ΙII Επαθέο pn θαη ηξαλδίζηνξ MOSFET. Μάζεκα: Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά TT Τκήκα Μεραληθώλ Απηνκαηηζκνύ Τ.Ε.

Transcript

1 ΙII Επαθέο pn θαη ηξαλδίζηνξ MOSFET Μάζεκα: Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά TT Τκήκα Μεραληθώλ Απηνκαηηζκνύ Τ.Ε.

2 Σύλνςε Μαζήκαηνο > Επανάλητη ηυν ιδιοηήηυν ηυν ημιαγυγών > Δίοδορ Επαθή PN > Αξρή ιεηηνπξγίαο > Εθαξκνγέο > Πςκνυηήρ MOS > Τπανζίζηοπ MOSFET > Αξρή ιεηηνπξγίαο > Πξνθιήζεηο ζηελ επνρή ηεο Ναλνηερλνινγίαο 2 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

3 Επαλάιεςε Ιδηνηήησλ Ηκηαγσγώλ

4 Ελέξγεηα Σηνηβάδαο (ev) Ηκηαγσγνί Ημιαγυγόρ είλαη θάζε πιηθό πνπ έρεη εηδηθή αληίζηαζε κε ηηκέο ανάμεζα ζε απηέο ησλ κνλσηώλ (κεγάιε) θαη ησλ αγσγώλ (κηθξή) θαη πνπ εκθαλίδεη ξαγδαία κείσζε ηεο εηδηθήο ηνπ αληίζηαζεο κε ηελ αύμεζε ηεο ζεξκνθξαζίαο ηνπ. H αγσγή γίλεηαη κέζσ ησλ ελεύθεπυν θοπέυν (ηλεκηπόνια, οπέρ) πνπ δηαζέηνπλ απηά ηα πιηθά. Τππηθνί εκηαγσγνί είλαη ην πςπίηιο (Si) θαη ην γεπμάνιο (Ge). Αιιηώο ρξεζηκνπνηνύκε μη μονομοπιακά ςλικά όπσο GaAs, InGaAs θ.α. Γηα λα ιεηηνπξγήζνπλ ζαλ εκηαγσγνί ζε ζ δσκαηίνπ ζέινπλ πποζμίξειρ όπσο θώζθνξν (P), αξζεληθό (As), βόξην (B), αξγίιην (Αl) ή γάιιην (Ga). Ελεξγεηαθό Δηάθελν Ε g Σηνηβάδα Αγσγηκόηεηαο (Valence Band) Μηθξό E bg ζηνπο εκηαγσγνύο Σηνηβάδα Σζέλνπο (Valence Band) 4 Τν Ε bg είλαη κηθξό έηζη ώζηε ζε Τ δσκαηίνπ κπνξνύλ λα δημιοςπγούνηαι ελεύθεποι θοπείρ πνπ μεηαπηδούν 11/6/2016 από ηε ζηνηβάδα ζζέλνπο ζηε ζηνηβάδα αγσγηκόηεηαο

5 Κξπζηαιιηθό Πιέγκα Οη θξύζηαιινη ραξαθηεξίδνληαη από κία κνλαδηαία θπςειίδα πνπ επαλαιακβάλεηαη Αλαιόγσο κε ηελ θαηεύζπλζε αιιάδνπλ νη ηδηόηεηεο Πποζαναηολιζμόρ κπςζηάλλος Si 5 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο Η θαηεύζπλζε [XXX] (π.ρ. [100]) νξίδεη ην δηάλπζκα πνπ πεξλάεη από ην 000 θαη ην 111. Τν επίπεδν πνπ είλαη θάζεην ζε απηό ην δηάλπζκα νλνκάδεηαη (ΦΦΦ). 11/6/2016

6 Εηζαγσγή Πξνζκίμεσλ ζην Si I Εηζαγσγή Πξνζκίμεσλ Αύμεζε ηεο αγσγηκόηεηαο ηνπ Si Δεκηνπξγία ειεύζεξσλ ειεθηξνλίσλ (ηύπνπ n) ή νπώλ (ηύπνπ p) Ππόζμιξη ζηο Si Boron (B) Phosphorus (P) Arsenic (As) p n n Τύπορ ημιαγυγού 6 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

7 Ππθλόηεηα Φνξέσλ Εμάξηεζε Ππθλόηεηαο Φνξέσλ από Θεξκνθξαζία Η ενέπγεια Fermi (E F ) είλαη ε ελέξγεηα όπνπ ππάξρεη ίζε πηζαλόηεηα ν θνξέαο λα είλαη είηε ζε πςειόηεξε ελέξγεηα είηε ζε ρακειόηεξε. ειεθηξό ληα n N e C E C E kt F Γηα ην Si: N C = cm - T room νπέο p N e V E F E kt V Γηα ην Si: N V = cm T room T room Σηνπο αλόζεπηνπο εκηαγσγνύο: 7 E F kt / 2ln EC EV N V 2 N C 11/6/2016

8 Σπγθέληξσζε θνξέσλ (cm -3 ) Εηζαγσγή Πξνζκίμεσλ ζην Si IV Η ειδική ανηίζηαζη (ρ) είλαη ανάλογη ηεο ζςγκένηπυζηρ ησλ ελεύθεπυν θοπέυν δειαδή ησλ πποζμίξευν Πςπίηιο (Si): Yςειή εηδηθή αληίζηαζε όηαλ έρεη ιίγνπο θνξείο (~10 4 Ω.cm) Γεπμάνιο (Ge): Υςειόηεξε θηλεηηθόηεηα θνξέσλ Φακειόηεξε εηδηθή αληίζηαζε γηα ιηγόηεξνπο θνξείο 8 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο Εηδηθή αληίζηαζε ξ (Ω.cm) 11/6/2016

9 Η Δίνδνο P-N

10 Τη είλαη ε δίνδνο Σηελ ειεθηξνληθή, η δίοδορ είλαη έλα ζηνηρείν πνπ πεξηνξίδεη ηε θαηεπζπληήξηα ξνή ησλ θνξέσλ αγσγηκόηεηαο (charge carriers). Οςζιαζηικά, η δίοδορ επιηπέπει ζηο ηλεκηπικό πεύμα να πεπάζει από ηη μια καηεύθςνζη, αλλά μπλοκάπει ηην κίνηζη από ηην ανηίθεηη καηεύθςνζη. Έηζη, ε δίνδνο κπνξεί λα ζεσξεζεί σο κηα ειεθηξνληθή εθδνρή ηεο βαιβίδαο, ε νπνία, γηα παξάδεηγκα, ζε έλα ζσιήλα λεξνύ, δελ επηηξέπεη ξνή αληίζεηε από ηελ επηζπκεηή.

11 Φξήζε Δηόδσλ D2 D1 11 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

12 Ηκηαγώγηκεο Δίνδνη Επαθή PN Οη πεξηζζόηεξεο ζύγρξνλεο δίνδνη βαζίδνληαη ζηνλ εκηαγσγό p-n επαθώλ. Σε κηα p-n δίοδο, ζπκβαηηθό ξεύκα κπνξεί λα ξέεη από ηε κεξηά ηύπνπ p (ε άλνδνο) ζηελ άιιε κεξηά ηύπνπ n (ε θάζνδνο), αιιά δελ κπνξεί λα ξέεη θαηά ηελ αληίζεηε θαηεύζπλζε. Έλαο άιινο ηύπνο δηόδνπ εκηαγσγώλ, ε δίοδορ Schottky, ζρεκαηίδεηαη από ηελ επαθή κεηαμύ ελόο κεηάιινπ θαη ελόο εκηαγσγνύ.

13 Επαθή PN Οξζή Πόισζε Οπθή Πόλυζη Ο θεηικόρ πόλορ (V+) ζπξώρλεη ηηο νπέο από ην πιηθό ηύπνπ p πξνο ηελ πεξηνρή απνγύκλσζεο όπνπ ππάξρνπλ αξλεηηθά ηόληα Ο απνηηικόρ πόλορ (V-) ζπξώρλεη ηα ειεθηξόληα από ην πιηθό ηύπνπ n πξνο ηελ πεξηνρή απνγύκλσζεο όπνπ ππάξρνπλ ζεηηθά ηόληα νπέο (h + ) ειεθηξόληα (e - ) 13 Όζν κεγαιύηεξε ε νξζή πόισζε ηόζν κηθξόηεξε ε πεξηνρή απνγύκλσζεο. Όηαλ ε πεξηνρή απνγύκλσζεο γίλεη πνιύ ιεπηή, ηόηε νη θνξείο ζα πεξάζνπλ ζηελ άιιε κεξηά ιόγσ ηεο ηαρύηεηάο ηνπο. Εθεί ζα επαλαζπλδεζνύλ ζρεηηθά γξήγνξα εληόο ελόο κήθνπο πνπ νλνκάδεηαη κήθνο δηάρπζεο (diffusion length) πνπ είλαη ζε θιίκαθα κm. Η ηάζε πνπ ζπκβαίλεη απηό νλνκάδεηαη ηάζε θαησθιίνπ (threshold) θαη ζπλήζσο είλαη V th ~ 0.7V Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

14 Επαθή PN Οξζή Πόισζε 14 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

15 Επαθή PN Αλάζηξνθε Πόισζε Ανάζηποθη Πόλυζη Ο απνηηικόρ πόλορ (V+) έιθεη ηηο νπέο από ην πιηθό ηύπνπ p θαη απμάλεη ηε ζπγθέληξσζε αξλεηηθώλ ηόλησλ ζηε κία πιεπξά ηεο πεξηνρήο απνγύκλσζεο (ζηα αξλεηηθά ηόληα) θαζώο θαη ην δπλακηθό ζε απηήλ Ο θεηικό πόλορ (V-) έιθεη ηα ειεθηξόληα από ην πιηθό ηύπνπ n θαη απμάλεη ηε ζπγθέληξσζε ζεηηθώλ ηόλησλ ζηε κία πιεπξά ηεο πεξηνρήο απνγύκλσζεο (ζηα ζεηηθά ηόληα) θαζώο θαη ην δπλακηθό ζε απηήλ Όζν κεγαιύηεξε ε αλάζηξνθε πόισζε ηόζν κεγαιύηεξε πεξηνρή απνγύκλσζεο. Όηαλ ε ανάζηποθη ηάζη γίνει πολύ μεγάλη ηόηε κπνξεί λα ζπάζεη ην θξάγκα δπλακηθνύ θαη λα έρνπκε αλάζηξνθν ξεύκα. Εθεί ε δίνδνο καηαππέει 15 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

16 Πξαγκαηηθή Δίνδνο PN καηάππεςζη οπθή πόισζε Εμίζσζε Shokley ηεο ηδεαηήο δηόδνπ Πξνθύπηεη από ηελ παξαδνρή όηη νη κόλεο δηαδηθαζίεο πνπ πξνθαινύλ ξεύκα ζε κηα δίνδν είλαη ε μεηακίνηζη (drift) (ιόγσ ηνπ ειεθηξηθνύ πεδίνπ), ε διάδοζη θαη ν θεπμικόρ αναζςνδςαζμόρπαπαγυγή. 16 ανάζηποθη πόισζε I I e S V D / nv T 1 I είλαη ην πεύμα ηηρ διόδος, I S είλαη έλα παξάγνληαο θιίκαθαο πνπ νλνκάδεηαη ρεύμα κορεζμού, V D είλαη ε ηάζη ηηρ διόδος, V T είλαη ε θερμική ηάζη, n είλαη ν παράγονηας ιδανικόηηηας. Ο n δηαθέξεη από 1 κέρξη 2 αλάινγα κε ηε δηαδηθαζία θαηαζθεπήο θαη ην πιηθό ηνπ εκηαγσγνύ Πεδίν εθαξκνγήο ζεσξεί όηη ην ξεύκα ηνπ αλαζπλδπαζκνύπαξαγσγήο (recombination-generation R-G) ζην πεδίν θαηάξξεπζεο είλαη ακειεηέν. Η εμίζσζε ηνπ Shockley δελ ηζρύεη γηα ηηο δηαδηθαζίεο πνπ ζρεηίδνληαη κε ηελ αληίζηξνθε θαηάξξεπζε θαη ηελ θσηνληαθή-βνεζνύκελε R-G. Επηπξόζζεηα, δελ πεξηγξάθεη ηελ «πηώζε επηπέδνπ» ηεο θακπύιεο I-V ζηελ πςειή νξζή πόισζε εμαηηίαο ηεο εζσηεξηθήο αληίζηαζεο. Δελ εμεγεί ηελ πξαθηηθή απόθιηζε από ηελ ηδαληθή ζηελ πεξίπησζε ηεο πνιύ κηθξήο νξζήο πόισζεο εμαηηίαο ηνπ ξεύκαηνο R-G ζηελ πεξηνρή θαηάξξεπζεο,

17 Πξαγκαηηθή Δίνδνο PN 17 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

18 Εθαξκνγέο Ηκηαγώγηκσλ Δηόδσλ LED Τα ειεθηξόληα απνδηεγείξνληαη ζηε δώλε απνγύκλσζεο θαη εθπέκπνπλ θσο 18 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

19 Εθαξκνγέο Ηκηαγώγηκσλ Δηόδσλ Φσηνδίνδνη Υλικό Φυηοδίοδορ (photodiodes) είλαη δηάηαμε εκηαγσγώλ πνπ κεηαηξέπεη ην θσο ζε ξεύκα. Όηαλ ηα θσηόληα πξνζπίπηνπλ ζηελ πεξηνρή απνγύκλσζεο ηεο δηόδνπ ή γύξσ από απηήλ δεκηνπξγνύλ έλα δεύγνο h + - e - ην νπνίν δεκηνπξγεί ξεύκα Silicon Germanium Indium gallium arsenide (InGaAs) λ Ηλεκηπομαγνηηικού Φάζμαηορ (nm) Lead(II) sulfide < Mercury cadmium telluride Όηαν η θυηοδίοδορ είναι ανάζηποθα πολυμένη αςξάνεηαι η εςαιζθηζία ηηρ 11/6/2016

20 Ππθλσηήο Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Πςκνυηήρ MOS Σςζζώπεςζη (Accumulation) Απογύμνυζη (Depletion) Ανηιζηποθή (Inversion) Πύιε (poly-si) Ομείδην (SiO 2 ) V G < V FB V FB < V G < V TH V TH < V G Υπόζηξσκα (Si) Πίζσ επαθή (Al, Cu) Ο ππθλσηήο MOS είλαη ε βαζηθή ηδέα πάλσ ζηελ νπνία ζηεξίδνληαη ηα ηξαλδίζηνξ MOSFET.

21 Ππθλσηήο Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Σςζζώπεςζη (Accumulation): Όηαλ ε ηάζε είλαη V G < V FB έρνπκε ζπζζώξεπζε ησλ θνξέσλ πιεηνλόηεηαο (h + γηα p-type, e - γηα n-type). Τν θνξηίν ηεο πεξηνρήο είλαη ζεηηθό (+) γηα p-type θαη αξλεηηθό (-) γηα n-type. Απογύμνυζη (Depletion): Όηαλ ε ηάζε είλαη V FB < V G < V TH ηόηε έρνπκε απνγύκλσζε ηεο πεξηνρήο από ηνπο θνξείο πιεηνλόηεηαο κε απνηέιεζκα λα κέλνπλ κόλα ηα ηνπο ηα ηόληα. Τν θνξηίν ηεο πεξηνρήο είλαη αξλεηηθό (-) γηα p-type θαη ζεηηθό (+) γηα n-type. Ανηιζηποθή (Inversion): Όηαλ ε ηάζε V G > V TH ηόηε έρνπκε αληηζηξνθή ηνπ θνξηίνπ ηεο πεξηνρήο. Εθηόο από ην όηη απνζνύληαη όινη νη θνξείο πιεηνλόηεηαο, ζπζζσξεύνληαη εθεί νη θνξείο κεηνλόηεηαο (e - γηα p-type, h + γηα n-type). Τν θνξηίν ηεο πεξηνρήο είλαη πνιύ αξλεηηθό (--) γηα p-type θαη πνιύ ζεηηθό (++) γηα n-type. Q inv = C ox (V G -V TH ) V FB είλαη ε δηαθνξά ησλ έξγσλ εμόδνπ ηνπ κεηάιινπ (Φ Μ ) θαη ηνπ εκηαγσγνύ (Φ S ) H V FB εθθξάδεη ηελ ειάρηζηε ελέξγεηα πνπ ρξεηάδεηαη γηα λα αξρίζνπλ λα απνκαθξύλνληαη νη θνξείο πιεηνλόηεηαο Η ηάζη καηυθλίος (threshold voltage V ΤH ) είλαη ε ηάζε όπνπ ζπκβαίλεη ε αληηζηξνθή ησλ θνξέσλ ζηελ πεξηνρή. Εμαξηάηαη από ην ε r ηνπ κνλσηή θαη από ην πάρνο απηνύ t ox. V 2 4 qn Δηαβάζηε πεξηζζόηεξα ζην V T FB F r C OX a F

22 Τξαλδίζηνξ MOSFET MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (pmos θαη nmos) Λεηηνπξγία ζαλ δηαθόπηεο Η είζνδνο είλαη ζην Απαγσγό (Drain) Η έμνδνο είλαη ζηελ Πεγή (Source) Ο έιεγρνο γίλεηαη ζηελ Πύιε (Gate) nmos

23 Τξαλδίζηνξ MOSFET Ο έιεγρνο κέζσ ηεο Πύιεο (Gate) ζε p-mosfet: V S =0 V G =0 V D =0 Τν stack Πύιεο/Ομεηδίνπ/Si (ηύπνπ-p) ζπκπεξηθέξεηαη ζαλ ππθλσηήο MOS Αξρηθά κειεηνύκε ηε ζπλζήθε όπνπ V S = V D = 0 Όηαλ V G < V TH ηόηε δελ ζρεκαηίδεηαη θάπνην θαλάιη αλάκεζα ζηηο δύν πεξηνρέο n+. Εθί έρνπκε 2 αλάζηξνθα πνισκέλεο δηόδνπο pn + V S =0 V G >V TH V D =0 n Όηαλ V G > V T ηόηε ζπκβαίλεη αληηζηξνθή ζηελ πεξηνρή θάησ από ην νμείδην θαη ζρεκαηίδεηαη θαλάιη ηύπνπ n αλάκεζα ζηηο δύν πεξηνρέο n+

24 Σκίθξπλζε Δηαζηάζεσλ (Scaling Down) Η βειηίσζε ηεο απόδνζεο θαη ηεο ηαρύηεηαο ησλ IC βαζίζηεθε ζηελ ζκίθξπλζε (ζπληειεζηήο 1/a) ησλ δηαζηάζεσλ ηνπ ηξαλδίζηνξ θαη θπξίσο ηνπ MOSFET θξαηώληαο ζηαζεξό ην πεδίν Ε κεηαμύ ηνπ Source θαη ηνπ Drain : Μείσζε ηνπ κήθνπο (L g ) πύιεο (1/a) Μείσζε ηνπ πιάηνπο (W) ησλ δηαζπλδέζεσλ (1/a) Λέπηπλζε ηνπ πάρνπο (t ox ) ηνπ νμεηδίνπ πύιεο (1/a) Σηόρνο: Αύμεζε αξηζκνύ ηξαλδίζηνξ ζηνλ ίδην ρώξν (a 2 ) Μείσζε ηνπ κήθνπο πύιεο γηα κεγαιύηεξε ηαρύηεηα (1/a) Αύμεζε ηεο ρσξεηηθόηεηαο ηεο πύιεο γηα κηθξόηεξε V th (1/a) Μείσζε ησλ απσιεηώλ ζεξκόηεηαο (1/a 2 ) 24 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016

25 Σπκπεξηθνξά n-mosfet όηαλ είλαη ON Πεξηνρή Απνθνπήο OFF Γξακκηθή πεξηνρή (Ωκηθή ιεηηνπξγία) Αξρή ηνπ Κνξεζκνύ (pinch-off) Πεξηνρή Κνξεζκνύ (Saturation)

26 Τξαλδίζηνξ n-mosfet Πεξηνρή Απνθνπήο Πεπιοσή αποκοπήρ (Cutoff, subthreshold or weak inversion region) I I e D D0 V C n 1 D GS nv C V TH OX TH I (V V ) D ID όπνπ: 0 GS TH Cox C D Πεξηνρή Απνθνπήο OFF

27 Τξαλδίζηνξ n-mosfet Γξακκηθή Πεξηνρή Τξηνδηθή ή Ωκηθή ή Γπαμμική πεξηνρή (Triode, Ohmic or Linear region) W I C V V V D n OX GS TH L V DS 2 V=+1V όπνπ: μ n είλαη ε θηλεηηθόηεηα ησλ θνξέσλ ζην θαλάιη ηύπνπ n W είλαη ην πιάηνο ηεο πύιεο ηνπ ηξαλδίζηνξ L είλαη ην κήθνο ηεο πύιεο ηνπ ηξαλδίζηνξ Cox είλαη ε ρσξεηηθόηεηα ηνπ νμεηδίνπ αλά κνλάδα 2 DS V=+2V

28 Αλλά Τξαλδίζηνξ n-mosfet Σεκείν Pinch-Off Σεκείν έλαξμεο ηνπ θνξεζκνύ Pinch-Off V V V V pinchoff DSsat GS TH Σην pinch-off ην θαλάιη εμαθαλίδεηαη ζηελ πεξηνρή ηνπ drain. Γηα V DS > V DSsat ηo I D παξακέλεη ζηαζεξό C W I n OX V V D GS 2 L 2 TH

29 Τξαλδίζηνξ n-mosfet Σεκείν Pinch-Off Τν ζεκείν pinch-off κεηαηνπίδεηαη αλαιόγσο ηεο ηάζεο V GS. Όζο μεγαλύηεπη η ηάζη V GS ηόζο μεγαλύηεπη και η ηιμή ηος ζημείο pinch-off V V V V pinchoff DSsat GS TH V GS =+1V V GS =+2V

30 Τξαλδίζηνξ n-mosfet Πεξηνρή Κνξεζκνύ Πεξηνρή κοπεζμού (Saturation region) C W I n OX V V D GS 2 L Η παξαπάλσ εμίζσζε είλαη ιεηςή γηαηί αγλνεί ην θαηλόκελν ηεο δηακόξθσζεο ηνπ κήθνπο ηνπ θαλαιηνύ αλάινγα κε ηε V DS. Είλαη ν ιόγνο πνπ νη θακπύιεο ζην γξάθεκα έρνπλ κε κεδεληθή θιίζε 2 TH

31 Τξαλδίζηνξ n-mosfet Πεξηνρή Κνξεζκνύ Δηακόξθσζε Μήθνπο Καλαιηνύ Channel Length Modulation C W n OX 2 I V V D GS TH V V DS DSsat 2 L όπνπ: λ είλαη έλαο ζπληειεζηήο πνπ παίξλεη ππόςηλ ην θαηλόκελν δηακόξθσζεο ηνπ κήθνπο ηνπ θαλαιηνύ V GS =+1V V DS =+6V 1 V DS =+4V V DS =+2V

32 Τξαλδίζηνξ p-mosfet

33 ΙII Επαθέο pn θαη ηξαλδίζηνξ MOSFET Τέινο γηα ζήκεξα Νανοηλεκηπονική Τεσνολογία Θευπία: Δεπηέξα, 09:00 12:00 Επγαζηήπιο: Τξίηε, 09:00 11:00 33 Ναλνειεθηξνληθή Τερλνινγία ΑΕΙ Πεηξαηά Τ.Τ. Σαξάθεο Παλαγηώηεο 11/6/2016