2. KOMPONENTE BIPOLARNIH MONOLITNIH INTEGRISANIH KOLA

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla 2. KOMPONENTE BIPOLARNIH MONOLITNIH INTEGRISANIH KOLA Mooliti itegrisai skloovi mogu se uošteo odijeliti a biolare i MOS uiolare skloove. U biolarim moolitim itegrisaim skloovima osova komoeta je biolari silicijumski laari trazistor. Trazistor kao osova komoeta određuje komleta tehološki roces roizvodje moolitog skloa. Cijeli je roces tako odeše da se osiguraju što bolje karakteristike osove komoete tj. trazistora. Zato je trazistor ajkvalitetija komoeta koju koju može dati laara tehologija a silicijumu. Sve ostale aktive i asive komoete moraju se roizvesti u moolitom silicijumskom bloku istim ostucima kojima su roizvedei trazistori. Ti ostuci isu rilagođei zahtjevima za otimalim karakteristikama ostalih elemeata, a će jihove karakteristike biti rosječe ili loše. S obzirom da trazistor zauzima maju ovršiu ego asive komoete i da ima bolje električe karakteristike, u moolitoj tehici se teži za takvim skloovima koji obavljaju zahtjevae električe fukcije sa što je moguće majim brojem asivih komoeti. Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ 1

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla 2.1 IZOLACIJA BIPOLARNIH KOMPONENATA POMOĆU INVERZNO POLARISANIH -SPOJEVA Osovi roblem u moolitoj itegraciji biolarih komoeata je osiguravaje jihove međusobe izolacije. Sve komoete moolitog skloa dijelovi su iste silicijumske ločice i svi su dobijei istovremeo rimjeom ostuaka laare tehologije a silicijumu. Najčešći ači izolacije je omoću iverzo olarisaih -sojeva. Nači realizacije takve izolacije rikaza je a sl.2.1 Polazi materijal za izradu moolitog skloa kome je osova komoeta biolari trazistor je silicijumska ločica -tiakoja služi kao odloga ili sustrat cijelog skloa. Oksidacijom se cijela odloga okrije takim slojem S i O 2 (sl.a). Fotolitografskim ostukom arave se u sloju S i O 2 otvori za difuziju odkolektorskog -sloja koji se alazi raktičo isod svake komoete skloa (sl.b). Sljedeći ostuak je difuzija doorskih atoma koji formiraju odkolektorski -slojevi (sl.c). Proces difuzije se obavlja u risustu kiseoika a tokom difuzije raste izad otvora za difuziju taki sloj S i O 2. Na sl.c rikaza je dio ločice sa dva odkolektorska sloja iz čega će, a kraju ostuka, rezultirati struktura sa dva međusobo izoliraa -odručja za dvije međusobo izolirae komoete. S i O 2 se u sljedećem korasku odstrai s ovršie ločice, a zatim se vrši rast - eitaksijalog sloja reko ovršie cijele ločice (sl.d). Nako rasta eitaksijalog -sloja oovo se oksidira ovršia ločice, a zatim se fotolitografskim ostukom formiraju otvori za izolacijsku -difuziju (sl.e). Slijedi izolacijske - difuzija za koju se običo uotrebljava bor (sl.f). Pri izolacijskoj -difuziji i ostalim visokotemeraturim ostucima koji se ako toga koriste, atomi rimjesa moraju stići do -odloge, kao što je rikazao a sl.f. Zato se -difuzija zove izolacijska difuzija. Pomoću je su formirai eitaksijali -otoci tzv. izolacijski otoci, okružei sa svih straa, osim gorje, silicijumom - tia. SiO2 a) b) odkolektorski sloj eitaksijali -sloj c) d) eitaksijali -sloj -otok -otok e) sl.2.1 Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ f) 2

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla izolacijski -otok izolacijski -sojevi izolacijski -otok Ako se skloa riključi a otecijal iži od otecijala bilo kojeg izolacijskog -otoka, -otoci će biti izolirai međusobo i od odloge iverzo olarisaim -sojevima. Kvalitet izolacije zavisit će od struje iverzo olarisaih -sojeva i o arazitom barijerom kaacitetu između izolacijskih -otoka i odloge. Kaacitiva srega izolacijskih -otoka i odloge ograičava frekveti dome moolitih itegrisaih skloova i redstavlja jeda od glavih edostataka ove vrste izolacije komoeata skloa, međusobo i od odloge. sl.2.1g 2.2 MONOLITNI NPN TRANZISTOR sl.2.2. Nači dobijaja moolitog NPN trazistora uz izolaciju iverzo olarisaim -sojevima rikaza je a a) b) c) d) e) f) sl.2.2 U izolacijski -otok koji služi kao kolektor NPN trazistora difudiraju se odručja baze i emitera. Na sl.2.2a rikaza je izolacijski -otok sa otvorom, za bazu difuziju, u sloju S i O 2. Dimezije otvora određuju laare dimezije baze, a trajaje rocesa difuzije udaljeost soja baza-kolektor od ovršie ločice. Struktura sa difudiraom bazom rikazaa je a sl.2.2b. Nako difuzije baze fotolitografskim ostukom se formiraju otvori u sloju S i O 2 za difuziju emitera i odručja isod metalog kotakta kolektora (sl.2.2c). Poovom rimjeom ostuka difuzije formiraju se odručja isod formiraih otvora. Promjeom fotolitografskog ostuka formiraju se u sloju S i O 2 otvori za kotakte emitera, baze i kolektora, a zatim se u ostuku metalizacije cijela ovršia ločice rekrije takim slojem alumiijuma (sl.2.2e). Fotolitografskim ostukom se odstrai alumiijum sa oih dijelova ovršie ločice gdje ije redviđe. Nako toga metal ostaju samo a metali kotakti i otrebe veze sa ostalim komoetama moilitog skloa (sl.2.2f). Postukom legiraja kotakti alumiijuma sa silicijumom koačo su oblikovai. Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ 3

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla Trazistor a sl.2.2f je -struktura sa tri -soja, za razliku od diskretog trazistora, koji je struktura sa dva -soja. Ovaj trazistor uz željei trazistor ima i jeda eželjei, araziti, trazistor kojem je -odručje baze emiter, -odručje kolektora i odkolektorskog sloja -trazistora baza, a moolitog skloa je kolektor. Izolacija komoeata je ostvarea iverzo olarisaim -sojevima a je odloga sojea a ajegativiji ao skloa. Kao osljedica toga soj baza-kolektor arazitog trazistora je iverzo olarisa. Ako trazistor radi u aktivom odručju, koje je uobičajeo odručje rada trazistora u liearim skloovima, tada će soj kolektor-baza ovog trazistora, koji je ujedo i soj baza-emiter arazitog trazistora, biti iverzo olarisa. To zači da će u ormalim radim uslovima oba -soja arazitog trazistora biti iverzo olarisaa. Kolektorska struja takvog trazistora je vrlo mala, a će mooliti trazistor biti dovoljo dobro izolova od odloge za većiu rimjea. Tiiče geometrijske i električe veličie trazistora su: 1. dubia emiterskog soja : 0,5-3,5 µm; 2. širia baze : 0,3-0,7 µm; 3. dubia kolektorskog soja : 0,8-5 µm; 4. ajmaja širia otvora u sloju S i O 2 za difuziju i kotakte : 2 µm; 5. ukua ovršia koju a ločici zauzima mooliti trazistor : 50 µm x 50 µm do 300 µm x 300 µm; 6. roboji ao emiterskog soja : 6-9 V; 7. roboji ao kolektorskog soja : 25-60 V; 8. barijeri kaacitet kolektorskog soja : 0,4-2 F; 9. faktor strujog ojačaja u soju zajedičkog emitera : 50-250 ; 2.3 MONOLITNI PNP TRANZISTOR U moolitim itegrisaim skloovima često se uz trazistore javlja otreba i za trazistorima. Pri tome trazistore treba roizvesti u istoj odlozi sa trazistorima i bez dodatih teholoških ostuaka. Dodati ostuci ovećavaju cijeu skloa i mogući broj defekata u sklou. Razvojem moolite tehike ojavio se određei broj varijati trazistora, od kojih su ajčešće dvije: 1. laterali trazistor 2. sustrati trazistor 2.3.1. LATERALNI PNP TRANZISTOR Izvedba lateralog trazistora tehološki komatibilog sa moolitim trazistorom, rikazaa je a sl.2.3.1.a. difudirao -odručje emiter kolektor baza otvori za kotakte Kao emiter i kolektor služe odručja dobivea bazom difuzijom istovremeo sa bazama trazistora. Kao baza lateralog trazistora služi izolacijski otok tj. odručje koje je trazistoru kolektor. Radi formiraja eisravljačkog kotakta baze izvršea je emiterska difuzija u odručje izolacijskog otoka. Ova vrsta trazistora se aziva lateralim zato što šuljie koje od emitera utuju kroz bazumogu stići do kolektora samo ako utuju lateralo tj. aralelo s ovršiim ločice. Laterali trazistor a sl.2.3.1a ima dva arazita vertikala trazistora rikazaa a sl.2.3.1b. T 1 je sam željei T1 E C laterali trazistor. T 2 je araziti vertikali trazistor kojem je emiter idetiča dojem dijelu emitera samog T2 T3 sl.2.3.1a lateralog trazistora, baza mu je idetiča dijelu baze isod emitera lateralog B trazistora, a kolektor mu je odloga cijelog skloa. Trazistor T 3 je takođe vertikali araziti trazistor kojem je emiter idetiča dojem dijelu kolektora lateralog trazistora, baza mu je sl.2.3.1b Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ 4

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla idetiča dijelu baze isod kolektora lateralog trazistora, a kolektor mu je odloga cijelog skloa. Kad laterali trazistor radi u ormalom aktivom odručju, tad araziti trazistor T 2 takođe radi u aktivom odručju, a T 3 radi u odručju zakočeja. To zači da T 3 e arušava izolaciju lateralog trazistora od zajedičke odloge skloa, dok trazistor T 2 svojim radom u ormalom aktivom odručju slabi izolaciju lateralog trazistora od odloge i odvođejem dijela struje emitera smajuje izos faktora strujog ojačaja lateralog trazistora. Da bi se smajilo šteto djelovaje trazistora T 2 otrebo je što više smajiti ovršiu emitera u odosu a jegov oseg. Zato je u strukturi a sl.2.3.1a kolektor tako izvede da o sa svih straa okružuje emiter, a se skulja raktičo sva struja šuljia emitera ubačea u bazu u lateralom smijeru. 2.3.2. SUPSTRATNI PNP TRANZISTOR Sustrati trazistor je druga varijata travzistora koja se uotrebljava u moolitim itegrisaim skloovima. Presjek sustratog trazistora dat je a sl.2.3.2. Kao emiter služi odručje dobiveo bazom difuzijom. Kao baza služi (kolektor) sl.2.3.2 izolacijski eitaksijali otok. Zajedička odloga služi (sustrat) kao kolektor, dakle kao aktivi dio trazistora, a se stoga ovakav trazistor i aziva sustrati trazistor. Podloga ovog trazistora je zbog ravilog djelovaja izolirajućih sojeva sojea a ajviši egativi istosmjeri otecijal, a je u diamičkim uslovima rada skloa kolektor uzemlje, što zači da ovaj trazistor radi u soju zajedičkog kolektora. Time je zato ograičeo odručje mogućih uotreba ovog trazistora. Baza sustratog šira je od baze trazistora dobiveog istim rocesom, što dovodi do relativo lošeg faktora strujog ojačaja (običo oko 50 u soju zajedičkog kolektora ) i dosta dugog vremea rolaska šuljia kroz bazu, što rezultira lošim frekvetim osobiama ovog trazistora. Ovaj ti trazistora ema ema otkolektorski sloj jer bi o zato reducirao faktor strujog ojačaja a zbog djelovaja kočečeg olja. 2.4 MONOLITNE PN DIODE U riciu svaki soj u moolitom sklou može oslužiti kao dioda. Međutim u ajvećem broju stadardih izvedbi koristi se sojem emiter-baza ili sojem kolektor-baza trazistora kao diodom za moolite skloove. Stadardi trazistor služi kao dioda u et različitih kofiguracija: 1. dioda emiter-baza s kolektorom sojeim a bazu 2. dioda emiter-baza s rekiutim krugom kolektor-baza 3. dioda kolektor-baza s emiterom sojeim a bazu 4. dioda kolektor-baza s rekiutim krugom emiter-baza 5. dioda emiter-baza aralelo sojea s diodom kolektor-baza Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ 5

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla Svaka od tih diodih kofiguracija ima određee redosti, ali i edostatke. Diode koje se koriste sojem emiterbaza imaju relativo iski izos robojog aoa, tiiči 6-9 V, što je osljedica visoke secifiče vodljivosti emitera. S druge strae diodama koje se koriste sojem kolektor-baza izos robojog aoa je visok, tiičo više od 25 V, što je osljedica umjereo visokog secifičog otora baze. Diode koje se baziraju a soju emiter-baza imaju izak izos serijskog otora, a diode s sojem kolektor-baza relativo visok serijski otor. Iverza struja zasićeja maja je kad se uotrebljava soj emiter-baza ego kada se koristi soj kolektor-baza, zbog maje ovršie emiterskog soja i većih secifičih vodljivosti i strae diode ako se koristi soj emiter-baza. U diamičkim uslovima rada diode sa sojem emiter-baza imaju kraće vrijeme zadržavaja od oih s sojem kolektor-baza. Svojstva diodih kofiguracija rikazaa su u tabeli datoj a sl.2.4. DIODNI SPOJ PROBOJNI NAPON INVERZNA STRUJA ZASIĆENJA SERIJSKI OTPOR VRIJEME ZADRŽAVANJA PARAZITNI PNP TRANZISTOR 6-9 V 40 A izak 6 s e ostoji 6-9 V 40 A izak 90 s ostoji >25 V 100 A visok 70 s ostoji >25 V 100 A visok 130 s ostoji 6-9 V 140 A izak 150 s ostoji sl.2.4 2.5 DIODE I TRANZISTORI SA ŠOTKIJEVOM BARIJEROM Dosad oisae komoete moolitih itegrisaih skloova baziraju se a uotrebi isravljačkog soja. Međutim, svoje mjesto u moolitim itegrisaim skloovima ima i soj metal-olurovodik, koji može biti i isravljački i eisravljački. Kod formiraja metalog kotakta sa silicijumom tia dolazi do ojave eisravljačkog kotakta između alumiijuma i silicijuma. Pri stvaraju metalog kotakta sa silicijumom tia, u određeim slučajevima moguća je ojava isravljačkog kotakta jer ri rocesu legiraja astaje relaz atoma alumiijuma u silicijum. Priroda rocesa legiraja je takva da ri kocetraciji doora a ovršii silicijuma NDO < 510 18 atoma cm 3 dolazi do adkomezacije doorskih atoma u silicijumu alumiijevim akcetorskim atomima koji rodiru u silicijum, čime se formira isravljački soj. Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ 6

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla Prema tome, a mjestu kotakta alumiijuma sa silicijumom tia,kada je ovršiska kocetracija doora u silicijumu maja od 510 18 atoma cm 3, formira se Šotkijeva barijera, a rezultira isravljački soj metal-olurovodik. 1 2 Presjek diode sa Šotkijevom barijerom dat je a sl.2.5.1a, simbol ove diode a sl..5.1b a UI karakteristika diode sa alumiijumom i titaom a sl.2.5.1c. I sl.2.5.1b sl.2.5.1a Alumiij umski kotakt 1 aare je a ovršiu eitaksijalog izolacijskog otoka kojem je ovršiska kocetracija doora zato maja od 5 10 18 cm 3, te s jim formira isravljački soj metalolurovodik. Kotakt 2 ostvare je tako da je rije aaravaja alumiijuma a silicijumu izvršea emiterska difuzija u silicijum isod odručja kotakta. Budući da je ovršiska kocetracija doora a ovršii silicijuma u odručju veća od 510 18 cm 3 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 sl.2.5.2c, alumiijum će u odručju kotakta 2 formirati eisravljački soj metal-olurovodik sa silicijumom. Prema tome Šotkijeva dioda je formiraa između stezaljki 1 i 2, ri čemu je rousi smijer diode od stezaljke 1 rema stezaljci 2. Kada je dioda olarizovaa rouso ( lus a stezaljci 1) elektroi iz olurovodika relaze u metal, a ta dioda, za razliku od diode, radi zbog trasorta većiskih osilaca. Kako ema akumulacijemajiskih osilaca u blizii barijere, Šotkijeva dioda ima zaemarljivo malo vrijeme zadržavaja, tiičo 0,1 s. Naosko-struja karakteristika u rousom smijeru, sl.2.5.2c, određea je eksoecijalim zakoom kao i kod diode, ali su radi aoi kod iste struje 0,2 do 0,3 V maji ego kod dioda. Zato je Šotkijeva dioda o svojim karakteristikama bliža idealom rekidaču od diode. Ako se kao metal u Šotkijevoj diodi umjesto alumiijuma uotrijebi tita, dobija se ovoljija U-I karakteristika omakuta za ribližo 0,2 V ulijevo u odosu a U-I karakteristiku Šotkijeve diode sa alumiijumom. C Šotkijeva dioda sojea između baze i kolektora moolitog trazistora, sl.2.5.2a, srječava relaz trazistora iz aktivog odručja u odručje zasićeja, čime se gotovo elimiiše vrijeme zadržavaja trazistora. B E sl.2.5.2a Tehološka realizacija trazistora i Šotkijeve diode rikazaa je a sl.2.5.2b. Šotkijeva dioda je tu realizovaa tako da je alumiijum kojim je formira bazi kotakt aare dijelom i reko odručja kolektora bez rethode difuzije. Takav trazistor zove se Šotkijev trazistor. U električim šemama o se rikazuje simbolom a sl.2.5.2c. B E C sl.2.5.2b B C E sl.2.5.2c 10-2 10-3 10-4 -5 10 10 10-6 -7-8 Ti Al U Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ 7

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla 2.6 OTPORNICI ZA MONOLITNA INTEGRISANA KOLA Najčešće se u moolitim itegrisaim kolima susreću otorici dobijei bazom difuzijom i azivaju se difudirai otorici. A B Između kotakata A i B alazi se bazo odručje koje služi kao mooliti difudirai otorik. Razmak između kotakata određuje dužiu otorika, a širia mu je određea širiom otvora za bazu difuziju. Da bi struja tekla od kotakta A rema kotaktu B samo kroz odručje, otrebo je da soj između odručja baze i odručja izolacijskog otoka bude iverzo olarizova. To se ostiže sajajem izolacijskog otoka a ajviši ozitivi otecijal skloa. Pri tome je soj iverzo olarizova u svakoj tački. U moolitim itegrisaim kolima običo sl.2.6a su svi otorici realizovai a ovaj ači difudiraju u zajedički izolacijski otokčime se ostiže jihova izolacija i rema odručju i međusobo, jer dva susjeda otorika sa odručjem izolacijskog otoka formiraju trazistor koji radi u zaorom odručju. Bazom difuzijom može se okriti odručje od 50 Ω do 30 kω uz rihvatljivu ovršiu otorika. Toleracije asolutih izosa otora u bazoj difuziji su loše i izose do 20%. Kada su otrebi veći izosi otora od oih koji se dobijaju bazom difuzijom koristimo se sljedećim rješejima: 1. izolacijski otok kao otorik (kolektorski otorik) 2. baza trazistora kao otorik. Kolektorski otorik rikaza je a sl.2.6b. A sl.2.6b B sl.2.6c Za razliku od baze kocetracija rimjesa u kolektoru e zavisi od udaljeosti od ovršie, a je secifiči otor u svakom dijelu kolektorskog otorika isti. Uz rihvatljive dimezije mogu se a ovaj ači realizovati otorici otorosti do ar stotia kω. Otorici još većeg izosa otora mogu se realizovati uz uotrebu baze trazistora kao a sl.2.6c. Na ovaj ači se dobijaju otorici reda veličie 1 MΩ. Kod raktiče izvedbe otorika emitersko odručje rekriva cijelo odručje, tako da je tijelo otorika sa svih straa okružeo materijalom. Iverzom olarizacijom soja između otorika i materijala se osigurava izolacija otorika. To se ostiže sajajem odručja emitera i odručja kolektora a stezaljki A otorika za koju se redostavlja da je a ozitivijem istosmjerom otecijalu od stezaljke B. 2.7 KONDENZATORI ZA MONOLITNA INTEGRISANA KOLA Kodezatori se, zbog malih mogućih izosa kaaciteta, rijetko susreću u moolitim itegrisaim skloovima. Moguća su dva osova ačia formiraja moolitih kodezatora ostucima laare tehologije, a su ozate i dvije jihove osove vrste: - kodezatori koji se koriste kaacitetom iverzo olarisaih sojeva trazistora - MOS kodezatori koji se koriste kaacitetom strukture metal-sio 2 -Si. Kao kodezatori mogu oslužiti iverzo olarisai sojevi emiter-baza, baza-kolektor i kolektor-odloga. Kodezator koji se koristi kaacitetom soja baza-kolektor, rokaza je a sl.2.7a, a riade arazite komoete a sl.2.7b. CBC 1 R 2 1 2 araziti -trazistor CCS sl.2.7a Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ sl.2.7b 8

Mikro-elektroika Sredja elektrotehicka skola Tuzla Za israva rad kodezatora a slici otrebo je da odručje bude a ozitivom istosmjerom otecijalu u odosu a odručje da bi se osigurala iverza olarizacija soja baza-kolektor. Budući da je odloga riključea a ajviši egativi otecijal, osiguraa je izolacija od odloge. Kaacitet C BC je kaacitet iverzo olarisaog soja baza-kolektor, a C CS je kaacitet iverzo olarisaog soja između kolektora i odloge. R je araziti serijski otor odručja kolektora. Kodezator baza-kolektor je aoski zavisa komoeta. S orastom izosa iverzog aoa a soju baza-kolektor širi se otecijala barijera i ada je kaacitet. Uz uobičajee izose i rofile kocetracija u bazi i kolektoru ostižu se kaaciteti C BC od ekoliko desetaka do ekoliko stotia F mm 2. Uz rihvatljiv izos ovršie e mogu se ostvariti kaaciteti veći od 100 F. Kaacitet C CS običo je 3 do 10 uta maji od kaaciteta C BC, što takođe ograičava uotrebu kodezatora baza-kolektor. Otor R kod uobičajeih izosa secifiče vodljivosti eitaksijalog sloja, običo izosi od 10 do 50 Ω. Zavisost kaaciteta od riključeog istosmjerog aoa, mali izos kaaciteta o jediici ovršie i relativo loša izoliraost od odloge u diamičkim uslovima, zato ograičava rimjeu ove komoete u moolitim itegrisaim kolima. Bolje osobie u ogledu izosa kaaciteta i izoliraosti od odloge okazuje kodezator koji se koristi kaacitetom iverzo olarisaog soja između emitera i baze trazistora. Uz uobičajee izose istosmjerog aoa izos kaaciteta je tiičo 1000 F/mm 2. Međutim roboji ao je uo iži ego kod soja baza-kolektor i izosi od 6 do 9 V. U riciu se kao kodezator može uzeti i iverzo olarisa soj između odručja kolektora i odloge. Kaacitet tog kodezatora običo ije veći od 100 F/mm 2, zbog relativo visokog secifičog otora straa i kodezatora. Uotreba ovih kodezatora je sasvim ograičea jer im je jeda stezaljka ( odloga) uzemljea za izmjeiči sigal. Druga vrsta kodezatora za moolita itegrisaa kola su MOS kodezatori. Presjek i odgovarajuća ekvivaleta šema dati su a sl.2.7c i sl.2.7d. A B C 1 R 2 - odloga C1 D1 sl.2.7c sl.2.7d Kao jeda vodljiva elektoda MOS kodezatora služi taki metali Al sloj, a kao druga odručje dobijeo emiterskom difuzijom. Između vodljivih elektroda alazi se taki dielektriči sloj SiO 2. Budući da je relativa dielektriča kostata SiO 2 ε r =3,82 i da se iz teholoških i električih razloga e raktikuju oksidi slojevi taji od 0,05 µm a ovaj ači ije moguće formirati kodezatore kaaciteta većeg od 670 F/mm 2. MOS kodezator ima i svoje arazite komoete: - serijski otor R koji riada odručju i običo izosi od 5 do 10 Ω. - arazita dioda D 1 i araziti kaacitet C 1 iverzo olarisaog izolacijskog otoka rema odlozi. Proboji ao MOS kodezatora je veći od 25 V. Coyright 2000 Mede WebPage ; Made by Peja_ 9