1.1.1 Poarta TTL standard

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "1.1.1 Poarta TTL standard"

Transcript

1 1 FML LOGCE plicaţiile din acest capitol îşi propun să prezinte familiile de porţi logice TTL şi CMOS, să facă un studiu comparativ al parametrilor şi caracteristicilor unor porţi logice realizate în cele două tehnologii fundamentale şi să analizeze sursele posibile de zgomote în sistemele reale cu circuite integrate numerice 11 Consideraţii teoretice 111 Poarta TTL standard Structura porţii Ş-NU (NND) în tehnologie TTL standard este dată în figura 11 Dacă tensiunea pe cel puţin una dintre intrări este nulă, tranzistorul T1 are cel puţin o joncţiune polarizată direct şi potenţialul bazei lui T1 este de circa,6 În aceste condiţii, tranzistorii T2 şi T3 sunt blocaţi, iar tranzistorul T4 conduce, rezultând la ieşire starea 1 logic Tensiunea la ieşire este OH (oltage Output High): OH CC BE ( T 4) F ( D1) R 1 R 2 R 4 4K 1K6 13 cc B T 1 T 2 T 4 D 1 out B B D D B R 3 1K T 3 Fig 11 Structura porţii Ş-NU în tehnologie TTL standard

2 8 1 FML LOGCE Fig 12 Caracteristica de transfer a inversorului TTL standard Fig 13 Consumul de curent de la sursa de alimentare Dacă tensiunile pe intrări sunt în 1 logic, joncţiunea BC a tranzistorului T1 conduce, polarizând baza tranzistorului T2 ntrarea în conducţie a lui T2 determină şi conducţia lui T3, rezultând la ieşire logic Tensiunea la ieşire este OL (oltage Output Low): Caracteristica f ( ) OL CEsat ( T 3) out in se numeşte caracteristica de transfer de tensiune a porţii şi are forma din figura 12, pentru o anumită tensiune de alimentare şi temperatură Tensiunea de intrare se aplică simultan pe cele 2 intrări şi B ale porţii, care devine astfel un simplu inversor ariaţia consumului de curent de la sursa de alimentare se poate vedea pe caracteristica din figura 13 Standardul TTL garantează anumite valori de tensiune pentru cele patru nivele logice de ieşire şi intrare în poarta logică Pentru o încărcare a ieşirii cu 1 intrări TTL standard (fan-out 1), aceste nivele garantate sunt:

3 11 Consideraţii teoretice 9 - L, nivelul de tensiune necesar pentru a avea logic la intrare: L L max,8 - H, nivelul de tensiune necesar pentru a avea 1 logic la intrare: H H min 2 - OL, nivelul de tensiune de la ieşire în starea logic: OL OL max,4 - OH, nivelul de tensiune de la ieşire în starea 1 logic: OH OH min 2,4 Caracteristica in f ( in ) se numeşte caracteristică de intrare şi este reprezentată în figura 14, pentru o anumită tensiune de alimentare şi temperatură Caracteristica ( ) out f out se numeşte caracteristică de ieşire Există două caracteristici de ieşire, câte una pentru fiecare din cele două stări logice (figurile 15 şi 16) Figura 17 prezintă o comparaţie între caracteristicile de transfer pentru diverse grupe ale familiei logice TTL Se observă asemănarea lor, deci putem spune că toate grupele TTL se pot interconecta direct, cu observaţia că frecvenţa de lucru trebuie să fie mai mică decât frecvenţa maximă a celor mai lente circuite din structură Structura porţii Ş-NU cu colector în gol (open colector) este reprezentată în figura 18 În circuitul de ieşire a tranzistorului cu colector în gol se conectează rezistenţa R C ceastă modificare permite deplasarea nivelului semnalului logic de la ieşire din TTL (circa - 4) în - cc, unde cc poate fi o tensiune mai mare de 5 Configuraţia cu colector în gol permite şi realizarea funcţiei logice Ş, prin conectarea directă a ieşirilor, fără a mai utiliza alte porţi logice în acest scop Circuitul astfel obţinut se numeşte Ş CBLT, deoarece funcţia Ş a fost obţinută numai prin cablarea împreună a ieşirilor Fig 14 Caracteristica de intrare Fig 15 Caracteristica de ieşire în 1 logic Fig 16 Caracteristica de ieşire în logic Fig 17 Diverse grupe TTL

4 1 1 FML LOGCE R 1 R 2 4K 1K6 cc + B T 1 T 2 R C out B * R C B D D B R 3 1K T 3 Fig 18 Structura porţii Ş-NU cu colector în gol CC R C CC R C H L OH OH OL OH H n N curenţii în circuit pentru 1 logic L n N curenţii în circuit pentru logic Fig 19 Calculul rezistenţei R C Dezavantajul acestei structuri este dat de faptul că rezistenţa de ieşire este dată de valoarea rezistenţei R C, valoare mai mare decât rezistenţa de ieşire a etajului în contratimp de la poarta standard aloarea rezistenţei R C depinde de numărul n al porţilor cu colector în gol conectate în paralel şi de numărul N al sarcinilor comandate Din condiţia de respectare a nivelelor standard de tensiune pentru fiecare dintre cele două nivele logice rezultă două valori pentru R C, iar valoarea rezistenţei se alege în acest interval pentru 1 logic: ( ) n + N R min, deci OH CC OH H C OH R C max n CC OH max + N OH min H max pentru logic: OL CC ( OL N L ) RC OLmax, deci R C min CC OL max N OL max L max

5 11 Consideraţii teoretice Poarta logică CMOS Configuraţia logică fundamentală la circuitele CMOS (Complementary-symmetry MOS) este cea de inversor, configuraţie prezentată în figura 11 Dacă la intrare se aplică nivelul logic 1 (tensiunea +), tranzistorul T1 intră în conducţie şi tranzistorul T2 se blochează, iar la ieşire nivelul logic este (o tensiune practic nulă) La aplicarea unei tensiuni nule pe intrare se blochează T1 şi intră în conducţie T2, ieşirea fiind în acest caz la nivelul logic 1 (tensiunea de alimentare +) f se numeşte caracteristica de transfer de tensiune a porţii, Caracteristica out ( in ) iar caracteristica ( ) ( ) + f in este caracteristica de curent (în figura 11, ( + ) este notat cu ( DD) ; valoarea negativă a curentului indică faptul că acesta este absorbit de la sursă) Sunt puse în evidenţă 5 regiuni pe parcursul variaţiei tensiunii de intrare în domeniul + : - în regiunea, pentru in TN, unde TN este tensiunea prag pentru tranzistorul T1 (nmos), T1 blocat şi T2 este în conducţie liniară, iar out + Consumul de curent de la sursa de alimentare este practic nul, unul dintre tranzistoare fiind blocat; - în regiunea, definită pentru intervalul TN < in out TP, T1 este saturat şi T2 rămâne în conducţie liniară TP este tensiunea prag pentru tranzistorul T2 (pmos) şi are o valoare negativă; - în regiunea, definită pentru intervalul out TP < in out + TN, ambele tranzistoare sunt saturate, iar consumul de curent de la sursă este maxim Regiunea oferă o comportare identică cu regiunea, dar de data aceasta stările tranzistoarelor sunt inversate, adică T1 este în conducţie liniară, iar T2 este în saturaţie, iar în regiunea, tranzistorul T1 rămâne în conducţie liniară, iar T2 intră în blocare + 15 T 2 in out T 1 Fig 11 Structura de inversor CMOS şi caracteristicile de transfer

6 12 1 FML LOGCE Datorită faptului că cele două tranzistoare din structură au caracteristici aproape identice, pragul de basculare a stării logice este situat la jumătatea excursiei semnalului logic de intrare şi la jumătatea tensiunii de alimentare, frontul crescător al semnalului de ieşire este aproximativ egal cu cel descrescător, iar consumul static de curent este practic nul (familie logică ideală) Configuraţia unei porţi logice în tehnologie CMOS este direct legată de funcţia logică cerută Structura din figura 111 este o poartă Ş-NU cu 2 intrări, dar ieşirea din nodul 4 este trecută prin alte două structuri inversoare ca cele din figura 11 pentru a obţine o caracteristică cât mai apropiată de una ideală şi pentru a asigura simetria ieşirii faţă de + şi faţă de masă eşirea din nodul 7 al structurii este ieşirea porţii logice, ieşire care este disponibilă la unul dintre pinii circuitului integrat Simulările s-au făcut pentru o tensiune de alimentare de +15, dar, la circuitele CMOS din seria 4, de care ne ocupăm la laborator, tensiunile de alimentare pot fi alese între +3 (tensiune impusă de existenţa obligatorie a zonelor şi din figura 11, ştiind că 1, ) şi +18, sau chiar +2, în funcţie de structura circuitului respectiv TN TP 5 Nivelele logice de ieşire şi intrare garantate prin standard sunt: - L, nivelul de tensiune necesar pentru a avea logic la intrare: L Lmax 3% + - H, nivelul de tensiune necesar pentru a avea 1 logic la intrare:h H min 7% + - OL, nivelul de tensiune de la ieşire în starea logic:,5 OL OLmax - OH, nivelul de tensiune de la ieşire în starea 1 logic: 5 OH OH min +, Fig 111 Structura porţii Ş-NU cu 2 intrări şi caracteristici de transfer

7 11 Consideraţii teoretice 13 munitatea la zgomot se defineşte ca fiind tensiunea maximă de zgomot prezentă la intrare, care nu comută parazit poarta Se observă că marginile de zgomot garantate sunt de 3% din valoarea tensiunii de alimentare, dar practic ele pot atinge 45% din valoarea tensiunii de alimentare ([rdelean, 1986]) mpedanţa de intrare de curent continuu este de circa 1 12 Ω, deoarece intrarea inversorului este complet izolată de substrat prin dielectricul capacitorului poartă-substrat, care are o grosime de circa 1 Å Orice sursă de tensiuni electrostatice poate astfel genera o tensiune mare pe poartă, care să producă distrugerea ireversibilă a stratului izolator, prin străpungere ceastă impedanţă mare este atenuată în mare măsură de dispozitivele amplasate pentru protecţia intrării (vezi figura 112) şi de elementele parazite proprii circuitului integrat şi montajului în care acesta se găseşte Cu toate acestea, valoarea impedanţei de intrare depăşeşte 1 MΩ, fapt ce influenţează favorabil posibilitatea comandării în curent continuu a unui număr mare de intrări CMOS ici, practic nu sunt limite teoretice ale "fan-out"-ului, el fiind limitat de fapt numai de sarcina capacitivă de circa 5pF pentru fiecare intrare CMOS De remarcat un parametru de catalog care surprinde la prima vedere, deoarece curentul de intrare la un circuit CMOS este considerat de obicei nul: DC input current ± 1 Este vorba de curentul maxim ce poate trece prin diodele din reţeaua de protecţie, în orice sens, deoarece aceste diode se pot deschide fie în conducţie directă, fie în conducţie inversă, prin efect Zener vem de-a face şi aici cu o valoare maximă absolută, ca şi tensiunea de alimentare de +18! Depăşirea acestor valori are ca efect distrugerea cu mare probabilitate a structurii! Comportamentul ieşirii este preponderent rezistiv, un tranzistor MOS având o rezistenţă drenă-sursă mai mică de 1KΩ în conducţie şi mai mare de 1MΩ în blocare cest lucru determină o sensibilitate crescută la sarcini capacitive de ieşire, sarcini ce influenţează viteza de comutare şi puterea consumată de circuit Pe de altă parte, limitarea curentului de saturaţie la tranzistoarele MOS asigură protecţia ieşirilor la scurtcircuite accidentale la masă sau la +, cu condiţia ca valoarea tensiunii de alimentare, durata scurtcircuitului şi numărul de ieşiri aflate în scurtcircuit să nu provoace distrugerea circuitului integrat prin ambalare termică + m in D D 1 D 1 T D R out D 2 T 1 D 2 Fig 112 Circuitul de protecţie a intrării la seria CMOS 4

8 14 1 FML LOGCE 113 Zgomote şi reflexii Zgomotele sunt semnale perturbatoare, nedorite, care pot afecta funcţionarea structurilor numerice La aplicarea unui algoritm de sinteză a unei structuri numerice proiectantul foloseşte modele teoretice în care ecuaţiile boolene exprimă perfect funcţiile dorite La implementarea acestor ecuaţii cu circuite integrate reale se constată că porţile logice au anumite limitări, iar firele de conexiune pot distorsiona forma semnalului transmis Ne putem aştepta în anumite condiţii la o funcţionare incorectă a structurilor numerice, iar dacă aceasta este aleatoare, evenimentul este cu atât mai grav Structurile numerice implementate în tehnologia CMOS - 4 se apropie de modelul ideal Fiind circuite lente, ele sunt în mică măsură afectate de zgomote şi reflexii Familiile logice rapide pot produce însă mari neplăceri, chiar şi în cazul unor conexiuni relativ scurte (de ordinul centimetrilor) Zgomotul generat de reflexii pe liniile de transmisiune Reflexiile se produc la capetele firelor sau traseelor de circuit imprimat în cazul neadaptării dintre impedanţa de ieşire şi impedanţa liniei Unui semnal care parcurge linia de transmisiune aceasta i se înfăţişează ca o impedanţă constantă numită impedanţă caracteristică Dacă se neglijează valorile rezistenţelor distribuite şi se notează cu L inductanţa liniei pe unitatea de lungime şi cu C capacitatea ei pe unitatea de lungime, atunci impedanţa caracteristică a liniei este ([Nicula, 1994]): Z L C iar viteza de propagare a semnalului pe linia de transmisiune este: v 1 L C Considerăm acum circuitul din figura 113, care generează la momentul de timp t o tranziţie de la la d, tranziţie care se propagă pe linie până la destinaţia cu impedanţa terminală Z t La propagarea pe linie Z d, unde d este curentul care circulă pe linie d datorită tensiunii d Tensiunea şi curentul parcurg linia ca o funcţie treaptă, aşa cum se vede în figura 113 Când tranziţia atinge destinaţia, aceasta se prezintă ca o impedanţă Z t Dacă Zt Z atunci legea lui Ohm este în continuare satisfăcută şi nu apar reflexii Dacă însă Zt Z, tensiunea şi curentul trebuie să se modifice pentru a asigura verificarea legii lui Ohm şi la bornele rezistenţei terminale Schimbarea are ca efect apariţia unui semnal tranzitoriu numit reflexie care va străbate linia în sens invers, de la destinaţie la sursă Dacă Zt > Z acest semnal se va aduna la cel original, iar dacă Zt < Z se va scădea din acesta

9 11 Consideraţii teoretice 15 Z s s Z Z t sursa destinaţia Circuitul v d distanţa Semnalul înainte de atingerea receptorului d t Semnalul după reflexie (cazul Z > Z ) t d t Semnalul după reflexie (cazul Z < Z ) t distanţa distanţa Fig 113 Reflexiile pe liniile de transmisiune Dacă folosim indicii d pentru semnalele directe, i pentru cele inverse şi t pentru cele tranzitorii, atunci putem scrie legile lui Kirchoff considerând rezistenţa terminală ca un sistem închis: t d + i şi t d + i t d i Conform legii lui Ohm: Zt pe sarcină, Z înainte de sarcină, şi Z t d i după sarcină Prin rezolvarea sistemului format din ecuaţiile de mai sus se deduce valoarea saltului de tensiune în funcţie de impedanţa caracteristică şi cea de terminaţie: Z Z t i d Zt + Z Raportul K Z Z t se numeşte coeficientul de reflexie a tensiunii şi măsoară Zt + Z raportul dintre tensiunea undei reflectate şi tensiunea undei directe Unda se va propaga în continuare de la sarcină spre sursă, în sens invers Când unda reflectată atinge sursa se poate produce o nouă reflexie dacă Z este diferită de Z S Reflexiile vor continua între sursă şi destinaţie însă amplitudinea lor este atenuată datorită pierderilor prin rezistenţele ohmice ale liniei, care au fost neglijate până acum Efectul reflexiilor se materializează prin apariţia unor oscilaţii care însoţesc tranziţiile între cele două nivele logice ceste oscilaţii pot fi cauza funcţionării necorespunzătoare a unui sistem numeric Există o metodă grafică care permite analiza reflexiilor pe linii, cunoscută ca metoda diagramelor lui Bergeron Ea foloseşte caracteristicile de intrare şi ieşire ale

10 16 1 FML LOGCE B Z 1 Ω Fig 114 nterconexiunea dintre 2 porţi TTL standard porţilor studiate şi presupune cunoscută impedanţa caracteristică a liniei om exemplifica metoda pentru două porţi TTL standard conectate printr-o linie cu impedanţa caracteristică de 1Ω (pentru circuite imprimate Z are valori cuprinse între 8Ω şi 2Ω) Figura 115 prezintă caracteristicile de intrare şi cele de ieşire pentru cele 2 stări logice ale unui circuit tipic din seria TTL standard Prima diagramă este utilizată pentru evaluarea tranziţiei logice din în 1 Dreapta de pantă Z ce reprezintă linia de transmisie va intersecta caracteristica de ieşire în starea logică 1, punct care va determina la momentul de timp t tensiunea de ieşire a porţii emiţătoare, tensiune de circa 1,75 Din acest moment panta liniei de transmisie devine Z şi de această dată va intersecta caracteristica de intrare Pentru evaluarea tranziţiei logice din 1 în se foloseşte a doua diagramă Dreapta de pantă Z va intersecta caracteristica de ieşire în starea logică la circa,25 Din acest punct, dreapta cu panta modificată intersectează caracteristica de intrare la circa -1,5, valoarea tensiunii în punctul B, şi aşa mai departe până la amortizarea reflexiilor Formele de undă rezultate în urma tranziţiilor sunt reprezentate în figura 116, iar figura 117 arată câteva forme de undă vizualizate pe osciloscop pentru porţile TTL standard S observă că poarta de ieşire comută normal, în ciuda reflexiilor existente pe linia de intrare, dar aceste reflexii pun în pericol funcţionarea corectă a circuitului La ora actuală, pachetele CD care permit analiza prin simulare a sistemelor numerice, cum ar fi, de exemplu, Protel 99 SE, permit şi simularea reflexiilor care apar pe linii Fig 115 Diagramele Bergeron pentru cele două tranziţii posibile

11 11 Consideraţii teoretice 17 [] [] τ 2 τ t 1 τ 2 τ t B 4 [] B 4 [] τ 2 τ t 1 τ 2 τ t tranziţia din în 1 tranziţia din 1 în Fig 116 Formele de undă teoretice în punctele şi B pentru cele 2 tranziţii Fig 117 Forme de undă reale vizualizate pe osciloscop Pentru reducerea efectului reflexiilor se recomandă utilizarea unor conexiuni cât mai scurte (reflexiile se produc pe durata frontului, iar palierele îşi păstrează valorile logice), adaptarea liniei lungi pe rezistenţa caracteristică prin plasarea unui divizor rezistiv în punctul B, sau prin folosirea unor porţi cu histerezis pentru mărirea marginii de zgomot în curent continuu alorile rezistenţelor de adaptare ar putea fi cu până la un ordin de mărime mai mari, sau, una dintre ele, ar putea lipsi complet Se mai poate mări şi impedanţa de ieşire a porţii, prin amplasarea unei rezistenţe de zeci de ohmi între punctele şi B ([Nicula, 1994]) Ω B Z 1 47 Ω Ω Fig 118 daptarea liniei pe impedanţa caracteristică şi formele de undă reale

12 18 1 FML LOGCE Zgomotul generat de diafonia dintre liniile de transmisiune Datorită apropierii dintre două linii din circuit, semnalul existent pe una din ele poate influenţa nedorit semnalul de pe cealaltă linie cest cuplaj se face prin intermediul unor capacităţi şi inductanţe mutuale Dacă notăm cu Z M impedanţa mutuală dintre două linii şi pe una din ele avem o tranziţie de tensiune OUT, atunci în cealaltă apare o tranziţie de tensiune: N Z Z + Z M 1 OUT Z 1+ Z M OUT Pentru micşorarea efectelor diafoniei trebuie mărită impedanţa mutuală Z M şi micşorată impedanţa caracteristică Z Prima condiţie se realizează prin folosirea unor medii izolatoare cât mai bune şi evitarea menţinerii în paralel a unor trasee apropiate pe lungime mare doua condiţie presupune alăturarea unor trasee de masă (plan de masă, fire de masă între fire de semnale utile etc) Zgomotul generat de injecţia de curent cest tip de zgomot se manifestă la porţile cu mai multe intrări ariaţia curentului printr-un emitor al tranzistorului multiemitor de intrare într-o poartă TTL poate fi zgomot pentru celelalte intrări Se produce de fapt un salt de curent, care produce un salt de tensiune pe intrările conectate la impedanţa caracteristică Dacă intrarea a porţii Ş-NU din figura 11 este conectată la masă printr-o linie cu impedanţa caracteristică de 2Ω, iar intrarea B comută din în 1 logic, atunci în apare un salt de curent de la,8m la 1,6m, care va genera la intrarea un salt de tensiune de,16 cest zgomot este cu atât mai mic cu cât curenţii de intrare sunt mai mici şi amplitudinea lui este prea mică pentru a produce modificarea parazită a nivelului logic la intrare El ar putea însă interveni împreună cu alte zgomote într-o conjunctură nefavorabilă care să perturbe funcţionarea corectă a circuitului ([Nicula, 1994]) Reducerea efectelor acestui zgomot se face prin folosirea unei legături scurte, cu impedanţă caracteristică mică şi prin evitarea folosirii porţilor cu mai multe intrări pe anumite linii de sistem Zgomotul generat de variaţia curentului de alimentare Sursa acestui zgomot o constituie inegalitatea dintre curenţii absorbiţi de circuit în cele două stări logice şi 1 La comutarea rapidă a porţilor din circuit apare o variaţie a tensiunii de alimentare a circuitelor integrate, datorită inductanţei parazite a liniei de alimentare Pe de altă parte, la comutare apar pulsuri tranzitorii de curent datorită capacităţilor parazite de la ieşirile porţilor din circuit Metodele de reducere a zgomotului constau în reducerea inductanţei liniei de alimentare prin utilizarea unor plane de alimentare (trasee cât mai groase) şi în plasarea condensatoarelor ceramice de decuplare care filtrează pulsaţiile tranzitorii de înaltă frecvenţă ce nu pot fi eliminate de condensatoarele electrolitice

13 12 Demonstraţii practice 19 Zgomotul generat de traseele de masă Cauzele acestui zgomot sunt discontinuităţile de impedanţă a traseelor de masă şi închiderea curenţilor spre masă pe trasee incorecte ceste fluxuri de curent determină căderi de tensiune parazite care se suprapun peste semnalul util Reducerea acestui zgomot se face printr-o maximă separare a traseelor de alimentare pentru fiecare circuit de pe placă şi existenţa unui plan de masă Zgomotul generat de interferenţe electromagnetice Sursele acestui zgomot pot fi: reţeaua de alimentare cu tensiune alternativă, motoare, relee, întrerupătoare sau alte dispozitive generatoare de câmp electromagnetic Reducerea zgomotului se face prin ecranare sau filtre de reţea 12 Demonstraţii practice Se alimentează panoul logic cu o tensiune de 5 de la o sursă de tensiune reglabilă TENŢE L RESPECTRE POLRTĂŢ Ş L LORE NŢLĂ TENSUN! Datorită diodei de protecţie la alimentare inversă, se măsoară cu un voltmetru tensiunea între pinii de alimentare indicaţi de catalog (la circuitele de pe panou, între pinii 14 şi 7, aşa cum se arată în figura 119) Se porneşte de la şi se măreşte tensiunea de la sursă, până ce valoarea măsurată ajunge la +5 ceastă tensiune este tensiunea nominală de alimentare pentru circuitele TTL aloarea limită absolută de catalog este de +7 la circuitele TTL şi de +18 la circuitele CMOS seria 4 Depăşirea valorii limită absolute va distruge cu o mare probabilitate circuitul integrat! Circuitele CMOS din seria 4 nu au o tensiune nominală precizată Tensiunea de alimentare trebuie să fie sub valoarea limită absolută de circa +18 şi mai mare de circa +3, pentru a asigura o comutare stabilă Tensiunile de alimentare folosite în lucrare pentru aceste circuite sunt de +5, +1 şi + 15 Observaţiile de mai sus sunt valabile pentru toate panourile logice folosite şi în alte capitole, aşa că nu vom mai reveni cu aceste indicaţii Dacă un panou logic are cordon de alimentare la reţea, atunci există o sursă de alimentare cu tensiune continuă încorporată, iar panoul NU M TREBUE LMENTT la o sursă de tensiune de laborator! + _ _ 5 cc Fig 119 Stabilirea tensiunii corecte de alimentare a panoului logic

14 2 1 FML LOGCE 121 Se realizează montajul din figura 12 La intrarea porţii Ş-NU, în tehnologie TTL standard (circuitul integrat CDB4, echivalent cu SN74), cu intrările conectate împreună, se aplică o tensiune continuă, variabilă între şi 5, iar valorile măsurate ale tensiunii de ieşire se trec într-un tabel Se reprezintă punct cu punct caracteristica statică de transfer out f( in ) Să se compare cu caracteristica de transfer din figura 12, obţinută prin simulare analogică PSPCE Se repetă măsurătorile pentru o poartă Ş-NU cu 2 intrări realizată în tehnologie CMOS 4 (circuitul integrat MMC411, echivalent cu CD411), având grijă ca tensiunea de intrare să nu depăşească tensiunea de alimentare Se folosesc următoarele tensiuni de alimentare: CC + 5, CC +1 şi +15 CC Se măsoară nivelele logice şi se compară cu valorile garantate prin standard Caracteristica de transfer pentru CC +15 se compară cu caracteristica de transfer din figura 111, obţinută prin simulare analogică PSPCE Sarcina porţii este considerată rezistenţa de intrare a voltmetrului folosit pentru măsurare cc +5 in 5 + _ + _ sarcină out Fig 12 Montajul pentru trasarea punct cu punct a caracteristicii de transfer 122 Se realizează montajul din figura 121 pentru poarta TTL standard La intrarea porţii Ş-NU cu intrările conectate împreună se aplică un semnal sinusoidal cu amplitudinea de circa 4 şi frecvenţa de circa 1Hz Se scoate baza de timp a osciloscopului şi pe ecranul tubului catodic apare caracteristica de transfer Măsuraţi nivelele logice de ieşire şi intrare garantate prin standard Modificaţi sarcina porţii prin adăugarea circuitului care simulează 1 intrări TTL standard (vezi figura 124) şi refaceţi măsurătorile Comentaţi modificarea caracteristicii cu frecvenţa semnalului de intrare şi explicaţi ce se întâmplă dacă una dintre intrările porţii este lăsată în aer Se repetă montajul pentru poarta CMOS 4 nalizaţi modificarea caracteristicii cu modificarea tensiunii de alimentare şi stabiliţi tensiunea minimă de alimentare Scurtcircuitaţi pe rând ieşirea porţii la masă şi apoi la CC şi observaţi ce se întâmplă generator cc +5 in R int sarcină out Y X Fig 121 Montajul pentru vizualizarea caracteristicii de transfer

15 12 Demonstraţii practice Se măsoară în cazurile cele mai defavorabile curenţii de intrare pentru cele două nivele logice la poarta TTL standard, folosind montajele din figura 122 Testarea în cazul cel mai defavorabil este realizată pentru toate circuitele, pentru a garanta funcţionarea în toate condiţiile posibile CC are valoarea maximă admisă (+5,25 la seria 74SN) pentru a maximiza curentul L Cu excepţia intrării supuse testării, celelalte intrări nefolosite sunt conectate la 1 logic pentru a maximiza orice contribuţie a acestor intrări asupra curentului de intrare L cest 1 logic este de 4,5, valoare în general superioară lui OH Comparaţi rezultatele obţinute prin măsurare cu cele din figura 14, obţinute prin simulare PSPCE alorile obţinute trebuie să fie în concordanţă cu datele de catalog: 1, 6m 4µ L LMX H HMX DCĂ MPERMETRUL ESTE NLOGC (TP MO-35), TENŢE L POLRTTE Ş L DOMENUL DE MĂSURĂ! cc +5,25 cc +5,25 L,4_ +4,5 m + H 2,4 + m H _ L Fig 122 Montajele pentru măsurarea curentului de intrare la poarta TTL 124 Folosind montajul din figura 123 se trasează caracteristicile de ieşire ale porţii TTL standard Dacă ampermetrul este analogic (tip MO-35), atenţie la polaritate şi la domeniul de măsură! Comparaţi rezultatele cu cele din figurile 15 şi 16, obţinute prin simulare analogică PSPCE cc +5 out _ m + + (+) (-) _ out 5K 1 Fig 123 Montajul pentru trasarea caracteristicilor de ieşire la poarta TTL 125 Se măsoară timpii de propagare prin poarta TTL cu ajutorul montajului din figura 124 Generatorul furnizează la intrare impulsuri TTL cu frecvenţa de câţiva MHz Circuitul de ieşire ( CL 15 pf ) simulează încărcarea porţii cu o sarcină echivalentă cu 1 intrări TTL standard Se măsoară timpii de propagare şi pentru C 22 L pf şi se compară rezultatele Dacă performanţele osciloscopului nu sunt satisfăcătoare pentru efectuarea măsurătorii, se poate încerca înserierea mai multor porţi identice şi medierea rezultatelor astfel obţinute Se repetă măsurătoarea pentru poarta CMOS, folosind la intrare impulsuri de amplitudine 5 Sarcina porţii este dată acum numai de condensatorul C, iar intrările sunt L

16 22 1 FML LOGCE in out 5% 5% t phl t plh 5% 5% generator cc +5 TTL R int +2,4 out 4Ω in C L Fig 124 Definirea timpilor de propagare şi montajul pentru măsurarea lor la poarta TTL conectate împreună Pe un osciloscop cu 2 canale se vizualizează atât semnalul de intrare cât şi semnalul de la ieşirea porţii logice Prin suprapunerea celor două semnale se măsoară cei doi timpi de propagare t PHL şi t PLH Se verifică egalitatea aproximativă a celor doi timpi de propagare la poarta CMOS Studiaţi variaţia timpilor de propagare cu modificarea tensiunii de alimentare şi cu modificarea sarcinii de la ieşirea porţii CMOS şi comparaţi valorile măsurate cu datele de catalog 126 Se realizează montajul din figura 125, folosind al doilea circuit integrat de pe panoul logic TTL Se calculează limitele de variaţie admise pentru valoarea rezistenţei de colector şi se verifică dacă rezistenţa de pe panou se încadrează între aceste limite Se verifică conexiunea "Ş cablat" folosind tabelul de adevăr al funcţiei binare Y, precum şi excursia tensiunii la ieşire cc +5 R C Y Y B C B C Fig 125 Montajul pentru verificarea conexiunii "Ş cablat" 127 Se realizează montajul din figura 126 Se vizualizează formele de undă la ieşirea porţii CMOS (tensiunea de ieşire) şi pe rezistenţa înseriată în circuitul de alimentare (curentul consumat de circuitul integrat) ntrările celorlalte porţi logice din circuitul integrat se conectează la nivele logice stabile, sau 1 stfel consumul de curent al circuitului integrat este dat în exclusivitate de poarta care comută Comentaţi imaginea de pe ecranul tubului catodic Ce se întâmplă dacă se măreşte tensiunea de alimentare? Dar dacă se măreşte frecvenţa impulsurilor aplicate la intrare? cest comportament se întâlneşte la orice structură CMOS, nu neapărat numai la seria 4 Şi procesoarele Pentium au un comportament similar cest consum de curent pe poartă la comutare, determină o creştere accentuată a disipaţiei termice odată cu creşterea frecvenţelor de lucru Care este soluţia adoptată în ultimul timp pentru rezolvarea acestei probleme? (vezi problema 135)

17 12 Demonstraţii practice 23 generator impulsuri DD +5 R int sarcină in R Y1 Y2 Fig 126 Montaj pentru estimarea consumului circuitului integrat care conţine poarta CMOS din seria Se realizează circuitul din figura 114 folosind două porţi TTL standard şi un cablu de conexiune lung (de circa 2 m) Se introduce pe intrarea primei porţi un semnal TTL cu o frecvenţă de circa 5 MHz Se vizualizează semnalele în punctele şi B când conductorul B este scurt şi atunci când are o lungime de circa 1m Desenaţi semnalele vizualizate şi explicaţi forma lor Măsuraţi întârzierea semnalului pe linia lungă B 129 Se dublează circuitul din figura 114 şi cele două linii lungi se apropie pe o lungime cât mai mare una de alta Se aplică un semnal TTL pe intrarea unui circuit şi se vizualizează pe linia celuilalt circuit semnalul indus datorită diafoniei 121 Se realizează montajul din figura 127 pentru vizualizarea zgomotului datorat injecţiei de curent Se aplică semnal TTL pe linia, iar linia B se conectează la masă prin intermediul unui conductor lung Urmăriţi apariţia pulsurilor de tensiune în punctul B sincron cu semnalul din punctul şi măsuraţi durata şi amplitudinea lor B Fig 127 Circuit pentru evidenţierea zgomotului datorat injecţiei de curent la TTL 1211 Se conectează toate porţile circuitului integrat TTL la sursa de semnal TTL, pentru o comutare sincronă a lor Se conectează în serie cu sursa de alimentare un fir cu inductanţă mare (se bobinează nişte spire pe un tor de ferită) Linia de alimentare poate fi astfel asimilată unei linii lungi de transport al tensiunii Se vizualizează variaţia tensiunii de alimentare pe pinul cc al circuitului integrat Măsuraţi durata şi amplitudinea variaţiilor şi desenaţi formele de undă Repetaţi măsurătorile după cuplarea unui condensator de decuplare între cc şi GND 1212 Să se imagineze şi să se experimenteze un montaj pentru vizualizarea zgomotelor datorate formei traseelor de masă

18 24 1 FML LOGCE 13 Probleme rezolvate 131 Să se calculeze valoarea maximă a rezistenţei ce poate fi cuplată între două inversoare TTL standard, fără a afecta funcţionarea lor R Rezolvare: Fig 128 Rezistenţă conectată între 2 inversoare TTL standard - pentru starea logică la ieşirea primului inversor: LMX OLMX 8, 4, RMX 25Ω LMX 1, 6m O valoare mai mare a rezistenţei nu mai asigură un curent de intrare suficient pentru al doilea inversor - pentru starea logică 1 la ieşirea primului inversor: OH min H min 24, 2 RMX 1KΩ 4µ HMX Deci starea logică este cea care limitează valoarea maximă a rezistenţei la 25Ω Oricum introducerea unei rezistenţe de această valoare elimină complet marginea de zgomot de curent continuu pentru nivelul de logic 132 Două porţi cu colector în gol sunt conectate ca în figura 129 Caracteristicile de intrare ale inversoarelor TTL sunt cele standard, iar caracteristicile de ieşire ale porţilor cu colector în gol sunt: OHMX 1µ, OLMX, 4, iar 16 OLMX m a) Să se scrie expresia funcţiei de ieşire f b) Să se dimensioneze rezistenţa de colector, astfel încât marginea de zgomot în starea 1 logic să fie mai mare de 1 c) Să se calculeze marginea de zgomot în starea logic + CC R B C D * * 1 8 f (, B, C, D) Fig 129 Schema logică pentru problema 132 Rezolvare: f, B, C, D B C D CC H min MH b) RMXH a) ( ) ( ) OHMX HMX , 846KΩ 2 1, m + 8 4, m

19 13 Probleme rezolvate 25 R min L CC OLMX 8 OLMX LMX 5 4, 1, 437KΩ 16m 8 1, 6m Se alege pentru rezistenţa R o valoare standardizată cuprinsă în intervalul [1,437KΩ 3,846KΩ] Nu am luat aici în considerare variaţiile admisibile ale tensiunii de alimentare n această situaţie, ar trebui să luăm în calcul valoarea care minimizează R MXH, adică CC min, respectiv valoarea care maximizează R min L, adică CCMX c) M 4, 8, 4, L OLMX LMX 133 Se înlocuiesc cele 8 inversoare ale circuitului din figura 129 cu un număr necunoscut N de porţi Ş-NU cu câte 2 intrări conectate împreună, în tehnologie TTL standard Să se calculeze N, dacă se ştie că R 1KΩ şi marginea de zgomot în 1 logic trebuie să fie mai mare de 1 Rezolvare: - pentru starea logică 1: ( ) R 2 OHMX + 2 NH HMX CC H min MH, adică CC H min MH 2 R OHMX KΩ, 1m N H 22, 5 2 R HMX 2 1KΩ 4, m Curentul de intrare în poartă pentru starea logică 1 este suma curenţilor de pe fiecare intrare Dacă variază şi CC, atunci se ia în calcul CC min - pentru starea logică : ( ) R OLMX NL LMX CC OLMX CC OLMX R OLMX K m N L , + 1 Ω 16 7, 12 R LMX 1KΩ 16, m Curentul de intrare în poartă pentru starea logică este acelaşi, indiferent de numărul de intrări ale porţii Dacă variază şi CC, atunci se ia în calcul CCMX Deci răspunsul este N Care este marginea de zgomot asigurată de conexiunea din figură? Porţile sunt TTL standard, dar poarta comandată este un inversor cu histerezis out Fig 13 Circuitul şi caracteristica de transfer a inversorului cu histerezis OHmin OLmax T- T+ in Rezolvare: nversorul cu histerezis are pragul T cuprins între,6 şi 1,1, iar pragul T + este cuprins între 1,5 şi 2, conform datelor de catalog - pentru starea logică 1: M H H min T max 2,4 1,1 1, 3, - pentru starea logică : M L T + min OL max 1,5,4 1, 1 Marginile de zgomot la o conexiune între două porţi TTL standard sunt de numai,4!

20 26 1 FML LOGCE 135 Se consideră inversorul CMOS din figura 11 alimentat la tensiunea + +5 Tranzistorul T1 suportă un curent de drenă D1 1m, iar T2 un curent D2 15, m Tensiunea de prag a circuitului este 25 T,, iar capacitatea de ieşire este Cout 2 pf a) Să se calculeze timpii de propagare pentru ambele tranziţii ştiind că sarcina inversorului este formată din 1 intrări CMOS, fiecare de 5 pf, iar capacitatea traseelor exterioare circuitului integrat este de 3 pf b) Calculaţi consumul de putere dinamic şi static şi arătaţi care sunt modalităţile de reducere a consumului de putere din sursă, ştiind că frecvenţa de comutaţie a porţii este de 1MHz, iar fronturile semnalului de ieşire sunt egale cu 1ns Rezolvare: a) Capacitatea totală de sarcină este: C C + N C + C 2pF + 1 5pF + 3pF 1pF out in trasee Pentru tranziţia ieşirii LOW-HGH se deschide T2 şi se blochează T1, iar timpul de propagare este: C T 1pF 2, 5 t PLH 167ns 15 m D2 Pentru tranziţia ieşirii HGH-LOW se deschide T1 şi se blochează T2, iar timpul de propagare este: C ( + T ) 1pF ( 5 2, 5 ) t PHL 25ns 1m D1 b) Puterea disipată în regim dinamic este puterea necesară pentru încărcarea şi descărcarea periodică a capacităţii de sarcină de la ieşire: P C d + T C f 1pF 5 1MHz 25, mw + + M t r T t f Fig 131 proximarea formelor de undă la comutare Puterea disipată în regim static este puterea disipată în timpul comutării Figura 131 indică o reprezentare simplificată a tensiunii de ieşire şi a curentului consumat pe durata unei perioade P s T () () ut it dt T t + t + 4 T M r f 5 5, m 1ns+ 1ns 125µ W 4 1ns aloarea exactă a lui M este mai greu de apreciat vând însă în vedere datele problemei, valoarea de,5m este pe deplin acoperitoare

21 13 Probleme rezolvate 27 mbele componente ale puterii disipate se reduc odată cu micşorarea tensiunii de alimentare şi a frecvenţei de comutaţie Capacitatea de sarcină contribuie şi ea la expresia puterii în regim dinamic 136 Dacă pe o intrare CMOS apar tensiuni mai mari decât + (notat de obicei cu DD ) sau mai mici decât potenţialul masei (notat de obicei cu SS ) există pericolul distrugerii diodelor din circuitul de protecţie al intrării prin depăşirea valorii maxime admise a curentului prin diode Să se realizeze un circuit extern de protecţie şi să se dimensioneze elementele de circuit Rezolvare: Se introduce o rezistenţă serie R ext la intrare care limitează curentul la valoarea maximă MX 1 m Se stabilesc valorile maxime ale tensiunilor la intrare: + MX > DD şi MX < SS Dimensionarea rezistenţei se face urmărind schema de protecţie a intrării din figura 112: R ext + MX DD F MX, R F este căderea de tensiune în conducţie directă pe diode Se alege pentru R ext o valoare care acoperă ambele inegalităţi O intrare CMOS nu se lasă niciodată "în aer" Pentru eliminarea eventualelor sarcini statice induse, se recomandă conectarea unei rezistenţe de circa 1KΩ la masă sau la +, după caz ext MX 137 Să se arate cum se poate face cuplajul CMOS - TTL Rezolvare: erificăm pentru început dacă o ieşire CMOS poate comanda o intrare TTL standard, din punctul de vedere al tensiunilor şi al curenţilor: <, adică 5, < 8, OLMX ( CMOS ) LMX ( TTL) MX >, adică 495, > 2 OH min( CMOS) H min( TTL) Din punctul de vedere al tensiunilor inegalităţile sunt satisfăcute fără probleme, iar la curenţi: F R >, adică 2m > 1, 6m OLMX ( CMOS ) LMX ( TTL) >, adică 2m > 4µ OHMX ( CMOS ) HMX ( TTL) Relaţia subliniată indică faptul că o ieşire CMOS poate comanda o intrare TTL standard, dar nu două sau mai multe, deoarece nu ar mai putea asigura curentul de intrare pe logic erificăm în continuare dacă o ieşire TTL poate comanda o intrare CMOS: <, adică, 4 < 3% 5 1, 5 OLMX ( TTL) LMX ( CMOS ) >, adică 2, 4 > 7% 5 3, 5 OH min( TTL) H min( CMOS ) >, adică 16m > 1n OLMX ( TTL) LMX ( CMOS ) >, adică 4µ> 1n OHMX ( TTL) HMX ( CMOS ) Relaţia subliniată nu este respectată, deci conexiunea directă TTL-CMOS nu este corectă! Pentru a ridica tensiunea la ieşirea porţii TTL aflate în 1 logic se conectează o rezistenţă între ieşirea porţii TTL şi tensiunea de alimentare

22 28 1 FML LOGCE Pentru dimensionarea rezistenţei: CC OLMX ( TTL) 5 4, Rmin L, 287KΩ OLMX 16m Se alege o valoare mai mare, dar apropiată de R min L, pentru că R MXH este mai greu de calculat Dacă consideram şi variaţia tensiunii de alimentare, foloseam CCMX în calculul lui R min L, în scopul maximizării lui R min L 138 Datorită lipsei circuitelor integrate TTL standard care trebuiau să echipeze un produs de serie, acesta este realizat cu circuite integrate LSTTL Garantaţi o funcţionare corectă a circuitului? Dar dacă lucrurile ar fi stat exact invers? Rezolvare: Nu se poate garanta o funcţionare corectă a circuitului pentru că circuitele LSTTL sunt mai rapide şi deci sunt mai sensibile la zgomotele care se propagă pe traseul de masă Este posibilă deci o funcţionare defectuoasă a circuitului Dacă în loc de LSTTL se montează TTL standard nu mai avem probleme de zgomot, dar probabil că sistemul nu va funcţiona din cauza frecvenţei prea mari, la care circuitele TTL standard nu fac faţă 139 Un BUS cu impedanţa caracteristică Z 75Ω este adaptat ca în figura 132 Ştiind că pe acest BUS pot fi cuplate cel mult 16 intrări TTL standard şi că se impune în 1 logic o margine de zgomot de cel puţin,6, să se calculeze: a) valorile rezistenţelor R1 şi R2 b) curentul OLMX al circuitului ce comandă BUS-ul +cc +cc R 1 R 1 R 1 * OH R 2 R 2 R 2 N Fig 132 Circuitul de adaptare a liniei de magistrală Rezolvare: a) Din condiţia de 1 logic pe linie: R1 R2 2Z CC R1 R1 + H min + MH 2R1 OH + N H + 2R2 H min + MH R2 R2 Necunoscutele sunt R1, R2, R1 şi R 2 Se rezolvă sistemul şi se obţine: R 1 226Ω şi R 2 446Ω

23 13 Probleme rezolvate 29 Făcând anumite simplificări prin neglijarea lui H şi OH obţinem rezultate apropiate cu un efort de calcul mult mai mic b) OLMX 2R1L + N LMX 2R2 L, indicele L indică starea logică în nodul studiat Rezultă 64 OLMX, 5 m, o valoare prea mare pentru un circuit integrat Soluţii însă există: se poate accepta o margine de zgomot mai mică, de cel puţin,4, ca la TTL, sau se pot alege circuite de cuplare la BUS care au curenţi de intrare mai mici Şi aici se poate neglija R2 L Marginea de zgomot în logic este de,4 şi nu poate fi mărită de proiectant 131 Un BUS cu impedanţa caracteristică Z 15Ω este adaptat ca în figură Pe BUS sunt cuplaţi receptori care au caracteristică de transfer cu histerezis (vezi figura 133) şi curenţi de intrare neglijabili Ştiind că circuitul care comandă BUS-ul are 24 OLMX m, 4, OLMX şi OH, se cere: a) să se dimensioneze rezistenţele R1 şi R2 b) să se calculeze marginea de zgomot garantată în ambele stări logice +cc o * R 1 R 2 T-,9 T+ 1,7 i T- T+ Fig 133 Circuitul de adaptare şi caracteristica de transfer a porţilor cu histerezis Rezolvare: a) R1 R2 Z Neglijând curentul prin R 2 în starea logic, obţinem: CC OLMX 5 4, R1 2Ω legem o valoare standard R OLMX 24m 1 22Ω Din prima ecuaţie rezultă R 2 47Ω R2 b) - în starea 1 logic: R R 47Ω H CC 5 34, + 22Ω+ 47Ω 1 2 Receptorii vor comuta când i scade sub valoarea lui T 9,, deci: MH H T 34, 9, 25, - în starea logic: L OLMX 4, Comutarea se face pentru T + 1, 7 : ML T+ L 1, 7 4, 1, Explicaţi în ce situaţie un circuit integrat CMOS din seria 4 poate să funcţioneze în lipsa tensiunii de alimentare Care sunt riscurile unei astfel de situaţii şi ce măsuri de prevenire recomandaţi? Rezolvare: Deşi este greu de crezut, un circuit integrat CMOS din seria 4 poate funcţiona în lipsa tensiunii de alimentare, cu condiţia ca cel puţin una din intrările lui să fie pe 1 logic Este clar că 1

24 3 1 FML LOGCE logic înseamnă tensiunea de alimentare, dioda respectivă din reţeaua de protecţie a intrării intră în conducţie, iar pe linia de alimentare din circuit apare o tensiune + F, adică cu circa,6 mai mică decât tensiunea de alimentare a sistemului Dacă curentul consumat de partea nealimentată depăşeşte însă valoarea de 1m şi nu există o limitare a acestui curent pe intrarea de 1 logic (ieşirea unei porţi CMOS poate asigura această limitare), atunci structura este periclitată Prevenirea se face numai prin asigurarea unei alimentări corecte a circuitelor integrate din sistem 1312 Tensiunea de prag a inversoarelor din figura 134 este de 2,5 Să se calculeze tensiunea de basculare a circuitului echivalent trigger Schmitt şi să se reprezinte tensiunea la ieşire dacă pe intrare se aplică semnalul din figură in R 1 2K R 2 1K out in +4 Fig 134 Trigger Schmitt neinversor realizat cu porţi CMOS şi semnalul de intrare Rezolvare: Comutarea ieşirii din se va face la o valoare a tensiunii de intrare 1 : R2 R 1 2 T 1, deci 1 1 T 1 2,5 3 R1 + R R 2 1 Comutarea ieşirii din 1 se va face la o valoare a tensiunii de intrare 2 : R2 R1 T 2 + DD, DD fiind tensiunea de alimentare de 5 R + R R + R R 1 R1 2 2 Rezultă: T DD 1 2,5 5 2 R + 2 R2 1 1 Funcţionarea circuitului în condiţiile cerute de problemă este reprezentată în figura 135 t in t out +5 t Fig 135 Funcţionarea circuitului în condiţiile cerute de problemă

POARTA TTL STANDARD. Studiul parametrilor circuitelor TTL standard şi determinarea caracteristicilor porţii logice fundamentale.

POARTA TTL STANDARD. Studiul parametrilor circuitelor TTL standard şi determinarea caracteristicilor porţii logice fundamentale. PORT TTL STNDRD 1 Scopul lucrării Studiul parametrilor circuitelor TTL standard şi determinarea caracteristicilor porţii logice fundamentale 2 parate necesare - panou logic - sursă dublă de alimentare

Διαβάστε περισσότερα

4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica

Διαβάστε περισσότερα

Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro

Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,

Διαβάστε περισσότερα

10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea

Διαβάστε περισσότερα

4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRATĂ

4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRATĂ 4.2. CIRCUITE LOGICE ÎN TEHNOLOGIE INTEGRTĂ În prezent, circuitele logice se realizează în exclusivitate prin tehnica integrării monolitice. În funcţie de tehnologia utilizată, circuitele logice integrate

Διαβάστε περισσότερα

1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB

1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB 1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul

Διαβάστε περισσότερα

V O. = v I v stabilizator

V O. = v I v stabilizator Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,

Διαβάστε περισσότερα

5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE

5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE 5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.

Διαβάστε περισσότερα

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului

Διαβάστε περισσότερα

Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].

Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie

Διαβάστε περισσότερα

CIRCUITE LOGICE CU TB

CIRCUITE LOGICE CU TB CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune

Διαβάστε περισσότερα

5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2

5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2 5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării

Διαβάστε περισσότερα

Circuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS

Circuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii

Διαβάστε περισσότερα

Electronică anul II PROBLEME

Electronică anul II PROBLEME Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le

Διαβάστε περισσότερα

Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,

Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se

Διαβάστε περισσότερα

Curs 2 DIODE. CIRCUITE DR

Curs 2 DIODE. CIRCUITE DR Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu

Διαβάστε περισσότερα

11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.

Διαβάστε περισσότερα

Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.

Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele

Διαβάστε περισσότερα

Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii

Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii

Διαβάστε περισσότερα

11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)

Lucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic

Διαβάστε περισσότερα

Stabilizator cu diodă Zener

Stabilizator cu diodă Zener LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator

Διαβάστε περισσότερα

L2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

L2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural

Διαβάστε περισσότερα

Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener

Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener 1 Caracteristica statică a unei diode Zener În cadranul, dioda Zener (DZ) se comportă ca o diodă redresoare

Διαβάστε περισσότερα

REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV

REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV I. OBIECTIVE a) Stabilirea dependenţei dintre tipul redresorului (monoalternanţă, bialternanţă) şi forma tensiunii redresate. b) Determinarea efectelor modificării

Διαβάστε περισσότερα

Tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp

Tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine

Διαβάστε περισσότερα

Laborator 4 Circuite integrate digitale TTL

Laborator 4 Circuite integrate digitale TTL Laborator 4 Circuite integrate digitale TTL Se va studia functionarea familiei de circuite integrate TTL printr-un reprezentant al familiei standard si anume poarta SI-NU(circuitele care sintetizeaza functii

Διαβάστε περισσότερα

COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE

COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicilor statice de transfer în tensiune pentru comparatoare cu AO fără reacţie. b) Determinarea tensiunilor de ieşire

Διαβάστε περισσότερα

Curs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"

Curs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică Gh. Asachi Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia

Διαβάστε περισσότερα

(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.

(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a. Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă

Διαβάστε περισσότερα

i R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2

i R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2 TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare

Διαβάστε περισσότερα

Problema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice

Problema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător

Διαβάστε περισσότερα

a. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)

a. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie) Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie

Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -

Διαβάστε περισσότερα

CIRCUITE CU PORŢI DE TRANSFER CMOS

CIRCUITE CU PORŢI DE TRANSFER CMOS CIRCUITE CU PORŢI DE TRANSFER CMOS I. OBIECTIVE a) Înţelegerea funcţionării porţii de transfer. b) Determinarea rezistenţelor porţii în starea de blocare, respectiv de conducţie. c) Înţelegerea modului

Διαβάστε περισσότερα

4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice

4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice 4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.

Διαβάστε περισσότερα

STRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE

STRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE 3 STRUCTURI DE CIRCUITE NUMERICE 31 Structura TTL standard Familia circuitelor integrate TTL (Transistor Transistor Logic) a fost creată de Texas Instruments şi standardizată în anul 1964 Circuitele integrate

Διαβάστε περισσότερα

POARTA LOGICĂ TTL. 1. Circuitele logice din familia TTL au ca schemă de bază poarta ȘI-NU cu două intrări reprezentată în figura 4.1.

POARTA LOGICĂ TTL. 1. Circuitele logice din familia TTL au ca schemă de bază poarta ȘI-NU cu două intrări reprezentată în figura 4.1. P a g i n a 29 LUCRAREA NR. 4 POARTA LOGICĂ TTL Scopul lucrării constă în cunoașterea funcționării porții TTL și în însușirea metodelor de măsurare a principalilor parametrii statici și dinamici ai acesteia.

Διαβάστε περισσότερα

(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN

(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN 5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector

Διαβάστε περισσότερα

M. Stef Probleme 3 11 decembrie Curentul alternativ. Figura pentru problema 1.

M. Stef Probleme 3 11 decembrie Curentul alternativ. Figura pentru problema 1. Curentul alternativ 1. Voltmetrele din montajul din figura 1 indică tensiunile efective U = 193 V, U 1 = 60 V și U 2 = 180 V, frecvența tensiunii aplicate fiind ν = 50 Hz. Cunoscând că R 1 = 20 Ω, să se

Διαβάστε περισσότερα

L1. DIODE SEMICONDUCTOARE

L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare. Rezultatele fiind comparate cu relaţiile analitice teoretice. Este

Διαβάστε περισσότερα

AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN

AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN Montajul Experimental În laborator este realizat un amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune cu emitorul comun (E.C.) cu o singură

Διαβάστε περισσότερα

5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE.

5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE. 5 Eerciţii reolvate 5 UNCŢII IMPLICITE EXTREME CONDIŢIONATE Eerciţiul 5 Să se determine şi dacă () este o funcţie definită implicit de ecuaţia ( + ) ( + ) + Soluţie ie ( ) ( + ) ( + ) + ( )R Evident este

Διαβάστε περισσότερα

LUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT

LUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa

Διαβάστε περισσότερα

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Laborator 4 Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Obiective: o Semnalul sinusoidal, o Semnalul dreptunghiular, o Semnalul triunghiular, o Generarea diferitelor semnale folosind placa multifuncţională

Διαβάστε περισσότερα

CIRCUITE CU DZ ȘI LED-URI

CIRCUITE CU DZ ȘI LED-URI CICUITE CU DZ ȘI LED-UI I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru diode Zener. b) Determinarea funcționării diodelor Zener în circuite de limitare. c) Determinarea modului de

Διαβάστε περισσότερα

Curs 4 Serii de numere reale

Curs 4 Serii de numere reale Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni

Διαβάστε περισσότερα

CAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE

CAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă

Διαβάστε περισσότερα

2.2.1 Măsurători asupra semnalelor digitale

2.2.1 Măsurători asupra semnalelor digitale Lucrarea 2 Măsurători asupra semnalelor digitale 2.1 Obiective Lucrarea are ca obiectiv fixarea cunoştinţelor dobândite în lucrarea anterioară: Familiarizarea cu aparatele de laborator (generatorul de

Διαβάστε περισσότερα

Capitolul 4 Amplificatoare elementare

Capitolul 4 Amplificatoare elementare Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector

Διαβάστε περισσότερα

Exemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni

Exemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine

Διαβάστε περισσότερα

Aparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1

Aparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 Aparate de măsurat Măsurări electronice Rezumatul cursului 2 MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 1. Aparate cu instrument magnetoelectric 2. Ampermetre şi voltmetre 3. Ohmetre cu instrument magnetoelectric

Διαβάστε περισσότερα

DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE

DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:

Διαβάστε περισσότερα

VII.2. PROBLEME REZOLVATE

VII.2. PROBLEME REZOLVATE Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea

Διαβάστε περισσότερα

SISTEME CU CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE (EA II) ELECTRONICĂ DIGITALĂ (CAL I) Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan

SISTEME CU CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE (EA II) ELECTRONICĂ DIGITALĂ (CAL I) Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan SISTEME CU CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE (EA II) ELECTRONICĂ DIGITALĂ (CAL I) Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan Tehnologia circuitelor integrate digitale La proiectarea circuitelor digitale trebuie alese circuitele

Διαβάστε περισσότερα

Circuite electrice in regim permanent

Circuite electrice in regim permanent Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme apitolul. ircuite electrice in regim permanent. În fig. este prezentată diagrama fazorială a unui circuit serie. a) e fenomen este

Διαβάστε περισσότερα

Fig Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30].

Fig Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30]. Fig.3.43. Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30]. Fig.3.44. Dependenţa curentului de fugă de raportul U/U R. I 0 este curentul de fugă la tensiunea nominală

Διαβάστε περισσότερα

IV. CUADRIPOLI SI FILTRE ELECTRICE CAP. 13. CUADRIPOLI ELECTRICI

IV. CUADRIPOLI SI FILTRE ELECTRICE CAP. 13. CUADRIPOLI ELECTRICI V. POL S FLTE ELETE P. 3. POL ELET reviar a) Forma fundamentala a ecuatiilor cuadripolilor si parametrii fundamentali: Prima forma fundamentala: doua forma fundamentala: b) Parametrii fundamentali au urmatoarele

Διαβάστε περισσότερα

Propagarea Interferentei. Frecvente joase d << l/(2p) λ. d > l/(2p) λ d

Propagarea Interferentei. Frecvente joase d << l/(2p) λ. d > l/(2p) λ d 1. Introducere Sunt discutate subiectele urmatoare: (i) mecanismele de cuplare si problemele asociate cuplajelor : cuplaje datorita conductiei (e.g. datorate surselor de putere), cuplaje capacitive si

Διαβάστε περισσότερα

. TEMPOIZATOUL LM.. GENEALITĂŢI ircuitul de temporizare LM este un circuit integrat utilizat în foarte multe aplicaţii. În fig... sunt prezentate schema internă şi capsulele integratului LM. ()V+ LM Masă

Διαβάστε περισσότερα

MONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ

MONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ DCE I Îndrumar de laorator Lucrarea nr. 5 MONTAJU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ I. Scopul lucrării II. Noţiuni teoretice III. Desfăşurarea lucrării IV. Temă de casă V. Simulări VI. Anexă DCE I Îndrumar de

Διαβάστε περισσότερα

Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă

Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare

Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul

Διαβάστε περισσότερα

V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile

V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Metode de Optimizare Curs V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Propoziţie 7. (Fritz-John). Fie X o submulţime deschisă a lui R n, f:x R o funcţie de clasă C şi ϕ = (ϕ,ϕ

Διαβάστε περισσότερα

Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 2006

Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 2006 Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 006 Mircea Lascu şi Cezar Lupu La cel de-al cincilea baraj de Juniori din data de 0 mai 006 a fost dată următoarea inegalitate: Fie x, y, z trei numere reale

Διαβάστε περισσότερα

7. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE 7.1. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINUSOIDAL

7. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE 7.1. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINUSOIDAL 7. RETEE EECTRICE TRIFAZATE 7.. RETEE EECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINSOIDA 7... Retea trifazata. Sistem trifazat de tensiuni si curenti Ansamblul format din m circuite electrice monofazate in

Διαβάστε περισσότερα

Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie

Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie FITRE DE MIROUNDE Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie P R Puterea disponibila de la sursa Puterea livrata sarcinii P inc P Γ ( ) Γ I lo P R ( ) ( ) M ( ) ( ) M N P R M N ( ) ( ) Tipuri

Διαβάστε περισσότερα

7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE

7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7.1. GENERALITĂŢI PRIVIND AMPLIFICATOARELE DE SEMNAL MIC 7.1.1 MĂRIMI DE CURENT ALTERNATIV 7.1.2 CLASIFICARE 7.1.3 CONSTRUCŢIE 7.2 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

Διαβάστε περισσότερα

III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă.

III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă. III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. Definiţie. O serie a n se numeşte: i) absolut convergentă dacă seria modulelor a n este convergentă; ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar

Διαβάστε περισσότερα

a n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea

a n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,

Διαβάστε περισσότερα

Planul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare

Planul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare 1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe

Διαβάστε περισσότερα

Polarizarea tranzistoarelor bipolare

Polarizarea tranzistoarelor bipolare Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea

Διαβάστε περισσότερα

Examen. Site Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate

Examen. Site   Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate Curs 12 2015/2016 Examen Sambata, S14, ora 10-11 (? secretariat) Site http://rf-opto.etti.tuiasi.ro barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate min. 1pr. +1pr. Bonus T3 0.5p + X Curs 8-11 Caracteristica

Διαβάστε περισσότερα

Circuite elementare de formare a impulsurilor

Circuite elementare de formare a impulsurilor LABORATOR 1 Electronica digitala Circuite elementare de formare a impulsurilor Se vor studia câteva circuite simple de formare a impulsurilor şi anume circuitul de integrare a impulsurilor, cel de derivare

Διαβάστε περισσότερα

Tranzistoare bipolare cu joncţiuni

Tranzistoare bipolare cu joncţiuni Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători

Διαβάστε περισσότερα

Sisteme diferenţiale liniare de ordinul 1

Sisteme diferenţiale liniare de ordinul 1 1 Metoda eliminării 2 Cazul valorilor proprii reale Cazul valorilor proprii nereale 3 Catedra de Matematică 2011 Forma generală a unui sistem liniar Considerăm sistemul y 1 (x) = a 11y 1 (x) + a 12 y 2

Διαβάστε περισσότερα

TEORIA CIRCUITELOR ELECTRICE

TEORIA CIRCUITELOR ELECTRICE TEOA TEO EETE TE An - ETT S 9 onf. dr.ing.ec. laudia PĂA e-mail: laudia.pacurar@ethm.utcluj.ro TE EETE NAE ÎN EGM PEMANENT SNSODA /8 EZONANŢA ÎN TE EETE 3/8 ondiţia de realizare a rezonanţei ezonanţa =

Διαβάστε περισσότερα

Electronică STUDIUL FENOMENULUI DE REDRESARE FILTRE ELECTRICE DE NETEZIRE

Electronică STUDIUL FENOMENULUI DE REDRESARE FILTRE ELECTRICE DE NETEZIRE STDIL FENOMENLI DE REDRESARE FILTRE ELECTRICE DE NETEZIRE Energia electrică este transportată şi distribuită la consumatori sub formă de tensiune alternativă. În multe aplicaţii este însă necesară utilizarea

Διαβάστε περισσότερα

COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului

Διαβάστε περισσότερα

Fig. 1 A L. (1) U unde: - I S este curentul invers de saturaţie al joncţiunii 'p-n';

Fig. 1 A L. (1) U unde: - I S este curentul invers de saturaţie al joncţiunii 'p-n'; ELECTRONIC Lucrarea nr.3 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE 1. Scopurile lucrării: - ridicarea caracteristicilor statice ale unor dispozitive optoelectronice uzuale (dioda electroluminiscentă, fotodiodă, fototranzistorul);

Διαβάστε περισσότερα

Metode de interpolare bazate pe diferenţe divizate

Metode de interpolare bazate pe diferenţe divizate Metode de interpolare bazate pe diferenţe divizate Radu Trîmbiţaş 4 octombrie 2005 1 Forma Newton a polinomului de interpolare Lagrange Algoritmul nostru se bazează pe forma Newton a polinomului de interpolare

Διαβάστε περισσότερα

L6. PUNŢI DE CURENT ALTERNATIV

L6. PUNŢI DE CURENT ALTERNATIV niversitatea POLITEHNI din Timişoara epartamentul Măsurări şi Electronică Optică 6.1. Introducere teoretică L6. PNŢI E ENT LTENTIV Punţile de curent alternativ permit măsurarea impedanţelor. Măsurarea

Διαβάστε περισσότερα

RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,

RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:, REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii

Διαβάστε περισσότερα

Circuite cu diode în conducţie permanentă

Circuite cu diode în conducţie permanentă Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea

Διαβάστε περισσότερα

SERII NUMERICE. Definiţia 3.1. Fie (a n ) n n0 (n 0 IN) un şir de numere reale şi (s n ) n n0

SERII NUMERICE. Definiţia 3.1. Fie (a n ) n n0 (n 0 IN) un şir de numere reale şi (s n ) n n0 SERII NUMERICE Definiţia 3.1. Fie ( ) n n0 (n 0 IN) un şir de numere reale şi (s n ) n n0 şirul definit prin: s n0 = 0, s n0 +1 = 0 + 0 +1, s n0 +2 = 0 + 0 +1 + 0 +2,.......................................

Διαβάστε περισσότερα

MARCAREA REZISTOARELOR

MARCAREA REZISTOARELOR 1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea

Διαβάστε περισσότερα

Dispozitive electronice de putere

Dispozitive electronice de putere Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea 9. Analiza în regim variabil de semnal mic a unui circuit de amplificare cu tranzistor bipolar

Lucrarea 9. Analiza în regim variabil de semnal mic a unui circuit de amplificare cu tranzistor bipolar Scopul lucrării: determinarea parametrilor de semnal mic ai unui circuit de amplificare cu tranzistor bipolar. Cuprins I. Noţiuni introductive. II. Determinarea prin măsurători a parametrilor de funcţionare

Διαβάστε περισσότερα

2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC

2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC Lucrarea nr.6 AMPLIFICATOAE DE SEMNAL MIC 1. Scopurile lucrării - ridicarea experimentală a caracteristicilor amplitudine-frecvenţă pentru amplificatorul cu cuplaj C şi amplificatorul selectiv; - determinarea

Διαβάστε περισσότερα

L3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J

L3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J L3. RANZISORUL CU EFEC DE CÂMP EC-J În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unui tranzistor cu efect de câmp cu rilă-jocţiune (EC-J) şi este verificată concordanţa cu relaţiile analitice

Διαβάστε περισσότερα

Seminar 5 Analiza stabilității sistemelor liniare

Seminar 5 Analiza stabilității sistemelor liniare Seminar 5 Analiza stabilității sistemelor liniare Noțiuni teoretice Criteriul Hurwitz de analiză a stabilității sistemelor liniare În cazul sistemelor liniare, stabilitatea este o condiție de localizare

Διαβάστε περισσότερα

Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic

Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic Elemente de Electronică Analogică 35. Stabilizatoare de tensiune integrate STABILIZATOARE DE TENSIUNE INTEGRATE Stabilizatoarele

Διαβάστε περισσότερα

Măsurări în Electronică şi Telecomunicaţii 4. Măsurarea impedanţelor

Măsurări în Electronică şi Telecomunicaţii 4. Măsurarea impedanţelor 4. Măsurarea impedanţelor 4.2. Măsurarea rezistenţelor în curent continuu Metoda comparaţiei ceastă metodă: se utilizează pentru măsurarea rezistenţelor ~ 0 montaj serie sau paralel. Montajul serie (metoda

Διαβάστε περισσότερα

F I Ş Ă D E L U C R U 5

F I Ş Ă D E L U C R U 5 F I Ş Ă D E L U C R U 5 UNITATEA DE ÎNVĂŢARE:STABILIZATOARE DE TENSIUNE TEMA: STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU TRANZISTOARE BIPOLARE.. STABILIZATOR DE TENSIUNE SERIE A. Prezentarea montajului 8V Uce - V 3.647

Διαβάστε περισσότερα

Figura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..

Figura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare.. I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,

Διαβάστε περισσότερα

3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE.

3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE. 3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE. 3.5.1 STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU AMPLIFICATOARE OPERAȚIONALE. Principalele caracteristici a unui stabilizator de tensiune sunt: factorul de stabilizare

Διαβάστε περισσότερα

PROBLEME DE ELECTRICITATE

PROBLEME DE ELECTRICITATE PROBLEME DE ELECTRICITATE 1. Două becuri B 1 şi B 2 au fost construite pentru a funcţiona normal la o tensiune U = 100 V, iar un al treilea bec B 3 pentru a funcţiona normal la o tensiune U = 200 V. Puterile

Διαβάστε περισσότερα

Esalonul Redus pe Linii (ERL). Subspatii.

Esalonul Redus pe Linii (ERL). Subspatii. Seminarul 1 Esalonul Redus pe Linii (ERL). Subspatii. 1.1 Breviar teoretic 1.1.1 Esalonul Redus pe Linii (ERL) Definitia 1. O matrice A L R mxn este in forma de Esalon Redus pe Linii (ERL), daca indeplineste

Διαβάστε περισσότερα

Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer.

Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer. Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer. Scopul lucrării: Învăţarea folosirii osciloscopului în mod de lucru X-Y. Vizualizarea caracteristicilor

Διαβάστε περισσότερα

Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal

Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia

Διαβάστε περισσότερα