Elektronika/Osnove elektronike
|
|
- Πάρις Ράγκος
- 5 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Elektronika/Osnove elektronike predavanja utorkom u sati, predavaonica 152 seminari i vježbe četvrtkom u sati, predavaonica 152 Ocjenjivanje: Aktivnost i sudjelovanje u nastavi (5 bodova) Pismeni kolokvij (40 bodova 2 kolokvija) Seminar (25 bodova)
2 Literatura D. L. Eggleston: Basic electronics for scientists and engineers, Cambridge University Press, 2011 N. W. Aschroft, N. D. Mermin: Solid state physics, Saunders College Publishing, 1996 D. Kotnik-Karuza: Osnove elektronike s laboratorijskim vježbama, Filozofski fakultet u Rijeci, 2000 P. Biljanović: Elektronički sklopovi, Školska knjiga Zagreb, 2001 P. Biljanović: Mikroelektronika (Integrirani elektronički sklopovi), Školska knjiga Zagreb, 2001 Dopunska litelatura: B. Juzbašić: Elektronički elementi, Školska knjiga Zagreb, 1980 D.V. Hall: Digital circuits and systems, McGraw-Hill, 1989 D.L. Schilling, C. Belove: Electronic circuits, McGraw-Hill, 1989 K. Seeger: Semiconductor physics, Springer 1991
3 Sadržaj RC krugovi (filteri) Poluvodička dioda i primjena Tranzistor (bipolarni, emiterski spoj, kolektorski spoj) Tranzistorsko pojačalo malih signala Operacijsko pojačalo Sklopovi s operacijskim pojačalom Digitalna elektronika
4 RC pasivni filtri 1. NISKOFREKVENTNI (NF) FILTAR 2. VISOKOFREKVENTNI (VF) FILTAR 3. POJASNI FILTAR
5 Visokofrekventni (VF) filtar Propušta visoke frekvencije, prigušuje niske frekvencije
6 Visokofrekventni (VF) filtar Propušta visoke frekvencije, prigušuje niske frekvencije Osnovna karakteristika: GRANIČNA FREKVENCIJA f gr f> f gr frekvencije više od granične frekvencije se propuštaju f< f gr frekvencije niže od granične frekvencije se prigušuju f<< f gr A (pojačanje) = 0 f>> f gr A = 1 (maksimalno pojačanje)
7 Visokofrekventni (VF) filtar
8 Derivator
9 Niskofrekventni (NF) filtar Propušta niske frekvencije, prigušuje visoke frekvencije
10 Niskofrekventni (NF) filtar Propušta niske frekvencije, prigušuje visoke frekvencije Osnovna karakteristika: GRANIČNA FREKVENCIJA f gr f< f gr frekvencije niže od granične frekvencije se propuštaju f> f gr frekvencije više od granične frekvencije se prigušuju f>> f gr A (pojačanje) = 0 f<< f gr A = 1 (maksimalno pojačanje)
11 Niskofrekventni (NF) filtar
12 Integrator
13 Pojasni filtar Propušta frekvencije u nekom intervalu (frekventni pojas), od minimalne do maksimalne frekvencije Kombinacija VF i NF filtra karakteristike određuju granične frekvencije VF filtra f (minimalna frekvencija pojasa) i NF filtra (maksimalna frekvencija pojasa)
14 Pojasni filtar Propušta niske frekvencije, prigušuje visoke frekvencije Osnovna karakteristika: VF GRANIČNA FREKVENCIJA f gvf i NF GRANIČNA FREKVENCIJA f gnf f gvf < f < f gnf frekvencije između graničnih frekvencija za VF i NF se propuštaju f gvf > f > f gnf frekvencije niže od granične VF frekvencije i više od granične NF frekvencije se prigušuju f gvf >> f >> f gnf A (pojačanje) = 0
15 Pojasni filtar
16
17
18
19
20
21
22
23 E + - Donorski ion Akceptorski ion + Slobodn i elektron - [ upljina Prijelazni sloj
24
25 P N E GP E GN E FN E ip E FP E 0P E in E 0N P N E GP E ip E FP E 0P E GN E FN E in E 0N P N E GP E ip E FP E 0P E GN E FN E in E 0N
26
27 d B U K
28
29
30
31
32
33 Dioda djeluje kao filter propušta struju samo u jednom smjeru I max najveća dozvoljena diodna struja koja se ne smije prekoračiti U F 'protočni' napon (propusna polarizacija) U = U F za I = 1/10 I max U F napon kod kojeg značajno poraste vodljivost diode Ge: U F = 0.3 V Si: U F = 0.7 V
34 Pojednostavljena karakteristika diode: - Zanemarujemo inverznu struju - Zanemarujemo direktnu struju dok direktni napon ne postane jednak naponu praga U 0 - U 0 se dobije na presjeku apcise i tangente u radnoj točki diode - Porastom napona struja diode linearno raste kao da je u krugu otpor r D - P zatvoren kada je napon na diodi U > U 0 (za U < U 0 ne teče struja) - Struja je u krugu određena naponom U, naponom unutrašnjeg izvora U 0 i otporom r D
35 VRSTE PROBOJA a) Zenerov proboj b) lavinski proboj Zenerov proboj - Kod diode U R < 6 V - Jako dopirani pn spoj usko područje osiromašenja, veliki priključeni napon još uže područje osiromašenja jako električno polje 10 7 V/m - Velika energija elektrona u električnom polju pucaju kovalentne veze - Električno polje u zoni osiromašenja je dovoljno veliko da uzrokuje diretknu ionizaciju stvaranje parova elektronšupljina
36 - Struja proboja naglo raste, napon ostaje gotovo konstantan (UP). - Proboj ovisi o temperaturi veća temperatura, veća struja proboja jer povišenje temperature uzrokuje lakše pucanje kovalentnih veza
37 Lavinski proboj - Kod diode U R > 6 V - Električno polje je vrlo veliko - Manjinski nosioci koji slobodno prelaze kroz barijeru su ubrzani na vrlo visoke kinetičke energije dovoljne za ionizaciju drugih atoma u području osiromašenja - Novi elektroni se također ubrzavaju i vode do daljnje ionizacije lavinski efekt - Sudarna ionizacija, lavina nosilaca naboja, struja snažno raste W = ee ; << d - Ovisnost o temperaturi: = (T); temperatura pada, srednji slobodni put raste, kintetička energija raste - Struja lavinskog proboja raste sniženjem temperature
38 Jednostavni krugovi s diodom Umanjivač napona (Voltage dropper)
39 Limitator (limiter/clipper) - Osigurava da izlazni napon nikada ne pređe određenu vrijednost - Služi za zaštitu krugova od iznenadnih visokih napona ili fluktuacija - Dioda vodi struju samo kada je propusno polarizirana za napone veće od ± 0.6 V napon na diodi je tada bliski vrijednosti ± 0.6 V - Za napone između +0.6 V i -0.6V dioda je nepropusno polarizirana ulazni napon se prenosi na izlaz, nema struje kroz diodu
40 Varijabilni limitator (variable limiter/clipper) - Isto kao i diodni limitator, samo je dodana baterija kako bi se napon limitira između vrijednosti -V L 0.6 V i V L V
41 Spona (diode clamp) - Pomiče AC signal za neki konstantan iznos - Kada je ulazni napon manji od -0.6 V dioda je propusno polarizirana kondenzator se nabija na napon U p 0.6 V gdje je U p maksimalni napon AC ulaznog signala - Kondenzator se više ne može izbiti kondenzator zadržava konstantan napon s prikazanim polaritetom V out = V in + V c - Izlazni napon je pomaknut za konstantan iznos napona V c
42 Zaštita prekidača - Koristi se u induktivnim krugovima (npr. Krug sa elektromotor koji sadrži zavojnicu) - Zatvoren prekidač: struja prolazi kroz induktor, dioda je nepropusno polarizirana i predstavlja beskonačan otpor - Otvoreni prekidač: naglo se mijenja struja u krugu dolazi do indukcije u induktoru i inducira se vrlo veliki napon na krajevima induktora: U ind = L di dt napon je toliko veliki da može uzrokovati iskrenje na prekidaču i njegovo oštećenje
43 Zaštita prekidača - Inducirani napon je takav da propusno polarizira diodu induktor postaje kratko spojen, kroz njega teće struja, nema napona na otvorenom prekidaču Digitalni krugovi: OR AND
44 Specijalne diode Zenerova dioda Si dioda koja radi kod napona U > U P U P = U z0 - Karakteristika proboja je približno linearna i vrlo strma (mali U z veliki I z ) U z I z = r z U z = U z0 + U z I z I z diferencijalni Zenerov otpor
45 Ekvivalentna shema: U z = U z0 + r z I z Zenerov diferencijalni otpor je vrlo mali za velike promjene struje kroz diodu, promjene napona su male: r z = U z I z (oko 10 ) za dobivanje konstantnih istosmjernih napona Primjena Zenerove diode: REGULATOR i STABILIZACIJA NAPONA Ako je ulazni napon U E nestabilan, kako stabilizirati izlazni napon U Z = U Z (U E )? RAČUN
46 Zaključak: - Potrebna je Zenerova dioda sa što strmijom karakteristikom - Stabilizacija napona!!
47 Limitator sa Zenerovom diodom - Slično kao i limitator s običnom diodom osigurava da izlazni napon nikada ne pređe određenu vrijednost - Kada je ulazni napon veći od U p + U F (U F = 0.7 V za Si), obje diode vode struju: gornja dioda je propusno polarizirana, a donja je u proboju - Daljnjim povečanjem ulaznog napona, izlazni napon ostaje konstantan (napon na krajevima obje diode) - Kada je ulazni napon negativan i manji od (U p + U F ): donja dioda je propusno polarizirana, a gornja u proboju - Izlazni napon je uvijek između vrijednosti (U p + U F ) i U p + U F
48 Indikator DC napona sa Zenerovom diodom - Zenerove diode mogu biti izrađene s različitim naponima proboja - Različite Zenerove diode različiti naponi proboja (u gornjem primjeru 9 V, 10 V, 11 V, 12 V) - Serijski su spojene LED diode koje zasvijetle kada kroz njih teće struja - Kada ulazni napon raste, prva Zenerova dioda ZD1 neće voditi struju sve dok napon ne postigne vrijednost napona proboja (9 V) ZD1 vodi struju, LED dioda D1 se pali - Kako ulazni napon i dalje raste, ZD2 vodi struju jer ulazi u režim proboja, pali se LED dioda D2, itd. - Često se koristi kao indikatori u mobitelima, na zvučnicima, itd.
49
50 Schottky-jeva dioda Specijalne diode - Za ispravljanje visokofrekventnih (VF) izmjeničnih napona - VRLO BRZO prelazi iz vodljivog (propusnog) u nepropusno stanje - Transport struje se odvija kroz granični sloj metal-poluvodić Propusni smjer: emisija elektrona iz poluvodića u metal - Struju nose samo elektroni, nema manjinskih nosilaca (šupljina) koji bi se kod promjene polariteta morali ukloniti iz graničnog sloja
51 Specijalne diode Tunel dioda (Esaki, Nobel 1973.) - Uski zaporni sloj kod malih napona dolazi do tuneliranja slobodni elektroni i šupljine prelaze s jedne na drugu stranu pn spoja - Veliko onečišćenje n i p dijela poluvodića (N A, N D > cm - 3 ) DEGENERIRANI POLUVODIĆ - Veće onečišćenje jače savijanje vrpci, toliko jako da u n- poluvodiću Fermijev nivo ulazi u vodljiv pojas, a u p- poluvodiću u valentni pojas - U ravnoteži se valentni pojas u p-poluvodiću preklapa sa vodljivim pojasom u n-poluvodiću - Kod visokih onečišćenja barijera je vrlo uska
52 P TUNEL DIODA N E FN E GP E GN E ip E in E 0P E 0N E FP
53 P TUNEL DIODA N E GP E ip E 0P E FP E FN E GN E in E 0N
54 P TUNEL DIODA N E GP E ip E 0P E FP E FN E GN E in E 0N
55 P TUNEL DIODA N E GP E ip E 0P E FP E FN E GN E in E 0N
56 - Kod malih napona (U < 80 mv) elektroni (vodljiva vrpca u n- poluvodiću) prelaze iz vodljive vrpce u valentnu vrpcu na p- strani poluvodića prolazak kroz usku barijeru (tunel efekt) - Struja tuneliraja raste sve dok se Fermijev nivo n-poluvodića ne poklopi sa vrhom valentne vrpce u p-poluvodiću: E FN = E 0P - Tunelska struja raste do neke vrijednosti I H
57 P TUNEL DIODA N E GP E ip E 0P E FP E FN E GN E in E 0N
58 - Daljnjim porastom napona sve manje elektrona iz n- poluvodića pronalazi slobodna mjesta u valentnom pojasu p- poluvodića - Prelaskom na p-stranu poluvodića, elektroni popunjavaju valentno područje, struja počinje padati kako barijera pada do neke vrijednosti I T područje NEGATIVNOG OTPORA
59 P TUNEL DIODA N E GP E ip E FN E 0P E GN E FP E in E 0N
60 - Daljnjim porastom napona elektroni savladavaju potencijalnu barijeru i prelaze u p-poluvodić 'normalnim' putem - započinje teći 'normalna' diodna struja: E GN = E 0P
61
62 Primjena tunel diode: Visokofrekventni uređaji (UHF) televizija - Vrlo trajna dioda Diskriminatori: - Daju izlazni impuls samo kada ulazni napon prijeđe određenu vrijednost (prag) U A = U E IR
63 Radni pravac: I = 0 U A = U E1 U A = 0 I 1 = U E1 R Koliko iznosi izlazni napon U A kada ulazni napon U E raste? Za U E = U E2 skok: izlazni napon naglo pada sa U A2 na U A3 U A = U A3 U A2 0.3 V u t=1 ns - Na izlazu se kod prekoračenja U E2 javlja oštra promjena napona - Stavimo li na izlaz VF filter koji djeluje kao derivator oštra promjena napona postaje IMPULS
64 Na izlazu se preko VF filtra dobije impuls Dolazi do deriviranja izlaznog napona U A' ako je: << g t d >> RC
65 Emisija i apsorpcija fotona LED dioda - pn spoj može stvoriti foton - Apsorpcijom fotona se mogu promijeniti električna svojstva pn spoja - Foton se emitira promjenom energijskog stanja elektrona Propusna polarizacija: - Elektroni i šupljine se gibaju u suprotnim smjerovima elektroni mogu skočiti iz svog višeg stanja u niže stanje u šupljini EMISIJA FOTONA - Dioda kao izvor svjetlosti LED DIODA
66 Emisija i apsorpcija fotona Foto-dioda - Foton se apsorbira u pn spoju elektron prelazi iz valentne u vodljivu vrpcu apsorpcijom fotona stvara se par elektronšupljina - Moguće je stvoriti veliki broj parova elektron-šupljina mijenjaju se električna svojstva pn spoja nastaje struja FOTO DIODA
67 Primjena diode u složenijim krugovima 1. Ispravljači: a) Poluvalni ispravljač b) Punovalni ispravljač 2. Multiplikator napona
68 Poluvalni ispravljač U E > 0 dioda je propusno polarizirana: U A = UE U F U F = 0.3 V (Ge); 0.7 V (Si) U E < 0 dioda je nepropusno polarizirana: I S 0 U A = I S R L U A 0
69 Rezultat: - Na izlaz se prenosi samo pozitivna poluperioda ulaznog signala (propusno polarizirana dioda) - Negativna poluperioda se ne prenosi (nepropusno polarizirana dioda)
70 Izglađivanje signala CILJ: dobivanje istosmjernog napona iz izmjeničnog - Paralelno se spaja kondenzator C - Tijekom pozitivne poluperiode (propusna polarizacija diode) kondenzator se nabija na U Cmax : U Cmax = U Emax U F - Negativna poluperioda (nepropusna polarizacija diode): - Izbijanje kondenzatora koji se ne može istovremeno izbiti - Izbijanje se odvija kroz otpor R L kojim teče struja i A : i A = C du c dt = C du A dt ; C du A dt = U A R L du A = dt U A CR L U A = U Amax e t/cr L i A = U A R L
71 U A = U Amax e t/cr L
72 U =? Koliko iznosi pad napona koji je poluvalno ispravljen? Mjera za kvalitetu izglađivanja napona pad napona za vrijeme izbijanja kondenzatora C, t e vrijeme izbijanja kondenzatora (dioda nepropusno polarizirana) Uvjet: R L C >> T; vrijedi: t e < T Ako vrijedi gornji uvjet, razvoj u red: u A = U Amax 1 t R L C U = U Amax u A t e = U Amax U Amax 1 t e R L C t e U = U Amax R L C = I A uz I fc A U Amax ; t R e T = 1 L f
73 Izlazni napon u A : superpozicija glatkog istosmjernog napona U A + izmjenična komponenta U Punovalni ispravljač Prednosti pred poluvalnim ispravljačem: 1. Veće istosmjerne struje 2. Bolje izglađivanje, manja izmjenična komponenta U Koriste se oba poluvala ulaznog signala U E (+ i -)
74 a) 2 poluvalna ispravljača koji rade naizmjenično: D 1 vodi, D 2 zatvorena D 1 zatvorena, D 2 vodi u (punovalni) = 1 u (poluvalni) 2 jer je t e (punovalni) = 1 t 2 e (poluvalni) I A = 2 I D jer doprinos daje svaka dioda Problem efikasnosti maksimalna vrijednost struje je: I Amax = 1 2U 2 Emax U F /R L jer se koristi samo polovica transformatora
75
76
77
78 b) Graetzov spoj mostni spoj za punovalno ispravljanje D 1, D 2 serijski spoj D 3, D 4 serijski spoj - Koristi se cjelokupni ulazni napon (velika prednost)
79 1. Za U E > 2U F (1.4 V za Si diode) obje diode (D 1 i D 2 ) su propusno polarizirane struja I 1 teće krugom pozitivna poluperioda se prenosi na izlaz 2. Za U E < 2U F (-1.4 V za Si diode) obje diode (D 3 i D 4 ) su sada propusno polarizirane struja I 2 teće krugom negativna poluperioda se prenosi na izlaz Kondenzator paralelno spojen s mostom izglađivanje signala
80
81 U = U Amax t e R L C = I A 2fC uz I A U Amax R L ; t e T/2 = 1 2f Graetzov spoj se najčešće koristi kao ispravljač Regulacija: mjera kvalitete izvora napona idealni naponski izvor daje konstantni napon bez obzira na struju Problem Greatzovog spoja kao filter za istosmjerno napajanje: Valovitost U je ovisna o izlaznoj struji I A izlazni napon i njegova kvaliteta ovisni su o izlaznoj struji Moguće rješenje: povećati frekvenciju f ulaznog signala i kapacitet kondenzatora C Greatzov spoj je slabo reguliran.
82 Drugi nedostaci: - Zahtjeva 4 diode - Gubitak od 1.4 V potreban za propusnu polarizaciju dviju dioda Druge vrste filtera za napajanje: LC filter U = 0 U A = 2 π U Emax Dobra regulacija: napon je neovisan o struji RC filter U = 1 + R 2fC 1 I A Za signale visoke frekvencije (npr. agregate/generatore na naftu)
83 Multiplikator napona
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107 Theveninov teorem Svaki linearni električki krug (mreža) sa naponskim i strujnim izvorima i samo otporima može se zamijeniti s ekvivalentnim naponskim izvorom serijski spojenim s ekvivalentnim otporom na krajevima terminala. Ekvivalentni napon jednak je naponu na krajevima terminala kada su ti krajevi OTVORENI. Ekvivalentni otpor jednak je otporu na krajevima terminala kada su svi naponski izvori KRATKO SPOJENI a strujni izvori OTVORENI.
108 Nortonov teorem Svaki linearni električki krug (mreža) sa naponskim i strujnim izvorima i samo otporima može se zamijeniti s ekvivalentnim strujnim izvorom paralelno spojenim s ekvivalentnim otporom na krajevima terminala. Ekvivalentna struja jednaka je struji KRATKO SPOJENIH krajeva terminala. Ekvivalentni otpor jednak je otporu na krajevima terminala kada su svi naponski izvori KRATKO SPOJENI a strujni izvori OTVORENI.
109 UNIPOLARNI TRANZISTORI FET Field Effect Transistor Tranzistor s efektom polja - Samo VEĆINSKI NOSIOCI sudjeluju u vođenju struje Field Effect Transistor struja kroz tranzistor regulirana pomoću električnog polja Vrste FET tranzistora: a) JFET (Junction FET) spojni FET b) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) metal-oksidpoluvodić FET, FET s izoliranom upravljačkom elektrodom
110 Sastoji se od: a) Supstrata (Silicijev kristal) b) Kanala c) Vratiju (gate) JFET spojni FET Prema tipu poluvodića u kanalu razlikujemo: a) p-kanalni JFET (n-supstrat, p-kanal, n-vrata) a) n-kanalni JFET (p-supstrat, n-kanal, p-vrata) Elektrode tranzistora: a) Izvor (source) b) Odvod (drain) c) Vrata (gate)
111 JFET spojni FET Tehnička izvedba: - u p-supstrat udifundira se n-kanal - u n-kanal se udifundira p-zona elektroda G (vrata) - na krajeve n-kanala nanesu se metalni kontakti za elektrode izvora (S) i odvoda (D)
112 - priključivanje napona između izvoda i odvoda U DS > 0 (U G = 0) većinski nosioci (elektroni) gibaju se kroz kanal struja teće kroz kanal (omski otpor) - na pn spoju između p-vratiju i n-kanala nastaje područje osiromašenja
113 - priključivanje napona između vratiju i izvora U GS moguće je mijenjati veličinu područja osiromašenja - ukoliko se priključi napon U GS tako da nepropusno polarizira pn spoj širenje barijere (područja osiromašenja) na račun slabije dopiranog n-kanala vodljivi kanal se suzuje raste otpor kanala pada struja večinskih nosioca na odvodu
114 REKAPITULACIJA U GS raste kanal se sužava otpor kanala raste struja opada REGULACIJA otpora kanala pomoću napona nepropusne polarizacije vratiju U GS Za dovoljno visoke napone nepropusne polarizacije U GS područja osiromašenja se spajaju zatvara se kanal struja I DS = 0 tranzistor postaje nepropusan Otpor kanala R off > 10 M
115 STRUJNO-NAPONSKA KARAKTERISTIKA JFET TRANZISTORA - Posjeduje samo IZLAZNU KARAKTERISTIKU - Struju tvore samo većinski nosioci - Promatramo ovisnost struje odvoda I D o naponu odvoda U DS za danu vrijednost napona vratiju U GS I D = f(u DS ) za dani U GS = const.
116 Porast napona vratiju U GS porast nepropusne polarizacije pn spoja širi se područje osiromašenja u kanal sužava se vodljivi kanal otpor kanala raste manje struje odvoda I D 0 Za dovoljno visoke napone nepropusne polarizacije vratiju U GS kanal se zatvara struja odvoda I D vrlo mala PREKIDNO područje
117 U GS = 0 I D U DS linearni porast kao omski otpor OMSKO PODRUČJE karakteristike - linearni porast do U DS = U K - za U DS = U K I D = I DSS = const. - nestaje linearnog porasta I D područje SATURACIJE Zašto više struja odvoda I D ne raste s povećanjem napona odvoda U DS?
118 U A = 0 jer je spojeno na uzemljenje (negativni potencijal) U B > U A zbog postojanja pada napona na omskom otporu kanala U B > U GS = 0 jača nepropusna polarizacija uzduž kanala raste napon odvoda U DS jača nepropusna polarizacija širi se područje osiromašenja jače suženje kanala raste otpor struja odvoda I D više ne raste linearno već postaje konstantna
119
120 dovoljno visok napon odvoda U DS kanal se zatvara otpor kanala R postaje vrlo velik struja kroz zatvoreni kanal I D = I DSS postaje konstantna i ne raste s porastom napona odvoda U DS SATURACIJSKO područje u karakteristici tranzistora U K = U DS napon odvoda kod kojeg su se barijere spojile a kanal zatvorio za U GS < 0 do spajanja barijera dolazi ranije, pri nižem naponu odvoda U DS Zašto??
121 U GS je napon nepropusne polarizacije pomaže širenju područja osiromašenja pri nižim U GS dolazi do zatvaranja kanala za manje napone odvoda U DS = U K
122 Što se događa pri zatvaranju kanala na naponu odvoda U DS = U K i struji I D = I DSS? Struja ne bi trebala teći? - Nosioci naboja bivaju injektirani u zonu osiromašenja, slično injekciji nosioca u bazu iz emitera kod BJT - Struja teće zonom osiromašenja i zaobilazi izravni put od izvora do odvoda. - Struja preko zone osiromašenja ograničena je brojem injektiranih nosilaca u zonu osiromašenja (slično kao i struja preko zone osiromašenja kolektor-baza)
123 Daljnje povećanje napona odvoda U DS > U K daljnje preklapanje zone osiromašenja i pomicanje točke kontakta prema izvoru - U području osiromašenja nema slobodnih nosioca naboja struja je ograničena injektiranim nosiocima iz kanala bez obzira na daljnje preklapanje zone osiromašenja povećanjem napona U DS, broj injektiranih nosioca se ne mijeja i struja ostaje konstantna: I D = I DSS SATURACIJA
124 Omsko (linearno) područje: U DS = R I D - Napon vratiju U GS kontrolira otpor kanala - Struja kroz tranzistor je proporcionalna naponu Područje saturacije: I D = I DSS = const. - Napon vratiju U GS kontrolira struju odvoda kroz tranzistor I D - Struja kroz tranzistor je konstantna
125 U GS = 0; R on < 200 JFET vodi struju i kada nije uključen upravljački napon vratiju U GS 'samovodljivi' JFET - Vrata (G) su u odnosu na kanal (S i D) nepropusno polarizirana iz kanala prema G teće vrlo mala struja nepropusne polarizacije Struja vratiju I G je vrlo mala: I G na Nema gubitka snage kod regulacije otpora kanala
126 Karakteristike i parametri FET-a (izlazna i prijenosna karakteristika) Izlazna karakteristika: I D = I D U DS UGS Parametri: I D = f U DS, U GS di D = I D U UGS du DS + I D DS U UDS du GS GS Unutarnji (izlazni) otpor: R u = U DS I D UGS
127 Prijenosna karakteristika (za U DS = const.) Strmina: Pojačanje: S = I D U GS UDS μ = U DS U GS ID μ = R u S
128
129 Pojačalo s FET-om I D R D +U V G: gate vrata S: source izvor D: drain odvod U DS U GS n-kanalni JFET U DS = U V I D R D S = ΔI D ΔU GS di D du GS UDS ΔI D ΔU DS I D = S U GS ΔU DS = R D ΔI D ΔU DS = R D SΔU GS v u = U DS U GS = R D S
130 Pojačalo s FET-om v u v u = U E U GSQ U p U E U GSQ U p v u 1 v u v u = v uq + Δv u Δv u 0 v u v uq = S Q R D - ulazni napon U E linearno pojačan može biti do oko 10 puta veći nego kod bipolarnog tranzistora
131 Pojačalo s FET-om: podešavanje radne točke +U V I D I G 0 I D I S U E I G U GS U Rs I S U A - kroz otpornik R S prolazi struja I S I D i na njemu stvara pad napona U Rs - pad napona na R G je zanemariv jer je I G 0 I G R G = U GS + U Rs I G 0 I G R G 0 U GS + U Rs 0 U GS U Rs - ovo pokazuje da je potencijal vratiju (G elektrode) niži od potencijala izvora (S elektrode), što je osnovni uvjet za funkciju n-kanalnog FET-a
132 Kako odabrati vrijednost otpora R S? R S = U Rs I D = U GSQ I DQ u odabranoj radnoj točki Q (I DQ, U SDQ, U GSQ ) Radna točka se odabire iz karakteristika JFET tranzistora, a mora se nalaziti na radnom pravcu (postoji samo jedan radni pravac i jedan krug izlazni): U V = I D R D + U DS + I S R S ; U V = I D R D + R S + U DS I S I D napon praznog hoda: I D = 0 U Vph = U DS struja kratkog spoja: U DS = 0 I Dks = U V R D +R S
133
134 Treba izbjeći djelovanje strujne povratne veze na otpor izvora R S kada se na ulaz prikljući promjenjivi signal U E : ΔU Rs = R S ΔI D ΔU GS = R S ΔI D 0 jer je ΔI D 0 U E U G I D ΔU GS 0 dolazi do pomaka radne točke zbog postojanja otpornika R S na kojem dolazi do strujne povratne veze Ovaj pomak treba izbjeći: stabiliziranje radne točke tako da je U GS = const. Rješenje: priključivanje kondenzatora C S paralelno otporniku R S (slično stabilizaciji radne točke kod bipolarnog tranzistora)
135 Kondenzator C S propušta izmjeničnu komponentu signala i spriječava strujnu povratnu vezu na izmjenični signal. Kondenzator C S treba predstavljati kratki spoj za izmjenični signal otpor mora biti što manji za izmjenični signal frekvencije f: X Cs = 1 2πfC S Potrebno je odabrati što veći kapacitet kondenzatora C S tako je je X Cs dovoljno malen i za niže frekvencije f. Ovim se postupkom izbjegava strujna povratna veza na izmjenični signal i destabilizacija radne točke u širokom opsegu frekvencija. Kondenzatori na ulazu i izlazu služe za odvajanje izmjeničnog signala od istosmjernog napona polarizacije pn spojeva u tranzistoru (jednako kao i kod bipolarnog tranzistora)
136 MOSFET MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET MESFET Metal Semiconductor FET M metalne elektrode O oksid (SiO 2 ) između metala i poluvodića S poluvodić (semiconductor) Upravljačka elektroda G (vrata) izolirana je od poluvodića oksidom SiO 2
137 n-kanalni MOSFET - u p-supstrat (podlogu) ugrađene su 2 n zone povezane s izvorom (S) i odvodom (D) - dvije n zone NISU povezane n-kanalom kao kod JFET tranzistora
138 Napon U DS > 0 nepropusno polarizira pn spoj za napon vratiju U GS = 0 nastaje područje osiromašenja u pn spoju Tranzistor još uvijek ne vodi struju jer NEMA kanala
139 - Napon U GS > 0 na površinu p-podloge ispod oksida privlači elektrone i odbija šupljine - Uz dovoljno veliki U GS > 0 površina uz oksid postaje n-tip OTVARA se n-kanal koji povezuje izvor (S) i odvod (D)! - Stvaranje n-kanala formira se poluvodički otpornik n-tipa (jednako kao i kod JFET-a) - Za razliku od JFET-a, potreban je minimalni napon (napon praga) U GS = U GS0 potreban za otvaranje kanala
140 U GS je upravljački napon formiranje n-vodljivog kanala u p- podlozi kanalna zona ispod upravljačke elektrode obogaćuje se slobodnim nabojima 'obogaćeni' tip MOSFET-a Mali napon U DS > pad napona MOSFET je linearni otpornik (kao i JFET) Povećanjem napona U GS > 0 raste koncentracija elektrona u kanalu i vodljivost kanala MOSFET je naponom upravljani linearni otpornik
141 - Povećanjem napona U DS nastaje pad napona u kanalu - Kanal se prema odvodu (D) sužava (kao i kod JFET-a) otpor kanala raste - Za dovoljni veliki napon U DS = U DSS kanal se zatvara, struja postiže maksimalnu vrijednost I D = I DSS - Zatvoreni kanal struja više ne raste (kao i kod JFET-a) područje ZASIČENJA - Struja I D je određena naponom U GS MOSFET je naponom upravljani strujni izvor
142 I G,MOSFET ~ I G,JFET 1000 Ulazni otpor MOSFET-a: Ulazni otpor JFET-a: 10 9
143 Prednosti MOSFET-a u odnosu na JFET: - Veći ulazni otpor (milijun puta) - Bolje naponsko upravljanje - Manja struja I G (1000x) Prednosti FET-a (oba tipa): - Veliku ulazni otpor - Naponsko upravljanje - Unipolarni tranzistor tok struje ovisi samo o gibanju večinskih nosoca naboja - Mala struja I G u odnosu na struju baze kod bipolarnog tranzistora - Manji šum koristi se u uređajima osjetljivim na šum poput radio prijemnika, niskošumnih pojačala, VHF pojačala, satelitskih prijemnika - Bolja termička stabilnost u odnosu na bipolarni tranzistor
144 Nedostaci FET-a (oba tipa): - Osjetljiv na veliku promjenu napona (posebno MOSFET) - Osjetljivost na elektrostatsko oštećenje zbog prisustva osjeltjivog sloja oksida kod MOSFET-a Upotreba FET-a: 1. Pojačala 2. Naponska sljedila (strujna pojačala): veliki ulazni otpor, mali izlazni otpor 3. Uređaji za brzo paljenje/gašenje (motori s unutarnjim sagorijevanjem) 4. Prekidači ('mikseri') 5. Digitalni integrirani krugovi CMOS
145 CMOS CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor FET Dva komplementarna MOSFET tranzistora spojena u niz: 1. nmos na p-podlozi 2. pmos na zasebnom udifundiranom n-otoku Idealno za izradu u integriranim krugovima osnova današnje računalne industrije
146 U u1 U i U u2
147 R 2 I u R 1 U u (-) I i U u U u (-) U u (+) A o U i
148 U u =U u (+) A o R 2 U i U u (-) R 1
149 I 1 U 1 I 2 I I i u 2 U n I n A o U i
150 R 2 U u1 I 1 R 1 U 3 U u2 I 2 R 1 U' u2 A o R 2 U i
151 BISTABIL (FLIP-FLOP)
152 SCHMITTOV OKIDNI SKLOP V = v u B1 T 1 ON T 2 OFF V 0 T 1OFF T 2 ON t V = V i C2 V cc T 1 ON T 2 OFF T 1OFF T 2ON t
153 MONOSTABIL
154 ASTABIL
155 MEISSNEROV OSCILATOR - Y oscilosk op + X oscilosk op
156
157
158
159
160
FAKULTET PROMETNIH ZNANOSTI
SVUČILIŠT U ZAGU FAKULTT POMTNIH ZNANOSTI predmet: Nastavnik: Prof. dr. sc. Zvonko Kavran zvonko.kavran@fpz.hr * Autorizirana predavanja 2016. 1 Pojačala - Pojačavaju ulazni signal - Zahtjev linearnost
Διαβάστε περισσότεραBIPOLARNI TRANZISTOR Auditorne vježbe
BPOLARN TRANZSTOR Auditorne vježbe Struje normalno polariziranog bipolarnog pnp tranzistora: p n p p - p n B0 struja emitera + n B + - + - U B B U B struja kolektora p + B0 struja baze B n + R - B0 gdje
Διαβάστε περισσότεραZadatak 1. U kojim od spojeva ispod je iznos pada napona na otporniku R=100 Ω približno 0V?
Zadatak 1. U kojim od spojeva ispod je iznos pada napona na otporniku R=100 Ω približno 0V? a) b) c) d) e) Odgovor: a), c), d) Objašnjenje: [1] Ohmov zakon: U R =I R; ako je U R 0 (za neki realni, ne ekstremno
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi
Sadržaj predavanja: 1. Strujna zrcala pomoću BJT tranzistora 2. Strujni izvori sa BJT tranzistorima 3. Tranzistor kao sklopka 4. Stabilizacija radne točke 5. Praktični sklopovi s tranzistorima Strujno
Διαβάστε περισσότεραSveučilište u Zagrebu. Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave. Elektronika 1R
Sveučilište u Zagrebu Fakultet elektrotehnike i računarstva Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave Elektronika 1R Ž. Butković, J. Divković Pukšec, A. Barić 5. Unipolarni
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. FET tranzistori 2. MOSFET tranzistori
Sadržaj predavanja: 1. FET tranzistori 2. MOSFET tranzistori Slično kao i bipolarni tranzistor FET (Field Effect Tranzistor - tranzistor s efektom polja) je poluvodički uređaj s tri terminala (izvoda)
Διαβάστε περισσότεραTranzistori s efektom polja. Postupak. Spoj zajedničkog uvoda. Shema pokusa
Tranzistori s efektom polja Spoj zajedničkog uvoda U ovoj vježbi ispitujemo pojačanje signala uz pomoć FET-a u spoju zajedničkog uvoda. Shema pokusa Postupak Popis spojeva 1. Spojite pokusni uređaj na
Διαβάστε περισσότεραUnipolarni tranzistori - MOSFET
nipolarni tranzistori - MOSFET ZT.. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u području zasićenja prikazana je na slici. oboaćeni ili osiromašeni i obrazložiti. b olika je struja u točki, [m] 0,5 0,5,5, [V]
Διαβάστε περισσότεραnvt 1) ukoliko su poznate struje dioda. Struja diode D 1 je I 1 = I I 2 = 8mA. Sada je = 1,2mA.
IOAE Dioda 8/9 I U kolu sa slike, diode D su identične Poznato je I=mA, I =ma, I S =fa na 7 o C i parametar n= a) Odrediti napon V I Kolika treba da bude struja I da bi izlazni napon V I iznosio 5mV? b)
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. MOSFET tranzistor obogaćenog tipa 2. CMOS 3. MESFET tranzistor 4. DC analiza FET tranzistora
Sadržaj predavanja: 1. MOSFET tranzistor obogaćenog tipa 2. CMOS 3. MESFET tranzistor 4. DC analiza FET tranzistora MOSFET tranzistor obogaćenog tipa Konstrukcija MOSFET tranzistora obogaćenog tipa je
Διαβάστε περισσότεραSveučilište u Zagrebu. Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave. Elektronika 1
Sveučilište u Zagrebu Fakultet elektrotehnike i računarstva Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave Elektronika 1 Ž. Butković, J. Divković Pukšec, A. Barić 5. Unipolarni
Διαβάστε περισσότεραMehatronika - Metode i Sklopovi za Povezivanje Senzora i Aktuatora. Sadržaj predavanja: 1. Operacijsko pojačalo
Mehatronika - Metode i Sklopovi za Povezivanje Senzora i Aktuatora Sadržaj predavanja: 1. Operacijsko pojačalo Operacijsko Pojačalo Kod operacijsko pojačala izlazni napon je proporcionalan diferencijalu
Διαβάστε περισσότερα, Zagreb. Prvi kolokvij iz Analognih sklopova i Elektroničkih sklopova
Grupa A 29..206. agreb Prvi kolokvij Analognih sklopova i lektroničkih sklopova Kolokvij se vrednuje s ukupno 42 boda. rijednost pojedinog zadatka navedena je na kraju svakog zadatka.. a pojačalo na slici
Διαβάστε περισσότεραOdržavanje Brodskih Elektroničkih Sustava
Održavanje Brodskih Elektroničkih Sustava Sadržaj predavanja: 1. Upoznavanje s osnovnim sklopovima tranzistorskih pojačala 2. Upoznavanje s osnovnim sklopovima operacijskih pojačala 3. Analogni sklopovi
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi
Elektronički Elementi i Sklopovi Sadržaj predavanja: 1. Teoretski zadaci sa diodama 2. Analiza linije tereta 3. Elektronički sklopovi sa diodama 4. I i ILI vrata 5. Poluvalni ispravljač Teoretski zadaci
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. Mreže sa kombiniranim DC i AC izvorima 2. Sklopovi sa Zenner diodama 3. Zennerov regulator
Sadržaj predavanja: 1. Mreže sa kombiniranim DC i AC izvorima 2. Sklopovi sa Zenner diodama 3. Zennerov regulator Dosadašnja analiza je bila koncentrirana na DC analizu, tj. smatralo se da su elementi
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. Punovalni ispravljač 2. Rezni sklopovi 3. Pritezni sklopovi
Sadržaj predavanja: 1. Punovalni ispravljač 2. Rezni sklopovi 3. Pritezni sklopovi Najčešći sklop punovalnog ispravljača se može realizirati pomoću 4 diode i otpornika: Na slici je ulazni signal sinusodialanog
Διαβάστε περισσότεραFAKULTET PROMETNIH ZNANOSTI
SVEČILIŠTE ZAGEB FAKLTET POMETNIH ZNANOSTI predme: Nasavnik: Prof. dr. sc. Zvonko Kavran zvonko.kavran@fpz.hr * Auorizirana predavanja 2016. 1 jecaj nelinearnih karakerisika komponenaa na rad elekroničkih
Διαβάστε περισσότεραUNIVERZITET U NIŠU ELEKTRONSKI FAKULTET SIGNALI I SISTEMI. Zbirka zadataka
UNIVERZITET U NIŠU ELEKTRONSKI FAKULTET Goran Stančić SIGNALI I SISTEMI Zbirka zadataka NIŠ, 014. Sadržaj 1 Konvolucija Literatura 11 Indeks pojmova 11 3 4 Sadržaj 1 Konvolucija Zadatak 1. Odrediti konvoluciju
Διαβάστε περισσότεραVJEŽBE 3 BIPOLARNI TRANZISTORI. Slika 1. Postoje npn i pnp bipolarni tranziostori i njihovi simboli su dati na slici 2 i to npn lijevo i pnp desno.
JŽ 3 POLAN TANZSTO ipolarni tranzistor se sastoji od dva pn spoja kod kojih je jedna oblast zajednička za oba i naziva se baza, slika 1 Slika 1 ipolarni tranzistor ima 3 izvoda: emitor (), kolektor (K)
Διαβάστε περισσότεραMjerna pojačala. Na kraju sata student treba biti u stanju: Mjerna pojačala. Ak. god. 2008/2009
Ak. god. 2008/2009 1 Na kraju sata student treba biti u stanju: Opisati svojstva mjernih pojačala Objasniti i opisati svojstva negativne povratne veze Objasniti i opisati svojstva operacijskih pojačala
Διαβάστε περισσότεραOvisnost ustaljenih stanja uzlaznog pretvarača 16V/0,16A o sklopnoj frekvenciji
Ovisnost ustaljenih stanja uzlaznog pretvarača 16V/0,16A o sklopnoj frekvenciji Električna shema temeljnog spoja Električna shema fizički realiziranog uzlaznog pretvarača +E L E p V 2 P 2 3 4 6 2 1 1 10
Διαβάστε περισσότεραSTATIČKE KARAKTERISTIKE DIODA I TRANZISTORA
Katedra za elektroniku Elementi elektronike Laboratorijske vežbe Vežba br. 2 STATIČKE KARAKTERISTIKE DIODA I TRANZISTORA Datum: Vreme: Studenti: 1. grupa 2. grupa Dežurni: Ocena: Elementi elektronike -
Διαβάστε περισσότερα(/(.7521,.$ 7. TRANZISTORI
7. TRANZISTORI Tranzistori su aktivni poluvodički elementi, u pravilu s tri elektrode, a pretežito se upotrebljavaju kao pojačala ili elektroničke sklopke. Njegov naziv dolazi od Transfer Resistor (prijenosni
Διαβάστε περισσότερα9.6 Potpuni matematički model NMOS tranzistora. i G =0 i B =0. odreza (cutoff) Jednačine (9.19) 0 u GS V TN. linearna Jednačine (9.
9.6 Potpuni matematički model NMOS tranzistora Jednačine od (9.18) do (9.1) prikazane su u tabelarno u tabelama T 9.1 i T 9. i predstavljaju kompletan model i-u ponašanja NMOS tranzistora, gdje vrijedi
Διαβάστε περισσότεραPriprema za državnu maturu
Priprema za državnu maturu E L E K T R I Č N A S T R U J A 1. Poprečnim presjekom vodiča za 0,1 s proteče 3,125 10¹⁴ elektrona. Kolika je jakost struje koja teče vodičem? A. 0,5 ma B. 5 ma C. 0,5 A D.
Διαβάστε περισσότεραkonst. Električni otpor
Sveučilište J. J. Strossmayera u sijeku Elektrotehnički fakultet sijek Stručni studij Električni otpor hmov zakon Pri protjecanju struje kroz vodič pojavljuje se otpor. Georg Simon hm je ustanovio ovisnost
Διαβάστε περισσότεραUvod u elektroniku i njena uloga u ljudskoj djelatnosti. Uvod u elektroniku i njena uloga u ljudskoj djelatnosti.
Uvod u elektroniku i njena uloga u ljudskoj djelatnosti 1. Uvod u elektroniku i njena uloga u ljudskoj djelatnosti 10 Elektronički sklopovi i digitalna elektronika elektrotehnika elektronika energetska
Διαβάστε περισσότεραOtpornost R u kolu naizmjenične struje
Otpornost R u kolu naizmjenične struje Pretpostavimo da je otpornik R priključen na prostoperiodični napon: Po Omovom zakonu pad napona na otporniku je: ( ) = ( ω ) u t sin m t R ( ) = ( ) u t R i t Struja
Διαβάστε περισσότεραANALOGNI ELEKTRONIČKI SKLOPOVI
ANALOGNI ELEKTRONIČKI SKLOPOVI 1. Sklopovi s diodama Poluvodičke su diode elektroničke komponente s dvjema elektrodama. Izvedba i svojstva dioda razlikuju se ovisno o njihovoj namjeni. U ovom poglavlju
Διαβάστε περισσότερα3.1 Granična vrednost funkcije u tački
3 Granična vrednost i neprekidnost funkcija 2 3 Granična vrednost i neprekidnost funkcija 3. Granična vrednost funkcije u tački Neka je funkcija f(x) definisana u tačkama x za koje je 0 < x x 0 < r, ili
Διαβάστε περισσότερα(/(.7521,.$ 6. PN SPOJ
6. PN SPOJ Kao što je već prije pokazano poluvodiči bilo čisti bilo dopirani, imaju istu vodljivost u oba smjera priključenog napona. koliko se određenim tehnološkim procesom dobije kombinacija poluvodiča
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi
Elektronički Elementi i Sklopovi Sadržaj predavanja: 1. LED diode 2. Sažetak predavanja o diodama 3. Teoretski zadaci sa diodama 4. Elektronički sklopovi sa diodama LED Diode LED dioda je poluvodički element
Διαβάστε περισσότεραElektrodinamika ( ) ELEKTRODINAMIKA Q t l R = ρ R R R R = W = U I t P = U I
Elektrodinamika ELEKTRODINAMIKA Jakost električnog struje I definiramo kao količinu naboja Q koja u vremenu t prođe kroz presjek vodiča: Q I = t Gustoća struje J je omjer jakosti struje I i površine presjeka
Διαβάστε περισσότεραVEŽBA 4 DIODA. 1. Obrazovanje PN spoja
VEŽBA 4 DIODA 1. Obrazovanje PN spoja Poluprovodnik može da bude tako obrađen da mu jedan deo bude P-tipa, o drugi N-tipa. Ovako se dobije PN spoj. U oblasti P-tipa šupljine čine pokretni oblik elektriciteta.
Διαβάστε περισσότεραOSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 1 OSNOVNA KOLA SA DIODAMA
ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET U BEOGRADU KATEDRA ZA ELEKTRONIKU OSNOVI ELEKTRONIKE SVI ODSECI OSIM ODSEKA ZA ELEKTRONIKU LABORATORIJSKE VEŽBE VEŽBA BROJ 1 OSNOVNA KOLA SA DIODAMA Autori: Goran Savić i Milan
Διαβάστε περισσότεραSEKUNDARNE VEZE međumolekulske veze
PRIMARNE VEZE hemijske veze među atomima SEKUNDARNE VEZE međumolekulske veze - Slabije od primarnih - Elektrostatičkog karaktera - Imaju veliki uticaj na svojstva supstanci: - agregatno stanje - temperatura
Διαβάστε περισσότερα8. OSNOVE ELEKTRONIKE
ELEKTROTEHNIKA 8. OSNOVE ELEKTRONIKE Izv.prof. dr.sc. Vitomir Komen, dipl.ing.el. 1/148 SADRŽAJ: 7.1 Uvod i osnovni pojmovi 7.2 Elektronički elementi 7.3 Elektronički sklopovi 7.4 Elektronički sustavi
Διαβάστε περισσότερα9.11.Spojni tranzistor sa efektom polja (JFET)
9.11.Spojni tranzistor sa efektom polja (JFET) Drugi tip tranzistora sa efektom polja se formira bez upotrebe izolatora u vidu SiO, samo koristeći pn spojeve, kako je pokazano na slici 9.14 a). Ovaj uređaj,
Διαβάστε περισσότεραRAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE (IV semestar modul EKM) IV deo. Miloš Marjanović
Univerzitet u Nišu Elektronski fakultet RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA (IV semestar modul EKM) IV deo Miloš Marjanović MOSFET TRANZISTORI ZADATAK 35. NMOS tranzistor ima napon praga V T =2V i kroz njega protiče
Διαβάστε περισσότερα- pravac n je zadan s točkom T(2,0) i koeficijentom smjera k=2. (30 bodova)
MEHANIKA 1 1. KOLOKVIJ 04/2008. grupa I 1. Zadane su dvije sile F i. Sila F = 4i + 6j [ N]. Sila je zadana s veličinom = i leži na pravcu koji s koordinatnom osi x zatvara kut od 30 (sve komponente sile
Διαβάστε περισσότερα9.1. Karakteristike MOS kondenzatora
VIII PREDAVANJE 9. TRANZISTORI SA EFEKTOM POJA (FET) Ovdje će biti razmotrene karakteristike tranzistora sa efektom polja ( field-efect transistor s- FET). Postoje dva osnovna tipa tranzistora sa efektom
Διαβάστε περισσότερα1. As (Amper sekunda) upotrebljava se kao mjerna jedinica za. A) jakost električne struje B) influenciju C) elektromotornu silu D) kapacitet E) naboj
ELEKTROTEHNIKA TZ Prezime i ime GRUPA Matični br. Napomena: U tablicu upisivati slovo pod kojim smatrate da je točan odgovor. Upisivati isključivo velika štampana slova. Točan odgovor donosi jedan bod.
Διαβάστε περισσότεραOSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 2 DIODA I TRANZISTOR
ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET U BEOGRADU KATEDRA ZA ELEKTRONIKU OSNOVI ELEKTRONIKE ODSEK ZA SOFTVERSKO INŽENJERSTVO LABORATORIJSKE VEŽBE VEŽBA BROJ 2 DIODA I TRANZISTOR 1. 2. IME I PREZIME BR. INDEKSA GRUPA
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi
Elektronički Elementi i Sklopovi Sadržaj predavanja: 1. Prosječni otpor diode 2. Ekvivalentni krugovi diode 3. Kapacitet diode: - difuzijski kapacitet diode - kapacitet osiromašenog sloja diode 4. Reverzno
Διαβάστε περισσότεραOsnove mikroelektronike
Osnove mikroelektronike Z. Prijić T. Pešić Elektronski fakultet Niš Katedra za mikroelektroniku Predavanja 2006. Sadržaj Bipolarni tranzistor 1 Bipolarni tranzistor 2 Ebers-Molov model Strujno-naponske
Διαβάστε περισσότεραVeleučilište u Rijeci Stručni studij sigurnosti na radu Akad. god. 2011/2012. Matematika. Monotonost i ekstremi. Katica Jurasić. Rijeka, 2011.
Veleučilište u Rijeci Stručni studij sigurnosti na radu Akad. god. 2011/2012. Matematika Monotonost i ekstremi Katica Jurasić Rijeka, 2011. Ishodi učenja - predavanja Na kraju ovog predavanja moći ćete:,
Διαβάστε περισσότεραPRIMJER 3. MATLAB filtdemo
PRIMJER 3. MATLAB filtdemo Prijenosna funkcija (IIR) Hz () =, 6 +, 3 z +, 78 z +, 3 z +, 53 z +, 3 z +, 78 z +, 3 z +, 6 z, 95 z +, 74 z +, z +, 9 z +, 4 z +, 5 z +, 3 z +, 4 z 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7 8
Διαβάστε περισσότεραSlika Prekidački režim rada diode: a) električno kolo, b) uspostavljanje i opadanje ulaznog signala, c) vremenski dijagrami d) konkretno kolo
IV PREDAVANJE 7.4.3 Rad diode u prekidačkom režimu Rad diode u prekidačkom režimu podrazumijeva da pobudni signal trenutno promijeni polaritet, čime se dioda trenutno prevodi iz provodnog u neprovodni
Διαβάστε περισσότεραOsnove elektrotehnike I popravni parcijalni ispit VARIJANTA A
Osnove elektrotehnike I popravni parcijalni ispit 1..014. VARIJANTA A Prezime i ime: Broj indeksa: Profesorov prvi postulat: Što se ne može pročitati, ne može se ni ocijeniti. A C 1.1. Tri naelektrisanja
Διαβάστε περισσότεραEliminacijski zadatak iz Matematike 1 za kemičare
Za mnoge reakcije vrijedi Arrheniusova jednadžba, koja opisuje vezu koeficijenta brzine reakcije i temperature: K = Ae Ea/(RT ). - T termodinamička temperatura (u K), - R = 8, 3145 J K 1 mol 1 opća plinska
Διαβάστε περισσότεραM086 LA 1 M106 GRP. Tema: Baza vektorskog prostora. Koordinatni sustav. Norma. CSB nejednakost
M086 LA 1 M106 GRP Tema: CSB nejednakost. 19. 10. 2017. predavač: Rudolf Scitovski, Darija Marković asistent: Darija Brajković, Katarina Vincetić P 1 www.fizika.unios.hr/grpua/ 1 Baza vektorskog prostora.
Διαβάστε περισσότεραTranzistori u digitalnoj logici
Tranzistori u digitalnoj logici Za studente koji žele znati malo detaljnije koja je funkcija tranzistora u digitalnim sklopovima, u nastavku je opisan pojednostavljen način rada tranzistora. Pri tome je
Διαβάστε περισσότεραFTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA
: MAKSIMALNA BRZINA Maksimalna brzina kretanja F O (N) F OI i m =i I i m =i II F Oid Princip određivanja v MAX : Drugi Njutnov zakon Dokle god je: F O > ΣF otp vozilo ubrzava Kada postane: F O = ΣF otp
Διαβάστε περισσότερα1. SKLOPOVI S DIODAMA
1. SKLOPOVI S DIODAMA Poluvodičke diode su elektroničke komponente s dvije elektrode, različitih izvedbi, svojstava i namjena. U ovom poglavlju opisane su dioda opće namjene (u stručnoj literaturi susreće
Διαβάστε περισσότεραRAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE (IV semestar modul EKM) II deo. Miloš Marjanović
Univerzitet u Nišu Elektronski fakultet RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA (IV semestar modul EKM) II deo Miloš Marjanović Bipolarni tranzistor kao prekidač BIPOLARNI TRANZISTORI ZADATAK 16. U kolu sa slike bipolarni
Διαβάστε περισσότερα1. ELEKTRONIKA U SUSTAVIMA
1. ELEKTRONIKA U SUSTAVIMA za mjerenje, upravljanje i zaštitu uređaja i postrojenja Počeci razvoja i primjene elektronike povezuju se s razvojem radiotehnike. Postupno elektronika ima sve veću primjenu
Διαβάστε περισσότερα2 tg x ctg x 1 = =, cos 2x Zbog četvrtog kvadranta rješenje je: 2 ctg x
Zadatak (Darjan, medicinska škola) Izračunaj vrijednosti trigonometrijskih funkcija broja ako je 6 sin =,,. 6 Rješenje Ponovimo trigonometrijske funkcije dvostrukog kuta! Za argument vrijede sljedeće formule:
Διαβάστε περισσότεραRačunarska grafika. Rasterizacija linije
Računarska grafika Osnovni inkrementalni algoritam Drugi naziv u literaturi digitalni diferencijalni analizator (DDA) Pretpostavke (privremena ograničenja koja se mogu otkloniti jednostavnim uopštavanjem
Διαβάστε περισσότεραElektronički Elementi i Sklopovi
Sadržaj predavanja: 1. Uvod u AC analizu sklopova s BJT tranzistorima 2. Energetska bilansa pojačanja BJT tranzistora u AC domeni 3. AC modeliranje sklopova sa BJT tranzistorima 4. r e model tranzistora
Διαβάστε περισσότερα( , 2. kolokvij)
A MATEMATIKA (0..20., 2. kolokvij). Zadana je funkcija y = cos 3 () 2e 2. (a) Odredite dy. (b) Koliki je nagib grafa te funkcije za = 0. (a) zadanu implicitno s 3 + 2 y = sin y, (b) zadanu parametarski
Διαβάστε περισσότεραINTEGRALNI RAČUN. Teorije, metodike i povijest infinitezimalnih računa. Lucija Mijić 17. veljače 2011.
INTEGRALNI RAČUN Teorije, metodike i povijest infinitezimalnih računa Lucija Mijić lucija@ktf-split.hr 17. veljače 2011. Pogledajmo Predstavimo gornju sumu sa Dodamo još jedan Dobivamo pravokutnik sa Odnosno
Διαβάστε περισσότεραAlarmni sustavi 07/08 predavanja 12. i 13. Detekcija metala, izvori napajanja u sustavima TZ
Alarmni sustavi 07/08 predavanja 12. i 13. Detekcija metala, izvori napajanja u sustavima TZ pred.mr.sc Ivica Kuric Detekcija metala instrument koji detektira promjene u magnetskom polju generirane prisutnošću
Διαβάστε περισσότερα18. listopada listopada / 13
18. listopada 2016. 18. listopada 2016. 1 / 13 Neprekidne funkcije Važnu klasu funkcija tvore neprekidne funkcije. To su funkcije f kod kojih mala promjena u nezavisnoj varijabli x uzrokuje malu promjenu
Διαβάστε περισσότεραPARNA POSTROJENJA ZA KOMBINIRANU PROIZVODNJU ELEKTRIČNE I TOPLINSKE ENERGIJE (ENERGANE)
(Enegane) List: PARNA POSTROJENJA ZA KOMBINIRANU PROIZVODNJU ELEKTRIČNE I TOPLINSKE ENERGIJE (ENERGANE) Na mjestima gdje se istovremeno troši električna i toplinska energija, ekonomičan način opskrbe energijom
Διαβάστε περισσότεραSnage u kolima naizmjenične struje
Snage u kolima naizmjenične struje U naizmjeničnim kolima struje i naponi su vremenski promjenljive veličine pa će i snaga koja se isporučuje potrošaču biti vremenski promjenljiva Ta snaga naziva se trenutna
Διαβάστε περισσότεραMetode rješavanja električnih strujnih krugova
Sveučilište J. J. Strossmayera u sijeku lektrotehnički fakultet sijek Stručni studij snove elektrotehnike Metode rješavanja električnih strujnih krugova snovni pojmovi rana električne mreže (g) dio mreže
Διαβάστε περισσότερα='5$9.2 STRUJNI IZVOR
. STJN KGOV MŽ.. Strujni krug... zvori Skup elektrotehničkih elemenata koji su preko električnih vodiča međusobno spojeni naziva se električna mreža ili elektrotehnički sklop. električnoj mreži, kada su
Διαβάστε περισσότεραL E M I L I C E LEMILICA WELLER WHS40. LEMILICA WELLER SP25 220V 25W Karakteristike: 220V, 25W, VRH 4,5 mm Tip: LEMILICA WELLER. Tip: LEMILICA WELLER
L E M I L I C E LEMILICA WELLER SP25 220V 25W Karakteristike: 220V, 25W, VRH 4,5 mm LEMILICA WELLER SP40 220V 40W Karakteristike: 220V, 40W, VRH 6,3 mm LEMILICA WELLER SP80 220V 80W Karakteristike: 220V,
Διαβάστε περισσότεραINTELIGENTNO UPRAVLJANJE
INTELIGENTNO UPRAVLJANJE Fuzzy sistemi zaključivanja Vanr.prof. Dr. Lejla Banjanović-Mehmedović Mehmedović 1 Osnovni elementi fuzzy sistema zaključivanja Fazifikacija Baza znanja Baze podataka Baze pravila
Διαβάστε περισσότεραKlizni otpornik. Ampermetar. Slika 2.1 Jednostavni strujni krug
1. LMNT STOSMJNOG STJNOG KGA Jednostavan strujni krug (Slika 1.1) sastoji se od sljedećih elemenata: 1 Trošilo Aktivni elementi naponski i strujni izvori Pasivni elementi trošilo (u istosmjernom strujnom
Διαβάστε περισσότεραLinearna algebra 2 prvi kolokvij,
1 2 3 4 5 Σ jmbag smjer studija Linearna algebra 2 prvi kolokvij, 7. 11. 2012. 1. (10 bodova) Neka je dano preslikavanje s : R 2 R 2 R, s (x, y) = (Ax y), pri čemu je A: R 2 R 2 linearan operator oblika
Διαβάστε περισσότεραUVOD U VJEŽBE IZ PODRUČJA ELEKTRIČNIH STRUJNIH KRUGOVA
1 Mr. sc. Draga Kpan-Lisica, viši pred. UVOD U VJEŽBE IZ PODRUČJA ELEKTRIČNIH STRUJNIH KRUGOVA Pojmovi i definicije: Električna struja, električni potencijal i električni napon; Električni strujni krug;
Διαβάστε περισσότεραDISKRETNA MATEMATIKA - PREDAVANJE 7 - Jovanka Pantović
DISKRETNA MATEMATIKA - PREDAVANJE 7 - Jovanka Pantović Novi Sad April 17, 2018 1 / 22 Teorija grafova April 17, 2018 2 / 22 Definicija Graf je ure dena trojka G = (V, G, ψ), gde je (i) V konačan skup čvorova,
Διαβάστε περισσότεραFTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA
: MAKSIMALNA BRZINA Maksimalna brzina kretanja F O (N) F OI i m =i I i m =i II F Oid Princip određivanja v MAX : Drugi Njutnov zakon Dokle god je: F O > ΣF otp vozilo ubrzava Kada postane: F O = ΣF otp
Διαβάστε περισσότεραI.13. Koliki je napon između neke tačke A čiji je potencijal 5 V i referentne tačke u odnosu na koju se taj potencijal računa?
TET I.1. Šta je Kulonova sila? elektrostatička sila magnetna sila c) gravitaciona sila I.. Šta je elektrostatička sila? sila kojom međusobno eluju naelektrisanja u mirovanju sila kojom eluju naelektrisanja
Διαβάστε περισσότεραKapacitivno spregnuti ispravljači
Kapacitivno spregnuti ispravljači Predrag Pejović 4. februar 22 Jednostrani ispravljač Na slici je prikazan jednostrani ispravljač sa kapacitivnom spregom i prostim kapacitivnim filtrom. U analizi ćemo
Διαβάστε περισσότεραRAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA OSNOVI ELEKTRONIKE
ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ KATEDRA ZA ELEKTRONIKU predmet: OSNOVI ELEKTRONIKE studijske grupe: EMT, EKM Godina 2014/2015 RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA OSNOVI ELEKTRONIKE 1 1. ZADATAK Na slici je prikazano električno
Διαβάστε περισσότεραnumeričkih deskriptivnih mera.
DESKRIPTIVNA STATISTIKA Numeričku seriju podataka opisujemo pomoću Numeričku seriju podataka opisujemo pomoću numeričkih deskriptivnih mera. Pokazatelji centralne tendencije Aritmetička sredina, Medijana,
Διαβάστε περισσότεραSortiranje prebrajanjem (Counting sort) i Radix Sort
Sortiranje prebrajanjem (Counting sort) i Radix Sort 15. siječnja 2016. Ante Mijoč Uvod Teorem Ako je f(n) broj usporedbi u algoritmu za sortiranje temeljenom na usporedbama (eng. comparison-based sorting
Διαβάστε περισσότεραMemorijski CMOS sklopovi
Memorijski CMOS sklopovi Zadatak 1 U statičkoj RAM ćeliji na slici 1 dimenzije kanala tranzistora T 1 i T 3 su ( W / ) = 3 λ/λ, a tranzistora T, T 4, T 5 i T 6 su ( W / ) = 4 λ/λ pri čemu je λ = 0,1 μm.
Διαβάστε περισσότεραRIJEŠENI ZADACI I TEORIJA IZ
RIJEŠENI ZADACI I TEORIJA IZ LOGARITAMSKA FUNKCIJA SVOJSTVA LOGARITAMSKE FUNKCIJE OSNOVE TRIGONOMETRIJE PRAVOKUTNOG TROKUTA - DEFINICIJA TRIGONOMETRIJSKIH FUNKCIJA - VRIJEDNOSTI TRIGONOMETRIJSKIH FUNKCIJA
Διαβάστε περισσότεραElektrodinamika
Elektrodinamika.. Gibanje električnog naboja u električnom polju.2. Električna struja.3. Električni otpor.4. Magnetska sila.5. Magnetsko polje električne struje.6. Magnetski tok.7. Elektromagnetska indukcija
Διαβάστε περισσότεραBipolarni tranzistor
i princip Univerzitet u Nišu, Elektronski fakultet Katedra za mikroelektroniku Zoran Prijić predavanja 2014. Sadržaj i princip i princip Definicija i princip (bipolar junction transistor BJT) je poluprovodnička
Διαβάστε περισσότεραRačunarska grafika. Rasterizacija linije
Računarska grafika Osnovni inkrementalni algoritam Drugi naziv u literaturi digitalni diferencijalni analizator (DDA) Pretpostavke (privremena ograničenja koja se mogu otkloniti jednostavnim uopštavanjem
Διαβάστε περισσότεραsvojstva silicijuma Predavanja 2016.
Poluprovodnici Poluprovodnička svojstva silicijuma Z. Prijić, D. Mančić Univerzitet u Nišu Elektronski fakultet u Nišu Predavanja 2016. Poluprovodnička svojstva silicijuma Kristalna struktura silicijuma
Διαβάστε περισσότεραZadatak 161 (Igor, gimnazija) Koliki je promjer manganinske žice duge 31.4 m, kroz koju teče struja 0.8 A, ako je napon
Zadatak 6 (gor, gimnazija) Koliki je promjer manganinske žice duge. m, kroz koju teče struja 0.8, ako je napon između krajeva 80 V? (električna otpornost manganina ρ = 0. 0-6 Ω m) ješenje 6 l =. m, = 0.8,
Διαβάστε περισσότεραELEKTRODINAMIKA ELEMENTI STRUJNOG KRUGA IZVOR ELEKTRIČNE ENERGIJE
ELEKTRODINAMIKA ELEKTRIČNA STRUJA I PRIPADNE POJAVE ELEMENTI STRUJNOG KRUGA Strujni krug je sastavljen od: izvora u kojemu se neki oblik energije pretvara u električnu energiju, spojnih vodiča i trošila
Διαβάστε περισσότεραPRAKTIKUM ZA LABORATORIJSKE VJEŽBE IZ ELEKTRONIKE
TEHNIČKI ŠKOLSKI CENTAR ZVORNIK PRAKTIKUM ZA LABORATORIJSKE VJEŽBE IZ ELEKTRONIKE II RAZRED Zanimanje: Tehničar računarstva MODUL 3 (1 čas nedeljno, 36 sedmica) PREDMETNI PROFESOR: Biljana Vidaković 0
Διαβάστε περισσότεραELEKTROTEHNIKA. Profesor: Miroslav Lutovac Singidunum University, Predavanje: 9
ELEKTROTEHNIKA Profesor: Miroslav Lutovac Singidunum University, e-mail: mlutovac@singidunum.ac.rs Predavanje: 9 MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Kontrolna elektroda (gejt) je izolovana
Διαβάστε περισσότεραOSNOVI ELEKTRONIKE. Vežbe (2 časa nedeljno): mr Goran Savić
OSNOVI ELEKTRONIKE Vežbe (2 časa nedeljno): mr Goran Savić savic@el.etf.rs http://tnt.etf.rs/~si1oe Termin za konsultacije: četvrtak u 12h, kabinet 102 Referentni smerovi i polariteti 1. Odrediti vrednosti
Διαβάστε περισσότεραISTOSMJERNE STRUJE 3 ANALIZA LINEARNIH ELEKTRIČNIH MREŽA
STOSMJN STUJ ANALZA LNANH LKTČNH MŽA Saržaj preavanja. Uvo. zravna primjena Kirchhoffovih zakona. Metoa napona čvorova. Metoa konturnih struja 5. Metoa superpozicije. Theveninov teorem. Nortonov teorem
Διαβάστε περισσότεραKONVEKSNI SKUPOVI. Definicije: potprostor, afin skup, konveksan skup, konveksan konus. 1/5. Back FullScr
KONVEKSNI SKUPOVI Definicije: potprostor, afin skup, konveksan skup, konveksan konus. 1/5 KONVEKSNI SKUPOVI Definicije: potprostor, afin skup, konveksan skup, konveksan konus. 1/5 1. Neka su x, y R n,
Διαβάστε περισσότεραHEMIJSKA VEZA TEORIJA VALENTNE VEZE
TEORIJA VALENTNE VEZE Kovalentna veza nastaje preklapanjem atomskih orbitala valentnih elektrona, pri čemu je region preklapanja između dva jezgra okupiran parom elektrona. - Nastalu kovalentnu vezu opisuje
Διαβάστε περισσότεραTRIGONOMETRIJSKE FUNKCIJE I I.1.
TRIGONOMETRIJSKE FUNKCIJE I I Odredi na brojevnoj trigonometrijskoj kružnici točku Et, za koju je sin t =,cost < 0 Za koje realne brojeve a postoji realan broj takav da je sin = a? Izračunaj: sin π tg
Διαβάστε περισσότεραPismeni ispit iz matematike Riješiti sistem jednačina i diskutovati rješenja sistema u zavisnosti od parametra: ( ) + 1.
Pismeni ispit iz matematike 0 008 GRUPA A Riješiti sistem jednačina i diskutovati rješenja sistema u zavisnosti od parametra: λ + z = Ispitati funkciju i nacrtati njen grafik: + ( λ ) + z = e Izračunati
Διαβάστε περισσότεραObrada signala
Obrada signala 1 18.1.17. Greška kvantizacije Pretpostavka je da greška kvantizacije ima uniformnu raspodelu 7 6 5 4 -X m p x 1,, za x druge vrednosti x 3 x X m 1 X m = 3 x Greška kvantizacije x x x p
Διαβάστε περισσότεραradni nerecenzirani materijal za predavanja R(f) = {f(x) x D}
Matematika 1 Funkcije radni nerecenzirani materijal za predavanja Definicija 1. Neka su D i K bilo koja dva neprazna skupa. Postupak f koji svakom elementu x D pridružuje točno jedan element y K zovemo funkcija
Διαβάστε περισσότεραOsnovni primer. (Z, +,,, 0, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: množenje je distributivno prema sabiranju
RAČUN OSTATAKA 1 1 Prsten celih brojeva Z := N + {} N + = {, 3, 2, 1,, 1, 2, 3,...} Osnovni primer. (Z, +,,,, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: sabiranje (S1) asocijativnost x + (y + z) = (x + y)
Διαβάστε περισσότεραOM2 V3 Ime i prezime: Index br: I SAVIJANJE SILAMA TANKOZIDNIH ŠTAPOVA
OM V me i preime: nde br: 1.0.01. 0.0.01. SAVJANJE SLAMA TANKOZDNH ŠTAPOVA A. TANKOZDN ŠTAPOV PROZVOLJNOG OTVORENOG POPREČNOG PRESEKA Preposavka: Smičući napon je konsanan po debljini ida (duž pravca upravnog
Διαβάστε περισσότερα