Aneta Prijić Poluprovodničke komponente

Σχετικά έγγραφα
RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE (IV semestar modul EKM) IV deo. Miloš Marjanović

Osnove mikroelektronike

STATIČKE KARAKTERISTIKE DIODA I TRANZISTORA

nvt 1) ukoliko su poznate struje dioda. Struja diode D 1 je I 1 = I I 2 = 8mA. Sada je = 1,2mA.

RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE (IV semestar modul EKM) II deo. Miloš Marjanović

UNIVERZITET U NIŠU ELEKTRONSKI FAKULTET SIGNALI I SISTEMI. Zbirka zadataka

ELEKTROTEHNIKA. Profesor: Miroslav Lutovac Singidunum University, Predavanje: 9

Osnove mikroelektronike

Ispitivanje toka i skiciranje grafika funkcija

RAČUNSKE VEŽBE IZ PREDMETA OSNOVI ELEKTRONIKE

FAKULTET PROMETNIH ZNANOSTI

3.1 Granična vrednost funkcije u tački

Otpornost R u kolu naizmjenične struje

Unipolarni tranzistori - MOSFET

OSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 1 OSNOVNA KOLA SA DIODAMA

BIPOLARNI TRANZISTOR Auditorne vježbe

Bipolarni tranzistor

Poluprovodničke komponente -prateći materijal za računske i laboratorijske vežbe-

9.6 Potpuni matematički model NMOS tranzistora. i G =0 i B =0. odreza (cutoff) Jednačine (9.19) 0 u GS V TN. linearna Jednačine (9.

VJEŽBE 3 BIPOLARNI TRANZISTORI. Slika 1. Postoje npn i pnp bipolarni tranziostori i njihovi simboli su dati na slici 2 i to npn lijevo i pnp desno.

Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. FET tranzistori 2. MOSFET tranzistori

Pismeni ispit iz matematike GRUPA A 1. Napisati u trigonometrijskom i eksponencijalnom obliku kompleksni broj, zatim naći 4 z.

Elementi spektralne teorije matrica

OSNOVI ELEKTRONIKE. Vežbe (2 časa nedeljno): mr Goran Savić

Konstruisanje. Dobro došli na... SREDNJA MAŠINSKA ŠKOLA NOVI SAD DEPARTMAN ZA PROJEKTOVANJE I KONSTRUISANJE

Sveučilište u Zagrebu. Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave. Elektronika 1R

9.11.Spojni tranzistor sa efektom polja (JFET)

METODOLOGIJA PROJEKTOVANJA ANALOGNIH CMOS INTEGRISANIH KOLA

Pismeni ispit iz matematike Riješiti sistem jednačina i diskutovati rješenja sistema u zavisnosti od parametra: ( ) + 1.

Računarska grafika. Rasterizacija linije

( ) π. I slučaj-štap sa zglobovima na krajevima F. Opšte rešenje diferencijalne jednačine (1): min

OSNOVI ELEKTRONIKE VEŽBA BROJ 2 DIODA I TRANZISTOR

, Zagreb. Prvi kolokvij iz Analognih sklopova i Elektroničkih sklopova

PRAVA. Prava je u prostoru određena jednom svojom tačkom i vektorom paralelnim sa tom pravom ( vektor paralelnosti).

VEŽBA 4 DIODA. 1. Obrazovanje PN spoja

Sveučilište u Zagrebu. Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave. Elektronika 1

Zadatak 1. U kojim od spojeva ispod je iznos pada napona na otporniku R=100 Ω približno 0V?

9.1. Karakteristike MOS kondenzatora

1.5 TRANZISTOR SA EFEKTOM POLJA SA IZOLOVANIM GEJTOM - IGFET

Kaskadna kompenzacija SAU

Dr Željko Aleksić, predavanja MS1AIK, februar D. Stefanović and M. Kayal, Structured Analog CMOS Design, Springer 2008.

Apsolutno neprekidne raspodele Raspodele apsolutno neprekidnih sluqajnih promenljivih nazivaju se apsolutno neprekidnim raspodelama.

MATRICE I DETERMINANTE - formule i zadaci - (Matrice i determinante) 1 / 15

FTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA

Osnovni primer. (Z, +,,, 0, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: množenje je distributivno prema sabiranju

OM2 V3 Ime i prezime: Index br: I SAVIJANJE SILAMA TANKOZIDNIH ŠTAPOVA

Elektronički Elementi i Sklopovi. Sadržaj predavanja: 1. MOSFET tranzistor obogaćenog tipa 2. CMOS 3. MESFET tranzistor 4. DC analiza FET tranzistora

IZVODI ZADACI (I deo)

Računarska grafika. Rasterizacija linije

Zavrxni ispit iz Matematiqke analize 1

IZRAČUNAVANJE POKAZATELJA NAČINA RADA NAČINA RADA (ISKORIŠĆENOSTI KAPACITETA, STEPENA OTVORENOSTI RADNIH MESTA I NIVOA ORGANIZOVANOSTI)

Obrada signala

numeričkih deskriptivnih mera.

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

DISKRETNA MATEMATIKA - PREDAVANJE 7 - Jovanka Pantović

Teorijske osnove informatike 1

2.2 Pojačavač snage. Autori: prof. dr Predrag Petković, dr Srđan Đorđević,

I.13. Koliki je napon između neke tačke A čiji je potencijal 5 V i referentne tačke u odnosu na koju se taj potencijal računa?

Osnovne teoreme diferencijalnog računa

IspitivaƬe funkcija: 1. Oblast definisanosti funkcije (ili domen funkcije) D f

PARCIJALNI IZVODI I DIFERENCIJALI. Sama definicija parcijalnog izvoda i diferencijala je malo teža, mi se njome ovde nećemo baviti a vi ćete je,

Elektronički Elementi i Sklopovi

41. Jednačine koje se svode na kvadratne

POJAČAVAČI VELIKIH SIGNALA (drugi deo)

L E M I L I C E LEMILICA WELLER WHS40. LEMILICA WELLER SP25 220V 25W Karakteristike: 220V, 25W, VRH 4,5 mm Tip: LEMILICA WELLER. Tip: LEMILICA WELLER

TEORIJSKA POSTAVKA LABORATORIJSKIH VEŽBANJA IZ PREDMETA ELEKTRONIKA

1.1 Osnovni pojačavački stepeni

MAGNETNO SPREGNUTA KOLA

Antene. Srednja snaga EM zračenja se dobija na osnovu intenziteta fluksa Pointingovog vektora kroz sferu. Gustina snage EM zračenja:

Betonske konstrukcije 1 - vežbe 3 - Veliki ekscentricitet -Dodatni primeri

Novi Sad god Broj 1 / 06 Veljko Milković Bulevar cara Lazara 56 Novi Sad. Izveštaj o merenju

IMPULSNA ELEKTRONIKA Zbirka rešenih zadataka

Dvanaesti praktikum iz Analize 1

Reverzibilni procesi

5 Ispitivanje funkcija

Izvori jednosmernog napona (nastavak) - Stabilizatori - regulatori napona 2. deo - redni regulatori

4 IMPULSNA ELEKTRONIKA

IZVODI ZADACI ( IV deo) Rešenje: Najpre ćemo logaritmovati ovu jednakost sa ln ( to beše prirodni logaritam za osnovu e) a zatim ćemo

HEMIJSKA VEZA TEORIJA VALENTNE VEZE

OSNOVE ELEKTROTEHNIKE II Vježba 11.

Elementi elektronike septembar 2014 REŠENJA. Za vrednosti ulaznog napona

18. listopada listopada / 13

FTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA

Kontrolni zadatak (Tačka, prava, ravan, diedar, poliedar, ortogonalna projekcija), grupa A

Eliminacijski zadatak iz Matematike 1 za kemičare

INTELIGENTNO UPRAVLJANJE

Zadaci sa prethodnih prijemnih ispita iz matematike na Beogradskom univerzitetu

Prvi kolokvijum. y 4 dy = 0. Drugi kolokvijum. Treći kolokvijum

III VEŽBA: FURIJEOVI REDOVI

Diode. Z. Prijić predavanja Univerzitet u Nišu, Elektronski fakultet Katedra za mikroelektroniku. Elektronske komponente. Diode.

PRAKTIKUM ZA LABORATORIJSKE VEŽBE IZ PREDMETA POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE (IV semestar modul EKM) Aneta Prijić Miloš Marjanović

svojstva silicijuma Predavanja 2016.

Električne struje. Električne struje. Električne struje. Električne struje

Testiranje statistiqkih hipoteza

PRILOG. Tab. 1.a. Dozvoljena trajna opterećenja bakarnih pravougaonih profila u(a) za θ at =35 C i θ=30 C, (θ tdt =65 C)

8 Funkcije više promenljivih

DIMENZIONISANJE PRAVOUGAONIH POPREČNIH PRESEKA NAPREGNUTIH NA PRAVO SLOŽENO SAVIJANJE

5. Karakteristične funkcije

PRIMJER 3. MATLAB filtdemo

1 UPUTSTVO ZA IZRADU GRAFIČKOG RADA IZ MEHANIKE II

Transcript:

Aneta Prijić Poluprovodničke komponente Modul Elektronske komponente i mikrosistemi (IV semestar) Studijski program: Elektrotehnika i računarstvo Broj ESPB: 6

JFET (Junction Field Effect Transistor) - tranzistori sa p-n spojem (Q) Rad zasnivaju na osobinama inverzno polarisanog p-n spoja Naponski kontrolisane komponente U provođenju struje učestvuje jedna vrsta nosilaca unipolarne komponente U tehnološkoj realizaciji sadrže 4 oblasti kontaktiranja pri čemu su dve kratkospojene tako da diskretne komponente imaju 3 izvoda

U zavisnosti od realizacije izdvajaju se 2 tipa N-kanalni P-kanalni S sors (source) G gejt (gate) D drejn (drain)

Struktura i princip rada n kanalni p-kanalni I D =I S

N-kanalni JFET U oblast poluprovodnika n tipa koji ima 2 kontakta (sors i drejn) ugrađene su 2 simetrične oblasti p tipa koje su kratkospojene i čine gejt Formirana su 2 p-n spoja - struktura je slična dvema diodama koje imaju zajedničku katodu p-n spojevi su inverzno polarisani (dejstvo V GS ) Usled znatno niže koncentracije primesa u n-tipu u odnosu na p-tip prelazna oblast se širi u n oblast U prelaznoj oblasti nema slobodnih nosilaca - u n oblasti se između njih formira kanal (channel) dužine L i širine W u kome postoje slobodni elektroni

Pod dejstvom napona V DS elektroni se kroz kanal kreću od sorsa ka drejnu čineći struju drejna - I D Promenama vrednosti napona V GS i V DS menja se širina prelazne oblasti, a time i širina kanala što se reflektuje na vrednost struje I D Kroz p-n spojeve prema gejtu teku inverzne struje zasićenja koje su na sobnoj temperaturi zanemarive Struktura i rad p-kanalnog JFET-a su analogni u odnosu na n-kanalni sa invertovanim tipovima poluprovodnika i vrednostima napona polarizacije

Tehnološka realizacija JFET-a n-kanalni u integrisanim kolima

Električne karakteristike Zajednička elektroda sors - ulazno je kolo gejta, a izlazno kolo drejna Strujno-naponske karakteristike Izlazne karakteristike I D =f(v DS ), V GS parametar Prenosne I D =f(v GS ), V DS parametar Transkonduktansa Ulazna otpornost i kapacitivnost Disipacija snage p-n spojevima se uvek mora obezbediti inverzna polarizacija

JFET bez polarizacije gejta Gejt i sors kratkospojeni V GS =0 V DS - promenljiv napon

Za V DS =0, I D =0 - širine prelaznih oblasti su uniformne duž kanala Sa porastom V DS kroz kanal se kreću elektroni od sorsa ka drejnu - uspostavlja se struja I D Tranzistor se ponaša kao otpornik R DS čija je otpornost konstantna i proporcionalna dimenzijama kanala i pokretljivosti i koncentraciji elektrona V DS =R DS I D linearna zavisnost između napona i struje

V DS inverzno polariše p-n spojeve Sa porastom V DS prelazne oblasti se šire i to više u delu kod drejna kanal se sužava a otpornost R DS raste Porast struje drejna nije linearno proporcionalan porastu napona V DS

Pri višim vrednostima V DS prelazne oblasti se toliko prošire da se dodirnu a kanal postaje priklješten (napon pinch-off - V P ) Otpornost R DS postaje jako velika kanal se ponaša kao provodno vlakno Dalji porast napona izaziva ekvivalentan porast otpornosti R DS Struja drejna je konstantna sve do nastupa proboja p-n spojeva pri visokim vrednostima V DS

Izlazna karakteristika za V GS =0 Na karakteristici razlikujemo 3 oblasti: triodna zasićenje proboj Deo triodne oblasti gde je zavisnost između napona i struje linearna - omska oblast Napon prekidanja - V P je granica između triodne i oblasti zasićenja I DSS je struja pri naponu prekidanja maksimalna struja koju tranzistor može da obezbedi (reda nekoliko do 100 ma)

JFET kao izvor konstantne struje V = V I R DS DD D D V I R V DD DSS D P I R V V R DSS D DD P D V DD I DSS V U konfiguraciji bez polarizacije gejta JFET se može koristiti kao izvor konstante struje Tranzistor se polariše da radi u oblasti zasićenja (I D =I DSS ; V DS V P ) pri zadatoj vrednosti V DD uvođenjem otpornika R D P

Primer Za V DD =9V i primerak JFET-a tipa BF244A kome je poznato V P 2V i I DSS = 3,27mA VDD VP 9V 2V RD = IDSS 3,27mA R 2,14kΩ D Usvaja se standardna vrednost 2kΩ Nedostatak JFET-a kao izvora konstantne struje je temperaturna zavisnost struje drejna Diode regulatori struje se realizuju kao JFET-ovi bez polarizacije gejta

JFET sa polarizacijom gejta V GS - promenljiv napon koji obezbeđuje inverznu polarizaciju p-n spojeva V DS - promenljiv napon

Za V DS =0, I D =0 - širine prelaznih oblasti su uniformne duž kanala Porastom V DS uspostavlja se struja I D Sa smanjenjem V GS (porastom inverzne polarizacije p-n spojeva) šire se prelazne oblasti, kanal se sužava, R DS raste Struja I D je za istu vrednost V DS manja nego pri V GS =0

V GS(OFF ) = Dalje smanjenje napona V GS dovodi do spajanja osiromašenih oblasti duž celog kanala i njegovog zatvaranja Tranzistor se isključuje (cut-off) - I D =0 Napon isključenja V GS(OFF) je po apsolutnoj vrednosti jednak naponu prekidanja V P

Izlazne karakteristike I D =f(v DS ), V GS -parametar Eksperimentalne vrednosti za n-kanalni JFET BS245C

Definišu se za napone V GS(OFF) <V GS <0 Struja I D u zasićenju lagano raste sa porastom V DS efekat modulacije dužine kanala Za V DS >V P oblast prekida kanala se od drejna pomera dublje ka sorsu kanal se skraćuje a njegova otpornost opada struja drejna blago raste (može se u prvoj aproksimaciji smatrati konstantnom) Uslov ulaska JFET-a u zasićenje je predstavljen graničnom krivom VDS = VGS(OFF ) VGS = VP VGS

Prenosna karakteristika I D =f(v GS ), V DS = V P - V GS Eksperimentalne vrednosti za n-kanalni JFET BS245C

Prenosna karakteristika se može opisati Šoklijevom jednačinom VGS 2 ID I DSS (1 ) VGS(OFF ) Ova jednačina lepo opisuje ponašanje jednog konkretnog JFET-a sa poznatim I DSS i V GS(OFF) Nije primenljiva za celu familiju tranzistora usled velikog rasipanja parametara Npr. za JFET BF245C u tehničkim specifikacijama stoji -7,5V V GS(OFF) -3,2V nijedan tranzistor neće biti uključen za V GS manje od 7,5V i svaki će biti uključen za V GS manje od -3,2V 12mA I DSS 25mA Šoklijeve krive za granične vrednosti parametara bi se jako razlikovale

Transkonduktansa Odnos promene struje drejna pri promenama napona na gejtu za određenu vrednost napona na drejnu g m I I I D D1 D2 = = S V V V GS GS1 GS2 Zavisi od položaja radne tačke Na osnovu Šoklijevog izraza did 2I V DSS GS VGS g m = = (1 ) = g m0 (1 ) dv V V V GS GS(OFF ) GS(OFF ) GS(OFF ) U tehničkim specifikacijama g m0 = g fs - direktna prenosna konduktansa ili g m0 = y fs - direktna prenosna admitansa

Ulazna otpornost R IN = V I GS GSS I GSS inverzna struja zasićenja p-n spojeva gejta pri definisanoj vrednosti V GS i V DS =0 R IN ima veliku vrednost jer su p-n spojevi inverzno polarisani Za JFET BF245C iz tehničkih specifikacija za V GS = 20V struja gejta je I GSS = 5 na R IN = 4GΩ

Ulazna kapacitivnost Ulazna kapacitivnost JFET-a se može posmatrati kao kapacitivnost inverzno polarisanog p n spoja Definiše se za učestanost od 1MHz i označava sa C is Njena vrednost je nekoliko pf

Disipacija snage Ukupna disipacija snage P tot se definiše za određenu vrednost temperature okoline T A Treba obezbediti ispunjenje uslova VDS ID Ptot V DS(max) - maksimalni dozvoljeni napon između drejna i sorsa I DSS maksimalna struja JFET-a Oblast bezbednog rada (Safe Operating Area-SOA) uz obezbeđeno hlađenje

Polarizacija (biasing) JFET-a Dovođenje JFET-a u željenu oblast rada postavljanje jednosmerne radne tačke Vrednosti napona u kolima unapred definisane polarizacija se obezbeđuje otpornicima Tipovi polarizacije JFET-a Automatska polarizacija (self-biasing) Polarizacija preko naponskog razdelnika Polarizacija za rad u omskoj oblasti

Automatska polarizacija R G ~MΩ - obezbeđuje nultu polarizaciju na gejtu JFET-a V G =0 I = I V V = V (R + R )I Jednačina radne prave na prenosnoj karakteristici 1 ID = VGS R S = D I R S D S V = 0 I R = I R < 0 GS D S D S DS DD D S D Sa porastom I D napon V GS postaje negativniji što uzrokuje smanjenje I D Sa smanjenjem I D napon V GS postaje manje negativan što uzrokuje porast I D JFET automatski polarisan S

Položaj radne tačke se određuje za definisanu vrednost napajanja i željenu vrednost struje Primer - JFET BF245C tipična prenosna karakteristika za V DS =15V Sa prenosne karakteristike se očitava V GS =-2V R S =-V GS /I D =222,22Ω usvaja se standardna vrednost R S =220Ω R D =(V DD -V DS )/I D -R S =113,33Ω usvaja se standardna vrednost R D =110Ω V DS > V GS(OFF ) - V GS JFET u zasićenju V GS(OFF) =-6,5V V DD =18V, R G =10MΩ željena struja I D =9mA P D =I D V DS =0,135W<P tot =0,3W tranzistor u oblasti bezbednog rada

Problem kod automatske polarizacije je rasipanje vrednosti parametara JFET-ova u odnosu na tipične Primer - JFET BF245C - iz tehničkih specifikacija: -7,5V V GS(OFF) -3,2V; 12mA I DSS 25mA Šoklijeve krive za granične vrednosti parametara se jako razlikuju Presek graničnih prenosnih karakteristika i radne prave za R S =220Ω daje radne tačke Q max i Q min Zavisno od primerka tranzistora napon i struja JFET-a se mogu naći u opsegu -2,5V V GS -1,1V 5mA I D 11,5mA Potrebno je izvršiti stabilizaciju radne tačke

Stabilizacija radne tačke kod automatske polarizacije postiže se: Postavljanjem višeobrtnog trimera umesto otpornika R S - zahteva posebnu kalibraciju za svako kolo Postavljanje izvora konstantne struje umesto otpornika R S ili R D kolo se usložnjava Primenom polarizacije preko naponskog razdelnika

Polarizacija preko naponskog razdelnika R 1, R 2 ~MΩ V G = I R S R2 + R 1 2 = D DD S S S D S 2 GS G S DD D S R1 + R2 V DS DD D S D I V = IR = IR R V = V V = V I R V = V (R + R )I Jednačina radne prave na prenosnoj karakteristici V GS =0 I D =V G /R S I D =0 V GS =V G V 1 R 1 I = V = V V G 2 D GS DD GS RS RS R S(R1 + R 2) RS

Položaj radne tačke se određuje u preseku prenosne karakteristike i radne prave za zadatu vrednost napajanja Primer - JFET BF245C tipična prenosna karakteristika Sa prenosne karakteristike se očitava V GS =-2V Za R 1 =R 2 V G =V DD /2=9V R S =(V G -V GS )/I D =1222,22Ω usvaja se standardna vrednost R S =1,2kΩ V DS > V GS(OFF) - V GS -JFET u zasićenju V GS(OFF) =-6,5V V DD =18V, željena struja I D =9mA

Problem rasipanja vrednosti parametara JFET-ova u odnosu na tipične je smanjen Primer - JFET BF245C - iz tehničkih specifikacija: -7,5V V GS(OFF) -3,2V; 12mA I DSS 25mA Šoklijeve krive za granične vrednosti parametara se jako razlikuju Presek graničnih prenosnih karakteristika i radne prave za R S =1,2kΩ daje radne tačke Q max i Q min Zavisno od primerka tranzistora napon i struja JFET-a se mogu naći u opsegu -2,8V V GS -0,7V 8mA I D 10mA bliže traženoj vrednosti nego kod automatske polarizacije

Polarizacija za rad u omskoj oblasti JFET ima ulogu promenljivog otpornika u kolima za slabljenje signala i kontrolu pojačanja Otpornik čini njegova izlazna otpornost V DD fiksna vrednost, R G ~ 1MΩ Napon V CON kontroliše otpornost (V CON =V GS ) Radna prava se postavlja tako da preseca izlazne karakteristike u omskoj oblasti Neophodan uslov I LIN V R DD = D I DSS R DS = V I DS DS

Primer Za V DD =9V i izabrano I DLIN =2,5mA VDD RD = = 3,6kΩ I DLIN Za R D se u praksi postavlja višeobrtni trimer Presečne tačke karakteristika sa radnom pravom Q 1 : V CON =V GS =0V, V DS =0,25V, I D =2,4mA R DS 100Ω Q 2 : V CON =V GS =-1V, V DS =0,35V, I D =2,3mA R DS 152Ω Q 3 : V CON =V GS =-2V, V DS =0,5V, I D =2,2mA R DS 227Ω Q 4 : V CON =V GS =-3V, V DS =0,75V, I D =2mA R DS 375Ω

Model JFET-a za naizmenične signale Koristi se pri analizi JFET-a kao pojačavača malih signala Jednosmerni naponi polarizacije se zanemaruju za naizmenične signale i d =g m v gs g m =f(v GS, V DS )