RZD 2008, uvod v»uporaba MIL-HDBK«

Σχετικά έγγραφα
Diferencialna enačba, v kateri nastopata neznana funkcija in njen odvod v prvi potenci

Funkcije. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 14. november Gregor Dolinar Matematika 1

Tretja vaja iz matematike 1

Funkcijske vrste. Matematika 2. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 2. april Gregor Dolinar Matematika 2

Booleova algebra. Izjave in Booleove spremenljivke

KODE ZA ODKRIVANJE IN ODPRAVLJANJE NAPAK

Zaporedja. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 22. oktober Gregor Dolinar Matematika 1

Funkcije. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 21. november Gregor Dolinar Matematika 1

Odvod. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 5. december Gregor Dolinar Matematika 1

Delovna točka in napajalna vezja bipolarnih tranzistorjev

Kotne in krožne funkcije

1. Trikotniki hitrosti

SKUPNE PORAZDELITVE VEČ SLUČAJNIH SPREMENLJIVK

8. Diskretni LTI sistemi

NEPARAMETRIČNI TESTI. pregledovanje tabel hi-kvadrat test. as. dr. Nino RODE

Odvod. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 10. december Gregor Dolinar Matematika 1

Zaporedja. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 15. oktober Gregor Dolinar Matematika 1

p 1 ENTROPIJSKI ZAKON

PONOVITEV SNOVI ZA 4. TEST

Osnove elektrotehnike uvod

*M * Osnovna in višja raven MATEMATIKA NAVODILA ZA OCENJEVANJE. Sobota, 4. junij 2011 SPOMLADANSKI IZPITNI ROK. Državni izpitni center

13. Jacobijeva metoda za računanje singularnega razcepa

1. Έντυπα αιτήσεων αποζημίωσης Αξίωση αποζημίωσης Έντυπο Πίνακας μεταφράσεων των όρων του εντύπου...

matrike A = [a ij ] m,n αa 11 αa 12 αa 1n αa 21 αa 22 αa 2n αa m1 αa m2 αa mn se števanje po komponentah (matriki morata biti enakih dimenzij):

IZPIT IZ ANALIZE II Maribor,

Numerično reševanje. diferencialnih enačb II

Varjenje polimerov s polprevodniškim laserjem

PROCESIRANJE SIGNALOV

Vaja: Odbojnostni senzor z optičnimi vlakni. Namen vaje

Kontrolne karte uporabljamo za sprotno spremljanje kakovosti izdelka, ki ga izdelujemo v proizvodnem procesu.

Funkcije. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 12. november Gregor Dolinar Matematika 1

+105 C (plošče in trakovi +85 C) -50 C ( C)* * Za temperature pod C se posvetujte z našo tehnično službo. ϑ m *20 *40 +70

Podobnost matrik. Matematika II (FKKT Kemijsko inženirstvo) Diagonalizacija matrik

Gimnazija Krˇsko. vektorji - naloge

1. Definicijsko območje, zaloga vrednosti. 2. Naraščanje in padanje, ekstremi. 3. Ukrivljenost. 4. Trend na robu definicijskega območja

Logatherm WPL 14 AR T A ++ A + A B C D E F G A B C D E F G. kw kw /2013

MATEMATIČNI IZRAZI V MAFIRA WIKIJU

Integralni račun. Nedoločeni integral in integracijske metrode. 1. Izračunaj naslednje nedoločene integrale: (a) dx. (b) x 3 +3+x 2 dx, (c) (d)

Splošno o interpolaciji

, PAL PA, ΜΝΗΜΕΣ ROM)

ARHITEKTURA DETAJL 1, 1:10

Osnove matematične analize 2016/17

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Na pregledni skici napišite/označite ustrezne točke in paraboli. A) 12 B) 8 C) 4 D) 4 E) 8 F) 12

Transformator. Delovanje transformatorja I. Delovanje transformatorja II

CM707. GR Οδηγός χρήσης SLO Uporabniški priročnik CR Korisnički priručnik TR Kullanım Kılavuzu

Pismeni ispit iz matematike Riješiti sistem jednačina i diskutovati rješenja sistema u zavisnosti od parametra: ( ) + 1.

ΠΡΙΤΣΙΝΑΔΟΡΟΣ ΛΑΔΙΟΥ ΑΕΡΟΣ ΓΙΑ ΠΡΙΤΣΙΝΙΑ M4/M12 ΟΔΗΓΙΕΣ ΧΡΗΣΗΣ - ΑΝΤΑΛΛΑΚΤΙΚΑ

INTELIGENTNO UPRAVLJANJE

vaja Kvan*ta*vno določanje proteinov. 6. vaja Kvan*ta*vno določanje proteinov. 6. vaja Kvan*ta*vno določanje proteinov

Poglavje 7. Poglavje 7. Poglavje 7. Regulacijski sistemi. Regulacijski sistemi. Slika 7. 1: Normirana blokovna shema regulacije EM

Tabele termodinamskih lastnosti vode in vodne pare

Kotni funkciji sinus in kosinus

Definicija. definiramo skalarni produkt. x i y i. in razdaljo. d(x, y) = x y = < x y, x y > = n (x i y i ) 2. i=1. i=1

PRILOG. Tab. 1.a. Dozvoljena trajna opterećenja bakarnih pravougaonih profila u(a) za θ at =35 C i θ=30 C, (θ tdt =65 C)

ADS sistemi digitalnega snemanja ADS-DVR-4100D4

DISKRETNA FOURIERJEVA TRANSFORMACIJA

Osnove sklepne statistike

1.5 POLPREVODNIŠKE KOMPONENTE

The Thermal Comfort Properties of Reusable and Disposable Surgical Gown Fabrics Original Scientific Paper

Funkcija je predpis, ki vsakemu elementu x iz definicijskega območja D R priredi neko število f (x) R.

ELEKTRONSKI ELEMENTI (ELE)

1. TVORBA ŠIBKEGA (SIGMATNEGA) AORISTA: Največ grških glagolov ima tako imenovani šibki (sigmatni) aorist. Osnova se tvori s. γραψ

ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ. Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 17: Αναδιατασσόµενη Λογική Προγραµµατιζόµενο Υλικό

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. Σταθερές Μνήμες Αρχιτεκτονικές Μνήμης RAM

Uvod v programirljive digitalne sisteme. Andrej Trost Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko

POSTROJI ZA PRENOS IN TRANSFORMACIJO ELEKTRIČNE ENERGIJE

Pošto pretvaramo iz veće u manju mjernu jedinicu broj 2.5 množimo s 1000,

Električne lastnosti varikap diode

Matematika 2. Diferencialne enačbe drugega reda

Magneti opis i namena Opis: Napon: Snaga: Cena:

IZRAČUNAVANJE POKAZATELJA NAČINA RADA NAČINA RADA (ISKORIŠĆENOSTI KAPACITETA, STEPENA OTVORENOSTI RADNIH MESTA I NIVOA ORGANIZOVANOSTI)

CD-308MP/FM. Service Manual - CD-308MP/FM

VSŠ Velenje Elektromehanski elementi in sistemi

Betonske konstrukcije 1 - vežbe 3 - Veliki ekscentricitet -Dodatni primeri

MERITVE LABORATORIJSKE VAJE. Študij. leto: 2011/2012 UNIVERZA V MARIBORU. Skupina: 9

Uradni list Republike Slovenije Št. 4 / / Stran 415

Iterativno reševanje sistemov linearnih enačb. Numerične metode, sistemi linearnih enačb. Numerične metode FE, 2. december 2013

PARCIJALNI IZVODI I DIFERENCIJALI. Sama definicija parcijalnog izvoda i diferencijala je malo teža, mi se njome ovde nećemo baviti a vi ćete je,

41. Jednačine koje se svode na kvadratne

3. VAJA IZ TRDNOSTI. Rešitev: Pomik v referenčnem opisu: u = e y 2 e Pomik v prostorskem opisu: u = ey e. e y,e z = e z.

IZVODI ZADACI ( IV deo) Rešenje: Najpre ćemo logaritmovati ovu jednakost sa ln ( to beše prirodni logaritam za osnovu e) a zatim ćemo

- Geodetske točke in geodetske mreže

Matematika 1. Gabrijel Tomšič Bojan Orel Neža Mramor Kosta

V tem poglavju bomo vpeljali pojem determinante matrike, spoznali bomo njene lastnosti in nekaj metod za računanje determinant.

STANDARD1 EN EN EN

Magneti opis i namena Opis: Napon: Snaga: Cena:

IZVODI ZADACI (I deo)

1 Fibonaccijeva stevila

SEMINAR. Tehnologije tiskanih vezij. Tehnologije tiskanih vezij

MULTILAYER CHIP VARISTOR JMV S & E Series: (SMD Surge Protection)

Vaje: Električni tokovi

Osnovni primer. (Z, +,,, 0, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: množenje je distributivno prema sabiranju

Državni izpitni center SPOMLADANSKI IZPITNI ROK *M * NAVODILA ZA OCENJEVANJE. Sreda, 3. junij 2015 SPLOŠNA MATURA

3.1 Reševanje nelinearnih sistemov

SEMINAR IZ KOLEGIJA ANALITIČKA KEMIJA I. Studij Primijenjena kemija

II. LIMITA IN ZVEZNOST FUNKCIJ

ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ

LANCI & ELEMENTI ZA KAČENJE

10. STABILNOST KOSINA

Transcript:

RZD 2008, uvod v»uporaba MIL-HDBK«MIL-HDBK-217F je vojaški priročnik za določevanje intenzivnosti odpovedovanja komponent. Zadnja dostopna verzija je F in sicer iz leta 1991, kateri pa sta dodana še dva popravka in sicer leta 1992. Priročnik je bil prvotno izdelan le za potrebe vojske ZDA, sčasoma pa je postal svetovni»de-facto«standard in se uporablja tudi v civilne namene. Priročnik podpira uporabo dveh metod določevanja intenzivnosti odpovedovanja sistemov in sicer: a) part stress analysis prediction b) parts count prediction Za metodo a potrebujemo več podatkov o posamezni komponenti ter o sistemu v katerem bo delovala. Ta metoda se uporablja predvsem v končni fazi, ko je sistem že postavljen in natančno specificiran. Metoda b je enostavnejša ter omogoča hitro približno ocenjevanje intenzivnosti odpovedovanja sistema. Ponavadi se uporablja v začetni fazi razvoja sistema, ko še nimamo natančnih podatkov o posameznih komponentah ter večkrat potrebujemo približne ocene.»part stress analysis prediction«metoda je uporabna, ko imamo sistem že v celoti postavljen oz. že natančno vemo specifikacije vseh komponent ter poznamo okolje v katerem bo sistem deloval. Intenzivnost odpovedovanja sistema določimo tako, da seštejemo intenzivnosti odpovedovanja vseh komponent, konektorjev in tiskanih vezij. Intenzivnost odpovedovanja λ [št. odpovedi / 10 6 ur] je odvisna od več faktorjev. Poleg osnovne intenzivnosti odpovedovanja komponente λ b, na odpovedovanje komponente vgrajene v nek sistem vpliva še okolje v katerem bo komponenta delovala, delovna temeratura in podobno. Posamezne komponente imajo glede na njihove lastnosti lahko še druge vplivne faktorje. Glavna vplivna faktorja, ki jih upoštevamo pri vseh komponentah 1) Kvaliteta komponente (Part Quality): Kvaliteta izdelave komponente ima neposredni vpliv na odpovedovanje komponente. Faktor kvalitete komponente označujemo z π Q. Komponente se ponavadi grupirajo v več razredov kvalitete (glej tabelo 1). Komponente, ki niso grupirane v omenjene razrede ponavadi razvrščamo v dva razreda kvalitete in sicer»mil-spec«ter»lower«. Omenjenih razredov kvalitete ne smemo mešati z izvedbami komponent kot jih lahko opazimo v priročnikih proizvajalcev in sicer Industrial ter Commercial. Slednje se ponavadi nanaša le na temperaturno območje delovanja. Andrej Jazbec, LRSS, 7.3.08 1 / 5

Tip komponente Integrirana vezja Diskretni polprevodniki Kondenzatorji Upori Tuljave Releji Oznaka razreda S,B,B-1,ostalo JANTXV,JANTX,JAN D,C,S,R,B,P,M,L S,R,P,M S,R,P,M R,P,M,L Tabela 1: Razredi kvalitete za različne tipe komponent 2) Okolje delovanja (Use environment): Faktor vpliva okolja upošteva različna okolja v katerih se analizirani sistem nahaja oziroma deluje. Faktor označujemo z π E. Bistveni vplivi okolja, ki jih ta faktor zajema so vibracije, pospeški, atmosferski tlak okolice, temperaturna nihanja, ipd. Za sisteme, ki menjajo okolje delovanja (vesoljska plovila), moramo izdelati več ocen intenzivnosti odpovedovanja, za vsako okolje svojo. Tabela 2 prikazuje tipe okolij, ki jih upošteva MIL-HDBK-217F. Okolje Oznaka Primeri okolij Zemeljsko, nadzorovano G B Laboratoriji, medicinska elektronska opema, računalniška oprema v pisarnah,... Zemeljsko, fiksno G F Slabo nadzorovano okolje, neogrevane stavbe,... Zemeljsko, mobilno G M Oprema, ki je montirana na vozilih ali se prenaša ročno, prenosna komunikacijska oprema, nosljivi računalniki,... Morsko, zaščiteno N S Oprema na ladjah in podmornicah v zaščitenih prostorih Morsko, nezaščiteno N U Oprema na ladjah in podmornicah v nezaščitenih prostorih, izpostavljeno vodi, (sonar),... Zračno, obljudeno, tovorno A IC Tovorni prostori v letalih, kjer je vpliv temperature, tresljajev in zračnega tlaka minimalen, letala kot so C130, B52,... Zračno, obljudeno, bojno A IF Podobno kot A IC le da na visoko zmogljivjih letalih kot so Zračno, tovorno neobljudeno, A UC F15, F16, F111, F/A 18, A10. Tovorni prostori v letalih, kjer so ekstremna nihanja temperature, tresljajev in zračnega tlaka. Letala kot so C130, B52,... Zračno, neobljudeno, bojno A UF Podobno kot A UC le da na visoko zmogljivih letalih kot so F15, F16, F111, F/A18,... Zračno, helikopterji A RW Oprema na helikopterjih, velja za notranjost in zunanjost. Vesoljsko, orbitiranje S F Vesoljsko okolje, orbitiranje okrog zemlje. Ne velja za vstope v zemeljsko atmosfero. Plovila kot so sateliti, shuttle,... Izstrelki, med letom M F Vodeni izstrelki, cruise missiles, med letom. Izstrelki, med izstrelitvijo M L Vodeni izstrelki, cruise missiles, v fazi izstrelitve. Velja tudi za izstrelitev space shuttla, vstop v atmosfero, torpedo, Topovski izstrelki, med izstrelitvijo C L Najhujše razmere, topovski izstrelki do premera 155mm, velja za izstrelitev ter let do tarče. Tabela 2: Različni tipi okolij delovanja, kot jih podpira MIL-HDBK-217F Andrej Jazbec, LRSS, 7.3.08 2 / 5

Model računanja intenzivnosti odpovedovanja Model računanja intenzivnosti odpovedovanja se razlikuje glede na tip komponente, ki jo obravnavamo. V nadaljevanju je predstavljenih nekaj tipov komponent (le tisti, ki so zanimivi za našo uporabo) ter njihovi modeli računanja intenzivnosti odpovedovanja. Dodaten opis bo namenjen le tistim faktorjem, ki jih prvič omenjamo. Integrirana vezja (Bipolar devices, MOS devices, digital and linear gate/logic arrays, PLA, PAL, microprocessors) glej MIL-HDBK-217F / stran 5-3 λ p = (C 1 π T + C 2 π E ) π Q π L - C 1... je faktor kompleksnosti vezja in je odvisen bodisi od števila logičnih vrat, bodisi od bitne širine mikroprocesorja. - C 2... je faktor ohišja in je odvisen od števila pinov (nožic) ter od načina izdelave ohišja. - π T... je temperaturni faktor; računa se na podlagi predvidene temperature PN spoja (glej poglavje 5.8 v MIL-HDBK-217F). - π L... je faktor učenja. Npr. za elemente, ki niso dolgo v proizvodnji se predvideva večja intenzivnost odpovedovanja, kot pa za elemente, ki prihajajo iz ustaljene proizvodnje. Integrirana vezja (ROM, PROM, UVEPROM, Flash, SRAM, DRAM memories) λ p = (C 1 π T + C 2 π E + λ cyc ) π Q π L - λ cyc... faktor bralno/pisalnih ciklov; le za EEPROM komponente; večje skupno število pisanj povečuje intenzivnost odpovedovanja. Integrirana vezja (VHSIS, VLSI, CMOS z več kot 60.000 vrati) λ p = λ BD π MFG π T π CD + λ BP π E π Q π PT + λ EOS - λ BD... osnovno odpovedovanje vezja; odvisno od vrste uporabe tehnologije (logic and custom vs. gate array and memory). - π MFG... korekcijski faktor za proces izdelave. - π T... temperaturni faktor; glede na temperaturo PN spoja. - π CD... korekcijski faktor glede na kompleksnost integriranega vezja. - λ BP... osnovno odpovedovanje ohišja glede na število pinov (nožic). - π PT... korekcijski faktor tipa ohišja (DIP, PGA,...). - λ EOS... korekcijski faktor za izpostavljenost ESD (Electrostatic Discharge) vplivom. Andrej Jazbec, LRSS, 7.3.08 3 / 5

Diskretni polprevodniški elementi (low frequency diodes) λ p = λ b π T π S π C π Q π E - λ b... osnovna intenzivnost odpovedovanja glede na tip diode. - π S... električni stress faktor; razmerje dejanske napajalne proti maksimalni dovoljeni napajalni napetosti. - π C... korekcijski faktor načina pritrditve pinov (kontaktov). Diskretni polprevodniški elementi (low frequency bipolar transistor) λ p = λ b π T π A π R π S π Q π E - π A... korekcijski faktor namena uporabe tranzistorja. - π R... faktor delovne moči tranzistorja. Diskretni polprevodniški elementi (low frequency Si FET transistor) λ p = λ b π T π A π Q π E Diskretni polprevodniški elementi (optoelectronics, LED,...) λ p = λ b π T π Q π E Diskretni polprevodniški elementi (optoelectronics, alphanumeric displays) λ p = λ b π T π Q π E Upori (navadni, ne-močnostni) λ p = λ b π T π P π S π Q π E - π P... korekcijski faktor disipacijske moči upora. Kondenzatorji λ p = λ b π T π C π V π SR π Q π E - π C... korekcijski faktor kapacitivnosti kondenzatorja. - π V... korekcijski faktor razmerja delovne proti nazivni napetosti. - π SR... korekcijski faktor upornosti tokokroga. Kristali (quartz) λ p = λ b π Q π E Andrej Jazbec, LRSS, 7.3.08 4 / 5

Tiskana vezja z metaliziranimi izvrtinami (ne SMD) λ p = λ b (N 1 π C + N 2 (π C + 13)) π Q π E - N1... število strojno spajkanih pinov. - N2... število ročno spajkanih pinov. - π C... faktor kompleksnosti, glede na število plasti bakra. Obstaja še veliko tipov komponent; omenili smo le tiste, ki jih v digitalnih sistemih najpogosteje uporabljamo, oz. jih najbolj poznamo. Andrej Jazbec, LRSS, 7.3.08 5 / 5