HY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα
|
|
- Ἀγλαΐα Ελευθερόπουλος
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 HY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα Διδϊςκων: Χ. Σωτηρύου, Βοηθού: Ε. Βαςιλϊκησ, Δ. Πούλιοσ 1 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Διαδικαςύα CMOS 2 1
2 Μια ςύγχρονη διαδικαςύα CMOS gate-oxide TiSi 2 AlCu Tungsten SiO 2 n+ p-well p-epi poly n-well p+ SiO 2 p+ Dual-Well Trench-Isolated CMOS Process 3 Κύκλωμα υπο Σχεδύαςη V DD V DD M2 M4 V in V out V out2 M1 M3 4 2
3 Η Διϊταξη του 5 Φωτολιθογραφικό Διαδικαςύα oxidation optical mask photoresist removal (ashing) photoresist coating stepper exposure process step Typical operations in a single photolithographic cycle (from [Fullman]). photoresist development acid etch spin, rinse, dry 6 3
4 Σκιαγρϊφηςη του SiO2 Si-substrate (α) Βαζηθό Υιηθό, Ππξήηην Si-substrate (β) Μεηά από Ομύδσζε θαί Δλαπόζεζε αξλεηηθνύ photoresist Si-substrate (γ) Έθζεζε ζηνλ Stepper Photoresist SiO 2 Υπεξηώδεο Φώο Σθηαγξαθεκέλε Οπηηθή Μάζθα Δθηεζηκέλν resist Si-substrate Si-substrate Σθιεξπκέλν resist SiO 2 (δ) Μέηα ηελ έθζεζε θαί ράξαμε ηνπ resist, ραξάζεηαη ην SiO 2 Si-substrate (ε) Μεηά ράξαμεο Φεκηθή ράξαμε ή ράξαμε κε Πιάζκα Hardened resist SiO 2 SiO 2 (ζη) Τειηθό απνηέιεζκα αθαηξώληαο ην resist 7 Η Διαδικαςύα CMOS Περιληπτικϊ Οξηζκόο Δλεξγώλ Πεξηνρώλ Φάξαμε θαί ιείαλζε ηνπο Δκθύηεπζε πεγαδηώλ Δλαπόζεζε θαί Σθηαγξάθεζε Πνιπ-Si επηπέδνπ Δκθύηεπζε πεγώλ/θαηαβνζξώλ θαί επαθώλ ζην ππόζηξσκα Γεκηνπξγία επαθώλ θαί δηεπαθώλ Δλαπόζεζε θαί ζθηαγξάθεζε Al/Cu 8 4
5 Η Διαδικαςύα CMOS Περιγραφικϊ p-epi p+ (α) Βαζηθό Υιηθό: p+ ππόζηξσκα κέ p επη-ηάμηθό πιηθό p-epi p+ SiN 3 4 SiO 2 (β) Μεηά ελαπόζεζε ηνύ νμεηδίνπ πύιεο θαί ηνπ ληηξηδίνπ (ππνζηεξηθηηθό επίπεδν) p+ (γ) Μεηά ράξαμεο (πιάζκα) ησλ κνλσηηθώλ ραξαθσκάησλ κε ην αξλεηηθό ηεο κάζθαο ελεξγήο πεξηνρήο 9 Η Διαδικαςύα CMOS Περιγραφικϊ SiO 2 (δ) Μεηά γέκηζεο ραξαθσκάησλ, CMP ιείαλζεο, θαί αθαίξεζεο ηνπ ληηξηδίνπ n (ε) Μεηά εκθύηεπζεο n-well θαί V Tp δηόξζσζεο p (ζη) Μεηά εκθύηεπζεο p-well θαί V Tn δηόξζσζεο 10 5
6 Η Διαδικαςύα CMOS Περιγραφικϊ Πνιπ-Si (δ) Μεηά ελαπόζεζεο θαί xάξαμεο πνιπ-si n+ p+ (ε) Μεηά εκθύηεπζεο πεξηνρώλ n+ θαί p+. Βήκα εληζρύεη θαί ην πoιπ-si SiO 2 (ζ) Μεηά ελαπόζεζεο SiO 2 Μόλσζεο θαί ράξαμεο επαθώλ 11 Η Διαδικαςύα CMOS Περιγραφικϊ Al (η) Μεηά ελαπόζεζεο θαί Σθηαγξάθεζεο 1 νπ κεηάιινπ. Al SiO 2 (θ) Μεηά ελαπόζεζεο SiO 2 κνλώηηθνύ, ράξαμε Γηεπαθώλ, θαί ελαπόζεζε θαί ζθηαγξάθεζε 2 νπ κεηάιινπ. 12 6
7 Προχωρημϋνη Μεταλλοπούηςη 13 Προχωρημϋνη Μεταλλοπούηςη 14 7
8 Σχεδιαςτικού Κανόνεσ 15 3D Όψη Polysilicon Aluminum 16 8
9 Σχεδιαςτικού Κανόνεσ Μζςο μεταξφ ςχεδιαςτή καί μηχανικοφ διεργαςίασ Κανόνεσ για την ορθή ςχεδίαςη των οπτικών μαςκών Μονάδα μζτρηςησ: Ελάχιςτο πλάτοσ γραμμήσ Κλιμακώμενοι κανόνεσ: παράμετροσ λ Απόλυτεσ διαςτάςεισ (κανόνεσ ςε μm) 17 Επύπεδα διεργαςύασ CMOS Δπίπεδν Well (p,n) Active Area (n+,p+) Select (p+,n+) Polysilicon Metal1 Metal2 Contact To Poly Contact To Diffusion Via Φξώκα Yellow Green Green Red Blue Magenta Black Black Black Απεηθόλεζε 18 9
10 Επύπεδα διεργαςύασ CMOS Δπίπεδν Well (p,n) Active Area (n+,p+) Select (p+,n+) Polysilicon Metal1 Metal2 Contact To Poly Contact To Diffusion Via Φξώκα Yellow Green Green Red Blue Magenta Black Black Black Απεηθόλεζε 19 Επύπεδα ςε διεργαςύα 0.25 m CMOS 20 10
11 Κανόνεσ μεταξύ επιπϋδων Same Potential Different Potential Well Active Select or Contact or Via Hole 2 Polysilicon Metal1 2 Metal Διϊταξη Τρανζύςτορ Transistor
12 Διεπαφϋσ καύ Επαφϋσ 2 1 Via Metal to Active Contact 1 Metal to Poly Contact Select Επύπεδο Select Substrate Well 24 12
13 Διϊταξη Αντιςτροφϋα CMOS GND In V DD A A Out (a) Layout A A n p-substrate Field n + p + Oxide (b) Cross-Section along A-A 25 Σχεδιαςτικό Πρόγραμμα Διϊταξησ 26 13
14 Ελεγκτόσ Κανόνων (DRC) poly_not_fet to all_diff minimum spacing = 0.14 um. 27 Διϊγραμματα Stick V DD 3 In 1 Out Αδιάζηαηο Μόνο ηοπολογία Τελική διάηαξη ζσεδιάζεηαι απο ππόγπαμμα «ζςμπίεζηρ» GND Γηάγξακκα Stick Αληηζηξνθέα 28 14
15 Πακϋτα Ολοκληρωμϋνων Κυκλωμϊτων 29 Απαιτόςεισ Πακϋτου Ηλεκτρικζσ: Χαμηλζσ παραςιτικζσ Μηχανικζσ: Αξιόπιςτια καί ςτοιβαρότητα Θερμικζσ: Καλή διάχυςη θερμότητασ Οικονομικζσ: Χαμηλό Κόςτοσ 30 15
16 Τεχνολογύα Δι-ενώςεων Wire Bonding Substrate Die Pad Lead Frame 31 Tape-Automated Bonding (TAB) Sprocket hole Film + Pattern Solder Bump Test pads Lead frame Polymer film Die Substrate (b) Die attachment using solder bumps. (a) Polymer Tape with imprinted wiring pattern
17 Flip-Chip Bonding Die Solder bumps Interconnect layers Substrate 33 Διαςύνδεςη chip ςε PCB (a) Through-Hole Mounting (b) Surface Mount 34 17
18 Τύποι Πακϋτων 35 Παρϊμετροι Πακϋτων 36 18
19 Τεχνολογύα Multi-Chip Modules 37 Διεργαςύα CMOS 38 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 19
20 Κύκλωμα υπο Καταςκευό V DD V DD M2 M4 V in V out V out2 M1 M3 Το κύκλωμα ηων 2 ανηιζηποθέων θα καηαζκεςαζηεί ζε διεπγαζία με 2 πηγάδια. 39 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Διϊταξη 40 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 20
21 Αρχικό Υλικό A A Υπόζηξσκα (wafer): n-type κε 13 doping level = 10 /cm 3 Φαίλεηαη δηαηνκή σο πξνο ηελ επζεία A-A 41 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Καταςκευό N-well (1) Ομύδνζε Υιηθνύ (2) Δλαπόζεζε silicon nitride (3) Δλαπόζεζε photoresist 42 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 21
22 Καταςκευό N-well (4) Έθζεζε resist κε ηελ κάζθα n-well 43 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Καταςκευό N-well (5) Αλάπηπμε resist (6) Φάξαμε nitride and (7) Αλάπηπμε thick oxide 44 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 22
23 Καταςκευό N-well (8) Δκθύηεπζε n-dopants (θώζθνξνο) (εώο 1.5 m βάζνο) 45 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Καταςκευό P-well Δπαλάιεςε πξνεγνύκελσλ βεκάησλ 46 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 23
24 Ανϊπτυξη Διοξειδύου Πύλησ SiO m πάρνο 47 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Ανϊπτυξη Μονοτικού Διοξειδύου 0.9 m πάρνο Φξεζηκνπνηεί ηελ κάζθα πνπ νξίδεη ηελ ελεξγό πεξηνρή Αθνινπζείηαη απν ελαπνζέζεηο βειηίσζεο ηνπ νξηαθνύ δπλακηθνύ 48 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 24
25 Πολυπυρύτιο 49 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Εμφυτεύςεισ Πηγόσ-Καταβόθρασ n+ source-drain implant (using n+ select mask) 50 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 25
26 Εμφυτεύςεισ Πηγόσ-Καταβόθρασ p+ source-drain implant (using p+ select mask) 51 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Οριςμόσ Οπών για Επαφϋσ (1) Δλαπόζεζε κνλσηηθνύ δηειεθηξηθνύ (SiO 2 ) 0.75 m (2) Οξηζκόο νπώλ κε βάζε ηελ αλάινγε κάζθα 52 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 26
27 Αλουμύνιο Πρώτου Επιπϋδου Δλαπόζεζε κέζσ εμάηκεζεο (0.8 m thick) Αθνινπζνύλ θαη άιια επίπεδα κεηάιινπ θαί γπαιηνύ 53 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS Μεταλλικϋσ Συνδϋςεισ 54 HY121 - Διαδικαζία Καηαζκεςήρ CMOS 27
HY523 Εργαςτηριακό Σχεδύαςη Ψηφιακών Κυκλωμϊτων με εργαλεύα Ηλεκτρονικού Σχεδιαςτικού Αυτοματιςμού.
HY523 Εργαςτηριακό Σχεδύαςη Ψηφιακών Κυκλωμϊτων με εργαλεύα Ηλεκτρονικού Σχεδιαςτικού Αυτοματιςμού Διδϊςκων: Χ. Σωτηρύου, Βοηθόσ: Π. Ματτθαιϊκησ http://www.csd.uoc.gr/~hy422 1 Διαδικαςύα CMOS 2 1 Μια ςύγχρονη
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 Διαδικασία CMOS 2 1 Μια σύγχρονη διαδικασία CMOS gate-oxide
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 3: Εισαγωγή στη Διαδικασία Κατασκευής (CMOS Processing) Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 1: Εισαγωγή στη Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 5: Διαδικασία Παραγωγής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 5: Το CMOS transistor και κυκλώµατα CMOS ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Περίληψη q Κυκλώµατα
Διαβάστε περισσότεραΔΙΑΛΕΞΗ 2: Technology and Historical Progress of FPGAs
ΗΜΥ 408 ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΜΕ FPGAs Εαρινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 2: Technology and Historical Progress of FPGAs ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Some slides adopted from
Διαβάστε περισσότεραΦυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Βασικές έννοιες και τεχνικές Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκριτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Τι χρειαζόμαστε για να φτιάξουμε
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI
HY422 Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθός: Π. Ματτθαιάκης http://www.csd.uoc.gr/~hy422 HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν
Διαβάστε περισσότεραΠυρίτιο. Η βάση για τα σύγχρονα ημιαγωγικά κυκλώματα είναι. Ένας κρύσταλλος καθαρού πυριτίου συμπεριφέρεται
Τεχνολογία CMOS Πυρίτιο Η βάση για τα σύγχρονα ημιαγωγικά κυκλώματα είναι το πυρίτιο Ένας κρύσταλλος καθαρού πυριτίου συμπεριφέρεται σαν μονωτής Εάν προσθέσουμε προσμόξεις (impurities) τότε αλλάζουμε την
Διαβάστε περισσότεραHY422 Ειςαγωγή ςτα Συςτήματα VLSI. HY422 - Διάλεξθ 4θ - Διαςυνδζςεισ
HY422 Ειςαγωγή ςτα Συςτήματα VLSI Διδάςκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθόσ: Π. Ματτθαιάκησ http://www.csd.uoc.gr/~hy422 Περιεχόμενα Διαςυνδζςεισ Μοντελοποίθςθ των Παραςιτικών Διαςυνδζςεισ ςε ζνα Πραγματικό Κφκλωμα
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Πυρίτιο Η βάση για τα σύγχρονα ημιαγωγικά κυκλώματα είναι το πυρίτιο
Διαβάστε περισσότερα«Τεχνολογίες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Τεχνολογίες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Γνωριμία κυρίως με τη MOS και τη διπολική τεχνολογία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://www.csd.uoc.gr/~hy330 1 Περιεχόμενα Συσκευές στο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδος Θετική, αρνητική
Διαβάστε περισσότεραΆδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως εικόνες, που υπόκειται σε άδεια
Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως εικόνες, που υπόκειται σε άδεια χρήσης άλλου τύπου, αυτή πρέπει να αναφέρεται ρητώς. Example
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. Σταθερές Μνήμες Αρχιτεκτονικές Μνήμης RAM
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 12η - Κυκλώματα Μνήμης Περιεχόμενα Είδη
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών) Σχεδιασμός και Προσομοίωση Βασικών Κυκλωμάτων Τεχνολογίας CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind Σκοπός: η
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS
ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΘΕΩΡΙΑ Οι ασκήσεις 3 και 4 αφορούν τον αντιστροφέα CMOS, ο οποίος είναι η απλούστερη αλ α ταυτόχρονα και σημαντικότερη πύλη για την κατανόηση της λειτουργίας των Ολοκληρωμένων
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 4.1: Μέθοδοι Υλοποίησης Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Διαβάστε περισσότεραHY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα
HY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα Διδϊςκων: Χ. Σωτηρύου, Βοηθού: Ε. Βαςιλϊκησ, Δ. Πούλιοσ http://www.csd.uoc.gr/~hy121 1 Περιεχόμενα Συςκευζσ ςτο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδοσ Θετικι, αρνθτικι πόλωςθ Εξίςωςθ
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2018-2019 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (6 th Chapter) Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Si SiO 2
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2017-2018 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Γιώργος Καλοκαιρινός & Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα
Διαβάστε περισσότερα10o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Στοιχεία Χωροθεσίας (Layout) CMOS
10o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Στοιχεία Χωροθεσίας (Layout) CMOS Εισαγωγή Θα ξεκινήσουμε σχεδιάζοντας της χωροθεσία μεμονωμένων διατάξεων Θα σχεδιάσουμε τα διάφορα επίπεδα της διάταξης (του τρανζίστορ). Τα ΟΚ κατασκευάζονται
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI. Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ ΦΕΒΡΟΥΑΡΙΟΣ 2011 ΠΡΟΛΟΓΟΣ Στο φυλλάδιο αυτό περιλαμβάνονται οι ασκήσεις του Eργαστηρίου
Διαβάστε περισσότεραNo item Digit Description Series Reference (1) Meritek Series SI Signal Inductor LI: Leaded Inductor PI: Power Inductor
PART NUMBERING SYSTEM SI F 0805 K 780 F (1) (2) (3) (4) (5) (6) No item Digit Description Series Reference (1) Meritek Series SI Signal Inductor LI: Leaded Inductor PI: Power Inductor (2) Type F Ferrite
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραHY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα
HY Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα Διδϊςκων: Χ. Σωτηρύου, Βοηθού: Ε. Βαςιλϊκησ, Δ. Πούλιοσ http://www.csd.uoc.gr/~hy Περιεχόμενα Στατικζσ Πφλεσ CMOS και Μεγζκθ Τρανηίςτορ Λογικι Λόγου Αντίςταςθσ/Μεγεκών (NMOS) Διαφορικι
Διαβάστε περισσότεραAPPLICATION NOTE. Silicon RF Power Semiconductors. Drain Bias. Drain Bias. Gate Bias (RD04HMS2) GND (RD70HUF2) (RD70HUF2) RF IN.
APPLICATION NOTE Silicon RF Power Semiconductors Document NO. AN-UHF-122 Date : 28 th Feb. 211 Prepared : Y.Takase S.Kametani Confirmed :T.Okawa (Taking charge of Silicon RF by MIYOSHI Electronics) SUBJECT:
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD Χειμερινό Εξάμηνο 2009 2010 Design flow? ΗΥ220 University of Crete 2 Ροή Σχεδίασης (Design Flow) Requirements Verilog, VHDL
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα;
Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) ρ. Ιούλιος Γεωργίου Further Reading Texts: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Microelectronic Circuits, Sedra & Smith Αναλογικά ή Ψηφιακά
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 10: Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 10: Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήµιο Θεσσαλίας
Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ, ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΙΚΤΥΩΝ Τοµέας Υλικού και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΗΥ232 - Ψηφιακή Σχεδίαση µε CAD ΙΙ Design Flow Simulation - Synthesis
Διαβάστε περισσότεραHY422 Ειςαγωγό ςτα Συςτόματα VLSI Διδϊςκων: Χ. Σωτηρύου, Βοηθόσ: Π. Ματτθαιϊκησ http://www.csd.uoc.gr/~hy422 1 Περιεχόμενα υςκευζσ ςτο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδοσ Θετικι, αρνθτικι πόλωςθ Εξίςωςθ IV
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στους Υπολογιστές
Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2015-16 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) http://di.ionio.gr/~mistral/tp/csintro/ Μ.Στεφανιδάκης
Διαβάστε περισσότεραHY523 Εργαςτηριακή Σχεδίαςη Ψηφιακών Κυκλωμάτων με εργαλεία Ηλεκτρονικού Σχεδιαςτικού Αυτοματιςμού. http://www.csd.uoc.gr/~hy523. 2 ΗΥ523 - Χωροκζτθςθ
HY523 Εργαςτηριακή Σχεδίαςη Ψηφιακών Κυκλωμάτων με εργαλεία Ηλεκτρονικού Σχεδιαςτικού Αυτοματιςμού Διδάςκων: Χ. Σωτηρίου http://www.csd.uoc.gr/~hy523 1 ΗΥ523 - Χωροκζτθςθ Περιεχόμενα Δομζσ Ειςόδου/Εξόδου
Διαβάστε περισσότεραFixed Inductors / AL TYPE
.Features: 1.Coating epoxy resin that ensures the humidity resistance to be long life. 2.Contribute to be high Q and selfresonant frequencies.applications: 1.Electronics products. 2.Communication equipment.
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 1 η Εργαστηριακή Άσκηση Σχεδιασμός και Προσομοίωση Βασικών Κυκλωμάτων Τεχνολογίας CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της άδειας χρήσης
Διαβάστε περισσότεραWiFi 2.4 GHz Typical performance (Test board size 80 x 37 mm, PWB top surface ground removal area x 6.25 mm, position 1 on PWB)
W3001 Datasheet version 1.0. Antenna. (04/08). Antenna Features - Omni directional radiation (Azimuthal plane) - Low profile - Compact size W x L x H (10 x 3. x 4 mm) - Low weight (600 mg) - Lead free
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 2 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Οδυσσέας Κουφοπαύλου, Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα: Ασκήσεις Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Σελίδα 2 1. Άσκηση 1... 5 2. Άσκηση 2... 5 3. Άσκηση 3... 7 4. Άσκηση 4...
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στην Αρχιτεκτονική Η/Υ
Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Αρχιτεκτονική Υπολογιστών 2017-18 Εισαγωγή στην Αρχιτεκτονική (θεμελιώδεις αρχές λειτουργίας των υπολογιστών) http://mixstef.github.io/courses/comparch/ Μ.Στεφανιδάκης
Διαβάστε περισσότεραΚόληξα πιαθέ ζαιάζζεο κε δηαζηάζεηο 40Υ40 εθ. Καξθηά 3 θηιά πεξίπνπ κε κήθνο ηξηπιάζην από ην πάρνο ηνπ μύινπ θπξί κεγάιν θαη ππνκνλή
Δξγαιεία Καηαζθεπέο 1 Δ.Κ.Φ.Δ. ΥΑΝΙΩΝ ΠΡΩΣΟΒΑΘΜΙΑ ΔΚΠΑΙΓΔΤΗ ΔΝΟΣΗΣΑ 10 ε : ΜΗΥΑΝΙΚΗ ΜΔΡΟ Β ΠΙΔΗ ΔΡΓΑΛΔΙΑ ΚΑΣΑΚΔΤΔ Καηαζθεπή 1: Καξέθια θαθίξε Όξγαλα Τιηθά Κόληξα πιαθέ ζαιάζζεο κε δηαζηάζεηο 40Υ40 εθ.
Διαβάστε περισσότεραBλάβες, ελαττώματα και. Δημήτρης Νικολός, Τμήμα Μηχ. Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής, Παν. Πατρών
Bλάβες, ελαττώματα και μοντέλα σφαλμάτων Περίγραμμα ργρ παρουσίασης Βλάβες (Failures) Ελαττώματα (Defects) Μοντέλα σφαλμάτων (Fault models) Μοντέλο σφαλμάτων μόνιμης μης τιμής (Stuck-at faults Βραχυκυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας
ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος 24/11/2011 12:09 καθ. Τεχνολογίας ΜΙΚΡΟΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΗΣ Ένας μικροεπεξεργαστής είναι ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα που επεξεργάζεται όλες τις πληροφορίες σε ένα
Διαβάστε περισσότεραHY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων
HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων «Ηλεκτρικός Θόρυβος» Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Στατιστικά Χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραFixed Inductors / AL TYPE
.Features: 1.Coating epoxy resin that ensures the humidity resistance to be long life. 2.Contribute to be high Q and selfresonant frequencies.applications: 1.Electronics products. 2.Communication equipment.
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)
Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν
Διαβάστε περισσότεραΑνάπτυξη οξειδίου του πυριτίου σε αντιδραστήρα πλάσματος και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός του
ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΔΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ανάπτυξη
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων Χειµερινό Εξάµηνο 2006-2007 Ροή Σχεδίασης Κυκλωµάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: οµική µονάδα κυκλωµάτων Τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στην Αρχιτεκτονική Η/Υ
Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Αρχιτεκτονική Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στην Αρχιτεκτονική (θεμελιώδεις αρχές λειτουργίας των υπολογιστών) http://di.ionio.gr/~mistral/tp/comparch/ Μ.Στεφανιδάκης
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών
Διαβάστε περισσότεραSMD Wire Wound Ferrite Chip Inductors - LS Series. LS Series. Product Identification. Shape and Dimensions / Recommended Pattern LS0402/0603/0805/1008
SMD Wire Wound Ferrite Chip Inductors - LS Series LS Series LS Series is the newest in open type ferrite wire wound chip inductors. The wire wound ferrite construction supports higher SRF, lower DCR and
Διαβάστε περισσότεραECE 407 Computer Aided Design for Electronic Systems. CMOS Logic. Instructor: Maria K. Michael. Overview
407 Computer Aided Design for Electronic Systems CMOS Logic Instructor: Maria K. Michael 1 Overview MOS transistors (nmos, pmos) CMOS processing technology CMOS design/layout rules MOS transistors as ideal
Διαβάστε περισσότερα(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)
(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης) The MOS Transistor Polysilicon Aluminum N MOS Τρανζίστορ ρ Διάταξη τριών ακροδεκτών Πηγή (Source) Καταβόθρα (Drain) Πύλη (Gate) Κατασκευαστικά η Πηγή και η Καταβόθρα είναι όμοιες
Διαβάστε περισσότεραΔξγαζηεξηαθή άζθεζε 03. Σηεξενγξαθηθή πξνβνιή ζην δίθηπν Wulf
Δξγαζηεξηαθή άζθεζε 03 Σηεξενγξαθηθή πξνβνιή ζην δίθηπν Wulf Ζιίαο Χαηδεζενδσξίδεο Οθηώβξηνο / Ννέκβξηνο 2004 Τη είλαη ην δίθηπν Wulf Δπίπεδν ζην νπνίν κπνξνύκε λα αλαπαξαζηήζνπκε ηξηζδηάζηαηα ζρήκαηα,
Διαβάστε περισσότεραΤΑΞΙΝΟΜΗΣΗ ΤΩΝ ΤΔΡΗΓΟΝΙΚΩΝ ΒΛΑΒΩΝ ΚΑΤΑ ΤΑ ICDAS II ΚΡΙΤΗΡΙΑ ΜΔ ΒΑΣΗ ΤΗ ΚΛΙΝΙΚΗ ΔΞΔΤΑΣΗ
ΤΑΞΙΝΟΜΗΣΗ ΤΩΝ ΤΔΡΗΓΟΝΙΚΩΝ ΒΛΑΒΩΝ ΚΑΤΑ ΤΑ ICDAS II ΚΡΙΤΗΡΙΑ ΜΔ ΒΑΣΗ ΤΗ ΚΛΙΝΙΚΗ ΔΞΔΤΑΣΗ Κιηληθή ηαμηλόκεζε ηνπ βαζκνύ ηεξεδνληθήο βιάβεο ηωλ νπώλ θαη ζρηζκώλ καζεηηθώλ επηθαλεηώλ θαηά ICDAS 1 νο Βαζκόο
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότεραShunts & Multiple Shunts. Stamped Contact DIP IC Sockets. PLCC Sockets. Jumpers. DDR DIMM Sockets SOCKETS. System CS - Technical Specifications
System - Technical Specifications Shunts & Multiple Shunts Stamped Contact DIP IC Sockets ~ ~ PLCC Sockets ~ Jumpers ~ DDR DIMM Sockets Electrical: Current/Voltage rating: 0.5A/25VAC for Single Type 0.3A/25VAC
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ - VLSI Ενότητα: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. 1 Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2
1 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Εισαγωγή Τεχνολογία CMOS = Complementary Metal Oxide Semiconductor Συµπληρωµατικού Ηµιαγωγού Μετάλλου Οξειδίου Αποτελείται
Διαβάστε περισσότεραΚυκλωμάτων» Χειμερινό εξάμηνο
«Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων» Χειμερινό εξάμηνο 2016-2017 Εισαγωγή στα Συστήματα Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Δρ. Παρασκευάς Κίτσος Επίκουρος Καθηγητής http://diceslab.cied.teiwest.gr E-mail: pkitsos@teimes.gr
Διαβάστε περισσότεραPart II: Earthing system components.
Μέρος IΙ: Εξαρτήματα Συστημάτων γείωσης. Part II: Earthing system components. Τίτλος Ηλεκτρόδια γειώσεως Earth Electrodes Title Ράβδος γειώσεως κυκλικής διατομής Round Earthing Rode 182161415 t(250) St/e-Cu
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9: Ενισχυτές με ενεργό φορτίο Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ
ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 1. Εργαλεία εξομοίωσης, SPICE, αρχεία περιγραφής κυκλωμάτων (netlist) (Παρ. 3.4, σελ 152-155) 2. To transistor ως διακόπτης, πύλη διέλευσης. (Παρ
Διαβάστε περισσότερα2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 Η δίνδνο ζπλαληάηαη σο δνκή ζε θάζε MOS ηξαλδίζηνξ. Απνηειείηαη από δπν νκνηνγελείο πεξηνρέο n θαη p ππξηηίνπ, νη νπνίεο δηαρσξίδνληαη από έλα ρώξν κεηάβαζεο ηεο πνιηθόηεηαο, ηνλ ιεγόκελν
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF
Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Παραδείγματα προσαρμογής με χάρτη Smith & CMOS πηνία 1/24 Χάρτης Smith Προσαρμογή χρησιμοποιώντας το παρακάτω κύκλωμα: C 2 Z 0 =50Ω C 1 z =0.15+j0.6 2/24 Προσαρμογή
Διαβάστε περισσότερα4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα
Διαβάστε περισσότερα5 η Δργαζηηριακή Άζκηζη Κσκλώμαηα Γσαδικού Αθροιζηή/Αθαιρέηη
5 η Δργαζηηριακή Άζκηζη Κσκλώμαηα Γσαδικού Αθροιζηή/Αθαιρέηη Σηα πιαίζηα ηεο πέκπηεο εξγαζηεξηαθήο άζθεζεο ζα ρξεζηκνπνηεζεί απνθιεηζηηθά ην πεξηβάιινλ αλάπηπμεο νινθιεξσκέλσλ θπθισκάησλ IDL-800 Digital
Διαβάστε περισσότεραΗμιαγωγοί και Νανοηλεκτρονική
Ημιαγωγοί και Νανοηλεκτρονική Ε. Ηλιόπουλος Φ103: Θέματα Σύγχρονης Φυσικής Νοέμβριος 2017 Περί Τεχνολογίας Σύντομη ανασκόπηση της εξέλιξης της τεχνολογίας Περί Τεχνολογίας Σύντομη ανασκόπηση της εξέλιξης
Διαβάστε περισσότεραWire Wound Chip Ferrite Inductor SDWL-FW Series Operating Temp. : -40 ~+85 R27. External Dimensions 2012 [0805] 2520 [1008] 3216 [1206] 3225 [1210]
Wire Wound Chip Ferrite Inductor SDWL-FW Series Operating Temp. : -4 ~+85 FEATURES Small chip suitable for surface mounting High inductance with ferrite material APPLICATIONS Video cameras, liquid crystal
Διαβάστε περισσότεραΒάσεις Δεδομέμωμ. Εξγαζηήξην V. Τκήκα Πιεξνθνξηθήο ΑΠΘ 2015-2016
Βάσεις Δεδομέμωμ Εξγαζηήξην V Τκήκα Πιεξνθνξηθήο ΑΠΘ 2015-2016 2 Σκοπός του 5 ου εργαστηρίου Σθνπόο απηνύ ηνπ εξγαζηεξίνπ είλαη: ε κειέηε ζύλζεησλ εξσηεκάησλ ζύλδεζεο ζε δύν ή πεξηζζόηεξεο ζρέζεηο ε κειέηε
Διαβάστε περισσότερα! " # $ &,-" " (.* & -" " ( /* 0 (1 1* 0 - (* 0 #! - (#* 2 3( 4* 2 (* 2 5!! 3 ( * (7 4* 2 #8 (# * 9 : (* 9
"# " # $ "%%" & '" (' )' * & + (' )' * &,-" " (.* & -" " ( /* 0 (1 1* 0 - (* 0 # - (#* 2 # - (#* 2 3( 4* 2 (* 2 5 3 ( * 2 6 3 (7 4* 2 #8 (# * 9 : (* 9 #" " 5,1 < = " = #+ +# 9 ' :> # &? + # & ISD i " @
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΚΔΦ. 2.4 ΡΗΕΔ ΠΡΑΓΜΑΣΗΚΩΝ ΑΡΗΘΜΩΝ
ΚΔΦ.. ΡΗΕΔ ΠΡΑΓΜΑΣΗΚΩΝ ΑΡΗΘΜΩΝ Οξηζκόο ηεηξαγσληθήο ξίδαο: Αλ 0 ηόηε νλνκάδνπκε ηεηξαγσληθή ξίδα ηνπ ηελ κε αξλεηηθή ιύζε ηεο εμίζσζεο:. Γειαδή ηεηξαγσληθή ξίδα ηνπ 0 ιέγεηαη ν αξηζκόο 0 πνπ όηαλ πςσζεί
Διαβάστε περισσότερα1 Είζοδορ ζηο Σύζηημα ΣΔΕΔ ή BPMS
ΟΤΑ Επισειπηζιακή Νοημοζύνη: Οδεγίεο πξνο ηνπο εθπαηδεπόκελνπο γηα ηε ζύλδεζε κε ην ύζηεκα Γηαρείξηζεο Δπηρεηξεζηαθώλ Γηαδηθαζηώλ γηα ηελ εθηέιεζε ηωλ Πξαθηηθώλ Αζθήζεωλ ηωλ ππν(δλνηήηωλ) Bc1.1.4, Bc1.1.5,
Διαβάστε περισσότεραHY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα
HY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα Διδϊςκων: Χ. Σωτηρύου, Βοηθού: Ε. Βαςιλϊκησ, Δ. Πούλιοσ http://www.csd.uoc.gr/~hy121 1 HY121 - Τρανηίςτορ και Στατικζσ 3/11/2013 Περιεχόμενα Το Τρανηίςτορ ωσ Διακόπτθσ Δομι MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη της Κατανάλωσης Ενέργειας και Φυσικός Σχεδιασμός Πυλών CMOS Πολύπλοκης Λογικής Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους
Διαβάστε περισσότεραDistributed by: www.jameco.com -800-83-4242 The content and copyrights of the attached material are the property of its owner. Single-Chip Voice Record/Playback Devices 60-, 75-, 90-, and 20-Second Durations
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 1: Υλοποίηση Ολοκληρωμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Βιβλιογραφία Principles
Διαβάστε περισσότεραTransient Voltage Suppressor
Transient Suppressor Features Glass passivated junction Low incremental surge resistance, excellent clamping capability Underwriters Laboratory Recognition under UL standard for safety 497B: Isolated Loop
Διαβάστε περισσότεραΥ & XI Γηεξγαζίεο Μίθξν & Ναλν-Ηιεθηξνληθήο Δγράξαμε. Μάζεκα: Ναλνειεθηξνληθή Σερλνινγία ΑΔΙ Πεηξαηά TT Σκήκα Μεραληθώλ Απηνκαηηζκνύ Σ.Δ.
Υ & XI Γηεξγαζίεο Μίθξν & Ναλν-Ηιεθηξνληθήο Δγράξαμε Μάζεκα: Ναλνειεθηξνληθή Σερλνινγία ΑΔΙ Πεηξαηά TT Σκήκα Μεραληθώλ Απηνκαηηζκνύ Σ.Δ. Δγράξαμε Etching Οη Βαζηθέο Γηεξγαζίεο Ομείδσζε ηνπ Si (Ξεξή θαη
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ - VLSI Ενότητα: Συνδιαστικά κυκλώματα, βασικές στατικές λογικές πύλες, σύνθετες και δυναμικές πύλες Κυριάκης
Διαβάστε περισσότεραΔξγαιεία Καηαζθεπέο 1 Σάμε Σ Δ.Κ.Φ.Δ. ΥΑΝΙΧΝ ΠΡΧΣΟΒΑΘΜΙΑ ΔΚΠΑΙΓΔΤΗ. ΔΝΟΣΗΣΑ 11 ε : ΦΧ ΔΡΓΑΛΔΙΑ ΚΑΣΑΚΔΤΔ. Καηαζθεπή 1: Φαθόο κε ζσιήλα.
Δξγαιεία Καηαζθεπέο 1 Δ.Κ.Φ.Δ. ΥΑΝΙΧΝ ΠΡΧΣΟΒΑΘΜΙΑ ΔΚΠΑΙΓΔΤΗ ΔΝΟΣΗΣΑ 11 ε : ΦΧ ΔΡΓΑΛΔΙΑ ΚΑΣΑΚΔΤΔ Καηαζθεπή 1: Φαθόο κε ζσιήλα Γηαθξάγκαηα Δξγαιεία Καηαζθεπέο 2 Η θαηαζθεπή πεξηγξάθεηαη ζηελ αληίζηνηρε ελόηεηα
Διαβάστε περισσότεραΠΛΑΚΕΤΕΣ ΤΥΠΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ (PRINTED CIRCUIT BOARDS P.C.B.)
ΠΛΑΚΕΤΕΣ ΤΥΠΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ (PRINTED CIRCUIT BOARDS P.C.B.) ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Αναπλ. Καθηγητής Π. Παπαγέωργας Χειµερινό Εξάµηνο 2004-2005 1. Εισαγωγή Μία πλακέτα τυπωµένου κυκλώµατος (Printed
Διαβάστε περισσότεραα) ηε κεηαηόπηζε x όηαλ ην ζώκα έρεη κέγηζην ξπζκό κεηαβνιήο ζέζεο δ) ην κέγηζην ξπζκό κεηαβνιήο ηεο ηαρύηεηαο
Έξγν ελέξγεηα 3 (Λύζε) Σώκα κάδαο m = 4Kg εξεκεί ζηε βάζε θεθιηκέλνπ επηπέδνπ γσλίαο θιίζεο ζ κε εκζ = 0,6 θαη ζπλζ = 0,8. Τν ζώκα αξρίδεη λα δέρεηαη νξηδόληηα δύλακε θαη μεθηλά λα αλεβαίλεη ζην θεθιηκέλν
Διαβάστε περισσότεραFeature. shock and pressure. -Tighter tolerance down to ±2% -Smaller size of 0402 (1005) -CATV Filter, Tuner. -Cable Modem/ XDSL Tuner.
Wire Wound Chip Inductor-WL Series Feature -Wire wound ceramic construction provide high SRF -Ultra-compact inductors provide exceptional Q values -Low profile, high current are available -Miniature SMD
Διαβάστε περισσότεραAPPLICATION NOTE. Silicon RF Power Semiconductors. RD35HUF2 single-stage amplifier with f= mhz evaluation board
APPLICATION NOTE Silicon RF Power Semiconductors Document NO. AN-VHF-048 Date : 27 th May 11 Prepared : Y.Koashi K.Mori Confirmed : T.Okawa (Taking charge of Silicon RF by MIYOSHI Electronics) SUBJECT:
Διαβάστε περισσότερα4/10/2008. Εισαγωγή στη σχεδίαση συστημάτων VLSI. Περιεχόμενα μαθήματος. Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βιβλιογραφία. Ψηφιακά συστήματα.
Εισαγωγή στη σχεδίαση συστημάτων VLSI Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Περιεχόμενα μαθήματος Τα τρανζίστορ NMOS και PMOS Φυσικός σχεδιασμός των ψηφιακών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out
ΑΣΚΗΣΗ 7 ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C C out S S C out C OUT = MAJ(A,B,C) = Majority(A,B,C) = 1 when at least 2 (majority) of A, B, and C are equal to 1. Opposite Minority MAJ(A,B,C) = AB + BC + AC (PMOS and
Διαβάστε περισσότερα