Kafli 1: Tímastuðull RC liður. Dæmi 1.1 A: 3,3ms B: 7,56V Dæmi 1.2 A: 425µF B: 1s Dæmi 1.3 A: 34,38V B: 48,1V Dæmi 1.4 A: 59,38s

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Kafli 1: Tímastuðull RC liður. Dæmi 1.1 A: 3,3ms B: 7,56V Dæmi 1.2 A: 425µF B: 1s Dæmi 1.3 A: 34,38V B: 48,1V Dæmi 1.4 A: 59,38s"

Transcript

1 Kafli 1: Tímastuðull RC liður Dæmi 1.1 A: 3,3ms B: 7,56V Dæmi 1.2 A: 425µF B: 1s Dæmi 1.3 A: 34,38V B: 48,1V Dæmi 1.4 A: 59,38s Kafli 2: NTC, PTC, LDR, VDR viðnám Dæmi 2.1 A: Frá vinstri: NTC viðnám, VDR viðnám, LDR viðnám og PTC viðnám. Dæmi 2.2 A: Þá hækkar viðnámið. B: Ljósnæmt viðnám LDR C: Þá breytist viðnámið úr 10kΩ niður í 1kΩ. Dæmi 2.3 A: Þá lækkar viðnámið. B: Neikvæðan hitastuðul t > R C: NTC viðnám. D: Viðnámið breytist úr 200Ω (100 o C) upp í 400Ω (50 o C). Dæmi 2.4 A: þá hækkar viðnámið. B: Jákvæðan hitastuðul t > R C: PTC viðnám. D: TN o C E: Þá lækkar viðnámið aftur og hagar sér eins og NTC viðnám. F: Miklu meiri. G: Yfirhitavörn í mótorum, skynjari, brunaboði. Dæmi 2.5 A: Þá lækkar viðnámið B: Spennunæmt viðnám. VDR viðnám. C: Þá hækkar straumurinn úr 60V/2500Ω = 24mA niður í 20V/8000Ω = 2,5mA D: Yfirspennuvörn fyrir tæki og rofa. Jafnar spennu fyrir viðkvæm tæki. Kafli 3: Díóður Dæmi 3.1 A: 0,7V B: 19,17mA C: 44mW D: 13,42mW Dæmi 3.2 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 400Ω Dæmi 3.3 Vísbending: Reiknaðu rásastrauminn (20,82mA) og síðan spennuna yfir 1kΩ viðnámið plús spennuna yfir díóðuna. Svar: 21,52V Dæmi 3.4 If = (Uf-0,7)/150 og Ir = Ur/ ( k) Opnaðu slóðina til þess að sjá heildarlausnina. Dæmi 3.5 A: 1,36mA B: 1,36mA C: 0A díóðan leiðir ekki D: 4,39V E: 5,86V (rásastraumurinn er 1,1mA) Dæmi 3.6 A: 254µ + 104µ + 277µ = 635µA B: 223µ = 223µA 31

2 Kafli 4: Afriðun Dæmi 4.1 A: 1,26kΩ B: 81mW Dæmi 4.2 A: 2 lausnir. Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 5;47KΩ eða lausn 2 1,63kΩ Dæmi 4.3 A: 17,1V B: 0,89W C: 54V Dæmi 4.4 A: 490Ω B: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. Dæmi 4.5 A: 5,6Vpp B: 13,47V Dæmi 4.6 A: 169V B: 338V C: 0V. Enginn straumur er tekinn frá rásinni. Dæmi 4.7 A: 57Vpp - 50Hz B: 452V C: 931V (962V er ok) D: 28,4W Dæmi 4.8 A: 8,18Vpp B: 5,82V C: 100Hz Dæmi 4.9 A: 3,45Vpp B: 46,76V C: 130V D: 2,17A E: 434mA F: 100VA Dæmi 4.10 A:1,59Vpp B: 19,6V C: 15,41V D: 6,86VA Dæmi 4.11 A: 8,18Vpp B: 6,52V C: 22,6V D: 100Hz E: 36,2Ω Dæmi 4.12 A: 3,8Vpp B: 26,3V C: 63VA D: 2,38/2 = 1,19A E: 0,27A > 0,3AT F: Tregt er hægt að brenna yfir F er mjög fljót að brenna yfir, það er litið notaður i spennugjöfum. G: 63VA spennubreytir, 230V 2 x 26,3V. Dæmi 4.13 A: 103V B: Dæmi 4.14 Kafli 5 Zenerdíóður Dæmi 5.1 A: 0,7V B: 9,73mA Dæmi 5.2 A: 6,8V B: 6,91mA Dæmi 5.3 A: 85,11mA B: 4,7V C: 121Ω Dæmi 5.4 A: 139Ω B: 1,21W C: 84mA D: 178Ω Dæmi 5.5 A: 22,73mA B: 29,33mA C: 202Ω D: 0,55W Dæmi 5.6 A: 10,33Ω B: 443,3mA C: 18,02Ω D: 48,63W E: 1,64A F: Nei, díóðurnar þola 0,81A en straumurinn er 1,64A í gegnum þær. Dæmi 5.7 A: 45V B: 51,31V C: 40,23V D: 11,08Vpp E: 0A. Spennan er lægri en zenerspennan, þess vegna tekur díóðan engan straum. Kafli 6 Transistorar, dc rásir 32

3 Dæmi 6.1 A:NPN B: Talið neðan frá: emitter, base, collector Dæmi 6.2 A: PNP B: Talið neðan frá: collector, base, emitter Dæmi 6.3 A: basestraums Ib og basespennuvb B: basestraums Ib og collectorstraums Ic C: collector-emitterspennu Vce og collectorstraums Ic Dæmi kvarði = útgangslínurit, 2. kvarði = yfirfærslulínurit, 3. kvarði = inngangslínurit. Dæmi 6.5 A: Að collectorstraumurinn er 70 sinnum meiri en basestraumurinn. B: Hfe = Ic / Ib C og D: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. Dæmi 6.6 A:12,5mA (Ipera = 1A) B: 344Ω Dæmi 6.7 A: 13,33µA B: 848kΩ C: 3KΩ D: 2,0133mA Dæmi A: 500µA B: 22,6kΩ C: Transistorinn eyðileggst af spanspennu frá segulliðaspólunni. Dæmi 6.9 A: 6,67mA B: 106µA C: 9,37kΩ D: Koma í veg fyrir að transistorinn taki straum þegar spennan frá rökrásinni er Low (0-2V) E: Pon = U x I 0,1 x 6,67m = 0,67mW Poff = U x I = 12 x 0 = 0W Kafli 7 Transistorar, vinnupunktsútreikningar Dæmi 7.1 A: 6,5V B: 2,41mA C: 24µA D: 100 Dæmi 7.2 A: 28,4µA B: 4,26mA C: 6V Dæmi 7.3 A: 889Ω B: 405kΩ (Ib = 20,45µA) Dæmi 7.4 A: 150µA B: 12,15mA C: 2,67V D: 14,93V E: 191kΩ Dæmi 7.5 A: 8,75mA B: 182 C: 8,8mA D: 1,94V E: 5,55V F: 320kΩ Dæmi 7.6 A: 6,72mA B: 1,34kΩ C: 6,77mA D: 3,2V E: 248µA F: 59,6kΩ G: 16kΩ Dæmi 7.7 A: 16,7V B: 460kΩ C: 2,65kΩ Dæmi 7.8 A: 2,13mA B: 9,68µA C: 1,22kΩ D: 259kΩ E: 47kΩ Dæmi 7.9 A: 489µA (500µA er ok) B: 7,8V C: 156mW D: 6kΩ E: 14,1kΩ F: 0,14W Kafli 8 Transistorar, vinnupunktur með aðstoð línurits Dæmi 8.1 A: 30mA B: 32V C: 14mA D: 40µA E: 17V F: 0,7V G: 350 H. I, og J: Sjá lausn á dæmi 6.4 Dæmi 8.2 A: Ib = 80µA, Ic = 80µA, Vbe = 0,75V, Vce10V B: 500Ω C: 240kΩ 33

4 D:, E:, F: og H: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. Dæmi 8.3 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 714Ω C: 142Ω D: 372kΩ E: 29,2mA F: 19mA G: 9V Dæmi 8.4 A: 18V B: 214Ω C: 26Ω D: 22,9kΩ E: 6,67kΩ F: 0,3W Dæmi 8.5 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 400µA C: 127Ω D: 36Ω E: 25,5kΩ F: 13,5kΩ G: Sjá svarið í lið A. Dæmi 8.6 A: Ib = 40µA, Ic = 11,5mA B: 7V C: 4V D: 346Ω E: 9,58kΩ F: 23,5kΩ Kafli 9 Dæmi 9.1 Svörin við dæmi eru miðuð við formúlur fyrir venjulega notkun, þar sem eingöngu hfe er þekkt. A: Uinn er tengt á milli jarðar og vinstri hliðar á Cinn. Uút er tengt á milli jarðar og hægri hliðar á Cút. B: 2,6mA C: 229x D: 3,6kΩ E: 2200Ω Dæmi 9.2 A: Enginn Ce í rásinni. B: 8,1x C: 38kΩ D: 2200Ω E: Mögnunin snarlækkar og inngangsimpedansinn Zi snarhækkar. Dæmi 9.3 A: Álag er tengt við útganginn og Ce er í rásinni. B: 71,5x C: 3,6kΩ D: 2200Ω E: Mögnun minnka annað er óbreytt. F: 2,2µF G: 2,5µF H: 294µF I: 2,5x Dæmi 9.4 A: 4,7x B: 2,35V C: 4.9kΩ D: 470Ω E: 3,2Hz F: 10,8Hz G: 11Hz efsta marktíðni ræður ferðinni. H: 3,4V Dæmi 9.5 A: 9,3Ω B: 116x C: 180 D: 80mV E: 1,9kΩ F: 39Hz G: 1,6Hz H: 39Hz I: 73µF Dæmi 9.6 A: Emitterviðnáminu er skipt í tvennt og eingöngu neðri helmingurinn er afkúplaður. B: 4x C: 15kΩ D: 1,8kΩ E: 4,8Hz F: 1000µF G: Minni mögnun og hærri inngangsimpedans og þess vegna lægri fn. 34

5 Dæmi 9.7 A: ré = 18,8Ω > Av = 176x B: 45dB C: 3,6kΩ D: 94Hz E: - F: 1,61nF G:165kHz D: lárétt lína við 45dB, -3dB við 94Hz og 165kHz hallinn á skerðingunni er -20dB/tíund = -6dB/átt. Dæmi 9.8 A: 165x B: 82,5x C. 248mV D: 3784Ω E: 3003Ω F: Av lítill munur 176x - 165x. Zinn lítill munur 3,6kΩ-3,8kΩ. Zút lítill munur 3,3kΩ-3kΩ. Dæmi 10.1 A: 37,5µA B: 2kΩ C:150kΩ D:338kΩ E:uinn á milli jörð og tengipunkt t.v. á þéttir tengt base. Uút á milli jörð og tengipunkt t.h. á þéttir tengt emmitter. F:emitterfylgjarás Dæmi 10.2 A: 4,7Ω B: 0,99x C: 44kΩ D: 23Ω E: 0 Dæmi 10.3 A: 0,98x B: 684mV C: 25kΩ D: 8,3Ω E: 424nF F: 348µF G: 15Hz H: 111x I: 699mV Dæmi 10.4 A: 75Ω B: 0,983x C: 1561Ω D: 393mV E: 4,7mW F: 48x G: 25,4Ω H: fninn = 10,2Hz fnút = 5,9Hz > svar 10Hz Dæmi 10.5 A: - B: 9pF C: 29MHz D: 21Hz E: lárétt lína við 0dB, -3dB við 21Hz og 29MHz hallinn á skerðingunni er -20dB/tíund = -6dB/átt. F: fe er hærri vegna mikkli minni Cinn 9pF á móti 1,6nF. Lærri fn vegna hærri Zinn 16kΩ á móti 3,6kΩ Dæmi 11.1 Rbt Rbb Re Rc Cinn Cút Cb R2 R3 R4 R1 C1 C2 C3 Dæmi 11.2 A: 1,5kΩ B: 100Ω C: 86kΩ D: 11,3kΩ E: uinn tv á C1 og uút th á C2 F: 0 Dæmi 11.3 A: 2,7V B: 11,4V C: 12,5Ω D: 100x E: 12,3Ω F: 3,3kΩ G: 862µF H: 20µF I: 88µF Dæmi 11.4 A: 176x B: 45dB C: 18,5Ω D: 547Hz E: 16MHz F: 5,3MHz G: lið F lægsta tíðnin H: lárétt lína við 45dB.lækkar um -20dB/tiund fyrir neðan 547Hz og -20dB/tiund fyrir ofan 5MHz. H: Fe er mikkli hærri vegna þess að engin merki kemur i gegn Ccb i mótfasa. Fn mikkli hærri vegna þess að sama stærð inngangsþétti saman með mjög lágan Zinn gefur hærri marktíðni. Dæmi 12.1 Tyristorar, diak og triakk bætast inn í seinar meir. 35

6 Dæmi 13.1 A: Jfet, N gerð B: Frá neðan source, gate og drain C: Jfet, P gerð D: sama og lið B Dæmi 13.2 A: Drainstraum Id sem fall af forspennan -Vgs B: Straumurinn Id sem fall af spennanvds Dæmi 13.3 A: Ingangslínurit t.v. útgangslínurít t.h. B: Idss skerdingin á milli ingangsferilinn og y asinn. Vgsoff er þar sem inngangsferilinn snerta x ásinn. C: Snertill i punktið Idss. D: Hallan á Vgs=1V línan í útgangslínuritið. E: yfs = 5-7mA/V Yos = 50µA/V = 50µS. Dæmi 13.4 Yfs (gm) er i gegnum vinupunkt i rás. Yfso (gmo) er igegnum Idss punktið. B: fleygbogi (parabóla) C. Yos samsvarar hoe sem er tala fyrir útgangsleðni. D: Yis á að vera inngangsimpedansinnn en hann er mjög há i j fet. Þetta er díóða i hindrunurátt. Svo yis verða i flesta gerðar í gigaohmsstærð. E: Sem stillanlegt viðnám. F: Þá verða Vds að vera meiri en Vpinsh off (Vp). Dæmi 13.5 Idss = 16mA Vgsoff =-6,5V Yos = um 5mA/V Vp = um 5V. Dæmi 13.6 A: 5mA/V B: flot C: 6mA D: J fet með mismunandi viðbætur a,b,c hafa gjörólik forspenna og drainstraum. Dæmi 13.7 Dæmi 13.8 A: Inngangsspennu er milli grd og Cinn. Útgangsspennan er á milli grd og Cút. B: Halda gatespennan á 0V. C: Yfir Rs. D: Sjá tengimynd E: 27,6kΩ F: 26kΩ H: Einfaldari tenging. Hærri ingangsimpedans sem oftast er kostir. A: Id = 2,5mA Vgs = -0,7V B: Rg=280Ω, Rd= 2,5kΩ C: 1MΩ D: Lína í gegnum Vds=15V og Vds, Id = 8V, 2,5mA E: 8-10X Dæmi 14.1 A: Lina i gegnum 20V, 0mA og vinnupunktið 20V, 6mA B: 4mA/V C: 1500Ω D: 160Ω E: 1mA/V = 5mA/5V F: 5x G: 14dB Dæmi 14.2 A: 3,03mA B: 14V C: - D: 3,5mA/V E: 5,77x F: 6x mælt G: 7,2nF H: 2,4µF I: 482µF J: Idss = 9,5mA Vgsoff = -3,8V 36

7 Dæmi 14.3 A: 40Ω B: 3,96kΩ C: 600Ω D: 48mA/V E: 28,8mA/V F: 50µS G: 110x H: 3,3kΩ I: 0,3µF Dæmi 14.4 A: 5,5mA B: -0,2V C: 2,5kΩ D: 36Ω E: 1MΩ F: 29X G: 2,54kΩ H: 190pF I: 1,9KΩ Dæmi 14.5 A: 4,5mA B: 2,44kΩ C: 0,875V D: 194Ω E: 3,4mA/V F: 3,13X G: 9,9dB H: 5,89pF I: 1,8GHz Dæmi 14.6 A: 2,5mA B: 300Ω C: 2,2MΩ D: 3,3kΩ E: Cút & Rd+Rá >17,7Hz Cs & Rs > 5,3Hz > svar 17,7Hz F: 1kΩ Dæmi 15.1 A: Cd B: lina í gegnum (Vds, Id) = (0,20) og í gegnum (8,3) C: 4,7kΩ D: -0,6V E: 7,3MΩ F: 2,9MΩ G: 0,92 H: 368Ω Dæmi 15.2 A: Uinn er vinstri meginn 1µF uút we hægri meginn 100µF B: 3mA C: 0,91X D: 500kΩ E: 201Ω F: 0,97X G: 500kΩ H: 64Ω I. Spennutapið minnkar og útgangsimpedansinn lækkar bædi þýðir betra rás. Dæmi 15.3 A: 4,5mA B: 0,875V C: 266Ω D: Yfs = 3,4mA/V RL=729 Av = 0,71 > svar 2,133V > -2,9dB E: 54nF F: Vegna þess að crss ekki hafa teljanleg áhrif og að engin spenumögnun er i rásinni. Dæmi 16.1 A: uinn er tv á 220µF þéttir uút er th. Á 47µF þéttir. B: lína í gegnum (vds, Id) = (0,25) og (13, 3m) C: 330Ω D: 4kΩ E: Yfs línurit = 3,5mA/V > svar Av = 14X F: 153Ω G: 4kΩ H: Aðalega vegna þess að crss ekki hafa áhrif á inngangsspennan. Dæmi 16.2 A: 4,5mA B: -0,875V C: 194Ω D: 1,8kΩ E: yfs = 3,4mA/V > zinn = 117Ω F: 1,8kΩ G: 153mV H: 15,7dB I: 13,6Hz Dæmi 16.3 A: 2,52V B: 11,25V C: -1,23V D: 194Ω E: 2,7kΩ F: 4,62X G: 8Hz inngangin ráða. Dæmi 17.1 A: B: C: D mosfet leiða án á sjálfan sig án forspenna Vgs = 0V > Idss D: Einangrunnnin á milli gate og source E: Einangrunin hindra að gs díóðan fer að leiða. Þannig er ekki með J fet. F: línuritið er nákvæmlega eins nema að strauminn i drain halda áfram að hækka þegar Vgs er yfir 0V. 37

8 G: Þeir hafa frekar hátt innra viðnám Rdson i mettun. Dæmi 17.2 A: Cs B: 32Ω C: 8W D: 3W E: 1MΩ F: Fet hafa engin lekastraum á milli d og s og rennur þess vegna ekki hitalega séð af stad eins og transistorar. G: 0,5A H: sjá tengimynd. Dæmi 17.3 A: 0V B: Id = Idss = 14mA C: 8,42V D: 8,75mA/V E: Yfs = Yfso þegar vgs er 0V = 8,75mA/V F: 2,95x G: 105mV rms H: 10MΩ. Dæmi 17.4 A: 0,65V B: 16mA C: 2,3kΩ D: 40Ω E: 24,6mA/V F: 18,5mA/V G: 14,6X H: 1,46V I: 1,46V Dæmi 17.5 A: B: C: E mos tekur engin straum (lokað) án forspenna þetta er öfugt D mos. D: Þegar forspennan fer fer fettin of af sjálfan sig. Öfugt við týristor. E: Það þarf að ganga drainstraum til að stilla vinnupunktið sv Vdd spennan verða skipt á milli fetinn pg drainviðnámið. F: Mjög einfalt að tengja. Til er emosgerðir sem þolir mjög háar strauma og spennur. G: með gatespenna settur inn á halda E fettin sig on án spennu off. Þetta þyðir minni straumþörf fyrir örgjafir og þar með minni hita og hægt er að koma fleiri rofar (Emos) fyrir á flagan. Dæmi 17.6 A: 0V B: Emosfet C: sjálflokandi D: 7,5mA E: 32,8kΩ F: 12,2V G: 128,7kΩ H: Minni mögnun og minni bjögun Dæmi 17.7 A: Common drain B: Straummagnari C: 0dB = 1x D: 5,17MΩ E: 8,89mA F: 2,63MΩ G: 6,6Ω H: Engin mismunnur er á riðspennan yfir gs rymdin. Þess vegna þarf ekki að upp og afhlaða þéttin i akti með inngangsspenan. Dæmi 17.8 A:192W B: 0A fettin verða off 38

9 Dæmi 17.9 A: 0A B: 0,833A C: 22sek. D: Eitt timastudul gefur 0,63 x 6V = 3,8V sem er u.þ.b. það sama sem þröskulspennan Vth. Þess vegna fer fettin on eftir 22 sek. 39

Þriggja fasa útreikningar.

Þriggja fasa útreikningar. Þriggja asa útreikningar. Hér þurum við að byrja á því að skilgreina 4 hugtök. 1. Netspenna er spenna sem við mælum á milli tveggja asa.. Netstraumur er straumurinn í hverjum asaleiðara.. Fasaspenna er

Διαβάστε περισσότερα

Undirstöðuatriði RC-tengds magnara Ólafur Davíð Bjarnason og Valdemar Örn Erlingsson 28. apríl 2009

Undirstöðuatriði RC-tengds magnara Ólafur Davíð Bjarnason og Valdemar Örn Erlingsson 28. apríl 2009 Háskóli Íslands Vor 2009 Kennari: Vilhjálmur Þór Kjartansson Undirstöðuatriði RC-tengds magnara 28. apríl 2009 1 Magnari án forspennu Notuð var rás eins og á mynd 1. Við bárum saman uce og ube á sveiflusjá.

Διαβάστε περισσότερα

Reikniverkefni VII. Sævar Öfjörð Magnússon. 22. nóvember Merki og ker Jónína Lilja Pálsdóttir

Reikniverkefni VII. Sævar Öfjörð Magnússon. 22. nóvember Merki og ker Jónína Lilja Pálsdóttir Reikniverkefni VII Sævar Öfjörð Magnússon 22. nóvember 25 8.3.4 Merki og ker Jónína Lilja Pálsdóttir KAFLI 9.2 Pólar 2. stigs kerfa Í þessum kaa vinnum við með 2. stigs ker á forminu H(s) = ω 2 n. ()

Διαβάστε περισσότερα

Vísandi mælitæki (2) Vísandi mælitæki. Vísandi mælitæki (1) Vísandi mælitæki (3)

Vísandi mælitæki (2) Vísandi mælitæki. Vísandi mælitæki (1) Vísandi mælitæki (3) 1 2 Vísandi mælitæki (2) Vísandi mælitæki Fjöldi hliðrænna tækja byggir á því að rafsegulsvið myndast umhverfis leiðara með rafstraumi. Við það færist vísir: Með víxlverkun síseguls og segulsviðs umhverfis

Διαβάστε περισσότερα

Bústólpi ehf - Nýtt kjarnfóður H K / APRÍL 2014

Bústólpi ehf - Nýtt kjarnfóður H K / APRÍL 2014 Bústólpi ehf - Nýtt kjarnfóður H K / APRÍL 2014 Nýtt kjarnfóður frá Bústólpa PREMIUM PRO-FIT 17 PREMIUM PRO-FIT 13 Nýtt kjarnfóður frá Bústólpa PREMIUM PRO-FIT 17 Kjarnfóður sem ætlað er að hámarka fitu,

Διαβάστε περισσότερα

Meðalmánaðardagsumferð 2009

Meðalmánaðardagsumferð 2009 Meðalmánaðardagsumferð 2009 Almennt Á meðfylgjandi stöplaritum gefur að líta, hvernig umferð um 74 staði/snið dreifist hlutfallslega eftir mánuðum yfir árið 2009. Í upphafi var ákveðið að velja alla talningarstaði,

Διαβάστε περισσότερα

6. júní 2016 kl. 08:30-11:00

6. júní 2016 kl. 08:30-11:00 Sveinsprófsnefnd sterkstraums Rafmagnsfræði, stýrikerfi og búnaður 6. júní 2016 kl. 08:30-11:00 Nafn: Kennitala: Heimilisfang:_ Hjálpargögn: Skriffæri, reglustika, og reiknivél. Nota má bókina Formúlur

Διαβάστε περισσότερα

Menntaskólinn í Reykjavík

Menntaskólinn í Reykjavík Menntakólinn í Reykjaík Jólaróf 006, fötudaginn 5. de. kl. 9 0 Eðlifræði í 6.M og S náttúrufræðideild I Sör erkefnið er á 5 töluettu blaðíðu. Leyfileg hjálargögn eru hjálagt forúlublað og aareiknir. otaðu

Διαβάστε περισσότερα

FRÆÐSLUSKRIFSTOFA RAFIÐNAÐARINS

FRÆÐSLUSKRIFSTOFA RAFIÐNAÐARINS FÆÐSLSKIFSTOF FIÐNÐINS FOMÚL VEGN SVEINSÓFS Í FIÐNM Útgáfa SVEINSÓFSNEFND FIÐN STEKSTMS Fræðsuskrifstofa rafiðnaðarins Sveinsprófsnefnd sterkstraums FOMÚL FOMÚLTEXTI ρ Δ cosϕ I ρ Δ ρ Δ Spenna V I Straumur

Διαβάστε περισσότερα

BLDC mótorstýring. Lokaverkefni í rafmagnstæknifræði BSc. Halldór Guðni Sigvaldason

BLDC mótorstýring. Lokaverkefni í rafmagnstæknifræði BSc. Halldór Guðni Sigvaldason BLDC mótorstýring Halldór Guðni Sigvaldason Lokaverkefni í rafmagnstæknifræði BSc 2014 Höfundur: Halldór Guðni Sigvaldason Kennitala: 201266-2979 Leiðbeinandi: Baldur Þorgilsson Tækni- og verkfræðideild

Διαβάστε περισσότερα

Eðlisfræði II: Riðstraumur. Kafli 11. Jón Tómas Guðmundsson 10. vika vor 2016

Eðlisfræði II: Riðstraumur. Kafli 11. Jón Tómas Guðmundsson 10. vika vor 2016 Eðlisfræði II: Riðstraumur Kafli 11 Jón Tómas Guðmundsson tumi@hi.is 10. vika vor 2016 1 Inngangur Grafið sem sýnir augnabliksgildi rafmerkis sem fall af tíma er nefnt bylgjuform merkis Gjarnan eru bylgjuform

Διαβάστε περισσότερα

x(t) = T 0 er minnsta mögulega gildi á T

x(t) = T 0 er minnsta mögulega gildi á T Fyrir x(t) = u(t) þá fáum við lim t y(t) = lim t tu(t) = sem er óstöðugt. (oft er gott að skoða hvort impúlssvörunin sé alsamleitin, ef svo er, þá er kerð stöðugt). Tímaóháð Ker er tímaóháð ef það kemur

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Ε.ΔΙ.Π. Μηχανικών Δρ. Αθανάσιος Παραγωγής Ψωμούλης και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

Διαβάστε περισσότερα

Span og orka í einfaldri segulrás

Span og orka í einfaldri segulrás Rafmagnsvélar 1 - RAF601G 1 Span og orka í einfaldri segulrás Inductance and energy in a simple magnetic circuit Rafmagnsvélar 1 - RAF601G 2 Lögmál Faradays spansegulviðnám Lögmál Faradays er hluti af

Διαβάστε περισσότερα

Kaplan Meier og Cox. Aðferðafræði klínískra rannsókna haustið 2010 Fimmtudagur 11 nóvember. Thor Aspelund Hjartavernd og Háskóla Íslands

Kaplan Meier og Cox. Aðferðafræði klínískra rannsókna haustið 2010 Fimmtudagur 11 nóvember. Thor Aspelund Hjartavernd og Háskóla Íslands Kaplan Meier og Cox Aðferðafræði klínískra rannsókna haustið 2010 Fimmtudagur 11 nóvember Thor Aspelund Hjartavernd og Háskóla Íslands Tími að atburði í heilbrigðisvísindum Í heilbrigðisvísindum er útkoman

Διαβάστε περισσότερα

Iðjuþjálfun LIE0103 Hrefna Óskarsd.

Iðjuþjálfun LIE0103 Hrefna Óskarsd. Intraplural fluid alveoli P atm = O mmhg P alv P ip = P alv = O mmhg Lung elastic recoil 4 mmhg Chest wall P ip = -4 mmhg að anda inn og út. útöndun án mikils krafts, þ.e. af ákveðnu hlutleysi, og getum

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-

Διαβάστε περισσότερα

Eðlisfræði 1. Dæmi 5.2 (frh.) Dæmi Dæmi (frh.) d) P = W tog. = 0, 47kW. = 9, 4kJ

Eðlisfræði 1. Dæmi 5.2 (frh.) Dæmi Dæmi (frh.) d) P = W tog. = 0, 47kW. = 9, 4kJ S I S Menntakólinn Dæi 5. frh. - 5.3 R E Y K SIGILLUM J A V SCHOLÆ I C E N í Reykjavík 5. frh. d P W tog t 9,4kJ 0 0, 47kW Eðlifræði Kafli 5 - Vinna og orkuvarðveila Óleyt dæi 5. nóveber 006 Kritján Þór

Διαβάστε περισσότερα

Chương 2: Đại cương về transistor

Chương 2: Đại cương về transistor Chương 2: Đại cương về transistor Transistor tiếp giáp lưỡng cực - BJT [ Bipolar Junction Transistor ] Transistor hiệu ứng trường FET [ Field Effect Transistor ] 2.1 KHUYẾCH ĐẠI VÀ CHUYỂN MẠCH BẰNG TRANSISTOR

Διαβάστε περισσότερα

Greinargerð Trausti Jónsson. Sveiflur IV. Árstíðasveiflur í háloftunum yfir Keflavík

Greinargerð Trausti Jónsson. Sveiflur IV. Árstíðasveiflur í háloftunum yfir Keflavík Greinargerð 44 Trausti Jónsson Sveiflur IV Árstíðasveiflur í háloftunum yfir Keflavík VÍ-VS4 Reykjavík Mars 24 Árstíðasveifla ýmissa veðurþátta í háloftunum yfir Keflavík Inngangur Hér verður fjallað um

Διαβάστε περισσότερα

Rafmagsfræði loftræsikerfa

Rafmagsfræði loftræsikerfa Rafmagsfræði loftræsikerfa Sigurður Sigurðsson Febrúar 2003 Sigurður Sigurðsson 2 Rafmagnsfræði loftræsikerfa Höfundur: Sigurður Sigurðsson Útgefandi: IÐAN fræðslusetur ehf IÐAN fræðslusetur, Skúlatúni

Διαβάστε περισσότερα

Rafbók. Riðstraumsmótorar. Kennslubók

Rafbók. Riðstraumsmótorar. Kennslubók Kennslubók Þetta hefti er þýtt úr dönsku með góðfúslegu leyfi EVU í Danmörku. Íslensk þýðing: Sigurður H. Pétursson Mynd á kápu er fengin frá Guðna Þór í Rönning Umbrot: Ísleifur Árni Jakobsson Faglegur

Διαβάστε περισσότερα

Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises

Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises Page 11 CHAPTER 1 V LSB 5.1V 10 bits 5.1V 104bits 5.00 mv V 5.1V MSB.560V 1100010001 9 + 8 + 4 + 0 785 10 V O 786 5.00mV or

Διαβάστε περισσότερα

Hætta af rafmagni og varnir

Hætta af rafmagni og varnir Hætta af rafmagni og varnir Leysir af hólmi bæklinginn "Námsefni úr Reglugerð um raforkuvirki" 1. Rafstraumur um líkamann Rafstraumurinn sem fer um líkamann er skaðvaldurinn og spennan að því marki sem

Διαβάστε περισσότερα

RAF301G Merki og kerfi Miðmisserispróf, lausn

RAF301G Merki og kerfi Miðmisserispróf, lausn RAF301G Merki og kerfi Miðmisserispróf, lausn Miðvikudaginn 20. okóber 2010, kl. 08:20-09:50 Leyfileg hjálpargögn: reiknivél og ei A-blað með hverju sem er (innan marka heilbrigðrar skynsemi) á báðum hliðum.

Διαβάστε περισσότερα

4.01 Maður ekur 700 km. Meðalhraðinn er 60 km/klst fyrstu 250 km og 75 km/klst síðustu 450 km. Hver er meðalhraðinn?

4.01 Maður ekur 700 km. Meðalhraðinn er 60 km/klst fyrstu 250 km og 75 km/klst síðustu 450 km. Hver er meðalhraðinn? 4. kafli, dæmi og vör með útreikningum Skrifað út 9..4; :34 4. Maður ekur 7 km. Meðalhraðinn er 6 km/klt fyrtu 5 km og 75 km/klt íðutu 45 km. Hver er meðalhraðinn? S S Sv.: Hér þarf að reikna tímann fyrir

Διαβάστε περισσότερα

1) Birgðabreyting = Innkaup - Sala + Framleiðsla - Rýrnun - Eigin notkun. Almennari útgáfa af lögmálinu hér fyrir ofan lítur svona út:

1) Birgðabreyting = Innkaup - Sala + Framleiðsla - Rýrnun - Eigin notkun. Almennari útgáfa af lögmálinu hér fyrir ofan lítur svona út: Massajöfnunarkerfi Svokölluð jöfnunarkerfi eru notuð til að fylgjast með magni efnis þegar það fer í gegnum ferli. Slík kerfi eru útgáfur af lögmálinu um varðveislu massans. Einfaldasta jöfnunarkerfið

Διαβάστε περισσότερα

NPN Silicon RF Transistor BFQ 74

NPN Silicon RF Transistor BFQ 74 NPN Silicon RF Transistor BFQ 74 For low-noise amplifiers in the GHz range, and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 1 ma to 25 ma. Hermetically

Διαβάστε περισσότερα

Líkindi Skilgreining

Líkindi Skilgreining Líkindi Skilgreining Ω = útkomumengi = mengi allra hugsanlegra útkoma. Atburður er hlutmengi í Ω. Ω A Skilgreining: Atburðir A og B kallast sundurlægir (ósamræmanlegir) ef A B =. Ω A B Skilgreining: Líkindi

Διαβάστε περισσότερα

Reglur um skoðun neysluveitna

Reglur um skoðun neysluveitna Reglur um skoðun neysluveitna 1 INNGANGUR Mannvirkjastofnun setur reglur um skoðun neysluveitna samkvæmt ákvæðum reglugerðar um raforkuvirki nr. 678/2009. Reglur um skoðun neysluveitna eru settar samkvæmt

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμρος Μισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε με

Διαβάστε περισσότερα

Guðbjörg Pálsdóttir Guðný Helga Gunnarsdóttir NÁMSGAGNASTOFNUN

Guðbjörg Pálsdóttir Guðný Helga Gunnarsdóttir NÁMSGAGNASTOFNUN Guðbjörg Pálsdóttir Guðný Helga GunnarsdóttirNÁMSGAGNASTOFNUN Til nemenda Námsefnisflokkurinn 8 tíu er ætlaður nemendum í 8. 10. bekk. Grunnbókin 8 tíu 5 skiptist í átta meginkafla. Í hverjum kafla er

Διαβάστε περισσότερα

Ályktanir um hlutföll og tengslatöflur

Ályktanir um hlutföll og tengslatöflur Ályktanir um hlutföll og tengslatöflur LAN 203G & STÆ209G Anna Helga Jónsdóttir Sigrún Helga Lund Háskóli Íslands Anna Helga og Sigrún Helga (HÍ) Ályktanir um hlutföll og tengslatöflur 1 / 27 Helstu atriði:

Διαβάστε περισσότερα

Stillingar loftræsikerfa

Stillingar loftræsikerfa Stillingar loftræsikerfa Apríl 009 Stillingar loftræsikerfa Höfundar: og Útgefandi: IÐAN fræðslusetur ehf IÐAN fræðslusetur Skúlatúni 105 Reykjavík Fyrsta útgáfa 004 Önnur útgáfa 008 Þriðja útgáfa 009

Διαβάστε περισσότερα

Skilaverkefni 1. Skil á þriðjudaginn

Skilaverkefni 1. Skil á þriðjudaginn Nafn: Skilaverkefni 1 Skil á þriðjudaginn 1. Bíll ekur frá Reykjavík á Selfoss. Ferðin tekur 45 mínútur og vegalendin sem bíllinn fer er 50 Km. Hver er meðalhraði bílsins á leiðinni í m/s og Km/klst? 2.

Διαβάστε περισσότερα

16 kafli stjórn efnaskipta

16 kafli stjórn efnaskipta 16 kafli stjórn efnaskipta Stjórnun efnaskipta kodhydrata, próteina og fitu Þegar við erum búin að koma næringu úr meltingarveginum og út í blóðið, þarf að koma næringunni áfram yfir í þær frumur sem eiga

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

PRÓFBÚÐIR Í LÍNULEGRI ALGEBRU VIÐ HR VOR 2014 HERKÚLES

PRÓFBÚÐIR Í LÍNULEGRI ALGEBRU VIÐ HR VOR 2014 HERKÚLES PRÓFBÚÐIR Í LÍNULEGRI ALGEBRU VIÐ HR VOR 2014 HERKÚLES GUÐMUNDUR EINARSSON Herkúles Prófbúðir April 8, 2014 1 / 52 OUTLINE 1 Grunnhugtök, einfaldar aðgerðir og innfeldi Grunnhugtök Innfeldi Jafna Línu

Διαβάστε περισσότερα

Nokkur valin atriði úr aflfræði

Nokkur valin atriði úr aflfræði Einföld sveifluhreyfin Nour valin atriði úr aflfræði Soðum raftajöfnuna fyrir orm með ormstuðul sem má rita á eftirfarandi formi: mẍ = x sem er óhliðruð. stis diffurjafna. Umritum hana yfir á eftirfarandi

Διαβάστε περισσότερα

Sæmundur E. Þorsteinsson, TF3UA

Sæmundur E. Þorsteinsson, TF3UA Sæmundur E. Þorsteinsson, TF3UA Flutningslínur Á formlegri ensku heita þær Transmission Lines Líka oft kallaðar Feeder lines Fæðilínur Flutningslínur, merkjaflutningslínur Flutningslína flytur afl (merki)

Διαβάστε περισσότερα

Rafbók. Loftnetskerfi. Verkefnahefti A

Rafbók. Loftnetskerfi. Verkefnahefti A Loftnetskerfi Verkefnahefti A Þetta hefti er án endurgjalds á rafbókinni. Allir rafiðnaðarmenn og rafiðnaðarnemar geta fengið aðgang án endurgjalds að rafbókinni. Þetta hefti er þýtt með góðfúslegu leyfi

Διαβάστε περισσότερα

Veghönnunarreglur 02 Þversnið

Veghönnunarreglur 02 Þversnið 3 Veghönnunarreglur 02 10.01.2011 Flokkun gagna innan Vegagerðarinnar Flokkur Efnissvið Einkenni (litur) 1 Lög, reglugerðir, og önnur Svartur fyrirmæli stjórnvalda 2 Stjórnunarleg fyrirmæli, Gulur skipurit,

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό

Διαβάστε περισσότερα

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og Nesjavallavirkjun

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og Nesjavallavirkjun H 2 S loftgæðamælingar á Hellisheiði og Nesjavöllum, 1. ársfjórðungur 2018 Bls. 1 Skýrsla nr. 42 3. maí 2018 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar fyrir

Διαβάστε περισσότερα

0CHIPSTAR MICROELECTRONICS 5.5W CS8571E CS8571E. Chipstar Micro-electronics. 470uF. 0.39uF 4 IN MODE: 0----AB CS8571 CS8571E FM AB D CS8571E

0CHIPSTAR MICROELECTRONICS 5.5W CS8571E CS8571E. Chipstar Micro-electronics. 470uF. 0.39uF 4 IN MODE: 0----AB CS8571 CS8571E FM AB D CS8571E AB/D, 5.2W FM ABD 5.5W AERC( Adaptive Edge Rate Control), EMI,,FCC Part5 Class B2dB. PWM PCB, 9%,,, ESOP8,-4 85 ESOP8 IN.39uF 4 IN 6 PO at % THD+ N, VDD = 5V RL = 4 Ω 3.45W() RL = 2 Ω 5.2W() PO at % THD+

Διαβάστε περισσότερα

H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði

H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði H2S loftgæðamælingar, Norðlingaholt, Hveragerði, 1. og 2. ársfjórðungur 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 14 16. júlí 2015 H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði Skýrsla um mælingar fyrir janúar til

Διαβάστε περισσότερα

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun H2S loftgæðamælingar, Hellisheiði og Nesjavöllum, fyrir árið 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 19 18. janúar 2016 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar fyrir

Διαβάστε περισσότερα

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun H2S loftgæðamælingar, Hellisheiði og Nesjavöllum, 1. og 2. ársfjórðungur 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 15 16. júlí 2015 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar

Διαβάστε περισσότερα

Skrifað út ; 18:59 gk. 6. kafli, dæmi og svör með útreikningum

Skrifað út ; 18:59 gk. 6. kafli, dæmi og svör með útreikningum 6. kafli, dæmi og svör með útreikningum Skrifað út 30.3.2005; 18:59 6.1 Brennsluspritt hefur eðlismassann 0,8/cm 3. Hversu langa pípu þyrfti að nota í loftvog til að samsvara loftþrýstingi miðað við 76

Διαβάστε περισσότερα

H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði

H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði H2S loftgæðamælingar, Norðlingaholti og Hveragerði, fyrir árið 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 18 18. janúar 2016 H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði Skýrsla um mælingar fyrir árið 2015 Unnið

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ ΑΜΦΙΠΟΛΙΚΩΝ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΩΝ Η άσκηση αποτελείται από δύο τμήματα: 1) μελέτη των χαρακτηριστικών καμπύλων εισόδου και εξόδου των τρανζίστορ για

Διαβάστε περισσότερα

H2S mælingar í Norðlingaholti og Hveragerði Skýrsla um mælingar árið 2013 Unnið fyrir Orkuveitu Reykjavíkur

H2S mælingar í Norðlingaholti og Hveragerði Skýrsla um mælingar árið 2013 Unnið fyrir Orkuveitu Reykjavíkur Bls. 1 Skýrsla nr. 2 (útgáfa 2) 12. janúar 2014 H2S mælingar í Norðlingaholti og Hveragerði Skýrsla um mælingar árið 2013 Unnið fyrir Orkuveitu Reykjavíkur Höfundur: Andrés Þórarinsson Verkfræðistofan

Διαβάστε περισσότερα

H 2 S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði

H 2 S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði H 2 S loftgæðamælingar, Norðlingaholti og Hveragerði, 1. - 3. ársfjórðungur 2016 Bls. 1 Skýrsla nr. 24 19. október 2016 H 2 S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði Skýrsla um mælingar fyrir

Διαβάστε περισσότερα

PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION NE699M FEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) HIGH ft: 6 GHz TYP at V, ma LOW NOISE FIGURE: NF =. db TYP

Διαβάστε περισσότερα

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun

H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun H 2 S loftgæðamælingar, Hellisheiði og Nesjavöllum, 1. ársfjórðungur 2016 Bls. 1 Skýrsla nr. 21 26. apríl 2016 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar

Διαβάστε περισσότερα

Veghönnunarreglur 03 Vegferill

Veghönnunarreglur 03 Vegferill 3 Veghönnunarreglur 03 01.08.2010 Flokkun gagna innan Vegagerðarinnar Flokkur Efnissvið Einkenni (litur) 1 Lög, reglugerðir, og önnur Svartur fyrirmæli stjórnvalda 2 Stjórnunarleg fyrirmæli, Gulur skipurit,

Διαβάστε περισσότερα

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed. Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

Spurningar úr Raforkudreifikerfum. e. Ófeig Sigurðsson.

Spurningar úr Raforkudreifikerfum. e. Ófeig Sigurðsson. Spurningar úr Raforkudreifikerfum. e. Ófeig Sigurðsson. 1. Vinnsla og flutningur raforku 1. Hvað er raforkuver? 2. Hvaða atriði hafa áhrif á nýtni raforkukerfa? 3. Hvað er blik (kóróna) í raforkukerfi?

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ενισχυτές με ανατροφοδότηση

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ενισχυτές με ανατροφοδότηση ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ενισχυτές με ανατροφοδότηση Οι ενισχυτές είναι δίθυρα κυκλώματα στα οποία εμπλέκονται τέσσερα μεγέθη (ρεύμα και τάση εισόδου, ρεύμα και τάση εξόδου). Είναι αναλογικά κυκλώματα, δηλαδή, κάποιο

Διαβάστε περισσότερα

Rating Symbol Value Unit Drain Gate Voltage VDSS 65 Vdc Drain Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc

Rating Symbol Value Unit Drain Gate Voltage VDSS 65 Vdc Drain Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF166C/D The RF MOSFET Line N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily or wideband large signal output and driver rom 3 MHz. MRF166C Guaranteed

Διαβάστε περισσότερα

G U LU S Í Ð U R N A R

G U LU S Í Ð U R N A R GULU SÍÐURNAR Reykjafell hf. Skipholt 35 105 Reykjavík Sími 588 6000 Fax 588 601 www.reykjafell.is Akureyri Furuvellir 13 Sími 46 5000 Reyðarfjörður Nesbraut 10 Sími 477 000 Almennar upplýsingar MÆLIEININGAR

Διαβάστε περισσότερα

Greiðir eingöngu fyrir það magn sem er notað. Blandað á staðnum. Ekkert fer til spillis. Umhverfisvænt. Tímasparnaður.

Greiðir eingöngu fyrir það magn sem er notað. Blandað á staðnum. Ekkert fer til spillis. Umhverfisvænt. Tímasparnaður. Greiðir eingöngu fyrir það magn sem er notað Blandað á staðnum Ekkert fer til spillis Umhverfisvænt Tímasparnaður Snyrtileg lausn Sterkari lausnir Þunnflotsbíll Steypustöð á hjólum Vinsælar lausnir: Anhýdrít

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

4. útgáfa júní Vörulýsing. steinsteypa. Sterkari lausnir

4. útgáfa júní Vörulýsing. steinsteypa. Sterkari lausnir 4. útgáfa júní 2012 Vörulýsing steinsteypa Sterkari lausnir Almennar upplýsingar Öryggisatriði Óhörðnuð steinsteypa er ertandi. Varast skal snertingu við húð og augu. Komist steinsteypa í augu er mikilvægt

Διαβάστε περισσότερα

Annar kafli Hraði, hröðun, kraftur og massi

Annar kafli Hraði, hröðun, kraftur og massi Annar kafli Hraði, hröðun, kraftur og massi Markmið kaflans eru að kunna: Hraða, hröðun Stigstærð, vektorstærð Reikna krafta sem verka á hluti með hliðsjón af massa og hröðun hans Geta reiknað lokahraða

Διαβάστε περισσότερα

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

«Αναθεώρηση των FET Transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2

Διαβάστε περισσότερα

Forritunarkeppni Framhaldsskólanna 2014

Forritunarkeppni Framhaldsskólanna 2014 2014 Morpheus deild - eftir hádegi Háskólinn í Reykjavík 20. mars 2014 Verkefni 1 Á Milli Skrifið forrit sem les inn þrjár heiltölur a, b og c. Skrifið út Milli ef talan b er á milli a og c á talnalínunni.

Διαβάστε περισσότερα

Stærðfræði. Lausnir. Lausnir. 8tíu. NÁMSGAGNASTOFNUN 20. apríl 2009

Stærðfræði. Lausnir. Lausnir. 8tíu. NÁMSGAGNASTOFNUN 20. apríl 2009 4 1 2 3 5 6 Lausnir Lausnir 8tíu NÁMSGAGNASTOFNUN 20. apríl 2009 Átta Lausnir 2007 Björgvin Sigurðsson, Guðbjörg Pálsdóttir og Guðný Helga Gunnarsdóttir Ritstjóri: Hafdís Finnbogadóttir Öll réttindi áskilin

Διαβάστε περισσότερα

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR FEATURES NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = MHz TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE=.55 pf TYP

Διαβάστε περισσότερα

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory Το BJT ως Διακόπτης Οταν το transistor χρησιμοποιείται σαν διακόπτης ευρίσκεται είτε στην κατάσταση αποκοπής είτε σε αυτή του κορεσμού. Η βασική αρχή αυτής της χρήσης έγκειται στην διακριτή μεταβολή της

Διαβάστε περισσότερα

Grunnvatnsrannsóknir í Norðurþingi

Grunnvatnsrannsóknir í Norðurþingi LV-2010/010 Grunnvatnsrannsóknir í Norðurþingi 2007-2010 Undirtitill Ágúst 2010 EFNISYFIRLIT INNGANGUR... 5 AÐFERÐIR... 5 GAGNAÖFLUN OG SÝNATAKA... 5 NIÐURSTÖÐUR MÆLINGA... 6 Mæling aðalefna í vatnssýnum

Διαβάστε περισσότερα

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS Kodein Meda 25 mg töflur. 2. INNIHALDSLÝSING Hver tafla inniheldur kódeinfosfathemihýdrat 25 mg. Hjálparefni með þekkta verkun: Laktósaeinhýdrat 100 mg, natríummetabisulfit

Διαβάστε περισσότερα

Fylgiseðill: Upplýsingar fyrir notanda lyfsins. Symbicort mite Turbuhaler 80 míkrógrömm/4,5 míkrógrömm/skammt, Innöndunarduft

Fylgiseðill: Upplýsingar fyrir notanda lyfsins. Symbicort mite Turbuhaler 80 míkrógrömm/4,5 míkrógrömm/skammt, Innöndunarduft Fylgiseðill: Upplýsingar fyrir notanda lyfsins Symbicort mite Turbuhaler 80 míkrógrömm/4,5 míkrógrömm/skammt, Innöndunarduft Budesonid/formoterolfumarattvíhýdrat Lesið allan fylgiseðilinn vandlega áður

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS Metadon Abcur 40 mg töflur 2. INNIHALDSLÝSING 40 mg: 1 tafla inniheldur 40 mg metadónhýdróklóríð. Hjálparefni með þekkta verkun: 40 mg: 1 tafla inniheldur 180

Διαβάστε περισσότερα

Þjófavarnarkerfi fyrir bílstöðvar

Þjófavarnarkerfi fyrir bílstöðvar Stjórn Í.R.A. 1982-1983: Kristján Benediktsson, TF3KB, formaður. Guðjón Einarsson. TF3AC, varaformaður. Jónas Bjarnason, TF3JB, ritari. Óskar Sverrisson, TF3DC, gjaldkeri Ólafur P Guðjónsson. TF3MXN, varastjórn.

Διαβάστε περισσότερα

Viðskipta- og Hagfræðideild Tölfræði II, fyrirlestur 6

Viðskipta- og Hagfræðideild Tölfræði II, fyrirlestur 6 Viðskipta- og Hagfræðideild Tölfræði II, fyrirlestur 6 Háskóli Íslands Helgi Tómasson Líkindafræði kafli 2-9 Berið saman við líkindafræðina í Newbold. Tilgangur líkindafræði í tölfræðinámsskeiði er að

Διαβάστε περισσότερα

Borðaskipan í þéttefni

Borðaskipan í þéttefni Eðlisfræði þéttefnis I: Borðaskipan í þéttefni Kafli 7 Jón Tómas Guðmundsson tumi@hi.is 8. vika haust 2017 1 Inngangur Sú nálgun sem gerð var með einnar rafeindar nálguninni og með því að gera ráð fyrir

Διαβάστε περισσότερα

Microelectronic Circuit Design Fifth Edition - Part I Solutions to Exercises

Microelectronic Circuit Design Fifth Edition - Part I Solutions to Exercises Page Microelectronic Circuit Design Fifth Edition Part I Solutions to Exercises CHAPTER V LSB 5.V 0 bits 5.V 04bits 5.00 mv V MSB 5.V.560V 000000 9 + 8 + 4 + 0 785 0 V O 785 5.00mV or 5.V 3.95 V V O +

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

HÖNNUN Á STRENGLÖGN 11KV ÞINGVALLASVEIT

HÖNNUN Á STRENGLÖGN 11KV ÞINGVALLASVEIT HÖNNUN Á STRENGLÖGN 11KV ÞINGVALLASVEIT Ágúst Jónsson Lokaverkefni í rafiðnfræði 2016 Höfundur: Ágúst Jónsson Kennitala:290174-4659 Leiðbeinandi: Lárus Einarsson Tækni- og verkfræðideild School of Science

Διαβάστε περισσότερα

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ 1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε

Διαβάστε περισσότερα

Upplýsingar um innrigerð jarðar er fundið með jarðskjálftabylgjum og loftsteinum.

Upplýsingar um innrigerð jarðar er fundið með jarðskjálftabylgjum og loftsteinum. Storkuberg 1 Kafli 1 Upphaf jarðar er talið hafa verið fyrir um 4,6*10 9 árum þá sem aðsóp (accrection). Upplýsingar um innrigerð jarðar er fundið með jarðskjálftabylgjum og loftsteinum. Loftsteinum er

Διαβάστε περισσότερα

Verkefni 1: Splæsibrúun og jafnhæðarferlar

Verkefni 1: Splæsibrúun og jafnhæðarferlar Verkefni 1: Splæsibrúun og jafnhæðarferlar Friðrik Freyr Gautason og Guðbjörn Einarsson I. SPLÆSIBRÚUN FORRITUÐ Hérna er markmiðið að útfæra forrit sem leyfir notanda að smella á teikniglugga eins oft

Διαβάστε περισσότερα

( 1) R s S. R o. r D + -

( 1) R s S. R o. r D + - Tο κύκλωμα που δίνεται είναι ένας ενισχυτής κοινής πύλης. Δίνονται: r D = 1 MΩ, g m =5mA/V, R s =100 Ω, R D = 10 kω. Υπολογίστε: α) την απολαβή τάσης β) την αντίσταση εισόδου γ) την αντίσταση εξόδου Οι

Διαβάστε περισσότερα

24 sem x stendur fyrir hluta í ppm og M er mólmassi efnisins. Skrifað út ; 19:01 gk. Skrifað út ; 19:01 gk

24 sem x stendur fyrir hluta í ppm og M er mólmassi efnisins. Skrifað út ; 19:01 gk. Skrifað út ; 19:01 gk kafli, dæmi o svör með útreikninum 1 Brennsluspritt hefur eðlismassann 0,8/cm Hversu lana pípu þyrfti að nota í loftvo til að samsvara loftþrýstini miðað við cm háa kvikasilfurssúlu? Við finnum eðlismassa

Διαβάστε περισσότερα

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS TAFLOTAN 15 míkrógrömm/ml augndropar, lausn í stakskammtaíláti 2. VIRK INNIHALDSEFNI OG STYRKLEIKAR Einn ml af augndropum, lausn, inniheldur 15 míkrógrömm af

Διαβάστε περισσότερα

9 x 2 x 2 x 3 = 19 (9 + 2) 2 3 = 19

9 x 2 x 2 x 3 = 19 (9 + 2) 2 3 = 19 Verkefnablað 7.35 Horfin aðgerðartákn Settu aðgerðartákn (+,, :, ) og sviga á rétta staði þannig að svörin verði rétt. Dæmi: 9 x 2 x 2 x 3 = 19 (9 + 2) 2 3 = 19 a 9 x 8 x 3 x 2 = 7 b 16 x 9 x 5 x 5 = 10

Διαβάστε περισσότερα

HÖNNUN BURÐARVIRKIS IÐNAÐARHÚSS SAMANBURÐUR Á MISMUNANDI BYGGINGAREFNUM

HÖNNUN BURÐARVIRKIS IÐNAÐARHÚSS SAMANBURÐUR Á MISMUNANDI BYGGINGAREFNUM HÖNNUN BURÐARVIRKIS IÐNAÐARHÚSS SAMANBURÐUR Á MISMUNANDI BYGGINGAREFNUM Lokaverkefni í byggingartæknifræði BSc 2014 Höfundur: Kennitala: 110981-3929 Torfi G.Sigurðsson Tækni- og verkfræðideild School of

Διαβάστε περισσότερα

ΕΦΗΜΕΡΙΣ ΤΗΣ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΣ

ΕΦΗΜΕΡΙΣ ΤΗΣ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΣ 22631 ΕΦΗΜΕΡΙΣ ΤΗΣ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΣ ΤΗΣ ΕΛΛΗΝΙΚΗΣ ΗΜΟΚΡΑΤΙΑΣ ΑΠΟΦΑΣΕΙΣ Αριθµ. 85033/Γ2 :Αναλυτικό Πρόγραµµα Σπουδών του Τοµέα Ηλεκτρο νικής της Β Τάξης ΕΠΑ.Λ. Η ΥΠΟΥΡΓΟΣ ΕΘΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΘΡΗΣΚΕΥΜΑΤΩΝ Έχοντας

Διαβάστε περισσότερα

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS Fenemal Meda 15 mg töflur. Fenemal Meda 50 mg töflur. Fenemal Meda 100 mg töflur. 2. INNIHALDSLÝSING Hver tafla inniheldur phenobarbital 15 mg, 50 mg eða 100

Διαβάστε περισσότερα

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft of LOW VOLTAGE/LOW CURRENT OPERATION HIGH INSERTION POWER GAIN: SE = db @ V, 7 ma, GHz SE = db @ V, ma, GHz LOW NOISE:. db AT. GHz AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC

Διαβάστε περισσότερα

Gagnasafnsfræði Venslaalgebra og bestun fyrirspurna. Hallgrímur H. Gunnarsson

Gagnasafnsfræði Venslaalgebra og bestun fyrirspurna. Hallgrímur H. Gunnarsson Gagnasafnsfræði Venslaalgebra og bestun fyrirspurna Hallgrímur H. Gunnarsson Inngangur SQL: SQL er declarative mál, segir bara hvað á að reikna, en ekki hvernig. Það er undir gagnasafnskerfinu komið að

Διαβάστε περισσότερα

VIÐAUKI I SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

VIÐAUKI I SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS VIÐAUKI I SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1 1. HEITI LYFS AMGLIDIA 0,6 mg/ml mixtúra, dreifa AMGLIDIA 6 mg/ml mixtúra, dreifa 2. INNIHALDSLÝSING AMGLIDIA 0,6 mg/ml mixtúra, dreifa Hver ml inniheldur 0,6 mg

Διαβάστε περισσότερα

Veggirðingar. UNNIÐ s FYRIR VEGAGERÐINA. Höfundur: Grétar Einarsson

Veggirðingar. UNNIÐ s FYRIR VEGAGERÐINA. Höfundur: Grétar Einarsson 1 UNNIÐ s FYRIR VEGAGERÐINA Í ritgerðinni eru settar fram í nokkrum köflum kröfur er snerta efnisgæði til girðingarefnis. Ennfremur kröfur sem gerðar eru varðandi framkvæmd og vinnubrögð við uppsetningu

Διαβάστε περισσότερα

IXBH42N170 IXBT42N170

IXBH42N170 IXBT42N170 High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25

Διαβάστε περισσότερα

FYLGISEÐILL. Dorbene Vet 1 mg/ml stungulyf, lausn fyrir hunda og ketti.

FYLGISEÐILL. Dorbene Vet 1 mg/ml stungulyf, lausn fyrir hunda og ketti. FYLGISEÐILL Dorbene Vet 1 mg/ml stungulyf, lausn fyrir hunda og ketti 1. HEITI OG HEIMILISFANG HANDHAFA MARKAÐSLEYFIS OG ÞESS FRAMLEIÐANDA SEM BER ÁBYRGÐ Á LOKASAMÞYKKT, EF ANNAR Laboratorios SYVA S.A.U.,

Διαβάστε περισσότερα

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS

SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI DÝRALYFS PHENOLEPTIL 25 mg töflur handa hundum 2. INNIHALDSLÝSING Hver tafla inniheldur Virk innihaldsefni mg Fenóbarbital 25 Hjálparefni: Sjá lista yfir öll hjálparefni

Διαβάστε περισσότερα

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25 o C) Item Symbol Condition Rating Unit Operating-Voltage VDS 55 V. Item Symbol Condition Limit Unit

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25 o C) Item Symbol Condition Rating Unit Operating-Voltage VDS 55 V. Item Symbol Condition Limit Unit GaN-HEMT 15W FEATURES -High Voltage Operation : VDS=V -High Power :.3dBm (typ.) @ Psat -High Efficiency: 7%(typ.) @ Psat -Power Gain : 18dB(typ.) @ f=2.14ghz -Proven Reliability DESCRIPTION SEDI's GaN-HEMT

Διαβάστε περισσότερα