Kafli 1: Tímastuðull RC liður. Dæmi 1.1 A: 3,3ms B: 7,56V Dæmi 1.2 A: 425µF B: 1s Dæmi 1.3 A: 34,38V B: 48,1V Dæmi 1.4 A: 59,38s
|
|
- Φόρκυς Γλυκύς
- 5 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Kafli 1: Tímastuðull RC liður Dæmi 1.1 A: 3,3ms B: 7,56V Dæmi 1.2 A: 425µF B: 1s Dæmi 1.3 A: 34,38V B: 48,1V Dæmi 1.4 A: 59,38s Kafli 2: NTC, PTC, LDR, VDR viðnám Dæmi 2.1 A: Frá vinstri: NTC viðnám, VDR viðnám, LDR viðnám og PTC viðnám. Dæmi 2.2 A: Þá hækkar viðnámið. B: Ljósnæmt viðnám LDR C: Þá breytist viðnámið úr 10kΩ niður í 1kΩ. Dæmi 2.3 A: Þá lækkar viðnámið. B: Neikvæðan hitastuðul t > R C: NTC viðnám. D: Viðnámið breytist úr 200Ω (100 o C) upp í 400Ω (50 o C). Dæmi 2.4 A: þá hækkar viðnámið. B: Jákvæðan hitastuðul t > R C: PTC viðnám. D: TN o C E: Þá lækkar viðnámið aftur og hagar sér eins og NTC viðnám. F: Miklu meiri. G: Yfirhitavörn í mótorum, skynjari, brunaboði. Dæmi 2.5 A: Þá lækkar viðnámið B: Spennunæmt viðnám. VDR viðnám. C: Þá hækkar straumurinn úr 60V/2500Ω = 24mA niður í 20V/8000Ω = 2,5mA D: Yfirspennuvörn fyrir tæki og rofa. Jafnar spennu fyrir viðkvæm tæki. Kafli 3: Díóður Dæmi 3.1 A: 0,7V B: 19,17mA C: 44mW D: 13,42mW Dæmi 3.2 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 400Ω Dæmi 3.3 Vísbending: Reiknaðu rásastrauminn (20,82mA) og síðan spennuna yfir 1kΩ viðnámið plús spennuna yfir díóðuna. Svar: 21,52V Dæmi 3.4 If = (Uf-0,7)/150 og Ir = Ur/ ( k) Opnaðu slóðina til þess að sjá heildarlausnina. Dæmi 3.5 A: 1,36mA B: 1,36mA C: 0A díóðan leiðir ekki D: 4,39V E: 5,86V (rásastraumurinn er 1,1mA) Dæmi 3.6 A: 254µ + 104µ + 277µ = 635µA B: 223µ = 223µA 31
2 Kafli 4: Afriðun Dæmi 4.1 A: 1,26kΩ B: 81mW Dæmi 4.2 A: 2 lausnir. Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 5;47KΩ eða lausn 2 1,63kΩ Dæmi 4.3 A: 17,1V B: 0,89W C: 54V Dæmi 4.4 A: 490Ω B: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. Dæmi 4.5 A: 5,6Vpp B: 13,47V Dæmi 4.6 A: 169V B: 338V C: 0V. Enginn straumur er tekinn frá rásinni. Dæmi 4.7 A: 57Vpp - 50Hz B: 452V C: 931V (962V er ok) D: 28,4W Dæmi 4.8 A: 8,18Vpp B: 5,82V C: 100Hz Dæmi 4.9 A: 3,45Vpp B: 46,76V C: 130V D: 2,17A E: 434mA F: 100VA Dæmi 4.10 A:1,59Vpp B: 19,6V C: 15,41V D: 6,86VA Dæmi 4.11 A: 8,18Vpp B: 6,52V C: 22,6V D: 100Hz E: 36,2Ω Dæmi 4.12 A: 3,8Vpp B: 26,3V C: 63VA D: 2,38/2 = 1,19A E: 0,27A > 0,3AT F: Tregt er hægt að brenna yfir F er mjög fljót að brenna yfir, það er litið notaður i spennugjöfum. G: 63VA spennubreytir, 230V 2 x 26,3V. Dæmi 4.13 A: 103V B: Dæmi 4.14 Kafli 5 Zenerdíóður Dæmi 5.1 A: 0,7V B: 9,73mA Dæmi 5.2 A: 6,8V B: 6,91mA Dæmi 5.3 A: 85,11mA B: 4,7V C: 121Ω Dæmi 5.4 A: 139Ω B: 1,21W C: 84mA D: 178Ω Dæmi 5.5 A: 22,73mA B: 29,33mA C: 202Ω D: 0,55W Dæmi 5.6 A: 10,33Ω B: 443,3mA C: 18,02Ω D: 48,63W E: 1,64A F: Nei, díóðurnar þola 0,81A en straumurinn er 1,64A í gegnum þær. Dæmi 5.7 A: 45V B: 51,31V C: 40,23V D: 11,08Vpp E: 0A. Spennan er lægri en zenerspennan, þess vegna tekur díóðan engan straum. Kafli 6 Transistorar, dc rásir 32
3 Dæmi 6.1 A:NPN B: Talið neðan frá: emitter, base, collector Dæmi 6.2 A: PNP B: Talið neðan frá: collector, base, emitter Dæmi 6.3 A: basestraums Ib og basespennuvb B: basestraums Ib og collectorstraums Ic C: collector-emitterspennu Vce og collectorstraums Ic Dæmi kvarði = útgangslínurit, 2. kvarði = yfirfærslulínurit, 3. kvarði = inngangslínurit. Dæmi 6.5 A: Að collectorstraumurinn er 70 sinnum meiri en basestraumurinn. B: Hfe = Ic / Ib C og D: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. Dæmi 6.6 A:12,5mA (Ipera = 1A) B: 344Ω Dæmi 6.7 A: 13,33µA B: 848kΩ C: 3KΩ D: 2,0133mA Dæmi A: 500µA B: 22,6kΩ C: Transistorinn eyðileggst af spanspennu frá segulliðaspólunni. Dæmi 6.9 A: 6,67mA B: 106µA C: 9,37kΩ D: Koma í veg fyrir að transistorinn taki straum þegar spennan frá rökrásinni er Low (0-2V) E: Pon = U x I 0,1 x 6,67m = 0,67mW Poff = U x I = 12 x 0 = 0W Kafli 7 Transistorar, vinnupunktsútreikningar Dæmi 7.1 A: 6,5V B: 2,41mA C: 24µA D: 100 Dæmi 7.2 A: 28,4µA B: 4,26mA C: 6V Dæmi 7.3 A: 889Ω B: 405kΩ (Ib = 20,45µA) Dæmi 7.4 A: 150µA B: 12,15mA C: 2,67V D: 14,93V E: 191kΩ Dæmi 7.5 A: 8,75mA B: 182 C: 8,8mA D: 1,94V E: 5,55V F: 320kΩ Dæmi 7.6 A: 6,72mA B: 1,34kΩ C: 6,77mA D: 3,2V E: 248µA F: 59,6kΩ G: 16kΩ Dæmi 7.7 A: 16,7V B: 460kΩ C: 2,65kΩ Dæmi 7.8 A: 2,13mA B: 9,68µA C: 1,22kΩ D: 259kΩ E: 47kΩ Dæmi 7.9 A: 489µA (500µA er ok) B: 7,8V C: 156mW D: 6kΩ E: 14,1kΩ F: 0,14W Kafli 8 Transistorar, vinnupunktur með aðstoð línurits Dæmi 8.1 A: 30mA B: 32V C: 14mA D: 40µA E: 17V F: 0,7V G: 350 H. I, og J: Sjá lausn á dæmi 6.4 Dæmi 8.2 A: Ib = 80µA, Ic = 80µA, Vbe = 0,75V, Vce10V B: 500Ω C: 240kΩ 33
4 D:, E:, F: og H: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. Dæmi 8.3 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 714Ω C: 142Ω D: 372kΩ E: 29,2mA F: 19mA G: 9V Dæmi 8.4 A: 18V B: 214Ω C: 26Ω D: 22,9kΩ E: 6,67kΩ F: 0,3W Dæmi 8.5 A: Opnaðu slóðina til þess að sjá lausnina. B: 400µA C: 127Ω D: 36Ω E: 25,5kΩ F: 13,5kΩ G: Sjá svarið í lið A. Dæmi 8.6 A: Ib = 40µA, Ic = 11,5mA B: 7V C: 4V D: 346Ω E: 9,58kΩ F: 23,5kΩ Kafli 9 Dæmi 9.1 Svörin við dæmi eru miðuð við formúlur fyrir venjulega notkun, þar sem eingöngu hfe er þekkt. A: Uinn er tengt á milli jarðar og vinstri hliðar á Cinn. Uút er tengt á milli jarðar og hægri hliðar á Cút. B: 2,6mA C: 229x D: 3,6kΩ E: 2200Ω Dæmi 9.2 A: Enginn Ce í rásinni. B: 8,1x C: 38kΩ D: 2200Ω E: Mögnunin snarlækkar og inngangsimpedansinn Zi snarhækkar. Dæmi 9.3 A: Álag er tengt við útganginn og Ce er í rásinni. B: 71,5x C: 3,6kΩ D: 2200Ω E: Mögnun minnka annað er óbreytt. F: 2,2µF G: 2,5µF H: 294µF I: 2,5x Dæmi 9.4 A: 4,7x B: 2,35V C: 4.9kΩ D: 470Ω E: 3,2Hz F: 10,8Hz G: 11Hz efsta marktíðni ræður ferðinni. H: 3,4V Dæmi 9.5 A: 9,3Ω B: 116x C: 180 D: 80mV E: 1,9kΩ F: 39Hz G: 1,6Hz H: 39Hz I: 73µF Dæmi 9.6 A: Emitterviðnáminu er skipt í tvennt og eingöngu neðri helmingurinn er afkúplaður. B: 4x C: 15kΩ D: 1,8kΩ E: 4,8Hz F: 1000µF G: Minni mögnun og hærri inngangsimpedans og þess vegna lægri fn. 34
5 Dæmi 9.7 A: ré = 18,8Ω > Av = 176x B: 45dB C: 3,6kΩ D: 94Hz E: - F: 1,61nF G:165kHz D: lárétt lína við 45dB, -3dB við 94Hz og 165kHz hallinn á skerðingunni er -20dB/tíund = -6dB/átt. Dæmi 9.8 A: 165x B: 82,5x C. 248mV D: 3784Ω E: 3003Ω F: Av lítill munur 176x - 165x. Zinn lítill munur 3,6kΩ-3,8kΩ. Zút lítill munur 3,3kΩ-3kΩ. Dæmi 10.1 A: 37,5µA B: 2kΩ C:150kΩ D:338kΩ E:uinn á milli jörð og tengipunkt t.v. á þéttir tengt base. Uút á milli jörð og tengipunkt t.h. á þéttir tengt emmitter. F:emitterfylgjarás Dæmi 10.2 A: 4,7Ω B: 0,99x C: 44kΩ D: 23Ω E: 0 Dæmi 10.3 A: 0,98x B: 684mV C: 25kΩ D: 8,3Ω E: 424nF F: 348µF G: 15Hz H: 111x I: 699mV Dæmi 10.4 A: 75Ω B: 0,983x C: 1561Ω D: 393mV E: 4,7mW F: 48x G: 25,4Ω H: fninn = 10,2Hz fnút = 5,9Hz > svar 10Hz Dæmi 10.5 A: - B: 9pF C: 29MHz D: 21Hz E: lárétt lína við 0dB, -3dB við 21Hz og 29MHz hallinn á skerðingunni er -20dB/tíund = -6dB/átt. F: fe er hærri vegna mikkli minni Cinn 9pF á móti 1,6nF. Lærri fn vegna hærri Zinn 16kΩ á móti 3,6kΩ Dæmi 11.1 Rbt Rbb Re Rc Cinn Cút Cb R2 R3 R4 R1 C1 C2 C3 Dæmi 11.2 A: 1,5kΩ B: 100Ω C: 86kΩ D: 11,3kΩ E: uinn tv á C1 og uút th á C2 F: 0 Dæmi 11.3 A: 2,7V B: 11,4V C: 12,5Ω D: 100x E: 12,3Ω F: 3,3kΩ G: 862µF H: 20µF I: 88µF Dæmi 11.4 A: 176x B: 45dB C: 18,5Ω D: 547Hz E: 16MHz F: 5,3MHz G: lið F lægsta tíðnin H: lárétt lína við 45dB.lækkar um -20dB/tiund fyrir neðan 547Hz og -20dB/tiund fyrir ofan 5MHz. H: Fe er mikkli hærri vegna þess að engin merki kemur i gegn Ccb i mótfasa. Fn mikkli hærri vegna þess að sama stærð inngangsþétti saman með mjög lágan Zinn gefur hærri marktíðni. Dæmi 12.1 Tyristorar, diak og triakk bætast inn í seinar meir. 35
6 Dæmi 13.1 A: Jfet, N gerð B: Frá neðan source, gate og drain C: Jfet, P gerð D: sama og lið B Dæmi 13.2 A: Drainstraum Id sem fall af forspennan -Vgs B: Straumurinn Id sem fall af spennanvds Dæmi 13.3 A: Ingangslínurit t.v. útgangslínurít t.h. B: Idss skerdingin á milli ingangsferilinn og y asinn. Vgsoff er þar sem inngangsferilinn snerta x ásinn. C: Snertill i punktið Idss. D: Hallan á Vgs=1V línan í útgangslínuritið. E: yfs = 5-7mA/V Yos = 50µA/V = 50µS. Dæmi 13.4 Yfs (gm) er i gegnum vinupunkt i rás. Yfso (gmo) er igegnum Idss punktið. B: fleygbogi (parabóla) C. Yos samsvarar hoe sem er tala fyrir útgangsleðni. D: Yis á að vera inngangsimpedansinnn en hann er mjög há i j fet. Þetta er díóða i hindrunurátt. Svo yis verða i flesta gerðar í gigaohmsstærð. E: Sem stillanlegt viðnám. F: Þá verða Vds að vera meiri en Vpinsh off (Vp). Dæmi 13.5 Idss = 16mA Vgsoff =-6,5V Yos = um 5mA/V Vp = um 5V. Dæmi 13.6 A: 5mA/V B: flot C: 6mA D: J fet með mismunandi viðbætur a,b,c hafa gjörólik forspenna og drainstraum. Dæmi 13.7 Dæmi 13.8 A: Inngangsspennu er milli grd og Cinn. Útgangsspennan er á milli grd og Cút. B: Halda gatespennan á 0V. C: Yfir Rs. D: Sjá tengimynd E: 27,6kΩ F: 26kΩ H: Einfaldari tenging. Hærri ingangsimpedans sem oftast er kostir. A: Id = 2,5mA Vgs = -0,7V B: Rg=280Ω, Rd= 2,5kΩ C: 1MΩ D: Lína í gegnum Vds=15V og Vds, Id = 8V, 2,5mA E: 8-10X Dæmi 14.1 A: Lina i gegnum 20V, 0mA og vinnupunktið 20V, 6mA B: 4mA/V C: 1500Ω D: 160Ω E: 1mA/V = 5mA/5V F: 5x G: 14dB Dæmi 14.2 A: 3,03mA B: 14V C: - D: 3,5mA/V E: 5,77x F: 6x mælt G: 7,2nF H: 2,4µF I: 482µF J: Idss = 9,5mA Vgsoff = -3,8V 36
7 Dæmi 14.3 A: 40Ω B: 3,96kΩ C: 600Ω D: 48mA/V E: 28,8mA/V F: 50µS G: 110x H: 3,3kΩ I: 0,3µF Dæmi 14.4 A: 5,5mA B: -0,2V C: 2,5kΩ D: 36Ω E: 1MΩ F: 29X G: 2,54kΩ H: 190pF I: 1,9KΩ Dæmi 14.5 A: 4,5mA B: 2,44kΩ C: 0,875V D: 194Ω E: 3,4mA/V F: 3,13X G: 9,9dB H: 5,89pF I: 1,8GHz Dæmi 14.6 A: 2,5mA B: 300Ω C: 2,2MΩ D: 3,3kΩ E: Cút & Rd+Rá >17,7Hz Cs & Rs > 5,3Hz > svar 17,7Hz F: 1kΩ Dæmi 15.1 A: Cd B: lina í gegnum (Vds, Id) = (0,20) og í gegnum (8,3) C: 4,7kΩ D: -0,6V E: 7,3MΩ F: 2,9MΩ G: 0,92 H: 368Ω Dæmi 15.2 A: Uinn er vinstri meginn 1µF uút we hægri meginn 100µF B: 3mA C: 0,91X D: 500kΩ E: 201Ω F: 0,97X G: 500kΩ H: 64Ω I. Spennutapið minnkar og útgangsimpedansinn lækkar bædi þýðir betra rás. Dæmi 15.3 A: 4,5mA B: 0,875V C: 266Ω D: Yfs = 3,4mA/V RL=729 Av = 0,71 > svar 2,133V > -2,9dB E: 54nF F: Vegna þess að crss ekki hafa teljanleg áhrif og að engin spenumögnun er i rásinni. Dæmi 16.1 A: uinn er tv á 220µF þéttir uút er th. Á 47µF þéttir. B: lína í gegnum (vds, Id) = (0,25) og (13, 3m) C: 330Ω D: 4kΩ E: Yfs línurit = 3,5mA/V > svar Av = 14X F: 153Ω G: 4kΩ H: Aðalega vegna þess að crss ekki hafa áhrif á inngangsspennan. Dæmi 16.2 A: 4,5mA B: -0,875V C: 194Ω D: 1,8kΩ E: yfs = 3,4mA/V > zinn = 117Ω F: 1,8kΩ G: 153mV H: 15,7dB I: 13,6Hz Dæmi 16.3 A: 2,52V B: 11,25V C: -1,23V D: 194Ω E: 2,7kΩ F: 4,62X G: 8Hz inngangin ráða. Dæmi 17.1 A: B: C: D mosfet leiða án á sjálfan sig án forspenna Vgs = 0V > Idss D: Einangrunnnin á milli gate og source E: Einangrunin hindra að gs díóðan fer að leiða. Þannig er ekki með J fet. F: línuritið er nákvæmlega eins nema að strauminn i drain halda áfram að hækka þegar Vgs er yfir 0V. 37
8 G: Þeir hafa frekar hátt innra viðnám Rdson i mettun. Dæmi 17.2 A: Cs B: 32Ω C: 8W D: 3W E: 1MΩ F: Fet hafa engin lekastraum á milli d og s og rennur þess vegna ekki hitalega séð af stad eins og transistorar. G: 0,5A H: sjá tengimynd. Dæmi 17.3 A: 0V B: Id = Idss = 14mA C: 8,42V D: 8,75mA/V E: Yfs = Yfso þegar vgs er 0V = 8,75mA/V F: 2,95x G: 105mV rms H: 10MΩ. Dæmi 17.4 A: 0,65V B: 16mA C: 2,3kΩ D: 40Ω E: 24,6mA/V F: 18,5mA/V G: 14,6X H: 1,46V I: 1,46V Dæmi 17.5 A: B: C: E mos tekur engin straum (lokað) án forspenna þetta er öfugt D mos. D: Þegar forspennan fer fer fettin of af sjálfan sig. Öfugt við týristor. E: Það þarf að ganga drainstraum til að stilla vinnupunktið sv Vdd spennan verða skipt á milli fetinn pg drainviðnámið. F: Mjög einfalt að tengja. Til er emosgerðir sem þolir mjög háar strauma og spennur. G: með gatespenna settur inn á halda E fettin sig on án spennu off. Þetta þyðir minni straumþörf fyrir örgjafir og þar með minni hita og hægt er að koma fleiri rofar (Emos) fyrir á flagan. Dæmi 17.6 A: 0V B: Emosfet C: sjálflokandi D: 7,5mA E: 32,8kΩ F: 12,2V G: 128,7kΩ H: Minni mögnun og minni bjögun Dæmi 17.7 A: Common drain B: Straummagnari C: 0dB = 1x D: 5,17MΩ E: 8,89mA F: 2,63MΩ G: 6,6Ω H: Engin mismunnur er á riðspennan yfir gs rymdin. Þess vegna þarf ekki að upp og afhlaða þéttin i akti með inngangsspenan. Dæmi 17.8 A:192W B: 0A fettin verða off 38
9 Dæmi 17.9 A: 0A B: 0,833A C: 22sek. D: Eitt timastudul gefur 0,63 x 6V = 3,8V sem er u.þ.b. það sama sem þröskulspennan Vth. Þess vegna fer fettin on eftir 22 sek. 39
Þriggja fasa útreikningar.
Þriggja asa útreikningar. Hér þurum við að byrja á því að skilgreina 4 hugtök. 1. Netspenna er spenna sem við mælum á milli tveggja asa.. Netstraumur er straumurinn í hverjum asaleiðara.. Fasaspenna er
Διαβάστε περισσότεραUndirstöðuatriði RC-tengds magnara Ólafur Davíð Bjarnason og Valdemar Örn Erlingsson 28. apríl 2009
Háskóli Íslands Vor 2009 Kennari: Vilhjálmur Þór Kjartansson Undirstöðuatriði RC-tengds magnara 28. apríl 2009 1 Magnari án forspennu Notuð var rás eins og á mynd 1. Við bárum saman uce og ube á sveiflusjá.
Διαβάστε περισσότεραReikniverkefni VII. Sævar Öfjörð Magnússon. 22. nóvember Merki og ker Jónína Lilja Pálsdóttir
Reikniverkefni VII Sævar Öfjörð Magnússon 22. nóvember 25 8.3.4 Merki og ker Jónína Lilja Pálsdóttir KAFLI 9.2 Pólar 2. stigs kerfa Í þessum kaa vinnum við með 2. stigs ker á forminu H(s) = ω 2 n. ()
Διαβάστε περισσότεραVísandi mælitæki (2) Vísandi mælitæki. Vísandi mælitæki (1) Vísandi mælitæki (3)
1 2 Vísandi mælitæki (2) Vísandi mælitæki Fjöldi hliðrænna tækja byggir á því að rafsegulsvið myndast umhverfis leiðara með rafstraumi. Við það færist vísir: Með víxlverkun síseguls og segulsviðs umhverfis
Διαβάστε περισσότεραBústólpi ehf - Nýtt kjarnfóður H K / APRÍL 2014
Bústólpi ehf - Nýtt kjarnfóður H K / APRÍL 2014 Nýtt kjarnfóður frá Bústólpa PREMIUM PRO-FIT 17 PREMIUM PRO-FIT 13 Nýtt kjarnfóður frá Bústólpa PREMIUM PRO-FIT 17 Kjarnfóður sem ætlað er að hámarka fitu,
Διαβάστε περισσότεραMeðalmánaðardagsumferð 2009
Meðalmánaðardagsumferð 2009 Almennt Á meðfylgjandi stöplaritum gefur að líta, hvernig umferð um 74 staði/snið dreifist hlutfallslega eftir mánuðum yfir árið 2009. Í upphafi var ákveðið að velja alla talningarstaði,
Διαβάστε περισσότερα6. júní 2016 kl. 08:30-11:00
Sveinsprófsnefnd sterkstraums Rafmagnsfræði, stýrikerfi og búnaður 6. júní 2016 kl. 08:30-11:00 Nafn: Kennitala: Heimilisfang:_ Hjálpargögn: Skriffæri, reglustika, og reiknivél. Nota má bókina Formúlur
Διαβάστε περισσότεραMenntaskólinn í Reykjavík
Menntakólinn í Reykjaík Jólaróf 006, fötudaginn 5. de. kl. 9 0 Eðlifræði í 6.M og S náttúrufræðideild I Sör erkefnið er á 5 töluettu blaðíðu. Leyfileg hjálargögn eru hjálagt forúlublað og aareiknir. otaðu
Διαβάστε περισσότεραFRÆÐSLUSKRIFSTOFA RAFIÐNAÐARINS
FÆÐSLSKIFSTOF FIÐNÐINS FOMÚL VEGN SVEINSÓFS Í FIÐNM Útgáfa SVEINSÓFSNEFND FIÐN STEKSTMS Fræðsuskrifstofa rafiðnaðarins Sveinsprófsnefnd sterkstraums FOMÚL FOMÚLTEXTI ρ Δ cosϕ I ρ Δ ρ Δ Spenna V I Straumur
Διαβάστε περισσότεραBLDC mótorstýring. Lokaverkefni í rafmagnstæknifræði BSc. Halldór Guðni Sigvaldason
BLDC mótorstýring Halldór Guðni Sigvaldason Lokaverkefni í rafmagnstæknifræði BSc 2014 Höfundur: Halldór Guðni Sigvaldason Kennitala: 201266-2979 Leiðbeinandi: Baldur Þorgilsson Tækni- og verkfræðideild
Διαβάστε περισσότεραEðlisfræði II: Riðstraumur. Kafli 11. Jón Tómas Guðmundsson 10. vika vor 2016
Eðlisfræði II: Riðstraumur Kafli 11 Jón Tómas Guðmundsson tumi@hi.is 10. vika vor 2016 1 Inngangur Grafið sem sýnir augnabliksgildi rafmerkis sem fall af tíma er nefnt bylgjuform merkis Gjarnan eru bylgjuform
Διαβάστε περισσότεραx(t) = T 0 er minnsta mögulega gildi á T
Fyrir x(t) = u(t) þá fáum við lim t y(t) = lim t tu(t) = sem er óstöðugt. (oft er gott að skoða hvort impúlssvörunin sé alsamleitin, ef svo er, þá er kerð stöðugt). Tímaóháð Ker er tímaóháð ef það kemur
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Ε.ΔΙ.Π. Μηχανικών Δρ. Αθανάσιος Παραγωγής Ψωμούλης και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Διαβάστε περισσότεραSpan og orka í einfaldri segulrás
Rafmagnsvélar 1 - RAF601G 1 Span og orka í einfaldri segulrás Inductance and energy in a simple magnetic circuit Rafmagnsvélar 1 - RAF601G 2 Lögmál Faradays spansegulviðnám Lögmál Faradays er hluti af
Διαβάστε περισσότεραKaplan Meier og Cox. Aðferðafræði klínískra rannsókna haustið 2010 Fimmtudagur 11 nóvember. Thor Aspelund Hjartavernd og Háskóla Íslands
Kaplan Meier og Cox Aðferðafræði klínískra rannsókna haustið 2010 Fimmtudagur 11 nóvember Thor Aspelund Hjartavernd og Háskóla Íslands Tími að atburði í heilbrigðisvísindum Í heilbrigðisvísindum er útkoman
Διαβάστε περισσότεραIðjuþjálfun LIE0103 Hrefna Óskarsd.
Intraplural fluid alveoli P atm = O mmhg P alv P ip = P alv = O mmhg Lung elastic recoil 4 mmhg Chest wall P ip = -4 mmhg að anda inn og út. útöndun án mikils krafts, þ.e. af ákveðnu hlutleysi, og getum
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Διαβάστε περισσότεραEðlisfræði 1. Dæmi 5.2 (frh.) Dæmi Dæmi (frh.) d) P = W tog. = 0, 47kW. = 9, 4kJ
S I S Menntakólinn Dæi 5. frh. - 5.3 R E Y K SIGILLUM J A V SCHOLÆ I C E N í Reykjavík 5. frh. d P W tog t 9,4kJ 0 0, 47kW Eðlifræði Kafli 5 - Vinna og orkuvarðveila Óleyt dæi 5. nóveber 006 Kritján Þór
Διαβάστε περισσότεραChương 2: Đại cương về transistor
Chương 2: Đại cương về transistor Transistor tiếp giáp lưỡng cực - BJT [ Bipolar Junction Transistor ] Transistor hiệu ứng trường FET [ Field Effect Transistor ] 2.1 KHUYẾCH ĐẠI VÀ CHUYỂN MẠCH BẰNG TRANSISTOR
Διαβάστε περισσότεραGreinargerð Trausti Jónsson. Sveiflur IV. Árstíðasveiflur í háloftunum yfir Keflavík
Greinargerð 44 Trausti Jónsson Sveiflur IV Árstíðasveiflur í háloftunum yfir Keflavík VÍ-VS4 Reykjavík Mars 24 Árstíðasveifla ýmissa veðurþátta í háloftunum yfir Keflavík Inngangur Hér verður fjallað um
Διαβάστε περισσότεραRafmagsfræði loftræsikerfa
Rafmagsfræði loftræsikerfa Sigurður Sigurðsson Febrúar 2003 Sigurður Sigurðsson 2 Rafmagnsfræði loftræsikerfa Höfundur: Sigurður Sigurðsson Útgefandi: IÐAN fræðslusetur ehf IÐAN fræðslusetur, Skúlatúni
Διαβάστε περισσότεραRafbók. Riðstraumsmótorar. Kennslubók
Kennslubók Þetta hefti er þýtt úr dönsku með góðfúslegu leyfi EVU í Danmörku. Íslensk þýðing: Sigurður H. Pétursson Mynd á kápu er fengin frá Guðna Þór í Rönning Umbrot: Ísleifur Árni Jakobsson Faglegur
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises
Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises Page 11 CHAPTER 1 V LSB 5.1V 10 bits 5.1V 104bits 5.00 mv V 5.1V MSB.560V 1100010001 9 + 8 + 4 + 0 785 10 V O 786 5.00mV or
Διαβάστε περισσότεραHætta af rafmagni og varnir
Hætta af rafmagni og varnir Leysir af hólmi bæklinginn "Námsefni úr Reglugerð um raforkuvirki" 1. Rafstraumur um líkamann Rafstraumurinn sem fer um líkamann er skaðvaldurinn og spennan að því marki sem
Διαβάστε περισσότεραRAF301G Merki og kerfi Miðmisserispróf, lausn
RAF301G Merki og kerfi Miðmisserispróf, lausn Miðvikudaginn 20. okóber 2010, kl. 08:20-09:50 Leyfileg hjálpargögn: reiknivél og ei A-blað með hverju sem er (innan marka heilbrigðrar skynsemi) á báðum hliðum.
Διαβάστε περισσότερα4.01 Maður ekur 700 km. Meðalhraðinn er 60 km/klst fyrstu 250 km og 75 km/klst síðustu 450 km. Hver er meðalhraðinn?
4. kafli, dæmi og vör með útreikningum Skrifað út 9..4; :34 4. Maður ekur 7 km. Meðalhraðinn er 6 km/klt fyrtu 5 km og 75 km/klt íðutu 45 km. Hver er meðalhraðinn? S S Sv.: Hér þarf að reikna tímann fyrir
Διαβάστε περισσότερα1) Birgðabreyting = Innkaup - Sala + Framleiðsla - Rýrnun - Eigin notkun. Almennari útgáfa af lögmálinu hér fyrir ofan lítur svona út:
Massajöfnunarkerfi Svokölluð jöfnunarkerfi eru notuð til að fylgjast með magni efnis þegar það fer í gegnum ferli. Slík kerfi eru útgáfur af lögmálinu um varðveislu massans. Einfaldasta jöfnunarkerfið
Διαβάστε περισσότεραNPN Silicon RF Transistor BFQ 74
NPN Silicon RF Transistor BFQ 74 For low-noise amplifiers in the GHz range, and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 1 ma to 25 ma. Hermetically
Διαβάστε περισσότεραLíkindi Skilgreining
Líkindi Skilgreining Ω = útkomumengi = mengi allra hugsanlegra útkoma. Atburður er hlutmengi í Ω. Ω A Skilgreining: Atburðir A og B kallast sundurlægir (ósamræmanlegir) ef A B =. Ω A B Skilgreining: Líkindi
Διαβάστε περισσότεραReglur um skoðun neysluveitna
Reglur um skoðun neysluveitna 1 INNGANGUR Mannvirkjastofnun setur reglur um skoðun neysluveitna samkvæmt ákvæðum reglugerðar um raforkuvirki nr. 678/2009. Reglur um skoðun neysluveitna eru settar samkvæmt
Διαβάστε περισσότερα2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ
ρ. Λάμρος Μισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε με
Διαβάστε περισσότεραGuðbjörg Pálsdóttir Guðný Helga Gunnarsdóttir NÁMSGAGNASTOFNUN
Guðbjörg Pálsdóttir Guðný Helga GunnarsdóttirNÁMSGAGNASTOFNUN Til nemenda Námsefnisflokkurinn 8 tíu er ætlaður nemendum í 8. 10. bekk. Grunnbókin 8 tíu 5 skiptist í átta meginkafla. Í hverjum kafla er
Διαβάστε περισσότεραÁlyktanir um hlutföll og tengslatöflur
Ályktanir um hlutföll og tengslatöflur LAN 203G & STÆ209G Anna Helga Jónsdóttir Sigrún Helga Lund Háskóli Íslands Anna Helga og Sigrún Helga (HÍ) Ályktanir um hlutföll og tengslatöflur 1 / 27 Helstu atriði:
Διαβάστε περισσότεραStillingar loftræsikerfa
Stillingar loftræsikerfa Apríl 009 Stillingar loftræsikerfa Höfundar: og Útgefandi: IÐAN fræðslusetur ehf IÐAN fræðslusetur Skúlatúni 105 Reykjavík Fyrsta útgáfa 004 Önnur útgáfa 008 Þriðja útgáfa 009
Διαβάστε περισσότεραSkilaverkefni 1. Skil á þriðjudaginn
Nafn: Skilaverkefni 1 Skil á þriðjudaginn 1. Bíll ekur frá Reykjavík á Selfoss. Ferðin tekur 45 mínútur og vegalendin sem bíllinn fer er 50 Km. Hver er meðalhraði bílsins á leiðinni í m/s og Km/klst? 2.
Διαβάστε περισσότερα16 kafli stjórn efnaskipta
16 kafli stjórn efnaskipta Stjórnun efnaskipta kodhydrata, próteina og fitu Þegar við erum búin að koma næringu úr meltingarveginum og út í blóðið, þarf að koma næringunni áfram yfir í þær frumur sem eiga
Διαβάστε περισσότεραΑριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραPRÓFBÚÐIR Í LÍNULEGRI ALGEBRU VIÐ HR VOR 2014 HERKÚLES
PRÓFBÚÐIR Í LÍNULEGRI ALGEBRU VIÐ HR VOR 2014 HERKÚLES GUÐMUNDUR EINARSSON Herkúles Prófbúðir April 8, 2014 1 / 52 OUTLINE 1 Grunnhugtök, einfaldar aðgerðir og innfeldi Grunnhugtök Innfeldi Jafna Línu
Διαβάστε περισσότεραNokkur valin atriði úr aflfræði
Einföld sveifluhreyfin Nour valin atriði úr aflfræði Soðum raftajöfnuna fyrir orm með ormstuðul sem má rita á eftirfarandi formi: mẍ = x sem er óhliðruð. stis diffurjafna. Umritum hana yfir á eftirfarandi
Διαβάστε περισσότεραSæmundur E. Þorsteinsson, TF3UA
Sæmundur E. Þorsteinsson, TF3UA Flutningslínur Á formlegri ensku heita þær Transmission Lines Líka oft kallaðar Feeder lines Fæðilínur Flutningslínur, merkjaflutningslínur Flutningslína flytur afl (merki)
Διαβάστε περισσότεραRafbók. Loftnetskerfi. Verkefnahefti A
Loftnetskerfi Verkefnahefti A Þetta hefti er án endurgjalds á rafbókinni. Allir rafiðnaðarmenn og rafiðnaðarnemar geta fengið aðgang án endurgjalds að rafbókinni. Þetta hefti er þýtt með góðfúslegu leyfi
Διαβάστε περισσότεραVeghönnunarreglur 02 Þversnið
3 Veghönnunarreglur 02 10.01.2011 Flokkun gagna innan Vegagerðarinnar Flokkur Efnissvið Einkenni (litur) 1 Lög, reglugerðir, og önnur Svartur fyrirmæli stjórnvalda 2 Stjórnunarleg fyrirmæli, Gulur skipurit,
Διαβάστε περισσότεραΑριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό
Διαβάστε περισσότεραH 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og Nesjavallavirkjun
H 2 S loftgæðamælingar á Hellisheiði og Nesjavöllum, 1. ársfjórðungur 2018 Bls. 1 Skýrsla nr. 42 3. maí 2018 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar fyrir
Διαβάστε περισσότερα0CHIPSTAR MICROELECTRONICS 5.5W CS8571E CS8571E. Chipstar Micro-electronics. 470uF. 0.39uF 4 IN MODE: 0----AB CS8571 CS8571E FM AB D CS8571E
AB/D, 5.2W FM ABD 5.5W AERC( Adaptive Edge Rate Control), EMI,,FCC Part5 Class B2dB. PWM PCB, 9%,,, ESOP8,-4 85 ESOP8 IN.39uF 4 IN 6 PO at % THD+ N, VDD = 5V RL = 4 Ω 3.45W() RL = 2 Ω 5.2W() PO at % THD+
Διαβάστε περισσότεραH2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði
H2S loftgæðamælingar, Norðlingaholt, Hveragerði, 1. og 2. ársfjórðungur 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 14 16. júlí 2015 H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði Skýrsla um mælingar fyrir janúar til
Διαβάστε περισσότεραH 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun
H2S loftgæðamælingar, Hellisheiði og Nesjavöllum, fyrir árið 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 19 18. janúar 2016 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar fyrir
Διαβάστε περισσότεραH 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun
H2S loftgæðamælingar, Hellisheiði og Nesjavöllum, 1. og 2. ársfjórðungur 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 15 16. júlí 2015 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar
Διαβάστε περισσότεραSkrifað út ; 18:59 gk. 6. kafli, dæmi og svör með útreikningum
6. kafli, dæmi og svör með útreikningum Skrifað út 30.3.2005; 18:59 6.1 Brennsluspritt hefur eðlismassann 0,8/cm 3. Hversu langa pípu þyrfti að nota í loftvog til að samsvara loftþrýstingi miðað við 76
Διαβάστε περισσότεραH2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði
H2S loftgæðamælingar, Norðlingaholti og Hveragerði, fyrir árið 2015 Bls. 1 Skýrsla nr. 18 18. janúar 2016 H2S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði Skýrsla um mælingar fyrir árið 2015 Unnið
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ ΑΜΦΙΠΟΛΙΚΩΝ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΩΝ Η άσκηση αποτελείται από δύο τμήματα: 1) μελέτη των χαρακτηριστικών καμπύλων εισόδου και εξόδου των τρανζίστορ για
Διαβάστε περισσότεραH2S mælingar í Norðlingaholti og Hveragerði Skýrsla um mælingar árið 2013 Unnið fyrir Orkuveitu Reykjavíkur
Bls. 1 Skýrsla nr. 2 (útgáfa 2) 12. janúar 2014 H2S mælingar í Norðlingaholti og Hveragerði Skýrsla um mælingar árið 2013 Unnið fyrir Orkuveitu Reykjavíkur Höfundur: Andrés Þórarinsson Verkfræðistofan
Διαβάστε περισσότεραH 2 S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði
H 2 S loftgæðamælingar, Norðlingaholti og Hveragerði, 1. - 3. ársfjórðungur 2016 Bls. 1 Skýrsla nr. 24 19. október 2016 H 2 S loftgæðamælingar í Norðlingaholti og í Hveragerði Skýrsla um mælingar fyrir
Διαβάστε περισσότεραPRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION NE699M FEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) HIGH ft: 6 GHz TYP at V, ma LOW NOISE FIGURE: NF =. db TYP
Διαβάστε περισσότεραH 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun
H 2 S loftgæðamælingar, Hellisheiði og Nesjavöllum, 1. ársfjórðungur 2016 Bls. 1 Skýrsla nr. 21 26. apríl 2016 H 2 S loftgæðamælingar við Hellisheiðarvirkjun og við Nesjavallavirkjun Skýrsla um mælingar
Διαβάστε περισσότεραVeghönnunarreglur 03 Vegferill
3 Veghönnunarreglur 03 01.08.2010 Flokkun gagna innan Vegagerðarinnar Flokkur Efnissvið Einkenni (litur) 1 Lög, reglugerðir, og önnur Svartur fyrirmæli stjórnvalda 2 Stjórnunarleg fyrirmæli, Gulur skipurit,
Διαβάστε περισσότερα1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά
Διαβάστε περισσότεραSpurningar úr Raforkudreifikerfum. e. Ófeig Sigurðsson.
Spurningar úr Raforkudreifikerfum. e. Ófeig Sigurðsson. 1. Vinnsla og flutningur raforku 1. Hvað er raforkuver? 2. Hvaða atriði hafa áhrif á nýtni raforkukerfa? 3. Hvað er blik (kóróna) í raforkukerfi?
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ενισχυτές με ανατροφοδότηση
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ενισχυτές με ανατροφοδότηση Οι ενισχυτές είναι δίθυρα κυκλώματα στα οποία εμπλέκονται τέσσερα μεγέθη (ρεύμα και τάση εισόδου, ρεύμα και τάση εξόδου). Είναι αναλογικά κυκλώματα, δηλαδή, κάποιο
Διαβάστε περισσότεραRating Symbol Value Unit Drain Gate Voltage VDSS 65 Vdc Drain Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF166C/D The RF MOSFET Line N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily or wideband large signal output and driver rom 3 MHz. MRF166C Guaranteed
Διαβάστε περισσότεραG U LU S Í Ð U R N A R
GULU SÍÐURNAR Reykjafell hf. Skipholt 35 105 Reykjavík Sími 588 6000 Fax 588 601 www.reykjafell.is Akureyri Furuvellir 13 Sími 46 5000 Reyðarfjörður Nesbraut 10 Sími 477 000 Almennar upplýsingar MÆLIEININGAR
Διαβάστε περισσότεραGreiðir eingöngu fyrir það magn sem er notað. Blandað á staðnum. Ekkert fer til spillis. Umhverfisvænt. Tímasparnaður.
Greiðir eingöngu fyrir það magn sem er notað Blandað á staðnum Ekkert fer til spillis Umhverfisvænt Tímasparnaður Snyrtileg lausn Sterkari lausnir Þunnflotsbíll Steypustöð á hjólum Vinsælar lausnir: Anhýdrít
Διαβάστε περισσότεραΤο διπολικό τρανζίστορ
2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών
Διαβάστε περισσότερα4. útgáfa júní Vörulýsing. steinsteypa. Sterkari lausnir
4. útgáfa júní 2012 Vörulýsing steinsteypa Sterkari lausnir Almennar upplýsingar Öryggisatriði Óhörðnuð steinsteypa er ertandi. Varast skal snertingu við húð og augu. Komist steinsteypa í augu er mikilvægt
Διαβάστε περισσότεραAnnar kafli Hraði, hröðun, kraftur og massi
Annar kafli Hraði, hröðun, kraftur og massi Markmið kaflans eru að kunna: Hraða, hröðun Stigstærð, vektorstærð Reikna krafta sem verka á hluti með hliðsjón af massa og hröðun hans Geta reiknað lokahraða
Διαβάστε περισσότερα«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Διαβάστε περισσότεραForritunarkeppni Framhaldsskólanna 2014
2014 Morpheus deild - eftir hádegi Háskólinn í Reykjavík 20. mars 2014 Verkefni 1 Á Milli Skrifið forrit sem les inn þrjár heiltölur a, b og c. Skrifið út Milli ef talan b er á milli a og c á talnalínunni.
Διαβάστε περισσότεραStærðfræði. Lausnir. Lausnir. 8tíu. NÁMSGAGNASTOFNUN 20. apríl 2009
4 1 2 3 5 6 Lausnir Lausnir 8tíu NÁMSGAGNASTOFNUN 20. apríl 2009 Átta Lausnir 2007 Björgvin Sigurðsson, Guðbjörg Pálsdóttir og Guðný Helga Gunnarsdóttir Ritstjóri: Hafdís Finnbogadóttir Öll réttindi áskilin
Διαβάστε περισσότεραNPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
FEATURES NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = MHz TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE=.55 pf TYP
Διαβάστε περισσότεραΤο BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory
Το BJT ως Διακόπτης Οταν το transistor χρησιμοποιείται σαν διακόπτης ευρίσκεται είτε στην κατάσταση αποκοπής είτε σε αυτή του κορεσμού. Η βασική αρχή αυτής της χρήσης έγκειται στην διακριτή μεταβολή της
Διαβάστε περισσότεραGrunnvatnsrannsóknir í Norðurþingi
LV-2010/010 Grunnvatnsrannsóknir í Norðurþingi 2007-2010 Undirtitill Ágúst 2010 EFNISYFIRLIT INNGANGUR... 5 AÐFERÐIR... 5 GAGNAÖFLUN OG SÝNATAKA... 5 NIÐURSTÖÐUR MÆLINGA... 6 Mæling aðalefna í vatnssýnum
Διαβάστε περισσότεραSAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS
SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS Kodein Meda 25 mg töflur. 2. INNIHALDSLÝSING Hver tafla inniheldur kódeinfosfathemihýdrat 25 mg. Hjálparefni með þekkta verkun: Laktósaeinhýdrat 100 mg, natríummetabisulfit
Διαβάστε περισσότεραFylgiseðill: Upplýsingar fyrir notanda lyfsins. Symbicort mite Turbuhaler 80 míkrógrömm/4,5 míkrógrömm/skammt, Innöndunarduft
Fylgiseðill: Upplýsingar fyrir notanda lyfsins Symbicort mite Turbuhaler 80 míkrógrömm/4,5 míkrógrömm/skammt, Innöndunarduft Budesonid/formoterolfumarattvíhýdrat Lesið allan fylgiseðilinn vandlega áður
Διαβάστε περισσότερα3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ
3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα
Διαβάστε περισσότεραSAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS
SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS Metadon Abcur 40 mg töflur 2. INNIHALDSLÝSING 40 mg: 1 tafla inniheldur 40 mg metadónhýdróklóríð. Hjálparefni með þekkta verkun: 40 mg: 1 tafla inniheldur 180
Διαβάστε περισσότεραÞjófavarnarkerfi fyrir bílstöðvar
Stjórn Í.R.A. 1982-1983: Kristján Benediktsson, TF3KB, formaður. Guðjón Einarsson. TF3AC, varaformaður. Jónas Bjarnason, TF3JB, ritari. Óskar Sverrisson, TF3DC, gjaldkeri Ólafur P Guðjónsson. TF3MXN, varastjórn.
Διαβάστε περισσότεραViðskipta- og Hagfræðideild Tölfræði II, fyrirlestur 6
Viðskipta- og Hagfræðideild Tölfræði II, fyrirlestur 6 Háskóli Íslands Helgi Tómasson Líkindafræði kafli 2-9 Berið saman við líkindafræðina í Newbold. Tilgangur líkindafræði í tölfræðinámsskeiði er að
Διαβάστε περισσότεραBorðaskipan í þéttefni
Eðlisfræði þéttefnis I: Borðaskipan í þéttefni Kafli 7 Jón Tómas Guðmundsson tumi@hi.is 8. vika haust 2017 1 Inngangur Sú nálgun sem gerð var með einnar rafeindar nálguninni og með því að gera ráð fyrir
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Fifth Edition - Part I Solutions to Exercises
Page Microelectronic Circuit Design Fifth Edition Part I Solutions to Exercises CHAPTER V LSB 5.V 0 bits 5.V 04bits 5.00 mv V MSB 5.V.560V 000000 9 + 8 + 4 + 0 785 0 V O 785 5.00mV or 5.V 3.95 V V O +
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)
Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο
Διαβάστε περισσότεραHÖNNUN Á STRENGLÖGN 11KV ÞINGVALLASVEIT
HÖNNUN Á STRENGLÖGN 11KV ÞINGVALLASVEIT Ágúst Jónsson Lokaverkefni í rafiðnfræði 2016 Höfundur: Ágúst Jónsson Kennitala:290174-4659 Leiðbeinandi: Lárus Einarsson Tækni- og verkfræðideild School of Science
Διαβάστε περισσότερα4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ
1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε
Διαβάστε περισσότεραUpplýsingar um innrigerð jarðar er fundið með jarðskjálftabylgjum og loftsteinum.
Storkuberg 1 Kafli 1 Upphaf jarðar er talið hafa verið fyrir um 4,6*10 9 árum þá sem aðsóp (accrection). Upplýsingar um innrigerð jarðar er fundið með jarðskjálftabylgjum og loftsteinum. Loftsteinum er
Διαβάστε περισσότεραVerkefni 1: Splæsibrúun og jafnhæðarferlar
Verkefni 1: Splæsibrúun og jafnhæðarferlar Friðrik Freyr Gautason og Guðbjörn Einarsson I. SPLÆSIBRÚUN FORRITUÐ Hérna er markmiðið að útfæra forrit sem leyfir notanda að smella á teikniglugga eins oft
Διαβάστε περισσότερα( 1) R s S. R o. r D + -
Tο κύκλωμα που δίνεται είναι ένας ενισχυτής κοινής πύλης. Δίνονται: r D = 1 MΩ, g m =5mA/V, R s =100 Ω, R D = 10 kω. Υπολογίστε: α) την απολαβή τάσης β) την αντίσταση εισόδου γ) την αντίσταση εξόδου Οι
Διαβάστε περισσότερα24 sem x stendur fyrir hluta í ppm og M er mólmassi efnisins. Skrifað út ; 19:01 gk. Skrifað út ; 19:01 gk
kafli, dæmi o svör með útreikninum 1 Brennsluspritt hefur eðlismassann 0,8/cm Hversu lana pípu þyrfti að nota í loftvo til að samsvara loftþrýstini miðað við cm háa kvikasilfurssúlu? Við finnum eðlismassa
Διαβάστε περισσότεραSAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS
SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS TAFLOTAN 15 míkrógrömm/ml augndropar, lausn í stakskammtaíláti 2. VIRK INNIHALDSEFNI OG STYRKLEIKAR Einn ml af augndropum, lausn, inniheldur 15 míkrógrömm af
Διαβάστε περισσότερα9 x 2 x 2 x 3 = 19 (9 + 2) 2 3 = 19
Verkefnablað 7.35 Horfin aðgerðartákn Settu aðgerðartákn (+,, :, ) og sviga á rétta staði þannig að svörin verði rétt. Dæmi: 9 x 2 x 2 x 3 = 19 (9 + 2) 2 3 = 19 a 9 x 8 x 3 x 2 = 7 b 16 x 9 x 5 x 5 = 10
Διαβάστε περισσότεραHÖNNUN BURÐARVIRKIS IÐNAÐARHÚSS SAMANBURÐUR Á MISMUNANDI BYGGINGAREFNUM
HÖNNUN BURÐARVIRKIS IÐNAÐARHÚSS SAMANBURÐUR Á MISMUNANDI BYGGINGAREFNUM Lokaverkefni í byggingartæknifræði BSc 2014 Höfundur: Kennitala: 110981-3929 Torfi G.Sigurðsson Tækni- og verkfræðideild School of
Διαβάστε περισσότεραΕΦΗΜΕΡΙΣ ΤΗΣ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΣ
22631 ΕΦΗΜΕΡΙΣ ΤΗΣ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΣ ΤΗΣ ΕΛΛΗΝΙΚΗΣ ΗΜΟΚΡΑΤΙΑΣ ΑΠΟΦΑΣΕΙΣ Αριθµ. 85033/Γ2 :Αναλυτικό Πρόγραµµα Σπουδών του Τοµέα Ηλεκτρο νικής της Β Τάξης ΕΠΑ.Λ. Η ΥΠΟΥΡΓΟΣ ΕΘΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΘΡΗΣΚΕΥΜΑΤΩΝ Έχοντας
Διαβάστε περισσότεραSAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS
SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI LYFS Fenemal Meda 15 mg töflur. Fenemal Meda 50 mg töflur. Fenemal Meda 100 mg töflur. 2. INNIHALDSLÝSING Hver tafla inniheldur phenobarbital 15 mg, 50 mg eða 100
Διαβάστε περισσότεραSURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft of LOW VOLTAGE/LOW CURRENT OPERATION HIGH INSERTION POWER GAIN: SE = db @ V, 7 ma, GHz SE = db @ V, ma, GHz LOW NOISE:. db AT. GHz AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC
Διαβάστε περισσότεραGagnasafnsfræði Venslaalgebra og bestun fyrirspurna. Hallgrímur H. Gunnarsson
Gagnasafnsfræði Venslaalgebra og bestun fyrirspurna Hallgrímur H. Gunnarsson Inngangur SQL: SQL er declarative mál, segir bara hvað á að reikna, en ekki hvernig. Það er undir gagnasafnskerfinu komið að
Διαβάστε περισσότεραVIÐAUKI I SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS
VIÐAUKI I SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1 1. HEITI LYFS AMGLIDIA 0,6 mg/ml mixtúra, dreifa AMGLIDIA 6 mg/ml mixtúra, dreifa 2. INNIHALDSLÝSING AMGLIDIA 0,6 mg/ml mixtúra, dreifa Hver ml inniheldur 0,6 mg
Διαβάστε περισσότεραVeggirðingar. UNNIÐ s FYRIR VEGAGERÐINA. Höfundur: Grétar Einarsson
1 UNNIÐ s FYRIR VEGAGERÐINA Í ritgerðinni eru settar fram í nokkrum köflum kröfur er snerta efnisgæði til girðingarefnis. Ennfremur kröfur sem gerðar eru varðandi framkvæmd og vinnubrögð við uppsetningu
Διαβάστε περισσότεραIXBH42N170 IXBT42N170
High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25
Διαβάστε περισσότεραFYLGISEÐILL. Dorbene Vet 1 mg/ml stungulyf, lausn fyrir hunda og ketti.
FYLGISEÐILL Dorbene Vet 1 mg/ml stungulyf, lausn fyrir hunda og ketti 1. HEITI OG HEIMILISFANG HANDHAFA MARKAÐSLEYFIS OG ÞESS FRAMLEIÐANDA SEM BER ÁBYRGÐ Á LOKASAMÞYKKT, EF ANNAR Laboratorios SYVA S.A.U.,
Διαβάστε περισσότεραSAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS
SAMANTEKT Á EIGINLEIKUM LYFS 1. HEITI DÝRALYFS PHENOLEPTIL 25 mg töflur handa hundum 2. INNIHALDSLÝSING Hver tafla inniheldur Virk innihaldsefni mg Fenóbarbital 25 Hjálparefni: Sjá lista yfir öll hjálparefni
Διαβάστε περισσότεραABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25 o C) Item Symbol Condition Rating Unit Operating-Voltage VDS 55 V. Item Symbol Condition Limit Unit
GaN-HEMT 15W FEATURES -High Voltage Operation : VDS=V -High Power :.3dBm (typ.) @ Psat -High Efficiency: 7%(typ.) @ Psat -Power Gain : 18dB(typ.) @ f=2.14ghz -Proven Reliability DESCRIPTION SEDI's GaN-HEMT
Διαβάστε περισσότερα