Elektronički Elementi i Sklopovi

Σχετικά έγγραφα
Elektronički Elementi i Sklopovi

Elektronički Elementi i Sklopovi

Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. Mreže sa kombiniranim DC i AC izvorima 2. Sklopovi sa Zenner diodama 3. Zennerov regulator

Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. Punovalni ispravljač 2. Rezni sklopovi 3. Pritezni sklopovi

BIPOLARNI TRANZISTOR Auditorne vježbe

FAKULTET PROMETNIH ZNANOSTI

Eliminacijski zadatak iz Matematike 1 za kemičare

Uvod u elektroniku i njena uloga u ljudskoj djelatnosti. Uvod u elektroniku i njena uloga u ljudskoj djelatnosti.

nvt 1) ukoliko su poznate struje dioda. Struja diode D 1 je I 1 = I I 2 = 8mA. Sada je = 1,2mA.

Unipolarni tranzistori - MOSFET

Zadatak 1. U kojim od spojeva ispod je iznos pada napona na otporniku R=100 Ω približno 0V?

Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. MOSFET tranzistor obogaćenog tipa 2. CMOS 3. MESFET tranzistor 4. DC analiza FET tranzistora

Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. FET tranzistori 2. MOSFET tranzistori

konst. Električni otpor

(/(.7521,.$ 6. PN SPOJ

UNIVERZITET U NIŠU ELEKTRONSKI FAKULTET SIGNALI I SISTEMI. Zbirka zadataka

STATIČKE KARAKTERISTIKE DIODA I TRANZISTORA

Mehatronika - Metode i Sklopovi za Povezivanje Senzora i Aktuatora. Sadržaj predavanja: 1. Operacijsko pojačalo

VJEŽBE 3 BIPOLARNI TRANZISTORI. Slika 1. Postoje npn i pnp bipolarni tranziostori i njihovi simboli su dati na slici 2 i to npn lijevo i pnp desno.

Otpornost R u kolu naizmjenične struje

Elektronički Elementi i Sklopovi

PRAVA. Prava je u prostoru određena jednom svojom tačkom i vektorom paralelnim sa tom pravom ( vektor paralelnosti).

numeričkih deskriptivnih mera.

SEKUNDARNE VEZE međumolekulske veze

, Zagreb. Prvi kolokvij iz Analognih sklopova i Elektroničkih sklopova

(/(.7521,.$ 5.1. Potencijalna barijera Pretpostavimo postojanje homogenog električnog polja i elektrona izvan električnog polja kao na slici 127.

VEŽBA 4 DIODA. 1. Obrazovanje PN spoja

IZRAČUNAVANJE POKAZATELJA NAČINA RADA NAČINA RADA (ISKORIŠĆENOSTI KAPACITETA, STEPENA OTVORENOSTI RADNIH MESTA I NIVOA ORGANIZOVANOSTI)

OSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 1 OSNOVNA KOLA SA DIODAMA

radni nerecenzirani materijal za predavanja R(f) = {f(x) x D}

I.13. Koliki je napon između neke tačke A čiji je potencijal 5 V i referentne tačke u odnosu na koju se taj potencijal računa?

7 Algebarske jednadžbe

( , 2. kolokvij)

RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE (IV semestar modul EKM) IV deo. Miloš Marjanović

Operacije s matricama

9.11.Spojni tranzistor sa efektom polja (JFET)

Računarska grafika. Rasterizacija linije

Pismeni ispit iz matematike Riješiti sistem jednačina i diskutovati rješenja sistema u zavisnosti od parametra: ( ) + 1.

OSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 2 DIODA I TRANZISTOR

Riješeni zadaci: Nizovi realnih brojeva

Elektrodinamika ( ) ELEKTRODINAMIKA Q t l R = ρ R R R R = W = U I t P = U I

ANALOGNI ELEKTRONIČKI SKLOPOVI

ELEKTROTEHNIČKI ODJEL

OSNOVI ELEKTRONIKE. Vežbe (2 časa nedeljno): mr Goran Savić

Matematika 1 - vježbe. 11. prosinca 2015.

FTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA

S t r a n a 1. 1.Povezati jonsku jačinu rastvora: a) MgCl 2 b) Al 2 (SO 4 ) 3 sa njihovim molalitetima, m. za so tipa: M p X q. pa je jonska jačina:

Održavanje Brodskih Elektroničkih Sustava

2 tg x ctg x 1 = =, cos 2x Zbog četvrtog kvadranta rješenje je: 2 ctg x

TRIGONOMETRIJA TROKUTA

PARCIJALNI IZVODI I DIFERENCIJALI. Sama definicija parcijalnog izvoda i diferencijala je malo teža, mi se njome ovde nećemo baviti a vi ćete je,

IZVODI ZADACI (I deo)

Zadaci sa prethodnih prijemnih ispita iz matematike na Beogradskom univerzitetu

Riješeni zadaci: Limes funkcije. Neprekidnost

HEMIJSKA VEZA TEORIJA VALENTNE VEZE

Apsolutno neprekidne raspodele Raspodele apsolutno neprekidnih sluqajnih promenljivih nazivaju se apsolutno neprekidnim raspodelama.

3.1 Granična vrednost funkcije u tački

Elektronika/Osnove elektronike

( , treći kolokvij) 3. Na dite lokalne ekstreme funkcije z = x 4 + y 4 2x 2 + 2y 2 3. (20 bodova)

Osnovni primer. (Z, +,,, 0, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: množenje je distributivno prema sabiranju

Sveučilište u Zagrebu. Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave. Elektronika 1R

Dvanaesti praktikum iz Analize 1

Konstruisanje. Dobro došli na... SREDNJA MAŠINSKA ŠKOLA NOVI SAD DEPARTMAN ZA PROJEKTOVANJE I KONSTRUISANJE

Trigonometrija 2. Adicijske formule. Formule dvostrukog kuta Formule polovičnog kuta Pretvaranje sume(razlike u produkt i obrnuto

FAKULTET PROMETNIH ZNANOSTI

radni nerecenzirani materijal za predavanja

Funkcije dviju varjabli (zadaci za vježbu)

TRIGONOMETRIJSKE FUNKCIJE I I.1.

Obrada signala

NOMENKLATURA ORGANSKIH SPOJEVA. Imenovanje aromatskih ugljikovodika

Osnove mikroelektronike

INTELIGENTNO UPRAVLJANJE

L E M I L I C E LEMILICA WELLER WHS40. LEMILICA WELLER SP25 220V 25W Karakteristike: 220V, 25W, VRH 4,5 mm Tip: LEMILICA WELLER. Tip: LEMILICA WELLER

Kaskadna kompenzacija SAU

OBRTNA TELA. Vladimir Marinkov OBRTNA TELA VALJAK

Ispitivanje toka i skiciranje grafika funkcija

Pismeni ispit iz matematike GRUPA A 1. Napisati u trigonometrijskom i eksponencijalnom obliku kompleksni broj, zatim naći 4 z.

OM2 V3 Ime i prezime: Index br: I SAVIJANJE SILAMA TANKOZIDNIH ŠTAPOVA

Veleučilište u Rijeci Stručni studij sigurnosti na radu Akad. god. 2011/2012. Matematika. Monotonost i ekstremi. Katica Jurasić. Rijeka, 2011.

11. OPTOELEKTRONSKE KOMPONENTE

1.4 Tangenta i normala

Snage u kolima naizmjenične struje

Kontrolni zadatak (Tačka, prava, ravan, diedar, poliedar, ortogonalna projekcija), grupa A

π π ELEKTROTEHNIČKI ODJEL i) f (x) = x 3 x 2 x + 1, a = 1, b = 1;

( ) ( ) 2 UNIVERZITET U ZENICI POLITEHNIČKI FAKULTET. Zadaci za pripremu polaganja kvalifikacionog ispita iz Matematike. 1. Riješiti jednačine: 4

Betonske konstrukcije 1 - vežbe 3 - Veliki ekscentricitet -Dodatni primeri

- pravac n je zadan s točkom T(2,0) i koeficijentom smjera k=2. (30 bodova)

Matematička analiza 1 dodatni zadaci

Pošto pretvaramo iz veće u manju mjernu jedinicu broj 2.5 množimo s 1000,

DISKRETNA MATEMATIKA - PREDAVANJE 7 - Jovanka Pantović

M086 LA 1 M106 GRP. Tema: Baza vektorskog prostora. Koordinatni sustav. Norma. CSB nejednakost

RIJEŠENI ZADACI I TEORIJA IZ

3. razred gimnazije- opšti i prirodno-matematički smer ALKENI. Aciklični nezasićeni ugljovodonici koji imaju jednu dvostruku vezu.

Elektrotehnički fakultet univerziteta u Beogradu 17.maj Odsek za Softversko inžinjerstvo

INTEGRALNI RAČUN. Teorije, metodike i povijest infinitezimalnih računa. Lucija Mijić 17. veljače 2011.

Tranzistori u digitalnoj logici

Alarmni sustavi 07/08 predavanja 12. i 13. Detekcija metala, izvori napajanja u sustavima TZ

svojstva silicijuma Predavanja 2016.

18. listopada listopada / 13

1 Promjena baze vektora

Transcript:

Elektronički Elementi i Sklopovi Sadržaj predavanja: 1. LED diode 2. Sažetak predavanja o diodama 3. Teoretski zadaci sa diodama 4. Elektronički sklopovi sa diodama

LED Diode LED dioda je poluvodički element (PN spoj) koji proizvodi vidljivo ili nevidljivo svijetlo kada je propusno polarizirana. Na propusno polariziranom PN spoju u blizini PN spoja dolazi do rekombinacije elektrona i šupljina. Kod rekombinacije, slobodni elektroni rekombiniraju sa šupljinama te prelaze iz vodljivog pojasa u valentni pojas. Pri prelasku elektrona iz vodljivog pojasa u valentni pojas dolazi do otpuštanja energije. Ta energija se može pojaviti u vidu topline ili u vidu vidljivog (ili nevidljivog) svijetla. Kod silicija (Si) i germanija (Ge) energija najvećeg postotka slobodnih nosilaca koji rekombiniraju u bilizini P-N spoja se oslobađa u vidu topline dok je postotak oslobođene energije u vidu svijetla zanemariv. Zbog tog razloga, silicij i germanij se ne koristi za izradu LED diode.

LED Diode Diode izrađene od GaAs emitiraju svijetlo u infracrvenom području u procesu rekombinacije na PN spoju. Iako je svijetlo GaAs dioda infracrveno (nevidljivo) takve diode imaju brojne primjene: - sigurnosni sustavi - industrijski detektori - optocoupleri - daljinski upravljači (garažna vrata, sustavi kućne zabave) Onečišćenjem GaAs dioda pogodnim primjesama postiže se da se emitira vidljivo svijetlo raznih boja.

LED Diode Elementi koji se koriste za dopiranje GaAs da se dobiju različite boje svijetla. Iz tablice je vidljivo da LED diode različitih boja imaju različite napone koljena.

LED Diode Na slici je simbol LED diode (b). Kod LED dioda je površina metala koji je spojen na izvode diode je manja nego kod običnih dioda iz razloga da se maksimizira proizvodnja svijetla. Frekvencijski opseg svijetlosnih valova koji se mogu proizvesti pomoću LED dioda je od 100 THz - 750 THz. Vidljivo svijetlo je u području od 400-750 THz.

LED Diode Kada se govori o elektroluminescentnim poluvodičkim uređajima, najčešće govorimo o valnoj duljini emitiranog svijetla: (1) λ = c f [m] gdje je parametar c brzina svijetlosti u vakuumu c = 3 10 8 m/s. Iz jednadžbe (1) se vidi da što je veća frekvencija to je manja valna duljina. Većina proizvođačkih specifikacija koriste jedinice kao što su nanometri (nm) ili anstremi ( ሶ A). Jedan anstrem iznosi 10 10 m ili 0.1nm. Kada se govori o elektroluminescentnim poluvodičkim uređajima treba imati u vidu i karakteristike ljudskog oka. Raspon vidljivih valnih duljina za ljudsko oko je od 350nm-800nm sa najvećom osjetljivošču na valne duljine od 550nm.

LED Diode Odziv prosječnog ljudskog oka na svjetlosne podržaje. Oko je najosjetljivije na zelenu boju a najmanje na crvenu i plavu boju. To znači da crveno i plavo svijetlo mora imati daleko veći intenzitet od zelenog svijetla da bi ljudsko oko vidjelo te boje jednakim intenzitetom.

LED Diode Kada elektroni i šupljine rekombiniraju, elektroni koji prelaze iz vodljivog u valentni pojas oslobađaju energiju. Budući da silicij ima manju energiju zabranjenog pojasa većina energije se oslobodi u vidu topline. GaAs ima veću energiju zabranjenog pojasa od silicija i većina energije se oslobađa u vidu svijetlosnih valova. Energija koja se oslobodi prelaskom iz vodljivog u valentni pojas se može izraziti pomoću jednadžbe: (2) E g = hc λ gdje je E g [J] energija zabranjenog pojasa, h = 6.626 10 34 [J s] je Planckova konstanta, c = 3 10 8 [ m ] je brzina svijetlosti u vakuumu i λ je valna duljina svijetlosti izražena u metrima. s Iz jednadžbe (2) je vidljivo da je valna duljina svijetla koje emitiraju LED diode obrnuto proporcionalna širini zabranjenog pojasa.

LED Diode Različiti poluvodički materijali imaju različite širine zabranjenog pojasa pa tako emitiraju svijetla različitih valnih duljina. GaAsP ima širinu zabranjenog pojasa E g = 1.9 ev pa tako emitira svijetlo valne duljine λ = 654 nm (crvena boja). GaAs ima E g = 1.43 ev te emitira svijetlo valne duljine λ = 869 nm (infracrveno svijetlo nevidljivo ljudskom oku). Da bi se dobilo svijetlo točno određene boje potrebno je dopirati poluvodički materijal (GaAs) sa takvim nečistoćama da se dobije točno određena širina zabranjenog pojasa i posljedično boja svijetla (valna duljina). Kod praktične primjene LED dioda treba imati u vidu da je probojni napon na LED diodi daleko manji od probojnog napona standardnih Si dioda (-80V ili više). Kod LED dioda je probojni napon tipično između -3V i -5V.

LED Diode Kod sklopova sa LED diodama, za standardne diode (crvena, zelena, žuta) možemo uzeti da je napon propusne polarizacije oko 2V te da kroz njih teče struja oko 20mA. Ako koristimo bijele i plave LED diode kod njih su naponi koljena (propusna polarizacija) oko 4V za bijeli led i 5V za plavi LED. Struja je oko 20mA slično kao i kod crvene, zelene i žute LED diode.

Sažetak predavanja o diodama 1. Karakteristika idealne diode je slična idealnom prekidaču s tom razlikom da idealna dioda propušta struju u samo jednom smijeru. 2. Idealna dioda se može predstaviti kratkim spojem kada vodi struju (propusna polarizacija) te otvorenim krugom kada je reverzno polarizirana. 3. Poluvodički materijali imaju vodljivost negdje između dobrog vodiča i izolatora. 4. Kada dva susjedna atoma ostvare kovalentnu vezu to znači da dijele elektrone iz valentnog pojasa. 5. Broj slobodnih nosioca u polivodičkom materijalu se znatno povećava sa povećanjem temperature. 6. Većina poluvodičkih materijala koji se koriste u elektronici imaju negativni temperaturni koeficijent (vidi 5), što znači da otpor pada s porastom temperature. Kod vodiča otpor raste s porastom temperature.

Sažetak predavanja o diodama 7. Inrisični materijali su oni koji imaju najniži nivo nečistoća (najniži koji dopušta tehnologija). Ekstrisični materijali su materijali dopirani atomima nečistoća. 8. N tip poluvodiča se dobije tako što se dodaje atom donora koji ima 5 valentnih elektrona. P tip poluvodiča se dobija tako što se doda atom akceptora koji ima 3 valentna elektrona. 9. Regija u P-N spoju koja nema slobodnih nosioca (elektrona ili šupljina) se naziva osiromašeno područje. 10. Ako na diodu nije narinut napon kroz diodu ne teče nikakva struja. 11. Kad je dioda propusno polarizirana struja kroz diodu raste eksponencijalno ovisno o narinutom naponu. 12. Kad je dioda nepropusno polarizirana kroz nju teče mala reverzna struja sve dok napon nepropusne polarizacije toliko ne poraste da dosegne probojni napon.

Sažetak predavanja o diodama 13. Reverzna struja se udvistruči za svakih 10 povećanja temperature. 14. Statički otpor diode je omjer napona na diodi i struje koja teče kroz diodu u statičkoj radnoj točki. Statički otpor se smanjuje sa povećanjem napona na diodi. 15. Napon koljena je 0.7V za silicijeve diode i 0.3V za germanijeve diode. 16. Disipacija snage na diodi je jednaka produku napona na diodi i struje koja teče kroz diodu. 17. Kapacitivnost diode raste eksponencijalno sa naponom propusne polarizacije diode. 18. Struja koja teče kroz Zennerovu diodu ima smijer obrnut od smijera struje kod propusne polarizacije. Također polaritet Zennerovog napona je obrnu od polariteta napona propusne polarizacije. 19. Crvene,zelene i žute led diode svijetle kada je na njima napon od oko 2V. Bijele i plave LED diode trebaju 4V i 5V da bi svijetlile.

Sažetak predavanja o diodama Jednadžbe: V Τ (3) I D = I S e D nv T 1 (4) V K 0.7V (Si) (5) V K 1.2V (GaAs) (6) V K 0.3V (Ge) V T = kt q T K = T C + 273 k = 1.38 10 23 J ΤK (7) R D = V D I D (8) r D = V D 26 mv n I D I D V (9) r av = D ቚ I D pt.to pt. (statički otpor diode) (dinamički otpor diode) (prosječni otpor diode) (10) P Dmax = V D I D (maksimalna disipirana snaga)

Teoretski zadaci o diodama 1. Objasnite (vlastitim riječima) što je to intrisični poluvodič, negativni temperaturni koeficijent i kovalentna veza. 2. Objasniti zašto poluvodič ima negativni temperaturni koeficijent i zašto vodič ima pozitivni temperaturni koeficijent. 3. Objasniti razliku između P tipa poluvodiča i N tipa poluvodiča. 4. Objasniti razliku između donorskih i akceptorskih nečistoća. 5. Objasniti razliku između većinskih i manjinskih nosioca naboja. 6. Skicirati kristalnu rešetku silicija (Si) kada je onečišćen atomima arsena (As) 7. Objasniti što se događa na PN spoju kada je propusno polariziran i kada je nepropusno polariziran.

Teoretski zadaci o diodama 8. Izračunati termalni potencijal V T za diodu na temperaturi od 20. Koristeći Shocklyevu jednadžbu treba izračunati struju kroz diodu I D ako je reverzna struja zasićenja I S = 40 na, n = 2 (napon diode je manji od napona koljena) i ako je napon na diodi V D = 0.5V. 9. Pod pretpostavkom da je I S = 5 μa na 100 izračunati struju kroz diodu na 100 koristeći parametre iz prethodnog zadatka (n = 2, V D = 0.5V). 10. Koristeći Shocklyevu jednadžbu treba izračunati struju I D koja teče kroz diodu na 20 ako je dioda reverzno polarizirana V D = 10V (I S = 0.1 μa, n = 2). Da li je dobiveni rezultat očekivan i zašto? 11. Ako je struja kroz diodu I D = 8 ma (n = 1) treba izračunati reverznu struju zasićenja I S ako je napon na diodi V D = 0.5V i temperatura 25. 12. Ako je struja kroz diodu I D = 6 ma, V T = 26 mv, n = 1, I S = 1 na izračunati napon na diodi V D.

Teoretski zadaci o diodama 17. Kod reverzne polarizacije diode, reverzna struja zasićenja iznosi I S = 0.1 μa (20 ). Treba otprilike izračunati reverznu struju zasićenja pri istom reverznom naponu na 40.

Teoretski zadaci o diodama 18. Iz karakteristike na slici treba odrediti pad napona V D na diodi za struju I D = 10 ma za temperature 75, 25 i 125. Za svaku od temperatura treba izračunati reverznu struju zasićenja I S.

Teoretski zadaci o diodama 19. Nacrtati karakteristiku idealne diode. Nacrtati nadomjesni sklop idealne diode kad je dioda propusno i kad je nepropusno polarizirana. Objasniti nadomjesni sklop za oba slučaja (kad dioda vodi i ne vodi), tj. zašto je baš takav nadomjesni sklop prikladan? 20. Koja je bitna razlika između idealnog prekidača i idealne diode? 21. Izračunati statički otpor R D za diodu iz zadatka 18. pri temperaturi 25 ako je struja I D koja teče kroz diodu I D = 4 ma. 22. Izračunati statički otpor R D za diodu iz zadatka 18. pri temperaturi 25 ako je struja I D koja teče kroz diodu I D = 15 ma. Usporediti rezultate sa onima iz zadatka 21. 23. Izračunati statički otpor R D za diodu iz zadatka 18. pri temperaturi 25 za napone reverzne polarizacije od -10V i -30V. Usporediti rezultate i objasniti razliku!

Teoretski zadaci o diodama 24. Izračunati statički i dinamički otpor za diodu iz zadatka 18 (na 25 ) pri struji propusne polarizacije od 10mA. Usporediti rezultate! 25. Za struju od 10mA izračunati dinamički otpor diode koristeći jednadžbu (8). Zatim treba odrediti dinamički otpor iz karakteristike na slici iz zadatka 18 (na 25 ) pod pretpostavkom da je AC struja na diodi sinusoidalnog oblika I D = 10mA + 5mA sin(ωt). Usporediti dobivene dinamičke otpore i objasniti razliku. 26. Izračunati dinamički otpor diode za struje I D = 1mA i I D = 15mA (na 25 ). Zaključite što se generalno događa sa dinamičkim otporom diode ako struja propusne polarizacije raste. 27. Kapacitet diode je 8pF kad napon nije narinut na diodu. Napon koljena diode je V K = 0.7V i faktor n = 1. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je dioda reverzno polarizirana naponom 2 od -5V? 28. Odrediti temperaturni koeficijent nominalne 5V Zenner diode (nominalne vrijednosti su na na 25 ) ako Zennerov napon padne na 4.8V na temperaturi 100.