της πύλης είναι χαμηλή (V L ) τότε λέμε ότι το τρανζίστορ είναι ενεργοποιημένο (on), δηλαδή λειτουργεί σαν κλειστός διακόπτης.

6 118 Ψηφιακή Σχεδίαση D G V G =V H V G =V L S (α) Τρανζίστορ NMOS V DD V DD V DD S G V G =V H V G =V L D (β) Τρανζίστορ PMOS Σχήμα 4.6. Λειτουργία των τρανζίστορ NMOS και PMOS σαν διακόπτες 4.4 Λογικές πύλες τεχνολογίας CMOS Αντιστροφέας CMOS Το πιο απλό κύκλωμα που μπορεί να κατασκευασθεί με την τεχνολογία CMOS είναι o αντιστροφέας (πύλη NOT) που δομείται με ένα τρανζίστορ NMOS και ένα τρανζίστορ PMOS τα οποία συνδέονται όπως δείχνεται στο σχήμα 4.7. Για να γίνει πιο εύκολα κατανοητή η λειτουργία του κυκλώματος του αντιστροφέα υποθέτουμε ότι η τάση τροφοδοσίας του είναι V DD =5V και στην είσοδό του ε- φαρμόζονται δύο τιμές τάσης, 0 V (LOW ή L) και 5 V (HIGH ή Η). Όταν η τάση εισόδου είναι V IN = 0 V τότε το τρανζίστορ Q 1 είναι απενεργοποιημένο (off), ενώ το τρανζίστορ Q 2 είναι ενεργοποιημένο (on). Αυτό σημαίνει ότι η έξοδος συνδέεται στην τροφοδοσία V DD και αποσυνδέεται από τη γείωση (GND), δηλαδή η τάση στην έξοδό του είναι V DD, ή V OUT =5 V. Αντίστοιχα εάν η τάση εισόδου είναι V IN = 5 V, τότε το τρανζίστορ Q 1 είναι on, ενώ το τρανζίστορ Q 2 είναι off. Αυτό σημαίνει ότι η έξοδος συνδέεται στη γείωση και αποσυνδέεται από την τροφοδοσία, δηλαδή η τάση εξόδου είναι V OUT = 0 V.

7 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 119 Σχήμα 4.7. Αντιστροφέας CMOS Στο σχήμα 4.8 συνοψίζεται η λειτουργία του αντιστροφέα τεχνολογίας CMOS για V IN =L και V IN =H, όταν θεωρήσουμε ότι τα MOS τρανζίστορ συμπεριφέρονται σαν διακόπτες. Σχήμα 4.8. Περιγραφή της λειτουργίας του αντιστροφέα CMOS

8 120 Ψηφιακή Σχεδίαση Πύλες NAND και NOR Οι λογικές πύλες NAND και NOR μπορούν να κατασκευασθούν πρωτογενώς με την τεχνολογία CMOS. Στο σχήμα 4.9 δίδεται η σχεδίαση μιας λογικής πύλης NAND δύο εισόδων. Η έξοδος του κυκλώματος συνδέεται με τη γείωση με δύο NMOS τρανζίστορ συνδεδεμένα σε σειρά και με την τροφοδοσία με δύο PMOS τρανζίστορ συνδεδεμένα παράλληλα. Εάν μία τουλάχιστον είσοδος A ή B έχει την τιμή 0 V, η έξοδος Υ συνδέεται στην τροφοδοσία V DD μέσω των PMOS τρανζίστορ που άγουν (on). Αντίθετα, η έξοδος αποσυνδέεται από τη γείωση μέσω των NMOS τρανζίστορ που δεν ά- γουν (off). Επομένως η τάση εξόδου έχει την τιμή V DD που αντιστοιχεί στο λογικό 1. Εάν και οι δύο είσοδοι έχουν την τιμή 5 V η έξοδος συνδέεται στη γείωση μέσω των ΝMOS τρανζίστορ που άγουν, ενώ αποσυνδέεται από την τροφοδοσία μέσω των PMOS τρανζίστορ που δεν άγουν. Επομένως η έξοδος έχει την τιμή 0 V που αντιστοιχεί στο λογικό 0. Στο σχήμα 4.9 δίδονται επίσης και οι καταστάσεις των τρανζίστορ για όλους τους συνδυασμούς των εισόδων. Σχήμα 4.9. Πύλη NAND δύο εισόδων τεχνολογίας CMOS Στο σχήμα 4.10 δίδεται μία λογική πύλη NOR δύο εισόδων τεχνολογίας CMOS. Εάν μία τουλάχιστον είσοδος έχει την τιμή 5 V η έξοδος Υ συνδέεται στη γείωση μέσω των ΝMOS τρανζίστορ που άγουν (on). Αντίθετα αποσυνδέεται η έξο-

9 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 121 δος από την τροφοδοσία μέσω των PMOS τρανζίστορ που δεν άγουν (off). Εάν και οι δύο είσοδοι έχουν την τιμή 0 V η έξοδος συνδέεται στην τροφοδοσία μέσω των PMOS τρανζίστορ που άγουν, ενώ αποσυνδέεται από τη γείωση μέσω των ΝMOS τρανζίστορ που δεν άγουν. Fan-in Σχήμα Πύλη NOR δύο εισόδων τεχνολογίας CMOS Fan-in ονομάζεται ο μέγιστος αριθμός εισόδων που μπορούν να έχουν οι λογικές πύλες. Στην τεχνολογία CMOS μπορούμε να κατασκευάσουμε πρωτογενώς λογικές πύλες NAND και NOR με περισσότερες από δύο εισόδους επεκτείνοντας τις σχεδιάσεις των πυλών με δύο εισόδους. Στο σχήμα 4.11 δίδεται η σχεδίαση μιας πύλης NAND τριών εισόδων ενώ στο σχήμα 4.12 μία πύλη NOR τριών εισόδων. Στην πράξη δεν μπορούμε να κατασκευάσουμε πύλες NAND και NOR τεχνολογίας CMOS με μεγάλο αριθμό εισόδων. Ο αριθμός των εισόδων περιορίζεται σε 6 για τις πύλες NAND και σε 4 για τις πύλες NOR.

10 122 Ψηφιακή Σχεδίαση Σχήμα Πύλη NAND τριών εισόδων Σχήμα Πύλη NOR τριών εισόδων

11 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης Μη αντιστρέφουσες πύλες Οι λογικές πύλες που κατασκευάζονται πρωτογενώς με την τεχνολογία CMOS είναι ο αντιστροφέας και οι πύλες NAND και NOR. Οι λογικές πύλες AND κατασκευάζονται συνδέοντας έναν αντιστροφέα στην έξοδο μιας πύλης NAND με τον ίδιο αριθμό εισόδων. Στο σχήμα 4.13 δίδεται η σχεδίαση μιας πύλης AND δύο εισόδων. Αντίστοιχα οι λογικές πύλες OR κατασκευάζονται συνδέοντας έναν αντιστροφέα στην έξοδο μιας λογικής πύλης NOR. Στο σχήμα 4.14 δείχνεται η σχεδίαση μιας πύλης OR δύο εισόδων. Πρακτικά χρήσιμος είναι και ο μη αντιστρέφων απομονωτής που κατασκευάζεται συνδέοντας δύο αντιστροφείς όπως στο σχήμα V DD = +5V A Z B Λογικό Σύμβολο Κύκλωμα A B Z Σχήμα Πύλη AND δύο εισόδων τεχνολογίας CMOS

12 124 Ψηφιακή Σχεδίαση Σχήμα Πύλη OR δύο εισόδων τεχνολογίας CMOS V DD V IN V OUT IN OUT Κύκλωμα Λογικό Σύμβολο Σχήμα Μη αντιστρέφων απομονωτής

13 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης Σύνθετες Λογικές Πύλες τεχνολογίας CMOS Είναι γνωστό ότι οποιοδήποτε συνδυαστικό σύστημα μπορεί να υλοποιηθεί με απλές λογικές πύλες. Στην τεχνολογία CMOS η χρήση δομών από τρανζίστορ που υλοποιούν πιο σύνθετες λογικές παραστάσεις έχει σαν αποτέλεσμα τη μείωση του συνολικού αριθμού των τρανζίστορ και την αύξηση της ταχύτητος των λογικών κυκλωμάτων. Οι δομές αυτές ονομάζονται σύνθετες πύλες (complex gates). Δύο τυπικά παραδείγματα είναι οι δομές AND-NOR (που ονομάζονται και AND-OR-INVERT) και OR-NAND (που ονομάζονται και AND-OR- INVERT). Αυτές οι δομές δείχνονται στα σχήματα 4.16 και 4.17 αντίστοιχα. Η ταχύτητα λειτουργίας και τα άλλα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των σύνθετων λογικών πυλών τεχνολογίας CMOS είναι συγκρίσιμα με αυτά των απλών λογικών πυλών NAND και NOR. V DD A B C Y A B C D Y D Ισοδύναμο λογικό κύκλωμα Kύκλωμα Σχήμα CMOS υλοποίηση της λογικής συνάρτησης Y A B C D.

14 126 Ψηφιακή Σχεδίαση Σχήμα Υλοποίηση CMOS της λογικής συνάρτησης Y ( A B) ( C D) Πύλες μετάδοσης, πύλες XOR και πολυπλέκτες δύο εισόδων Στο σχήμα 4.18 δείχνεται ένας διακόπτης κατασκευασμένος από τρανζίστορ NMOS και PMOS συνδεδεμένα παράλληλα, ο οποίος είναι γνωστός σαν πύλη μετάδοσης (transmission gate). Παρατηρούμε ότι τα σήματα ελέγχου των τρανζίστορ είναι συμπληρωματικά. Όταν η είσοδος C=0 ( C 1) τότε ο διακόπτης είναι κλειστός, ενώ όταν C=1 ( C 0 ) ο διακόπτης είναι ανοικτός. Το ζεύγος των συμπληρωματικών τρανζίστορ χρησιμοποιούνται ώστε οι δύο λογικές τιμές να μπορούν να μεταφέρονται από την είσοδο στην έξοδο χωρίς υποβάθμιση των αντίστοιχων σημάτων. Το NMOS τρανζίστορ μεταφέρει χωρίς υποβάθμιση το σήμα του λογικού 0, ενώ το PMOS τρανζίστορ μεταφέρει χωρίς υποβάθμιση το σήμα του λογικού 1. Όταν ο διακόπτης είναι ανοικτός η έξοδος του διακόπτη αποσυνδέεται από την είσοδο. Η κατάσταση αυτή θα συμβολίζεται με Ζ και στο εξής θα ονομάζεται κατάσταση υψηλής αντίστασης ή υψηλής εμπέδησης (high

15 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 127 impedance state). Η πύλη μετάδοσης μπορεί να χρησιμοποιηθεί εσωτερικά σε σύνθετες πύλες, αλλά όχι σαν πύλη εξόδου. C Σχήμα Πύλη μετάδοσης Στο σχήμα 4.19 δίδεται η σχεδίαση με πύλες μετάδοσης ενός 2 1 πολυπλέκτη μαζί με το λογικό του σύμβολο. Σχήμα Υλοποίηση με πύλες μετάδοσης του 2 1 πολυπλέκτη Η λειτουργία του κυκλώματος του σχήματος 4.19 περιγράφεται στον πίνακα που δίδεται στη συνέχεια.

16 128 Ψηφιακή Σχεδίαση Στο σχήμα 4.20 δίδεται η σχεδίαση με πύλες μετάδοσης μιας πύλης XOR δύο εισόδων. Το κύκλωμα αυτό έχει λιγότερα τρανζίστορ από αντίστοιχες σχεδιάσεις που δεν βασίζονται σε πύλες μετάδοσης. Σχήμα Υλοποίηση με πύλες μετάδοσης της πύλης XOR Η λειτουργία του κυκλώματος του σχήματος 4.20 περιγράφεται στον πίνακα που δίδεται στη συνέχεια. y 4.5 Επίπεδα λογικών σημάτων και περιθώρια θορύβου Στα λογικά κυκλώματα τεχνολογίας CMOS που περιγράψαμε προηγουμένως, χρησιμοποιήθηκαν σαν LOW και HIGH δύο διακριτές τιμές τάσης οι 0 V και 5V. Λόγω του ότι υπάρχουν αποκλίσεις στα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των πυλών, στην πράξη τα HIGH και LOW ορίζονται σαν περιοχές τάσεων που είναι

17 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 129 διαφορετικές για τις εισόδους και τις εξόδους των λογικών πυλών. Έστω V OH, V OL οι περιοχές τάσεων που χαρακτηρίζονται σαν HIGH και LOW στις εξόδουs των λογικών πυλών και V IH, V IL οι περιοχές τάσεων που χαρακτηρίζονται σαν HIGH και LOW στις εισόδους τους. Στο σχήμα 4.21 δίδονται σχηματικά οι τιμές αυτών των τάσεων. Για να υπάρχει ανοχή στο θόρυβο είναι ουσιώδες οι περιοχές τάσεων που αντιστοιχούν στα HIGH και LOW, να διαφέρουν στις εισόδους και τις εξόδους όπως δείχνεται στο σχήμα Noise V OH Margins V DD V OHmin V IH V IHmin V ILmax V OLmax V IL 0 V OL Σχήμα Περιοχές τάσεων HIGH και LOW και περιθώρια θορύβου Στη συνέχεια ορίζονται τα διάφορα επίπεδα τάσεων του σχήματος V OHmin : To ελάχιστο δυναμικό εξόδου στην κατάσταση HIGH. V OLmax : To μέγιστο δυναμικό εξόδου στην κατάσταση LOW. V ΙHmin : To ελάχιστο δυναμικό εισόδου που αναγνωρίζεται σαν HIGH. V ILmax : To μέγιστο δυναμικό εισόδου που αναγνωρίζεται σαν LOW. Θόρυβος (noise) είναι μη επιθυμητές αλλαγές στις τιμές των σημάτων που οφείλονται στην ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία, σε παροδικές μεταβολές της τροφοδοσίας, κλπ. Η διαφορά V OHmin -V ΙHmin ονομάζεται περιθώριο θορύβου στην υψηλή τάση, ενώ η διαφορά V ILmax -V OLmax περιθώριο θορύβου στην χαμηλή τάση. Περιθώριο θορύβου (noise margin) είναι η τιμή του θορύβου που μπορεί να μεταβάλει μία ακραία (μέγιστη ή ελάχιστη) τιμή τάσεως εξόδου σε μη έγκυρη τιμή τάσεως εισόδου.

18 130 Ψηφιακή Σχεδίαση 4.6 Δυναμική λειτουργία των λογικών πυλών Χρόνοι μετάπτωσης Μία άλλη υπόθεση που κάναμε προηγουμένως είναι ότι τα σήματα αλλάζουν λογικό επίπεδο ακαριαία. Στην πράξη όμως οι αλλαγές επιπέδου των σημάτων δεν γίνονται ακαριαία αλλά διαρκούν κάποιο χρονικό διάστημα. Ο χρόνος που χρειάζεται για να αλλάξει η τάση του σήματος στην έξοδο μιας πύλης από χαμηλό σε υψηλό ονομάζεται χρόνος ανόδου (rice time) και συμβολίζεται με t r, ενώ ο χρόνος που απαιτείται για να αλλάξει από υψηλό σε χαμηλό ονομάζεται χρόνος καθόδου (fall time) και συμβολίζεται με t f. Οι χρόνοι αυτοί για τα σήματα εξόδου των λογικών πυλών τεχνολογίας CMOS δίδονται στο σχήμα Όπως προαναφέραμε V OH, V OL είναι αντίστοιχα οι περιοχές τάσεων που χαρακτηρίζεται σαν HIGH και LOW στις εξόδουs των λογικών πυλών Σχήμα Χρόνος ανόδου και χρόνος καθόδου Καθυστέρηση διάδοσης Όταν γίνεται μία αλλαγή στην είσοδο μιας λογικής πύλης, αυτή δεν επηρεάζει την τιμή της εξόδου ακαριαία, αλλά μεσολαβεί κάποιο χρονικό διάστημα. Καθυστέρηση διάδοσης (propagation delay) είναι ο χρόνος που μεσολαβεί ώστε μία μεταβολή στο λογικό επίπεδο μιας εισόδου μιας πύλης να προκαλέσει μία αλλαγή στο λογικό επίπεδο της εξόδου της. Η καθυστέρηση διάδοσης, όπως δείχνεται στο σχήμα 4.23, είναι δυνατόν να διαφέρει ανάλογα με τη φορά της μεταβολής της εξόδου.

19 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 131 V IN 50% 50% V OUT 50% 50% t phl t plh Σχήμα Καθυστέρηση διάδοσης Στο σχήμα 4.23, με t phl συμβολίζεται η καθυστέρηση διάδοσης κατά τη μετάβαση από Η σε L, ενώ με t plh συμβολίζεται η καθυστέρηση διάδοσης κατά τη μετάβαση από L σε H. Όταν δεν χρειάζεται να γίνεται διάκριση μεταξύ των δύο αυτών χρόνων, η καθυστέρηση διάδοσης t pd ορίζεται όπως στη συνέχεια t pd = max(t phl, t plh ) Fanout Τα συνδυαστικά κυκλώματα υλοποιούνται με δικτυώματα από πύλες στα οποία η έξοδος μιας πύλης συνδέεται στις εισόδους άλλων πυλών. Η σύνδεση αυτή επηρεάζει την τάση στην έξοδο της πύλης και τα χαρακτηριστικά χρονισμού της. Fanout (ικανότητα οδήγησης) είναι ο μέγιστος αριθμός εισόδων άλλων πυλών που μπορούν να συνδεθούν στην έξοδο μιας πύλης, ώστε η πύλη να λειτουργεί εντός των δεδομένων προδιαγραφών Κατανάλωση ισχύος Τα ψηφιακά κυκλώματα καταναλώνουν ηλεκτρική ισχύ όταν περνούν φορτία (ρεύματα) μέσα από αντιστάσεις που περιέχονται σε αυτά. Η κατανάλωση ισχύος προκαλεί τη θέρμανση των κυκλωμάτων. Υπάρχουν δύο κύρια είδη κατανάλωσης ισχύος στα ψηφιακά κυκλώματα τεχνολογίας CMOS, η στατική και η δυναμική. Η στατική κατανάλωση οφείλεται στο γεγονός ότι, όταν τα τρανζίστορ είναι κλειστά δεν είναι τέλειοι μονωτές. Υπάρχουν σχετικά μικρά ρεύματα διαρροής (leakage currents) μεταξύ των ακροδεκτών τροφοδοσίας και των α- κροδεκτών της γείωσης. Αυτά τα ρεύματα προκαλούν στατική κατανάλωση ι- σχύος. Άλλη πηγή κατανάλωσης ισχύος είναι η φόρτιση και η εκφόρτιση εσωτε-

20 132 Ψηφιακή Σχεδίαση ρικών χωρητικοτήτων όταν οι έξοδοι των πυλών αλλάζουν λογικό επίπεδο. Αυτές οι μετακινήσεις φορτίου (ρεύματα) προκαλούν δυναμική κατανάλωση ισχύος. 4.7 Τυπικά ολοκληρωμένα κυκλώματα λογικών πυλών Μία προσέγγιση που χρησιμοποιήθηκε αρχικά στην κατασκευή λογικών κυκλωμάτων ήταν να συνδέονται κατάλληλα ολοκληρωμένα κυκλώματα, κάθε ένα από τα οποία περιείχε μικρό αριθμό λογικών πυλών ή φλιπ-φλοπ. Μια σειρά ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που χρησιμοποιήθηκε για τον σκοπό αυτό κατά το παρελθόν, ήταν η σειρά 74ΧΧ. Ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα αυτής της σειράς, το 7400, δίδεται στο σχήμα 4.24α. Το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι σε συσκευασία με τους ακροδέκτες σε διπλή σειρά (dual in line package, DIP). Στο σχήμα 4.24β φαίνεται η δομή του ολοκληρωμένου κυκλώματος που αποτελείται από 4 πύλες NAND δύο εισόδων. Στον ακροδέκτη με αριθμό 14 εφαρμόζεται η τάση τροφοδοσίας (V CC ), ενώ στον ακροδέκτη 7 η γείωση (GND). Σχήμα Ολοκληρωμένο κύκλωμα 7400 με 4 πύλες NAND δύο εισόδων Στο σχήμα 4.25 δίδεται η δομή ορισμένων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων της σειράς 74ΧΧ. Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα της σειράς αυτής αρχικά κατασκευάσθηκαν με τρανζίστορ διπολικής τεχνολογίας. Στη συνέχεια κατασκευάσθηκαν με την τεχνολογία CMOS.

21 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 133 Σχήμα Ολοκληρωμένα κυκλώματα της σειράς 74XX Στο σχήμα 4.26 γίνεται υλοποίηση της λογικής συνάρτησης X ABC ABC ABC ABC με χρήση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων της σειράς 74ΧΧ. (Υ '=Y ).

22 134 Ψηφιακή Σχεδίαση Σχήμα Υλοποίηση της λογικής παράστασης X ABC ABC ABC ABC Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα της σειράς 74ΧΧ περιείχαν αρχικά μόνο λίγες λογικές πύλες. Η τεχνολογία που χρησιμοποιήθηκε για την δημιουργία τέτοιων κυκλωμάτων ονομάζεται ολοκλήρωση μικρής κλίμακας (Small Scale Integration ή SSI). Στη συνέχεια κατασκευάσθηκαν ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιείχαν μεγαλύτερο αριθμό πυλών ή πιο σύνθετα λογικά κυκλώματα που ονομάσθηκαν μεσαίας κλίμακας ολοκλήρωσης (Medium Scale Integration, ή MSI). Με την πάροδο του χρόνου κατασκευάσθηκαν ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιείχαν μεγάλο αριθμό τρανζίστορ και χαρακτηρίσθηκαν σαν μεγάλης κλίμακας ολοκλήρωσης (Large Scale Integration ή LSI). Τα σημερινά ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευάζονται με την τεχνολογία πολύ μεγάλης κλίμακας ολοκλήρωσης (Very Large Scale Integration ή VLSI) και περιέχουν εκατομμύρια τρανζίστορ.

23 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης 135 Ασκήσεις 4.1 Να σχεδιασθεί μία πύλη AND τριών εισόδων με την τεχνολογία CMOS. 4.2 Να σχεδιασθεί μία πύλη OR τριών εισόδων με την τεχνολογία CMOS. 4.3 Να υλοποιηθεί με την τεχνολογία CMOS η λογική παράσταση που δίδεται στη συνέχεια. Y A B C 4.4 Να υλοποιηθεί με την τεχνολογία CMOS η λογική παράσταση που δίδεται στη συνέχεια Y A B C. 4.5 Να βρεθεί ποια λογική παράσταση υλοποιεί το κύκλωμα τεχνολογίας CMOS που δίδεται στη συνέχεια. V DD A B Y C D

24 136 Ψηφιακή Σχεδίαση 4.6 Να βρεθεί ποια λογική συνάρτηση υλοποιεί το κύκλωμα τεχνολογίας CMOS που δίδεται στη συνέχεια. V DD A B A Y D 4.7 Να υλοποιήθει με το ολοκληρωμένο κύκλωμα που δίδεται στη συνέχεια η λογική παράσταση F AB CD.

25 Κεφάλαιο 4. Τεχνολογίες Υλοποίησης Να υλοποιηθεί με ένα μόνο ολοκληρωμένο κύκλωμα όπως αυτό της ά- σκησης 4.7 κύκλωμα ισοδύναμο μιας πύλης XOR-2 (δύο εισόδων). 4.9 Να υλοποιηθεί με ένα μόνο ολοκληρωμένο κύκλωμα όπως αυτό της ά- σκησης 4.7 κύκλωμα ισοδύναμο μιας πύλης ΝAND τριών εισόδων.

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των

Διαβάστε περισσότερα

2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1

2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 ΟΙ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND ΚΑΙ OR Οι βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole είναι οι πράξεις NOT, ANDκαι OR. Στα ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

1.1 Θεωρητική εισαγωγή

1.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND, NAND Σκοπός: Να εξοικειωθούν οι φοιτητές µε τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα της σειράς 7400 για τη σχεδίαση και υλοποίηση απλών λογικών συναρτήσεων.

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Βασικές έννοιες και τεχνικές Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκριτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Τι χρειαζόμαστε για να φτιάξουμε

Διαβάστε περισσότερα

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ & ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 1 Βασικές Έννοιες Ψηφιακών Κυκλωµάτων.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης Πίνακας Περιεχοµένων. 1.1 Ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώµατα....2

Διαβάστε περισσότερα

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12 Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη

Διαβάστε περισσότερα

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή 1. Ηλεκτρονικός Υπολογιστής Ο Ηλεκτρονικός Υπολογιστής είναι μια συσκευή, μεγάλη ή μικρή, που επεξεργάζεται δεδομένα και εκτελεί την εργασία του σύμφωνα με τα παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα

Εκτέλεση πράξεων. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά και Δυαδική Λογική. Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς. Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς

Εκτέλεση πράξεων. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά και Δυαδική Λογική. Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς. Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 24-5 Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς (λογικές πράξεις) http://di.ionio.gr/~mistral/tp/csintro/ Μ.Στεφανιδάκης ; Ποιες κατηγορίες

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ

ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΩΝ ΜΝΗΜΩΝ. ΒΑΣΙΚΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ RAM CMOS. ΤΥΠΟΙ ΚΥΤΤΑΡΩΝ ΑΡΧΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΛΟΓΙΑ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΛΟΓΙΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΛΟΓΙΑ 1 Το πρώτο αυτό κεφάλαιο εισάγει ορισμένες από τις θεμελιώδεις ιδέες της σχεδίασης των σύγχρονων ψηφιακών συστημάτων. Καλύπτουμε ένα αρκετά μεγάλο μέρος του υποβάθρου, αλλά σε

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ OR, NOR, XOR

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ OR, NOR, XOR ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ OR, NOR, XOR Σκοπός: Να επαληθευτούν πειραµατικά οι πίνακες αληθείας των λογικών πυλών OR, NOR, XOR. Να δειχτεί ότι η πύλη NOR είναι οικουµενική.

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση κυκλωμάτων ακολουθιακής λογικής

Σχεδίαση κυκλωμάτων ακολουθιακής λογικής Σχεδίαση κυκλωμάτων ακολουθιακής λογικής Βασικές αρχές Σχεδίαση Latches και flip-flops Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Ακολουθιακή

Διαβάστε περισσότερα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα 5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι ( ΠΥΚΝΩΤΕΣ) Πυκνωτές O πυκνωτής είναι ένα ηλεκτρικό εξάρτημα το οποίο έχει την ιδιότητα να απορροφά και να αποθηκεύει ηλεκτρική ενέργεια και να την απελευθερώνει, σε προκαθορισμένο

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Συνδυαστικά Κυκλώματα

Συνδυαστικά Κυκλώματα 3 Συνδυαστικά Κυκλώματα 3.1. ΣΥΝΔΥΑΣΤΙΚΗ Λ ΟΓΙΚΗ Συνδυαστικά κυκλώματα ονομάζονται τα ψηφιακά κυκλώματα των οποίων οι τιμές της εξόδου ή των εξόδων τους διαμορφώνονται αποκλειστικά, οποιαδήποτε στιγμή,

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

Πίνακας Περιεχομένων ΚΕΦΑΛΑΙΟ I ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΡΙΘΜΩΝ

Πίνακας Περιεχομένων ΚΕΦΑΛΑΙΟ I ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΡΙΘΜΩΝ Πίνακας Περιεχομένων ΚΕΦΑΛΑΙΟ I ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΡΙΘΜΩΝ 1.1 Παράσταση ενός φυσικού αριθμού 1 1.2 Δεκαδικό σύστημα 1 1.3 Δυαδικό σύστημα 2 1.4 Οκταδικό σύστηνα 2 1.5 Δεκαεξαδικό σύστημα 2 1.6 Μετατροπές από ένα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. Πρόλογος...9 ΚΕΦ. 1. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ - ΚΩΔΙΚΕΣ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. Πρόλογος...9 ΚΕΦ. 1. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ - ΚΩΔΙΚΕΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Πρόλογος...9 ΚΕΦ. 1. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ - ΚΩΔΙΚΕΣ 1.1 Εισαγωγή...11 1.2 Τα κύρια αριθμητικά Συστήματα...12 1.3 Μετατροπή αριθμών μεταξύ των αριθμητικών συστημάτων...13 1.3.1 Μετατροπή ακέραιων

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ (Τ.Ε.Ι.) ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI A. ΚΑΝΑΠΙΤΣΑΣ καθηγητής Τ.Ε.Ι.

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 Μάθημα : Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Τεχνολογία ΙΙ Τεχνικών Σχολών, Θεωρητικής Κατεύθυνσης

Διαβάστε περισσότερα

6.1 Θεωρητική εισαγωγή

6.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 6 ΑΠΟΚΩ ΙΚΟΠΟΙΗΤΕΣ ΚΑΙ ΠΟΛΥΠΛΕΚΤΕΣ Σκοπός: Η κατανόηση της λειτουργίας των κυκλωµάτων ψηφιακής πολυπλεξίας και αποκωδικοποίησης και η εξοικείωση µε τους ολοκληρωµένους

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο Βασίλης Γαργανουράκης Φυσική ήγ Γυμνασίου Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο μελετήσαμε τις αλληλεπιδράσεις των στατικών (ακίνητων) ηλεκτρικών φορτίων. Σε αυτό το κεφάλαιο

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Ενότητα 2.5 Κεφάλαιο 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ Μετά την ολοκλήρωση της ενότητας αυτής θα μπορείτε: Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Να αναγνωρίζετε βασικά ηλεκτρονικά

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην Αρχιτεκτονική Η/Υ

Εισαγωγή στην Αρχιτεκτονική Η/Υ Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Αρχιτεκτονική Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στην Αρχιτεκτονική (θεμελιώδεις αρχές λειτουργίας των υπολογιστών) http://di.ionio.gr/~mistral/tp/comparch/ Μ.Στεφανιδάκης

Διαβάστε περισσότερα

1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ. Γενικά περί ψηφιακών συστηµάτων Το ψηφιακό σήµα Αριθµητικά συστήµατα υαδικοί κώδικες Ολοκληρωµένα κυκλώµατα Εργαστηριακή υποδοµή

1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ. Γενικά περί ψηφιακών συστηµάτων Το ψηφιακό σήµα Αριθµητικά συστήµατα υαδικοί κώδικες Ολοκληρωµένα κυκλώµατα Εργαστηριακή υποδοµή ΕΙΣΑΓΩΓΗ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ Γενικά περί ψηφιακών συστηµάτων Το ψηφιακό σήµα Αριθµητικά συστήµατα υαδικοί κώδικες Ολοκληρωµένα κυκλώµατα Εργαστηριακή υποδοµή Λογική Σχεδίαση - Εργαστήριο 1.1. ΤΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

Διαβάστε περισσότερα

Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης. Πριν την εξοµοίωση Σχεδίαση. Εξοµοίωση CMOS VLSI κυκλωµάτων 2

Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης. Πριν την εξοµοίωση Σχεδίαση. Εξοµοίωση CMOS VLSI κυκλωµάτων 2 Εξοµοίωση CMOS VLSI κυκλωµάτων µε IRSIM και HSPICE Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Πριν την εξοµοίωση Σχεδίαση Εξοµοίωση CMOS VLSI κυκλωµάτων 2 IRSIM Βήµα 1ο: Σχεδίαση layout µε τη βοήθεια του Magic >

Διαβάστε περισσότερα

Περίληψη. ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασµός Εαρινό Εξάµηνο 2005. Στοιχειώδης Λογικές Συναρτήσεις

Περίληψη. ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασµός Εαρινό Εξάµηνο 2005. Στοιχειώδης Λογικές Συναρτήσεις ΗΜΥ 2: Λογικός Σχεδιασµός, Εαρινό Εξάµηνο 25 Μαρ-5 ΗΜΥ-2: Λογικός Σχεδιασµός Εαρινό Εξάµηνο 25 Κεφάλαιο 4 -i: Βασικές Συνδυαστικές Συναρτήσεις και Κυκλώµατα Περίληψη Συναρτήσεις και συναρτησιακές (λειτουργικές)

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα 1. Να αναφέρετε τρεις τεχνολογικούς τομείς στους οποίους χρησιμοποιούνται οι τελεστικοί ενισχυτές. Τρεις τεχνολογικοί τομείς που οι τελεστικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Φαινόμενα ανταλλαγής θερμότητας: Προσδιορισμός της σχέσης των μονάδων θερμότητας Joule και Cal

Φαινόμενα ανταλλαγής θερμότητας: Προσδιορισμός της σχέσης των μονάδων θερμότητας Joule και Cal Θ2 Φαινόμενα ανταλλαγής θερμότητας: Προσδιορισμός της σχέσης των μονάδων θερμότητας Joule και Cal 1. Σκοπός Η εργαστηριακή αυτή άσκηση αποσκοπεί, με αφορμή τον προσδιορισμό του παράγοντα μετατροπής της

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ 1 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ 2 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ

Διαβάστε περισσότερα

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Άσκηση 1 Μία TTL πύλη εγγυάται να τραβάει 10 ma χωρίς να ξεπεράσει το δυναμικό εξόδου VOL(max) = 0.4 Volt και να μπορεί να δώσει 5 ma χωρίς να πέσει το δυναμικό εξόδου

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Αυγ-13 Ακολουθιακά Κυκλώματα: Μανδαλωτές και Flip-Flops. ΗΜΥ 210: Σχεδιασμό Ψηφιακών Συστημάτων, Χειμερινό Εξάμηνο 2009.

Αυγ-13 Ακολουθιακά Κυκλώματα: Μανδαλωτές και Flip-Flops. ΗΜΥ 210: Σχεδιασμό Ψηφιακών Συστημάτων, Χειμερινό Εξάμηνο 2009. ΗΜΥ-20: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Ακολουθιακά Κυκλώματα: Μανδαλωτές (Latches) και Flip-Flops Flops Διδάσκουσα: Μαρία Κ. Μιχαήλ Ακολουθιακά Κυκλώματα Συνδυαστική Λογική: Η τιμή σε μία έξοδο εξαρτάται

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Θεµατική Ενότητα ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Ακαδηµαϊκό Έτος 2006 2007 Γραπτή Εργασία #2 Ηµεροµηνία Παράδοσης 28-0 - 2007 ΠΛΗ 2: Ψηφιακά Συστήµατα ΠΡΟΤΕΙΝΟΜΕΝΕΣ ΛΥΣΕΙΣ Άσκηση : [5 µονάδες] Έχετε στη

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MO Ενισχυτέςενόςσταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ Αντιστάτες συνδεδεμένοι σε σειρά Όταν ν αντιστάτες ενός κυκλώματος διαρρέονται από το ίδιο ρεύμα τότε λέμε ότι οι αντιστάτες αυτοί είναι συνδεδεμένοι σε σειρά.

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ-2: ΚΥΚΛΩΜΑ RC

ΑΣΚΗΣΗ-2: ΚΥΚΛΩΜΑ RC ΑΣΚΗΣΗ-2: ΚΥΚΛΩΜΑ RC Ημερομηνία:. ΤΜΗΜΑ:.. ΟΜΑΔΑ:. Ονομ/νυμο: Α.Μ. Συνεργάτες Ονομ/νυμο: Α.Μ. Ονομ/νυμο: Α.Μ. ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΤΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ (καθένας με δικά του λόγια, σε όλες τις γραμμές) ΒΑΘΜΟΣ#1: ΥΠΟΓΡΑΦΗ: ΣΤΟΧΟΙ

Διαβάστε περισσότερα

6. ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ

6. ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ 6. ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΥΟ ΕΙΣΟ ΩΝ ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΠΟΛΛΑΠΛΩΝ ΕΠΙΠΕ ΩΝ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ-ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΛΕΞΗ 8. Δυναμικός ηλεκτρισμός

ΔΙΑΛΕΞΗ 8. Δυναμικός ηλεκτρισμός ΔΙΑΛΕΞΗ 8 Δυναμικός ηλεκτρισμός ΗΛΕΚΣΡΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΟΣΗΣΑ Ηλεκτρική Αγωγιμότητα ονομάζουμε την ευκολία με την οποία το ηλεκτρικό ρεύμα περνά μέσα από τα διάφορα σώματα. Σα στερεά σώματα παρουσιάζουν διαφορετική

Διαβάστε περισσότερα

και έντασης ρεύματος I 0 που περιστρέφονται με γωνιακή ταχύτητα ω. Το κύκλωμα περιλαμβάνει: α. μόνο ωμική αντίσταση β. μόνο ιδανικό πηνίο

και έντασης ρεύματος I 0 που περιστρέφονται με γωνιακή ταχύτητα ω. Το κύκλωμα περιλαμβάνει: α. μόνο ωμική αντίσταση β. μόνο ιδανικό πηνίο ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2012 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟ ΤΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΣΤΑ ΛΟΓΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

ΑΠΟ ΤΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΣΤΑ ΛΟΓΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΤΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΣΤΑ ΛΟΓΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Θεματική Ενότητα: Πολλαπλές Ερμηνευτικές Προσεγγίσεις Βασίλειος Τσακανίκας Γεώργιος Τσαπακίδης vasilistsakanikas@yahoo.gr

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Τομέας Ηλεκτρικών Βιομηχανικών Διατάξεων και Συστημάτων Αποφάσεων ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι Σημειώσεις Εργαστηριακών

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, PUT)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, PUT) ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, PUT) 1 2 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ... 4 ΕΛΕΓΧΟΜΕΝΟΙ ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση στατικών μνημών RAM

Σχεδίαση στατικών μνημών RAM Σχεδίαση στατικών μνημών RAM Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Φθινόπωρο 2008 ΗΥ422 1 Περιεχόμενα μαθήματος Οργάνωση μνημών τυχαίας προσπέλασης (Random Access Memories

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΟΣ 1ΗΣ ΑΠΟ 5 ΣΕΛΙ ΕΣ

ΤΕΛΟΣ 1ΗΣ ΑΠΟ 5 ΣΕΛΙ ΕΣ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΠΑΝΕΛΛΑ ΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ HMEΡΗΣΙΩΝ ΚΑΙ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΩΝ ΛΥΚΕΙΩΝ (ΟΜΑ Α A ) ΚΑΙ ΜΑΘΗΜΑΤΩΝ ΕΙ ΙΚΟΤΗΤΑΣ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΩΝ ΛΥΚΕΙΩΝ (ΟΜΑ Α Β ) ΤΡΙΤΗ 9 ΙΟΥΝΙΟΥ 2015 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Σκοπός Στο δεύτερο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια του ηλεκτρικού ρεύματος και της ηλεκτρικής τάσης,θα μελετηθεί ένα ηλεκτρικό κύκλωμα και θα εισαχθεί η έννοια της αντίστασης.

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2015

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2015 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2015 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (ΙΙ) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ : Εφαρμοσμένη Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ ΜΕ ΤΗ ΓΕΦΥΡΑ WHEATSTONE

Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ ΜΕ ΤΗ ΓΕΦΥΡΑ WHEATSTONE ΤΕΙ ΧΑΛΚΙΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Α/Α ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ : ΑΣΚΗΣΗ 3 η Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ ΜΕ ΤΗ ΓΕΦΥΡΑ WHEATSTONE Σκοπός Η κατανόηση της λειτουργίας και

Διαβάστε περισσότερα

ΠΛΑΙΣΙΟ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΥ ΚΑΙ ΑΝΑΦΟΡΑΣ ΣΕΝΑΡΙΟΥ με χρήση Τ.Π.Ε. ΤΙΤΛΟΣ: «Απλά ηλεκτρικά κυκλώματα συνεχούς ρεύματος» 5 ο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

ΠΛΑΙΣΙΟ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΥ ΚΑΙ ΑΝΑΦΟΡΑΣ ΣΕΝΑΡΙΟΥ με χρήση Τ.Π.Ε. ΤΙΤΛΟΣ: «Απλά ηλεκτρικά κυκλώματα συνεχούς ρεύματος» 5 ο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ Διδασκαλία, Σύνδεσης αντιστατών παράλληλα, με Εργαστήριο Κατασκευής Κυκλωμάτων Συνεχούς Ρεύματος, Physics Education Technology (PhET), University of 1 ΠΛΑΙΣΙΟ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΥ ΚΑΙ ΑΝΑΦΟΡΑΣ ΣΕΝΑΡΙΟΥ με χρήση

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ 1. Ηλιακή ακτινοβολία Ο ήλιος ενεργεί σχεδόν, ως μια τέλεια πηγή ακτινοβολίας σε μια θερμοκρασία κοντά στους 5.800 Κ Το ΑΜ=1,5 είναι το τυπικό ηλιακό φάσμα πάνω

Διαβάστε περισσότερα

Σε γαλάζιο φόντο ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ (2013 2014) Σε μαύρο φόντο ΘΕΜΑΤΑ ΕΚΤΟΣ ΔΙΔΑΚΤΕΑΣ ΥΛΗΣ (2013-2014)

Σε γαλάζιο φόντο ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ (2013 2014) Σε μαύρο φόντο ΘΕΜΑΤΑ ΕΚΤΟΣ ΔΙΔΑΚΤΕΑΣ ΥΛΗΣ (2013-2014) > Φυσική Γ Γυμνασίου >> Αρχική σελίδα ΗΛΕΚΤΡΙΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΕΕρρωττήήσσεει ιςςαασσκκήήσσεει ιςς χχωρρί ίςς ααππααννττήήσσεει ιςς (σελ. ) ΕΕρρωττήήσσεει ιςςαασσκκήήσσεει ιςς μμεε ααππααννττήήσσεει ιςς (σελ.

Διαβάστε περισσότερα

1 Τράπεζα θεμάτων 2014-15 ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΠΟΥΚΑΜΙΣΑΣ

1 Τράπεζα θεμάτων 2014-15 ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΠΟΥΚΑΜΙΣΑΣ 1 2 ΘΕΜΑ B Ένταση του ηλεκτρικού ρεύματος 1. ΘΕΜΑ Β 2-15438 B.1 Ένας αγωγός διαρρέεται από ηλεκτρικό ρεύμα έντασης i = 5 A. Το ηλεκτρικό φορτίο q που περνά από μια διατομή του αγωγού σε χρόνο t = 10 s

Διαβάστε περισσότερα

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ:

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ι η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΣΤΟΙΧΕΙΩΔΕΣ ΤΗΛΕΦΩΝΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ Εισαγωγή. Η διεξαγωγή της παρούσας εργαστηριακής άσκησης προϋποθέτει την μελέτη τουλάχιστον των πρώτων παραγράφων του

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18)

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) Άσκηση 1. Α) Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος την χρονική στιγμή t=0 sec ο διακόπτης κλείνει. Βρείτε τα v c και i c. Οι πυκνωτές είναι αρχικά αφόρτιστοι. Β)

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής.

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Α. ιεργασίες κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Η επίπεδη τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων περιλαµβάνει

Διαβάστε περισσότερα

Αρχιτεκτονική Υπολογιστών II 16-2-2012. Ενδεικτικές απαντήσεις στα θέματα των εξετάσεων

Αρχιτεκτονική Υπολογιστών II 16-2-2012. Ενδεικτικές απαντήσεις στα θέματα των εξετάσεων Αρχιτεκτονική Υπολογιστών II 6 --0 Ενδεικτικές απαντήσεις στα θέματα των εξετάσεων Θέμα. Τι γνωρίζετε για την τοπικότητα των αναφορών και ποιών μονάδων του υπολογιστή ή τεχνικών η απόδοση εξαρτάται από

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΟ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟ

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΟ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟ Α.Τ.Ε.Ι. ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ(Σ.Τ.ΕΦ) ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΟ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:ΜΠΙΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΗΣ ΦΟΙΤΗΤΗΣ: ΛΑΖΑΡΟΥ ΘΩΜΑΣ ΚΑΣ: 500063 ΘΕΣ/ΝΙΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την

Διαβάστε περισσότερα

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός 5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός Σκοπός του μαθήματος: Να εντοπίζουμε τη θέση του πυριτίου στον περιοδικό πίνακα Να αναφέρουμε τη χρήση του πυριτίου σε υλικά όπως

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡOY ΗΜΥ 211-2010

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡOY ΗΜΥ 211-2010 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡOY ΗΜΥ 211-2010 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΥΛΙΚΟΥ ΨΗΦΙΑΚΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ Στόχοι Με την ολοκλήρωση αυτού του εργαστηρίου, θα πρέπει να γνωρίζετε

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Σχεδίαση και αξιολόγηση ψευδοτυχαίων γεννητριών για μειωμένη κατανάλωση ισχύος κατά τον έλεγχο ορθής λειτουργίας

ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Σχεδίαση και αξιολόγηση ψευδοτυχαίων γεννητριών για μειωμένη κατανάλωση ισχύος κατά τον έλεγχο ορθής λειτουργίας ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Θέμα: Επιβλέπων: Σχεδίαση και αξιολόγηση ψευδοτυχαίων γεννητριών για μειωμένη κατανάλωση ισχύος κατά τον έλεγχο ορθής λειτουργίας Καθηγητής Δημήτριος Νικολός Λαουδιάς Χρήστος Α.Μ. 2142

Διαβάστε περισσότερα

1 ΜΕΛΕΤΗ ΕΣΩΤΕΡΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΚΑΙ

1 ΜΕΛΕΤΗ ΕΣΩΤΕΡΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΚΑΙ 1 ΜΕΛΕΤΗ ΕΣΩΤΕΡΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΗΣ ΔΙΑΤΑΞΗΣ 2 Εσωτερική Ηλεκτρική Εγκατάσταση (Ε.Η.Ε.) εννοούμε την τοποθέτηση, τον έλεγχο και το χειρισμό διαφόρων ηλεκτρολογικών εξαρτημάτων,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΛΥΣΕΙΣ

ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΛΥΣΕΙΣ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Μάθημα: ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ Ημερομηνία και ώρα εξέτασης: Τετάρτη, 3 Μαΐου 01 07:30 10:30 ΜΕΡΟΣ Α ΘΕΜΑ 1 (α) ΛΥΣΕΙΣ Το ύψος της κάθε βρύσης ώστε να χρησιμοποιείται από το μέσο

Διαβάστε περισσότερα

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Παράρτημα Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Σκοπός του παραρτήματος είναι η εξοικείωση των φοιτητών με τη χρήση και τη

Διαβάστε περισσότερα

13. ΣΥΓΧΡΟΝΑ ΑΚΟΛΟΥΘΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

13. ΣΥΓΧΡΟΝΑ ΑΚΟΛΟΥΘΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 13. ΣΥΓΧΡΟΝΑ ΑΚΟΛΟΥΘΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 ΣΥΓΧΡΟΝΑ ΑΚΟΛΟΥΘΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΑΚΟΛΟΥΘΙΑΚΟ ΚΥΚΛΩΜΑ ΣΥΓΧΡΟΝΟ ΑΚΟΛΟΥΘΙΑΚΟ ΚΥΚΛΩΜΑ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΣΥΓΧΡΟΝΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων.

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Κεφάλαιο 3 Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Υπάρχουν διάφοροι τύποι μετατροπέων για τη μέτρηση θερμοκρασίας. Οι βασικότεροι από αυτούς είναι τα θερμόμετρα διαστολής, τα θερμοζεύγη, οι μετατροπείς

Διαβάστε περισσότερα

Τ.Ε.Ι Λαμίας Σ.Τ.ΕΦ. Τμήμα Ηλεκτρονικής Εργασία Κεραίες

Τ.Ε.Ι Λαμίας Σ.Τ.ΕΦ. Τμήμα Ηλεκτρονικής Εργασία Κεραίες Τ.Ε.Ι Λαμίας Σ.Τ.ΕΦ. Τμήμα Ηλεκτρονικής Εργασία Κεραίες Μπαρμπάκος Δημήτριος Δεκέμβριος 2012 Περιεχόμενα 1. Εισαγωγή 2. Κεραίες 2.1. Κεραία Yagi-Uda 2.2. Δίπολο 2.3. Μονόπολο 2.4. Λογαριθμική κεραία 3.

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ Α. ΗΛΕΚΤΡΟΝΟΜΟΙ ( ΡΕΛΕ ) ή ΤΗΛΕΧΕΙΡΙΖΟΜΕΝΟΙ ΔΙΑΚΟΠΤΕΣ ΓΕΝΙΚΑ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ Α. ΗΛΕΚΤΡΟΝΟΜΟΙ ( ΡΕΛΕ ) ή ΤΗΛΕΧΕΙΡΙΖΟΜΕΝΟΙ ΔΙΑΚΟΠΤΕΣ ΓΕΝΙΚΑ Page 1 of 66 ΚΕΦΑΛΑΙΟ Α ΗΛΕΚΤΡΟΝΟΜΟΙ ( ΡΕΛΕ ) ή ΤΗΛΕΧΕΙΡΙΖΟΜΕΝΟΙ ΔΙΑΚΟΠΤΕΣ ΓΕΝΙΚΑ Οι ηλεκτρονόμοι ( ΡΕΛΕ ) αποτελούν βασικό στοιχείο στα κυκλώματα του κλασσικού αυτοματισμού. Με την χρήση των ηλεκτρονόμων

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ Α : ΘΕΜΑΤΑ ΒΑΣΗΣ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ...11 2. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ...30

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ Α : ΘΕΜΑΤΑ ΒΑΣΗΣ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ...11 2. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ...30 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ Α : ΘΕΜΑΤΑ ΒΑΣΗΣ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ...11 1.1 Τι είναι Πληροφορική;...11 1.1.1 Τι είναι η Πληροφορική;...12 1.1.2 Τι είναι ο Υπολογιστής;...14 1.1.3 Τι είναι το Υλικό και το

Διαβάστε περισσότερα

Informer Compact series

Informer Compact series Informer Compact series Line Interactive Ημιτονικής Εξόδου 1kVA/2kVA/3kVA Uninterruptible Power Supply ΕΓΧΕΙΡΙΔΙΟ ΧΡΗΣΤΗ ΠΡΟΣΟΧΗ: 1. Διαβάστε το εγχειρίδιο χρήσης προσεκτικά πριν την εγκατάσταση ή τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά:

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά: Η στιγμιαία ηλεκτρική ισχύς σε οποιοδήποτε σημείο ενός κυκλώματος υπολογίζεται ως το γινόμενο της στιγμιαίας τάσης επί το στιγμιαίο ρεύμα: Σε ένα εναλλασσόμενο σύστημα τάσεων και ρευμάτων θα έχουμε όμως:

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2011

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2011 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2011 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (Ι) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ : ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2008 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (ΙΙ) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ: Εφαρμοσμένη Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2012

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2012 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2012 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (Ι) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Μάθημα : Αυτοματισμοί και

Διαβάστε περισσότερα

ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ. Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών. Να εξηγούν το σχηματισμό του ιοντικού ομοιοπολικού δεσμού.

ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ. Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών. Να εξηγούν το σχηματισμό του ιοντικού ομοιοπολικού δεσμού. ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ Στο τέλος αυτής της διδακτικής ενότητας οι μαθητές θα πρέπει να μπορούν: Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών Να εξηγούν το σχηματισμό

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΦΟΡΕΣ ΠΕΡΙΦΡΑΞΕΙΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΦΟΡΕΣ ΠΕΡΙΦΡΑΞΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΟΦΟΡΕΣ ΠΕΡΙΦΡΑΞΕΙΣ Ο ΗΓΟΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Εικόνα 1. Ηλεκτρολογική συνδεσμολογία ηλ. περίφραξης 1. Βγάζουμε τη συσκευή (κεντρική μονάδα) από τη συσκευασία (εικ. 2). Εικόνα 2. Κεντρική μονάδα 2. Τη στερεώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Ψηφιακής Σχεδίασης

Εργαστήριο Ψηφιακής Σχεδίασης ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΙΩΑΝΝΙΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Εργαστήριο Ψηφιακής Σχεδίασης 8 Εργαστηριακές Ασκήσεις Χρ. Καβουσιανός Επίκουρος Καθηγητής 2014 Εργαστηριακές Ασκήσεις Ψηφιακής Σχεδίασης 2 Εργαστηριακές Ασκήσεις

Διαβάστε περισσότερα

8.1 Θεωρητική εισαγωγή

8.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 8 ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΝΗΜΗΣ ΚΑΤΑΧΩΡΗΤΕΣ Σκοπός: Η µελέτη της λειτουργίας των καταχωρητών. Θα υλοποιηθεί ένας απλός στατικός καταχωρητής 4-bit µε Flip-Flop τύπου D και θα µελετηθεί

Διαβάστε περισσότερα

Κονσόλες μίξης με ενσωματωμένο ενισχυτή

Κονσόλες μίξης με ενσωματωμένο ενισχυτή Κονσόλες μίξης με ενσωματωμένο ενισχυτή Σειρά MX -P Οδηγίες χρήσης υνατότητες 8 έως 12 μονοφωνικές (ανάλογα με το μοντέλο). Ισχύς ενσωματωμένου ενισχυτή (στα 4Ω) από 2 x 200W έως 2 x 500W (ανάλογα με το

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι

ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι Ι.Μ. ΚΟΝΤΟΛΕΩΝ S k k k S k k k 00 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι ΑΣΚΗΣΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΜΕ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΠΡΟΕΤΟΙΜΑΣΙΑ Ψηφιακά Κυκλώµατα, κεφ.,

Διαβάστε περισσότερα

i C + i R i C + i R = 0 C du dt + u R = 0 du dt + u RC = 0 0 RC dt ln u = t du u = 1 RC dt i C = i R = u R = U 0 t > 0.

i C + i R i C + i R = 0 C du dt + u R = 0 du dt + u RC = 0 0 RC dt ln u = t du u = 1 RC dt i C = i R = u R = U 0 t > 0. Α. Δροσόπουλος 6 Ιανουαρίου 2010 Περιεχόμενα 1 Κυκλώματα πρώτης τάξης 2 1.1 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RC πρώτης τάξης.................................. 2 1.2 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RL πρώτης τάξης...................................

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα