ΠΟΛΤΣ ΧΝ ΙΟ ΚΡΗΣΗ ΜΑΝΑΡΩΛΗ Ξ ΝΟΦΩΝ
|
|
- Διδώ Κοντόσταυλος
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΠΟΛΤΣ ΧΝ ΙΟ ΚΡΗΣΗ ΣΜΗΜΑ ΗΛ ΚΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΠΟΛΟΓΙ ΣΩΝ ΙΠΛΩΜΑΣΙΚΗ ΡΓΑ ΙΑ Μ ζϋ β Θκλτίκυ Χηβζμ υχθ β μ δ Ϊι δμ zero - VT MOSFET ΜΑΝΑΡΩΛΗ Ξ ΝΟΦΩΝ Ξ ΣΑ ΣΙΚΗ ΠΙΣΡΟΠΗ: Αθ. Κγβΰβ μ Matthias Bucher ( πδίζϋπωθ) Κγβΰβ μ Κωθ θ έθκμ ΜπΪζμ Αθ. Κγβΰβ μ υ τχδκμ Κκυ λκτζβμ
2 ABSTRACT CMOS ί θ ί ι ί ί ι ή έ. Έ ι ι ύ ι ή ι ι ί,, ι scaling. ί ι έ ι φ ώ ι ώ ώ ι ύ ι ι ιώ, έ ι ί ι ί ί φ ί θ ί ι ι ι ί ί ώ ώ. ή Native MOSFET έ ι φ έ ί ι ι ι ι ή ι ί ή ι ύ ί ι ι ι έ ι ι., έ ι ι έ MOS ιώ ί ι θ β ώ ή ί ί ί ι ι ιί ι ύ ί ι ι ί ι ι φ ιφ ι ί. ι ί ι ί έ, ί ι ι ι RF φ έ έ ή VCO) ι ι ι ί ή θ β φ. Ά ώ ί ι ί ι flash ή ι CMOS image sensors. Ό θ β ι ί / ύ θώ ι flicker ή /f θ β ί ι ι ύ ύ ι φέ θ ύβ ώ ή. ώ ι ί ί ι ή ιφ ι ι ί ι ύ trapping-detrapping θ ύθ φ ί ι ύ ι ί ι ι ίέ ί φι ή ι έ ι έ Lorentzian φ ί. ύ ί ιθ ί, ι ιί ί ι ι ώ έ, θ ή ι ι έ θ Lorentzian φ ι ι έ φ ι φ ιώ /f θ β. ίι ή ί, ι ή έ ι ή ι β θ ύβ ώ ή Native MOSFET ιήθ ι ώ φ. ί ήθ ι ύθ ή ι ι ι ή. m CMOS ί ώ έ ιήθ ι ιώ ι έ. έ ι ή ι β ι ι ι έ θ ύβ ώ ή ι ι ί ι θ ή ι φή ώ φί ι έφ ι ι ή ι φή ώ ί ί θ ύβ ι ι θ ύβ ύ ι ι ι ι. έ, φί ι ι ι Native ι ι έ ί ί ι ί θ ύβ β ι έ ι ι ύ β ι έ β.
3 Α ι θ ήθ ι ή θ θέ ή ί θώ ι έ ι θ ήθ έ ί ι θ ι βήθ ι ώ ί. ί ι ή ι ή. ή. Matthias ι ύι ι ώ ι έφ ί Bucher ι βήθ ι.. ι ι, ι ι ύ έ ι, ί φ ι ι έ έ ι ή ι βήθ ι ι
4 ABSTRACT... Α... 3 Α ι ι θ 1.1 ή 1. Α Α Α... 6 ι ή ή MOSFET ι..3 ί MOSFET... 8 Native MOSFET...10 Α 3. Α MOSFET...13 ι ι θ 3.1 β...13 ύ ι θ ύβ MOSFET ι θ 3..1 β β β ή β ι Fli ke θ β ι ι ι ή ί / ι ύ ιθ ύ φ έ β ή ι 4. /f θ ύβ...1 ή...3 ύ /f θ ύβ φ 4.3 ί 4.4 MOSFET...17 Α Α...3 ι ι ι ύ 4.1 ύ RTS...15 /f...16 Α Α 4. ή SID PSDs) Native MOSFET - W/L= / Native MOSFET - W/L= / Native MOSFET - W/L=. 5. ί... 5 ί... 5 MOS. β MOS.. ί ι Nati e MOSFETs.. ί ι Nati e Α /. ι...39 έ Sta da d MOSFETs...4 ι ιφ ι...46 Α Α...49 References...51
5 1. MOS 1.1 χ θ β ι ή ι ι ι ι ι ι ί, ί ι θ ιθύ ι ύ ί ιώ ι φ ί ή ι θ ί ι ι θ ή έ ι ώ ί ι ί. Ό φ ι ι ι έ ι ι, θ β ί ι ι ί ι ι έ ί ι ύ ή ι. ι ι ι MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), θ β ύ ή SID ή θ β ι ύ ύ SVG ι ύ ι ι ι ύ ή ι ύ ί ι. Α ι ί έ ι ι ι, έ ί ι β ή ι ή ύ ή ύ ί έ ι ή. ύ ί ι ι ύ ι έ θ ύβ MOSFET, θ ι θ β ι θ β ώ ή LF θ β ί ι ι /f ή flicker θ β ι ύ ι ι ιφ θ ύ ι. ι, βι ή ή LF θ ύβ MOSFET, ί ι θ β ι ί / ύ RTS β ι ώ ι ί ι έ ι ι έ ϋ θέ ι ί ί /f θ β. έ έ MOSFET ί ή ι ί ι θ β β ή (shot). ί ι, ι ύ φ έ ι έφ, ύ ι ί LAN, Bluetooth, WiMAX ι ιύ ι. βι ή ι ί ι ή, ή ι έ CMOS ί έ ή ιφ ι ώ ι ώ έ chip. Α ι, ι ι ι ώ ί CMOS, ι β ή ι ί έ θ ύβ ί ι ι MOS ι ι. ι ι έ ι ώ ι έ, ώ θύ ι ί ι ί β θ ύβ ι ι φ ί ι θή ι έθ ι ύ, ι ι ύ ι ιύ ι ι ι ι φέ ή. [1- ] ί ή ι ώ ι ί θ β ώ ή ί ι ή φ ί ZVT, Native MOSFET. LF θ β ί ι ύ ί ; flicker ή /f θ β ύ ι ι ι RTS θ β ι. φ ι ή ι ύ flicker θ ύβ ί ι ι φ έ ι ή fc. LF θ β ί έ ι έ ι ι ί ι ώ ι RF φ ώ. ι ι, ι φώ ι ιθύ θ β φ ώ ώ VCO έ ι ι ί ι ι φ ί ι ι ι ή. ί LF θ β ι ι φ ιφ ι ι ι ι έ ι έ ι ι ί ι ί έ ι ι ι έ ι ώ MHzs ύ θύ. ι, έ LF θ ύβ ί ι ύ ι ή ι ιί ι MOSFET ι ή φ ί ι έ ί ι έ ιθέι βιβ ι φί. 1. ι ή ι ή ί ώ ι ή: φ ι ί ι ι ι ή θ β ι ί MOSFET ι ι. ι ί LF θ β ί ι ι ι ί ή έ. έ ι φ ι, βι ή ή ι ι ί
6 MOSFET ι ι ώ θ ί ι φή βι ώ ι ι ώ MOSFET ι ή φ ί. φ ι, LF θ β MOSFET ι ι ώ φ ιφ έ ι ή ι β. φ ι, ι ι ή ι ι ί θώ ι έ ί ή ι ι. έ, φ ι 5 ίθ ι ι έ.
7 ..1 MOS MOSFET ι ί MOSFET, ύ ι ι ί, θ ί ι ί ί. ι ι έ, ι ί φ ί ι, ύ ύ ώ, θ ί ι ι ύ ύ ώ. ί FET θ ύ ι έ ύ ίθ ι ι ί ί ι έ ύ ύ. Α ή βι ιφ ί έ ι FET θώ ι έ ύ. MOSFET ί ι ι ι ώ ι ι ι ι έ ι ι, ί ί ύ ι ύ ι ι ώ. Έ ι έ -channel MOSFET (NMOS) ι P-channel MOSFET (PMOS) ί ι ύ β ί ι ή.. ι έ ι έ MOSFET ί ι: ύ Gate-G), ή Source-S), ώ (Body or Bulk-B) ι ή Drain-D). ι ι ι ι ή ιφ ι ύ ύ ι ι ι. ί ύ ι ή θ ί ι ι ύ ώ ή ι ή. ή. : NMOS-PMOS ι ύ β [3] ή., ι ή NMOS ί ι ί ι. έ ώ θ ί ι ι ί ι ί ι έ NMOSFET ήθ ί ι έ ι p- ύ. έ ύ ί ι ι ώ ι ιφ ι β ί ι έ ι ώ φέ θ ι ι. ι έ ι ή ί ι ι ί ι ι ί SiO). ι ύ ι ί ι, ύ έ ι έ ι ί ι ι, ι έ ύ ήθ ι ιύ ι. ύ έ ι ί ι ύ θ doping) ή ι ή ι ίθ ι []. έ ι, ύ ι ι έ ί ι ι ύ ι ύ ή- ώ ι ή- ώ. Έ ι ύ ι θ ιώ ι ι NMOS ί. VS VB VS VB 0 VSB 0 VD VB VD VB 0 VDB 0 VD VS VD VS 0 VDS 0 (.1)
8 VS ί ι ι ή, VD ί ι ι ή ι VB ί ι ι ώ. NMOS, έ ή έ ι ι ύ. ή., ί ύ θ ί ι ι ι ί ύ ώ ή ι ή. ή. : ι ή NMOS ί [ ] ι ι ή ι, ί ι ι ι ι ή ιύ ύ ή ι ή. p- ύ ι β ί ι, ώ ι ι ύ ι έ. Α ύ, φ ί ί ι ύ ύ ή ι ή n- ύ ι NMOS), ύ ι θύ ι έ ώ φ έ ή ι ί ι ι ή ύ ύ ή ι ή, ι ί. ιύ β ί ι W (Width) ι ή L (Length). ή ιύ L ι ή Tox), ί ύ ι CMOS θώ έ ι CMOS ιώ φ ί ι ί ώ ύ ι. Έ PMOS ί έ ι ιβώ ί ι ή ίθ ι έ NMOS φί ι ή.. ί βι ή ιφ ί ι ι φ PMOSFET ι ί ι NMOSFET ι CMOS ί, ί ι ί ι ί ι nύ ι ή έ p- ύ. Α ή ι ή ι ι n- ύ n-well). ι ιώ ι. ι PMOSFET ί ι ί ι ι ιώ ι. NMOSFET) ι θ ώ ι ι ή ί ι ύ ι ή. VS VB VS VB 0 VSB 0 VD VB VD VB 0 VDB 0 VD VS VD VS 0 VDS 0 (.)
9 ή. : ι ή. ί [ ] MOSFET ή. : NMOS Ό ώ φ φ έ PMOS ί ή [3] ύ MOSFET έ ι ι ή (VGS=0), ι ύ pn ί ι ύ p- ύ ι n- ύ ή ι ή, έ ι ι, ι ι ύ ή ι ή (VDS>0). Ό ύ ι VGS>0) ώ ι ι VDS=0), ύ ι ί έ ή ι έ ι, θύ ι ύ έ φή ι ι ύ. Ό ύ φ ι ι ι έ ι ή ι φ ί
10 (VGS=VTH), έ n- ύ [] ή.. ι φ ί ι ή.5: NMOS ί ι ί ι ι ώ ι φή inversion) ή [ ] φ ί ύ ή ι ή VDS>0), θ ι θ ί ύ ι φ ί ι ύ ι ή ή. ι ι έ ι έ VDS, ύ ι DS) ι ι ι ύ ι έ VDS, ύ φ ι ι ι. Α βί ι ι ί ή ι ή ύ, ή ί ι ί ώ ι ι έ ι ι ι ι ι Pinchoff) ώ ή ί ι ι ί depletion) φί ι ή.. Α έ ι ύ ι έ ι ι ή ύ ιύ VDSSAT) ι ι ή ι ή (linear) ι ι ή ύ saturation). ι ή VDSSAT ι ι VGS θώ ι ή ι []. Ό φέ θ ι, ύ ί ι ύθ ι ι ί ι φή ι. ι φή ι ί ι ι ι έ ί ι φή ι. θ ή ι φή Weak Inversion) ί ι ι ή έ n φ έ ι ί ι ύ ή έ φ έ ί ι ni ι έ θ doping) NA. Ό ύ ι ι ί ι ύ φ ί, ι έ ι Moderate) ι έ ι ι ή Strong) ι φή. ι ι ύ έ ι έ, έ n φ έ ι ί ι ύ έ θ NA. ι ύ ώ ύ ι ώ ί ι θ []. ί ι ι ώ ί ή ι φή Inversion Coefficient-IC), ί έ ιθ ι έ ι ι φ ί ί ι φή ι ι ί έ έ ι ι φή [ ].
11 IC ID I 0 W / L I 0 n C U ' OX (.3) T I0 ί ι ύ ί, n ή ί θ ή ι φή, μ ι ι φ έ ι C'OX ι ι ί ιφ ι. ι IC<0.1, β ι θ ή ι φή, ι 0.1<IC<10 έ ι ώ ι IC>10 ι ή ι φή. ι CMOS ί, έ ι ι φή θ ύ ή ώ ι έ φ ί έ ι ιώ ι, έ ι ι ι θ ή ι φή ύ ί ύ ι έ ι ι ώ ήθ ι ι ι ή ιφ έ ι ι έ..3 Native MOSFET ί ι έ ι φ ώ ι ώ ώ ι ύ ι ι ιώ, έ ι ί ι ί ί φ ί VDD θ ί ι ι ι ί ί ώ ώ. ίέ ι ί ι ύ VLSI. ι έ ι φ ώ ί ι ύ ί, ι ί ι ί ι ι ύ ι ί ι ή. ι έ φ έ θ ή ιθ ή ή ή φ ί ι έ έθ ώ. ι, έ ι ύ ή φ ί ή ι ύ, ι ί ί ι ι ιί ιθ ή ί ύ έ ι, ή ώ ι έ ι ι έ ι ύ ί. ί ί ι ι ί ι έ, θ ί ι ί, έ ύ ή ύ high-speed ι ύ ή ι ύ Ult a-low-power). ι ιώ β ι MOSFET ί ι ι ί ι ύ ι θύ. Έ ι ι ι ιύ ι MOSFETs ι ή φ ί (ZVT, Native MOSFET) ί έ ή ι ύ [5]. O VT Ze o Th eshold Voltage MOSFET ή ι ή φ ί ί ι ι ί ι ι ι ι έ ί, φ ί β ί ι ύ έ. ί ι ιύ ι ι φέ ή ή ι ι ι ύ ή ι ή ι θι έ ί. Native MOSFET φ ί έ ί ι ή ι θ ί ύ ή ί ι ί / ύ ύ. Native MOSFET ι % ι ή φ ί, ί ι ή ώ ι ι ύ ι ι έ. ι ή φ ί ί ι ι ύ ι ή ι ή DS = A ι VDS=. V ύ ί ι VGS=0. ί ύ ι ι θύ ι MOSFET θώ ή ι ύ ι ιφέ ι fi ed ί ι ύ ί ι έ. ι ή ύ ί ιώ ι ι ι ί IDS ι ι ώ ί VBS=-0.4 V, ι έ ί ί ι ώ ι Tu ed off. Native MOSFET ιώ ή ίφ ί ή ι έ, ώ ί ί ι έ GND ή V+. Α ι ι ί ι ιώ ι ί ή ή ι ι ι ύ ί ι ι ι, ι ιί ι ώ ι ι ί ι ή ι ί. έ Native MOSFET, έ ι ύ ι ί ί ώ ι ί ι ι ή φ ί [5].
12 ή.6: ID vs. VDS ι standard, ή φ ί ι Native ί (W/L=3 m/0.4 m) [6] ί φ ί έ, ι ι ι β ή ύ ύ ι ή. ι ί ί φ ί ί ι ι ύ θώ ι θ ι doping) ί ί ι ή ί ι έ ι έ ί. Έ Native MOSFET έ ι έ ι doping έ ι ώ β ι ή ι φή ί ι ι έ ι ή φ ί. Native MOSFET ι ι standard MOSFET ι έ ί ι ή ή. ιφ ι βή θ ί ι. Native MOSFET ί ι ήθ n- ύ. ή.7: ι ι ι ι standard (W/L=0.84 m/0.1 m), ή ((W/L=0.84 m/0.1 m) ι Native (W/L=3 m/0.4 m) MOSFET ί [6] φ ί
13 ή. ι ι ι ύ ι ύ standard (VTH=300mV), ή φ ί (VTH=45mV) ι ι ή φ ί Native) (VTH=5mV) MOSFET ι nm CMOS ί. ι ι ι ή ύ, ιφ ύ VDS ί ι ι ύ ί ι έ Native ί ί ι έ MOSFET [6]. ή., ι ί ι ύ ι ι ι ι ι ι ι ι ί ί ι ή έ ι ύ ι [ ]. ή φί ι έ Native MOSFET ι φ ί. V ι ί ι ύ ι ή.
14 3. MOSFET 3.1 'Ό φέ θ ι ι, θ β ί ι ι ί ι ί ι έ ι ι ι ι ύ ή MOSFET. Α έ ι ι ι ύ φ ί ή ι ι θ ύ ι ιθύ. ι ί ι, θ β θ ί ι έ ι ή ί ι έ ι ύ ώ θ βι Signal to Noise Ratio-SNR) θ ί ι ύ ι ι ώ. ι θ β ί ι έ ι, ι ι ή, ί ι ι ι ή ί β φθ ί ι ή ι ή ι ι ύ ι έ ί ι έ. ι ί ί, θ β ι ι έ ι ι ι ώ ί θ ί ι ή ιφ. έ ι έ ύ ή ί ι ι ώ έ ύ β έ βι έ ι ι θ ύβ έ ι ύ θώ ι ι ή ύ Power Spectral Density-PSD). έ ι ύ θ ύβ ί ι ί : T 1 P v lim t dt T T 0 (3.1) χ(t) ί ι έ ι ή, θ β ί ι Pv φ ι V ί ι W ι ι θύ ι ι ί. ι φ ί φέ ι έ φ ί ί ύ ι ί ιι ώ Pv ί φ ί. ί, φ θ ύβ PSD) ι ι ί ι ι ι ί έ ι ύ ή φέ ι θ. Έ ύ ι ί PSD, ί ι ι ιώ Fast Fourier Transform (FFT) ι ύ ή : S f lim T Ό S(f) ί ι PSD θ ύβ X( f ) (3.) T ι X(f) ί ι FFT. ή 3.1: ι ύ ύ ί ί
15 ή. ι ί ι ι ύ ι ί θ ι ύ φι έ ι έ ι 3. ύ ι ί. Α ή ι ί ι θ β ύ ι ύ ι έ β ι ώ ι. MOSFET ί, ι βι έ έ θ ύβ έ MOS ί ι ι. ώ, θ ι θ β ι ι, φ ί ί ι. θ β β ή ύ MOSFET φέ ι ί. θ β ώ ή ί ι ί ι έ ι ή ί ι ί ί θ ι ι LF θ β ιύ ι, έ ί PSDs ή.. LF θ β ί ι flicker (1/f) θ β ι, ι ι ι ι ι, θ β ι ί/ ύ (RTS). θ ι ι LF θ β ύ φ ι ύ θ β ύ φ ή θ β θ β φ ύ θ β ι φί ι ή.. ή. : PSD θ ύβ ή. : ή θ ύβ φ ύ ή έ MOSFET [3] ύ ι ι ύ ή[ ] ή θ ύβ ύ φ
16 έ φ ί ι: ι ι ί ι ι ή PSD θ ύβ SVG 3..1 ύ θ ύβ S ID g m ι ι (3.3) θ β ι ί ι ή. έ ι ι θ ι θ β ή θ β Nyquist ή θ β Johnson. ι ί ι ί έ ι θ ι ή ί ί φ έ φ ί. MOSFET ί φ ί θ ι θ β ι ί ι ώ ί ι ύ φ έ. ι ή έ έ ι θ ί ι θ ι θ β MOSFET [1-]. φι ύ ιύ έ ί θ ι θ β φι ύ ύ, φι ι φ ή ιύ ι φι θέ φ έ. PSD θ ι ύ θ ύβ ι ί ί ι : SVG 4kTR V / Hz Ό k ί ι Ohm. θ (3.4) θ Boltzmann (J/K), T ί ι θ ί ι R ί ι ι θ β MOSFET ί ι ί ή: S ID,THERMAL 4kT L Qinv A / Hz Ό Qinv ί ι ι φ ί ι φή ι. ι ι ι ή PSD θ ι ύ θ ύβ ί ί ι έ ι ι ή MOSFET, ί ι : SID,THERMAL 4kT gms A / Hz ι ή ί (3.5) έ ι ι ι ι ή ι ι (3.6) Ό ί ι ί / θ ή ι / ι ή ι φή [7]. θ ι θ β ι ι φ ι " " ί ι ι ί ι. ι ι ί ύ έ ι -RF), έ ι ή ύ θ ι ύ θ ύβ ύ ί ί ί ι ί - ι ύ θ ύβ Non Quasi Static-NQS) ή ιώ θ ύβ ί ι ύ Induced Gate Noise). ι έ ί θ ι ύ θ ύβ ί ι ώ. 3.. θ β β ή ί ι ί ή θ ύβ MOSFET έ ι ύ ι ή ύ (Gate Leakage Current-IG). ι, ί ι ι ύ ι έ ι ι pn φή ι ί ι ι ύ ύ ι ί ι ι ή φύ ί ι ι. ι ή ί ι IG ι ί ι :
17 SID, SHOT qig A / Hz 3..3 / (3.7) (RTS) θ β ι ί/ ύ ί ι ι ι ί ί, φ ί ι ύ ι ι έ ι θ ώ ι ί ι MOSFET (trapping/detrapping effect). Ό ί ι ίθ Drift) ι ι Diffusion) ύ ι βι έ ι ί ι ί ι ί ι ύ έ ύθ φ έ. Ά ι ί φέ ι ι ί ώ φ έ ώ φέ ι trapping/detrapping φι ι ι ι. θ β ώ ή MOSFET ί ι έ έ ι ί φ ί. ι ί ή, ι ι ί ι MOS ί ιέ ι ι έ έ ι defects) ι ί ι ύ ι ί. ώ ί.έ ύθ φ ί ί ι ί ι φι θ ί ι ι ι ι ι έ ι φθ ί ί. ι ι, ι ί ιφ ι ύ ι έ quasi-fermi ί EF) ιφ ι, ί φ ί ώ ι ί ιφ ι ύ ι έ quasi-fermi ί, θ ύ ι ι. ι ί ιφ ι ύ ι έ ι k 'o EF ί ι ι ίι ί. Α έ έ ιθ ί έ ι ύθ φ ί ι έ ι έ ί ι. ή ύθ φ ί έ ι ι ι βί ι ι ί θ ι ή έ ι ι ύ έ. Α ί ι ι trapping/detrapping ί ι ι ι ι ι ι. θ έ ι ί ι έ ι ή ί ι ι ιθ ι ι ι φ έ ι έ ύ ιύ ί ι ί ι, ί ί ι ί θ ύβ ι ί/ ύ [8]. θ έ ι ι ή ι ί trapping/detrapping ί Random Telegraph Signal (RTS) θ β ί ί φ ι έ Lorentzian PSD ί [1], [3], [9-10]. ή.,έ ύθ ι ι ύ ι, ι ί ι. ή. :Έ ι ι ύ ι ί ι MOSFET
18 3..4 Flicker (1/f) Ό έ ι φ θ ί, flicker θ β έ ι έ PSD ι φ ι ί ι ι ι θ β /f. ι ύ ι ι έ ι ή fc. ι ί ί ι ι ύ fc ύ CMOS ί, flicker θ β ί β ι ι φ β ύ ύ ί, ί ι ι ιί ι. ή., έ PSD φ ή θ ύβ ύ Native MOSFET ι ι. " θ ή" /f ιφ ί θ ί ι έ έ ι έ ι έ ύ ή. ή ι ί ι ι ί θ ι ύ θ ύβ ι ι ι έ θή ί ι ι /f θ ύβ ώ ι ι ή ί ι ύ φ ι ί ι. ί ι ι ι ί ώ ι PSD flicker θ ύβ ί ι ι AF 1/f θέ AF ί ι ύ. ι. [7]. ή. : SID θ β ι έ Native MOSFET (VD=1.V) ι VG=0.14V W/L=5 m/ m, ι ή ύ βι ί ι ι ί LF θ ύβ ί ι ί. Α ι φι ι ύ ιθ ύ φ έ Carrier Number Fluctuation- effect ί έ ι /f θ β RTS θ β. Α ί ι ύ ι ί ι LF θ ύβ ι θ θύ ι ι ίι ή έ. ύ φι ί ι ι ι έ θή ι ί ί ι φι ι ύ ι ι Hooge ί ι ύ ι ύ ή ι φή ι φι ι ύ ι ι ώ ι ί ι ί ύ ι ή ι φή. ί ι ι έ ί ι ί φ ύή flicker θ ύβ ί ι [11]: SVG, FLICKER Kf OX C WLf AF V / Hz (3.8)
19 Kf ί ι έ ή flicker θ ύβ, ί έ ι θ ί ι β ι -9 ι έ ι Kf ί ι -33 C /cm [7] C/cm, ι AF ί ι θέ ι ι ι ή ί 1/f. ι έ ω MOSFET φι ι ύ ιθ ύ φ έ, θ McWhorter [8], έ ι θ β ι ί/ ύ φέ θ ι ι ί ι ί trapping/detrapping φ ί ή ί β ί ι ι φή ι ί. ύ φ ι βι έ έ ύθ ι, θ ι ί trapping/detrapping ί ί ί έ RTS ί ί ή ι έ Lorentzian φ [1], [9]. ι ϋ θέ ι, έ θ έ ι φ ί ι ί /f θ ύβ θ ι ί. ή. : RTS θ β ί ι trapping/detrapping θ ί ι ή ί β ί ιφ ι ι ύ ί β θ έ ι ί ί ι έ θ ί ι έ ι ί φ ί c ι έ ι ι ι θ θ ί e ί ι : 1 1 c ι θ ί, ύ ι ή ι ή ι ύ θ ή ι έ ή ι ή. ι ύ ι ί ι θ ι trapping 1 ύ ί ι έ ι ι φί ι ή ί ι. ι.. (3.9) e ύ ύ θ έ ι έ RTS ύ ιθ έ ι, έ φέ ι έ c ι e ι ι ύ ή., έ Lorentzian φ ί ι έ ι φ ύ ι ή ιφ ι ιθ ί ί ι ύ ί θ ί. βι ι ι έ ι
20 φ ί ι έ θ Α ι φ ι έ Lorentzian φ ί ι : fc ι S ID, FLICKER /f ιφ A f 1 fc A / Hz βι ή ή θ ύβ ι ί/ ύ θ ί ι ί ι ι ί Fermi (EF) ι c= e ι ί ι ι ιθ ι ί ή φ θ ί έ ι ί ι έ ι. ί ί ί θ ί ύ. ώ, ι έ έ ι ι ί ι ι έ ι ι ι β ή ιθ ί ί θ ι ί ι ι φ ι έ ι ι. Α ί ι ι Coulomb Scattering φι ι ι ι φ έ ι ί ι ύ ι έ φι φ φι ι β έ ι θ β ύ ί ι θ. Α ι ύ ι θ ύ β φι. ή. : Lorentzian fc. ί (3.10) ι ί ι ί ί ι έ ι RTS ι ί ι ι ί ι ι φ έ ι ύ, β ι θέ ί ι ι ύ [3]. ί., ι Coulomb Scattering
21 ή. : έ θ Lorentzians ί ι /f ώ Lorentzian φ ι ύ ι ί, ύ ιφ /f ι ί. ι ι ι ύ ι ώ ι, βι ή ή ι ί θ β ί ι ι trapping/detrapping, ή /f ι ί ι? ί ι ι έ θ ώ ι ώ θ έ Lorentzians, ή ι έ /f φ φί ι ή.. ι έ ι ώ θ έ Lorentzians, ή θ ώ έ ι ί ί ι ι ή ι έ έ φ ή. ι θ ί έ, έ ι θ έ έ ι ύ ι έ ι έθ. O McWhorter έ ι ι ι ή ι ή ή ί ιφ ι θ έ ι ή θ ώ ι ί θύ, θ ώ /f φ [8]. ί ή flicker θ ύβ MOSFET ί ι ί ί β ί ι ύ ι ή ιφ ι nm) [1]. Α ώ ί ί ι ι ή AF=1 ί ί ι ι έ ι ι ή ί /f. ιθέ Lorentzian φ έ ι θέ θ ή ί, AF β ι. Α AF<1, ί ιώ ι βθύ ί ι ώ AF>1, ι. Α έ θ ι ί έ ι ή /f θ ύβ ί ι ιθέι βιβ ι φί. φ, έ ή φ ι έ /f θ ύβ βι έ φ ί ι ί ή ί ι φ ι έ ι ή ι β θ ύβ ιώ ι ί ι ι ή [ ]. ίι ύ ι ι ή, ι ιή έ ι έ ι ι έ ι ή θ ύβ, unified carrier number fluctuation with correlated mobility fluctuation model [1-14] ί ι β ι φι ι Coulomb Scattering φι ή ι ι ι έ ι φ ί ι φή ί ι ι έ. βι ή ί ι φ ι έ ι ή θ ύβ ύ ή ιι έ ύ ή ί ι:
22 g S ID SVfb m ID ID c ί ι ί ι [14]: ID 1 c Cox gm ή Coulomb Scattering VsC-1. SVfb ktq NT CoxWLf φ ι ή (3.11) flat-band, SVfb (3.1) ί ι ι ή ί ι έ ί Fermi cm-3ev-1, f ί ι, kt ί ι θ ι ή έ ι, q ί ι φ ί ί ι ί ι tunneling attenuation ~. nm MOSFET). H ί ιφ ι cm- ί ι ή: Nt NT kt (3.13) έ έ ι ή θ ύβ, ι NT ι c ι ιύ ι ι. ι έ ι έ ι NT ί ι cm ev ί ώ c ί ιύ ι VsC-1 ι NMOS ί ι 5 VsC-1 ι PMOS. Ό θ ύ ι NT ί ι ί έ ι ι φή ι ι ί ώ έ ι c ι ι ή ι φή /f ι φή ι ι ή β LF θ ύβ ί θ θ ί ί ι ή έ ι ή έ MOSFET. θ ύβ ί β ι ι ύ ιφ ι ώ ι έ έ, ι ύ ιφ ι ώ θ ώ ι ί ι έ ι έ ί. Ό έ ι θ ί, ι ί έ CMOS ιώ έ ι ή ι ί ι ι θώ ι ι ί έ ι ι φή. ι MOSFET, ι ι ι θ ύβ έ ι ιφ ι ώ ίθ ύ ι ι WL>>1 m), β ί ι ι ι ή [3], [1516]. ι έ ι ώ έ ι ι ή β LF θ ύβ ί ί ιφ ι ί [16-18]. Ό φέ, έ ι ύ ι, ή έ βι έ φ ί ι β θ ύβ ιήθ [ ] ίι ή ί ι β LF θ ύβ Native MOSFET, έ ι ι έ θ ι ι θ ί έ ι β /f θ ύβ ι ι ύ ί [15]. Ό φέ θ ι ι, βι ή ί ι ιύ ι έ ι ή LF θ ύβ, ί ι. ι βι έ ι ί ι ι NT ι c. ύ ι ι ι ή ιφ ώ έ θ θ ί ι ι ι ι ή ιφ θ ύβ. ύ ιέ έ ί ι [ ], [16-0] έ ι ύ έ NT ι β θ ύβ έ ι ι ι ι ι. θ ιθ ί ιύ ι :
23 Ntr NtWL ι ί θ ί ι Poison ή [ ι ή ί έ ι ή : N t (3.14) -0] ι έ ι ι ή ι ιύ ι 1 NtWL (3.15) ύ ί. ι ί ι ύθ ι ύ β θ ύβ ι ί., β ύ ί ι ιθ ί ιθ c [1]. ί ώ ι β θ ύβ, φ ι ι έ β ή φ ι έ ίθ LF θ ύβ ι ί ιθ ι ή ή ιέ ι ή ι LF θ ύβ. ίι ή ί, θ ι ιή ι ι έ ι β ίθ θ ύβ ί έ ι ί ι θ ί ι ι ί ι ή ί ή [15]: ln WL S ID.f I D A g mu T B ID WL Α= / t ιφ ι ι =c Qspec ι έ ι Qspec ί ι ι ι έ φ ί [3], []. ι ί gmut/id ι ι ί β θ ύβ ι ι. ι ι Α ι έ ι ι φ ι έ έ ι ι θύ ι ι ι fitting parameters). ί ί ι ί ι ι ί ι ι ιύ ι ι έ [ -18], [0]. (3.16) ί ι ι ι ι έ ώ θ ή ι φή ι NT ι c ι ύ. ί gmut/id
24 ι ί ιφ ήθ ήθ ίι ή ι ι ή nm CMOS ι ί wafer). ι ώ ι. θ ή έ LF θ β ι ω ι ή, ή ι LF θ ύβ ί. ήθ Native MOSFETs ί ι ιήθ ι ι ι έ, ι ι W/L= ι ι ή ι φή θή ή ι ύ : ιήθ ή ι ι ί ι έ ί ι ή n- ύ, ιώ m/ m, m/1 m, 0. m/0.18 m ύ VD=1.V). ι θ ί W/L= m/ m VG=-0.18, -0.1, 0.0, 0.08, 0.14, 0.36, 0.56 V W/L= m/1 m VG=-0.16, -0.08, 0.0, 0.1, 0.16, 0.34, 0.58 V W/L=0. m/0.18 m VG=-0.8, -0., -0.1, -0.0, 0.04, 0.8, 0.46 V ι έ θ ι ι έ ι έ έ ι ώ ί έ ί ί ι ί ύ ι θ ί ι ι ύ. ι ιφ έ ι έ ύ ύ ι ι ι ί (W/L=0. m/0.18 m) φ ί ι ιφ ι ή φ ί ή ι φι έ ύ ι ύ ιύ. ι ι έ θ έ ι έ ι φή έ ι ώ θ ί ιφ θ ύβ ι β ώ έ ι ιφ ι ή ιφ ι ι έ ι έ ιβθ ι scaling) θ ύβ. ι θ ι έ ί ι θ ι έ, ί ήθ wafer (Dies) ι ή ι ι ή ι ώ ύ ή ήθ ή έ Hz. έ έ ι φ θ ί, ι ι θ έ ι ί ί ί ήθ ι ι βι έ ι ι έ ι ύ έ ι ώ ιβ βι θ ί ι θ ί ή ι ή DC) ιφ ι. ι ή θ ι, θ θέ ώ ύ ή ι ιήθ ή ι. Α ί ι ή : ι Cascade Microtech Probe Station Standford Research SR570 Low Noise Amplifier Agilent Dynamic Signal Analyzer HP 414A Parameter Analyzer Low Pass Filter (1 Hz) USB to GPIB Interface ή ι ί ι ί ιήθ ι ιώ έ Cascade Microtech probe station Microchamber, ι ί ώθ έ βθ ύ φί Hz) έ HP 414B ι ή. θ β ύ ή ι ύθ έ Standford Research SR570 ι ή ύ θ ύβ ι ήθ έ Agilent Α ή. ή., ύ ή θ ύβ ί ι ι ι ώ ή. ί ι ώ φ φί, ώ ι ι ι ι έ ι. Ό ύ ι ι ήθ ι ί AdMOS. ι ι ι ιήθ ι ί ι ή ι ή Agilent ICCAP
25 έ ι έ GUI AdMOS ι ήθ. ι έ ι ή ι ή. : ι ι ή. : έ ι ή ή ή LF θ ύβ ή ιήθ ι LF θ ύβ [3] ι ι ι έ ι [3]
26 έ ύ ι ι ύ, ί ί ύ ή ι ύ - IV) ι έ ι ι έ ι έ ί ί ϋ θ έ ι φθ ί IV setups, ύ ί ι ή ι LF θ ύβ. Έ ι ι ι έ θ ύβ ι ι ή., θ β Native MOSFET W/L=5 m/ m ί ι ι ιφ ι έ ι ύ θή ύ. ή. : έ θ β SID (VD=1. V) ι ιφ ι έ ι ύ ή. : ι ι ί ι έ Native MOSFET W=5 m, L= m VG=-0.18, -0.1, 0.0, 0.08, 0.14, 0.38, 0.56 V) ή /f θ ύβ Hz ί ι ι φ θ ί ώ ι LF θ ύβ ή ύ ι ιφ ι. ι θ ί, ι έ ι ί ι φ. ύ έ ι ί ι " ύ " LF θ ι ί ι έ ι ι ι ή ι ι έ έ έ ι ώ ί ι ή ιβώ Hz. Α ί βί ι ι ί β Hz ι έ ή ι ι ί
27 θ ί ι ύ φ ή ι ι ή φ ί 4. φή θ ύβ ί ι ι ι ή.. ί ι ι ή θ φ. Ό ι φί ι ι ή. ύ ή έ /f ιφ - ή ιφ ι ι ύ ι ι ί ι έ ι θ ί ί ι φή, ι έ ι έθ ι ί έ ι. ή, θ ι ύ φή ύ ή D ι ι ι gm ύ VG ι ι ή ι ή (VD=0.05 V) ι ι (VD=1. V). ύ ι ι ι ι ιθ ι ι θ ί ύ ιφ ι ή ι θ ή ι φή ί ι. Έ ι ι ί ι ι ι ύ gm/ D ι ιώ ι ι φ έ ι ή ι β LF θ ύβ ιώ ι.,., φή ή.,.,. θέ ι ι ι έ θ ι ή U θώ ίέ ι θ ί θ β. Ό ι ι έ ι ι ι ή, ύ ι έ έ ί ι θ ί ι ι ί ι ιύ ι. ή. : έ ID, gm, gmut/id ι έ Native MOSFET W/L=5 m/ m
28 ή.6: έ ID, gm, gmut/id ι έ Native MOSFET W/L= m/1 m
29 ή.7: 4.3 1/f έ ID, gm, gmut/id ι έ Native MOSFET W/L=0. m/0.18 m χ (SID PSDs) ή ίθ ι φ ι ή ι θ ύβ έ. ι ι έ, θύ ή.,.,. θ έ ι ι ί ι ι ιφ ι ή ί. 'Έ ι ή. ι ι ί ί W/L= m/ m, ή. ι ι ί ί W/L= m/ m ι ή. ι ι ί ί W/L=. m/. m. θ ή φ φή ι ι ύ ι ή ι θ ί ι φ ιφ ι έ ι ύ ώ θ έ ι φ φί ι ι ή ι ι ί. ί ύ ι φθ ί ί ι ι θ ύβ ι ί ι ι φή ή ί ι φή έ. ί ύ ι ί ι ι ι ι ί ί ιφ ι ί ι ι ι ή.
30 ή. : ι ή Native MOSFET W/L= / ι ύ θ ύβ ή ύ ή SID, VD=1.V ι VG=-0.18, -0.1, 0.0, 0.08, 0.14, 0.38, 0.56 V, ι
31
32 ή. : ι ή Native MOSFET W/L= / ι ύ θ ύβ ή ύ ή SID, VD=1.V ι VG=-0.16, -0.08, 0.0, 0.1, 0.16, 0.4, 0.58 V, ι
33 ή.10: ι ή ι ύ θ ύβ ή ύ ή SID Native MOSFET W/L=0. /0.18, VD=1.V ι VG=-0.8, -0., -0.1, -0.0, 0.04, 0.8, 0.46 V 4.4, ι ω ή, έ θ ι ύ. ιφ έ ι ι έ θ ύβ ι ι έ ιφ ι ύ ή ID/(W/L)) ι ιφ ι θ ί. Ό ύθ ι ή., θ φ ύ ι έ ί θ ύβ Hz ι ι ι ί ι ί θ ί. Ό φ έ ι ή θ ύβ, ιθ ι έ ί ι ί ι θ ί ι θ έ ί ιφ ι ί ιθ ι ή ή LF θ ύβ [ ]. Ό φ ι ή ι, ί ι ίθ ι ι θ φ, ίθ ί., ι ιύ φ ι ιθ ln ί ι log. έ θ ί ι Variance LF θ ύβ ί ί ί ι ι ή ι ι ιθ ι ή ή ί ι ί βι ή έ ή ή [ ]:
34 S Var WL ID. f ID S ln WL ID. f ln 1 I D S E WL ID. f ID (4.1) Ό φί ι ι έ, LF θ β ι ι ι ι έ φή ήθ. Έ ι φ ή, ι ι ί ι ιφ ι ι ύ ή Hz (WLSIDf/ID ) ώ φ ύ, ι ι ί ι ι ιφ ι WLSVGf). ι ιή ιφ ι ί ι ήθ θέ ί ί ιφ ι έ ι ι ί ώ φ θ ί ι, ί ι ι φ ι έ ι ή. θ ί, ι θ θέ έ θ ί ι φ ι ί. ι ι ι έ ί. έ θ ί έ έ ι θ ι. έ ι, θ ι ύ έ ι ι ί ιφ ι ί έ ι ιή ι έ ι έ έ ι ώ ί ι ί ι. έ, θ ι ύ ί ι Native MOSFET ι ιύ ι ή ι ή Standard MOSFET ί ι ί [ ] ι ήι θ θύ Native MOSFET - W/L=5 m/m Α ι θ ι ύ έ ύ ί ι ιήθ ή ι ή W/L=5 m/ m. έ ι ή LF θ ύβ ι έ ί ί ι o ή ή. ι ι έ ύ ή (ID/(W/L)). ι ι έ LF θ β ή SIDf, LF θ β ή ι ι έ ύ SIDf/ID ι LF θ β ύ (SVGf) ι ι Hz. θ ί έ ι έ ίθ ι. ί ι θ ι ι ι έ ι ί ι LF θ ύβ, ι έ ύ ι έ ι ι ή ί θ ή ι φή ί ι ί φι ι ύ ι ι Hooge) ί ύ ι ώ έ. ί ι ι ιώ ι SIDf/ID θ β θ ι ί ι θ ή ι φή ι ιώ ι ι ή ιβ βιώ ι έ gm/id φί ι ι έ. ί β έ SVGf θ β, ι ί ί Coulomb Scattering (c=0), έ ι θ ι. ύ Coulomb Scattering ί ι ύ ι ή ι φή ί ι έ ι έ ί.
35 ή. 1: έ ι ή LF θ β ή SIDf, ι ι έ SIDf//ID ι ύ SVGf, φ Hz, ι ι W/L=5 /, VD=1.V ι VG=-0.18, -0.1, 0.0, 0.08, 0.14, 0.38, 0.56 V έ ύ ή ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET ή. : ι ή ι φ ι ύ ίθ ι ι έ LF θ β ή [ln(wlsidf//id )] ι ύ [ln(wlsvgf)], φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=5 /, VD=1.V ι VG=-0.18, -0.1, 0.0, 0.08, 0.14, 0.38, 0.56 V
36 ή., ίθ ι φή ι ι έ ί ι ίθ ι ι έ θ ύβ ή ι ύ, [ln(wlsidf/id)], [ln(wlsvgf)] ί W/L=5 m/ m ι ι έ ύ ή. Α ι ύ ι ι ι ι ι ύ ι έ ί ι ιφέ. ι θ ύβ φί ι θ ώ ή ι ι έ ι ή ι ι έ θ ύβ ί ή.. ή. θ ί, ίθ ι φή Variances ι ι έ θ ύβ ή ι ύ, Var(WLSIDf/ID), Var(WLSVGf) ί W/L=5 m/ m ι ι έ ύ ή ί ι ί.. ή. : Variances ι ι έ LF θ β ή Var(WLSIDf//ID ) ι ύ Var(WLSVGf), φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=5 /, VD=1.V ι VG=-0.18, -0.1, 0.0, 0.08, 0.14, 0.38, 0.56 V ή. 4: έ ι ή ι ι έ LF θ β ή WLSIDf//ID ι Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=5 / 0.0, 0.08, 0.14, 0.38, 0.56 V Α φ ή. β,. β έ β ύ WLSVGf, φ, VD=1.V ι VG=-0.18, -0.1, ι ι ι έ έ ι ι ι ι έ θ ύβ. ή. ι ι ι ή ι
37 ι ύ ι ι ή έ έ ιφ έ ι ή ι ι ή ι ίθ ί W/L=5 m/ m ι ί ί ι ύ ι ί ί ι ύ ή ι ύ ι έ ι ± ι έ ί ι φ ι ύ ι β θ ύβ. ί ι έ ι ή ι ι έ LF θ ύβ ή ι ι ι έ ύ ή. θ ί, ι ιθ ι έ έ θ ύβ ώ ι ι ι ί ι ± ι έ ί ι έ. Α ί ι έ ώ ι ι έ ι ι ι έ. ίθ ι ί ι έ ι ι ύ έ. Parameter Units W/L=5ηm/ηm NT ev-1cm AC VsC A ηm 1 B ί 4.1: ι Native MOSFET W/L=5 m/ m 4.4. Native MOSFET - W/L= m/1 m ή θ ι ύ έ ί W/L= m/1 m. έ ι ή LF θ ύβ ι έ ί ί ι o ή ή. 5 ι ι έ ύ ή ID/(W/L)). ι ι έ LF θ β ή SIDf, LF θ β ή ι ι έ ύ SIDf/ID ι LF θ β ύ (SVGf) ι ι Hz. Ό ι ί ι W/L= 5 m/ m ι ι, έ ι έ ίθ ι ώ φί ι θ ι ι ι έ ι ί ι LF θ ύβ, ι έ ύ ι έ. ί ι ι ιώ ι SIDf/ID θ β θ ι ί ι θ ή ι φή ι ιώ ι ι ή ιβ βιώ ι έ gm/id φί ι ι έ. ί β έ SVGf θ β ι ί ί Coulomb Scattering (c=0), έ ι θ ι. ύ Coulomb Scattering ί ι ύ ι ή ι φή ί ι έ ι έ ί.
38 ή. 5: έ ι ή LF θ β ή SIDf, ι ι έ ύ ή SIDf//ID ι ύ SVGf, φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L= /, VD=1.V ι VG=-0.16, -0.08, 0.0, 0.1, 0.16, 0.4, 0.58 V ή. 6: ι ή ι φ ι ύ ίθ ι ι έ LF θ β ή [ln(wlsidf//id )] ι ύ [ln(wlsvgf)], φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L= /, VD=1.V ι VG=-0.16, -0.08, 0.0, 0.1, 0.16, 0.4, 0.58 V
39 ή. 6, ίθ ι φή ι ι έ ί ι ίθ ι ι έ θ ύβ ή ι ύ, [ln(wlsidf/id)], [ln(wlsvgf)] ί W/L= m/1 m ι ι έ ύ ή. Α ι ύ ι ι ι ι ι ύ ι έ ί ι ιφέ. ι θ ύβ φί ι θ ώ ή ι ι έ ι ή ι ι έ θ ύβ ί ή. 5 ι ί W/L= m/ m. ή 4.17 θ ί, ίθ ι φή Variances ι ι έ θ ύβ ή ι ύ, Var(WLSIDf/ID ), Var(WLSVGf ί W/L= m/1 m ι ι έ ύ ή ί ι ί.. ή. 7: Variances ι ι έ LF θ β ή Var(WLSIDf//ID ) ι ύ Var(WLSVGf), φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L= /, VD=1.V ι VG=-0.16, -0.08, 0.0, 0.1, 0.16, 0.4, 0.58 V ή. 8: έ ι ή ι ι έ LF θ β ή WLSIDf//ID ι Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L= 0.08, 0.0, 0.1, 0.16, 0.4, 0.58 V Α φ ή. 6, 4.17 β έ β β ύ / WLSVGf, φ, VD=1.V ι VG=-0.16, - ι ι ι έ έ ι ι ι ι έ θ ύβ. ή. 8 ι ι ι ή ι
40 ιφ ι ι ή ύ ίθ ι έ ι ή ι ίθ ί W/L= m/1 ί ι έ ι β θ ύβ ι ι έ LF θ ύβ m ι ι έ έ φ ι ύ. ί ι έ ι ή ή ι ύ ή. ι ι ι ύ έ. Parameter Units W/L=ηm/1ηm NT ev-1cm AC VsC A ηm B ί 4.: ι Native MOSFET W/L= m/1 m Native MOSFET - W/L=0. m/0.18 m ή θ ι ύ έ ί W/L=0. m/0.18 m. έ ι ή LF θ ύβ ι έ ί ί ι o ή ή. 9 ι ι έ ύ ή ID/(W/L)). ι ι έ LF θ β ή SIDf, LF θ β ή ι ι έ ύ SIDf/ID ι LF θ β ύ (SVGf) ι ι Hz. Ό ι ί ύ ύ ί ι ι, έ ι έ ίθ ι ώ φί ι θ ι ι ι έ ι ί ι LF θ ύβ, ι έ ύ ι έ. ί ι ι ιώ ι SIDf/ID θ β θ ι ί ι θ ή ι φή ι ιώ ι ι ή ιβ βιώ ι έ gm/id φί ι ι έ. ί β έ SVGf θ β ι ί ί Coulomb Scattering (c=0), έ ι θ ι. ύ Coulomb Scattering ί ι ύ ι ή ι φή ί ι έ ι έ ί.
41 ή. 9: έ ι ή LF θ β ή SIDf, ι ι έ ύ ή SIDf//ID ι ύ SVGf, φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=0. /0.18, VD=1.V ι VG=-0.8, -0., -0.1, -0.0, 0.04, 0.8, 0.46 V ή.0: ι ή ι φ ι ύ ίθ ι ι έ LF θ β ή [ln(wlsidf//id )] ι ύ [ln(wlsvgf)], φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=0. /0.18, VD=1.V ι VG=-0.8, -0., -0.1, -0.0, 0.04, 0.8, 0.46 V ή ι W/L=0. φί ι θ ύβ ή ι W/L=0. ί.0, ίθ ι έ θ ύβ m/0.18 m ι έ ί ι θ ώ ι ή. ή ι έ θ ύβ m/0.18 m.. ι φή ι ι έ ί ι ίθ ή ι ύ, [ln(wlsidf/id )], [ln(wlsvgf)] ί ι ι έ ύ ή. Α ι ύ ι ι ι ι ι ύ ιφέ. ι θ ύβ ή ι ι έ ι ή ι ι έ ί ή. ι ύ ί ύ ι.1 θ ί, ίθ ι φή Variances ή ι ύ, Var(WLSIDf/ID), Var(WLSVGf ί ι ι έ ύ ή ί ι
42 ή.1: Variances ι ι έ LF θ β ή Var(WLSIDf//ID ) ι φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=0. ι VG=-0.8, -0., -0.1, -0.0, 0.04, 0.8, 0.46 V ύ Var(WLSVGf), /0.18, VD=1.V ή.: έ ι ή ι ι έ LF θ β ή WLSIDf//ID ι ύ WLSVGf, φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=0. /0.18, VD=1.V ι VG=-0.8, 0., -0.1, -0.0, 0.04, 0.8, 0.46 V Α ή.0, 4.1 β έ ι ι ι έ έ ι ι ι ι έ φ β β θ ύβ. ή. ι ι ι ή ι ιφ έ ι ή ι β θ ύβ. ί ι έ ι ή ι ι ή ι ίθ ι ι έ LF θ ύβ ή ι ύ ί W/L=0. m/0.18 m ι ι έ ύ ή. ίθ ι ί ι έ έ φ ι ύ ι ι ι ύ έ.
43 Parameter Units W/L=0.ηm/0.18ηm NT ev-1cm AC VsC A ηm B ί 4.3: ι Native MOSFET W/L=0. m/0.18 m Α ή ι ι ι έ έ έ ι ι ί.,.,. ύ ή. ι ι φ ι ύ έ NT ι C ί ι ι ι ί ί ί ι ι scaling έ ι ή θ ύβ ιφ ι ιφέ ι ι ί ί ~ /WL. Ό φ ι ι έ, ύ ι ι ι έ έ Α, ί ι ι ύ ύ ί ιφέ ι ι. Α ί ι ι scaling ι LF θ ύβ θ ί / WL ύ ι ι ι ύ ι ι ι έ ιφ ι [ ] Native MOSFETs ή.3: έ ι ή ι ι έ LF θ β φ Hz, ι ι έ W/L= /1, W/L=0. /0.18, VD=1.V ω ή ύ ID/(W/L), WLSIDf//ID ι ύ WLSVGf, ι Native MOSFET W/L=5 /, ή, θή έ έ ι ή ι β LF θ ύβ ι ιώ ι έ ι ι ί Native MOSFETs ι ιύ ι ή ι ή. ί έ ί ι ιβή ι ή ι ύ έ έ ι ί ι ί ι ι ι έ ί ι έ ύ ι έ θώ έ ύ ι ι ι ι scaling ί ι ί ι ι θ ί ι ι ιώ ι ί ί έ. Α ι θ ί έ ι ή LF θ ύβ ύ ι ή ί ι ί ι
44 , ι έ ή ί ι ί ί ί ι φ, έ ι ι ιφ ι WL έ ι ώ ί ί φύ LF θ β ί ι ι φ ιφ ι. έ ι ή., ί WLSIDf/ID ), E(WLSVGf) ι ι έ ύ ID/(W/L), ι ή έ ι ιύ ι ι ί ι ι έ έ ι ι ι ώ ι. Α ύ ή ί ι ι ι ι ί (W/L=0. m/0.18 m) έ ι ι θ β, ι ιί ι ή ι φή. ί ι ί φί ι ι ι ιί Coulomb Scattering φι. ιί θ β ύ,β έ ι ι ή ι φή ύ ύ ί ι ι ι ή ύ ί ι έ ώ ι έ ι θ. ι έ έ, ιφ ύ ύ Carrier Number Fluctuation έ ι ι ι ι, ί ι ι ι ι ή. ή. : ι ή ι φ ι ύ ίθ ι ι έ LF θ β WL[ln(WLSIDf//ID )] ι ύ WL [ln(wlsvgf)], φ Hz, ι ι ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=5 /, W/L= /1, W/L=0. /0.18, VD=1.V ή έ ύ ή. 4, ίθ ι φή ι ι έ ί ι ίθ ι ι έ θ ύβ ή ι ύ, WL[ln(WLSIDf/ID )], WL[ln(WLSVGf)] ι ι έ ύ ή. ή ί, έ ι έ ι ι ύ έ θ ύβ ι ήθ ι ι ι ι ι ι. Ώ ι ι ιί ι ύ ί, ι ή ι ίθ LF θ ύβ έ ι ι ιφ ι φ ι ή ί ιφ ι WL [15-18]. ι ή., έ ι ιή ι θ β ύ ι ή ή. ί ι ι ι ι, ι ή ι ί ι ι ί έ ι ι θ ύβ. έβι ί ι ι ί, scaling ι ή ι ίθ ύ LF θ ύβ ί ι ιβώ / WL [3], [16]. έ ί ι ι ί ι ι ιί έ ύ ί ι θ ί ιφ ι ι ι ί ι. ι ί β έ ι ή ί ι ι ιί ι ή. ή. θ ί, ίθ ι φή Variances ι ι έ θ ύβ ή ι ι έ ύ ή. ι ύ, WLVar(WLSIDf/ID ), WLVar(WLSVGf ι ί ιφ ι WL β ι ώ ι ί ι Variance LF θ ύβ ιφέ ι
45 ή.5: Variances ι ι έ LF θ β ή WLVar(WLSVGf), φ Hz, ι ι έ W/L=5 /, W/L= /1, W/L=0. /0.18, VD=1.V WLVar(WLSIDf//ID ) ι ύ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET ι φ WL ι έ ι ή θ ύβ. ί έ ύ ι έ ι ι ι έ LF θ ύβ. Ό φ Variances ι, ύ ι ι ιφ έ ι ή LF θ ύβ ή.. έ ι ιί θ β ή ώ ι ι ί ι ι ι Variance ι ί ιφ ι. έ, ή.,.,. ι ι ι ή ι ιφ έ ι ή ι β θ ύβ ι ι ί ί. Α ή ί ι ή ι ι ί ή.,.,. ώ ι ι ί ι έ ι έ ι έ έ ι ή ι β LF θ ύβ. ή. : έ ι ή ι ι έ LF θ β ή WLSIDf//ID ι Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=5 / 0.0, 0.08, 0.14, 0.38, 0.56 V ύ WLSVGf, φ, VD=1.V ι VG=-0.18, -0.1,
46 ή. : έ ι ή ι ι έ LF θ β ή WLSIDf//ID φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET ι VG=-0.16, -0.08, 0.0, 0.1, 0.16, 0.4, 0.58 V ι W/L= ύ / WLSVGf,, VD=1.V ή. : έ ι ή ι ι έ LF θ β ή WLSIDf//ID ι ύ WLSVGf, φ Hz, ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native MOSFET W/L=0. /0.18, VD=1.V ι VG=-0.8, -0., -0.1, -0.0, 0.04, 0.8, 0.46 V ίθ ι ι ί ι έ έ φ ι ύ ι ι ι ύ έ ι ι ι ι ιφ ι έ Native MOSFET ι ι θώ ι ι ι έ ι έ ί.,.,.. Ό φ φ ι έ, NT = ev-1cm-3) ί ι έ ι ώ έ θ ί ι θ ί (W/L=5 m/ m = ev cm ), (W/L= m/1 m =.3.10 ev cm ), (W/L=0. m/0.18 m = ev-1cm-3), ώ C ί ι ί ι ι ι έ ι ύ ύ ί C=8.10 VsC-1). Α ι ι ι βέβι ι ή ή C=7.10 VsC-1). ι ι έ NT ί ι ι ι έ ύ βιβ ι φί ι Standard MOSFETs ώ ίθ ι ι έ c ί ι ί ι ι Native MOSFETs έ ύ ι έ Coulomb Scattering φι έ έ Standard MOSFETs.
47 Parameter Units All W/L W/L=5ηm/ηm W/L=ηm/1ηm W/L=0.ηm/0.18ηm NT ev-1cm AC VsC A ηm B ί 4.4: ι Ό φ ι ι έ ι ι ι ί ι ί ύ ι ή έ (W/L=5 m/ m - =. (W/L=. m/. m.. έ έ θ ύβ, ί W/L=5 m/ ι ή ι ι = ί ι ι ι, (W/L= m/ m - =. =.. Native Standard MOSFETs ω Native MOSFET Α ί ι ι ή Α=. m) ή m - Α= m), (W/L= m/ m - Α=. m) ι ί ί W/L=. m/. m - Α=. m). Α ίθ ι έ έ ι ι ύ ί ι ή ί ι ι ί ω ω Έ ί ύ ι βή ή, ί ι ύ ι ι LF θ β Native MOSFETs έ ι Standard MOSFETs ί ι ί ι φ ι φ [ ]. ι ή έ βιβ ι φι έ έ φέ ι LF θ β Native ι,έ ι ύ ιφέ ύ ιφέ ι έ standard ί. ή ι ύ ι φ ι ι έ έ φι ή ι ι θ ί θ ή ι ι φ ή. Ό φ ιφ έ ι ή ι β LF θ ύβ, θ ι θύ ύ ί W/L= m/ m θώ ή ί ί ι ι ή Native MOSFETs ή ι ή ι Standard MOSFETs ύ ι φ [ ]. ί έ ι ι, ί ι ι ιί έ ί ύ ι. ή. θ ί, ι φ, ίθ ι έ ι ή ι ι έ ύ ή LF θ ύβ ή ι ι έ ιφ ι ύ ή ID/(W/L), φ z ι Standard ι ι Native MOSFET W/L=5 m/ m. Α ί ι ι φ, ίθ ι ι ή ι ίθ ι ι έ ύ ή LF θ ύβ ή ι ι έ ιφ ι ύ ή ID/(W/L), φ z ι Standard ι ι Native MOSFET W/L=5 m/ m. Έ ι ί φέ ώ ι φ ι ή ι LF θ ύβ Standard ί, ή φ φ [ ] ι ιθ log. ι ύ ί ι έ ί ι Native
48 ί έ ι ι ί φ ι ιθ ln, έ ι ί ι ί ι έ log ln. ί ι θ ί ι ι θ ί ι έ ι ι ύ έ θ ύβ ι Standard ί [ ] Native ( ί.. ή. : έ ι ή ι ι έ LF θ β ή WLSIDf//ID ι ι φ ι ύ ίθ ι ι έ LF θ β ή [ln(wlsidf//id )], φ ι ι έ ύ ID/(W/L), ι Native ι Standard MOSFET W/L=5 /, VD=1.V ι ή ι Hz, έ ύ ι ί ι ύ ι. έ ι ι, φ έ ι ή, Standard ι Native MOSFET ί ι ι, ι ι ιφ. ι ή ι φή, Standard ί φί ι έ ύ έ ι ή θ ύβ Coulomb Scattering φι έ. Ό φ β LF θ ύβ, β έ ι Native ί έ ι ύ ύ ιφ ι ή ι ι θ ύβ ι ί ι φή. Α ί ι έ ύ ι έ Native MOSFETs ι ύ ι ι ώ φ ίι ή ι ι ή. Ό φ ιφ β LF θ ύβ ιφ ι, ή. β θ ι β ι ήι. ι φ ι ι ι ή ι ίθ ι ι έ ύ ή LF θ ύβ ή ιφ ι / WL, φ z ι Native MOSFETs. ίθ ι έ ι έ θ ι έ ί.. έ ιφ β θ ύβ ιφ ι ι ί ιφ ι ί ι ι έ ύ ι ύ ί ι ι ύ β ι ι ί ώ ι ύ ύ έ ι θ ή ι θ ιφ ι ί. ί ι ύ θύ ι ι Standard MOSFETs, φί ι, ι φ ή. ι φ [ ]. ί, ί ι θ ώ ι ι ί ιφ ι ώ θ ώ ύ Native ι Standard MOSFETs φί ι ή., ι ή ι LF θ ύβ ί ι ι Native έ Standard MOSFET. ι ί ι έ ι ι ύ έ ι LF θ β ι Native ι Standard MOSFET, έ ι ώ ι ή ι θ ύβ ί log ί ι φ [ ], ln. Α ύ ι ι ι έ ί ι Α, φ [ ] έ ί., έ ι ι ι. φύ logx=lnx/.3. Έ ι ύ ι ι ι Standard MOSFET, A=0.5 ι B=.5. ύ ι ι ιφ
49 έ ι ι ι Native MOSFET ί ι ί ή έ ι ι Standard MOSFET. B ί ι ή έ ι ύ ί ι ι ή. β έ Standard ί έ ι ύ β θ ύβ ί ι Native. Α ίθ ι W/L=0. m/0.18 m, ι ί Α, ιφ ί ι έ ή.. ι ή W/L=5 m/ m ι ί φί ι ι ή. : ι ή ι φ ι ύ ίθ ι ι έ LF θ β [ln(wlsidf//id )], φ Hz, ι ι έ ιφ ι / WL, ι Native ( ι Standard MOSFET ι, VD=1.V ή ι
50 5. ίι ή ι ι ή, ι ή θ ύβ ώ ή Native MOSFET n- ύ ι ι ι ή nm ί, ιήθ ι ώ φ. LF θ β ι ιφ ι έ ι ι W/L=5 m/ m, m/ m,. m/. m φ έ ι ή ι ι ι ή ι. έ ή έ ι ί ύ, θ ή ι ή ι φή θή ύ. έ ι ιήθ ι ι έ ι ή LF θ ύβ, ί ι έ έ ι β ι φι ι ύ ιθ ύ φ έ ί ι έ ι ύ ι ι ί έ ι ι ι έ. Ό φ ι θ ύβ, έ φ ι ι έ έ ι θ ί, ι ιήθ ί έ ι β LF θ ύβ ι ι έ ι ι ύ gmut/id). Ό φ ι ι ή ιφ LF θ ύβ ιφ ι ί, έ θ ί ι φ έ ύ β ι ι ή ί ιφ ι ι ί ι βιβ ι φί. έ θ ιέ ι ι ί ι ι ι ι ή LF θ ύβ, ί ι ι ή ι ίθ ι ι έ θ ύβ ί ί ι φ ι ι ι ι έ ι ή ι ή ι. ι ιθ ι ή ή LF θ ύβ, ί ι ι ί ι θ ύβ. έ ί ι ι ι έ ι ιί ι ιύ ιφ ι έ ι θ ί ι ί έ ι, έ ί ι ι ι ι. ι έ ι φ ι. ή φ έ ι ή θ ύβ, ιφ ί ι θώ ι ι έ ύ, θ β ή φί ι ι ι ί ι θ ή ι φή ώ ιώ ι ι ί ι φή. ώ ή έ ι ι ι ύ ι φι Coulomb Scattering ί ι έ ί ώ ι θ ί ή. έβι, Native ί ί ιθ, φι ή ι ιί έ. Ό φ έ έ ι ή LF θ ύβ ιφ ι, β έ ι ι ύ ι ι φ ιύ ι έ έ. ι ί, LF θ β ι ι θ ί ιφ ι, φί ι έ ι ί ί θ ύβ. έ έ ι ή LF θ ύβ έ θ ί ί ι έ ι θ ί ί έ ι. Α ύ ί ι ι φι Coulomb Scattering ί ι ί ι ι ι ί ί ώ ιθ ί ι φι ι ύ ιθ ύ φ έ, ί ι ύ ι ί ί ύ ύ ί ι ί ι ι ί,, έ ι έ ί ι έ. έ, ι ύ ι Native MOSFET ι Standard MOSFET ι ί ι ι ι W/L=5 m/ m φ έ ι ή LF θ ύβ, ύ ι ή ί ι ι φ ί ι ί ι φή ι ί ι έ ύ ι έ ι ή. Ό φ β LF θ ύβ, ύ ί ύ ήι. ή, ύ ι ι LF θ ύβ ί θ ί ι ι ύ ι έ ι ή θ ύβ. Ό φ έ ιφ ι, ι θ ύβ φί ι ι ι ί ι
51 ι ι ί ί ι ι ιί ι ή. ή έ β ι ι ιύ ι έ ι θ ί, ύ ύ ι ι ι έ έ ί ι ι ύ ύ ί ώ ι έ ι ιφ έ. Ό ι ιή έ ι έ, έ ί ι ι ι ί ι. έ, ι ύ ι Native MOSFET ι Standard MOSFET ι ί ι ι ι W/L=5 m/ m φ β LF θ ύβ, ύ ι Native MOSFET ιφέ ι ύ ύ έ ι β ι ί ι ί ι φή. Α ί ι ι ύ ι θώ ί ι έ ί ι έ έ Native ί ι έ Standard MOSFET ι ί, ι έ ι ι φέ.
52 References A. v. d. Ziel, "Noise in Solid State Devices and Circuits," John Wiley, Y. Tsividis, "Operation and Modeling of the MOS Transistor," New York: Mc-Graw-Hill, nd ed N. Mavredakis, "Statistical Charge-Based Modeling of 1/f Noise in Standard and High-Voltage MOS Transistors," PhD Thesis, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, 016. C. C. Enz, F. Krummenacher, and E. A. Vitoz, "An Analytical MOS transistor Model Valid in all Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications," Analog Integr. Circ. Signal process. J. Low-Voltage and LowPower Des., vol 8, pp , July , " ι ί ι Zero-VT MOS ί," ι ι ή ί, ή ι ώ & ι ώ ι ώ, ί ή,. C. C. Santos Junior, D. Deotti, R. M. da Ponte, M. B. Machado, M. C. Schneider, "Zero-Threshold-Voltage MOSFETs: A Survey," Student Forum of Microelectronics, 01. D. M. Binkley, "Tradeoffs and Optimization in Analog CMOS Design," John Wiley 008. A. L. McWorther, "1/f Noise and Germanium Surface properties," Semiconductor Surface Physics, S. Machlup, "Noise in Semiconductors: Spectrum of a Two-Parameter random Signal," Journal of Applied Physics, vol. 5, pp , March M. J. Uren, D. J. Day and M. J. Kirton, "1/f and Random telegraph Noise in Silicon metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistors," Applied Physics Letters, vol. 47, pp , J. Chang, A. A. Abidi, and Y. R. Viswanathan, "Flicker Noise in CMOS Transistors from Subthreshold to Strong Inversion at Various Temperatures," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 41, no. 11, pp , G. Reimbold, "Modified 1/f Trapping Noise Theory and Experiments in MOS Transistors Biased from Weak to Strong Inversion-Influence on Interface States," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 31, no. 9, pp , K. K. Hu g, P. K. Ko, C. Hu, Y. C. Che g, A U ified Model fo the Fli ke Noise i Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffe t T a sisto s, IEEE T a s. Ele t o De i es, ol., o., pp. -665, Mar G. Ghibaudo, O. Roux, C. Nguyen-Duc, F. Balestra, J. Brini, "Improved analysis of low frequency noise in field-effect MOS transistors," Phys. Stat. Sol. (a) vol. 14, no., pp , N. Mavredakis, P. Habas, A. Acovic, R. Meyer, and M. Bucher, "variability of Low Frequency Noise in Moderate-Sized MOSFETs-A Model for the Area-and Gate Voltage-Dependence", IEEE Noise and Fluctuations (ICNF), 015 International Conference. M. Banaszeski da Silva, H. Tuinhout, A. Zegers-van Duijhoven, G. I. Wi th a d A. S holte, A Ph si al-based RTN Va ia ilit Model fo MOSFETs, IDEM -848, IEEE, 014. D. Lopez, S. Hae dle, C. Le is, G. Bidal, a d G. Ghi audo, Lo F e ue Noise I estigatio a d Noise Va ia ilit Analysis in High-k/Metal Gate 3-nm CMOS T a sisto s, IEEE T a sa tio s o Ele t o De i es, ol., o., pp , 011. E. G. Ioa idis, S. Hae dle, C. G. Theodo ou, S. Lasse e, C. A. Di it iadis, a d G. Ghi audo, E olutio of Lo Frequency Noise and Noise Variability through CMOS Bulk Te h olog Nodes f o. u do to, Solid State Electronics, vol. 95, pp. 8 31, May 014 G. Ghibaudo, O. Roux-dit-Buisso, Lo -frequency fluctuations in scaled-down silicon CMOS devices status and t e ds, Eu op. Solid-State Device Res. Conf., pp , G. I. Wi th, J. Koh, R. Sil a, R. The es, R. B ede lo, Modeli g of statisti al lo -frequency noise of deep submicron MOSFETs, IEEE T a s. Ele t o De., ol., o., pp , Jul M. Ertürk, T. Xia, W. F. Clark, Gate Voltage Depe de e of MOSFET /f Noise Statisti s, IEEE Ele t o De i e Lett., ol. 8, no. 9, pp , Sept C. C. E z, E. A. Vittoz, Cha ge- ased MOS T a sisto Modeli g, Joh Wile a d So s, Chi heste,.
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Διαβάστε περισσότεραAspects of High-Frequency Modelling with EKV3
ESSCIRC/ESSDERC Workshops, MOS-AK Meeting Edinburgh, September 15-19, 2008 Aspects of High-Frequency Modelling with EKV3 Matthias Bucher, Maria-Anna Chalkiadaki Technical University of Crete (TUC), Chania,
Διαβάστε περισσότεραΑ Π Ι
έ Ά θ ύ ι ι Α ά ή ι ι ή ι ί ι ιά ι ό. ί ι ι ή ι Αι ί, ί -4-2016 Σ πυ χ ίω υ ί π, π υ υ π π υέ ί 2 3 ι ά ι έθ ι ή ι ί ώ ι ύ η ά Ι ω ω ω ω ω Ι ώ ώ ώ ώ ώ ώ Α Π Χ Α Χ. χ. ω. Πηγέ: ώ Α, ά ά. ί Α Π 2000 2007
Διαβάστε περισσότεραΙ ΣΟΡΙΚΗΝΑΝΑ ΡΟΜΗ ΚΑΣΑ Κ ΤΗ Π ΙΡΑΜΑ
Ι ΣΟΡΙΚΗΝΑΝΑ ΡΟΜΗ ΚΑΣΑ Κ ΤΗ Π ΙΡΑΜΑ ΜΕ Η Η Η... 015 Η Ω ώ c= f έ κ Ε Μ ώ Ε.Κ..Ε Κ 6610-47655 ekfe1@otenet.gr έ ηη η χύ η φω ε έ Ι Η Η Η ί ή φέ ι ί ι ι ή ι έ ί ύ ή έ ύ φ. Η ι θύ ι θ έ θ ι ή ύθ ή ί ή θ έ
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΩ Α Ο Ω - Α (2.000..-148.. Ο Ο Ω ΑΪ Α Ο Α Ο Α (148..-313.. Ο Ο Α Ο Α Ο Α (313-1430) Ο Ο Ο Ω Α Α Ο (1430-1912) Ω Α Ο (1912)
σ ι ή Α Ω (2.000..-148. Ο Ο Α έ ι / ισ ι έ Ο Ω - Α Ο ί ι Α.) Ω ΑΪ Α Ο Α Ο Α (148..-313.. Α Α Ο Ο Α Ο Ο Ο Ω Α Ω Α Ο Α Ο Α (313-1430) ΑΟ (1430-1912) Α Ο (1912) Α Ω Α Ο Ω - Α.. Ο Α Α...-148 ιί ή ι ί ώ ισ
Διαβάστε περισσότεραΚ ΤΠ ΠΑΣΡΑ. 4ο Γ Λ ΠΑΣΡΑ ΑΓΩΓΗ ΣΑ ΙΟ ΡΟΜΙΑ ESCAPE. χοζδεό έτος 2014-15
Κ ΤΠ ΠΑΣΡΑ 4 Γ Λ ΠΑΣΡΑ ΑΓΩΓΗ ΣΑ ΙΟ ΡΟΜΙΑ Ε π Κπ υ ό Π όγ ESCAPE ή γ ω ό υ 1 χζδεό έτ 2014-15 1 Σ : Σ Ά Χ ΛΙ ΝΚΟ Ν ΝΝ ΩΡΟΤΝΚΩΝ Σ ΝΣΙΝ ΓΚ Μ Ρ ΝΜ ΡΘ ΓΚΟΛΦΙΝΟΠΟΤΛΟΤΝΜ ΡΙ Θ Ο ΩΡΙ ΟΤΝΓ ΩΡΓΙ Κ Ρ ΓΙ ΝΝ ΝΚ ΛΛΟΠ
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET Recommended Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (4 th Chapter) Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi ( nd Chapter)
Διαβάστε περισσότεραHY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων
HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων «Ηλεκτρικός Θόρυβος» Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Στατιστικά Χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://www.csd.uoc.gr/~hy330 1 Περιεχόμενα Συσκευές στο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδος Θετική, αρνητική
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα
Διαβάστε περισσότεραΘεωρία Τρανζίστορ MOS
2 η Θεµατική Ενότητα : Θεωρία Τρανζίστορ MOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Θεωρία Τρανζίστορ MOS Ένα τρανζίστορ MOS ορίζεται ως στοιχείο φορέων πλειονότητας (majority - carrier device) του οποίου το
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 1 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 1 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραΟ Ο Ο Ω Ω Ω Α Ο Α Α. : Ο :
Α Α Ο Ο Ο Ο Α Ο Α ΑΑ Ο Η Ο Ο Η ΑΗ Ο Α Ο Ο Ο Α Ο Ο Α Ο Ω Ω Ω Α Α Α Α Α Ο Α Ο Ο Α : 38936 Ο : 2014 Ο Η Α Α Ο Α ι ι φ ή ή θ ήθ ι ή θ ι έ ι ι ό ύ ι βήθ ι ι ό ό ι ή θ ήθ ύ ι ώ ι ι ό ι ι ή θ έ ι ι θ ι ή ι ό
Διαβάστε περισσότερα(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)
(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης) The MOS Transistor Polysilicon Aluminum N MOS Τρανζίστορ ρ Διάταξη τριών ακροδεκτών Πηγή (Source) Καταβόθρα (Drain) Πύλη (Gate) Κατασκευαστικά η Πηγή και η Καταβόθρα είναι όμοιες
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 5: Το CMOS transistor και κυκλώµατα CMOS ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Περίληψη q Κυκλώµατα
Διαβάστε περισσότεραΛίγα Λόγια για ο μήμα Α ομα ισμού
Ε ι ίκ ση σ ο ο ισ ό ω ής κι η σιώ σ ο ΕΙ ΕΙ Ι.. Λίγ Λόγι γι ο μήμ ομ ισμού ο ή ι ώ ο ισ ού.. έ ι ς οσ ο ή ί σ ιού ισ έ ά ισ σ ο σι ό ι ί ο ο ο άο έ ο. ο ύ ισ ο ή ι ό ι ώ ώσ ού ι έ ο. ι ύ ι ο ς φοι ές
Διαβάστε περισσότερααι Microsoft Office Excel 2010.
& &, ήθ ι ή ιβ έ θ ή ι ι ι ύ έ ι, θ ή ι θ ή ς, θ ήθ ι ή ς ι θ ές ι ύι ι ς ς θ ές έ ι βήθ ι θ ι ή ς, ή ς, ι ι ι β ι ι έ ι β ι,, : φ β β ς, ές ύ ύ ύ ι, ιθ ι ι φ ύ ύ ι ώ ς, ι ι ι, θώς ς ι ές ές, ς ύ ύ ς ι
Διαβάστε περισσότεραΑνάπτυξη οξειδίου του πυριτίου σε αντιδραστήρα πλάσματος και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός του
ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΔΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ανάπτυξη
Διαβάστε περισσότερα2
>? LC? >? CMOS?, >> > > >> - >> ebrahimi_emyahoo.com, nasehum.ac.ir ? > ()? LC? >? > .> > CMOS? > >? >.> >??? > >? > > > >? >. >> >? 0/5 E? >.>> > >?? >.> > > > >>> >.>??.?
Διαβάστε περισσότεραΘΜΘΙΞ KAI ΙΑΟΞ ΘΡ ΠΘΑΙΞ ΟΑΜ ΟΘΡ ΗΛΘΞ ΑΘΗΜΩΜ ΘΑ ΠΘΙΗ ΡΧΞΚΗ Α ΟΠΞΟΑΘ Σ ΘΙΗ ΟΑΘΞΚΞΓΘΙΗ ΙΚΘΜΘΙΗ ΙΑΘ Θ ΘΙΗ ΜΞΡΞΚΞΓΘΑ γευβυντϋλ: ΙαβαγατΫλ ΟΪτκολ Ο.
ΘΜΘΙΞ KAI ΙΑΟΞ ΘΡ ΠΘΑΙΞ ΟΑΜ ΟΘΡ ΗΛΘΞ ΑΘΗΜΩΜ ΘΑ ΠΘΙΗ ΡΧΞΚΗ Α ΟΠΞΟΑΘ Σ ΘΙΗ ΟΑΘΞΚΞΓΘΙΗ ΙΚΘΜΘΙΗ ΙΑΘ Θ ΘΙΗ ΜΞΡΞΚΞΓΘΑ γευβυντϋλ: ΙβγτΫλ ΟΪτκολ Ο. ΡφδΩδλ Αθ ής ώ ι ο ο ο ί Π ο ί ι ι ού ο ά ίβ Σ ί T ιόφοι I Κο
Διαβάστε περισσότεραDesign and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating
U Kamphaengsean Acad. J. Vol. 7, No. 2, 2009, Pages 48-60 ก 7 2 2552 ก ก กก ก Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating 1* Geerapong Srivichai 1* ABSTRACT The purpose
Διαβάστε περισσότερα1. Α Η Η Α Ω Α Α Α Η Α TE Ω Α Ω Α Ω Ω Ω Α Ω.. ο ια ό Ω Α Η Α 244102 Α Η Ω 1 ο Α Η Α Η Α Α Α Η Η σ ί σ ο οι ισ ι ές ο ά ς α ο έ ο αι σ ια ι ά έ ο αθή α ος.. ια έ ις, ασ ια ές Ασ ήσ ις.. Α οι ισ ι ές ο ά
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.2: Συνδυαστική Λογική - Σύνθετες Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΕ Π Ι Μ Ε Λ Η Τ Η Ρ Ι Ο Κ Υ Κ Λ Α Δ Ω Ν
Ε ρ μ ο ύ π ο λ η, 0 9 Μ α ρ τ ί ο υ 2 0 1 2 Π ρ ο ς : Π ε ρ ιφ ε ρ ε ι ά ρ χ η Ν ο τ ίο υ Α ιγ α ί ο υ Α ρ ι θ. Π ρ ω τ. 3 4 2 2 κ. Ι ω ά ν ν η Μ α χ α ι ρ ί δ η F a x : 2 1 0 4 1 0 4 4 4 3 2, 2 2 8 1
Διαβάστε περισσότεραήσ ς Creative Commons.
π ά π υ Μά ά Τ υ 2 Α ά Ν ύ Π Τεχ γ Επ ω Ά ι ς ό ι ι ό ι ό ήσ ς Creative Commons ήσης ό ι ι σ ά ι ς ι ι ι ό ι ό, ό ς ι ό ς, ό ι ι σ ά ύ ά ις ήσ ς, ά ι ήσ ς φέ ι ώς 2 η ό ηση ό ι ι ι ό ι όέ ι θ ίσ ι ύ έ
Διαβάστε περισσότερα~+425.. Ωφ.ό ος ~34 hm3 hm3 α ά έ ος
ι ι ι ι ί ύ ίχ, Χ ί ί Ο ι, ι ι ό χ ι ό ι ι ό χ ι ό ό ι ι φύ σ θή 1 Ο ι ί σ σ ό ι σή ύ ι 2 φύ ιβ ι ι φσ σ ώ φ ι σσ ί ι ή ΧΟ ι ό ι όφ σ θ ι ή ι ί θ θύ ι ό σ ή σ σ σ σ - ί σ ό σ ώ ι σσ ί ι ι ή ι ισ βί σι
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Ε.ΔΙ.Π. Μηχανικών Δρ. Αθανάσιος Παραγωγής Ψωμούλης και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 2 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε
Διαβάστε περισσότεραΛειτουργία και ανάλυση των Zero-VT MOS Τρανζίστορ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ. Τµήµα Ηλεκτρονικών Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών. ιπλωµατική εργασία
ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ Τµήµα Ηλεκτρονικών Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Λειτουργία και ανάλυση των Zero-VT MOS Τρανζίστορ ιπλωµατική εργασία Καργάκης Γιώργος ΧΑΝΙΑ 2010 ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ Τµήµα Ηλεκτρονικών
Διαβάστε περισσότεραΑ Α Α Α Α Α 1) Α Α Α Α Α Α 3) Α Α Α Α Α Α Α ο οθ σία -> > ό ος ύ α -> Ύ α η α α αίο φα αίο 4) α ασ άσ ις οβά ω ο οθέ ηση α ασ άσ ω
1 ΕΙΣΓΩΓΗ Η οβ ο οφί σ η Κύ ο ο ί ό χιο ω χ ό ω έ ό ο ς ιο ση ι ούς ο ς ης η ο οφίςτ όβ ού η β σ ηση, ις βοσ ές ι ό ό οι οϊό ω ω ι ώ ι ιώ Πέ ό ό ό ως έχ ι ή ης σχό ηση σ 3000 ί ο οι ο έ ι ς ο έχο 325000
Διαβάστε περισσότερα15SYMV
ι ύθ σ : Οι ο ο ι ού ή α : ο θ ιώ Α ιθ. βάσ ως :07/2015 Α Η Ο Α Ω ια ο ήθ ια οι ού ασ ια ού ο ισ ού ια ις α ά ς ο ια ώ ο α ά σ ο ώ ο α ισ ίο ι αιώς. ό ος α ά ισ ς ς σύ βασ ς : 27 α ο α ίο 2015 ό ος : ο
Διαβάστε περισσότερα15SYMV Α ιθ. βάσ ως : 09/2015
Α Η Ο Α Ω ι ύθ ση: Οι ο ο ι ού ή α : ο ηθ ιώ Α ιθ. βάσ ως : 09/2015 ια ο ήθ ια οι ού ασ ια ού ο ισ ού ια ις α ά ς ο ια ώ ο α ά σ ο ώ ο α ισ ίο ι αιώς. ό ος α ά ισης ης σύ βασης : 27 α ο α ίο 2015 ό ος
Διαβάστε περισσότερα15SYMV
η η ο ατ α Νο ττ ο η ο α ου αγ η Ταχ. Δ/ ση: ωφ. ω / ου α α α ή 18 Ταχ. α : 166 73, Βο α ο α: 28-1-2015 A. Π ωτ.: 3258 Α Α Η : 5.416.68..Α. 23% : 1.245.84 Ο Ο : 6.662.52 Ω Η Ο Α : «Ο Η Α Ω Α Ο Η Α Α Ο
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραMetal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet
Φ SERIES Metal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet Features Wide operating voltage (V ma ) range from 8V to 0V Fast responding to transient over-voltage Large absorbing transient energy capability Low clamping
Διαβάστε περισσότερα3 7,5. Η ERASMUS αθησια ά Αποτε έσ ατα
Α Α Α Η Α (1) Α Η οι ι ώ ισ ώ Η Α οι ιο ο ίας Ω α ια ό Π ό α α ο ώ Ω Α Η Α 183-58-13 Α Η Ω 2 ο Α Η Α Α Α Α Η Η σ ί σ ο οι ισ ι ές ο ά ς α ο έ ο αι σ ια ι ά έ ο αθή α ος.. ια έ ις, ασ ια ές Ασ ήσ ις.. Α
Διαβάστε περισσότερα0.635mm Pitch Board to Board Docking Connector. Lead-Free Compliance
.635mm Pitch Board to Board Docking Connector Lead-Free Compliance MINIDOCK SERIES MINIDOCK SERIES Features Specifications Application.635mm Pitch Connector protected by Diecasted Zinc Alloy Metal Shell
Διαβάστε περισσότεραElectrical Specifications at T AMB =25 C DC VOLTS (V) MAXIMUM POWER (dbm) DYNAMIC RANGE IP3 (dbm) (db) Output (1 db Comp.) at 2 f U. Typ.
Surface Mount Monolithic Amplifiers High Directivity, 50Ω, 0.5 to 5.9 GHz Features 3V & 5V operation micro-miniature size.1"x.1" no external biasing circuit required internal DC blocking at RF input &
Διαβάστε περισσότεραIXBH42N170 IXBT42N170
High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25
Διαβάστε περισσότερα1745 P. v. Musschenbroek 1752. Franklin Α 1785 Coulomb. ό ος Coulomb 1800 A. Volta. 1 1820 H. C. Oersted. 1820 Α.. Ampere. 1827 G. S.
Η ο :Η ι ά ο ί ισ ς ύ ος Κο ο ί ς ο ή ο ι ή ή Η ο ι ώ ο οί Η οι οί σ φι βσι ά ο ι ά 2 ι Η ο Η ι ι ι ίο ισ ς 3 Η ο ισ ς Κ σσι ς. έ ι 900.Χ. «οσ ς» ο ι σί ι άς Ασί 600.Χ. ής ύ ιβής 1000 ; ήσ ά ύ ισ ι ι ισ
Διαβάστε περισσότεραSMD Transient Voltage Suppressors
SMD Transient Suppressors Feature Full range from 0 to 22 series. form 4 to 60V RMS ; 5.5 to 85Vdc High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Fast response time
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)
Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν
Διαβάστε περισσότεραPRELIMINARY DATA SHEET. C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
PRELIMINARY DATA SHEET FEATURES C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET LOW NOISE FIGURE & HIGH ASSOCIATED GAIN: NF =.9 db TYP, GA = 1 db TYP at f = 1 GHz 6 PIN SUPER MINIMOLD PACKAGE GATE
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραΟ Ι ΙΑ ο Ο Ο ης Α Α Ι ΑΙΩ ΙΧΑ Α Α «αι ο ο ία και η ιο γική ιχει η α ικό η α»
Ο Ι ΙΑ ο Ο Ο ης Α Α Ι ΑΙΩ ΙΧΑ Α Α σ ο Α Α Ο Η Η Ο Α Η Ω Α Α Η Η Η Η Ω Η Α Ο Ο Η Η Α Ω Α Ω 29.09.2014 «αι ο ο ία και η ιο γική ιχει η α ικό η α» Ό ς ί, οι ο ο ία ο αίο ιάσ α έ ι ά ι σοβα ά βή α α σ αθ ο
Διαβάστε περισσότερα13PROC Α /
Α Α Α / : Α: 13PROC001709766 2013-11-11 Α Α.. 20135639/04 11 2013 Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α Α 1 Α Α : Α: α αο ή & ίο 80 18534, ι αιάς.: 210 2104142239 Fax: 210 4142469 Email: procurements@unipi.gr
Διαβάστε περισσότερα13PROC
Η Α Η Η 13PROC001728266 2013-11-20 Η Α Α Α Α Α Η Α Η Α Η Η ύ ς ι ή φο ί ς:. ά ι ή, 12-11-2013. : Α.. 223 α : 22510 23466 E mail publibmyt@lesvos.aegean.gr Α Η ό ι ο ιο ο ι ού ια ισ ού Α Α όσια ι ή ιβ ιοθή
Διαβάστε περισσότεραΣΥ ΒΑΣΗ Α ΟΧΗΣ Υ Η ΕΣΙΩ 14SYMV
ΣΥ ΒΑΣΗ Α ΟΧΗΣ Υ Η ΕΣΙΩ Αθή α, σή α 1 β ίο 2014, έ α έ α, α ύ αφ ός ς α ά ς ιοι ι ής Α ής ία «ι ο ή ο ίας αι έ ο αι ί....», ο ύ ι σ Αθή α, Α α ώ 17 αι α ία α ο ο ά ο,.. 104 38, αι οσ ί αι ό ι α α ό ο ό
Διαβάστε περισσότερα15PROC
Digitally signed by Η INFORMATICS Η DEVELOPMEN T AGENCY Ω ΑΪ Α «CIP-pilot Location: Athensactions» DEVELOPMENT AGENCY Date: 2015.01.15 16:21:12 EET Reason: Α Η Α Α Η Α Η Ω Α Η Η Η Α Ω Ω Ω Ω ΑΪ Η Ω Η Ω
Διαβάστε περισσότεραοµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα
Διαβάστε περισσότεραThermistor (NTC /PTC)
ISO/TS16949 ISO 9001 ISO14001 2015 Thermistor (NTC /PTC) GNTC (Chip in Glass Thermistor) SMD NTC Thermistor SMD PTC Thermistor Radial type Thermistor Bare Chip Thermistor (Gold & silver Electrode) 9B-51L,
Διαβάστε περισσότερα«Π ς το οιητι ά, ς το ια ιστο ία:
ΜΑ: «Πα ή ιος Μαθη ι ός ια ω ισ ός η ιο ι ής αφής ης ι ής α α ίας σό η ας ω Φύ ω...φ. αι ο ο ίο Παι ίας, Έ ας αι ησ ά ω Π.Π.. «Π ς το οιητι ά, ς το ια ιστο ία: έχ ι φύ ο η α ιά;» Η ι ή α α ία σό ας ύ....
Διαβάστε περισσότεραMULTILAYER CHIP VARISTOR JMV S & E Series: (SMD Surge Protection)
INTRODUCTION Metal Oxide based chip varistors (JMVs) are used for transient suppression. JMVs have non-linear - behavior, which is similar to that of Zener Diode. Each grain in JMV exhibits small p-n junction
Διαβάστε περισσότερα«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Διαβάστε περισσότεραΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ. ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Περίοδος Σεπτεμβρίου 2011
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Περίοδος Σεπτεμβρίου Διδάσκοντες: Κ. Ευσταθίου Γρ. Καλύβας Τετάρτη 6// ΘΕΜΑ Ο () Στο
Διαβάστε περισσότεραTable of Contents. Preface... xi
Preface... xi Chapter 1. Introduction to Semiconductor Photodetectors.... 1 Franck OMNES 1.1. Brief overview of semiconductor materials... 1 1.2. Photodetection with semiconductors: basic phenomena...
Διαβάστε περισσότεραFourier transform, STFT 5. Continuous wavelet transform, CWT STFT STFT STFT STFT [1] CWT CWT CWT STFT [2 5] CWT STFT STFT CWT CWT. Griffin [8] CWT CWT
1,a) 1,2,b) Continuous wavelet transform, CWT CWT CWT CWT CWT 100 1. Continuous wavelet transform, CWT [1] CWT CWT CWT [2 5] CWT CWT CWT CWT CWT Irino [6] CWT CWT CWT CWT CWT 1, 7-3-1, 113-0033 2 NTT,
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότερα15SYMV
Α Η ια ο έ ο «ύ βο ος οσ ή ι ς ιφ ια ού ιασ ού ια οι ι ή σ ά σ ο ά σ ιφέ ια ι ής α ο ίας» (Κω ι ός : 2012 00880179, Κω ι ός Ο...: 390445 : «ύ βο οι χ ι ής οσ ή ι ης ιφέ ιας Κ ι ής Μα ο ίας» οέ ο 5:«ύ βο
Διαβάστε περισσότερα14SYMV NETSCOPE SOLUTIONS A.E. Α :
Α Η ο ήθ ιας ο ισ ού 14SYMV002183357 2014-07-22 ή α ος Η Ο Ω ΗΧΑ Ω. ο αίσιο o έ ο «ο ήθ ια ο ισ ού ο Αθή ας» ω ι ό MIS 360204 Α Α: 48.585,00 σ ι α βα ο έ ο Α Α ά οχος: NETSCOPE SOLUTIONS A.E. Α : 099940480
Διαβάστε περισσότεραOptimized Design of Fully Integrated VCO on Si Based Process
LSI VCO Optimized Desin of Fully Interated VCO on Si Based Proess Nobuyuki Itoh Semiondutor Company, Toshiba Corporation 47-8585 -5-1 -5-1, Kasama, Sakae-ku, Yokohama, 47-8585, Japan Tel: +81-45-890-41,
Διαβάστε περισσότερα櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI /j. cnki. bdtjs MOSFET %
櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI 10. 13290 /j. cnki. bdtjs. 2014. 02. 006 Ge /SiGe 361005 HfO 2 k Si Ge /SiGe SB- n Si 0. 16 Ge 0. 84 n SiGe UHV CVD Ge Si Ge 32 nm Si 0. 16 Ge 0. 84 12 nm Ge
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν
Διαβάστε περισσότεραού α ς ώσ ας οι ής ού α ς ώσ ας αφέας ο έ ς ά ς οθέ ς- θο οιός ού ος άθ ς θο οιός αβ ί ς Ά ς αφέας- αφ ασ ής α α ά ς ώσ ας α ισ ια ός Α α α ά - ούβ α
Α/Α ΠΩ Ο Ο Ο Α Ι ΙΟ Η Α Αβα ιά ο ί α θο οιός- οθέ ς Αβ ά Έφ σ ο ι ός, α ισ ή ιο ή ς Α ι ια ά ή θ ο ύ ια Α α ά ί α θο οιός Αθα ασιά ς ά ς α ισ ια ός- α / ιο Αθα ασίο ιά ος ό ι ος αθ ής, Α Αθα ί Ό α θο οιός-
Διαβάστε περισσότεραProbability and Random Processes (Part II)
Probability and Random Processes (Part II) 1. If the variance σ x of d(n) = x(n) x(n 1) is one-tenth the variance σ x of a stationary zero-mean discrete-time signal x(n), then the normalized autocorrelation
Διαβάστε περισσότερα14SYMV
Α οί ς : 03-02-2014. ω.3100 ο 36593/ Α Α Ω Ω Ω Α: Α - / Α Α Α Α ις οί ς σή α 03 β ο α ίο 2014 έ α έ α, σ ο ο ι ό α άσ α ή ο αισ ού, ο ός 25 ς α ίο, : α ύ ς ά ο αισ ού α ίας α ο ιώ - φα ά ο ι ιό ά ς, ό
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακή Σχεδίαση με CAD II
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ß -ß ßß Τμήμα Μηχανικών - Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών και Δικτύων Ψηφιακή Σχεδίαση με CAD II ONOMA: ΔΙΑΜΑΝΤΑΚΗ ΜΑΡΙΑ ΑΕΜ : 1434 ΕΤΟΣ : 3 ο - ß # nmos - TSMC 0.35μm - 3.3V - 27 o C *nmos
Διαβάστε περισσότεραElectronic Analysis of CMOS Logic Gates
Electronic Analysis of CMOS Logic Gates Dae Hyun Kim EECS Washington State University References John P. Uyemura, Introduction to VLSI Circuits and Systems, 2002. Chapter 7 Goal Understand how to perform
Διαβάστε περισσότεραισ οσ ί α σας (http://portal.singularlogic.eu/).
ώ ιο άσης α χής αι α ός α ο ίο ι ασ η ίο Ω Ι Η Ω Η Η Η ς α ώ ς αι ίας ία «Η Ο Ο Α Ω Η Α Ο Η Ο Η & Ο Η Α Α Α Ο Η Η Ο Ο Ω & Η Ω Η», ια ι ι ό ί ο «Α Α», ο ό ο αι σή α «Α», έ α σ ο ι αιά Α ι ής αι ί ο ώ θ
Διαβάστε περισσότερα15SYMV
INFORMATICS DEVELOPMEN T AGENCY Digitally signed by INFORMATICS DEVELOPMENT AGENCY Date: 201.01.02 14:18:36 EET Reason: Location: Athens ΑΔΑ: ΩΒ9ΗΟΟ-8ΗΥ Η Η Η Ο Α Α Ο Ο Ο Ο Η Η Ο Ο Ο Ο Η Η Α Η Ο Η Α Η
Διαβάστε περισσότεραΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ
ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Α. ηµουλάς Εργαστήριο ΜΒΕ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Συµβολή των ηλεκτρονικών υλικών στην ανάπτυξη των συστηµάτων πληροφορικής Τρανσίστορ :
Διαβάστε περισσότεραΕΘ Ν Ε ΗΝΗ Ε Ν Η Ε ΝΗ Ε Ν Γ Ν Ν Η Γ Η Ν Ε Ε ό β βί η ύ έ ύ ηή ί η φ έ Η η Α Α Α Α. ύ β έ : Α θ ή.. Αθή, έ β 2016 ... Α. ύ ύ Cop ight φύ ό Α. ύ ό, ό.... ό. All ights reserved. Α ύ φή, θή ή ύ ί, ή ή ή
Διαβάστε περισσότεραGenX3 TM 300V IGBT IXGA42N30C3 IXGH42N30C3 IXGP42N30C3 V CES = 300V I C110. = 42A V CE(sat) 1.85V t fi typ. = 65ns
GenX3 TM V IGBT High Speed PT IGBTs for -1kHz switching IXGA42NC3 IXGH42NC3 IXGP42NC3 V CES = V 1 = 42A V CE(sat) 5V t fi typ = 65ns TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V CES = 25 C to
Διαβάστε περισσότεραΑΔΑ: ΒΕΤ49-Ψ4Χ. αθ ός Ασφα ίας:. α ούσι, PROC έφ ο : , α :
Α Α Α Α Α Α Ω Α Α / Ω ΑΪ Ω Α Ω Α Ω Α Ω Ω Ω Ω Ω Α Α Α. α α έο α ούσι οφο ί ς:. ό ς, Α. Α ι ιώ ς έφ ο : 210 3443427, 2103443252 α : 210 3443127 e-mail: t13pxg2@minedu.gov.gr α ια θ ί έ ι:. αθ ός Ασφα ίας:.
Διαβάστε περισσότεραKeywords: SiC, high blocking voltage, JFET, SEJFET, specific on-resistance, threshold voltage, current gain, turn on time, turn off time FET
5kV 4H-SiC SEJFET Sei-Hyung Ryu John W. Palmour Temperature dependence of On-state characteristics, and Switching characteristics of 5 kv class 4H-SiC SEJFET Katsunori Asano, Member, Toshihiko Hayashi,
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. Σταθερές Μνήμες Αρχιτεκτονικές Μνήμης RAM
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 12η - Κυκλώματα Μνήμης Περιεχόμενα Είδη
Διαβάστε περισσότεραT.: -3332553/4 Fax: 210-3332559 e-mail: press@minfin.gr
Ο Α Α Ο ΙΟ ΟΙ Ο Ο Ι Ω Α ΙΟ Ο ί ς -7 Αθή α T.: -3332553/4 Fax: 210-3332559 e-mail: press@minfin.gr ί, β ίο 2014 ίο ύ ο ί α έ ι ίσ ι ή οι ο ο ία α έ α ούς θ ούς α ά ς, βασισ έ σ αύ σ ς σ ι ής οι ο ο ι ής
Διαβάστε περισσότεραMnZn. MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer. Abstract:
MnZn JFE No. 8 5 6 p. 32 37 MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer FUJITA Akira JFE Ph. D. FUKUDA Yutaka JFE NISHIZAWA Keitarou JFE TOGAWA Jirou MnZn Fe2O3 1 C NiO
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραΗ ERASMUS gr.pdf
Α Α Α Η Α (1) Α Η οι ι ώ ισ ώ Η Α οι ιο ο ία Ω ο ια ό Ω Α Η Α 107 Α Η Ω 1 ο Α Η Α ασσι ή οι ιο ο ι ή ία Α Α Α Η Η σ ί σ ο οι ισ ι ές ο ά ς α ο έ ο αι σ ια ι ά έ ο αθή α ος.. ια έ ις, ασ ια ές Ασ ήσ ις..
Διαβάστε περισσότερα,00-20, ,00-19, ,00-18, ,00-17,00
Χ ή ο Πά η Ά ια «σ ι ά» ο φί ο ο ή σ «αθ ι ή θ ία» αία ό σ, φ σι ά, ις Πα ε ή ιες Ε ε άσεις. Ή α ια ο ιά, ιαφο ι ή α ό α ές ο ί α σ θήσ ι, αφού έο οι αθ ές ά ο αι σ αθή α α ί ο ας σ ο ές σ ώ ό, α ό α α
Διαβάστε περισσότεραΑ θ ή ν α, 7 Α π ρ ι λ ί ο υ
Α θ ή ν α, 7 Α π ρ ι λ ί ο υ 2 0 1 6 Τ ε ύ χ ο ς Δ ι α κ ή ρ υ ξ η ς Α ν ο ι κ τ ο ύ Δ ι ε θ ν ο ύ ς Δ ι α γ ω ν ι σ μ ο ύ 0 1 / 2 0 1 6 μ ε κ ρ ι τ ή ρ ι ο κ α τ α κ ύ ρ ω σ η ς τ η ν π λ έ ο ν σ υ μ
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και
Διαβάστε περισσότερα15SYMV
Α Η Ο Α Ω ι ύθ ση: Οι ο ο ι ού ή α : ο ηθ ιώ Α ιθ. βάσ ως :06/2015 ια ο ήθ ια οι ού ασ ια ού ο ισ ού ια ις α ά ς ο ια ώ ο α ά σ ο ώ ο α ισ ίο ι αιώς. ό ος α ά ισης ης σύ βασης : 27 α ο α ίο 2015 ό ος :
Διαβάστε περισσότεραAT Surface Mount Package SOT-363 (SC-70) I I Y. Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B , 7:56 PM
AT-3263 Surface Mount Package SOT-363 (SC-7) I I Y Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B 2 Page 1 21.4., 7:6 PM Absolute Maximum Ratings [1] Absolute Thermal Resistance [2] : Symbol Parameter Units Maximum
Διαβάστε περισσότεραΗ Sigilda. β ίο 2013, Alfred Steinecker,
Η Η ύ σ φή ω Θ ώ η έ ης θ ω η ς ησ σ β έ! έ φ ς ής σ ής ς θ ή ή 2013 έσ ς ς Sigilda. Η Sigilda ς θ ή σ ς σ ϊ 2013 ς σ β θ ύ έ ς θ ς σ σ! σ σ Α έ σ σ σ ή φή έ ς 9Ο ς σ ές ς έ ς. θ β 2013, Alfred Steinecker,
Διαβάστε περισσότεραLecture 21: Scattering and FGR
ECE-656: Fall 009 Lecture : Scattering and FGR Professor Mark Lundstrom Electrical and Computer Engineering Purdue University, West Lafayette, IN USA Review: characteristic times τ ( p), (, ) == S p p
Διαβάστε περισσότεραΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΗΣΗ HV MOSFET ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ
ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ Η.Μ.ΜΥ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΗΣΗ HV MOSFET ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ Καρεφυλάκης Μιχάλης Αύγουστος 2009 Εξεταστική επιτροπή: M.Bucher (επιβλέπων) Κ.Καλαϊτζάκης Κ.Μπάλας Αντί προλόγου Ο κυριότερος στόχος
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.3: Συνδυαστική Λογική - Δυναμικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραCoupling of a Jet-Slot Oscillator With the Flow-Supply Duct: Flow-Acoustic Interaction Modeling
1th AIAA/CEAS Aeroacoustics Conference, May 006 interactions Coupling of a Jet-Slot Oscillator With the Flow-Supply Duct: Interaction M. Glesser 1, A. Billon 1, V. Valeau, and A. Sakout 1 mglesser@univ-lr.fr
Διαβάστε περισσότερα[1] P Q. Fig. 3.1
1 (a) Define resistance....... [1] (b) The smallest conductor within a computer processing chip can be represented as a rectangular block that is one atom high, four atoms wide and twenty atoms long. One
Διαβάστε περισσότερα15SYMV
Α Η Ο Α Ω ι ύθ ση: Οι ο ο ι ού ή α : ο ηθ ιώ Α ιθ. βάσ ως : 04/2015 ια ο ήθ ια οι ού ασ ια ού ο ισ ού ια ις α ά ς ο ια ώ ο α ά σ ο ώ ο α ισ ίο ι αιώς. ό ος α ά ισης ης σύ βασης : 21 α ο α ίο 2015 ό ος
Διαβάστε περισσότεραΥΠEΡΙΑ ΟΜΙΛΙΕΣ
Η Η Α Α Α Η Η ΧΗ Η Α Η Η Η Η Α Α Η Α Α Ω Η Α Ω ΑΪ Ω Α Ο Ο Ο - ΠΟ Ο Π Η Ο Α α α αφ θού σ α ία ς σ ο ής ς ο ι ής σ α όσ ια α ά οσ ο ι ισ ι ή ο ο ιά αι σ α ία ς «ιφ ια ής» ο ο ιάς σ ο ή ς α οσ ιο οί σ ς αι
Διαβάστε περισσότεραΔιπλωματική Εργασία Σου φοιτητή του τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Σεχνολογίας Τπολογιστών της Πολυτεχνικής χολής του Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΠΑΣΡΩΝ ΣΜΗΜΑ ΗΛΕΚΣΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΤΠΟΛΟΓΙΣΩΝ ΣΟΜΕΑ: ΣΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ & ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Διπλωματική Εργασία Σου φοιτητή του τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Σεχνολογίας Τπολογιστών
Διαβάστε περισσότερα