Mikroelektronske tehnologije
|
|
|
- Δάμαρις Βασιλειάδης
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Mikroelektronske tehnologije Prof. dr Biljana Pešić Kabinet 346, tel
2 Mikroelektronske tehnologije Cilj predmeta Fundamentalna znanja iz oblasti tehnologija mikrotalasnih komponenata (diskretnih komponenata i integrisanih kola) Sadržaj predmeta - Hibridne tehnologije i kola - Monolitne tehnologije i kola Literatura: skripta, www. elfak.ni.ac.yu 2
3 Mikroelektronske tehnologije - Uvod Faktori koji favorizuju mikrotalase Veličina antene emisija antene efikasna kada je njena veličina λ f, λ, veličina, efikasnost emisije Širina kanala f, širina kanala AM radio 1MHz daje kanal širine 10kHz signal za 6GHz daje kanal širine 6GHz Prostiranje talasa kroz atmosferu LF signal (30-300kHz) putuje blizu površine Zemlje veliki apsorpcioni gubici HF signal (3-30MHz) se reflektuje od jonosfere mikrotalas (30MHz-300GHz) ima nisko atmosfersko slabljenje 3
4 Mikroelektronske tehnologije - Uvod Mikrotalasne frekvence i opsezi mikrotalasi V. Belitsky 4
5 Mikroelektronske tehnologije - Uvod Primena mikrotalasa u bežičnim komunikacijama Radarski sistemi (vojna i civilna primena) Satelitske komunikacije Mobilna telefonija Kompjuteri 5
6 Mikroelektronske tehnologije - Uvod Mikrotalasna tehnika i mikroelektronika Mikrotalasna tehnika veličina komponenata L<λ/6 Mikroelektronika dizajn, simulacija i modeliranje, tehnologija proizvodnje, pouzdanost komponenata 6
7 Mikroelektronske tehnologije - Uvod Mikrotalasna kola: Pojačivači Pojačavači niskog šuma (LNA) Pojačavači snage Širokopojasni pojačavači Mikseri Oscilatori Prekidači Modulatori Atenuatori Pomerači faze Filteri 7
8 Mikroelektronske tehnologije - Uvod Mikrotalasne komponente Pasivne komponente Elementi sa grupisanim parametrima (fizičke dimenzije <λ/10): otpornici, kondenzatori, kalemovi Elementi sa raspodeljenim parametrima: transmisione linije, direkcioni kapleri, hibridni prstenovi, rezonatori Aktivne komponente efekat spoja efekat polja transfer elektrona lavinski efekat BJT JFET Gunn-ova dioda IMPATT dioda HBT MESFET TRAPATT dioda Tunelska dioda HFET BARITT dioda PIN dioda 8
9 Mikroelektronske tehnologije - Uvod Mikrotalasna integrisana kola (MIC) Hibridna mikrotalasna integrisana kola (HMIC) Transmisione linije (u formi metalnih slojeva na dielektričnom supstratu) integrisane su sa nekim pasivnim komponentama. Aktivne komponente proizvode se posebnim poluprovodničkim (Si, GaAs, InP) tehnologijama i kao diskretne montiraju na metalnu šemu. Složeno HMIC kolo (modul) može da integriše više HMIC i/ili MMIC kola (primer T/R modula u radarskim sistemima). Monolitna mikrotalasna integrisana kola (MMIC) Sve aktivne i pasivne komponente integrisane su na/u poluprovodničkom (Si, GaAs, InP) supstratu koji ima ulogu i izolacionog i aktivnog materijala. Čitavo kolo je u formi jednog čipa. 9
10 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tehnologije izrade aktivnih komponenata Komponenta Diode:PIN,IMPATT, Tunelska Bipolarni tranzistori (BJT) MOS tranzistori (MOSFET) Diode:PIN,IMPATT, Gunn-ova MESFET HFET (HEMT) HBT HFET (HEMT) HBT Tehnologija Silicijum, Si Galijum arsenid, GaAs (+Al) Indijum fosfid, InP (+Al,Ga) 10
11 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tehnologije izrade transmisionih linija Tankoslojna tehnologija - Metod dodavanja metalnih slojeva - Metod oduzimanja metalnih slojeva Debeloslojna tehnologija - Postupak sito štampe 11
12 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tankoslojna tehnologija Metod dodavanja slojeva 1. Početni materijal 2. Depozicija (naparavanje, spaterovanje) athezionog sloja supstrat supstrat 3. Depozicija (naparavanje, spaterovanje) tankog sloja Au supstrat 12
13 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tankoslojna tehnologija Metod dodavanja slojeva 4. Fotolitografski postupak I a) Depozicija fotorezista (negativnog) b) Ekspozicija fotorezista c) Razvijanje fotorezista d) Nagrizanje fotorezista (neosvetljenih delova) 13
14 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tankoslojna tehnologija Metod dodavanja slojeva 5. Depozicija (elektrolitičko nanošenje) debelog sloja Au 9. Nagrizanje athezionog sloja 7. Fotolitografski postupak II 8. Nagrizanje tankog sloja zlata 6. Skidanje fotorezista 10. Skidanje fotorezista 14
15 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tankoslojna tehnologija Metod oduzimanja slojeva 3. Depozicija (naparavanje, spaterovanje) tankog sloja Au 1. Početni materijal supstrat supstrat 4. Depozicija (elektrolitičko nanošenje) debelog sloja Au 2. Depozicija (naparavanje, spaterovanje) athezionog sloja supstrat 15
16 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tankoslojna tehnologija Metod oduzimanja slojeva 5. Fotolitografski postupak I a) Depozicija fotorezista (pozitivnog) b) Ekspozicija fotorezista c) Razvijanje fotorezista d) Nagrizanje fotorezista (osvetljenih delova) 16
17 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Tankoslojna tehnologija Metod oduzimanja slojeva 6. Nagrizanje Au 7. Nagrizanje athezionog sloja 10. Skidanje fotorezista 17
18 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Poredjenje metoda u tankoslojnoj tehnologiji Oblik transmisionih linija - Metod dodavanja slojeva daje pečurkast oblik - Metod oduzimanja slojeva daje podecovani oblik Utrošak Au -Veći kod metoda oduzimanja slojeva Naprezanje u slojevima -Veće kod metoda dodavanja slojeva Metod dodavanja slojeva Metod oduzimanja slojeva 18
19 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Debeloslojna tehnologija Metod sito štampe 1. Fotolitografski postupak na situ Nanošenje fotorezista Ekspozicija fotorezista preko maske Razvijanje fotorezista Nagrizanje fotorezista 2. Nanošenje mastila (ručno, automatski) 3. Pečenje mastila 19
20 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Supstrati: sinterovani Al 2 O 3 feriti (YIG) sinterovani BeO stopljeni kvarc (SiO 2 ) safir Provodnici: Tankoslojna tehn. Au, Cu Debeloslojna tehn. Au, Cu, Ag Athezionioni slojevi: Cr Ni-Cr Ta Ti Otpornici: Tankoslojna tehn. Ni-Cr, Ta, Ta 2 N, TaO x N y Debeloslojna tehn. RuO 2 + Pb-stakla RuO 2 + Nb-oksid RuO 2 + Th-oksid Pb 2 Ru 2 O 6 20
21 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Karakteristike transmisionih linija (w, oštrina ivica) w Karakteristike HMIC h ε r Karakteristike supstrata (h, ε r ) 21
22 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Odstupanje parametara transmisionih linija Tankoslojna tehnologija: fotolitografija (izrada maski, depozicija fotorezista, izvor svetlosti) depozicija metalnih slojeva nagrizanje metalnih slojeva Debeloslojna tehnologija: tehnika izrade sita postupak štampe postupak odžarivanja mastila 22
23 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Odstupanje parametara transmisionih linija Deformacija transmisione linije zbog neadekvatne temperature pečenja fotorezista (na T=100 o C nagib ivica je 40 o ) 23
24 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Odstupanje parametara transmisionih linija Deformacija transmisione linije kao posledica neadekvatne debljine fotorezista 24
25 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Odstupanje parametara transmisionih linija Hemijsko nagrizanje metala Nagrizanje metala procesom spaterovanja (ubrzanim jonima) 25
26 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Karakteristike transmisionih linija (w, oštrina ivica) w Karakteristike HMIC h ε r Karakteristike supstrata (h, ε r ) 26
27 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Schneider-ove relacije za mikrostrip Karakteristična impedansa: Z = Z ε 0 eff Talasna dužina: λ λ = 0 ε eff ε eff = εr + 1 ε r p ( 8/ p / 4) Z 0 60ln + p Z 0 = 1/ 2 p=w/h = p 1 120π p / p + ( 1 1/ p) 6 p>1 27
28 28 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Električni efekti nepreciznosti izrade na karakteristike kola - Uticaj w,h i ε r - r r Z Zh Zw S h h S w w S Z Z ε ε ε Δ + Δ + Δ = Δ r r h w eff eff S h h S w w S ε ε ε ε εε ε ε Δ + Δ + Δ = Δ Koeficijenti osetljivosti: r p Z Z p S Zw ε = r p Z Z p S Zh ε = p r r Z Z Z S = ε ε ε r p p S eff eff w ε ε ε ε = r p p S eff eff h ε ε ε ε = p r eff eff r S = ε ε ε ε εε
29 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola S S Zw Zh f f ( ε r ) ( ε ) r -S Zε 0.5 za p S Zw,S Zh p=w/h S εw << S Zw S εε 1za p 29
30 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Montaža HMIC Montaža pasivnih komponenata Montaža aktivnih komponenata (dioda i tranzistora) Komponente u kućištu bez izvoda (Leadless-Inverted-Devices) sa zrakastim izvodima (Beem-Lead Devices) Komponente bez kućišta (poluprovodnički čipovi) Procesi montaže čipova: Eutektičko bondiranje Lepljenje Lemljenje Bondiranje žica i izvoda: Termokompresiono bondiranje Ultrazvučno bondiranje 30
31 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Procesi montaže čipova diskretnih komponenata Eutektičko bodiranje peleta (čipova) sistem Si-Au zagreva se do 370 o C Lepljenje peleta lepak - epoksi materijal sa dodatkom Ag ili Au Lemljenje peleta za Au-Au veze koriste se lemovi: PbInAg, InPb, AuSn 31
32 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Klinasto bondiranje Bondiranje žica i izvoda Termokompresiono bondiranje (pritisak i toplota) Ultrazvučno bondiranje (ultrazvuk i toplota) Loptasto bondiranje 32
33 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Primer HMIC kola: kriogeni pojačivač niskog šuma za opseg 4-7GHz Dizajn kola Fotografije kola i detalja GaAs HEMT 33
34 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Podešavanje karakteristika kola -Lasersko trimovanje otpornika- Povezivanje otpornika na merni sistem Topljenje materijala otpornika laserskim snopom (rezanje otpornika) Kada otpornik dostigne setovanu vrednost otpornosti, merni sistem stopira laserski snop 34
35 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Protok struje kroz otpornik pre i posle trimovanja 35
36 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Promena otpornosti sa dužinom trimovanja 36
37 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Dvostruki rez 37
38 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola L- rez 38
39 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Oblici trimovanja 39
40 Mikroelektronske tehnologije Hibridna mikrotalasna kola Primeri trimovanih metalnih filmova 40
41 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Hibridna mikrotalasna integrisana kola (HMIC) Transmisione linije (u formi metalnih slojeva na dielektričnom supstratu) integrisane su sa nekim pasivnim komponentama. Aktivne komponente proizvode se posebnim poluprovodničkim (Si, GaAs, InP) tehnologijama i kao diskretne montiraju na metalnu šemu. Složeno HMIC kolo (modul) može da integriše više HMIC i/ili MMIC kola (primer T/R modula u radarskim sistemima). Monolitna mikrotalasna integrisana kola (MMIC) Sve aktivne i pasivne komponente integrisane su na/u poluprovodničkom (Si, GaAs, InP) supstratu koji ima ulogu i izolacionog i aktivnog materijala. Čitavo kolo je u formi jednog čipa. 41
42 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Prednosti MMIC kola: Širok frekventni opseg (eliminacija parazitnih efekata montaže diskretnih komponenata) Veća reproduktivnost (uniformno procesiranje svih delova kola) Veća pouzdanost (kontrola procesa tokom proizvodnje) Fleksibilni dizajn (baziran na tačnim modelima aktivnih i pasivnih komponenata i efektima tolerancija procesa proizvodnje; CAD - interaktivni softver za sintezu, analizu i layout kola kojim se dobijaju karakteristike kola bez njihove eksperimentalne verifikacije) Multifunkcionalnost (integracija RF i logičkih funkcija na jednom čipu) Male dimenzije i težina Niska cena (za srednji i veliki obim proizvodnje) Nedostaci MMIC kola: Nemogućnost podešavanja karakteristika po završenoj proizvodnji Poteškoće u otkrivanju uzroka otkaza Nemogućnost integracije izvora za napajanje 42
43 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Poluprovodnici za proizvodnju MMIC Metali Nemetali Poluprovodnici Si Ge SiGe Poluprovodnici IV grupe PS GaAs GaAlAs InP InAlP InGaP Poluprovodnička jedinjenja i legure tipa III-V 43
44 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Tehnologija Komponenta Silicijum, Si Galijum arsenid, GaAs (+Al) Diode:PIN,IMPATT, Tunelska Bipolarni tranzistori (BJT) MOS tranzistori (MOSFET) Diode:PIN,IMPATT, Gunn-ova MESFET HFET (HEMT) HBT Indijum fosfid, InP (+Al,Ga) HFET (HEMT) HBT 44
45 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Prednosti GaAs u odnosu na Si Veća pokretljivost elektrona μ n Veća driftofska brzina v d Brže punjenje/ pražnjenje parazitnih kapacitivnosti Veća transkonduktansa g m tranzistora Manji šum Karakteristika poluizolatorskog supstrata Samoizolacija aktivnih komponenata Manje parazitne kapacitivnosti 45
46 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Pokretljivost elektrona u GaAs Poluprovodnik 46
47 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Driftovska brzina elektrona u GaAs v d (GaAs) = (6-7) x v d (Si) za polja E<0.5 V/μm 47
48 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Poprečni presek dela MMIC kola u MESFET tehnologiji Smanjenje dužine metalnih veza GaAs 48
49 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola 3D izgled tipičnog MMIC kola u MESFET tehnologiji GaAs 49
50 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Tehnološki niz proizvodnje MMIC kola u MEFET tehnologiji 50
51 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Prstasti MESFET kao deo MMIC kola 51
52 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Spiralni kalem MIM kondenzator Implantirani otpornik 52
53 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi pripreme pločica Tehnološki procesi na pločicama Procesi montaže 53
54 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi pripreme pločica Prečišćavanje GaAs Proces zonske rafinacije Rast monokristala GaAs LEC tehnika Dobijanje i obrada pločica Sečenje ingota Poliranje pločica 54
55 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi pripreme pločica Prečišćavanje GaAs Proces zonske rafinacije 55
56 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi pripreme pločica Rast monokristala GaAs LEC tehnika (Liquid Encapsulated Czochralski) A Rotirajuća šipka B Monokristalna klica C Formirani monokristal (ingot) D Rastopljeni GaAs E Kontejner B2O3 Tečni inkapsulant Ingot 56
57 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi pripreme pločica Dobijanje i obrada pločica Sečenje ingota Poliranje pločica 57
58 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi na pločicama Formiranje filmova Formiranje poluprovodnih filmova Procesi epitaksijalnog rasta MOCVD MBE Formiranje metalnih filmova Formiranje dielektričnih filmova Dopiranje primesa Jonska implantacija Nagrizanje (ecovanje) filmova 58
59 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi na pločicama Formiranje filmova Formiranje poluprovodnih filmova? FET tehnologija MESFET HFET pločica 59
60 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi na pločicama Formiranje filmova Formiranje poluprovodnih filmova? HBT tehnologija pločica 60
61 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi na pločicama Formiranje filmova Formiranje poluprovodnih filmova Procesi epitaksijalnog rasta MOCVD (Metalo-organska depozicija iz gasne faze) Metalo-organsko jedinjenje Trimetilgalijum Simbol (CH3)3Ga Skraćenica TMG Reakcija za GaAs: (CH3)3Ga + AsH3 = GaAs + 3CH4 Trimetelaluminijum Trimetilindijum Trietilfosfin (CH3)3Al (CH3)3In (C2H5)3P TMAl TMI TEP Reakcija za AlGaAs: (CH3)3Al + (CH3)3Ga +AsH3 = AlGaAs + 3CH4 Arsin AsH3 61
62 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi na pločicama Formiranje filmova Formiranje poluprovodnih filmova Procesi epitaksijalnog rasta MOCVD (Metalo-organska depozicija iz gasne faze) 62
63 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi na pločicama Princip izvodjenja MBE Formiranje filmova Formiranje poluprovodnih filmova Procesi epitaksijalnog rasta MBE (Epitaksija snopom molekula) 63
64 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi na pločicama Dopiranje primesa Jonska implantacija 64
65 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola 65
66 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi montaže Rezanje pločice na pelete Spajanje peleta za osnovu kućišta Bondiranje žica Pakovanje u kućišta 66
67 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi montaže Rezanje pločica na pelete (čipove) 67
68 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi montaže Spajanje peleta za osnovu kućišta Broj termičkih ciklusa 68
69 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Procesi montaže Pakovanje u kućišta Elementi tipičnog kućišta za MMIC Materijali za kućišta Legure metala: CuMo, CuW Kompoziti metala: Silvar (Fe-Ni), Kovar (Fe-Ni-Co) LTCC keramika Staklo Kvarc dijamant 69
70 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Metalna kućišta Vrste kućišta za MMIC kola Kućišta sa višeslojeva tankih filmova Keramička kućišta Plastilna kućišta 70
71 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Primeri MMIC kola Šema pojačivača (Adams-Russell Electronics Co.) Pojačivač niskog šuma (2-8GHz) (Adams-Russell Electronics Co.) 71
72 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Pojačivač snage (3W na 10GHz) u MESFET tehnologiji (Westinghouse Electric Co.) 72
73 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola Šema pojačivača (Harris Microwave Semiconductor) Širokopojasni (6-18GHz) pojačivač u MESFET tehnologiji (Harris Microwave Semiconductor) 73
74 Mikroelektronske tehnologije Monolitna mikrotalasna kola D/A pomerač faze u MESFET tehnologiji (Hughes Aircraft Co.) 74
75 Šema pprekidača (Adams-Russell Electronics Co.) Prekidač u MESFET tehnologiji (Adams-Russell Electronics Co.) 75
76 Mikroelektronske tehnologije Pravci daljeg razvoja tehnologija monolitnih mikrotalasnih kola Komercijalni sistemi bežičnih komunikacija 76
77 Mikroelektronske tehnologije Pravci daljeg razvoja tehnologija monolitnih mikrotalasnih kola 77
Tehnologije mikrosistema. Prof. dr Biljana Pešić Prof. dr Dragan Pantić
Tehnologije mikrosistema Prof. dr Biljana Pešić Prof. dr Dragan Pantić Formiranje tankih filmova Rast filmova Formiranje tankog filma iz materijala supstrata Primer: formiranje SiO 2 termičkom oksidacijom
Konstruisanje. Dobro došli na... SREDNJA MAŠINSKA ŠKOLA NOVI SAD DEPARTMAN ZA PROJEKTOVANJE I KONSTRUISANJE
Dobro došli na... Konstruisanje GRANIČNI I KRITIČNI NAPON slajd 2 Kritični naponi Izazivaju kritične promene oblika Delovi ne mogu ispravno da vrše funkciju Izazivaju plastične deformacije Može doći i
Estimation of grain boundary segregation enthalpy and its role in stable nanocrystalline alloy design
Supplemental Material for Estimation of grain boundary segregation enthalpy and its role in stable nanocrystalline alloy design By H. A. Murdoch and C.A. Schuh Miedema model RKM model ΔH mix ΔH seg ΔH
SEKUNDARNE VEZE međumolekulske veze
PRIMARNE VEZE hemijske veze među atomima SEKUNDARNE VEZE međumolekulske veze - Slabije od primarnih - Elektrostatičkog karaktera - Imaju veliki uticaj na svojstva supstanci: - agregatno stanje - temperatura
Cenovnik spiro kanala i opreme - FON Inžinjering D.O.O.
Cenovnik spiro kanala i opreme - *Cenovnik ažuriran 09.02.2018. Spiro kolena: Prečnik - Φ (mm) Spiro kanal ( /m) 90 45 30 Muf/nipli: Cevna obujmica: Brza diht spojnica: Elastična konekcija: /kom: Ø100
RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE (IV semestar modul EKM) IV deo. Miloš Marjanović
Univerzitet u Nišu Elektronski fakultet RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA (IV semestar modul EKM) IV deo Miloš Marjanović MOSFET TRANZISTORI ZADATAK 35. NMOS tranzistor ima napon praga V T =2V i kroz njega protiče
ΓΗ ΚΑΙ ΣΥΜΠΑΝ. Εικόνα 1. Φωτογραφία του γαλαξία μας (από αρχείο της NASA)
ΓΗ ΚΑΙ ΣΥΜΠΑΝ Φύση του σύμπαντος Η γη είναι μία μονάδα μέσα στο ηλιακό μας σύστημα, το οποίο αποτελείται από τον ήλιο, τους πλανήτες μαζί με τους δορυφόρους τους, τους κομήτες, τα αστεροειδή και τους μετεωρίτες.
OSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 2 DIODA I TRANZISTOR
ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET U BEOGRADU KATEDRA ZA ELEKTRONIKU OSNOVI ELEKTRONIKE ODSEK ZA SOFTVERSKO INŽENJERSTVO LABORATORIJSKE VEŽBE VEŽBA BROJ 2 DIODA I TRANZISTOR 1. 2. IME I PREZIME BR. INDEKSA GRUPA
Obrada signala
Obrada signala 1 18.1.17. Greška kvantizacije Pretpostavka je da greška kvantizacije ima uniformnu raspodelu 7 6 5 4 -X m p x 1,, za x druge vrednosti x 3 x X m 1 X m = 3 x Greška kvantizacije x x x p
INTELIGENTNO UPRAVLJANJE
INTELIGENTNO UPRAVLJANJE Fuzzy sistemi zaključivanja Vanr.prof. Dr. Lejla Banjanović-Mehmedović Mehmedović 1 Osnovni elementi fuzzy sistema zaključivanja Fazifikacija Baza znanja Baze podataka Baze pravila
Otpornost R u kolu naizmjenične struje
Otpornost R u kolu naizmjenične struje Pretpostavimo da je otpornik R priključen na prostoperiodični napon: Po Omovom zakonu pad napona na otporniku je: ( ) = ( ω ) u t sin m t R ( ) = ( ) u t R i t Struja
Apsolutno neprekidne raspodele Raspodele apsolutno neprekidnih sluqajnih promenljivih nazivaju se apsolutno neprekidnim raspodelama.
Apsolutno neprekidne raspodele Raspodele apsolutno neprekidnih sluqajnih promenljivih nazivaju se apsolutno neprekidnim raspodelama. a b Verovatno a da sluqajna promenljiva X uzima vrednost iz intervala
Novi Sad god Broj 1 / 06 Veljko Milković Bulevar cara Lazara 56 Novi Sad. Izveštaj o merenju
Broj 1 / 06 Dana 2.06.2014. godine izmereno je vreme zaustavljanja elektromotora koji je radio u praznom hodu. Iz gradske mreže 230 V, 50 Hz napajan je monofazni asinhroni motor sa dva brusna kamena. Kada
IZVODI ZADACI ( IV deo) Rešenje: Najpre ćemo logaritmovati ovu jednakost sa ln ( to beše prirodni logaritam za osnovu e) a zatim ćemo
IZVODI ZADACI ( IV deo) LOGARITAMSKI IZVOD Logariamskim izvodom funkcije f(), gde je >0 i, nazivamo izvod logarima e funkcije, o jes: (ln ) f ( ) f ( ) Primer. Nadji izvod funkcije Najpre ćemo logarimovai
OSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 1 OSNOVNA KOLA SA DIODAMA
ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET U BEOGRADU KATEDRA ZA ELEKTRONIKU OSNOVI ELEKTRONIKE SVI ODSECI OSIM ODSEKA ZA ELEKTRONIKU LABORATORIJSKE VEŽBE VEŽBA BROJ 1 OSNOVNA KOLA SA DIODAMA Autori: Goran Savić i Milan
UNIVERZITET U NIŠU ELEKTRONSKI FAKULTET SIGNALI I SISTEMI. Zbirka zadataka
UNIVERZITET U NIŠU ELEKTRONSKI FAKULTET Goran Stančić SIGNALI I SISTEMI Zbirka zadataka NIŠ, 014. Sadržaj 1 Konvolucija Literatura 11 Indeks pojmova 11 3 4 Sadržaj 1 Konvolucija Zadatak 1. Odrediti konvoluciju
nvt 1) ukoliko su poznate struje dioda. Struja diode D 1 je I 1 = I I 2 = 8mA. Sada je = 1,2mA.
IOAE Dioda 8/9 I U kolu sa slike, diode D su identične Poznato je I=mA, I =ma, I S =fa na 7 o C i parametar n= a) Odrediti napon V I Kolika treba da bude struja I da bi izlazni napon V I iznosio 5mV? b)
STATIČKE KARAKTERISTIKE DIODA I TRANZISTORA
Katedra za elektroniku Elementi elektronike Laboratorijske vežbe Vežba br. 2 STATIČKE KARAKTERISTIKE DIODA I TRANZISTORA Datum: Vreme: Studenti: 1. grupa 2. grupa Dežurni: Ocena: Elementi elektronike -
FTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA
: MAKSIMALNA BRZINA Maksimalna brzina kretanja F O (N) F OI i m =i I i m =i II F Oid Princip određivanja v MAX : Drugi Njutnov zakon Dokle god je: F O > ΣF otp vozilo ubrzava Kada postane: F O = ΣF otp
Opšte KROVNI POKRIVAČI I
1 KROVNI POKRIVAČI I FASADNE OBLOGE 2 Opšte Podela prema zaštitnim svojstvima: Hladne obloge - zaštita hale od atmosferskih padavina, Tople obloge - zaštita hale od atmosferskih padavina i prodora hladnoće
Kaskadna kompenzacija SAU
Kaskadna kompenzacija SAU U inženjerskoj praksi, naročito u sistemima regulacije elektromotornih pogona i tehnoloških procesa, veoma često se primenjuje metoda kaskadne kompenzacije, u čijoj osnovi su
Iskazna logika 3. Matematička logika u računarstvu. novembar 2012
Iskazna logika 3 Matematička logika u računarstvu Department of Mathematics and Informatics, Faculty of Science,, Serbia novembar 2012 Deduktivni sistemi 1 Definicija Deduktivni sistem (ili formalna teorija)
METODE DOBIJANJA MASIVNIH MONOKRISTALA I TANKIH SLOJEVA MATERIJALA PLANARNA INTEGRISANA KOLA
Еlektrotehnički fakultet, Beograd, 2016. Materijali u elektrotehnici METODE DOBIJANJA MASIVNIH MONOKRISTALA I TANKIH SLOJEVA MATERIJALA PLANARNA INTEGRISANA KOLA METODE DOBIJANJA MASIVNIH MONOKRISTALA
Računarska grafika. Rasterizacija linije
Računarska grafika Osnovni inkrementalni algoritam Drugi naziv u literaturi digitalni diferencijalni analizator (DDA) Pretpostavke (privremena ograničenja koja se mogu otkloniti jednostavnim uopštavanjem
numeričkih deskriptivnih mera.
DESKRIPTIVNA STATISTIKA Numeričku seriju podataka opisujemo pomoću Numeričku seriju podataka opisujemo pomoću numeričkih deskriptivnih mera. Pokazatelji centralne tendencije Aritmetička sredina, Medijana,
DIMENZIONISANJE PRAVOUGAONIH POPREČNIH PRESEKA NAPREGNUTIH NA PRAVO SLOŽENO SAVIJANJE
TEORIJA ETONSKIH KONSTRUKCIJA T- DIENZIONISANJE PRAVOUGAONIH POPREČNIH PRESEKA NAPREGNUTIH NA PRAVO SLOŽENO SAVIJANJE 3.5 f "2" η y 2 D G N z d y A "" 0 Z a a G - tačka presek koja određje položaj sistemne
Antene. Srednja snaga EM zračenja se dobija na osnovu intenziteta fluksa Pointingovog vektora kroz sferu. Gustina snage EM zračenja:
Anene Transformacija EM alasa u elekrični signal i obrnuo Osnovne karakerisike anena su: dijagram zračenja, dobiak (Gain), radna učesanos, ulazna impedansa,, polarizacija, efikasnos, masa i veličina, opornos
3.1 Granična vrednost funkcije u tački
3 Granična vrednost i neprekidnost funkcija 2 3 Granična vrednost i neprekidnost funkcija 3. Granična vrednost funkcije u tački Neka je funkcija f(x) definisana u tačkama x za koje je 0 < x x 0 < r, ili
3525$&8158&1(',=$/,&(6$1$92-1,095(7(120
Srednja masinska skola OSOVE KOSTRUISAJA List1/8 355$&8158&1(',=$/,&(6$1$9-1,095(7(10 3ROD]QLSRGDFL maksimalno opterecenje Fa := 36000 visina dizanja h := 440 mm Rucna sila Fr := 350 1DYRMQRYUHWHQR optereceno
HEMIJSKA VEZA TEORIJA VALENTNE VEZE
TEORIJA VALENTNE VEZE Kovalentna veza nastaje preklapanjem atomskih orbitala valentnih elektrona, pri čemu je region preklapanja između dva jezgra okupiran parom elektrona. - Nastalu kovalentnu vezu opisuje
FTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA
: MAKSIMALNA BRZINA Maksimalna brzina kretanja F O (N) F OI i m =i I i m =i II F Oid Princip određivanja v MAX : Drugi Njutnov zakon Dokle god je: F O > ΣF otp vozilo ubrzava Kada postane: F O = ΣF otp
Eliminacijski zadatak iz Matematike 1 za kemičare
Za mnoge reakcije vrijedi Arrheniusova jednadžba, koja opisuje vezu koeficijenta brzine reakcije i temperature: K = Ae Ea/(RT ). - T termodinamička temperatura (u K), - R = 8, 3145 J K 1 mol 1 opća plinska
Νόµοςπεριοδικότητας του Moseley:Η χηµική συµπεριφορά (οι ιδιότητες) των στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού.
Νόµοςπεριοδικότητας του Moseley:Η χηµική συµπεριφορά (οι ιδιότητες) των στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού. Περιοδικός πίνακας: α. Είναι µια ταξινόµηση των στοιχείων κατά αύξοντα
Zadaci sa prethodnih prijemnih ispita iz matematike na Beogradskom univerzitetu
Zadaci sa prethodnih prijemnih ispita iz matematike na Beogradskom univerzitetu Trigonometrijske jednačine i nejednačine. Zadaci koji se rade bez upotrebe trigonometrijskih formula. 00. FF cos x sin x
Regulacioni termostati
Regulacioni termostati model: KT - 165, 90/15 opseg regulacije temperature: 0 90, T85 dužina osovine: 15 mm, opciono 18 i 23 mm dužina kapilare: L= 650 mm 16(4)A 250V - 6(1)A400V promena opsega regulacije
( , 2. kolokvij)
A MATEMATIKA (0..20., 2. kolokvij). Zadana je funkcija y = cos 3 () 2e 2. (a) Odredite dy. (b) Koliki je nagib grafa te funkcije za = 0. (a) zadanu implicitno s 3 + 2 y = sin y, (b) zadanu parametarski
9.11.Spojni tranzistor sa efektom polja (JFET)
9.11.Spojni tranzistor sa efektom polja (JFET) Drugi tip tranzistora sa efektom polja se formira bez upotrebe izolatora u vidu SiO, samo koristeći pn spojeve, kako je pokazano na slici 9.14 a). Ovaj uređaj,
IspitivaƬe funkcija: 1. Oblast definisanosti funkcije (ili domen funkcije) D f
IspitivaƬe funkcija: 1. Oblast definisanosti funkcije (ili domen funkcije) D f IspitivaƬe funkcija: 1. Oblast definisanosti funkcije (ili domen funkcije) D f 2. Nule i znak funkcije; presek sa y-osom IspitivaƬe
5. Karakteristične funkcije
5. Karakteristične funkcije Profesor Milan Merkle emerkle@etf.rs milanmerkle.etf.rs Verovatnoća i Statistika-proleće 2018 Milan Merkle Karakteristične funkcije ETF Beograd 1 / 10 Definicija Karakteristična
Program testirati pomoću podataka iz sledeće tabele:
Deo 2: Rešeni zadaci 135 Vrednost integrala je I = 2.40407 42. Napisati program za izračunavanje koeficijenta proste linearne korelacije (Pearsonovog koeficijenta) slučajnih veličina X = (x 1,..., x n
PT ISPITIVANJE PENETRANTIMA
FSB Sveučilišta u Zagrebu Zavod za kvalitetu Katedra za nerazorna ispitivanja PT ISPITIVANJE PENETRANTIMA Josip Stepanić SADRŽAJ kapilarni učinak metoda ispitivanja penetrantima uvjeti promatranja SADRŽAJ
LABORATORIJSKI PRAKTIKUM- ELEKTRONSKE KOMPONENTE. Laboratorijske vežbe
LABORATORIJSKI PRAKTIKUM- ELEKTRONSKE KOMPONENTE Laboratorijske vežbe 2014/2015 LABORATORIJSKI PRAKTIKUM-ELEKTRONSKE KOMPONENTE Laboratorijske vežbe Snimanje karakteristika dioda VAŽNA NAPOMENA: ZA VREME
ΝΟΜΟΣ ΤΗΣ ΠΕΡΙΟ ΙΚΟΤΗΤΑΣ : Οι ιδιότητες των χηµικών στοιχείων είναι περιοδική συνάρτηση του ατοµικού τους αριθµού.
1. Ο ΠΕΡΙΟ ΙΚΟΣ ΠΙΝΑΚΑΣ Οι άνθρωποι από την φύση τους θέλουν να πετυχαίνουν σπουδαία αποτελέσµατα καταναλώνοντας το λιγότερο δυνατό κόπο και χρόνο. Για το σκοπό αυτό προσπαθούν να οµαδοποιούν τα πράγµατα
Pismeni ispit iz matematike Riješiti sistem jednačina i diskutovati rješenja sistema u zavisnosti od parametra: ( ) + 1.
Pismeni ispit iz matematike 0 008 GRUPA A Riješiti sistem jednačina i diskutovati rješenja sistema u zavisnosti od parametra: λ + z = Ispitati funkciju i nacrtati njen grafik: + ( λ ) + z = e Izračunati
Zavrxni ispit iz Matematiqke analize 1
Građevinski fakultet Univerziteta u Beogradu 3.2.2016. Zavrxni ispit iz Matematiqke analize 1 Prezime i ime: Broj indeksa: 1. Definisati Koxijev niz. Dati primer niza koji nije Koxijev. 2. Dat je red n=1
Appendix B Table of Radionuclides Γ Container 1 Posting Level cm per (mci) mci
3 H 12.35 Y β Low 80 1 - - Betas: 19 (100%) 11 C 20.38 M β+, EC Low 400 1 5.97 13.7 13 N 9.97 M β+ Low 1 5.97 13.7 Positrons: 960 (99.7%) Gaas: 511 (199.5%) Positrons: 1,199 (99.8%) Gaas: 511 (199.6%)
Το άτομο του Υδρογόνου
Το άτομο του Υδρογόνου Δυναμικό Coulomb Εξίσωση Schrödinger h e (, r, ) (, r, ) E (, r, ) m ψ θφ r ψ θφ = ψ θφ Συνθήκες ψ(, r θφ, ) = πεπερασμένη ψ( r ) = 0 ψ(, r θφ, ) =ψ(, r θφ+, ) π Επιτρεπτές ενέργειες
IZRAČUNAVANJE POKAZATELJA NAČINA RADA NAČINA RADA (ISKORIŠĆENOSTI KAPACITETA, STEPENA OTVORENOSTI RADNIH MESTA I NIVOA ORGANIZOVANOSTI)
IZRAČUNAVANJE POKAZATELJA NAČINA RADA NAČINA RADA (ISKORIŠĆENOSTI KAPACITETA, STEPENA OTVORENOSTI RADNIH MESTA I NIVOA ORGANIZOVANOSTI) Izračunavanje pokazatelja načina rada OTVORENOG RM RASPOLOŽIVO RADNO
Mikroelektronika i nanoelektronika
Elektrotehnički fakultet Univerziteta u Beogradu Milan Tadić Mikroelektronika i nanoelektronika Predavanja Beograd, 2011. 2 Predgovor I Internet izdanju Ovaj tekst predstavlja beleške sa predavanja na
Zadatak 4b- Dimenzionisanje rožnjače
Zadatak 4b- Dimenzionisanje rožnjače Rožnjača je statičkog sistema kontinualnog nosača raspona L= 5x6,0m. Usvaja se hladnooblikovani šuplji profil pravougaonog poprečnog preseka. Raster rožnjača: λ r 2.5m
LANCI & ELEMENTI ZA KAČENJE
LANCI & ELEMENTI ZA KAČENJE 0 4 0 1 Lanci za vešanje tereta prema standardu MSZ EN 818-2 Lanci su izuzetno pogodni za obavljanje zahtevnih operacija prenošenja tereta. Opseg radne temperature se kreće
Računarska grafika. Rasterizacija linije
Računarska grafika Osnovni inkrementalni algoritam Drugi naziv u literaturi digitalni diferencijalni analizator (DDA) Pretpostavke (privremena ograničenja koja se mogu otkloniti jednostavnim uopštavanjem
INŽENJERSTVO NAFTE I GASA. 2. vežbe. 2. vežbe Tehnologija bušenja II Slide 1 of 50
INŽENJERSTVO NAFTE I GASA Tehnologija bušenja II 2. vežbe 2. vežbe Tehnologija bušenja II Slide 1 of 50 Proračuni trajektorija koso-usmerenih bušotina 2. vežbe Tehnologija bušenja II Slide 2 of 50 Proračun
FAKULTET PROMETNIH ZNANOSTI
SVUČILIŠT U ZAGU FAKULTT POMTNIH ZNANOSTI predmet: Nastavnik: Prof. dr. sc. Zvonko Kavran zvonko.kavran@fpz.hr * Autorizirana predavanja 2016. 1 Pojačala - Pojačavaju ulazni signal - Zahtjev linearnost
Osnove mikroelektronike
Osnove mikroelektronike Z. Prijić T. Pešić Elektronski fakultet Niš Katedra za mikroelektroniku Predavanja 2006. Sadržaj 1 MOSFET - model za male signale 2 Struja kroz i disipacija snage Model za male
L E M I L I C E LEMILICA WELLER WHS40. LEMILICA WELLER SP25 220V 25W Karakteristike: 220V, 25W, VRH 4,5 mm Tip: LEMILICA WELLER. Tip: LEMILICA WELLER
L E M I L I C E LEMILICA WELLER SP25 220V 25W Karakteristike: 220V, 25W, VRH 4,5 mm LEMILICA WELLER SP40 220V 40W Karakteristike: 220V, 40W, VRH 6,3 mm LEMILICA WELLER SP80 220V 80W Karakteristike: 220V,
Ovisnost ustaljenih stanja uzlaznog pretvarača 16V/0,16A o sklopnoj frekvenciji
Ovisnost ustaljenih stanja uzlaznog pretvarača 16V/0,16A o sklopnoj frekvenciji Električna shema temeljnog spoja Električna shema fizički realiziranog uzlaznog pretvarača +E L E p V 2 P 2 3 4 6 2 1 1 10
III VEŽBA: FURIJEOVI REDOVI
III VEŽBA: URIJEOVI REDOVI 3.1. eorijska osnova Posmatrajmo neki vremenski kontinualan signal x(t) na intervalu definisati: t + t t. ada se može X [ k ] = 1 t + t x ( t ) e j 2 π kf t dt, gde je f = 1/.
OM2 V3 Ime i prezime: Index br: I SAVIJANJE SILAMA TANKOZIDNIH ŠTAPOVA
OM V me i preime: nde br: 1.0.01. 0.0.01. SAVJANJE SLAMA TANKOZDNH ŠTAPOVA A. TANKOZDN ŠTAPOV PROZVOLJNOG OTVORENOG POPREČNOG PRESEKA Preposavka: Smičući napon je konsanan po debljini ida (duž pravca upravnog
Pismeni ispit iz matematike GRUPA A 1. Napisati u trigonometrijskom i eksponencijalnom obliku kompleksni broj, zatim naći 4 z.
Pismeni ispit iz matematike 06 007 Napisati u trigonometrijskom i eksponencijalnom obliku kompleksni broj z = + i, zatim naći z Ispitati funkciju i nacrtati grafik : = ( ) y e + 6 Izračunati integral:
DISKRETNA MATEMATIKA - PREDAVANJE 7 - Jovanka Pantović
DISKRETNA MATEMATIKA - PREDAVANJE 7 - Jovanka Pantović Novi Sad April 17, 2018 1 / 22 Teorija grafova April 17, 2018 2 / 22 Definicija Graf je ure dena trojka G = (V, G, ψ), gde je (i) V konačan skup čvorova,
SUPPLEMENTAL INFORMATION. Fully Automated Total Metals and Chromium Speciation Single Platform Introduction System for ICP-MS
Electronic Supplementary Material (ESI) for Journal of Analytical Atomic Spectrometry. This journal is The Royal Society of Chemistry 2018 SUPPLEMENTAL INFORMATION Fully Automated Total Metals and Chromium
Ispitivanje toka i skiciranje grafika funkcija
Ispitivanje toka i skiciranje grafika funkcija Za skiciranje grafika funkcije potrebno je ispitati svako od sledećih svojstava: Oblast definisanosti: D f = { R f R}. Parnost, neparnost, periodičnost. 3
Elementi spektralne teorije matrica
Elementi spektralne teorije matrica Neka je X konačno dimenzionalan vektorski prostor nad poljem K i neka je A : X X linearni operator. Definicija. Skalar λ K i nenula vektor u X se nazivaju sopstvena
ELEKTROMOTORNI POGONI SA ASINHRONIM MOTOROM
ELEKTROOTORNI POGONI SA ASINHRONI OTORO Poučavamo amo pogone a tofaznim motoom. Najčešće koišćeni moto u elektomotonim pogonima. Ainhoni moto: - jednotavna kontukcija; - mala cena; - vioka enegetka efikanot.
IZVODI ZADACI (I deo)
IZVODI ZADACI (I deo) Najpre da se podsetimo tablice i osnovnih pravila:. C`=0. `=. ( )`= 4. ( n )`=n n-. (a )`=a lna 6. (e )`=e 7. (log a )`= 8. (ln)`= ` ln a (>0) 9. = ( 0) 0. `= (>0) (ovde je >0 i a
Reverzibilni procesi
Reverzbln proces Reverzbln proces: proces pr koja sste nkada nje vše od beskonačno ale vrednost udaljen od ravnoteže, beskonačno ala proena spoljašnjh uslova ože vratt sste u blo koju tačku, proena ože
ELEKTROTEHNIKA. Profesor: Miroslav Lutovac Singidunum University, Predavanje: 9
ELEKTROTEHNIKA Profesor: Miroslav Lutovac Singidunum University, e-mail: mlutovac@singidunum.ac.rs Predavanje: 9 MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Kontrolna elektroda (gejt) je izolovana
Teorija betonskih konstrukcija 1. Vežbe br. 4. GF Beograd
Teorija betonskih konstrukcija 1 Vežbe br. 4 GF Beograd Teorija betonskih konstrukcija 1 1 "T" preseci - VEZANO dimenzionisanje Poznato: statički uticaji (M G,Q ) sračunato kvalitet materijala (f cd, f
SEMINAR IZ KOLEGIJA ANALITIČKA KEMIJA I. Studij Primijenjena kemija
SEMINAR IZ OLEGIJA ANALITIČA EMIJA I Studij Primijenjena kemija 1. 0,1 mola NaOH je dodano 1 litri čiste vode. Izračunajte ph tako nastale otopine. NaOH 0,1 M NaOH Na OH Jak elektrolit!!! Disoira potpuno!!!
Osnove mikroelektronike
Osnove mikroelektronike Z. Prijić T. Pešić Elektronski fakultet Niš Katedra za mikroelektroniku Predavanja 2006. Sadržaj Bipolarni tranzistor 1 Bipolarni tranzistor 2 Ebers-Molov model Strujno-naponske
Betonske konstrukcije 1 - vežbe 3 - Veliki ekscentricitet -Dodatni primeri
Betonske konstrukcije 1 - vežbe 3 - Veliki ekscentricitet -Dodatni primeri 1 1 Zadatak 1b Čisto savijanje - vezano dimenzionisanje Odrediti potrebnu površinu armature za presek poznatih dimenzija, pravougaonog
OSNOVI ELEKTRONIKE. Vežbe (2 časa nedeljno): mr Goran Savić
OSNOVI ELEKTRONIKE Vežbe (2 časa nedeljno): mr Goran Savić savic@el.etf.rs http://tnt.etf.rs/~si1oe Termin za konsultacije: četvrtak u 12h, kabinet 102 Referentni smerovi i polariteti 1. Odrediti vrednosti
Snimanje karakteristika dioda
FIZIČKA ELEKTRONIKA Laboratorijske vežbe Snimanje karakteristika dioda VAŽNA NAPOMENA: ZA VREME POSTAVLJANJA VEŽBE (SASTAVLJANJA ELEKTRIČNE ŠEME) I PRIKLJUČIVANJA MERNIH INSTRUMENATA MAKETA MORA BITI ODVOJENA
10. STABILNOST KOSINA
MEHANIKA TLA: Stabilnot koina 101 10. STABILNOST KOSINA 10.1 Metode proračuna koina Problem analize tabilnoti zemljanih maa vodi e na određivanje odnoa između rapoložive mičuće čvrtoće i proečnog mičućeg
OBRTNA TELA. Vladimir Marinkov OBRTNA TELA VALJAK
OBRTNA TELA VALJAK P = 2B + M B = r 2 π M = 2rπH V = BH 1. Zapremina pravog valjka je 240π, a njegova visina 15. Izračunati površinu valjka. Rešenje: P = 152π 2. Površina valjka je 112π, a odnos poluprečnika
Osnovni primer. (Z, +,,, 0, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: množenje je distributivno prema sabiranju
RAČUN OSTATAKA 1 1 Prsten celih brojeva Z := N + {} N + = {, 3, 2, 1,, 1, 2, 3,...} Osnovni primer. (Z, +,,,, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: sabiranje (S1) asocijativnost x + (y + z) = (x + y)
Grafičko prikazivanje atributivnih i geografskih nizova
Grafičko prikazivanje atributivnih i geografskih nizova Biserka Draščić Ban Pomorski fakultet u Rijeci 17. veljače 2011. Grafičko prikazivanje atributivnih nizova Atributivni nizovi prikazuju se grafički
Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΑΤΟΜΩΝ. Παππάς Χρήστος Επίκουρος Καθηγητής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΟΜΗ ΚΑΙ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΑΤΟΜΩΝ Παππάς Χρήστος Επίκουρος Καθηγητής ΤΟ ΜΕΓΕΘΟΣ ΤΩΝ ΑΤΟΜΩΝ Ατομική ακτίνα (r) : ½ της απόστασης μεταξύ δύο ομοιοπυρηνικών ατόμων, ενωμένων με απλό ομοιοπολικό δεσμό.
Funkcija prenosa. Funkcija prenosa se definiše kao količnik z transformacija odziva i pobude. Za LTI sistem: y n h k x n k.
OT3OS1 7.11.217. Definicije Funkcija prenosa Funkcija prenosa se definiše kao količnik z transformacija odziva i pobude. Za LTI sistem: y n h k x n k Y z X z k Z y n Z h n Z x n Y z H z X z H z H z n h
1. ΧΗΜΙΚΟΙ ΕΣΜΟΙ ΣΤΑ ΣΤΕΡΕΑ
1. ΧΗΜΙΚΟΙ ΕΣΜΟΙ ΣΤΑ ΣΤΕΡΕΑ ΓΕΝΙΚΑ Η στερεά, η υγρή και η αέρια κατάσταση αποτελούν τις τρεις, συνήθεις στο γήινο περιβάλλον, καταστάσεις της ύλης. ιαφέρουν η µία από την άλλη σε κάποια απλά γνωρίσµατα:
Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. MOSFET tranzistor obogaćenog tipa 2. CMOS 3. MESFET tranzistor 4. DC analiza FET tranzistora
Sadržaj predavanja: 1. MOSFET tranzistor obogaćenog tipa 2. CMOS 3. MESFET tranzistor 4. DC analiza FET tranzistora MOSFET tranzistor obogaćenog tipa Konstrukcija MOSFET tranzistora obogaćenog tipa je
Alarmni sustavi 07/08 predavanja 12. i 13. Detekcija metala, izvori napajanja u sustavima TZ
Alarmni sustavi 07/08 predavanja 12. i 13. Detekcija metala, izvori napajanja u sustavima TZ pred.mr.sc Ivica Kuric Detekcija metala instrument koji detektira promjene u magnetskom polju generirane prisutnošću
TEHNOLOGIJE MIKROSISTEMA
ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ Katedra za mikroelektroniku TEHNOLOGIJE MIKROSISTEMA računske i laboratorijske vežbe 2015/16. Miloš Marjanović ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ Katedra za mikroelektroniku I. DOBIJANJE
LOGO ISPITIVANJE MATERIJALA ZATEZANJEM
LOGO ISPITIVANJE MATERIJALA ZATEZANJEM Vrste opterećenja Ispitivanje zatezanjem Svojstva otpornosti materijala Zatezna čvrstoća Granica tečenja Granica proporcionalnosti Granica elastičnosti Modul
( , treći kolokvij) 3. Na dite lokalne ekstreme funkcije z = x 4 + y 4 2x 2 + 2y 2 3. (20 bodova)
A MATEMATIKA (.6.., treći kolokvij. Zadana je funkcija z = e + + sin(. Izračunajte a z (,, b z (,, c z.. Za funkciju z = 3 + na dite a diferencijal dz, b dz u točki T(, za priraste d =. i d =.. c Za koliko
Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. FET tranzistori 2. MOSFET tranzistori
Sadržaj predavanja: 1. FET tranzistori 2. MOSFET tranzistori Slično kao i bipolarni tranzistor FET (Field Effect Tranzistor - tranzistor s efektom polja) je poluvodički uređaj s tri terminala (izvoda)
BIPOLARNI TRANZISTOR Auditorne vježbe
BPOLARN TRANZSTOR Auditorne vježbe Struje normalno polariziranog bipolarnog pnp tranzistora: p n p p - p n B0 struja emitera + n B + - + - U B B U B struja kolektora p + B0 struja baze B n + R - B0 gdje
SISTEMI NELINEARNIH JEDNAČINA
SISTEMI NELINEARNIH JEDNAČINA April, 2013 Razni zapisi sistema Skalarni oblik: Vektorski oblik: F = f 1 f n f 1 (x 1,, x n ) = 0 f n (x 1,, x n ) = 0, x = (1) F(x) = 0, (2) x 1 0, 0 = x n 0 Definicije
Ekonometrija 4. Ekonometrija, Osnovne studije. Predavač: Aleksandra Nojković
Ekonometrja 4 Ekonometrja, Osnovne studje Predavač: Aleksandra Nojkovć Struktura predavanja Nelnearne zavsnost Prmene u ekonomskoj analz Prmer nelnearne zavsnost Isptujemo zavsnost zmeđu potrošnje dohotka.
MATRICE I DETERMINANTE - formule i zadaci - (Matrice i determinante) 1 / 15
MATRICE I DETERMINANTE - formule i zadaci - (Matrice i determinante) 1 / 15 Matrice - osnovni pojmovi (Matrice i determinante) 2 / 15 (Matrice i determinante) 2 / 15 Matrice - osnovni pojmovi Matrica reda
UZDUŽNA DINAMIKA VOZILA
UZDUŽNA DINAMIKA VOZILA MODEL VOZILA U UZDUŽNOJ DINAMICI Zanemaruju se sva pomeranja u pravcima normalnim na pravac kretanja (ΣZ i = 0, ΣY i = 0) Zanemaruju se svi vidovi pobuda na oscilovanje i vibracije,
ΠΕΡΙΟΔΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ ΤΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ (1) Ηλία Σκαλτσά ΠΕ ο Γυμνάσιο Αγ. Παρασκευής
ΠΕΡΙΟΔΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ ΤΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ (1) Ηλία Σκαλτσά ΠΕ04.01 5 ο Γυμνάσιο Αγ. Παρασκευής Όπως συμβαίνει στη φύση έτσι και ο άνθρωπος θέλει να πετυχαίνει σπουδαία αποτελέσματα καταναλώνοντας το λιγότερο δυνατό
PRIMJER 3. MATLAB filtdemo
PRIMJER 3. MATLAB filtdemo Prijenosna funkcija (IIR) Hz () =, 6 +, 3 z +, 78 z +, 3 z +, 53 z +, 3 z +, 78 z +, 3 z +, 6 z, 95 z +, 74 z +, z +, 9 z +, 4 z +, 5 z +, 3 z +, 4 z 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7 8
EuroCons Group. Karika koja povezuje Konsalting, Projektovanje, Inženjering, Zastupanje
EuroCons Group Karika koja povezuje Filtracija vazduha Obrok vazduha 24kg DNEVNO Većina ljudi ima razvijenu svest šta jede i pije, ali jesmo li svesni šta udišemo? Obrok hrane 1kg DNEVNO Obrok tečnosti
Klasifikacija blizu Kelerovih mnogostrukosti. konstantne holomorfne sekcione krivine. Kelerove. mnogostrukosti. blizu Kelerove.
Klasifikacija blizu Teorema Neka je M Kelerova mnogostrukost. Operator krivine R ima sledeća svojstva: R(X, Y, Z, W ) = R(Y, X, Z, W ) = R(X, Y, W, Z) R(X, Y, Z, W ) + R(Y, Z, X, W ) + R(Z, X, Y, W ) =
PRAVA. Prava je u prostoru određena jednom svojom tačkom i vektorom paralelnim sa tom pravom ( vektor paralelnosti).
PRAVA Prava je kao i ravan osnovni geometrijski ojam i ne definiše se. Prava je u rostoru određena jednom svojom tačkom i vektorom aralelnim sa tom ravom ( vektor aralelnosti). M ( x, y, z ) 3 Posmatrajmo
POGON SA ASINHRONIM MOTOROM
OGON SA ASNHRON OTORO oučavaćemo amo ogone a tofaznim motoom. Najčešće koišćeni ogon. Ainhoni moto: - ota kontukcija; - jeftin; - efikaan. ETALN RSTEN LANRANO JEZGRO BAKARNE ŠKE KAVEZN ROTOR NAOTAJ LANRANO
Induktivno spregnuta kola
Induktivno spregnuta kola 13. januar 2016 Transformatori se koriste u elektroenergetskim sistemima za povišavanje i snižavanje napona, u elektronskim i komunikacionim kolima za promjenu napona i odvajanje
9.1. Karakteristike MOS kondenzatora
VIII PREDAVANJE 9. TRANZISTORI SA EFEKTOM POJA (FET) Ovdje će biti razmotrene karakteristike tranzistora sa efektom polja ( field-efect transistor s- FET). Postoje dva osnovna tipa tranzistora sa efektom