The General Transfer Matrix (GTMM) Method: Overview & Applications
|
|
- Παμφιλος Ευταξίας
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 The General Transfer Matrix (GTMM) Method: Overview & Applications Spotlights on the presentation of the PhD thesis : Study of the effects of ion iplantation on the optical, structural and electrical properties of silicon and SIMOX structures using fast Fourier transfor spectroscopy in the infrared DOI: C. C. Katsidis, MSc, Md, PhD and key points of the paper: C.C Katsidis and D.I. Siapkas General transfer atrix ethod for optical ultilayer systes with coherent, partially coherent and incoherent interference Applied Optics, Vol. 4(9) p (00), DOI:
2 part A FT-IR easureents in ultilayered aterials. Analysis of optical spectra part B Foration of conducting and insulating layered structures in silicon by ion iplantation. Principles of their optical characterization
3 Copleentary ethods of aterial characterization Ion bea techniques RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy) lectrical Measureents SPRADING RSISTANC SHT RSISTANC HALL MOBILITY
4 part A
5 Sections of part A Fast Fourier Transfor Infrared (FFT-IR) Spectroscopy The IFS3v Spectrophotoeter of BRUKR Developent of algoriths for optical analysis of ultilayered structures: The General Transfer Matrix Method (GTMM)
6 The Bruker IFS3v FT-IR spectrophotoeter
7 intensity Ένταση Interferogra Διαφορά δρόμου path difference Intensity versus path difference
8 Single channel spectru Φάσμα απλού καναλιού αναφορά reference 0.4 δείγμα saple Κυματάριθμος (c - ) wavenuber (c - ) Single channel spectra of a bulk SiC saple (blue line) and an Au-irror plate used as reference (red line).
9 reflectance Ανακλαστικότητα 0.8 SiC n( ) : coplex refractive index ( ) : coplex dielectric function R( ) n( ) n( ) 0.4 n( ) ( ) Κυματάριθμος(c - ) wavenuber (c - ) / Reflectance of bulk SiC vs wavenuber (ω). Reflectance is the ratio of the two single channel spectra (saple/reference).
10 Dispersion Models of the Coplex Dielectric Function and the Coplex Refractive Index Drude (free carriers) Lorentz (lattice vibrations) Cauchy (low frequency edge of interband transitions) Selleier (low frequency edge of edge of interband transitions) Lorentz, Tauc-Lorentz (band gap)
11 Dispersion Models of the Coplex Dielectric Function and the Coplex Refractive Index Drude Lorentz Cauchy Selleier, ~ p p i * 4 Ne p j TOj TOj j j i ~... Re( ~ ) C B A n i i A i n [Re( ~ )]
12 Aνακλαστικότητα % 0.4 Bulk reflectance 0.3 Si BULK n~ ( ) R( ) ~ ~ r n ( ) SiC BULK air 0.4 SiC Si SiC/ Si Κυματάριθμος (c-) Reflectivity (%) vs wavenuber (c - ) Single thin fil reflectance R ~ r e e i i ~ re ~~ r r e ~ i i nd cos
13 The General Transfer Matrix Method (GTMM), D D ύ p n n ύ s n n i i i i i i i i cos cos cos cos D i for s wave for p wave
14 Refraction Matrix Propagation Matrix r r t,,, D D coherent inerference: Σ = partial coherence, incoherence: Σ = t -, t,- r -, r,- 0 0 i i e e P
15 Layer Transfer Matrix N N 0 0 D D P D D 0 N N N N N N N T T T T 0 D D P D D D D P i,,,, i, i, i, )e r r t (t e r e r e t T 0/(N ) T T T T t r r t t r r,n N,,N,N N,,N N, The product atrix resulting fro the above procedure is again a atrix, the syste transfer atrix T T 0/(N+) :
16 coplex reflectance and transission coefficients of an arbitrary ultilayer with N finite layers in ters of the syste transfer atrix eleents T ij r t r 0,N 0 T 0 0 T N N t,n 0 0 T 0 N T r rn,0 N N 0 0 T t tn,0 DetT 0 N 0 0 T the front and back reflectances R, R and transittances T, T are obtained as the agnitudes of the coplex vectors r, r and t, t respectively. DetTT T T T
17 Incorporation of Roughness: Generalized for of the Layer Transfer Matrix ( 0 ) r r exp{ (sn ) } r ( 0 ),,, ( 0 ) r r exp{ (sn ) } r ( 0 ),,, ( 0 ) t t exp{ (s ) (n n ) } t ( 0 ),,, ( 0 ) t t exp{ (s ) (n n ) } t ( 0 ),,, i i e r, e i t, r,e ( t,t, r,r, )e i / / / /
18 ανακλαστικότητα reflectance ανακλαστικότητα reflectance Level/contrast suppression of the interference pattern due to surface/interface roughness 0.8 Bulk SiC, sooth surface bulk SiC με λεία επιφάνεια bulk Bulk SiC SiC, με τραχεία rough surface επιφάνεια SiC/Si, με rough τραχεία surface επιφάνεια SiC/Si, με rough τραχεία interface διεπιφάνεια 0.8 SiC/Si Z =Z =0 Z =000A, Z =0 Z =0, Z =000A Z =Z =000A κυματάριθμος - ) κυματάριθμος (c - ) wavenuber (c - ) wavenuber (c - ) Plots of reflectance vs wavenuber. Z : surface roughness, Z : interface roughness
19 The proble of finite substrates / thick layers The coherent substrate Appearance of a dense pattern of interference fringes The general layer transfer atrix is used The incoherent substrate / layer levation of the ean level of reflectivity in coparison to the ean reflectivity level of a sei-infinite substrate The general intensity atrix is needed
20 The intensity atrix Featuring application: incoherent thick layer in an arbitrary position inside a ultilayer structure incoh T 0 /(N ) int int int, 0 T 0 /P T/(N ) t r ( t t r r ) 0, 0, 0,, 0 0,, 0 r i e 0 i 0 e Pint t, N r N, r, N ( t, N tn, r, N r N, ) Multilayer with ore than one thick incoherent layers incoh T T P T P T int int int int int 0 /(N ) 0 / /j j j/(n )
21 reflectance ανακλαστικότητα interediate thick (coherent/incoherent) layer poly-si / thick SiO / poly-si 0.6 πολυκ. Si / παχύ-sio / πολυκ. Si Incoherent calc. (blue line) incoh T T P T int int int 0 / 4 0 / / Coherent calc. (red line) T 0 / 4 0. Z =800A Z =Z 3 =0 Z 4 =900A κυματάριθμος (c - ) wavenuber (c - )
22 reflectance ανακλαστικότητα reflectance ανακλαστικότητα Thick coherent/incoherent vs sei-infinite substrate incoh T T P T 0 / 8 int int int T 0 / 8 8 8/ 8 0 / 8 incoh T T P T 0 / 8 int int int T 0 / 8 8 8/ 8 0 / πεπερασμένο υπόβαθρο 0.8 ντοπ.- Si / Si 0.6 ημιάπειρο υπόβαθρο πειραματικές τιμές ντοπ.-si / Si doped-si / Si κυματάριθμος wavenuber (c - )- ) κυματάριθμος wavenuber (c - )- ) 0. xperiental (sybols) and calculated reflectance spectra of doped-si on Si considering sei-infinite (green line), finite incoherent (blue line) and finite coherent (red line) substrate.
23 n, k Gaussian carrier concentration and the associated real (n) and iaginary (k) parts of refractive index n The carrier concentration profile is odeled by joining two half-gaussians with different standard deviations (σ L,σ Η ) N Cj =N CP exp{-(z j -R N ) /σ N } k depth βάθος (μ) z j = R N - 4σ N + (j-)δz N Δz N = σ N /0 σ Ν =σ L for z<r N σ Ν =σ H for z>r N n and k depth-profiles for three different wavenubers
24 part B
25 Sections of part B Basics of Depth Profiling Oxygen Iplantation into Silicon. Foration of Separation by Iplantation of Oxygen (SIMOX) Silicon- On-Insulator (SOI) Structures Single-iplantation SIMOX Sequential Iplantation & Annealing (SIA) SIMOX Doping of SIMOX Structures High nergy Doping of Silicon
26 Model of the oxygen iplantation into silicon using a Gaussian function for the refractive index depth-profile nj nsub nsub n RP exp / RP x( j ) / R P κδrp/δx=(-)layers j=, , j=- δx j=0 j= n = o n =n(si) x o x = R p -κδr p n j x j j= n =n(si) x =x sub In order to be able to copare the results of the optical analysis with those obtained by other techniques it is necessary to convert the depth profiles of the refractive index into depth profiles of the SiO fraction or to the oxygen atoic concentration. This is achieved using effective ediu (M) odels n n(rp) Si Si + O Si 0 depth Rp-ΔRp Rp Rp+ΔRp
27 Depth-profiles of (α) the ipurity and the free-carrier concentration (β) the real & (γ) the iaginary parts of the refractive index of an ion iplanted Si-substrate at low frequencies, where the free carrier excitations appear N A : ipurity atos N C : free carriers D: daaged region R: recrystallized region S: unaffected substrate depth
28 Depth-profiles of the real and iaginary parts of the refractive index of an ion iplanted Si-substrate at high frequencies D: daaged region R: recrystallized region S: unaffected substrate 0 Βάθος depth
29 Fabrication of a 00 kev O + single-iplantation-cycle SIMOX reflectance ανακλαστικότητα refractive index δείκτης διάθλασης reflectance ανακλαστικότητα refractive index δείκτης διάθλασης uniplanted bulk-πυρίτιο πριν την εμφύτευση Si 00 kev oxygen ion iplantation εμφύτευση 00keV O oxygen iplantation εμφύτευση οξυγόνου depth profiles of refractive index real part (n) (α) κυματάριθμος wavenuber (c (c - - ) ) 0.5 (α) βάθος (n) depth (n) 0.8 ανοπτημένο SIMOX annealed SIMOX (β) 3.5 ανοπτημένο annealed SIMOX ενός κύκλου (β) κυματάριθμος (c - ) wavenuber (c - ) βάθος (n) depth (n)
30 70 kev As + iplanted single-cycle SIMOX reflectance ανακλαστικότητα refractive δείκτης διάθλασης index reflectance ανακλαστικότητα refractive δείκτης διάθλασης index annealed SIMOX ανοπτημένο SIMOX (β) ανοπτημένο annealed SIMOX SIMOX ενός κύκλου depth profiles of refractive index real part (n) κυματάριθμος wavenuber (c (c - - ) ) 0.5 (β) βάθος (n) depth (n) 0.8 ανοπτημένο SIMOX εμφύτευση με 70keV As + 70 kev As + iplantation (γ) 3.5 εμφύτευση 70 kev As ιόντων + iplantation 75 As κυματάριθμος (c wavenuber (c - ) ) βάθος (n) depth (n) (γ)
31 70 kev As + iplanted single-cycle SIMOX reflectance ανακλαστικότητα refractive index δείκτης διάθλασης reflectance ανακλαστικότητα refractive index δείκτης διάθλασης annealing after As + iplantation ανόπτηση μετά την εμφύτευση As T A =950 o C ανόπτηση 950 o C 000c c - depth profiles of refractive index real part (n) (α) κυματάριθμος (c ) wavenuber (c - ) 0.5 (α) βάθος (n) depth (n) 0.8 ανόπτηση μετά την εμφύτευση As annealing after As + iplantation T A =50 o C c c - ανόπτηση 50 o C (β) κυματάριθμος wavenuber (c (c - ) - ) 0.5 (β) βάθος (n) depth (n)
32 ανακλαστικότητα δείκτης διάθλασης 70 kev As + iplanted SIA SIMOX reflectance reflectance refractive index ανακλαστικότητα refractive index δείκτης διάθλασης before iplantation ( α ) as iplanted keV As + σε SIA SIMOX before πριν την iplantation εμφύτευση after μετά iplantation την εμφύτευση depth profiles of refractive index real part (n) πριν την εμφύτευση εμφύτευση 70keV As κυματάριθμος wavenuber (c - - ) ) 0.5 ( α ) βάθος (n) depth (n) 0.8 the effect of annealing η επίδραση της ανόπτησης 3.5 the επίδραση effect της of ανόπτησης annealing 950 o C 50 o C o C 950 o C ( β ) ( β ) κυματάριθμος wavenuber (c - )) βάθος depth (n)
33 concentration (c συγκέντρωση (c -3-3 ) ) συγκέντρωση concentration (c -3-3 ) ) concentration (c -3 συγκέντρωση (c -3 ) ) concentration (c συγκέντρωση (c -3-3 ) ) RBS (άτομα) FTIR (ελεύθεροι φορείς) T A =950 o C ( α ) βάθος (n) depth (n) RBS (άτομα) FTIR (ελεύθεροι φορείς) T A =950 o C ( α ) βάθος (n) depth (n) SIA SIMOX Ipurity (RBS) and free-carrier (FT-IR) concentration depthprofiles of a singleiplantation SIMOX and a Sequential Iplantation and Annealing (SIA) SIMOX saple + T A =50 o C RBS FTIR + πριν την before ανόπτηση annealing SIA SIMOX T A =50 o C RBS FTIR ( β ) ( β ) βάθος (n) depth (n) βάθος (n) depth (n)
34 concentration συγκέντρωση (c -3 ) ) Annealed SIMOX. Oxygen concentration profile. Coparison between FT-IR and SIMS easureents κατανομές οξυγόνου : SIMS FTIR depth βάθος (n) (n)
35 reflectance reflectance ανακλαστικότητα ανακλαστικότητα refractive index refractive index δείκτης διάθλασης δείκτης διάθλασης δείκτης διάθλασης keV As + σε πυρίτιο bulk Si before πριν την iplantation εμφύτευση after μετά iplantation την εμφύτευση as iplanted keV As + σε bulk-πυρίτιο o C 50 o C 000c - ( α ) depth profiles of refractive index real part (n) βάθος (n) ( α ) κυματάριθμος wavenuber (c - - )) βάθος (n) depth (n) 0.8 επίδραση της ανόπτησης 950 o C 50 C iplanted and annealed c - επίδραση της ανόπτησης 000c C 50 C ( β ) ( β ) κυματάριθμος (c wavenuber (c ) - ) βάθος (n) depth (n)
36 concentration συγκέντρωση (c (c -3 ) -3 ) concentration συγκέντρωση (c (c -3 ) -3 ) Annealed doped Si. Coparison between FT-IR (free-carriers) and RBS (atos) easureents o C annealing ανόπτηση o C συγκέντρωση carrier conc. φορέων + πριν την ανόπτηση before annealing 50 o C annealing ανόπτηση RBS FTIR βάθος (n) RBS FTIR βάθος (n) depth (n) ( α ) depth (n) βάθος (n) ( β ) Free-carrier and Arsenic ipurity concentration profiles in Si
37 reflectance reflectance ανακλαστικότητα δείκτης διάθλασης ανακλαστικότητα refractive index refractive index δείκτης διάθλασης MeV As + Si πριν την εμφύτευση μετά την εμφύτευση (υπολογ.) μετά την εμφύτευση (πειραμ.) as iplanted depth profiles of refractive index real part (n) πριν την εμφύτευση μετά την εμφύτευση ( α ) κυματάριθμος(c wavenuber - - ) ) μετά την ανόπτηση υπολογ. πειραμ. iplanted and annealed ( α ) βάθος (μ) depth (μ) μετά την ανόπτηση ω=4000c - ω=000c ( β ) κυματάριθμος(c wavenuber - ) ) ( β ) βάθος (μ) depth (μ)
38 reflectance reflectance ανακλαστικότητα ανακλαστικότητα refractive index refractive index δείκτης διάθλασης δείκτης διάθλασης MeV As + Si πριν την εμφύτευση μετά την εμφύτευση (υπολογ.) μετά την εμφύτευση (πειραμ.) as iplanted MeV As + Si depth profiles of refractive index real part (n) ( α ) wavenuber κυματάριθμος(c - ) - ) ανόπτηση μετά την εμφύτευση στο Si υπολογ. πειραμ. iplanted and annealed ( α ) πριν την εμφύτευση μετά την εμφύτευση βάθος(μ) depth (μ) ανόπτηση μετά την εμφύτευση στο Si 000c c wavenuber (c - ) κυματάριθμος(c - ) ( β ) ( β ) βάθος(μ) depth (μ)
39 κανονικοποιημένες noralized values τιμές TRIM (TRansport of Ions in Matter) results for.5 MeV As + iplantation into Si.0 εμβέλεια καταστροφές πλέγματος TRIM As.5MeV βάθος (μ) depth (μ) Noralised values of daage (blue line) and range (red line) profiles
40 concentration (c -3 ) συγκέντρωση(c -3 ) concentration (c -3 ) συγκέντρωση (c -3 ) Coparison between FT-IR and SR easureents + +0 ανόπτηση μετά την εμφύτευση στο Si.5 MeV As MeV As + Si ανόπτηση SR FTIR FTIR (φορείς) +8 SR (φορείς) βάθος(μ) depth (μ) βάθος (μ) depth (μ) Free-carrier concentration profiles obtained by FT-IR (red line) and Spreading Resistance (sybols) easureents.
41 ανακλαστικότητα δείκτης διάθλασης ανακλαστικότητα δείκτης διάθλασης reflectance reflectance Triple (high) energy As + iplantation into bulk Si & rapid theral annealing (RTA) As + Si εμφύτευση σε τρεις φάσεις 0.55 MeV.4x0 3 c -.00 MeV 3.58x0 3 c -.75 MeV 4.44x0 3 c - (α) κυματάριθμος wavenuber (c - ) As + Si εμφύτευση σε τρεις φάσεις ανόπτηση: RTA 50 o C (β) wavenuber κυματάριθμος (c - ) as iplanted annealed refractive index refractive index RTA 50 o C άμορφο-si MeV As + Si (α) πριν την εμφύτευση μετά την εμφύτευση βάθος (μ) depth (μ) ανόπτηση μετά την εμφύτευση στο Si ω=000 c - ω=500 c - ω=000 c - (β) βάθος (μ) depth (μ) aorphous Si crystalline Si refractive index (n) profiles
42 concentration (c -3 ) συγκέντρωση (c -3 ) Triple-energy As + iplantation into bulk Si and annealing SIMS profile: atos, FT-IR profile: free carriers FT-IR (φορείς) SIMS (άτομα) βάθος (μ) depth (μ) Concentration vs depth profiles of ipurities (blue line) and free carriers (red line)
43 ανακλαστικότητα reflectance ανακλαστικότητα reflectance reflectance ανακλαστικότητα 0.9 πυρίτιο ανοπτ. SIMOX πειραμ.. MeV O + Si κυματάριθμος (c - ) wavenuber (c - ) MeV As +. MeV SIMOX After annealing κυματάριθμος wavenuber (c - ) O + iplanted Si after annealing (SOI-SIMOX) uniplanted Si doped SIMOX annealed at 50 o C ντοπαρισμένο SIMOX ανόπτηση στους 50 o C 00keV SIMOX 90keV SIMOX κυματάριθμος wavenuber (c - )
44 Conclusions The optical characterization of ultilayer structures fabricated by ion iplantation into Si using FT-IR spectroscopy in cobination with a x transfer atrix algebra Provides: Structural paraeters (layer thicknesses, surface/interface roughness) Depth profiles of: Optical paraeters (refractive index, dielectric function) Cheical coposition Crystalinity Is fast with high precision lectrical properties (dc-conductivity, obility, free-carrier concentration, ipurity electrical activation) Is non-destructive, electrodeless Is cheaper than the ion bea techniques (RBS, SIMS) Requires: A coputer code for optical analysis based on the GTMM A desktop spectrophotoeter for FT-IR analysis
45 References Waddell, C. N. and Spitzer, W. G. and Hubler, G. K. and Fredrickson, J.., Infrared studies of isotheral annealing of ion iplanted silicon: Refractive indices, regrowth rates, and carrier profiles. Journal of Applied Physics, 53, (98), DOI: C.C Katsidis, D.I. Siapkas, D. Panknin, N. Hatzopoulos and W. Skorupa Optical characterization of doped SIMOX structures using FTIR spectroscopy Microelectron. ng. Vol. 8, p (995), DOI: T. Zorba, D.I Siapkas and C.C. Katsidis Optical characterization of thin and ultrathin surface and buried cubic SiC layers using FTIR spectroscopy, Microelectron. ng. Vol. 8, 9-3, (995), DOI: D.I. Siapkas, N. Hatzopoulos, C.C Katsidis, T. Zorba, C.L Mitsas and P.L.F Heent, Structural and Copositional Characterization of High nergy SIMOX structures using FTIR spectroscopy J. lectroche. Soc., Vol. 43 (9), p (996), DOI: C.C. Katsidis, D.I. Siapkas, A.K. Robinson and P.L.F. Heent Foration of Conducting and Insulating Layered Structures in Si by Ion Iplantation:Process Control Using FTIR Spectroscopy J. lectroche. Soc., Vol. 48 (), pp. G704-G76 (00), DOI: C.C Katsidis and D.I. Siapkas General transfer atrix ethod for optical ultilayer systes with coherent, partially coherent and incoherent interference Applied Optics, Vol. 4(9) p (00), DOI: C. C. Katsidis Study of the effects of ion iplantation on the optical structural and electrical properties of silicon and SIMOX structures using FOURIR transfor infrared spectroscopy PhD thesis. Aristotle University of Thessaloniki (00) DOI:
46 xtensions of this work xtension of the optical analysis odel to include skewed doping distributions References: Charalabos C. Katsidis Depth profiling of ion iplanted aterials with skewed doping distributions using Fourier transfor infrared spectroscopy Applied Optics 47() 3-3 (008). DOI: Charalabos C. Katsidis Refractive index, free carrier concentration and obility depth profiles of ion iplanted Si: optical investigation using FTIR spectroscopy J. Opt. Soc. A. B 5(5) (008). DOI: C. C. Katsidis and D. I. Siapkas Optical properties of ion-iplanted silicon and separation by iplantation of oxygen silicon-on insulator substrates in the infrared: study of B + and P + iplantation doping Thin Solid Fils, 57(5) (009). DOI:
47 xtensions of this work xtension of the x transfer atrix ethod to include optical anisotropy Reference: C. C. Katsidis, A. O. Ajagunna and A. Georgakilas 'Οptical characterization of free electron concentration in heteroepitaxial InN layers using Fourier transfor infrared spectroscopy and a transfer-atrix algebra' Journal of Applied Physics 3 (03): DOI:
Graded Refractive-Index
Graded Refractive-Index Common Devices Methodologies for Graded Refractive Index Methodologies: Ray Optics WKB Multilayer Modelling Solution requires: some knowledge of index profile n 2 x Ray Optics for
Διαβάστε περισσότεραCE 530 Molecular Simulation
C 53 olecular Siulation Lecture Histogra Reweighting ethods David. Kofke Departent of Cheical ngineering SUNY uffalo kofke@eng.buffalo.edu Histogra Reweighting ethod to cobine results taken at different
Διαβάστε περισσότεραSolar Neutrinos: Fluxes
Solar Neutrinos: Fluxes pp chain Sun shines by : 4 p 4 He + e + + ν e + γ Solar Standard Model Fluxes CNO cycle e + N 13 =0.707MeV He 4 C 1 C 13 p p p p N 15 N 14 He 4 O 15 O 16 e + =0.997MeV O17
Διαβάστε περισσότεραA Determination Method of Diffusion-Parameter Values in the Ion-Exchange Optical Waveguides in Soda-Lime glass Made by Diluted AgNO 3 with NaNO 3
大阪電気通信大学研究論集 ( 自然科学編 ) 第 51 号 A Determination Method of Diffusion-Parameter Values in the Ion-Exchange Optical Waveguides in Soda-Lime glass Made by Diluted AgNO 3 with NaNO 3 Takuya IWATA and Kiyoshi
Διαβάστε περισσότεραΜελέτη Πρότυπων Καταλυτικών Συστηµάτων. µε Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές
Μελέτη Πρότυπων Καταλυτικών Συστηµάτων µε Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιδακτορική διατριβή Υποβληθείσα στο Τµήµα Χηµικών Μηχανικών Του Πανεπιστηµίου Πατρών Υπό ΣΤΑΥΡΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΥ ΚΑΡΑΚΑΛΟΥ του Πέτρου
Διαβάστε περισσότεραΑπόκριση σε Μοναδιαία Ωστική Δύναμη (Unit Impulse) Απόκριση σε Δυνάμεις Αυθαίρετα Μεταβαλλόμενες με το Χρόνο. Απόστολος Σ.
Απόκριση σε Δυνάμεις Αυθαίρετα Μεταβαλλόμενες με το Χρόνο The time integral of a force is referred to as impulse, is determined by and is obtained from: Newton s 2 nd Law of motion states that the action
Διαβάστε περισσότεραΒΙΟΓΡΑΦΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Ι ΑΚΤΙΚΟ ΕΡΓΟ
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: Χρήστος Μήτσας ΙΕΥΘΥΝΣΗ: Κοµνηνών 64 Πανόραµα 55 236 Τηλ. 0310 340 072 ΤΟΠΟΣ-ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΓΕΝΝΗΣΕΩΣ: Θεσ/νίκη - 13/7/62 1977-1980 1ο Λύκειο Αρρένων Ν. Σµύρνης. 1981-1984
Διαβάστε περισσότεραApproximation of distance between locations on earth given by latitude and longitude
Approximation of distance between locations on earth given by latitude and longitude Jan Behrens 2012-12-31 In this paper we shall provide a method to approximate distances between two points on earth
Διαβάστε περισσότεραSupporting Information
Supporting Information rigin of the Regio- and Stereoselectivity of Allylic Substitution of rganocopper Reagents Naohiko Yoshikai, Song-Lin Zhang, and Eiichi Nakamura* Department of Chemistry, The University
Διαβάστε περισσότεραHigh order interpolation function for surface contact problem
3 016 5 Journal of East China Normal University Natural Science No 3 May 016 : 1000-564101603-0009-1 1 1 1 00444; E- 00030 : Lagrange Lobatto Matlab : ; Lagrange; : O41 : A DOI: 103969/jissn1000-56410160300
Διαβάστε περισσότεραDETERMINATION OF DYNAMIC CHARACTERISTICS OF A 2DOF SYSTEM. by Zoran VARGA, Ms.C.E.
DETERMINATION OF DYNAMIC CHARACTERISTICS OF A 2DOF SYSTEM by Zoran VARGA, Ms.C.E. Euro-Apex B.V. 1990-2012 All Rights Reserved. The 2 DOF System Symbols m 1 =3m [kg] m 2 =8m m=10 [kg] l=2 [m] E=210000
Διαβάστε περισσότερα[1] P Q. Fig. 3.1
1 (a) Define resistance....... [1] (b) The smallest conductor within a computer processing chip can be represented as a rectangular block that is one atom high, four atoms wide and twenty atoms long. One
Διαβάστε περισσότεραThin Film Precision Chip Resistor-AR Series
hin Film Precision Chip Resistor-AR Series Construction L D1 3 4 5 6 D2 9 8 7 1 2 1 Alumina Substrate 4 Edge Electrode (NiCr) 7 Resistor Layer (NiCr) 2 Bottom Electrode (Ag) 5 Barrier Layer (Ni) 8 Overcoat
Διαβάστε περισσότεραΠλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης
Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Πλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης Πτυχιακή Εργασία Φοιτήτρια: Μακρή Δέσποινα ΑΜ: 43059
Διαβάστε περισσότερα2. Μηχανικό Μαύρο Κουτί: κύλινδρος με μια μπάλα μέσα σε αυτόν.
Experiental Copetition: 14 July 011 Proble Page 1 of. Μηχανικό Μαύρο Κουτί: κύλινδρος με μια μπάλα μέσα σε αυτόν. Ένα μικρό σωματίδιο μάζας (μπάλα) βρίσκεται σε σταθερή απόσταση z από το πάνω μέρος ενός
Διαβάστε περισσότεραComputing the Gradient
FMIA F. Moukalled L. Mangani M. Darwish An Advanced Introduction with OpenFOAM and Matlab This textbook explores both the theoretical oundation o the Finite Volume Method (FVM) and its applications in
Διαβάστε περισσότεραΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ Μελέτη των υλικών των προετοιμασιών σε υφασμάτινο υπόστρωμα, φορητών έργων τέχνης (17ος-20ος αιώνας). Διερεύνηση της χρήσης της τεχνικής της Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας
Διαβάστε περισσότεραSupporting information. An unusual bifunctional Tb-MOF for highly sensing of Ba 2+ ions and remarkable selectivities of CO 2 /N 2 and CO 2 /CH 4
Electronic Supplementary Material (ESI) for Journal of Materials Chemistry A. This journal is The Royal Society of Chemistry 2015 Supporting information An unusual bifunctional Tb-MOF for highly sensing
Διαβάστε περισσότεραCurrent Sensing Chip Resistor SMDL Series Size: 0201/0402/0603/0805/1206/1010/2010/2512/1225/3720/7520. official distributor of
Product: Current Sensing Chip Resistor SMDL Series Size: 0201/0402/0603/0805/1206/1010/2010/2512/1225/3720/7520 official distributor of Current Sensing Chip Resistor (SMDL Series) 1. Features -3 Watts
Διαβάστε περισσότεραReview Test 3. MULTIPLE CHOICE. Choose the one alternative that best completes the statement or answers the question.
Review Test MULTIPLE CHOICE. Choose the one alternative that best completes the statement or answers the question. Find the exact value of the expression. 1) sin - 11π 1 1) + - + - - ) sin 11π 1 ) ( -
Διαβάστε περισσότεραΟι απόψεις και τα συμπεράσματα που περιέχονται σε αυτό το έγγραφο, εκφράζουν τον συγγραφέα και δεν πρέπει να ερμηνευτεί ότι αντιπροσωπεύουν τις
Οι απόψεις και τα συμπεράσματα που περιέχονται σε αυτό το έγγραφο, εκφράζουν τον συγγραφέα και δεν πρέπει να ερμηνευτεί ότι αντιπροσωπεύουν τις επίσημες θέσεις των εξεταστών. i ΠΡΟΛΟΓΟΣ ΕΥΧΑΡΙΣΤΙΕΣ Η παρούσα
Διαβάστε περισσότεραRC series Thick Film Chip Resistor
RC series Thick Film Chip Resistor Features» Small size and light weight» Compatible with wave and reflow soldering» Suitable for lead free soldering» RoHS compliant & Halogen Free Applications Configuration»
Διαβάστε περισσότεραResurvey of Possible Seismic Fissures in the Old-Edo River in Tokyo
Bull. Earthq. Res. Inst. Univ. Tokyo Vol. 2.,**3 pp.,,3,.* * +, -. +, -. Resurvey of Possible Seismic Fissures in the Old-Edo River in Tokyo Kunihiko Shimazaki *, Tsuyoshi Haraguchi, Takeo Ishibe +, -.
Διαβάστε περισσότερα(1) Describe the process by which mercury atoms become excited in a fluorescent tube (3)
Q1. (a) A fluorescent tube is filled with mercury vapour at low pressure. In order to emit electromagnetic radiation the mercury atoms must first be excited. (i) What is meant by an excited atom? (1) (ii)
Διαβάστε περισσότεραData sheet Thick Film Chip Resistor 5% - RS Series 0201/0402/0603/0805/1206
Data sheet Thick Film Chip Resistor 5% - RS Series 0201/0402/0603/0805/1206 Scope -This specification applies to all sizes of rectangular-type fixed chip resistors with Ruthenium-base as material. Features
Διαβάστε περισσότεραSMD Transient Voltage Suppressors
SMD Transient Suppressors Feature Full range from 0 to 22 series. form 4 to 60V RMS ; 5.5 to 85Vdc High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Fast response time
Διαβάστε περισσότεραReaction of a Platinum Electrode for the Measurement of Redox Potential of Paddy Soil
J. Jpn. Soc. Soil Phys. No. +*0, p.- +*,**1 Eh * ** Reaction of a Platinum Electrode for the Measurement of Redox Potential of Paddy Soil Daisuke MURAKAMI* and Tatsuaki KASUBUCHI** * The United Graduate
Διαβάστε περισσότεραHFC SERIES High Freq. Wound Ceramic Chip Inductors
FEATURES High frequency applications. Low DC resistance and high allowable DC current. Close tolerance application.2% tolerence is available for particular inductance values. Small footprint as well as
Διαβάστε περισσότεραΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Ι ΙΟΤΗΤΩΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟ- ΓΙΚΕΣ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΕΙΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΚΡΗ- ΤΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Βικεντίου Μάριος ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Ι ΙΟΤΗΤΩΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟ- ΓΙΚΕΣ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΕΙΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ
Διαβάστε περισσότεραSupplementary Materials for. Kinetic and Computational Studies on Pd(I) Dimer- Mediated Halogen Exchange of Aryl Iodides
Supplementary Materials for Kinetic and Computational Studies on Pd(I) Dimer- Mediated Halogen Exchange of Aryl Iodides Indrek Kalvet, a Karl J. Bonney, a and Franziska Schoenebeck a * a Institute of Organic
Διαβάστε περισσότεραPhys460.nb Solution for the t-dependent Schrodinger s equation How did we find the solution? (not required)
Phys460.nb 81 ψ n (t) is still the (same) eigenstate of H But for tdependent H. The answer is NO. 5.5.5. Solution for the tdependent Schrodinger s equation If we assume that at time t 0, the electron starts
Διαβάστε περισσότεραA facile and general route to 3-((trifluoromethyl)thio)benzofurans and 3-((trifluoromethyl)thio)benzothiophenes
Electronic Supplementary Material (ESI) for ChemComm. This journal is The Royal Society of Chemistry 2014 A facile and general route to 3-((trifluoromethyl)thio)benzofurans and 3-((trifluoromethyl)thio)benzothiophenes
Διαβάστε περισσότεραES440/ES911: CFD. Chapter 5. Solution of Linear Equation Systems
ES440/ES911: CFD Chapter 5. Solution of Linear Equation Systems Dr Yongmann M. Chung http://www.eng.warwick.ac.uk/staff/ymc/es440.html Y.M.Chung@warwick.ac.uk School of Engineering & Centre for Scientific
Διαβάστε περισσότεραΠΣΤΧΛΑΚΘ ΕΡΓΑΛΑ ΜΕΣΡΘΕΛ ΟΠΣΛΚΟΤ ΒΑΚΟΤ ΑΣΜΟΦΑΛΡΑ ΜΕ ΘΛΛΑΚΟ ΦΩΣΟΜΕΣΡΟ ΕΚΟ
ln(f( )) ΑΡΛΣΟΣΕΛΕΛΟ ΠΑΝΕΠΛΣΘΜΛΟ ΚΕΑΛΟΝΛΚΘ ΣΜΘΜΑ ΦΤΛΚΘ ΠΣΤΧΛΑΚΘ ΕΡΓΑΛΑ ΜΕΣΡΘΕΛ ΟΠΣΛΚΟΤ ΒΑΚΟΤ ΑΣΜΟΦΑΛΡΑ ΜΕ ΘΛΛΑΚΟ ΦΩΣΟΜΕΣΡΟ ΕΚΟ 4,6 4,4 4,2 4,0 3,8 3,6 3,4 3,2 3,0 2,8 2,6 2,4 2,2 2,0 1,8 1,6 1 2 3 4 5
Διαβάστε περισσότεραD Alembert s Solution to the Wave Equation
D Alembert s Solution to the Wave Equation MATH 467 Partial Differential Equations J. Robert Buchanan Department of Mathematics Fall 2018 Objectives In this lesson we will learn: a change of variable technique
Διαβάστε περισσότερα1000 VDC 1250 VDC 125 VAC 250 VAC J K 125 VAC, 250 VAC
Metallized Polyester Film Capacitor Type: ECQE(F) Non-inductive construction using metallized Polyester film with flame retardant epoxy resin coating Features Self-healing property Excellent electrical
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥ / ΑΝΘΡΑΚΟΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ
ΜΕΛΕΤΗ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥ / ΑΝΘΡΑΚΟΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ Διδακτορική Διατριβή Υποβληθείσα στο Τμήμα Χημικών Μηχανικών του Πανεπιστημίου Πατρών Υπό ΙΩΑΝΝΗ ΔΟΝΤΑ του Θεοφάνη Για
Διαβάστε περισσότεραMetal Film Leaded Precision Resistor
Features Excellent overall stability Very tight tolerance down to ±0.05% Extremely low TCR down to ±5 PPM/ C High power rating up to 3 Watts Excellent ohmic contact Construction Applications Telecommunication
Διαβάστε περισσότεραJesse Maassen and Mark Lundstrom Purdue University November 25, 2013
Notes on Average Scattering imes and Hall Factors Jesse Maassen and Mar Lundstrom Purdue University November 5, 13 I. Introduction 1 II. Solution of the BE 1 III. Exercises: Woring out average scattering
Διαβάστε περισσότεραMAX-QUALITY ELECTRIC CO; LTD Thin Film Precision Chip Resistors. Data Sheet
Data Sheet Customer: Product: Size: Current Sensing Chip Resistor CS Series 0201/0402/0603/0805/1206/1010/2010/2512 1225/3720/7520 Issued Date: Edition : 12-Nov-10 REV.C5 Current Sensing Chip Resistor
Διαβάστε περισσότεραWhat happens when two or more waves overlap in a certain region of space at the same time?
Wave Superposition What happens when two or more waves overlap in a certain region of space at the same time? To find the resulting wave according to the principle of superposition we should sum the fields
Διαβάστε περισσότεραAnti-Corrosive Thin Film Precision Chip Resistor-SMDR Series. official distributor of
Product : Anti-Corrosive Thin Film Precision Chip Resistor-SMDR Series Size : 0402/0603/0805/1206/2010/2512 official distributor of Anti-Corrosive Thin Film Precision Chip Resistor (SMDR Series) 1. Features
Διαβάστε περισσότεραA Bonus-Malus System as a Markov Set-Chain. Małgorzata Niemiec Warsaw School of Economics Institute of Econometrics
A Bonus-Malus System as a Markov Set-Chain Małgorzata Niemiec Warsaw School of Economics Institute of Econometrics Contents 1. Markov set-chain 2. Model of bonus-malus system 3. Example 4. Conclusions
Διαβάστε περισσότεραΝανοσύνθετα πολυαιθυλενίου υψηλής πυκνότητας (HDPE) / νανοϊνών χαλκού (Cu-nanofibers) με βελτιωμένη σταθερότητα στην υπεριώδη ακτινοβολία
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών ΦΥΣΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Νανοσύνθετα πολυαιθυλενίου υψηλής πυκνότητας (HDPE) / νανοϊνών
Διαβάστε περισσότεραTable of contents. 1. Introduction... 4
Table of contents 0. Motivation.... 1 1. Introduction... 4 2. Inclusion compounds of [Al(OH)(bdc)] n and [V(O)(bdc)] n... 11 2.1 [(η 5 -C 5 H 5 ) 2 Fe] 0.5 @MIL-53(Al) and [(η 5 -C 5 H 5 ) 2 Co] 0.25 @MIL-53(Al)
Διαβάστε περισσότεραMetal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet
Φ SERIES Metal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet Features Wide operating voltage (V ma ) range from 8V to 0V Fast responding to transient over-voltage Large absorbing transient energy capability Low clamping
Διαβάστε περισσότεραb. Use the parametrization from (a) to compute the area of S a as S a ds. Be sure to substitute for ds!
MTH U341 urface Integrals, tokes theorem, the divergence theorem To be turned in Wed., Dec. 1. 1. Let be the sphere of radius a, x 2 + y 2 + z 2 a 2. a. Use spherical coordinates (with ρ a) to parametrize.
Διαβάστε περισσότεραData sheet Thin Film Chip Inductor AL Series
Data sheet Thin Film Chip Inductor AL Series Scope - 0201 and 0402 and 0603 series inductor is a photo lithographically etched single layer ceramic chip. This design provides high SRF, excellent Q, and
Διαβάστε περισσότεραAppendix to On the stability of a compressible axisymmetric rotating flow in a pipe. By Z. Rusak & J. H. Lee
Appendi to On the stability of a compressible aisymmetric rotating flow in a pipe By Z. Rusak & J. H. Lee Journal of Fluid Mechanics, vol. 5 4, pp. 5 4 This material has not been copy-edited or typeset
Διαβάστε περισσότεραSMD - Resistors. TThin Film Precision Chip Resistor - SMDT Series. Product : Size: 0201/0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512. official distributor of
Product : TThin Film Precision Chip Resistor - SMDT Series Size: 0201/0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512 official distributor of 1. Features -Advanced thin film technology -Very tight tolerance down to
Διαβάστε περισσότεραSecond Order Partial Differential Equations
Chapter 7 Second Order Partial Differential Equations 7.1 Introduction A second order linear PDE in two independent variables (x, y Ω can be written as A(x, y u x + B(x, y u xy + C(x, y u u u + D(x, y
Διαβάστε περισσότεραPhysical and Chemical Properties of the Nest-site Beach of the Horseshoe Crab Rehabilitated by Sand Placement
J. Jpn. Soc. Soil Phys. No. 33, p.//0-,**/ ******* * Physical and Chemical Properties of the Nest-site Beach of the Horseshoe Crab Rehabilitated by Sand Placement Masami OHTSUBO*, Hidekazu ISHIDA**, Hisakatsu
Διαβάστε περισσότεραJackson 2.25 Homework Problem Solution Dr. Christopher S. Baird University of Massachusetts Lowell
Jackson 2.25 Hoework Proble Solution Dr. Christopher S. Baird University of Massachusetts Lowell PROBLEM: Two conducting planes at zero potential eet along the z axis, aking an angle β between the, as
Διαβάστε περισσότεραMetal Oxide Leaded Film Resistor
SURFACE TEMP. RISE ( ) Power Ratio(%) MOF0623, 0932, 1145, 1550, 1765, 2485 MOF Series Features -Excellent Long-Time stability -High surge / overload capability -Wide resistance range : 0.1Ω~10MΩ -Controlled
Διαβάστε περισσότερα상대론적고에너지중이온충돌에서 제트입자와관련된제동복사 박가영 인하대학교 윤진희교수님, 권민정교수님
상대론적고에너지중이온충돌에서 제트입자와관련된제동복사 박가영 인하대학교 윤진희교수님, 권민정교수님 Motivation Bremsstrahlung is a major rocess losing energies while jet articles get through the medium. BUT it should be quite different from low energy
Διαβάστε περισσότεραStudy on Re-adhesion control by monitoring excessive angular momentum in electric railway traction
() () Study on e-adhesion control by monitoring excessive angular momentum in electric railway traction Takafumi Hara, Student Member, Takafumi Koseki, Member, Yutaka Tsukinokizawa, Non-member Abstract
Διαβάστε περισσότεραΕύη Καραγιαννίδου Χημικός Α.Π.Θ. ΟΙ ΕΠΟΞΕΙΔΙΚΕΣ ΚΟΛΛΕΣ ΣΤΗΝ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΕΡΓΩΝ ΤΕΧΝΗΣ ΑΠΟ ΓΥΑΛΙ ή ΚΕΡΑΜΙΚΟ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΕΙΑΣ Εύη Καραγιαννίδου Χημικός Α.Π.Θ. ΟΙ ΕΠΟΞΕΙΔΙΚΕΣ ΚΟΛΛΕΣ ΣΤΗΝ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΕΡΓΩΝ ΤΕΧΝΗΣ ΑΠΟ ΓΥΑΛΙ ή ΚΕΡΑΜΙΚΟ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΚΙΝΗΤΙΚΗΣ
Διαβάστε περισσότεραΤεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel
Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel Δέσποινα Στεφοπούλου Επιβλέπων: Κωνσταντίνος Κορδάτος Στην παρούσα διπλωματική εργασία παρασκευάστηκαν
Διαβάστε περισσότεραΔιπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ:ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ Διπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων
Διαβάστε περισσότεραMetal Film Leaded Precision Resistor
Power ratio(%) MFR Series Features Excellent overall stability Very tight tolerance down to ±0.05% Extremely low TCR down to ±5 PPM/ C High power rating up to 3 Watts Excellent ohmic contact Applications
Διαβάστε περισσότεραΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΝΑΝΟΕΠΙΣΤΗΜΕΣ & ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ Ν&Ν ΓΡΑΦΕΝΙΟ : ΦΥΣΙΚΗ & ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΛΑΜΠΡΙΝΟΣ Ι. ΜΙΧΑΗΛ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:
Διαβάστε περισσότεραAn experimental and theoretical study of the gas phase kinetics of atomic chlorine reactions with CH 3 NH 2, (CH 3 ) 2 NH, and (CH 3 ) 3 N
Electronic Supplementary Material (ESI) for Physical Chemistry Chemical Physics. This journal is the Owner Societies 2015 An experimental and theoretical study of the gas phase kinetics of atomic chlorine
Διαβάστε περισσότερα38 Te(OH) 6 2NH 4 H 2 PO 4 (NH 4 ) 2 HPO 4
Fig. A-1-1. Te(OH) NH H PO (NH ) HPO (TAAP). Projection of the crystal structure along the b direction [Ave]. 9 1. 7.5 ( a a )/ a [1 ] ( b b )/ b [1 ] 5..5 1.5 1 1.5 ( c c )/ c [1 ].5 1. 1.5. Angle β 1.
Διαβάστε περισσότεραTable of Contents 1 Supplementary Data MCD
Electronic Supplementary Material (ESI) for Dalton Transactions. This journal is The Royal Society of Chemistry 2017 Supporting Information for Magnetic circular dichroism and density functional theory
Διαβάστε περισσότεραHigh Current Chip Ferrite Bead MHC Series
High Current Chip Ferrite Bead MHC Series Features Combination of high frequency noise suppression with capability of handing high current. The current rating up to 6 Amps with low DC. Applications High
Διαβάστε περισσότεραCSK series. Current Sensing Chip Resistor. Features. Applications. Construction FAITHFUL LINK
CSK series Current Sensing Chip Resistor Features» 3 Watts power rating in 1 Watt size, 1225 Package» Low TCR of ±100 PPM/ C» Resistance values from 1m to 1 ohm» High purity alumina substrate for high
Διαβάστε περισσότεραΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ
ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ «ΕΝΑΛΛΑΚΤΙΚΗ ΔΙAΧΕIΡΙΣΗ ΑΣΤΙΚΩΝ ΑΠΟΡΡΙΜΜΑΤΩΝ» Του φοιτητή Κασαπιάν Αρτίν Αρ. Μητρώου: 2000.05.0042 Επιβλέπων Καθηγητής Παλαιολόγος Ευάγγελος
Διαβάστε περισσότεραΣΤΑΤΙΚΗ ΜΗ ΓΡΑΜΜΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΛΩ ΙΩΤΩΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΩΝ
1 ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ Σχολή Πολιτικών Μηχανικών ΠΜΣ οµοστατικός Σχεδιασµός και Ανάλυση Κατασκευών Εργαστήριο Μεταλλικών Κατασκευών Μεταπτυχιακή ιπλωµατική Εργασία ΣΤΑΤΙΚΗ ΜΗ ΓΡΑΜΜΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΛΩ
Διαβάστε περισσότεραMetal Oxide Leaded Film Resistor
Features -Excellent Long-Time stability -High surge / overload capability -Wide resistance range : 0.1Ω~22MΩ -Controlled temperature coefficient -Resistance standard tolerance: ±5% (consult factory for
Διαβάστε περισσότεραSecond Order RLC Filters
ECEN 60 Circuits/Electronics Spring 007-0-07 P. Mathys Second Order RLC Filters RLC Lowpass Filter A passive RLC lowpass filter (LPF) circuit is shown in the following schematic. R L C v O (t) Using phasor
Διαβάστε περισσότεραThin Film Chip Inductor
Scope -Calchip s 0201 and 0402 series inductor is a photo lithographically etched single layer ceramic chip. Calchip s design provides high, excellent Q, and superior temperature stability. This highly
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΟΛΙΣΘΗΡΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΜΑΚΡΟΥΦΗ ΤΩΝ ΟΔΟΔΤΡΩΜΑΤΩΝ ΚΥΚΛΟΦΟΡΙΑΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Πτυχιακή εργασία ΟΛΙΣΘΗΡΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΜΑΚΡΟΥΦΗ ΤΩΝ ΟΔΟΔΤΡΩΜΑΤΩΝ ΚΥΚΛΟΦΟΡΙΑΣ Χριστοδούλου Αντρέας Λεμεσός 2014 2 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ
Διαβάστε περισσότεραΙΕΥΘΥΝΤΗΣ: Καθηγητής Γ. ΧΡΥΣΟΛΟΥΡΗΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ ΙΑΤΡΙΒΗ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΚΑΙ ΑΕΡΟΝΑΥΠΗΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ & ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ / ΥΝΑΜΙΚΗΣ & ΘΕΩΡΙΑΣ ΜΗΧΑΝΩΝ ΙΕΥΘΥΝΤΗΣ: Καθηγητής Γ. ΧΡΥΣΟΛΟΥΡΗΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραΑξιολόγηση Ημιαγώγιμων Υμενίων Σεληνιούχου Καδμίου Σε Υπόστρωμα Νικελίου Για Φωτοβολταϊκές Εφαρμογές
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Αξιολόγηση Ημιαγώγιμων Υμενίων Σεληνιούχου Καδμίου Σε Υπόστρωμα
Διαβάστε περισσότεραSi + Al Mg Fe + Mn +Ni Ca rim Ca p.f.u
.6.5. y = -.4x +.8 R =.9574 y = - x +.14 R =.9788 y = -.4 x +.7 R =.9896 Si + Al Fe + Mn +Ni y =.55 x.36 R =.9988.149.148.147.146.145..88 core rim.144 4 =.6 ±.6 4 =.6 ±.18.84.88 p.f.u..86.76 y = -3.9 x
Διαβάστε περισσότεραCurrent Sensing Thick Film Chip Resistor-SMDB Series Size: 0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512. official distributor of
Product: Current Sensing Thick Film Chip Resistor-SMDB Series Size: 0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512 official distributor of Current Sensing Thick Film Chip Resistor-SMDB Series 1. Scope -This specification
Διαβάστε περισσότεραCongruence Classes of Invertible Matrices of Order 3 over F 2
International Journal of Algebra, Vol. 8, 24, no. 5, 239-246 HIKARI Ltd, www.m-hikari.com http://dx.doi.org/.2988/ija.24.422 Congruence Classes of Invertible Matrices of Order 3 over F 2 Ligong An and
Διαβάστε περισσότεραTHICK FILM LEAD FREE CHIP RESISTORS
Features Suitable for lead free soldering. Compatible with flow and reflow soldering Applications Consumer Electronics Automotive industry Computer Measurement instrument Electronic watch and camera Configuration
Διαβάστε περισσότεραLaboratory Studies on the Irradiation of Solid Ethane Analog Ices and Implications to Titan s Chemistry
Laboratory Studies on the Irradiation of Solid Ethane Analog Ices and Implications to Titan s Chemistry 5th Titan Workshop at Kauai, Hawaii April 11-14, 2011 Seol Kim Outer Solar System Model Ices with
Διαβάστε περισσότεραBandPass (4A) Young Won Lim 1/11/14
BandPass (4A) Copyright (c) 22 Young W. Lim. Permission is granted to copy, distribute and/or modify this document under the terms of the GNU Free Documentation License, Version.2 or any later version
Διαβάστε περισσότεραSMD - Resistors. Thick Film Chip Resistor-SMDC Series Size: 01005/0201/0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512/ 1225/0612. official distributor of
Product: Thick Film Chip Resistor-SMDC Series Size: 01005/0201/0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512/ 1225/0612 official distributor of 1. Scope Thick Film Chip Resistor-SMDC Series -This specification applies
Διαβάστε περισσότερα4. Construction. 5. Dimensions Unit mm
1. Scope This specification applies to all sizes of rectangular-type fixed chip resistors with Ni/Cr as material. 2. Features Tolerance from 0.01%1% Thin film & Ni/Cr Resistor TCR from 5ppm 50ppm for thin
Διαβάστε περισσότεραThe Free Internet Journal for Organic Chemistry
The Free Internet Journal for Organic Chemistry Paper Archive for Organic Chemistry Arkivoc 2018, part iii, S1-S6 Synthesis of dihydropyranones and dihydropyrano[2,3- d][1,3]dioxine-diones by cyclization
Διαβάστε περισσότεραThick Film Chip Resistor-SMDC Series Size: 01005/0201/0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512. official distributor of
Product: Thick Film Chip Resistor-SMDC Series Size: 01005/0201/0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512 official distributor of Thick Film Chip Resistor-SMDC Series 1. Scope -This specification applies to all
Διαβάστε περισσότεραLow Frequency Plasma Conductivity in the Average-Atom Approximation
Low Frequency Plasma Conductivity in the Average-Atom Approximation Walter Johnson & Michael Kuchiev Physical Review E 78, 026401 (2008) 1. Review of Average-Atom Linear Response Theory 2. Demonstration
Διαβάστε περισσότεραOscillatory Gap Damping
Oscillatory Gap Damping Find the damping due to the linear motion of a viscous gas in in a gap with an oscillating size: ) Find the motion in a gap due to an oscillating external force; ) Recast the solution
Διαβάστε περισσότεραΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΕΠΑΝΑΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΓΡΑΜΜΗΣ ΣΥΝΑΡΜΟΛΟΓΗΣΗΣ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΡΓΑΛΕΙΩΝ ΛΙΤΗΣ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ REDESIGNING AN ASSEMBLY LINE WITH LEAN PRODUCTION TOOLS
ΔΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΣΤΗ ΔΙΟΙΚΗΣΗ ΤΩΝ ΕΠΙΧΕΙΡΗΣΕΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΕΠΑΝΑΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΓΡΑΜΜΗΣ ΣΥΝΑΡΜΟΛΟΓΗΣΗΣ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΡΓΑΛΕΙΩΝ ΛΙΤΗΣ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ REDESIGNING AN ASSEMBLY LINE WITH
Διαβάστε περισσότεραHomomorphism in Intuitionistic Fuzzy Automata
International Journal of Fuzzy Mathematics Systems. ISSN 2248-9940 Volume 3, Number 1 (2013), pp. 39-45 Research India Publications http://www.ripublication.com/ijfms.htm Homomorphism in Intuitionistic
Διαβάστε περισσότεραΗ ΣΗΜΑΣΙΑ ΤΗΣ ΜΗ ΓΡΑΜΜΙΚΗΣ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ ΓΙΑ ΤΟΝ ΣΧΕ ΙΑΣΜΟ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΩΝ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΠΟΛΙΤΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΟΜΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΩΝ Η ΣΗΜΑΣΙΑ ΤΗΣ ΜΗ ΓΡΑΜΜΙΚΗΣ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ ΓΙΑ ΤΟΝ ΣΧΕ ΙΑΣΜΟ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΩΝ Μεταπτυχιακή Εργασία
Διαβάστε περισσότεραAquinas College. Edexcel Mathematical formulae and statistics tables DO NOT WRITE ON THIS BOOKLET
Aquinas College Edexcel Mathematical formulae and statistics tables DO NOT WRITE ON THIS BOOKLET Pearson Edexcel Level 3 Advanced Subsidiary and Advanced GCE in Mathematics and Further Mathematics Mathematical
Διαβάστε περισσότεραDurbin-Levinson recursive method
Durbin-Levinson recursive method A recursive method for computing ϕ n is useful because it avoids inverting large matrices; when new data are acquired, one can update predictions, instead of starting again
Διαβάστε περισσότεραthe total number of electrons passing through the lamp.
1. A 12 V 36 W lamp is lit to normal brightness using a 12 V car battery of negligible internal resistance. The lamp is switched on for one hour (3600 s). For the time of 1 hour, calculate (i) the energy
Διαβάστε περισσότεραMain source: "Discrete-time systems and computer control" by Α. ΣΚΟΔΡΑΣ ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΕΛΕΓΧΟΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΔΙΑΦΑΝΕΙΑ 1
Main source: "Discrete-time systems and computer control" by Α. ΣΚΟΔΡΑΣ ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΕΛΕΓΧΟΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΔΙΑΦΑΝΕΙΑ 1 A Brief History of Sampling Research 1915 - Edmund Taylor Whittaker (1873-1956) devised a
Διαβάστε περισσότεραSCITECH Volume 13, Issue 2 RESEARCH ORGANISATION Published online: March 29, 2018
Journal of rogressive Research in Mathematics(JRM) ISSN: 2395-028 SCITECH Volume 3, Issue 2 RESEARCH ORGANISATION ublished online: March 29, 208 Journal of rogressive Research in Mathematics www.scitecresearch.com/journals
Διαβάστε περισσότεραSampling Basics (1B) Young Won Lim 9/21/13
Sampling Basics (1B) Copyright (c) 2009-2013 Young W. Lim. Permission is granted to copy, distribute and/or modify this document under the terms of the GNU Free Documentation License, Version 1.2 or any
Διαβάστε περισσότεραΥΠΕΥΘΥΝΟΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΜΟΥΣΙΟΠΟΥΛΟΣ ΝΙΚΟΛΑΟΣ ΑΡΜΟΔΙΟΙ ΠΑΡΑΚΟΛΟΥΘΗΣΗΣ: ΦΡΑΓΚΟΥ ΕΥΑΓΓΕΛΙΑ, ΝΤΟΥΡΟΣ ΙΩΑΝΝΗΣ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΟΣ ΤΟΜΕΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ & ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΗΣ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΑΠΟΤΙΜΗΣΗ ΕΚΠΟΜΠΩΝ ΣΩΜΑΤΙΔΙΑΚΩΝ ΡΥΠΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΕΛΕΓΧΟΣ ΤΩΝ ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΣΕΩΝ ΧΑΛΥΒ ΙΝΩΝ ΦΟΡΕΩΝ ΜΕΓΑΛΟΥ ΑΝΟΙΓΜΑΤΟΣ ΤΥΠΟΥ MBSN ΜΕ ΤΗ ΧΡΗΣΗ ΚΑΛΩ ΙΩΝ: ΠΡΟΤΑΣΗ ΕΦΑΡΜΟΓΗΣ ΣΕ ΑΝΟΙΚΤΟ ΣΤΕΓΑΣΤΡΟ
ΕΛΕΓΧΟΣ ΤΩΝ ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΣΕΩΝ ΧΑΛΥΒ ΙΝΩΝ ΦΟΡΕΩΝ ΜΕΓΑΛΟΥ ΑΝΟΙΓΜΑΤΟΣ ΤΥΠΟΥ MBSN ΜΕ ΤΗ ΧΡΗΣΗ ΚΑΛΩ ΙΩΝ: ΠΡΟΤΑΣΗ ΕΦΑΡΜΟΓΗΣ ΣΕ ΑΝΟΙΚΤΟ ΣΤΕΓΑΣΤΡΟ Νικόλαος Αντωνίου Πολιτικός Μηχανικός Τµήµα Πολιτικών Μηχανικών, Α.Π.Θ.,
Διαβάστε περισσότεραDesign and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating
U Kamphaengsean Acad. J. Vol. 7, No. 2, 2009, Pages 48-60 ก 7 2 2552 ก ก กก ก Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating 1* Geerapong Srivichai 1* ABSTRACT The purpose
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΠΟΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΒΙΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΤΡΟΦΙΜΩΝ. Πτυχιακή εργασία
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΠΟΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΒΙΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΤΡΟΦΙΜΩΝ Πτυχιακή εργασία ΜΕΛΕΤΗ ΠΟΛΥΦΑΙΝΟΛΩΝ ΚΑΙ ΑΝΤΙΟΞΕΙΔΩΤΙΚΗΣ ΙΚΑΝΟΤΗΤΑΣ ΣΟΚΟΛΑΤΑΣ Αναστασία Σιάντωνα Λεμεσός
Διαβάστε περισσότεραTrimmable Thick Film Chip Resistor
rimmable hick ilm Chip Resistor R Series rimmable hick ilm Chip Resistor Scope -his specification applies to all sizes of rectangular-type fixed chip resistors with Ruthenium-base as material. eatures
Διαβάστε περισσότερα