Electronic Analysis of CMOS Logic Gates
|
|
- Αελλαι Βάμβας
- 5 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Electronic Analysis of CMOS Logic Gates Dae Hyun Kim EECS Washington State University
2 References John P. Uyemura, Introduction to VLSI Circuits and Systems, Chapter 7
3 Goal Understand how to perform electronic analysis of CMOS logic gates. DC characteristics Noise margin Switching characteristics Power
4 Analysis DC Analysis Vin vs. Vout = Voltage Transfer Characteristic (VTC) Transient (switching) analysis Vin(t) vs. Vout(t) 0 0 tt
5 CMOS Inverter DC Characteristics Logic swing When = 0 = VV DDDD Output high voltage VV OOOO = VV DDDD When = VV DDDD = 0 Output low voltage VV OOLL = 0 Logic swing VV LL = VV OOOO VV OOOO = VV DDDD
6 CMOS Inverter DC Characteristics Region A (0 VV TTnn ) Mn Mp VV GGGGGG = 0 = VV GGGGGG < VV TTnn : Cut-off Mn Mp VV SSSSSS = VV DDDD C VV SSDDpp = VV DDDD VV SSSSSS VV TTTT VV SSSSSS = VV TTTT > 0 VV SSSSSS VV TTTT > VV SSSSSS : Linear A B D E VV DDDD
7 CMOS Inverter DC Characteristics Region B (VV TTTT < VV DDDD 2 ) Mn VV GGGGGG VV TTTT = VV TTTT > 0 VV DDDDDD = VV GGGGGG VV TTTT VV DDDDDD = VV TTTT < 0 Mp Mn VV GGGGGG VV TTTT < VV DDDDnn : Saturation C Mp VV SSSSSS = VV DDDD VV SSDDpp = VV DDDD A B D E VV SSSSSS VV TTTT VV SSSSSS = VV TTTT > 0 VV SSSSSS VV TTTT > VV SSSSSS : Linear = VV TTTT + ( VV TTTT ) 2 2 VV DDDD 2 VV TTTT VV DDDD ( VV TTTT ) 2
8 CMOS Inverter DC Characteristics Region C ( VV DDDD 2 ) Mn Mp VV GGGGGG VV TTTT VV DDDDDD = VV TTTT < 0 VV GGGGGG VV TTTT < VV DDDDnn : Saturation VV SSSSSS VV TTTT VV SSSSSS = VV TTTT < 0 C Mp Mn VV SSSSSS VV TTTT < VV SSSSSS : Saturation II DDDDDD = 2 (VV MM VV TTTT ) 2 II SSDDpp = 2 (VV DDDD VV MM VV TTpp ) 2 Solve II DDDDDD = II SSSSSS. VV MM A B D E VV MM = VV DDDD VV TTTT +VV TTTT 1+ ββpp ββnn ββpp VV MM
9 CMOS Inverter DC Characteristics Region D ( VV DDDD 2 < VV DDDD VV TTTT ) Mn VV GGGGGG VV TTTT = VV TTTT > 0 VV DDDDDD = VV GGGGGG VV TTTT VV DDDDDD = VV TTTT > 0 Mp Mn VV GGGGGG VV TTTT > VV DDDDnn : Linear C Mp VV SSSSSS = VV DDDD VV SSDDpp = VV DDDD A B D E VV SSSSSS VV TTTT VV SSSSSS = VV TTTT < 0 VV SSSSSS VV TTTT < VV SSSSSS : Saturation = VV TTTT ( VV TTTT ) 2 ( VV DDDD VV TTTT ) 2
10 CMOS Inverter DC Characteristics Region E (VV DDDD VV TTTT VV DDDD ) Mn Mp VV GGGGGG VV TTTT = VV TTTT > 0 Mp VV DDDDDD = VV GGGGGG VV TTTT VV DDDDDD = VV TTTT > 0 VV GGGGGG VV TTTT > VV DDDDDD : Linear C Mn VV SSSSSS = VV DDDD VV SSGGpp VV TTTT < 0: Cut-off 0 A B D E
11 CMOS Inverter DC Characteristics Voltage noise margin VVVVVV HH = VV OOOO VV IIII VVVVVV LL = VV IIII VV OOOO VV IIII : Min. high input voltage VV IILL : Max. low input voltage VV OOHH : Min. high output voltage VV OOLL : Max. low output voltage VV OOOO slope = -1 VV OOOO VV IIII VV IIII
12 CMOS Inverter Switching Characteristics tt rr : rise time tt ff : fall time CC oooooo : total output capacitance CC oooooo = CC FFFFFF + CC LL CC FFFFFF : FET capacitance CC FFFFFF = CC DDDD + CC DDpp VV DDDD CC LL» CC DDDD = CC GGGGnn + CC DDDDnn» CC DDpp = CC GGGGpp + CC DDDDpp CC LL : load capacitance 0 tt VV DDDD tt ff tt rr 0 tt
13 CMOS Inverter Switching Characteristics Fall time From = 0.9VV DDDD to = 0.1VV DDDD Fall time calculation Discharging (Natural response) ii ii = CC oooooo dd RR nn = dddd 1 = RR nn (VV DDDD VV TTnn ) tt = VV DDDD ee tt ττnn ττ nn = RR nn CC oooooo (time constant) RR nn CC oooooo tt = ττ nn ln VV DDDD tt ff = tt = 0.1VV DDDD tt = 0.9VV DDDD = ττ nn ln 10 ln 10 tt ff 2.2ττ nn 9 = ττ nn ln 9 tt HHHH = tt ff tt HHHH : high-to-low time
14 CMOS Inverter Switching Characteristics Rise time From = 0.1VV DDDD to = 0.9VV DDDD Rise time calculation Charging (Step response) RR pp ii ii = CC oooooo dd dddd = VV DDDD RR pp CC oooooo RR pp = 1 (VV DDDD VV TTpp ) tt = VV DDDD 1 ee tt ττpp ττ pp = RR pp CC oooooo (time constant) tt = ττ pp ln VV DDDD VV DDDD tt rr = tt = 0.9VV DDDD tt = 0.1VV DDDD = ττ pp ln 10 ln 10 tt rr 2.2ττ pp 9 = ττ pp ln 9 tt LLLL = tt rr tt LLHH : low-to-high time
15 CMOS Inverter Switching Characteristics Transient simulation of a CMOS inverter
16 CMOS Inverter Switching Characteristics Maximum signal frequency The largest frequency 1 ff mmmmmm = = 1 = tt HHHH +tt LLHH tt ff +tt rr Example RR nn = RR pp = 500Ω (ττ nn +ττ pp ) CC oooooo = 10ffff VV DDDD ff mmmmmm = 1 2.2(5pppp+5pppp) 45GGGGGG Propagation delay Delay time from input to output 0 tt tt pp = tt pppp+tt pprr 2 tt pppp : output fall time (VV DDDD VV DDDD 2 ) tt pppp = ττ nn ln 2 tt pprr : output rise time (0 VV DDDD 2 ) tt pprr = ττ pp ln 2 VV DDDD VV DDDD 2 0 tt pppp tt pppp tt
17 CMOS Inverter General Analysis Output capacitance CC oooooo = CC FFFFFF + CC LL Rise time tt rr = ττ pp ln9 2.2RR pp CC FFFFFF + CC LL = tt rrr + 2.2RR pp CC LL RR pp = Fall time 1 (VV DDDD VV TTTT ) tt ff = ττ nn ln9 2.2RR nn (CC FFFFFF + CC LL ) = tt ff RR nn CC LL RR nn = Speed vs. area 1 (VV DDDD VV TTTT ) ββ RR tt Area goes up, but the logic is faster.
18 CMOS Inverter Power Dissipation Power dissipation calculation PP = VV DDDD II DDDD PP = PP DDDD + PP dddddd PP DDDD : DC power Region A, E: II DDDD = 0 Actually, there is leakage current II DDDDDD.» II DDDDDD : quiescent leakage current II DDDD VV DDDD CMOS circuit PP DDDD = VV DDDD II DDDDDD PP dddddd : Dynamic power Charging/Discharging QQ ee = CC oooooo VV DDDD C PP = VV DDDD II DDDD = VV DDDD QQ ee TT = ffcc oooooo VV DDDD 2 A B D E PP = VV DDDD II DDDDDD + ffcc oooooo VV DDDD 2
19 NAND2 DC Characteristics VV TTTT,BB goes up. VV BB VV AA VV AA VV BB (i) 0 VV DDDD 0 VV DDDD (ii) VV DDDD 0 VV DDDD iii ii i (iii) 0 VV DDDD VV DDDD
20 NAND2 DC Characteristics VV MM ( = = VV MM ) nfet network: 2 pfet network: 2 Mn (VV AA ): VV GGGGGG VV TTTT VV DDDDDD = VV MM VV TTTT < VV MM < 0: Saturation Mn (VV BB ): VV GGGGGG VV TTTT VV DDDDDD = VV MM VV SS VV TTTT VV MM VV SS < 0: Saturation Mp: VV SSSSSS VV TTTT VV SSSSSS = VV DDDD VV MM VV TTTT VV DDDD VV MM < 0: Saturation II DDDDDD = ( 2 ) 2 (VV MM VV TTTT ) 2 II SSSSSS = (2) (VV 2 DDDD VV MM VV TTTT ) 2 Solve II DDDDDD = II SSSSSS. VV MM = VV DDDD VV TTTT VV TTTT For NANDk ββnn ββpp ββnn ββpp VV BB VV MM = VV DDDD VV TTTT + 1 kk VV TTTT 1+ 1 kk ββpp VV AA
21 NOR2 DC Characteristics VV TTTT,BB goes up. VV AA VV BB VV AA VV BB (i) 0 VV DDDD 0 VV DDDD (ii) 0 0 VV DDDD (iii) 0 VV DDDD 0 i ii iii
22 NOR2 DC Characteristics VV MM ( = = VV MM ) nfet network: 2 pfet network: 2 Mn: VV GGGGGG VV TTTT VV DDDDDD = VV MM VV TTTT VV MM < 0: Saturation Mp (VV AA ): VV SSSSSS VV TTTT VV SSSSSS = VV DDDD VV MM VV TTTT VV DDDD VV MM < 0: Saturation Mp (VV BB ): VV SSSSSS VV TTTT VV SSSSSS = VV SS VV MM VV TTTT VV SS VV MM < 0: Saturation II DDDDDD = 2 2 (VV MM VV TTTT ) 2 II SSSSSS = (ββpp 2 ) (VV 2 DDDD VV MM VV TTTT ) 2 Solve II DDDDDD = II SSSSSS. VV MM = VV DDDD VV TTTT +2VV TTTT For NORk 1+2 ββpp ββnn ββpp VV AA VV MM = VV DDDD VV TTTT +kkvv TTTT 1+kk ββpp VV BB
23 Elmore Delay How to estimate delay in general RC networks. How to Start at the target sink node. Traverse the RC network toward the source. Whenever there is a resistor, multiply its resistance and its downstream capacitance and add it to the total delay. For two-pin nets RR oooooo ii RR 4 RR 1 RR 2 RR 3 RR... nn 2 RR nn 1 RR nn CC 1 CC 2 CC 3 CC nn 2 CC nn 1 CC nn CC LL ττ = RR nn CC nn + CC LL + RR nn 1 CC nn 1 + CC nn + CC LL + RR nn 2 CC nn 2 + CC nn 1 + CC nn + CC LL + + RR 3 CC CC nn + CC LL + RR 2 CC CC nn + CC LL + RR 1 CC CC nn + CC LL + RR oooooo (CC CC nn + CC LL )
24 Elmore Delay How to estimate delay in general RC networks. For multi-pin nets RR oooooo ii RR 4 RR 1 RR 2 RR 3 RR... nn 2 RR nn 1 RR nn o CC 1 CC 2 CC 3 CC nn 2 CC nn 1 CC nn CC LLL RR aa RR bb o CC aa CC bb CC LLL ττ o = RR nn CC nn + CC LLL + RR nn 1 CC nn 1 + CC nn + CC LL1 + RR nn 2 CC nn 2 + CC nn 1 + CC nn + CC LL1 + CC aa + CC bb + CC LLL + + RR 3 CC CC nn + CC LLL + CC aa + CC bb + CC LLL + RR 2 CC CC nn + CC LL1 + +CC aa + CC bb + CC LLL + RR 1 CC CC nn + CC LL1 + CC aa + CC bb + CC LLL + RR oooooo (CC CC nn + CC LL1 + +CC aa + CC bb + CC LLL )
25 NAND2 Switching Characteristics tt rr : rise time tt ff : fall time CC oooooo : total output capacitance CC oooooo = CC FFFFFF + CC LL CC FFFFFF : FET capacitance CC FFFFFF = CC DDDD + 2CC DDpp VV BB» CC DDDD = CC GGGGnn + CC DDDDnn» CC DDpp = CC GGGGpp + CC DDDDpp CC LL : load capacitance CC xx : parasitic capacitance VV AA CC xx
26 NAND2 Switching Characteristics Rise time If AAAA: (best case) tt = VV DDDD 1 ee tt ττpp ττ pp = RR pp 2 CC oooooo VV BB tt rr 2.2ττ pp VV AA CC xx If AAAA: or AAAA: (worst case) tt = VV DDDD 1 ee tt ττpp ττ pp = RR pp CC oooooo tt rr 2.2ττ pp tt rr = 2.2RR pp CC FFFFFF + CC LL
27 NAND2 Switching Characteristics Fall time If AAAA: or AAAA: (best case) tt = VV DDDD ee tt ττnn ττ nn = 2RR nn CC oooooo tt ff 2.2ττ nn VV BB If AAAA: (worst case) VV AA CC xx tt = VV DDDD ee tt ττnn ττ nn = 2RR nn CC oooooo + RR nn CC xx tt ff 2.2ττ nn tt ff = 2.2 2RR nn CC FFFFFF + CC LL + 2.2RR nn CC xx
28 NOR2 Switching Characteristics tt rr : rise time tt ff : fall time CC oooooo : total output capacitance CC oooooo = CC FFFFFF + CC LL CC FFFFFF : FET capacitance CC FFFFFF = 2CC DDDD + CC DDpp» CC DDDD = CC GGGGnn + CC DDDDnn» CC DDpp = CC GGGGpp + CC DDDDpp CC LL : load capacitance CC xx : parasitic capacitance VV AA VV BB CC yy
29 NOR2 Switching Characteristics Fall time If AAAA: (best case) tt = VV DDDD ee tt ττnn ττ nn = RR nn 2 CC oooooo tt ff 2.2ττ nn VV AA CC yy If AAAA: or AAAA: (worst case) tt = VV DDDD ee tt ττnn VV BB ττ nn = RR nn CC oooooo tt ff 2.2ττ nn tt ff = 2.2RR nn CC oooooo
30 NOR2 Switching Characteristics Rise time If AAAA: (best case) tt = VV DDDD 1 ee tt ττpp ττ pp = 2RR pp CC oooooo tt rr 2.2ττ pp VV AA CC yy If AAAA: or AAAA: (worst case) tt = VV DDDD 1 ee tt ττpp VV BB ττ pp = 2RR pp CC oooooo + RR pp CC yy tt rr 2.2ττ pp tt rr = 2.2[2RR pp CC FFFFFF + CC LL ] + 2.2RR pp CC yy
31 Power Dissipation Dynamic power PP dddddd = ααααααvv DDDD 2 αα: switching activity ff: clock frequency CC: capacitance More accurate formula PP dddddd = ffvv DDDD 2 αα ii CC ii nn ii=1
32 Transmission Gates and Pass Transistors Transmission gates Approximation ss RR TTTT = max (RR nn, RR pp ) CC iiii = CC nnnnnnnn,ssssssssssss + CC pppppppp,dddddddddd ss Pass transistors Rise time tt rr = 18RR nn CC oooooo Fall time tt ff = 2.94RR nn CC oooooo gg
EE434 ASIC & Digital Systems Arithmetic Circuits
EE434 ASIC & Digital Systems Arithmetic Circuits Spring 25 Dae Hyun Kim daehyun@eecs.wsu.edu Arithmetic Circuits What we will learn Adders Basic High-speed 2 Adder -bit adder SSSSSS = AA BB CCCC CCCC =
Διαβάστε περισσότεραWhat happens when two or more waves overlap in a certain region of space at the same time?
Wave Superposition What happens when two or more waves overlap in a certain region of space at the same time? To find the resulting wave according to the principle of superposition we should sum the fields
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραA. Two Planes Waves, Same Frequency Visible light
Interference 1 A. Two Planes Waves, Same Frequency EE 1 rr, tt = EE 0,1 cccccc αα 1 ωω tt αα 1 kk 1. rr + εε 1 EE 2 rr, tt = EE 0,2 cccccc αα 2 ωω tt αα 2 kk 2. rr + εε 2 ωω = 4.3 7.5 10 14 HHHH Visible
Διαβάστε περισσότεραAccess Control Encryption Enforcing Information Flow with Cryptography
Access Control Encryption Enforcing Information Flow with Cryptography Ivan Damgård, Helene Haagh, and Claudio Orlandi http://eprint.iacr.org/2016/106 Outline Access Control Encryption Motivation Definition
Διαβάστε περισσότεραAssociate. Prof. M. Krokida School of Chemical Engineering National Technical University of Athens. ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗ ΑΕΡΙΩΝ Gas Absorption
Associate. Prof. M. Krokida School of Chemical Engineering National Technical University of Athens ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗ ΑΕΡΙΩΝ Gas Absorption Παράγοντες που Επηρεάζουν Διεργασία Απορρόφησης Συνήθως δίνονται: Ρυθμός
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραHigh Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System
High Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System Typical and guaranteed specifications vary versus frequency; see detailed data sheets for specification
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.2: Συνδυαστική Λογική - Σύνθετες Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραIXBH42N170 IXBT42N170
High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25
Διαβάστε περισσότεραΠροσομoίωση Απόκρισης Συστήματος στο MATLAB
Δυναμική Μηχανών Ι Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης Προσομoίωση Απόκρισης Συστήματος στο MATLAB Άδεια Χρήσης Το παρόν υλικό βασίζεται στην παρουσίαση Προσομoίωση Απόκρισης Συστήματος στο MATLAB του καθ. Ιωάννη
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΟ ΑΝΟΙΚΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ. ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥΔΩΝ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΟΣ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΕΡΓΩΝ ΥΠΟΔΟΜΗΣ (MSc)
ΕΛΛΗΝΙΚΟ ΑΝΟΙΚΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥΔΩΝ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΟΣ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΕΡΓΩΝ ΥΠΟΔΟΜΗΣ (MSc) ΘΕΜΑΤΙΚΗ ΕΝΟΤΗΤΑ ΠΣΕ60 Ακαδημαϊκό Έτος: 207-208 η Γραπτή Εργασία Επιβλέπων
Διαβάστε περισσότεραNPN Silicon RF Transistor BFQ 74
NPN Silicon RF Transistor BFQ 74 For low-noise amplifiers in the GHz range, and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 1 ma to 25 ma. Hermetically
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Τύποι Αναλύσεων (1 από2) Για την μελέτη της συμπεριφοράς των κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.3: Συνδυαστική Λογική - Δυναμικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραSeries AM2DZ 2 Watt DC-DC Converter
s Single output FEATURES: RoHS Compliant Operating temperature -40 o C to + 85 o C Low ripple and noise Pin compatible with multiple manufacturers High efficiency up to 82% Input / Output Isolation 1000,3000,
Διαβάστε περισσότεραΣυστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι Ενότητα #9: Σύστημα ης τάξης: Χρονική Απόκριση και Χαρακτηριστικά Μεγέθη (Φυσικοί Συντελεστές) Δημήτριος
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Fourth Edition - Part II Solutions to Exercises
Page 9 Microelectronic Circuit Design Fourth Edition - Part II olutions to Exercises CHAPTER 6 NM 0.8V 0.4V 0.4 V NM H 3.6V.0V.6 V Page 94 V 0% V + 0. ΔV [ ].4 V [ ].4 V.6V + 0. 0.6 (.6) 0.6V 0.9 0.6 (.6)
Διαβάστε περισσότεραΓΡΑΜΜΙΚΑ ΜΟΝΤΕΛΑ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΙ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ I
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ ΚΑΙ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΜΟΝΤΕΛΑ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΙ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ I Άσκηση 1 Ερώτημα (i) HH 0 : μμ 1 = μμ = μμ 3 = μμ 4 = μμ HH 1 : τουλάχιστον
Διαβάστε περισσότεραPrepolarized Microphones-Free Field
Prepolarized Microphones-Free Field MP0 / MP3 / MP / MP / MP / MP / MP8 MP0 MP3 MP MP MP MP MP8 Standards (IEC7) I I I.3 ~ 0k 3 ~ 0k 0 ~.k 0 ~.k 0 ~ 70k 0 ~ k 0 ~ k Open-circuit Sensitivity (mv/pa) (±db)
Διαβάστε περισσότεραMAX4147ESD PART 14 SO TOP VIEW. Maxim Integrated Products 1 MAX4147 EVALUATION KIT AVAILABLE ; Rev 1; 11/96 V CC V EE OUT+ IN+ R t SENSE IN-
-; Rev ; / EVALUATION KIT AVAILABLE µ µ PART ESD TEMP. RANGE - C to +5 C PPACKAGE SO TOP VIEW V EE V CC SENSE+ SENSE- R t R t R t R t MAX SENSE OUT SENSE+ SENSE- N.C. SHDN N.C. 3 5 R f R G R f 3 VDSL TRANSFORMER
Διαβάστε περισσότεραPETROSKILLS COPYRIGHT
Contents Dew Point... 2 SI Conversions... 2 Output... 2 Input... 2 Solution Condensate-Oil Ratio... 3 SI Conversions... 3 Output... 3 Input... 3 Gas Density... 4 SI Conversions... 5 Output... 5 Input...
Διαβάστε περισσότερα65W PWM Output LED Driver. IDLV-65 series. File Name:IDLV-65-SPEC
~ A File Name:IDLV65SPEC 07050 SPECIFICATION MODEL OUTPUT OTHERS NOTE DC VOLTAGE RATED CURRENT RATED POWER DIMMING RANGE VOLTAGE TOLERANCE PWM FREQUENCY (Typ.) SETUP TIME Note. AUXILIARY DC OUTPUT Note.
Διαβάστε περισσότεραΜαθηματικοί Διαγωνισμοί για Μαθητές Λυκείου Α ΤΕΥΧΟΣ ΑΛΓΕΒΡΑ
Μαθηματικοί Διαγωνισμοί για Μαθητές Λυκείου Α ΤΕΥΧΟΣ ΑΛΓΕΒΡΑ Δάτης Καλάλη Αγαπητέ αναγνώστη, Πρόλογος Η ιδέα για τη συγγραφή αυτού του βιβλίου προέκυψε από τη διαπίστωση ότι πολλοί μαθητές λαμβάνουν μέρος
Διαβάστε περισσότεραΤρίτο πακέτο ασκήσεων
ΕΚΠΑ Ακαδημαϊκό έτος 018-019 Τμήμα Οικονομικών Επιστημών Μάθημα: Μικροοικονομική Θεωρία Ι Τρίτο πακέτο ασκήσεων Προθεσμία παράδοσης Παρασκευή 18 Ιανουαρίου (στο μάθημα της κ. Κουραντή, του κ. Παπανδρέου
Διαβάστε περισσότεραNPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
FEATURES NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = MHz TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE=.55 pf TYP
Διαβάστε περισσότεραITU-R BT ITU-R BT ( ) ITU-T J.61 (
ITU-R BT.439- ITU-R BT.439- (26-2). ( ( ( ITU-T J.6 ( ITU-T J.6 ( ( 2 2 2 3 ITU-R BT.439-2 4 3 4 K : 5. ITU-R BT.24 :. ITU-T J.6. : T u ( ) () (S + L = M) :A :B :C : D :E :F :G :H :J :K :L :M :S :Tsy :Tlb
Διαβάστε περισσότεραType 947D Polypropylene, High Energy Density, DC Link Capacitors
Type 947D series uses the most advanced metallized film technology for long life and high reliability in DC Link applications. This series combines high capacitance and very high ripple current capability
Διαβάστε περισσότεραRSDW08 & RDDW08 series
/,, MODEL SELECTION TABLE INPUT ORDER NO. INPUT VOLTAGE (RANGE) NO LOAD INPUT CURRENT FULL LOAD VOLTAGE CURRENT EFFICIENCY (Typ.) CAPACITOR LOAD (MAX.) RSDW08F-03 344mA 3.3V 2000mA 80% 2000μF RSDW08F-05
Διαβάστε περισσότεραΕπίλυση Δυναμικών Εξισώσεων
Δυναμική Μηχανών Ι Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης Επίλυση Δυναμικών Εξισώσεων Άδεια Χρήσης Το παρόν υλικό βασίζεται στην παρουσίαση Επίλυση Δυναμικών Εξισώσεων του καθ. Ιωάννη Αντωνιάδη και υπόκειται σε
Διαβάστε περισσότεραΠίνακες Ορίζουσες. Πίνακας: ορθογώνια διάταξη αριθμών που αποτελείται από γραμμές και στήλες.
1 Πίνακες Ορίζουσες Πίνακας: ορθογώνια διάταξη αριθμών που αποτελείται από γραμμές και στήλες. Παράδειγμα (χορήγηση Βαλασικλοβιρης (αντιυπερτασικό) σε νήπια) Ηλικία (μήνες) Μέσο Cmax (μg/ml) Μέσο βάρος
Διαβάστε περισσότεραSMD Power Inductor-VLH
SMD Power Inductor-VH Dimensions Unit: mm Type A B C E F H I J 252010 2.5±0.2 2.0±0.2 1.0max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 252012 2.5±0.2 2.0±0.2 1.2max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 321618C 3.2±0.3 1.6±0.2
Διαβάστε περισσότεραΛύση Παραδείγματος 1. Διάγραμμα ροής διεργασίας. Εκρόφηση χλωριούχου βινυλίου από νερό στους 25 C και 850 mmhg. Είσοδος υγρού.
Παράδειγμα 1 Μια εγκατάσταση καθαρισμού νερού απομακρύνει χλωριούχο βινύλιο (vinyl cloride) από μολυσμένα υπόγεια ύδατα σε θερμοκρασία 25 C και πίεση 850 mmhg χρησιμοποιώντας στήλη εκρόφησης κατ αντιρροή.
Διαβάστε περισσότεραB37631 K K 0 60
Multilayer Ceramic acitors High; X5R and X7R Chip Ordering code system B37631 K 7 5 K 6 Packaging 6 ^ cardboard tape, 18-mm reel 62 ^ blister tape, 18-mm reel Internal coding acitance tolerance K ^ ± %
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΑ Χ Ρ ΗΜ ΑΤ ΙΣ Τ ΗΡ ΙΑ CISCO EXPO 2009 G. V a s s i l i o u - E. K o n t a k i s g.vassiliou@helex.gr - e.k on t ak is@helex.gr 29 Α π ρ ι λ ί ο υ 20 0 9 Financial Services H E L E X N O C A g e
Διαβάστε περισσότεραΑπό τις (1) και (2) έχουμε:
ΛΥΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΩΝ ΚΑΝΟΝΙΚΗΣ ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΗΣ 3 ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ, ΟΠΤΙΚΕΣ, ΜΑΓΝΗΤΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ» ΤΟΥ ΠΑΤΡΙΚ ΑΣΕΝΟΒ (OR STEVE HARRIS FOR MY FRIENDS FROM THE SHMMY FORUM) Θέμα ον : Έχουμε ιοντικό
Διαβάστε περισσότεραWhat we should learn. Συστήματα VLSI 2
What we should learn Συστήματα VLSI 2 Delay Definitions t pdr : rising propagation delay From input to rising output crossing V DD /2 t pdf : falling propagation delay From input to falling output crossing
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Περιεχόμενα Βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότερα15W DIN Rail Type DC-DC Converter. DDR-15 s e r i e s. File Name:DDR-15-SPEC
DIN Rail Type DC-DC Converter ± : DIN Rail Type DC-DC Converter SPECIFICATION MODEL OUTPUT INPUT PROTECTION ENVIRONMENT SAFETY & EMC (Note 5) OTHERS NOTE DC VOLTAGE RATED CURRENT CURRENT RANGE RATED POWER
Διαβάστε περισσότεραΜελέτη συστήματος συμβολομετρικής ραδιομετρίας με δυνατότητα εστίασης σε άπειρη και πεπερασμένη απόσταση
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Μελέτη συστήματος συμβολομετρικής ραδιομετρίας με δυνατότητα εστίασης σε άπειρη και
Διαβάστε περισσότεραΣυστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι Ενότητα #7: Άλγεβρα Βαθμίδων (μπλόκ) Ολική Συνάρτηση Μεταφοράς Δημήτριος Δημογιαννόπουλος Τμήματος
Διαβάστε περισσότεραSMD Power Inductor-VLH
SMD Power Inductor-VH PAD AYOUT Dimensions Unit: mm Type A B C E F H I J 252010 2.5±0.2 2.0±0.2 1.0max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 252012 2.5±0.2 2.0±0.2 1.2max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 252510 2.5±0.2
Διαβάστε περισσότεραTRC ELECTRONICS, INC LED Driver Constant Voltage 45W MEAN WELL IDLV-45 Series
LED Driver Constant Voltage 5W MEAN WELL IDLV5 Series ~ A File Name:IDLV5SPEC 0707 TRC ELECTRONICS, INC..888.6.95 LED Driver Constant Voltage 5W MEAN WELL IDLV5 Series TRC ELECTRONICS, INC. SPECIFICATION
Διαβάστε περισσότεραMINIATURE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS. Characteristics. Leakage Current(MAX) I=Leakage Current(µA) C=Nominal Capacitance(µF) V=Rated Voltage(V)
SERIES 5 C Long Life. Low impedance. (Rated Voltage 6.3~V.DC) FEATURES Load Life : 5 C 4~hours. Low impedance at khz with selected materials. SPECIFICATIONS Items Operating Temperature Range Rated Voltage
Διαβάστε περισσότεραΔυναμική Μηχανών Ι. Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης. Απόκριση Συστημάτων 1 ου Βαθμού Ελευθερίας, που περιγράφονται από Σ.Δ.Ε.
Δυναμική Μηχανών Ι Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης Απόκριση Συστημάτων 1 ου Βαθμού Ελευθερίας, που περιγράφονται από Σ.Δ.Ε. 1 ης τάξης Άδεια Χρήσης Το παρόν υλικό βασίζεται στην παρουσίαση Απόκριση Συστημάτων
Διαβάστε περισσότερα15W DIN Rail Type DC-DC Converter. DDR-15 series. File Name:DDR-15-SPEC
DIN Rail Type DC-DC Converter ± : DIN Rail Type DC-DC Converter SPECIFICATION MODEL OUTPUT INPUT PROTECTION ENVIRONMENT SAFETY & EMC (Note 5) OTHERS DC VOLTAGE RATED CURRENT CURRENT RANGE RATED POWER RIPPLE
Διαβάστε περισσότεραΑπόκριση σε Αρμονική Διέγερση
Δυναμική Μηχανών Ι Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης Απόκριση σε Αρμονική Διέγερση Άδεια Χρήσης Το παρόν υλικό βασίζεται στην παρουσίαση Απόκριση σε Αρμονική Διέγερση του καθ. Ιωάννη Αντωνιάδη και υπόκειται
Διαβάστε περισσότεραGenX3 TM 300V IGBT IXGA42N30C3 IXGH42N30C3 IXGP42N30C3 V CES = 300V I C110. = 42A V CE(sat) 1.85V t fi typ. = 65ns
GenX3 TM V IGBT High Speed PT IGBTs for -1kHz switching IXGA42NC3 IXGH42NC3 IXGP42NC3 V CES = V 1 = 42A V CE(sat) 5V t fi typ = 65ns TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V CES = 25 C to
Διαβάστε περισσότερα5V/9V/12V Output QC2.0+USB Auto Detect+USB-PD Type-C Application Report ACT4529
FEATURES 5V/9V/12V Output QC2.0+USB Auto Detect+USB-PD Type-C Application Report ACT4529 Wide input voltage range from 6V to 32V Transparent input voltage surge up to 40V QC2.0 decoding, 5V/9V/12V output
Διαβάστε περισσότεραΛύσεις. ΘΕΜΑ Α A1. Απόδειξη σελ. 144 Α2. Α. ii. B. iv A3. Ορισμός σελ. 162 Α4. i. Λ ii. Σ iii. Λ iv. Σ v. Σ ΘΕΜΑ Β Β1. Διακρίνουμε τις περιπτώσεις:
ΑΡΧΗ ης ΣΕΛΙΔΑΣ ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΕΡΕΙΣΜΑ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ ΠΡΟΣΑΝΑΤΟΛΙΣΜΟΥ ΘΕΜΑ Α A. Απόδειξη σελ. 44 Α. Α. ii. B. iv A3. Ορισμός σελ. 6 Α4. i. Λ ii. Σ iii.
Διαβάστε περισσότεραMeta-Learning and Universality
Meta-Learning and Universality Conference paper at ICLR 2018 Chelsea Finn & Sergey Levine (US Berkeley) Youngseok Yoon Contents The Universality in Meta-Learning Model Construct (Pre-update) Single gradient
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΕΥΦΥΗΣ ΕΛΕΓΧΟΣ. Ενότητα #7: Σύστημα Ασαφούς Λογικής Μαθηματικές Εκφράσεις
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΕΥΦΥΗΣ ΕΛΕΓΧΟΣ Ενότητα #7: Σύστημα Ασαφούς Λογικής Μαθηματικές Εκφράσεις Αναστάσιος Ντούνης Τμήμα Μηχανικών Αυτοματισμού Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραSPBW06 & DPBW06 series
/,, MODEL SELECTION TABLE INPUT ORDER NO. INPUT VOLTAGE (RANGE) NO LOAD INPUT CURRENT FULL LOAD VOLTAGE CURRENT EFFICIENCY (TYP.) CAPACITOR LOAD (MAX.) SPBW06F-03 310mA 3.3V 0 ~ 1500mA 81% 4700μF SPBW06F-05
Διαβάστε περισσότεραAluminum Electrolytic Capacitors
Aluminum Electrolytic Capacitors Snap-In, Mini., 105 C, High Ripple APS TS-NH ECE-S (G) Series: TS-NH Features Long life: 105 C 2,000 hours; high ripple current handling ability Wide CV value range (47
Διαβάστε περισσότεραMZ0.5GF SERIES ZENER DIODE TECHHICAL SPECIFICATION FEATURES. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGE: (Ta=25 ) Parameter Symbols Limits Unit
MZ.GEV- THRU MZ.GEV-. MZ.GF SERIES MZ.GEV THRU MZ.GEV TECHHICAL SPECIFICATION FEATURES Silicon Planar Power Diodes Standard Voltage Tolerance is ±% DO- Glass Case High Reliability Weight: Approx..g DO-
Διαβάστε περισσότεραLR(-A) Series Metal Alloy Low-Resistance Resistor
LR(A) Series Metal Alloy LowResistance Resistor This specification is applicable to lead free, halogen free of RoHS directive for metal alloy lowresistance resistor. The product is for general purpose.
Διαβάστε περισσότεραV DS T jmax G PG-TO262 G FP SP T jmax. Gate source voltage static V GS V GS ± ± Power dissipation, T C = 25 C P tot G-TO220 C3 T C V DD
V DS T jmax G Ω GFP G2 G-TO220 P-TO220-3-31 1 2 3 G-TO220 C3 G PG-TO262 GFP SP000216354 T C T C t p T jmax V DD T jmax E AR V DD T jmax Gate source voltage static V GS V GS ± ± Power dissipation, T C =
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων. Συνδιαστικά Λογικά Κυκλώματα / Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 1
ΗΜΥ-210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Συνδυαστική Λογική / Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (Μέρος Γ) Διδάσκουσα: Μαρία Κ. Μιχαήλ Περίληψη Έξοδοι υψηλής εμπέδησης: απομονωτές tri-state, πύλες μετάδοσης Ολοκληρωμένα
Διαβάστε περισσότεραAluminum Electrolytic Capacitors (Large Can Type)
Aluminum Electrolytic Capacitors (Large Can Type) Snap-In, 85 C TS-U ECE-S (U) Series: TS-U Features General purpose Wide CV value range (33 ~ 47,000 µf/16 4V) Various case sizes Top vent construction
Διαβάστε περισσότεραSurface Mount Multilayer Chip Capacitors for Commodity Solutions
Surface Mount Multilayer Chip Capacitors for Commodity Solutions Below tables are test procedures and requirements unless specified in detail datasheet. 1) Visual and mechanical 2) Capacitance 3) Q/DF
Διαβάστε περισσότεραCapacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference
Capacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference Capacitors store electric charge. This ability to store electric charge is known as capacitance. A simple capacitor consists of 2 parallel metal
Διαβάστε περισσότερα65W PWM Output LED Driver. IDPV-65 series. File Name:IDPV-65-SPEC
IDPV65 series ~ A File Name:IDPV65SPEC 07060 IDPV65 series SPECIFICATION MODEL OUTPUT OTHERS NOTE DC VOLTAGE RATED CURRENT RATED POWER DIMMING RANGE VOLTAGE TOLERANCE PWM FREQUENCY (Typ.) SETUP TIME Note.
Διαβάστε περισσότεραElectrical Specifications at T AMB =25 C DC VOLTS (V) MAXIMUM POWER (dbm) DYNAMIC RANGE IP3 (dbm) (db) Output (1 db Comp.) at 2 f U. Typ.
Surface Mount Monolithic Amplifiers High Directivity, 50Ω, 0.5 to 5.9 GHz Features 3V & 5V operation micro-miniature size.1"x.1" no external biasing circuit required internal DC blocking at RF input &
Διαβάστε περισσότεραIDPV-45 series. 45W PWM Output LED Driver. File Name:IDPV-45-SPEC S&E
IDPV5 series S&E ~ A File Name:IDPV5SPEC 0805 IDPV5 series SPECIFICATION MODEL OUTPUT INPUT OTHERS NOTE DC VOLTAGE RATED CURRENT RATED POWER DIMMING RANGE VOLTAGE TOLERANCE PWM FREQUENCY (Typ.) SETUP TIME
Διαβάστε περισσότεραTheoretical Question 2: Strong Resistive Electromagnets SOLUTION
25 April 2 Page of 6 (Document Released: 4:3, 4/24) Theoretical Question 2: Strong Resistive Electromagnets SOLUTION Part A. Magnetic Fields on the Axis of the Coil (a) At the point xx on the axis, the
Διαβάστε περισσότερα+85 C General Purpose Radial Lead Aluminum Electrolytic Capacitors
+85 C General Purpose Radial Lead Aluminum Electrolytic acitors Applications Filtering Coupling Bypass Features Standard case sizes RoHS compliant Multiple case sizes Lead free Operating Temperature Range
Διαβάστε περισσότεραΒΡΑΧΥΧΡΟΝΙΑ ΠΕΡΙΟΔΟΣ
ΒΡΑΧΥΧΡΟΝΙΑ ΠΕΡΙΟΔΟΣ 1. Έστω ένας κλάδος όπου nn επιχειρήσεις έχουν την ίδια τεχνολογία. Η συνάρτηση κόστους της κάθε μιας επιχείρησης είναι CC() = 100 + 2. Η συνάρτηση ζήτησης του κλάδου είναι QQ DD =
Διαβάστε περισσότερα2R2. 2 (L W H) [mm] Wire Wound SMD Power Inductor. Nominal Inductance Packing Tape & Reel. Design Code M ±20%
Wire Wound SMD Power Inductors WPN Series Operating temperature range : -40 ~+125 (Including self-heating) FEATURES Fe base metal material core provides large saturation current Metallization on ferrite
Διαβάστε περισσότεραSmaller. 6.3 to 100 After 1 minute's application of rated voltage at 20 C, leakage current is. not more than 0.03CV or 4 (µa), whichever is greater.
Low Impedance, For Switching Power Supplies Low impedance and high reliability withstanding 5000 hours load life at +05 C (3000 / 2000 hours for smaller case sizes as specified below). Capacitance ranges
Διαβάστε περισσότεραLR Series Metal Alloy Low-Resistance Resistor
LR Series Metal Alloy LowResistance Resistor This specification is applicable to lead free, halogen free of RoHS directive for metal alloy lowresistance resistor. The product is for general purpose. The
Διαβάστε περισσότερα516(5,(6. LOW NOISE 150mA LDO REGULATOR
LOW NOISE ma LDO REGULATOR 6(,(6 NO. EA-7-4 OUTLINE 7KH6HULHVDUH&6EDVHGYROWDJHUHJXODWRU,&VZLWKKLJKRXWSXWYROWDJHDFFXUDF\H[WUHPHO\ORZVXS SO\FXUUHQWORZUHVLVWDQFHDQGKLJKLSSOHHMHFWLRQ(DFK RI WKHVH YROWDJH UHJXODWRU,&V
Διαβάστε περισσότεραLecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1
Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2101 LECTURE 210 DC ANALYSIS OF THE 741 OP AMP (READING: GHLM 454462) Objective The objective of this presentation is to: 1.) Identify the devices,
Διαβάστε περισσότεραTakeaki Yamazaki (Toyo Univ.) 山崎丈明 ( 東洋大学 ) Oct. 24, RIMS
Takeaki Yamazaki (Toyo Univ.) 山崎丈明 ( 東洋大学 ) Oct. 24, 2017 @ RIMS Contents Introduction Generalized Karcher equation Ando-Hiai inequalities Problem Introduction PP: The set of all positive definite operators
Διαβάστε περισσότεραLecture 23. Impedance, Resonance in R-C-L Circuits. Preparation for the Final Exam
Lecture 3. Impedance, Resonance in R-C-L Circuits (a) Start earlier! Preparation for the Final Exam (b) Review the concepts (lectures + textbook) and prepare your equation sheet. Think how you can use
Διαβάστε περισσότερα555 TIMER APPLICATIONS AND VOLTAGE REGULATORS
555 TIMER APPLICATIONS AND VOLTAGE REGULATORS OBJECTIVE The purpose of the experiment is to design and experimentally verify astable and monostable multivibrators using 555 timers; to design variable voltage
Διαβάστε περισσότεραC4C-C4H-C4G-C4M MKP Series AXIAL CAPACITORS PCB APPLICATIONS
C4C-C4H-C4G-C4M AXIAL CAPACITORS PCB APPLICATIONS General characteristics - Self-Healing - Low losses - High ripple current - High contact reliability - Suitable for high frequency applications 40 ±5 L
Διαβάστε περισσότεραΜοντελοποίηση Μηχανικών Συστημάτων Πολλών Βαθμών Ελευθερίας
Δυναμική Μηχανών Ι Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης Μοντελοποίηση Μηχανικών Συστημάτων Πολλών Βαθμών Ελευθερίας Άδεια Χρήσης Το παρόν υλικό βασίζεται στην παρουσίαση Μοντελοποίηση Μηχανικών Συστημάτων Πολλών
Διαβάστε περισσότεραΧρονική ανάλυση και χρονισμός ψηφιακών κυκλωμάτων
Χρονική ανάλυση και χρονισμός ψηφιακών κυκλωμάτων Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Συστήματα VLSI 1 What we should learn Συστήματα VLSI 2 Delay Definitions t pdr :
Διαβάστε περισσότερα[1] P Q. Fig. 3.1
1 (a) Define resistance....... [1] (b) The smallest conductor within a computer processing chip can be represented as a rectangular block that is one atom high, four atoms wide and twenty atoms long. One
Διαβάστε περισσότερα± 20% (rated cap. [µf] ) 1000 Leakage Current: For capacitance values > 33000µF, add the value of:
TS-UP Series 85 C, 3000 hours Compact size for general purpose and industrial applications 2 and 3 pin versions available 20mm lengths for low profile applications RoHS Compliant Rated Working Voltage:
Διαβάστε περισσότεραDC-DC Constant Current Step-Down LED driver LDD-300L LDD-350L LDD-500L LDD-600L LDD-700L CURRENT RANGE
SPECIFICATION ORDER NO. LDD-00L LDD-0L LDD-00L LDD-00L LDD-700L CURRENT RANGE 00mA 0mA 00mA VOLTAGE RANGE Note. ~ VDC for LDD-00~700L/LW ; ~ 8VDC for LDD-00~700LS CURRENT ACCURACY (Typ.) ±% at VDC input
Διαβάστε περισσότεραMultilayer Chip Capacitors C0G/NP0/CH
Multilayer Chip Capacitors C0G/NP0/CH Features Good thermal stability High insulation resistance Low dissipation factor Low inductance Applications Resonant circuits Filter circuits Timing elements Coupling
Διαβάστε περισσότεραLR Series Metal Alloy Low-Resistance Resistor
Tel : 881745 Fax : 881749 LR Series Metal Alloy LowResistance Resistor This specification is applicable to lead free, halogen free of RoHS directive for metal alloy lowresistance resistor. The product
Διαβάστε περισσότεραΜΑΘΗΜΑΤΙΚΗ ΠΡΟΤΥΠΟΠΟΙΗΣΗ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ ΚΑΙ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΗ ΠΡΟΤΥΠΟΠΟΙΗΣΗ 1 η ΣΕΙΡΑ ΑΣΚΗΣΕΩΝ Προβλήματα Αδιαστατοποίησης - Δυναμικής Πληθυσμών Άσκηση 3.3, σελίδα 32 από
Διαβάστε περισσότεραAnswers - Worksheet A ALGEBRA PMT. 1 a = 7 b = 11 c = 1 3. e = 0.1 f = 0.3 g = 2 h = 10 i = 3 j = d = k = 3 1. = 1 or 0.5 l =
C ALGEBRA Answers - Worksheet A a 7 b c d e 0. f 0. g h 0 i j k 6 8 or 0. l or 8 a 7 b 0 c 7 d 6 e f g 6 h 8 8 i 6 j k 6 l a 9 b c d 9 7 e 00 0 f 8 9 a b 7 7 c 6 d 9 e 6 6 f 6 8 g 9 h 0 0 i j 6 7 7 k 9
Διαβάστε περισσότεραPI5A121C SPST Wide Bandwidth Analog Switch
Features CMOS Technology for Bus and Analog Applications Low On-Resistance: 8Ω at 3.0V Wide V CC Range: 1.65V to 6.0V Rail-to-Rail Signal Range Control Input Overvoltage Tolerance: 6.0V Fast Transition
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Σημείωμα
Διαβάστε περισσότεραCSK series. Current Sensing Chip Resistor. Features. Applications. Construction FAITHFUL LINK
CSK series Current Sensing Chip Resistor Features» 3 Watts power rating in 1 Watt size, 1225 Package» Low TCR of ±100 PPM/ C» Resistance values from 1m to 1 ohm» High purity alumina substrate for high
Διαβάστε περισσότεραSunlord Specifications subject to change without notice. Please check our website for latest information. Revised 2018/04/15
Wire Wound SMD Power Inductors SPH Series Operating Temp. : -40 ~+125 (Including self-heating) FEATURES Magnetic-resin shielded construction reduces buzz noise to ultra-low levels Metallization on ferrite
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΕΥΦΥΗΣ ΕΛΕΓΧΟΣ
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΕΥΦΥΗΣ ΕΛΕΓΧΟΣ Ενότητα #6: Συστήματα Ασαφούς Λογικής Ασαφοποιητές - Αποασαφοποιητές Αναστάσιος Ντούνης Τμήμα Μηχανικών Αυτοματισμού
Διαβάστε περισσότεραΓΕΝΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ. Τμήμα Φαρμακευτικής Α εξάμηνο. Αριστείδης Δοκουμετζίδης. Ύλη. Διανύσματα. Πίνακες Ορίζουσες - Συστήματα. Διαφορικές εξισώσεις
1 ΓΕΝΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ Τμήμα Φαρμακευτικής Α εξάμηνο Αριστείδης Δοκουμετζίδης Ύλη Διανύσματα Πίνακες Ορίζουσες - Συστήματα Διαφορικές εξισώσεις ΔΙΑΝΥΣΜΑΤΙΚΟΣ ΛΟΓΙΣΜΟΣ Μία φυσική ποσότητα μπορεί να αναπαρίσταται
Διαβάστε περισσότεραΜοντελοποίηση Μηχανικών - Ηλεκτρικών - Υδραυλικών Θερμικών Συστημάτων
Δυναμική Μηχανών Ι Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης Μοντελοποίηση Μηχανικών - Ηλεκτρικών - Υδραυλικών Θερμικών Συστημάτων Άδεια Χρήσης Το παρόν υλικό βασίζεται στην παρουσίαση Μοντελοποίηση Μηχανικών - Ηλεκτρικών
Διαβάστε περισσότεραΔιακριτή Μοντελοποίηση Μηχανικών Συστημάτων
Δυναμική Μηχανών Ι Διδάσκων: Αντωνιάδης Ιωάννης Διακριτή Μοντελοποίηση Μηχανικών Συστημάτων Άδεια Χρήσης Το παρόν υλικό βασίζεται στην παρουσίαση Διακριτή Μοντελοποίηση Μηχανικών Συστημάτων του καθ. Ιωάννη
Διαβάστε περισσότεραMonolithic Crystal Filters (M.C.F.)
Monolithic Crystal Filters (M.C.F.) MCF (MONOLITHIC CRYSTAL FILTER) features high quality quartz resonators such as sharp cutoff characteristics, low loss, good inter-modulation and high stability over
Διαβάστε περισσότερα2. Laser Specifications 2 1 Specifications IK4301R D IK4401R D IK4601R E IK4101R F. Linear Linear Linear Linear
2. Laser Specifications 2 1 Specifications IK4301R D IK4401R D IK4601R E IK4101R F 441.6 441.6 441.6 441.6 30 50 70 100 TEM00 TEM00 TEM00 TEM00 BEAM DIAMETER ( 1/e2) 1.1 1.1 1.2 1.2 0.5 0.5 0.5 0.4 RATIO
Διαβάστε περισσότεραSMD Power Inductor. - SPRH127 Series. Marking. 1 Marking Outline: 1 Appearance and dimensions (mm)
Marking Outline: Low DCR, high rated current. Magnetic shielded structure Lead free product, RoHS compliant. RoHS Carrier tape packing, suitable for SMT process. SMT Widely used in buck converter, laptop,
Διαβάστε περισσότεραΣυστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι Ενότητα #4: Μαθηματική εξομοίωση συστημάτων στο επίπεδο της συχνότητας Μετασχηματισμός Laplace και
Διαβάστε περισσότεραIDPV-25 series. 25W PWM Output LED Driver. File Name:IDPV-25-SPEC S&E
5W PWM Output LED Driver IDPV5 series S&E ~ A File Name:IDPV5SPEC 0805 5W PWM Output LED Driver IDPV5 series SPECIFICATION MODEL IDPV5 IDPV5 4 IDPV5 6 IDPV5 48 IDPV5 60 DC VOLTAGE V 4V 6V 48V 60V CONSTANT
Διαβάστε περισσότερα